JPH0615961A

JPH0615961A - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク

Info

Publication number: JPH0615961A
Application number: JP3224542A
Authority: JP
Inventors: Shuji Miyazaki; 修次宮崎; Mare Sakamoto; 希坂本
Original assignee: Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Toyo Ink Mfg Co Ltd
Priority date: 1991-08-09
Filing date: 1991-08-09
Publication date: 1994-01-25

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、安定性に優れ、さらに記録感度のよ
いＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
の記録膜材料およびディスクの構成である。【構成】基板／記録膜／反射膜層／保護層の４層構造よ
りなるＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディ
スクにおいて、記録膜が特定のフタロシアニン系色素で
構成されることを特徴とする光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

【０００１】本発明は、レーザー光による情報の記録、
再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しくはコンパ
クトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディスク−Ｒ
ＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスクに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピュー
タ用ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。こ
のようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカーボネ
ート等の透明基板表面にＣＤフォーマット信号またはＣ
Ｄ−ＲＯＭフォーマット信号を有するピット列を射出成
形時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸
着あるいはスパッタリングにより反射膜として設け、さ
らに保護層をコートして作成する。このようにして作成
した光ディスクの基板の裏面から再生レーザー光（７８
０ｎｍ半導体レーザー光）を照射して、ピットの凹凸に
よる反射率の変化から各信号を読取り、情報を再生する
ものである。

【０００３】しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍは、再生専用であり記録ができないため、追記型光デ
ィスクあるいは書換え可能な光磁気ディスク等のような
編集機能がないという不都合さがあった。一方、編集機
能を有する追記型光ディスクあるいは光磁気ディスクと
しては、Ｔｅ等カルコゲナイト系化合物、希土類金属化
合物もしくはシアニン、ナフタロシアニン等の有機色素
等を記録膜としたものが実用化されている。しかしなが
ら、これらの光ディスクは、基板面からの反射率が３０
〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格であるレッドブ
ックに記載されている基板面からの反射率７０％以上に
は到達しておらず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍの再生装置により信号の再生を行うことはできないと
いう問題点がある。このような問題点を解決するため
に、シアニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、
基板面反射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤ
フォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を
記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読
み出す光ディスクおよび方法が提案されている。

【０００４】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光に
さらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問題
が生ずる可能性がある。そのため、シアニン色素に代え
て、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン色素
を記録膜材料に使用する試みが検討されている。

【０００５】このフタロシアニン色素の場合には、熱的
にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが非
常にシャープであるため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭドラ
イブのピックアップに搭載される半導体レーザーの発振
波長の許容範囲（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した
光学特性（反射率および吸収）を得ることが困難であ
り、記録感度の波長依存性が大きく、汎用性のある追記
型光ディスクに成りにくいという問題点がある。

【０００６】従って、現状では、化学的、物理的な安定
性に優れ、さらに記録特性も良好なＣＤ対応またはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクは提供されていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性に優れたフタロシアニン系色素を記録
膜材料として用いる場合に生ずる記録感度の低さおよび
記録感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られ
る記録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を得
るに至った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスクは以下のようにして実現され
る。第一の発明は、透明基板／記録膜層／反射膜層／保
護膜の４層構造からなり、ＣＤフォーマットまたはＣＤ
−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディス
クにおいて、その記録膜層が下記一般式（１）で示され
る化合物からなることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクである。一般式（１）

【０００９】

【化３】

【００１０】［式中、置換基Ｘ¹は、置換基を有しても
良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、
置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲン原子、
ニトロ基を表す。置換基Ｘ²〜Ｘ⁴は、特に置換位置の
限定はなく、それぞれ独立に水素原子、置換基を有して
も良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ
基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲン原
子、ニトロ基を表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚは、

【００１１】

【化４】

【００１２】を表す。ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³および
Ｒ⁴は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有
してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリーロキシ基を表
す。Ｙは、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表
す。］

【００１３】第二の発明は、一般式（１）のＸ¹〜Ｘ⁴
の４つの置換基の内の１つ以上がフッ素原子置換のアル
キル基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原
子置換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対
応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。

【００１４】第三の発明は、一般式（１）のＸ¹〜Ｘ⁴
の４つの置換基のすべてがフッ素原子置換のアルキル
基、フッ素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原子置
換のアルキルチオ基であることを特徴とするＣＤ対応ま
たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。

【００１５】本発明の記録膜層が、一般式（１）で示さ
れるフタロシアニン系色素は、フタロシアニンを構成す
る４つのベンゼン環にそれぞれ導入される置換基の内１
つ以上がかならず３位の置換位置にあることが特徴であ
る。３位の位置への置換基導入は、吸収波長の長波長化
およびフタロシアニン骨格の熱分解点の低下に効果があ
る。この効果を利用して記録レーザーの発振波長域の吸
収量を増加させ、さらに熱的に記録感度の向上を図る目
的で、フタロシアニン骨格に導入する４つの置換基の内
１つ以上をかならず３位の置換位置に導入することによ
り、記録レーザーの発振波長域の光の吸収量をコントロ
ールし、反射率が高く、記録感度も優れたＣＤ対応また
はＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクが実現できる。
また、置換基にフッ素を導入することにより、有機溶媒
に対する溶解性が向上するために、記録膜の形成方法と
してウェットプロセス、例えばスピンコート法、ディッ
プ法、スプレー法、あるいはＬＢ（ラングミュアーブロ
ジェット）法を用いることができるとともに、基板との
界面エネルギーによると考えられるが、記録ピットの状
態が良好になり、記録信号のコントラストが大きく、さ
らに再生波形がきれいになる。さらに、中心金属の軸方
向置換基にリン含有の置換基を導入することにより、汎
用のアルコール系およびセロソルブ系の溶媒への溶解性
より一層向上し、光ディスク基板として汎用に使用され
ているポリカーボネート基板を侵すことなく塗布するこ
とができる利点がある。

【００１６】本発明の一般式（１）で示されるフタロシ
アニン系色素に導入されるＸ¹〜Ｘ ⁴のそれぞれを構成
する原子および有機置換基の代表例としては、ハロゲン
原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ素があり、置換
基を有しても良いアルキル基としては、メチル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステアリル基、トリク
ロロメチル基、２−メトキシエチル基、フタルイミドメ
チル基等を、置換基を有しても良いアルコキシ基として
は、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、
テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフルオロプロポキ
シ基等を、置換基を有しても良いアルキルチオ基として
は、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、テトラフルオロ
プロピルチオ基等を、それぞれ挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００１７】本発明において、一般式（１）で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。すなわち、下記一般式（２）と一般式（３）で示
されるイソインドリン化合物の混合物（混合比率につい
ては特に制限はないが、一般式（２）／一般式（３）＝
１／３〜３／１の範囲が好ましい）と金属塩とから、あ
るいはカルボン酸無水物、イミド類またはニトリル類を
出発原料として常法により、一般式（４）で示されるフ
タロシアニン系化合物を製造できる。一般式（２）

【００１８】

【化５】

【００１９】［式中、Ｘ¹は一般式（１）における意味
と同じ意味を表す。］一般式（３）

【００２０】

【化６】

【００２１】［式中、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴は、一般式
（１）における意味と同じ意味を表す。］一般式（４）

【００２２】

【化７】

【００２３】［式中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴は、
一般式（１）における意味と同じ意味を表す。］

【００２４】次に、得られた一般式（４）で示されるフ
タロシアニン系化合物に、種々のリン化合物を反応させ
ることにより、一般式（１）で示されるフタロシアニン
系化合物を製造できる。

【００２５】また、記録膜層には、記録膜の耐光性、耐
環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさらに向上
させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤等の添
加剤を加えてもよい。例えば、一般式（５）で示される
ジインモニウム系化合物および一般式（６）で示される
アゾベンゼン系化合物が挙げられる。一般式（５）

【００２６】

【化８】

【００２７】［式中、ｎは、１〜４の整数を表す。Ｒ⁵
は、水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ⁵は、ハロ
ゲン原子、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオ
ロ酢酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオンを
表す。］一般式（６）

【００２８】

【化９】

【００２９】［式中、Ｒ⁶は、水素原子もしくはアルキ
ル基を表す。Ｒ⁷は、水酸基、アルコキシ基、アミノ基
あるいはニトロ基を表す。］

【００３０】このような記録膜層の成膜方法としては、
ドライプロセス、ウェットプロセスの両方を用いること
ができる。ドライプロセスの場合、例えば、真空蒸着
法、スパッタリング法等を挙げることができる。

【００３１】また、ウェットプロセス、例えば、スピン
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あ
るいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法等を挙げ
ることができる。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生
産性および記録膜の均一性からスピンコート法により成
膜する方法が好ましい。

【００３２】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０重量％以下が好ましい。

【００３３】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録感
度、再生波形の鮮明性およびディスクの反射率に大きく
影響を及ぼすため、膜厚コントロールはディスク構成に
おいて重要な点である。膜厚が薄い場合には、記録膜の
光透過性が大きくなり、反射率は高くなるが、逆に記録
感度は低下し、さらに記録ピット形状が均一にならず、
再生波形に歪が生ずる傾向がある。また、厚い場合に
は、記録膜の光透過性が減少し、反射率は低下するが、
記録感度は向上し、再生波形は鮮明になる傾向がある。
本発明の記録膜層についても、記録膜の膜厚は記録特性
に大きく関係する。反射率、記録感度および再生波形の
鮮明性の最もバランスのとれた最適な膜厚については、
本発明で用いることができる記録膜材料の種類および組
合せにより異なるが、５００〜３０００オングストロー
ムの範囲の膜厚では、いずれの記録膜層でもオレンジブ
ックの規格に適合できる特性が得られ、さらに１０００
〜２５００オングストロームの範囲では良好な記録特性
を示す。

【００３４】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。

【００３５】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス、例えば真空蒸着法、スパッタリング法が
最も好ましいがこれに限られるものではない。

【００３６】本発明の反射膜の膜厚については、薄い場
合には、光透過性が高く十分な反射率が得られず、オレ
ンジブックの規格である６５％以上の反射率が確保でき
ない。また、厚い場合には、熱膨張率の影響等により機
械特性および記録膜層との密着性に問題が生ずる。この
ような特性のバランスがとれた最適な反射膜の膜厚とし
ては、４００〜１３００オングストロームの範囲が好ま
しい。

【００３７】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でディスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。

【００３８】保護層の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮により基板のそり等の機械特性の悪化の原因になる
ため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好まし
い。

【００３９】また、本発明に用いられる透明基板として
は信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が好ま
しくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さいもの
が望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレ
ン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メチルペ
ンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性
樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂から
なる透明基板が挙げられる。これらの中で、成形のしや
すさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付与
のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好まし
く、さらに光学特性や機械特性およびコストからみてア
クリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特に
好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内溝
などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。

【００４０】本発明の追記型光ディスクでは、基板上に
形成される案内溝の形状および寸法が、記録膜の膜厚と
同様に反射率、記録感度および、再生波形の鮮明性に対
し大きく影響を及ぼす。案内溝の形状については、本発
明の記録膜層の場合、短形、台形、Ｕ字形およびＶ字形
のいずれの形状であってもオレンジブックの規格に適合
する特性を得ることができるため、特に制限はない。一
方、案内溝の寸法については、反射率、記録感度およ
び、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエラー信号
等のシステム制御信号の大きさに影響を及ぼす。このこ
とについては、案内溝の寸法がスピンコート時の案内溝
内への記録材料の堆積の状態に影響があり、記録膜の膜
厚と同様の効果が生じている。そのため、反射率、記録
感度および、再生波形の鮮明性、さらにトラッキングエ
ラー信号等のシステム制御信号の大きさが最もバランス
のとれた最適な案内溝寸法としては、使用する記録膜層
の種類および組合せにより若干ことなるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが５００〜２０００オングストローム
の範囲であり、この範囲の寸法ではオレンジブックの規
格に十分適合する特性が得られる。

【００４１】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００４２】

【実施例】以下の製造例および実施例により本発明をさ
らに具体的に説明する。

【００４３】製造例１フタロシアニン化合物（ａ）の製造ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示されるイソインドリン化合物（ａ１）
７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜
１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール
１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェ
ニルクロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌
した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過
し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン化合物（ａ）を３．４部得た。

【００４４】製造例２フタロシアニン化合物（ｂ）の製造キノリン５０部に表１に示されるイソインドリン化合物
（ｂ１）およびイソインドリン化合物（ｂ２）の１：１
の混合物７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、
１９０〜２００℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メ
タノール１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよ
びジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキ
シフタロシアニン系化合物５．３部を得た。得られたジ
ヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合物５．０
部、ジエチルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希
釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフ
タロシアニン化合物（ｂ）を３．２部得た。

【００４５】製造例３フタロシアニン化合物（ｃ）の製造ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示されるイソインドリン化合物（ｃ１）
およびイソインドリン化合物（ｃ２）の１：１の混合物
７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜
１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール
１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロ
シアニン系化合物５．１部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェ
ニルクロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌
した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過
し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン化合物（ｃ）を３．４部得た。

【００４６】製造例４フタロシアニン化合物（ｄ）の製造ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示されるイソインドリン化合物（ｄ１）
およびイソインドリン化合物（ｄ２）の１：１の混合物
７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜
１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール
１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロ
シアニン系化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジ−ト
リ−フルオロエチルクロロフォスフェート５０部、トリ
−ｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン５００部を１１５
℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００
部で希釈し、ろ過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥
してフタロシアニン化合物（ｄ）を２．８部得た。

【００４７】製造例５フタロシアニン化合物（ｅ）の製造ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示されるイソインドリン化合物（ｅ１）
およびイソインドリン化合物（ｅ２）の１：１の混合物
７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜
１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール
１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロ
シアニン系化合物５．３部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェ
ニルクロロホスフィン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱撹拌
した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ過
し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン化合物（ｅ）を４．１部得た。

【００４８】製造例６フタロシアニン化合物（ｆ）の製造ｏ−ジクロルベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に表１に示されるイソインドリン化合物（ｆ１）
およびイソインドリン化合物（ｆ２）の１：３の混合物
７．８部および四塩化ケイ素５．０部を加え、１５０〜
１６０℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール
１０００部で希釈し、ろ過し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンナフタロシアニン系化合物５．０部、ジフェ
ニルクロロフォスフェート５０部、トリ−ｎ−ブチルア
ミン５０部、ピリジン５００部を１１５℃で２時間加熱
撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し、ろ
過し、メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシア
ニン化合物（ｆ）を２．６部得た。

【００４９】表１

【表１】

【００５０】フタロシアニン化合物（ａ）

【化１０】

【００５１】フタロシアニン化合物（ｂ）

【化１１】

【００５２】フタロシアニン化合物（ｃ）

【化１２】

【００５３】フタロシアニン化合物（ｄ）

【化１３】

【００５４】フタロシアニン化合物（ｅ）

【化１４】

【００５５】フタロシアニン化合物（ｆ）

【化１５】

【００５６】実施例１深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）を２，２，３，
３−テトラフルオロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃
度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリングを行い塗
液を調製し、この塗液を用いて、スピンコーターにより
色素膜厚１２００オングストロームに成膜した。次に、
このようにして得た色素膜の上に真空蒸着により金を膜
厚５００オングストロームに成膜した。さらに、この上
に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚
で設けて光ディスクを作成した。このようにして作成し
た光ディスクの反射率は７５％であった。このようにし
て作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎｍの半導体
レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ
−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、最適記録レ
ーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可能であった。次
に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザーパワー
０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号は良好
であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであ
った。

【００５７】実施例２深さ１５００オングストローム、幅０．５２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｂ）をジアセトンア
ルコールに６５ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより色素膜厚１３００オング
ストロームに成膜した。次に、このようにして得た色素
膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロー
ムに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂によ
り保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作
成した。このようにして作成した光ディスクの反射率は
７５％であった。このようにして作成した光ディスクを
用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速
度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号
を記録したところ、最適記録レーザーパワーが７．４ｍ
Ｗで記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレー
ヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったと
ころ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤ
ーに十分かかるレベルであった。

【００５８】実施例３深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｃ）をエチルセロソ
ルブに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより色素膜厚１７２０オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た色素膜の
上に真空蒸着により金を膜厚８００オングストロームに
成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保
護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は７２
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが７．０ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５９】実施例４〜６深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、実施例１と同様の方法によりフタロシアニン
化合物を（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に代えて成膜した。次
に、このようにして得た色素膜の上に真空蒸着により金
を膜厚５００オングストロームに成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミクロンの
膜厚で設けて光ディスクを作成した。このようにして作
成した光ディスクの反射率および実施例１と同様の方法
で記録、再生を行った場合の最適記録レーザーパワーを
表２に示す。

【００６０】表２

【表２】

【００６１】

【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板／記録膜層／反射膜層／保護膜
の４層構造からなり、コンパクトディスクフォーマット
信号またはコンパクトディスク−ＲＯＭフォーマット信
号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜
層が下記一般式（１）で示される化合物からなることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。一般式（１）【化１】［式中、置換基Ｘ¹は、置換基を有しても良いアルキル
基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有し
ても良いアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表
す。置換基Ｘ²〜Ｘ⁴は、特に置換位置の限定はなく、
それぞれ独立に水素原子、置換基を有しても良いアルキ
ル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有
しても良いアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基を
表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎを表す。置換基Ｚは、【化２】を表す。ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、置換
基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置
換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙは、１ま
たは２の整数であり置換基Ｚの個数を表す。］
【請求項２】一般式（１）のＸ¹〜Ｘ⁴の４つの置換
基の内の１つ以上がフッ素原子置換のアルキル基、フッ
素原子置換のアルコキシ基またはフッ素原子置換のアル
キルチオ基であることを特徴とする請求項１記載のコン
パクトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスク。
【請求項３】一般式（１）のＸ¹〜Ｘ⁴の４つの置換
基のすべてがフッ素原子置換のアルキル基、フッ素原子
置換のアルコキシ基またはフッ素原子置換のアルキルチ
オ基であることを特徴とする請求項１記載のコンパクト
ディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の
追記型光ディスク。