JPH0615962A - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク - Google Patents
コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスクInfo
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- JPH0615962A JPH0615962A JP3224543A JP22454391A JPH0615962A JP H0615962 A JPH0615962 A JP H0615962A JP 3224543 A JP3224543 A JP 3224543A JP 22454391 A JP22454391 A JP 22454391A JP H0615962 A JPH0615962 A JP H0615962A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、安定性に優れ、さらに記録感度のよ
いＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
の記録膜材料およびディスクの構成である。 【構成】基板／記録膜／反射膜層／保護層の４層構造よ
りなるＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディ
スクにおいて、記録膜が特定のフタロシアニン系色素で
構成されることを特徴とする光ディスク。
いＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
の記録膜材料およびディスクの構成である。 【構成】基板／記録膜／反射膜層／保護層の４層構造よ
りなるＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディ
スクにおいて、記録膜が特定のフタロシアニン系色素で
構成されることを特徴とする光ディスク。
Description
【０００１】本発明は、レーザー光による情報の記録、
再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しくはコンパ
クトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディスク−Ｒ
ＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスクに関す
る。
再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しくはコンパ
クトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディスク−Ｒ
ＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピュー
タ用ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。こ
のようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカーボネ
ート等の透明基板表面にＣＤフォーマット信号またはＣ
Ｄ−ＲＯＭフォーマット信号を有するピット列を射出成
形時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸
着あるいはスパッタリングにより反射膜として設け、さ
らに保護層をコートして作成する。このようにして作成
した光ディスクの基板の裏面から再生レーザー光（７８
０ｎｍ半導体レーザー光）を照射して、ピットの凹凸に
よる反射率の変化から各信号を読取り、情報を再生する
ものである。しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍは再生専用であり記録ができないため、追記型光ディ
スクあるいは書換え可能な光磁気ディスク等のような編
集機能がないという不都合さがあった。一方、編集機能
を有する追記型光ディスクあるいは光磁気ディスクとし
ては、Ｔｅ等カルコゲナイト系化合物、希土類金属化合
物もしくはシアニン、ナフタロシアニン等の有機色素等
を記録膜としたものが実用化されている。しかしなが
ら、これらの光ディスクは、基板面からの反射率が３０
〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格であるレッドブ
ックに記載されている基板面からの反射率７０％以上に
は到達しておらず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍの再生装置により信号の再生を行うことはできないと
いう問題点がある。このような問題点を解決するため
に、シアニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、
基板面反射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤ
フォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を
記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読
み出す光ディスクおよび方法が提案されている。
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピュー
タ用ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。こ
のようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカーボネ
ート等の透明基板表面にＣＤフォーマット信号またはＣ
Ｄ−ＲＯＭフォーマット信号を有するピット列を射出成
形時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸
着あるいはスパッタリングにより反射膜として設け、さ
らに保護層をコートして作成する。このようにして作成
した光ディスクの基板の裏面から再生レーザー光（７８
０ｎｍ半導体レーザー光）を照射して、ピットの凹凸に
よる反射率の変化から各信号を読取り、情報を再生する
ものである。しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍは再生専用であり記録ができないため、追記型光ディ
スクあるいは書換え可能な光磁気ディスク等のような編
集機能がないという不都合さがあった。一方、編集機能
を有する追記型光ディスクあるいは光磁気ディスクとし
ては、Ｔｅ等カルコゲナイト系化合物、希土類金属化合
物もしくはシアニン、ナフタロシアニン等の有機色素等
を記録膜としたものが実用化されている。しかしなが
ら、これらの光ディスクは、基板面からの反射率が３０
〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格であるレッドブ
ックに記載されている基板面からの反射率７０％以上に
は到達しておらず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍの再生装置により信号の再生を行うことはできないと
いう問題点がある。このような問題点を解決するため
に、シアニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、
基板面反射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤ
フォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を
記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読
み出す光ディスクおよび方法が提案されている。
【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光に
さらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問題
が生ずる可能性がある。そのため、シアニン色素に代え
て、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン色素
を記録膜材料に使用する試みが検討されている。
定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光に
さらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問題
が生ずる可能性がある。そのため、シアニン色素に代え
て、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン色素
を記録膜材料に使用する試みが検討されている。
【０００４】このフタロシアニン色素の場合には、熱的
にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが非
常にシャープであるため、ＣＤドライブのピックアップ
に搭載される半導体レーザーの発振波長の許容範囲（７
８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射率お
よび吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波長依
存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成りに
くいという問題点がある。
にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが非
常にシャープであるため、ＣＤドライブのピックアップ
に搭載される半導体レーザーの発振波長の許容範囲（７
８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射率お
よび吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波長依
存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成りに
くいという問題点がある。
【０００５】従って、現状では安定性に優れ、さらに記
録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供され
ていない。
録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供され
ていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン系色素を記録
膜材料として用いる場合に生ずる低記録感度および記録
感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られる記
録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を得るに
至った。
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン系色素を記録
膜材料として用いる場合に生ずる低記録感度および記録
感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られる記
録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を得るに
至った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスクは以下のようにして実現され
る。第一の発明は、透明基板／記録膜層／反射膜層／保
護膜の４層構造からなり、ＣＤフォーマット信号または
ＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光デ
ィスクにおいて、その記録膜層が下記一般式（１）で示
される化合物と一般式（２）で示される化合物からそれ
ぞれ選ばれる２種以上のフタロシアニン色素混合膜より
構成されることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスク。 一般式（１）
れ、さらに記録特性も良好なＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスクは以下のようにして実現され
る。第一の発明は、透明基板／記録膜層／反射膜層／保
護膜の４層構造からなり、ＣＤフォーマット信号または
ＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光デ
ィスクにおいて、その記録膜層が下記一般式（１）で示
される化合物と一般式（２）で示される化合物からそれ
ぞれ選ばれる２種以上のフタロシアニン色素混合膜より
構成されることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスク。 一般式（１）
【０００８】
【化６】
【０００９】［式中、置換基Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表す。さらに、Ｘ1 〜
Ｘ4 の置換位置は、Ｘ1 が式中の１位または４位、Ｘ2
が式中の５位または８位、Ｘ3 が式中の９位または１２
位、Ｘ4 が式中の１３位または１６位である。中心金属
Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置
換基Ｚは、
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表す。さらに、Ｘ1 〜
Ｘ4 の置換位置は、Ｘ1 が式中の１位または４位、Ｘ2
が式中の５位または８位、Ｘ3 が式中の９位または１２
位、Ｘ4 が式中の１３位または１６位である。中心金属
Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置
換基Ｚは、
【００１０】
【化７】
【００１１】水酸基またはハロゲン原子を表す。ここ
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有して
もよいアリーロキシ基を表す。Ｙは、１または２の整数
であり置換基Ｚの個数を表す。］ 一般式（２）
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有して
もよいアリーロキシ基を表す。Ｙは、１または２の整数
であり置換基Ｚの個数を表す。］ 一般式（２）
【００１２】
【化８】
【００１３】［式中、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 は、それぞれ独
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、アルキルチオ基、−ＣＯＯＲ5 、
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、アルキルチオ基、−ＣＯＯＲ5 、
【００１４】
【化９】
【００１５】ハロゲン原子またはニトロ基を表す。ここ
で、Ｒ5 〜Ｒ17は、互に同一であっても異なっていても
良く、水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置
換基を有しても良いアリール基を表し、またはＲ8 とＲ
9 とで、Ｒ11とＲ12とで、あるいはＲ13とＲ14とで、４
〜７員環を形成していてもよく、これら４〜７員環はさ
らに窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環であっても
よい。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎを表す。置換基Ｚは、
で、Ｒ5 〜Ｒ17は、互に同一であっても異なっていても
良く、水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置
換基を有しても良いアリール基を表し、またはＲ8 とＲ
9 とで、Ｒ11とＲ12とで、あるいはＲ13とＲ14とで、４
〜７員環を形成していてもよく、これら４〜７員環はさ
らに窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環であっても
よい。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎを表す。置換基Ｚは、
【００１６】
【化１０】
【００１７】水酸基またはハロゲン原子を表す。ここ
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、一般式（１）と同
様に置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基
または置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙ
は、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表す。］
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、一般式（１）と同
様に置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基
または置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙ
は、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表す。］
【００１８】第二の発明は、第一の発明において、一般
式（２）のＸ5 〜Ｘ8 の置換位置が、それぞれＸ5 が式
中の２位または３位、Ｘ6 が式中の６位または７位、Ｘ
7 が式中の１０位または１１位、Ｘ8 が式中の１４位ま
たは１５位であることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
式（２）のＸ5 〜Ｘ8 の置換位置が、それぞれＸ5 が式
中の２位または３位、Ｘ6 が式中の６位または７位、Ｘ
7 が式中の１０位または１１位、Ｘ8 が式中の１４位ま
たは１５位であることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
【００１９】第三の発明は、第一の発明において、一般
式（２）のＸ5 〜Ｘ8 が、それぞれ独立に置換基を有し
ても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ
基、アルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対応ま
たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
式（２）のＸ5 〜Ｘ8 が、それぞれ独立に置換基を有し
ても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ
基、アルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対応ま
たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
【００２０】第四の発明は、第一の発明において、一般
式（１）のＸ1 〜Ｘ4 および一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8
の８つの置換基の内の１つ以上がフッ素原子置換のアル
キル基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原
子置換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対
応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
式（１）のＸ1 〜Ｘ4 および一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8
の８つの置換基の内の１つ以上がフッ素原子置換のアル
キル基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原
子置換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対
応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
【００２１】第五の発明は、第一の発明において、一般
式（１）のＸ1 〜Ｘ4 および一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8
の８つの置換基のすべてがフッ素原子置換のアルキル
基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原子置
換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対応ま
たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
式（１）のＸ1 〜Ｘ4 および一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8
の８つの置換基のすべてがフッ素原子置換のアルキル
基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原子置
換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対応ま
たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
【００２２】本発明の記録膜層が一般式（１）で示され
るフタロシアニン系色素と一般式（２）で示されるフタ
ロシアニン系色素の混合膜により構成することについて
は、一般式（１）で示されるフタロシアニン系色素は、
置換位置の効果により吸収波長が長波長にシフトし、記
録レーザーの発振波長域に吸収を有する。さらに、置換
位置の効果によりフタロシアニン骨格の熱分解点が低下
する。このように光学特性および熱特性の面でヒートモ
ード記録のメディアの高感度化に適した化合物系であ
る。しかしながら、これらのフタロシアニン系化合物
は、記録レーザーの発振波長域の吸収が大き過ぎるた
め、ディスクとしての反射率が低く、オレンジブックの
規格である６５％以上の反射率を確保することができな
い。そこで、一般式（２）で示される記録レーザーの発
振波長域に比較的吸収の少ないフタロシアニン系色素を
混合させることにより高記録感度でしかも高反射率のメ
ディアとなり、さらに再生波形も良好となる。また、置
換基にフッ素を導入することにより、溶解性が向上する
と同時に、基板との界面エネルギーによると考えられる
が、記録ピットの状態が良好になり、記録信号のコント
ラストが大きく、さらに再生波形がきれいになる。ま
た、中心金属の軸方向置換基にリン含有の置換基を導入
することにより、汎用のアルコール系およびセロソルブ
系の溶媒への溶解性が向上し、光ディスク基板として汎
用に使用されているポリカーボネート基板を侵すことな
く塗布することができる利点がある。
るフタロシアニン系色素と一般式（２）で示されるフタ
ロシアニン系色素の混合膜により構成することについて
は、一般式（１）で示されるフタロシアニン系色素は、
置換位置の効果により吸収波長が長波長にシフトし、記
録レーザーの発振波長域に吸収を有する。さらに、置換
位置の効果によりフタロシアニン骨格の熱分解点が低下
する。このように光学特性および熱特性の面でヒートモ
ード記録のメディアの高感度化に適した化合物系であ
る。しかしながら、これらのフタロシアニン系化合物
は、記録レーザーの発振波長域の吸収が大き過ぎるた
め、ディスクとしての反射率が低く、オレンジブックの
規格である６５％以上の反射率を確保することができな
い。そこで、一般式（２）で示される記録レーザーの発
振波長域に比較的吸収の少ないフタロシアニン系色素を
混合させることにより高記録感度でしかも高反射率のメ
ディアとなり、さらに再生波形も良好となる。また、置
換基にフッ素を導入することにより、溶解性が向上する
と同時に、基板との界面エネルギーによると考えられる
が、記録ピットの状態が良好になり、記録信号のコント
ラストが大きく、さらに再生波形がきれいになる。ま
た、中心金属の軸方向置換基にリン含有の置換基を導入
することにより、汎用のアルコール系およびセロソルブ
系の溶媒への溶解性が向上し、光ディスク基板として汎
用に使用されているポリカーボネート基板を侵すことな
く塗布することができる利点がある。
【００２３】本発明の一般式（１）で示されるフタロシ
アニン系色素に導入されるＸ1 〜Ｘ 4 および一般式
（２）で示されるフタロシアニン系色素に導入されるＸ
5 〜Ｘ8を構成する原子および有機置換基の代表例とし
ては、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有しても良いアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基、
フタルイミドメチル基等を、置換基を有しても良いアル
コキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオ
ロエトキシ基、テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフ
ルオロプロポキシ基等を、置換基を有しても良いアルキ
ルチオ基としては、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、
テトラフルオロプロピルチオ基等を、それぞれ挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
アニン系色素に導入されるＸ1 〜Ｘ 4 および一般式
（２）で示されるフタロシアニン系色素に導入されるＸ
5 〜Ｘ8を構成する原子および有機置換基の代表例とし
ては、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有しても良いアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基、
フタルイミドメチル基等を、置換基を有しても良いアル
コキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオ
ロエトキシ基、テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフ
ルオロプロポキシ基等を、置換基を有しても良いアルキ
ルチオ基としては、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、
テトラフルオロプロピルチオ基等を、それぞれ挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
【００２４】本発明において、一般式（１）で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。すなわち、下記一般式（３）で示されるイソイン
ドリン化合物と各種金属塩とから、あるいはカルボン酸
無水物、イミド類またはニトリル類を出発原料として常
法により、一般式（４）で示されるフタロシアニン系化
合物を製造できる。 一般式（３）
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。すなわち、下記一般式（３）で示されるイソイン
ドリン化合物と各種金属塩とから、あるいはカルボン酸
無水物、イミド類またはニトリル類を出発原料として常
法により、一般式（４）で示されるフタロシアニン系化
合物を製造できる。 一般式（３）
【００２５】
【化１１】
【００２６】［式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 およびＸ4 は一
般式（１）における意味と同じ意味を表す。］ 一般式（４）
般式（１）における意味と同じ意味を表す。］ 一般式（４）
【００２７】
【化１２】
【００２８】［式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 およびＸ4 、さ
らにＹは一般式（１）における意味と同じ意味を表
す。］
らにＹは一般式（１）における意味と同じ意味を表
す。］
【００２９】次に、得られた一般式（４）で示されるフ
タロシアニン系化合物に、種々のリン化合物を反応させ
ることにより、一般式（１）で示されるフタロシアニン
系化合物を製造できる。本発明において、一般式（２）
で示される化合物は、例えば、以下の方法により製造す
ることができる。すなわち、下記一般式（５）で示され
るイソインドリン化合物と各種金属塩とから、あるいは
カルボン酸無水物、イミド類またはニトリル類を出発原
料として常法により、一般式（６）で示されるフタロシ
アニン系化合物を製造できる。 一般式（５）
タロシアニン系化合物に、種々のリン化合物を反応させ
ることにより、一般式（１）で示されるフタロシアニン
系化合物を製造できる。本発明において、一般式（２）
で示される化合物は、例えば、以下の方法により製造す
ることができる。すなわち、下記一般式（５）で示され
るイソインドリン化合物と各種金属塩とから、あるいは
カルボン酸無水物、イミド類またはニトリル類を出発原
料として常法により、一般式（６）で示されるフタロシ
アニン系化合物を製造できる。 一般式（５）
【００３０】
【化１３】
【００３１】［式中、Ｘ5 、Ｘ6 、Ｘ7 およびＸ8 は、
一般式（１）における意味と同じ意味を表す。］ 一般式（６）
一般式（１）における意味と同じ意味を表す。］ 一般式（６）
【００３２】
【化１４】
【００３３】［式中、Ｘ5 、Ｘ6 、Ｘ7 およびＸ8 は、
さらにＹは、一般式（１）における意味と同じ意味を表
す。］次に、得られた一般式（６）で示されるフタロシ
アニン系化合物に、種々のリン化合物を反応させること
により、一般式（２）で示されるフタロシアニン系化合
物を製造できる。
さらにＹは、一般式（１）における意味と同じ意味を表
す。］次に、得られた一般式（６）で示されるフタロシ
アニン系化合物に、種々のリン化合物を反応させること
により、一般式（２）で示されるフタロシアニン系化合
物を製造できる。
【００３４】本発明に用いられる一般式（１）で示され
るフタロシアニン色素と一般式（２）で示されるフタロ
シアニン色素との混合比率については、化合物の種類お
よび組合せにより異なるが、一般式（１）で示されるフ
タロシアニン色素／一般式（２）で示されるフタロシア
ニン色素＝１／９〜９／１の範囲でよく、さらに３／７
〜７／３の範囲が好ましい。
るフタロシアニン色素と一般式（２）で示されるフタロ
シアニン色素との混合比率については、化合物の種類お
よび組合せにより異なるが、一般式（１）で示されるフ
タロシアニン色素／一般式（２）で示されるフタロシア
ニン色素＝１／９〜９／１の範囲でよく、さらに３／７
〜７／３の範囲が好ましい。
【００３５】また、記録膜層には、記録膜の耐光性、耐
環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさらに向上
させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤等の添
加剤を加えてもよい。例えば、一般式（７）で示される
ジインモニウム系化合物および一般式（８）で示される
アゾベンゼン系化合物が挙げられる。
環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさらに向上
させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤等の添
加剤を加えてもよい。例えば、一般式（７）で示される
ジインモニウム系化合物および一般式（８）で示される
アゾベンゼン系化合物が挙げられる。
【００３６】一般式（７）
【００３７】
【化１５】
【００３８】［式中、ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ
18は、水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ9 は、ハ
ロゲン原子、過塩素酸、ポウフッ化水素酸、ヘキサフル
オロ酢酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオン
を表す。］
18は、水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ9 は、ハ
ロゲン原子、過塩素酸、ポウフッ化水素酸、ヘキサフル
オロ酢酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオン
を表す。］
【００３９】一般式（８）
【００４０】
【化１６】
【００４１】［式中、Ｒ19は、水素原子もしくはアルキ
ル基を表す。Ｒ20は、水酸基、アルコキシ基、アミノ基
あるいはニトロ基を表す。］
ル基を表す。Ｒ20は、水酸基、アルコキシ基、アミノ基
あるいはニトロ基を表す。］
【００４２】このような記録膜層の成膜方法としては、
ドライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法
によっても可能である。
ドライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法
によっても可能である。
【００４３】また、ウェットプロセス、例えば、スピン
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あ
るいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によって
も可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生
産性および記録膜の均一性からスピンコート法により成
膜する方法が好ましい。
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あ
るいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によって
も可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生
産性および記録膜の均一性からスピンコート法により成
膜する方法が好ましい。
【００４４】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０重量％以下が好ましい。
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０重量％以下が好ましい。
【００４５】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録感
度、再生波形の鮮明性およびディスクの反射率に大きく
影響を及ぼすため、膜厚コントロールはディスク構成に
おいて重要な点である。膜厚が薄い場合には、記録膜の
光透過性が大きくなり、反射率は高くなるが、逆に記録
感度は低下し、さらに記録ピット形状が均一にならず、
再生波形に歪が生ずる傾向がある。また、厚い場合に
は、記録膜の光透過性が減少し、反射率は低下するが、
記録感度は向上し、再生波形は鮮明になる傾向がある。
本発明の記録膜層についても、記録膜の膜厚は記録特性
に大きく関係する。反射率、記録感度および再生波形の
鮮明性の最もバランスのとれた最適な膜厚については、
本発明で用いることができる記録膜材料の種類および組
合せにより異なるが、５００〜３０００オングストロー
ムの範囲の膜厚では、いずれの記録膜層でもオレンジブ
ックの規格に適合できる特性が得られ、さらに１０００
〜２５００オングストロームの範囲では良好な記録特性
を示す。
度、再生波形の鮮明性およびディスクの反射率に大きく
影響を及ぼすため、膜厚コントロールはディスク構成に
おいて重要な点である。膜厚が薄い場合には、記録膜の
光透過性が大きくなり、反射率は高くなるが、逆に記録
感度は低下し、さらに記録ピット形状が均一にならず、
再生波形に歪が生ずる傾向がある。また、厚い場合に
は、記録膜の光透過性が減少し、反射率は低下するが、
記録感度は向上し、再生波形は鮮明になる傾向がある。
本発明の記録膜層についても、記録膜の膜厚は記録特性
に大きく関係する。反射率、記録感度および再生波形の
鮮明性の最もバランスのとれた最適な膜厚については、
本発明で用いることができる記録膜材料の種類および組
合せにより異なるが、５００〜３０００オングストロー
ムの範囲の膜厚では、いずれの記録膜層でもオレンジブ
ックの規格に適合できる特性が得られ、さらに１０００
〜２５００オングストロームの範囲では良好な記録特性
を示す。
【００４６】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。
【００４７】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。
【００４８】本発明の反射膜の膜厚については、薄い場
合には、光透過性が高く十分な反射率が得られず、オレ
ンジブックの規格である６５％以上の反射率が確保でき
ない。また、厚い場合には、熱膨張率の影響等により機
械特性および記録膜層との密着性に問題が生ずる。この
ような特性のバランスがとれた最適な反射膜の膜厚とし
ては、４００〜１３００オングストロームの範囲が好ま
しい。
合には、光透過性が高く十分な反射率が得られず、オレ
ンジブックの規格である６５％以上の反射率が確保でき
ない。また、厚い場合には、熱膨張率の影響等により機
械特性および記録膜層との密着性に問題が生ずる。この
ような特性のバランスがとれた最適な反射膜の膜厚とし
ては、４００〜１３００オングストロームの範囲が好ま
しい。
【００４９】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でディスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でディスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。
【００５０】保護層の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。
【００５１】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。
【００５２】本発明の追記型光ディスクでは、基板上に
形成される案内溝の形状および寸法が、記録膜の膜厚と
同様に反射率、記録感度および、再生波形の鮮明性に対
し大きく影響を及ぼす。案内溝の形状については、本発
明の記録膜層の場合、短形、台形、Ｕ字形およびＶ字形
のいずれの形状であってもオレンジブックの規格に適合
する特性を得ることができるため、特に制限はない。一
方、案内溝の寸法については、反射率、記録感度およ
び、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエラー信号
等のシステム制御信号の大きさに影響を及ぼす。このこ
とについては、案内溝の寸法がスピンコート時の案内溝
内への記録材料の堆積の状態に影響があり、記録膜の膜
厚と同様の効果が生じている。そのため、反射率、記録
感度および、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエ
ラー信号等のシステム制御信号の大きさが最もバランス
のとれた最適な案内溝寸法としては、使用する記録膜層
の種類および組合せにより若干ことなるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが５００〜２０００オングストローム
の範囲であり、この範囲の寸法ではオレンジブックの規
格に十分適合する特性が得られる。
形成される案内溝の形状および寸法が、記録膜の膜厚と
同様に反射率、記録感度および、再生波形の鮮明性に対
し大きく影響を及ぼす。案内溝の形状については、本発
明の記録膜層の場合、短形、台形、Ｕ字形およびＶ字形
のいずれの形状であってもオレンジブックの規格に適合
する特性を得ることができるため、特に制限はない。一
方、案内溝の寸法については、反射率、記録感度およ
び、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエラー信号
等のシステム制御信号の大きさに影響を及ぼす。このこ
とについては、案内溝の寸法がスピンコート時の案内溝
内への記録材料の堆積の状態に影響があり、記録膜の膜
厚と同様の効果が生じている。そのため、反射率、記録
感度および、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエ
ラー信号等のシステム制御信号の大きさが最もバランス
のとれた最適な案内溝寸法としては、使用する記録膜層
の種類および組合せにより若干ことなるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが５００〜２０００オングストローム
の範囲であり、この範囲の寸法ではオレンジブックの規
格に十分適合する特性が得られる。
【００５３】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。
【００５４】
【実施例】以下の製造例および実施例により、本発明を
さらに具体的に説明するる。
さらに具体的に説明するる。
【００５５】製造例１ フタロシアニン化合物（ａ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ａ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ａ）を３．４部得た。
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ａ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ａ）を３．４部得た。
【００５６】製造例２ フタロシアニン化合物（ｂ）の製造 キノリン５０部に表１に示すイソインドリン化合物（ｂ
１）７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１９
０〜２００℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノ
ール１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフ
タロシアニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒド
ロキシシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ
フェニルクロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルア
ミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱
撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ
過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシア
ニン化合物（ｂ）を３．７部得た。
１）７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１９
０〜２００℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノ
ール１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフ
タロシアニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒド
ロキシシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ
フェニルクロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルア
ミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱
撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ
過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシア
ニン化合物（ｂ）を３．７部得た。
【００５７】製造例３ フタロシアニン化合物（ｃ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｃ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｃ）を３．２部得た。
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｃ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｃ）を３．２部得た。
【００５８】製造例４ フタロシアニン化合物（ｄ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｄ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｄ）を４．１部得た。
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｄ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロホスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｄ）を４．１部得た。
【００５９】製造例５ フタロシアニン化合物（ｅ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｅ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｅ）を３．４部得た。
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｅ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン化合
物（ｅ）を３．４部得た。
【００６０】製造例６ フタロシアニン化合物（ｆ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｆ１）７．
８部および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０
℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１００
０部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニ
ン系化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキシシリ
コンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ−トリ−フ
ルオロエチルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希
釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフ
タロシアニン化合物（ｆ）を２．６部得た。
２５部に表１に示すイソインドリン化合物（ｆ１）７．
８部および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０
℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１００
０部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニ
ン系化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキシシリ
コンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ−トリ−フ
ルオロエチルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希
釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフ
タロシアニン化合物（ｆ）を２．６部得た。
【００６１】製造例７ フタロシアニン化合物（ｇ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｇ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ 4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｇ）を４．３部得た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｇ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ 4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｇ）を４．３部得た。
【００６２】製造例８ フタロシアニン化合物（ｈ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｈ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、
メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示す
Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシ
アニン化合物（ｈ）を４．５部得た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｈ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルク
ロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、
メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示す
Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシ
アニン化合物（ｈ）を４．５部得た。
【００６３】製造例９ フタロシアニン化合物（ｉ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｉ１）とイ
ソインドリン化合物（ｉ２）の１：１の混合物７．８部
および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０℃で
３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００部
で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルムア
ミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン系
化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキシシリコン
ナフタロシアニン系化合物５．０部、ジブチルクロロフ
ォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０部、
ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後、
冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メタノ
ール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｉ）を４．０部得た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｉ１）とイ
ソインドリン化合物（ｉ２）の１：１の混合物７．８部
および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０℃で
３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００部
で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルムア
ミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン系
化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキシシリコン
ナフタロシアニン系化合物５．０部、ジブチルクロロフ
ォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０部、
ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後、
冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メタノ
ール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｉ）を４．０部得た。
【００６４】製造例１０ フタロシアニン化合物（ｊ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｊ１）とイ
ソインドリン化合物（ｊ２）の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニルクロ
ロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｊ）を３．８部得た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｊ１）とイ
ソインドリン化合物（ｊ２）の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニルクロ
ロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表４に示すＸ1 、
Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｊ）を３．８部得た。
【００６５】製造例１１ フタロシアニン化合物（ｋ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｋ１）７．
８部およびアセチルアセトンインジュウム５．０部を加
え、１５０〜１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却
し、メタノール１０００部で希釈し、ろ過し、メタノー
ルおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒ
ドロキシフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得ら
れたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合物
５．０部、ジフェニィルクロロフォスフェート５０部、
トリ−ｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１
１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で
乾燥して、表４に示すＸ1 、Ｘ2 、Ｘ 3 、Ｘ4 、Ｍおよ
びＹからなるフタロシアニン化合物（ｋ）を２．９部得
た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｋ１）７．
８部およびアセチルアセトンインジュウム５．０部を加
え、１５０〜１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却
し、メタノール１０００部で希釈し、ろ過し、メタノー
ルおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒ
ドロキシフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得ら
れたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合物
５．０部、ジフェニィルクロロフォスフェート５０部、
トリ−ｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１
１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で
乾燥して、表４に示すＸ1 、Ｘ2 、Ｘ 3 、Ｘ4 、Ｍおよ
びＹからなるフタロシアニン化合物（ｋ）を２．９部得
た。
【００６６】製造例１２ フタロシアニン化合物（ｌ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｌ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、
メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示す
Ｘ5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシ
アニン化合物（ｌ）を４．２部得た。
２５部に表２に示すイソインドリン化合物（ｌ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニル
クロロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、
メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示す
Ｘ5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシ
アニン化合物（ｌ）を４．２部得た。
【００６７】製造例１３ フタロシアニン化合物（ｍ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表３に示すイソインドリン（ｍ１）化合物とイ
ソインドリン（ｍ２）化合物の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルクロロ
フォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示すＸ5 、
Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｍ）を３．４部得た。
２５部に表３に示すイソインドリン（ｍ１）化合物とイ
ソインドリン（ｍ２）化合物の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジエチルクロロ
フォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示すＸ5 、
Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｍ）を３．４部得た。
【００６８】製造例１４ フタロシアニン化合物（ｎ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｎ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ−トリ−
フルオロエチルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ
−ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で
２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で
希釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥し
て、表５に示すＸ 5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹか
らなるフタロシアニン化合物（ｎ）を２．６部得た。
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｎ１）７．
８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６
０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシア
ニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ−トリ−
フルオロエチルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ
−ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で
２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で
希釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥し
て、表５に示すＸ 5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹか
らなるフタロシアニン化合物（ｎ）を２．６部得た。
【００６９】製造例１５ フタロシアニン化合物（ｏ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｏ１）とイ
ソインドリン化合物（ｏ２）の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニィルク
ロロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示すＸ5 、
Ｘ6 、Ｘ7、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｏ）を３．８部得た。
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｏ１）とイ
ソインドリン化合物（ｏ２）の１：１の混合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニン
系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェニィルク
ロロフォスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過し、メ
タノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表５に示すＸ5 、
Ｘ6 、Ｘ7、Ｘ8 、ＭおよびＹからなるフタロシアニン
化合物（ｏ）を３．８部得た。
【００７０】製造例１６ フタロシアニン化合物（ｐ）の製造 ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｐ１）７．
８部および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０
℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１００
０部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニ
ン系化合物２．８部を得た。得られたジヒドロキシシリ
コンナフタロシアニン系化合物５．０部、トリ−ｎ−ブ
チルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時
間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈
し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表
５に示すＸ5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなる
フタロシアニン化合物（ｐ）を２．８部得た。
２５部に表３に示すイソインドリン化合物（ｐ１）７．
８部および塩化アルミ５．０部を加え、１５０〜１６０
℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１００
０部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロシアニ
ン系化合物２．８部を得た。得られたジヒドロキシシリ
コンナフタロシアニン系化合物５．０部、トリ−ｎ−ブ
チルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時
間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈
し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥して、表
５に示すＸ5 、Ｘ6 、Ｘ7 、Ｘ8 、ＭおよびＹからなる
フタロシアニン化合物（ｐ）を２．８部得た。
【００７１】表１
【表１】
【００７２】表２
【表２】
【００７３】表３
【表３】
【００７４】表４
【表４】
【００７５】表５
【表５】
【００７６】フタロシアニン化合物（ａ）
【化１７】
【００７７】フタロシアニン化合物（ｂ）
【化１８】
【００７８】フタロシアニン化合物（ｃ）
【化１９】
【００７９】フタロシアニン化合物（ｄ）
【化２０】
【００８０】フタロシアニン化合物（ｅ）
【化２１】
【００８１】フタロシアニン化合物（ｆ）
【化２２】
【００８２】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）および（ｂ）を
１：１で混合したものを２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．
２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この
塗液を用いて、スピンコーターにより色素膜厚１３００
オングストロームに成膜した。次に、このようにして得
た色素膜の上に真空蒸着により金を膜厚８００オングス
トロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディス
クを作成した。このようにして作成した光ディスクの反
射率は７１％であった。このようにして作成した光ディ
スクを用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用し
て線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマッ
ト信号を記録したところ、最適記録レーザーパワーが
７．６ｍＷで記録が可能であった。次に、この信号をＣ
Ｄプレーヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を
行ったところ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤ
プレーヤーに十分かかるレベルであった。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）および（ｂ）を
１：１で混合したものを２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．
２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この
塗液を用いて、スピンコーターにより色素膜厚１３００
オングストロームに成膜した。次に、このようにして得
た色素膜の上に真空蒸着により金を膜厚８００オングス
トロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディス
クを作成した。このようにして作成した光ディスクの反
射率は７１％であった。このようにして作成した光ディ
スクを用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用し
て線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマッ
ト信号を記録したところ、最適記録レーザーパワーが
７．６ｍＷで記録が可能であった。次に、この信号をＣ
Ｄプレーヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を
行ったところ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤ
プレーヤーに十分かかるレベルであった。
【００８３】実施例２ 深さ１５００オングストローム、幅０．５２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｃ）および（ｄ）を
５：３で混合したものをジアセトンアルコールに６５ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより色素膜厚１４５０オングストロームに成膜
した。次に、このようにして得た色素膜の上に真空蒸着
により金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さ
らに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミ
クロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。このよう
にして作成した光ディスクの反射率は７８％であった。
このようにして作成した光ディスクを用い、波長７８５
ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅ
ｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したとこ
ろ、最適記録レーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可能
であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレー
ザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた
信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかる
レベルであった。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｃ）および（ｄ）を
５：３で混合したものをジアセトンアルコールに６５ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより色素膜厚１４５０オングストロームに成膜
した。次に、このようにして得た色素膜の上に真空蒸着
により金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さ
らに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミ
クロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。このよう
にして作成した光ディスクの反射率は７８％であった。
このようにして作成した光ディスクを用い、波長７８５
ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅ
ｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したとこ
ろ、最適記録レーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可能
であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレー
ザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた
信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかる
レベルであった。
【００８４】実施例３ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｅ）および（ｆ）を
７：３で混合したものをエチルセロソルブに５０ｍｇ／
ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリング
を行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコータ
ーにより色素膜厚１７２０オングストロームに成膜し
た。次に、このようにして得た色素膜の上に真空蒸着に
より金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さら
に、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミク
ロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。このように
して作成した光ディスクの反射率は６８％であった。こ
のようにして作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎ
ｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃ
で、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、
最適記録レーザーパワーが７．０ｍＷで記録が可能であ
った。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザー
パワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号
は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベ
ルであった。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｅ）および（ｆ）を
７：３で混合したものをエチルセロソルブに５０ｍｇ／
ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリング
を行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコータ
ーにより色素膜厚１７２０オングストロームに成膜し
た。次に、このようにして得た色素膜の上に真空蒸着に
より金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さら
に、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミク
ロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。このように
して作成した光ディスクの反射率は６８％であった。こ
のようにして作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎ
ｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃ
で、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、
最適記録レーザーパワーが７．０ｍＷで記録が可能であ
った。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザー
パワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号
は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベ
ルであった。
【００８５】実施例４〜８ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表６に示すフタロシアニン化合物の組合せお
よび条件で成膜した。次に、このようにして得た色素膜
の上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストローム
に成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率およ
び実施例１と同様の方法で記録、再生を行った場合の最
適記録レーザーパワーを表７に示す。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表６に示すフタロシアニン化合物の組合せお
よび条件で成膜した。次に、このようにして得た色素膜
の上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストローム
に成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率およ
び実施例１と同様の方法で記録、再生を行った場合の最
適記録レーザーパワーを表７に示す。
【００８６】表６
【表６】
【００８７】表７
【表７】
【００８８】
【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板／記録膜層／反射膜層／保護膜
の４層構造からなり、コンパクトディスクフォーマット
信号またはコンパクトディスク−ＲＯＭフォーマット信
号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜
層が下記一般式（１）で示される化合物と一般式（２）
で示される化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタ
ロシアニン色素混合膜より構成されることを特徴とする
コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−Ｒ
ＯＭ対応の追記型光ディスク。 一般式（１） 【化１】 ［式中、置換基Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に置換基を
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基を表す。さらに、Ｘ1 〜Ｘ4 の置換位
置は、Ｘ1 が式中の１位または４位、Ｘ2 が式中の５位
または８位、Ｘ3 が式中の９位または１２位、Ｘ4 が式
中の１３位または１６位である。中心金属Ｍは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚは、 【化２】 水酸基またはハロゲン原子を表す。ここで、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、置換基を有してもよいアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有し
てもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリ
ーロキシ基を表す。Ｙは、１または２の整数であり置換
基Ｚの個数を表す。］ 一般式（２） 【化３】 ［式中、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 は、それぞれ独立に置換基を
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、アルキルチオ基、−ＣＯＯＲ5 、 【化４】 ハロゲン原子またはニトロ基を表す。ここで、Ｒ5 〜Ｒ
17は、互に同一であっても異なっていても良く、水素原
子、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアリール基を表し、またはＲ8 とＲ9 とで、Ｒ11
とＲ12とで、あるいはＲ13とＲ14とで、４〜７員環を形
成していてもよく、これら４〜７員環はさらに窒素原子
などのヘテロ原子を含む複素環であってもよい。中心金
属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。
置換基Ｚは、 【化５】 水酸基またはハロゲン原子を表す。ここで、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、一般式（１）と同様に置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリ
ール基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換
基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙは、１また
は２の整数であり置換基Ｚの個数を表す。］ - 【請求項２】 一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8 の置換位置
が、それぞれＸ5 が式中の２位または３位、Ｘ6 が式中
の６位または７位、Ｘ7 が式中の１０位または１１位、
Ｘ8 が式中の１４位または１５位であることを特徴とす
る請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコンパ
クトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。 - 【請求項３】 一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8 が、それぞれ
独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有し
ても良いアルコキシ基、アルキルチオ基であることを特
徴とする請求項１記載のコンパクトディスク対応または
コンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。 - 【請求項４】 請求項１において、一般式（１）のＸ1
〜Ｘ4 および一般式（２）のＸ5 〜Ｘ8 の８つの置換基
の内の１つ以上がフッ素原子置換のアルキル基、フッ素
原子置換のアルコキシ基またはフッ素原子置換のアルキ
ルチオ基であることを特徴とする請求項１記載のコンパ
クトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスク。 - 【請求項５】 一般式（１）のＸ1 〜Ｘ4 および一般式
（２）のＸ5 〜Ｘ8 の８つの置換基のすべてがフッ素原
子置換のアルキル基、フッ素原子置換のアルコキシ基ま
たはフッ素原子置換のアルキルチオ基であることを特徴
とする請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコ
ンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224543A JPH0615962A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224543A JPH0615962A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0615962A true JPH0615962A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=16815446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224543A Pending JPH0615962A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183126A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 着色剤とその製造方法およびそれを用いた着色組成物、カラーフィルタ |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3224543A patent/JPH0615962A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183126A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 着色剤とその製造方法およびそれを用いた着色組成物、カラーフィルタ |
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