JPH08282103A - 光記録材料およびそれを用いた光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 追記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）ある
いは、レ−ザ−波長６００〜７００ｎｍの高密度光記録
に対応した光学記録媒体の開発 【構成】置換基Ｘ1〜Ｘ4がそれぞれ独立に、置換基を有
してもよい複素環基を持つ下記フタロシアニン化合物
を、少なくとも一種以上含有する有機薄膜層を有するこ
とを特徴とする光学記録媒体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線によって
情報を書込んだり、読み取ったりすることが可能な光学
記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザー光線を用いて情報を記録
する媒体には種々のものがあるが、その一つにレーザー
光線を基板上の記録層に照射することによって、照射部
分を局部的に加熱し、融解、蒸発または分解等の物理的
あるいは化学的変化を起こさせ情報を記録するものがあ
る。これまで基板上の記録層として、Ａｓ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｔｉ等の金属や合金の薄膜層が使用されてきた。こ
のような記録層を有する光学記録媒体は、一般に比較的
書込み感度が高く、また、記録再生の光学系が小型にで
きる半導体レーザーにも適用することができるが、熱伝
導率が大きい等の理由で記録時にレーザー光線のエネル
ギーを効率よく利用できない。また、これらの記録層は
化学的に不安定であり、空気中で劣化されること等が問
題であった。

【０００３】近年では波長７８０nm〜８３０nmの半導体
レーザーを用いて情報の記録、再生を行なうことが主流
となってきたため、有機色素を記録層に用いても記録に
十分なエネルギーを得ることができ、半導体レーザーを
用いて融解、蒸発または分解等によって容易に小さな凹
部（ピット）を形成できる利点を持っている。有機薄膜
層を基板上に形成させ、レーザー光線を用いて情報を記
録、再生する光ディスクとして特開昭５７−８２０９
３、特開昭５８−５６８９２、特開昭６１−１７７２８
７、特開昭６１−２５８８６の各号公報やアメリカ特許
４，４９２，７５０等がすでに公知である。しかしなが
ら、半導体レーザー光線に対して吸光係数が大きく、記
録感度の高い光学記録媒体として完全に満足できるもの
は開発されていないのが実情である。

【０００４】その後、特定の光学定数を有するシアニン
色素を記録膜として、さらに記録膜上に反射膜を設ける
事により反射率を６５％以上まで向上させ、ＣＤフォー
マットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号が記録で
き、しかもＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で再生で
きる光デイスクおよび方法が提案（特開平２−４２６５
２、２−１４７２８６）され、既に実用化されている。
しかしながら、一般にシアニン色素は光安定性が悪いた
め、直接太陽光に曝さらされるような使用条件では記録
の信頼性に問題が生じる可能性があり、シアニン色素を
記録膜にしたＣＤ−Ｒでは、再生専用のＣＤあるいはＣ
Ｄ−ＲＯＭと同様の信頼性は実現されていない。。

【０００５】そのため、化学的、物理的安定性の優れた
フタロシアニン色素が注目され、ＣＤ−Ｒの記録膜材料
に応用する検討が行なわれてきている。フタロシアニン
色素の光記録媒体への応用については、ファイリングシ
ステム用の追記型光ディスクの検討の頃より行なわれて
きているが、有機溶媒への溶解性付与、光学特性の制
御、記録感度の向上等が非常に困難な問題になってい
た。近年、特公平４−５３７１３、特開平５−１２７２
に提案されたＣＤ−Ｒ用の記録膜材料は、従来のシアニ
ン色素に匹敵する特性が実現され、ＣＤ−Ｒの規格であ
るオレンジブックに準拠するメデイアとして一部実用化
に至っているが、実用上の問題点として、最短ピットで
ある３Ｔ信号が長く、逆に最長ピットである１１Ｔ信号
が短くなる傾向にあり、エラー発生の原因として課題が
残っている。また、一部の再生機に採用されている位相
差法によるトラッキング方式への適性も十分なマージン
が得られていない。

【０００６】以上のように、耐久性の優れたフタロシア
ニン色素もＣＤ−Ｒ用の記録膜材料として使用できるレ
ベルに到達してきたが、実用上の適性をすべて満足でき
ているとは言い難い。また、半導体レーザーの短波長化
の技術が進むにつれ、最近では６００〜７００ｎｍの半
導体レーザーを記録再生に応用して高密度記録を実現し
ようという試みがなされている。しかしながら、これま
でに知られているＣＤ−Ｒ用に開発されたフタロシアニ
ン色素等では、最大吸収極大が７００ｎｍ近辺にあるた
め、反射率が十分にとれないことから、こうした短波長
レーザーに対応した記録膜材料としては不適格であっ
た。現状ではシアニン系色素を使用して応用が試みられ
ているが、耐久性の点から問題が残っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、化学的、物
理的に安定でレーザー光線により高感度に記録、再生で
きる安価な特定のフタロシアニン系化合物を用いた光学
記録媒体を提供するものである。また、ＣＤ−Ｒ型光記
録媒体については、オレンジブック規格に準拠し、実用
適性も満足する耐久性に優れた光ディスクを提供するも
のである。さらに、耐久性の優れた、６００〜７００ｎ
ｍの短波長レーザーを使用した高密度記録媒体を実現す
るものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意研究を
行なった結果、基板上に一般式（１）で示される特定の
フタロシアニン化合物からなる記録層を有する光学記録
媒体が優れた種々の特性を有することを見出し、本発明
を完成するに至った。即ち本発明は、下記一般式（１）
で示されるフタロシアニン化合物からなる光記録材料に
関する。

【０００９】

【００１０】［式中、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立に、置換
基を有してもよい複素環基を表す。Ａ1〜Ａ4はそれぞれ
独立に酸素原子、または、硫黄原子を表す。Ｙ1〜Ｙ4は
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、スルホン酸基、カルボン酸基、置換基を有し
てもよいフタルイミドメチル基、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、
置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
いアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ
基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有
してもよいアリールチオ基を表す。

【００１１】ＭはＨ2または金属原子を表わす。置換基
Ｚ1、置換基Ｚ2は、中心金属Ｍに導入された置換基を表
し、それぞれ独立に水素原子、酸素原子、ハロゲン原
子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアシ
ル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有
してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいシ
リルオキシ基、または、-OP(=O)R1R2を表す。ここでR
1、R2、は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアルコキシ基を表す。

【００１２】k1〜k4はそれぞれ置換基−Ａ1-Ｘ1〜−Ａ4
-Ｘ4の数を表し、m1〜m4、および、p1、p2はそれぞれ、
Ｙ1〜Ｙ4、および、Ｚ1、Ｚ2の置換基の数を表わす。こ
こで、k1〜k4はそれぞれ独立に0〜4の整数を表わすが、
すべてが同時に0になることはない。m1〜m4はそれぞれ
独立に0〜4の整数を表わす。p1、p2はそれぞれ0〜1の整
数を表す。］ 更に本発明は、基板上に上記光記録材料を記録膜として
含有すること を特徴とする光記録媒体に関する。更に
本発明は、記録膜がレーザー波長６００〜７００ｎｍで
記録されるものである上記光学記録媒体に関する。

【００１３】上記一般式（１）についてさらに詳しく説
明すると、Ｘ1〜Ｘ4で表される置換基を有してもよい複
素環基としては、２-ピリジニル基、３-ピリジニル基、
４-ピリジニル基、２-メチル-５-ピリジニル基、５-ニ
トロ-２-ピリジニル基、３-ピリダジニル基、４-ピリダ
ジニル基、５-メチル-３-ピリダジニル基、２-ピリミジ
ニル基、４，６-ジメチルピリミジニル基、２-ピラジニ
ル基、４-ピペリジニル基、１-メチル-４-ピペリジニル
基、１-エチル-３-ピペリジニル基、１-メチル-３-ピペ
ラジニル基、４-メチル-３-モルホリニル基、２-チエニ
ル基、２-ベンゾチエニル基、３-フリル基、３-ピラニ
ル基、１-ピロリル基、２Ｈ-３-ピロリル基、２-イミダ
ゾリル基、１-メチル-３-ピラゾリル基、３Ｈ-２-イン
ドリル基、１Ｈ-３-インダゾリル基、８-プリニル基、
４Ｈ-２-キノリジニル基、３-イソキノリル基、２-キノ
リル基、１-フタラジニル基、２-キノキサリニル基、２
-キナゾリニル基、３-シンノリニル基、２-チアゾリニ
ル基、３-イソチアゾリル基、２-オキサゾリニル基、３
-イソオキサゾリル基、３-フラジニル基、２-ピロリジ
ニル基、３-ピロリニル基、１，３-ジメチル-２-イミダ
ゾリジニル基、１-メチル-４-イミダゾリニル基、１，
３，５-トリアジニル基、１-メチル-５-テトラゾリル
基、５-メチル-２-（１，３，４）-チアジアゾリル基、
２-ベンゾチアゾリル基、２-ベンゾオキサゾリル基等が
あるが、これらに限定されるものではない。

【００１４】置換基Ｙ1〜Ｙ4、および、置換基Ｚ1、Ｚ2
におけるハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、
フッ素等があり、置換基を有してもよいアルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、iso-プロピル基、n-ブチル
基、tert-ブチル基、2-エチルヘキシル基、ステアリル
基、トリクロロメチル基、2-メトキシエチル基、2-エト
キシエチル基、トリフルオロメチル基等があり、置換基
を有してもよいアリ−ル基としてはフェニル基、クロロ
フェニル基、p-ニトロフェニル基、トルイル基、ナフチ
ル基、アントリル基、ジメチルアミノフェニル基、ヒド
ロキシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基等があり、置換基を有してもよいシクロ
アルキル基としては、シクロヘキシル基、p-(tert-ブチ
ル)シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロブチ
ル基等があり、置換基を有してもよいアルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、iso-プロポキシ基、n-
ブトキシ基、tert-ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキ
シ基、オクチルオキシ基、トリクロロメトキシ基、2-メ
トキシエトキシ基、2-エトキシエトキシ基、トリフルオ
ロメトキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基、2,2,3,
3-テトラフルオロプロポキシ基、2,2-ビストリフルオロ
メチルプロポキシ基、2,4-ジメチル-3-ペンチルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基、p-(tert-ブチル)シクロ
ヘキシルオキシ基等があり、置換基を有してもよいアリ
−ルオキシ基としては、フェノキシ基、2-メチルフェノ
キシ基、2-クロロフェノキシ基、4-ニトロフェノキシ
基、4-ジエチルアミノフェノキシ基、4-トリフルオロメ
チルフェノキシ基、ナフチルオキシ基等があり、置換基
を有してもよいアルキルチオ基としては、メトルチオ
基、エチルチオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ
基、tert-ブチルチオ基、tert-アミルチオ基、iso-アミ
ルチオ基、ヘキシルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基、
オクチルチオ基、2-ヒドロキシエチルチオ基、2-エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、シクロヘ
キシルチオ基、p-(tert-ブチル)シクロヘキシルチオ
基、アダマンチルチオ基等があり、置換基を有してもよ
いアリ-ルチオ基としては、フェニルチオ基、4-クロロ
フェニルチオ基、4-ニトロフェニルチオ基、4-ジエチル
アミノフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ
基、ナフチルチオ基等があるがこれらに限定されるもの
ではない。

【００１５】Ｍはフタロシアニンの中心金属を表すが、
無金属フタロシアニンの場合は２つの水素原子を表し、
他の金属原子としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等がある。Ｚ1、Ｚ2
は中心金属Ｍが三価以上の金属のときに、中心金属から
フタロシアニン環に垂直な方向に導入され得る置換基を
表し、水素原子、酸素原子、水酸基、置換基Ｙ1〜Ｙ4で
例示したような置換基の他に、リン原子を含んだ置換基
の例として、ジブチルホスフィノキシ基、ジフェニルホ
スフィノキシ基、リン酸ジエチル基、リン酸ジフェニル
基等がある。

【００１６】本発明の一般式（１）で示されるフタロシ
アニン化合物の特徴は、フタロシアニン環に導入された
複素環を有する置換基−Ａ1-Ｘ1〜−Ａ4-Ｘ4により汎用
の溶媒に対する溶解性が向上する。光学記録媒体の記録
膜用色素として一般的なアルコキシ基、アルキルチオ基
を有するフタロシアニン化合物は、特公平４−１５２６
４、特開平４−１５２６６、特開昭６１−１５４８８等
に開示されているが、一般的にハロゲン系溶媒には高い
溶解性を示すが、扱い易いアルコール系、セロソルブ系
等の溶媒には難溶なものが多い。特開平５−１７７００
等には、特殊なかさ高いアルコキシ基置換されたフタロ
シアニン化合物の例が紹介されているが、炭化水素系溶
媒には可溶であるが、アルコール系、セロソルブ系等の
溶媒には、以前難溶であり、記録膜形成に際して問題と
なる点が多かった。本発明におけるフタロシアニン化合
物は扱い易いアルコール系、セロソルブ系溶媒に適度な
溶解性を持つため、通常のスピンコート法による記録膜
形成が容易である。

【００１７】また、一般的なアルコキシ基、アルキルチ
オ基を有するフタロシアニン化合物は、通常置換基の無
い無置換のフタロシアニンに比べて、最大吸収極大が長
波長側にシフトするため、記録再生に使用する半導体レ
ーザーの波長が比較的長波長（７７０〜７９０ｎｍ）の
ＣＤ−Ｒ等の場合には、分光特性と記録再生特性のマッ
チングをとり易いが、次世代の高密度記録を狙った７０
０ｎｍ以下の波長のレーザーを使用した記録には適して
いるとはいえない。しかしながら、本発明におけるフタ
ロシアニン化合物の最大吸収極大は、一般的なアルコキ
シ基、アルキルチオ基を有するフタロシアニン化合物に
比べてはるかに短波長領域にあるため、こうした短波長
レーザーの記録にも十分対処できる。また、特開平５−
８６３０１等に示されているように、フタロシアニンに
環化した後、ハロゲン化したり、ニトロ基、フタルイミ
ドメチル基等の置換基を導入したりすることにより、最
大吸収極大を長波長側にシフトさせたり、フタロシアニ
ン環合成の際に通常のアルコキシ基、アルキルチオ基を
も導入することにより最大吸収極大を長波長シフトさせ
ることも可能であり、ＣＤ−Ｒで使用されている７７０
〜７９０ｎｍのレーザーによる記録にも十分対処でき
る。

【００１８】上記一般式（１）で示されるフタロシアニ
ン化合物は下記一般式（２）、（３）で表わされるフタ
ロニトリル誘導体、ジイミノイソインドレニン誘導体を
適当な溶媒中、各種金属塩、触媒とともに加熱攪拌する
ことにより得られる。また、こうして得られたフタロシ
アニン化合物に、さらに後から置換基を導入したり、置
換基Ｚ1、Ｚ2が、ハロゲン原子や水酸基以外の場合に
は、ハロゲン原子を水酸基に加水分解した後、適当な試
薬を用いて相当する置換基Ｚ1、Ｚ2に誘導して、合成す
ることができる。

【００１９】

【化２】

【００２０】［式中のＸ、Ｙ、Ａ、k および、m は一般
式（１）中のＸ1〜Ｘ4、Ｙ1〜Ｙ4、Ａ1〜Ａ4、k1〜k4お
よび、m1〜m4に対応する。］ 本発明で使用される一般式（１）で示されるフタロシア
ニン化合物の代表的な例として、下記に示すフタロシア
ニン化合物（１）〜（５０）等が揚げられるが、本発明
はこれらに限定されるものではない。

【００２１】

【化３】

【００２２】

【化４】

【００２３】

【化５】

【００２４】

【化６】

【００２５】

【化７】

【００２６】

【化８】

【００２７】

【化９】

【００２８】

【化１０】

【００２９】

【化１１】

【００３０】

【化１２】

【００３１】

【化１３】

【００３２】

【化１４】

【００３３】本発明において用いられる透明基板として
は、信号の書込みや読み出しを行なうために光の透過率
が好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さ
いものが望ましい。例えば、ガラスまたはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルエステル樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂（例えばポリ−
４−メチルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂等
の熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化
性樹脂を用いた基板が挙げられる。これらの中で、成型
のしやすさ、案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさ
などから前記した熱可塑性樹脂が好ましい。

【００３４】本発明においては、これらの透明基板の厚
さは特に制限がなく、板状でもフィルム状でも良い。ま
た、その形状は円形やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。つまり一般の光ディスクという円盤
状のものに限定されるものではなく、光カードやテープ
状あるいはシート状の記録媒体でもよい。また、本発明
の透明基板には、記録および読み出しの際の位置制御の
ための案内溝やアドレス信号や各種マーク等のポリフォ
ーマット用の凹凸を通常有しているが、これらの凹凸は
前記したような熱可塑性樹脂を成型（射出、圧縮等）す
る際にスタンパーなどを用いて付与するのが好ましい。

【００３５】本発明の光学記録媒体において、フタロシ
アニン系化合物を含有する記録層を透明基板上に定着す
るには、ドライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタ
リング法によっても可能である。また、ウェットプロセ
ス例えば、スピンコート法、ディップ法、ロールコート
法あるいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によ
っても可能である。記録膜材料が汎用の有機溶剤例え
ば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン
化炭化水素系、フロン系溶剤等に可溶な場合は、生産性
等からスピンコート法によって成膜する方法が望まし
い。このようにいわゆる塗布法で成膜する場合には、必
要に応じて高分子バインダーを加えてもよい。高分子バ
インダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル系樹
脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙げられ
る。高分子バインダーを用いる場合、色素系に対する高
分子バインダーの比率は３０重量％以下が好ましい。

【００３６】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材
料の種類および組み合わせにより異なるため特に制限は
なく、５００〜３０００オングストロ−ムが好ましく、
さらに７００〜２５００オングストロ−ムが最適膜厚範
囲である。本発明のフタロシアニン色素を用いた記録膜
層には、記録膜の耐光性、耐環境性等の安定性、繰り返
し再生の安定性をさらに向上させる目的で、酸素クエン
チャー、紫外線吸収剤等の添加剤を加えても良い。透明
基板／記録膜層／反射膜層の３層構造からなる追記型光
学記録媒体の場合には、反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機性
の高反射膜を使用することもできる。このような反射膜
の成膜方法としては、ドライプロセス例えば真空蒸着
法、スパッタリング法が最も好ましいがこれらに限られ
るものではない。

【００３７】本発明の反射膜の最適膜厚については、特
に制限はないが４００〜１３００オングストロ−ムの範
囲が好ましい。さらに、反射膜の上より、デイスク特に
記録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸
水等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ
目的でデイスクを保護するための保護層を設ける。保護
層用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピ
ンコートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方
法が好ましいがこれに限られるものではない。保護層の
最適膜厚については、薄い場合には、保護の効果が低下
し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮によりデイスクの
そり等の機械特性の悪化の原因になるため、２〜２０ミ
クロンの範囲で成膜することが好ましい。

【００３８】さらに、ＣＤおよびＣＤ−ＲＯＭ対応の追
記型光ディスクの場合には、ディスク形態はＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＣＤ−Ｒ
の規格（オレンジブック）に準拠していることが好まし
い。次に、本発明を実施例により、更に具体的に説明す
るが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではな
い。

【００３９】

【実施例】

［合成例 １］ フタロシアニン化合物（１）の合成 ｎ−ペンチルアルコ−ル８０．０ｇに３−（２−ピリジ
ノキシ）フタロニトリル６．０ｇと三塩化バナジウム
１．４ｇを添加し撹拌した。これに、１，８−ジアザビ
シクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）４．
１ｇを加え、昇温し１３６℃で４時間還流させた。撹拌
したまま３０℃まで冷却した反応溶液を、メタノ−ル２
５０ｍｌ、水５００ｍｌの混合溶媒中へ撹拌下注入し、
青色のスラリ−を得た。このスラリ−をろ過し、メタノ
−ル１００ｍｌ、水２００ｍｌの混合溶媒で洗浄し、乾
燥して青色の粉末を１．８ｇ得た。収率２７．９％。こ
の粉末はＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロシアニン化合物
（１）であることを確認した。

【００４０】［合成例 ２］ フタロシアニン化合物
（２）の合成 ｎ−ペンチルアルコ−ル６０．０ｇに３−（３−ピリジ
ノキシ）フタロニトリル６．０ｇと塩化第一銅０．７ｇ
を添加し撹拌した。これに、ＤＢＵ４．１ｇを加え、昇
温し１３６℃で４時間還流させた。撹拌したまま３０℃
まで冷却した反応溶液を、メタノ−ル４００ｍｌ、水２
０ｍｌの混合溶媒中へ撹拌下注入し、青色のスラリ−を
得た。このスラリ−をろ過し、メタノ−ル２００ｍｌ、
水１０ｍｌの混合溶媒で洗浄し、乾燥して青色の粉末を
１．８ｇ得た。収率２８．０％。この粉末はＦＤ−ＭＳ
測定の結果フタロシアニン化合物（２）であることを確
認した。

【００４１】［合成例 ３］ フタロシアニン化合物
（３）の合成 スルホラン１００．０ｇに３−（３−ピリジノキシ）
１，３−ジイミノイソインドレリン１０．０ｇとＤＢＵ
１９．２ｇを加えた。これに、四塩化ケイ素７．２ｇを
滴下した。滴下終了後昇温し１６０℃で６時間反応させ
た。反応終了後、３０℃まで冷却した反応溶液を、氷水
５００ｇ中に撹拌下注入し、青色のスラリ−を得た。こ
のスラリ−をろ過し、メタノ−ル／水＝４／１の混合溶
媒で洗浄後乾燥して青色の粉末を６．４ｇ得た。この粉
末をピリジン９６ｇに溶解させ、ジフェニルホスフィン
クロライド２３．６ｇを滴下した。滴下終了後、昇温し
１３０℃で４時間反応させた。３０℃まで冷却した反応
溶液を氷水１２００ｇ中に撹拌下注入して、青色のスラ
リ−を得た。このスラリ−をろ過し、メタノ−ル４００
ｍｌ、水１００ｍｌの混合溶媒で洗浄後乾燥して青色の
粉末を６．５ｇ得た。収率４６．０％。この粉末はＦＤ
−ＭＳ測定の結果目的のフタロシアニン化合物（３）で
あることを確認した。 ［合成例 ４］ フタロシアニン化合物（１１）の合成 スルホラン９５ｇに３−（３−ピリジノキシ）１，３−
ジイミノイソインドレリン２．５ｇと３−（２，４−ジ
メチル−３−ペンタノキシ）１，３−ジイミノイソイン
ドレニン５．４ｇを溶解させ、これに塩化第一銅０．９
ｇを添加した。昇温し、１５５℃で４時間反応させた。
３０℃まで冷却した反応溶液を１０００ｇの氷水中に撹
拌下注入し青色のスラリ−を得た。これをろ過し、水洗
した後乾燥させ青色の粉末を７．１ｇ得た。ＦＤ−ＭＳ
測定の結果ピ−クが３本あり、フタロシアニン化合物
（１１）のピ−ク強度が一番大きく、残りは３−ピリジ
ノキシが２個の化合物と３個の化合物であることを確認
した。 ［合成例 ５］ フタロシアニン化合物（１８）の合成 スルホラン１００ｇに４−（４−ピリジノキシ）１，３
−ジイミノイソインドレニン８ｇを溶解させ、これに塩
化パラジウム２．０ｇを添加した。以下、合成例４と同
様に処理して得られたフタロシアニン化合物５．０ｇを
無水酢酸１００ｍｌと発煙硝酸６．８ｇ、９６％硫酸
０．１ｇの混合溶媒中に−１５℃を保ちながら添加し、
４時間撹拌した。この反応溶液を氷水２０００ｇに水酸
化ナトリウム５０ｇを溶解させた溶液中に撹拌下注入し
青色のスラリ−を得た。これをろ過し水洗後、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）１２０ｇに溶解した。不溶分を
ろ別し、ろ液に水９０ｇを撹拌しながら滴下した。ろ過
して得られた青色の析出物を、メタノ−ル５０ｍｌと水
５０ｍｌの混合溶媒で洗浄し乾燥して、青色の粉体を
２．０ｇ得た。この青色粉体はＦＤ−ＭＳ測定の結果ピ
−クが４本あり、ニトロ基が１個〜４個導入されたフタ
ロシアニン化合物（１８）であることを確認した。 ［合成例 ６］ フタロシアニン化合物（２０）の合成 合成例４と同様に合成して得られたフタロシアニン化合
物（１１）５．０ｇを合成例５と同様にニトロ化して青
色の粉体を２．２ｇ得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロ
シアニン化合物（１１）にニトロ基が１〜４個導入され
たフタロシアニン化合物（２０）であることを確認し
た。 ［合成例 ７］ フタロシアニン化合物（２２）の合成 ｎ−ペンチルアルコ−ル２００ｇに４−（２−ピリミジ
ノキシ）フタロニトリル１５．０ｇと三塩化バナジウム
３．５ｇ、ＤＢＵ１０．３ｇを用いて合成例１と同様に
処理して得られたフタロシアニン化合物５．０ｇを四塩
化炭素１００ｍｌに溶解させ、氷浴下これに臭素３．０
ｇと四塩化炭素３０ｍｌの混合溶液を滴下した。滴下終
了後４０℃で２時間撹拌した。この反応溶液に１０％亜
硫酸水素ナトリウム水溶液１００ｇを加え洗浄した。有
機層を無水硫酸マグネシウムで脱水しろ過後、溶媒の四
塩化炭素を留去した。得られた青色粉体をメタノ−ル５
００ｍｌ中に添加し青色のスラリ−とした。これをろ過
し乾燥して、青色粉体３．８ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定
の結果臭素が１〜４個導入されたフタロシアニン化合物
（２２）であることを確認した。 ［合成例 ８］ フタロシアニン化合物（２３）の合成 スルホラン１００．０ｇと３−（３−ピリジノキシ）
１，３−ジイミノイソインドレリン１０．０ｇ、３−
（ｎ−ブチロキシ）１，３−ジイミノイソインドレニン
９．２ｇ、ＤＢＵ１２．８ｇそして、四塩化ケイ素１
４．３ｇを用いて合成例３と同様に合成し得られたフタ
ロシアニン化合物１０．０ｇを、ピリジン１００ｇとジ
フェニルホスフィンクロライド４０ｇを用いて合成例３
と同様に反応させ、処理し青色粉末３．４ｇを得た。Ｆ
Ｄ−ＭＳ測定の結果ピ−クが３本あり、この中で一番ピ
−ク強度の大きいのがフタロシアニン化合物（１５）で
あり、残りのピ−クはｎ−ブチル基が１個のものと３個
のものであることを確認した。このフタロシアニン化合
物（１５）３．４ｇと四塩化炭素６８ｍｌ、臭素２．０
ｇを合成例７と同様に処理した結果、青色粉末２．８ｇ
を得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果、臭素が１〜４個のフタ
ロシアニン化合物（２３）であることを確認した。 ［合成例 ９］ フタロシアニン化合物（２７）の合成 スルホラン１００ｇに３−（２−ピリミジンメルカプト
キシ）１，３−ジイミノイソインドレニン１０．０ｇを
溶解させ、これに塩化パラジウム２．２ｇを添加した。
以下、合成例４と同様に処理して青色粉体６．５ｇを得
た。収率６２．７％。ＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロシア
ニン化合物（２７）であることを確認した。 ［合成例 １０］ フタロシアニン化合物（２８）の合
成 ｎ−ペンチルアルコ−ル１００．０ｇに３−（４，６−
ジメチル−２−ピリミジンメルカプトキシ）フタロニト
リル１０．０ｇと三塩化バナジウム２．０ｇ、ＤＢＵ
５．７ｇを添加した。以下合成例１と同様に処理し、青
色粉体５．８ｇを得た。収率５４．６％。ＦＤ−ＭＳ測
定の結果フタロシアニン化合物（２８）であることを確
認した。 ［合成例 １１］ フタロシアニン化合物（３３）の合
成 ｎ−ペンチルアルコ−ル１００．０ｇに４−（２−ピリ
ミジンメルカプトキシ）フタロニトリル５．０ｇと３−
（２，２−ヘキサフルオロプロポキシ）フタロニトリル
６．８ｇ、三塩化バナジウム２．２ｇ、ＤＢＵ６．４ｇ
を添加した。以下合成例１と同様に処理し、青色の粉体
７．２ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロシアニン
化合物（３３）であることを確認した。 ［合成例 １２］ フタロシアニン化合物（３９）の合
成 ｎ−ペンチルアルコ−ル１００．０ｇに４−（４，６−
ジメチル−２−ピリミジンメルカプトキシ）フタロニト
リル５．０ｇと３−（２，２−ジメチルプロポキシ）フ
タロニトリル４．０ｇと塩化ニッケル１．２ｇ、ＤＢＵ
５．７ｇを添加した。以下合成例１と同様に処理し、青
色粉体６．２ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロシ
アニン化合物（３９）であることを確認した。 ［合成例 １３］ フタロシアニン化合物（４０）の合
成 ｎ−ペンチルアルコ−ル１００．０ｇに３−（４−ピリ
ジンメルカプトキシ）フタロニトリル１０．０ｇと塩化
第一銅１．５ｇ、ＤＢＵ６．４ｇを添加して、合成例１
と同様に処理してフタロシアニン化合物（２５）９．５
ｇを得た。収率８９．１％。フタロシアニン化合物（２
５）８．０ｇと無水酢酸１５０ｍｌ、発煙硝酸１０．９
ｇ、９６％硫酸０．１ｇを用いて合成例５と同様に処理
して青色粉末７．３ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果４
本のピ−クがあり、ニトロ基が１〜４個導入されたフタ
ロシアニン化合物（４０）であることを確認した。 ［合成例 １４］ フタロシアニン化合物（４３）の合
成 スルホラン１２０ｇに３−（２−ピリミジンメルカプト
キシ）１，３−ジイミノイソインドレニン５．０ｇと３
−（１−エチル−１−ヘキサノキシ）１，３−ジイミノ
イソインドレニン５．７ｇ、塩化コバルト１．４ｇを添
加し以下、合成例４と同様に処理し青色粉末８．８ｇを
得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果メインピ−クはフタロシア
ニン化合物（３７）であることを確認した。

【００４２】フタロシアニン化合物（３７）５．０ｇと
無水酢酸１００ｍｌ、発煙硝酸６．８ｇ、９６％硫酸
０．１ｇを用い以下、合成例５と同様に処理し青色粉末
４．３ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果、フタロシアニ
ン化合物（３７）にニトロ基が１〜４個導入されたフタ
ロシアニン化合物（４３）のピ−クを確認した。 ［合成例 １５］ フタロシアニン化合物（４５）の合
成 合成例９で得られたフタロシアニン化合物（２７）５．
０ｇと四塩化炭素１００ｍｌ、四塩化炭素３０ｍｌに溶
かした臭素３．０ｇを用いて以下、合成例７と同様に処
理して、青色粉末４．０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結
果臭素が１〜４個導入されたフタロシアニン化合物（４
５）であることを確認した。 ［合成例 １６］ フタロシアニン化合物（４７）の合
成 スルホラン１５０．０ｇに４−（２−ピリミジンメルカ
プトキシ）１．３−ジイミノイソインドレニン３．０ｇ
と３−（２，４−ジメチル−３−ペンタノキシ）１，３
−ジイミノイソインドレニン９．８ｇ、塩化パラジウム
２．９ｇを添加し以下、合成例４と同様に処理し、青色
粉末１０．０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果メインピ
−クはフタロシアニン化合物（３５）であることを確認
した。

【００４３】フタロシアニン化合物（３５）５．０ｇと
四塩化炭素１００ｍｌ、四塩化炭素３０ｍｌに臭素３．
０ｇを溶かした溶液を以下合成例７と同様に処理して青
色粉末４．０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ測定の結果臭素が１
〜４個導入されたフタロシアニン化合物（４７）である
ことを確認した。 ［合成例 １７］ フタロシアニン化合物（４９）の合
成 ｎ−ペンチルアルコ−ル１００．０ｇに４，５−ジ（３
−ピリジノキシ）フタロニトリル１０．０ｇと塩化第一
銅０．８８ｇを添加し撹拌した。これに、ＤＢＵ５．１
ｇを加え、昇温し１３６℃で４時間還流させた。撹拌し
たまま３０℃まで冷却した反応溶液を、メタノ−ル５０
０ｍｌ、水２５ｍｌの混合溶媒中へ撹拌下注入し、青色
のスラリ−を得た。このスラリ−をろ過し、メタノ−ル
４００ｍｌ、水２０ｍｌの混合溶媒で洗浄し、乾燥して
青色の粉末を４．５ｇ得た。収率４６．２％。この粉末
はＦＤ−ＭＳ測定の結果フタロシアニン化合物（４９）
であることを確認した。 ［実施例 １］深さ９００オングストローム、幅０．４
ミクロン、ピッチ１．１ミクロンの案内溝を有する厚さ
１．２０ｍｍ、外径２００ｍｍ、内径３０ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、フタロシアニン化合物（１）の２
％ｗｔエチルセロソルブ溶液を作成し、スピンコーター
を用いて、膜厚８００オングストロームに成膜した。記
録膜の最大吸収波長は６９０ｎｍであり、６８０ｎｍで
の反射率は２２％であった。

【００４４】このようにして作成した光ディスクを用
い、波長６８５ｎｍ、Ｎ．Ａ．＝０．５５の半導体レー
ザーを使用して８．０ｍＷ、線速度１３ｍ／ｓｅｃで、
周波数４０ＭＨｚの信号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が
４８ｄＢとなり、再生可能な信号品質の記録ができた。 ［実施例 ２］深さ７００オングストローム、幅０．４
ミクロン、ピッチ１．１ミクロンの案内溝を有する厚さ
１．２０ｍｍ、外径２００ｍｍ、内径３０ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、フタロシアニン化合物（２）の２
％ｗｔエトキシエタノール溶液を作成し、スピンコータ
ーを用いて、膜厚８００オングストロームに成膜した。

【００４５】記録膜の最大吸収波長は６７０ｎｍであ
り、６８０ｎｍでの反射率は３２％であった。このよう
にして作成した光ディスクを用い、波長６８５ｎｍ、
Ｎ．Ａ．＝０．５５の半導体レーザーを使用して８．０
ｍＷ、線速度１３ｍ／ｓｅｃで、周波数４０ＭＨｚの信
号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が５０ｄＢとなり、再生
可能な信号品質の記録ができた。 ［実施例 ３］フタロシアニン化合物（３）の３％ｗｔ
エチルセロソルブ溶液を作成し、スピンコーターを用い
て、深さ６００オングストローム、幅１．２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する、外径１２０ｍ
ｍ、内径２０ｍｍ、ポリカーボネート基板上に膜厚７５
０オングストロームに成膜した。記録膜の最大吸収波長
は７３０ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は４２％で
あった。

【００４６】このようにして作成した光ディスクをター
ンテーブルに取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら
１．０ミクロンに収束した７８０ｎｍのレーザー光を
８．０ｍＷ、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。記録
を行なった記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、この
記録媒体に７８０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射
し、反射光の検出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が５２ｄ
Ｂであった。 ［実施例 ４］深さ１２００オングストローム、ピッチ
１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径
１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上
に、フタロシアニン化合物（８）のエチルセロソルブ
３．０％ｗｔ溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜
厚１１００オングストロームに成膜した。記録膜の最大
吸収波長は７００ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は
５０％であった。

【００４７】また、この光ディスクをタ−ンテ−ブルに
取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら１．０ミクロ
ンに収束した、７８０ｎｍのレ−ザ−光を７．５ｍｗ、
８ＭＨｚで照射して記録を行った。記録を行なった記録
媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ピットの形成が認められた。また、この記録媒体に７８
０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射し、反射光の検
出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢであった。 ［実施例 ５］深さ１２００オングストローム、ピッチ
１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径
１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上
に、フタロシアニン化合物（１０）のエチルセロソルブ
３．０％ｗｔ溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜
厚１０００オングストロームに成膜した。記録膜の最大
吸収波長は７０５ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は
４７％であった。

【００４８】また、この光ディスクをタ−ンテ−ブルに
取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら１．０ミクロ
ンに収束した、７８０ｎｍのレ−ザ−光を７．７ｍｗ、
８ＭＨｚで照射して記録を行った。記録を行なった記録
媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ピットの形成が認められた。また、この記録媒体に７８
０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射し、反射光の検
出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が５０ｄＢであった。 ［実施例 ６］深さ８００オングストローム、ピッチ
１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径
１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上
に、フタロシアニン化合物（１１）のエチルセロソルブ
５．０％ｗｔ溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜
厚１２００オングストロームに成膜した。次に、このよ
うにして得た塗布膜の上に金を膜厚８００オングストロ
ームで真空蒸着により成膜した。さらに、この上にＵＶ
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成し
た。

【００４９】このようにして作成した光ディスクの反射
スペクトルは７７０〜８１０nmの波長範囲での反射率で
６５％以上ありＣＤの規格を十分満足していた。また、
この光ディスクを用い、波長７８０ｎｍの半導体レーザ
ーを使用して、線速１．２ｍ／ｓｅｃで６ｍＷの記録パ
ワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ
記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤー
により、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、再生出力０．５ｍＷで
再生を行ったところ得られた信号は良好であり、市販の
ＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。 ［実施例 ７］深さ１２００オングストローム、ピッチ
１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径
１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上
に、フタロシアニン化合物（１７）のエチルセロソルブ
５．０％ｗｔ溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜
厚９００オングストロームに成膜した。記録膜の最大吸
収波長は６９５ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は５
０％であった。

【００５０】また、この光ディスクをタ−ンテ−ブルに
取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら１．０ミクロ
ンに収束した、７８０ｎｍのレ−ザ−光を７．５ｍｗ、
８ＭＨｚで照射して記録を行った。記録を行なった記録
媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ピットの形成が認められた。また、この記録媒体に７８
０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射し、反射光の検
出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢであった。 ［実施例 ８］深さ８００オングストローム、幅０．４
ミクロン、ピッチ１．１ミクロンの案内溝を有する厚さ
１．２０ｍｍ、外径２００ｍｍ、内径３０ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、フタロシアニン化合物（２５）の
３％ｗｔエチルセロソルブ溶液を作成し、スピンコータ
ーを用いて、膜厚７００オングストロームに成膜した。

【００５１】記録膜の最大吸収波長は６８５ｎｍであ
り、６８０ｎｍでの反射率は２６％であった。このよう
にして作成した光ディスクを用い、波長６８５ｎｍ、
Ｎ．Ａ．＝０．５５の半導体レーザーを使用して８．０
ｍＷ、線速度１３ｍ／ｓｅｃで、周波数４０ＭＨｚの信
号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が４２ｄＢとなり、再生
可能な信号品質の記録ができた。 ［実施例 ９］深さ８００オングストローム、幅０．４
ミクロン、ピッチ１．１ミクロンの案内溝を有する厚さ
１．２０ｍｍ、外径２００ｍｍ、内径３０ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、フタロシアニン化合物（２８）の
３％ｗｔジアセトンアルコール溶液を作成し、スピンコ
ーターを用いて、膜厚７００オングストロームに成膜し
た。 記録膜の最大吸収波長は６８０ｎｍであり、６８
０ｎｍでの反射率は３１％であった。

【００５２】このようにして作成した光ディスクを用
い、波長６８５ｎｍ、Ｎ．Ａ．＝０．５５の半導体レー
ザーを使用して８．０ｍＷ、線速度１３ｍ／ｓｅｃで、
周波数４０ＭＨｚの信号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が
４３ｄＢとなり、再生可能な信号品質の記録ができた。 ［実施例 １０］フタロシアニン化合物（３９）の３％
ｗｔエチルセロソルブ溶液を作成し、スピンコーターを
用いて、深さ８００オングストローム、幅１．２ミクロ
ン、ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する、外径１２
０ｍｍ、内径２０ｍｍ、ポリカーボネート基板上に膜厚
７５０オングストロームに成膜した。記録膜の最大吸収
波長は７１０ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は３２
％であった。

【００５３】このようにして作成した光ディスクをター
ンテーブルに取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら
１．０ミクロンに収束した７８０ｎｍのレーザー光を
７．５ｍＷ、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。記録
を行なった記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、この
記録媒体に７８０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射
し、反射光の検出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が４２ｄ
Ｂであった。 ［実施例 １１］フタロシアニン化合物（４４）の３％
ｗｔエチルセロソルブ溶液を作成し、スピンコーターを
用いて、深さ８００オングストローム、幅１．２ミクロ
ン、ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する、外径１２
０ｍｍ、内径２０ｍｍ、ポリカーボネート基板上に膜厚
９０００オングストロームに成膜した。記録膜の最大吸
収波長は７１５ｎｍ、および７８０ｎｍでの反射率は４
８％であった。

【００５４】このようにして作成した光ディスクをター
ンテーブルに取り付け１８００ｒｐｍで回転させながら
１．０ミクロンに収束した７８０ｎｍのレーザー光を
７．０ｍＷ、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。記録
を行なった記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、この
記録媒体に７８０ｎｍ、０．４ｍＷのレーザー光を照射
し、反射光の検出を行なったところ、Ｃ／Ｎ比が４９ｄ
Ｂであった。 ［実施例 １２］深さ１２００オングストローム、ピッ
チ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外
径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上
に、フタロシアニン化合物（４７）のエチルセロソルブ
５．０％ｗｔ溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜
厚８００オングストロームに成膜した。次に、このよう
にして得た塗布膜の上に金を膜厚８００オングストロー
ムで真空蒸着により成膜した。さらに、この上にＵＶ硬
化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した。

【００５５】このようにして作成した光ディスクの反射
スペクトルは７７０〜８１０ｎｍの波長範囲での反射率
で６５％以上ありＣＤの規格を十分満足していた。ま
た、この光ディスクを用い、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを使用して、線速１．４ｍ／ｓｅｃで７ｍＷの記
録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレー
ヤーにより、線速１．４ｍ／ｓｅｃ、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、市
販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。

【００５６】

【発明の効果】本発明の光学記録媒体は、以上のような
構成よりなり、化学的、物理的に安定で、レーザー光線
で高感度で記録再生できる特徴を有する。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるフタロシア
   ニン化合物からなる光記録材料。 【化１】 ［式中、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立に、置換基を有しても
   よい複素環基を表す。Ａ1〜Ａ4はそれぞれ独立に酸素原
   子、または、硫黄原子を表す。Ｙ1〜Ｙ4はそれぞれ独立
   に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ス
   ルホン酸基、カルボン酸基、置換基を有してもよいフタ
   ルイミドメチル基、置換基を有してもよいアルキル基、
   置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有し
   てもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ
   基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を
   有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいア
   リールチオ基を表す。ＭはＨ2または金属原子を表わ
   す。置換基Ｚ1、置換基Ｚ2は、中心金属Ｍに導入された
   置換基を表し、それぞれ独立に水素原子、酸素原子、ハ
   ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル
   基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
   もよいアシル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、
   置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有し
   てもよいシリルオキシ基、または、-OP(=O)R1R2を表
   す。ここでR1、R2、は水素原子、置換基を有してもよい
   アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基
   を有してもよいアルコキシ基を表す。k1〜k4はそれぞれ
   置換基−Ａ1-Ｘ1〜−Ａ4-Ｘ4の数を表し、m1〜m4、およ
   び、p1、p2はそれぞれ、Ｙ1〜Ｙ4、および、Ｚ1、Ｚ2の
   置換基の数を表わす。ここで、k1〜k4はそれぞれ独立に
   0〜4の整数を表わすが、すべてが同時に0になることは
   ない。m1〜m4はそれぞれ独立に0〜4の整数を表わす。p
   1、p2はそれぞれ0〜1の整数を表す。］
2. 【請求項２】 基板上に請求項１記載の光記録材料を記
   録膜として含有することを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 記録膜がレーザー波長６００〜７００ｎ
   ｍで記録されるものである請求項２記載の光学記録媒
   体。