JPH0447985A - 追記型光ディスク - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 47
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 7
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005346 substituted cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCCJMBYLSGASJV-UHFFFAOYSA-N Cl[SiH2]C1CCCCC1 Chemical compound Cl[SiH2]C1CCCCC1 CCCJMBYLSGASJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- ZMYJTNSQGYZRKZ-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)germane Chemical compound CCO[Ge](Cl)(OCC)OCC ZMYJTNSQGYZRKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- QEPNXQCIUOWDOP-UHFFFAOYSA-N dichloro(dihexoxy)silane Chemical compound CCCCCCO[Si](Cl)(Cl)OCCCCCC QEPNXQCIUOWDOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOZZKLIPYZQXEP-UHFFFAOYSA-N dichloro(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)CCC UOZZKLIPYZQXEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000004784 trichloromethoxy group Chemical group ClC(O*)(Cl)Cl 0.000 description 1
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004044 trifluoroacetyl group Chemical group FC(C(=O)*)(F)F 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザー光による情報の記録、再生を行なう
光ディスクに関する。
光ディスクに関する。
さらに詳しくはCDあるいはCD−ROM対応の追記型
光ディスクに関する。
光ディスクに関する。
(従来の技術)
集束レーザー光による情報記録媒体の中で、オーディオ
等の音楽再生用としてコンパクトディスク(CD)が広
く普及している。
等の音楽再生用としてコンパクトディスク(CD)が広
く普及している。
これらのCDは、通常ポリカーボネート等の透明基板表
面にCDフォーマット信号を有するピット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着
あるいはスパッタリングにより反射膜を設け、さらに反
射膜上に保護膜を形成し、基板の裏面から再生レーザー
光(780nm半導体レーザー光)を照射して、ピント
列の凹凸による反射率の変化から各信号を読取り情報を
再生するものである。
面にCDフォーマット信号を有するピット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着
あるいはスパッタリングにより反射膜を設け、さらに反
射膜上に保護膜を形成し、基板の裏面から再生レーザー
光(780nm半導体レーザー光)を照射して、ピント
列の凹凸による反射率の変化から各信号を読取り情報を
再生するものである。
しかし、このようなCD等は再生専用であり情報の記録
ができないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能
な光磁気ディスク等のような編集機能がないという不都
合さがある。
ができないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能
な光磁気ディスク等のような編集機能がないという不都
合さがある。
一方、編集機能を有する追記型光ディスク等としては、
テルル等のカルコゲナイド系化合物もしくはシアニン、
フタロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実
用化されている。
テルル等のカルコゲナイド系化合物もしくはシアニン、
フタロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実
用化されている。
しかしながら、これらの光ディスクは、基板面の反射率
が30〜40%であり、現在のCDの規格である基板面
の反射率が70%には到達しておらず、現状のままCD
またはCD−ROMの再生装置により信号の再生を行な
うことはできないという問題点がある。
が30〜40%であり、現在のCDの規格である基板面
の反射率が70%には到達しておらず、現状のままCD
またはCD−ROMの再生装置により信号の再生を行な
うことはできないという問題点がある。
このような問題を解決するために、シアニン等の記録膜
の上に金等の反射膜を設けて、基板面の反射率を70%
以上を確保して780 nmでCDフォーマントあるい
はCD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたは
CD−RQMの再生装置で情報を読み出すCDまたはC
D−ROM等に対応する光ディスクおよび方法(特開昭
2−42652号公報)が提案されている。
の上に金等の反射膜を設けて、基板面の反射率を70%
以上を確保して780 nmでCDフォーマントあるい
はCD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたは
CD−RQMの再生装置で情報を読み出すCDまたはC
D−ROM等に対応する光ディスクおよび方法(特開昭
2−42652号公報)が提案されている。
このような光ディスクにおいては、現状記録膜に使用さ
れている有機色素はシアニン系色素であった。
れている有機色素はシアニン系色素であった。
しかしながら、従来よりシアニン系色素は耐光性が劣っ
ており、記録媒体として最も重要な記録安定性等の信鯨
性を確保することが困難であ−リ、ファイリングシステ
ム用追記型ディスクに用いられているシアニン系材料で
は、−重項クエンチャーとしてNiジオール系錯体によ
り安定化させて実用化レベルにしている。
ており、記録媒体として最も重要な記録安定性等の信鯨
性を確保することが困難であ−リ、ファイリングシステ
ム用追記型ディスクに用いられているシアニン系材料で
は、−重項クエンチャーとしてNiジオール系錯体によ
り安定化させて実用化レベルにしている。
シアニン系材料の場合、このような安定化により信軌性
を確保しているが、基本的に耐光性が弱いことは、大き
な問題点である。
を確保しているが、基本的に耐光性が弱いことは、大き
な問題点である。
CDあるいはCD−ROMのようにカートリッジにも挿
填されず単板構成の光ディスクでは、記録膜面が太陽光
あるいは蛍光灯下に曝されることも考えられ、耐光性に
問題のあるシアニン系色素を記録膜に用いる場合には、
記録安定性を確保することは非常に困難であるという欠
点を有している。
填されず単板構成の光ディスクでは、記録膜面が太陽光
あるいは蛍光灯下に曝されることも考えられ、耐光性に
問題のあるシアニン系色素を記録膜に用いる場合には、
記録安定性を確保することは非常に困難であるという欠
点を有している。
本発明は、従来の追記機能、編集機能を有するCDある
いはCD−ROMの持つ欠点を解決し、記録と再生を異
なる波長によって行なうことにより再生時の記録膜劣化
を防ぎ、さらに再生レーザー波長780nmでは記録に
必要な吸収を必要としないため再生に必要な反射率を十
分高くすることが可能であり、安定した再生信号を得る
ことができる記録安定性の優れた追記機能、編集機能を
有するCD、CD−ROMを提供するものである。
いはCD−ROMの持つ欠点を解決し、記録と再生を異
なる波長によって行なうことにより再生時の記録膜劣化
を防ぎ、さらに再生レーザー波長780nmでは記録に
必要な吸収を必要としないため再生に必要な反射率を十
分高くすることが可能であり、安定した再生信号を得る
ことができる記録安定性の優れた追記機能、編集機能を
有するCD、CD−ROMを提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、透明基板/記録膜層/反射膜層の3層構造か
らなり、CDフォーマント信号の記録を行うコンパクト
ディスクにおいて、記録膜層として下記−形式〔1〕で
示されるフタロシアニン系化合物を含有する色素薄膜を
用いることを特徴とする追記型光ディスクである。
らなり、CDフォーマント信号の記録を行うコンパクト
ディスクにおいて、記録膜層として下記−形式〔1〕で
示されるフタロシアニン系化合物を含有する色素薄膜を
用いることを特徴とする追記型光ディスクである。
一形式CI’)
「式中、Mは、A1、Ga、In、Si、Ge、または
Snを表す。
Snを表す。
RI SR1、R3およびR4は、互いに同一であって
も異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいア
シル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換
基を有してもよいポリエーテル基またはハロゲン原子を
表す。
も異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいア
シル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換
基を有してもよいポリエーテル基またはハロゲン原子を
表す。
Yは−R’ −OR’ −3R’
を表す。
Zは水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−RI4− O
RI S −S RI 4 R%、R” SR’ 、R”、RISおよびR1&は、
互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を存してもよい複素環残基、置換基を有して
もよいアシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル
基、置換基を有してもよいポリエーテル基を表す。
RI S −S RI 4 R%、R” SR’ 、R”、RISおよびR1&は、
互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を存してもよい複素環残基、置換基を有して
もよいアシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル
基、置換基を有してもよいポリエーテル基を表す。
R” 、R啼、R”% R”、Rlts R”、R”R
”% R”、RtOlR”、によびR”は、互イニ同一
であっても異なっていてもよ(、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよい了り一ル基、置換基
を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいアシ
ル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基、置
換基を有してもよいアミノ基、水素原子、水酸基または
ハロゲン原子を表す。
”% R”、RtOlR”、によびR”は、互イニ同一
であっても異なっていてもよ(、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよい了り一ル基、置換基
を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいアシ
ル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基、置
換基を有してもよいアミノ基、水素原子、水酸基または
ハロゲン原子を表す。
k、1、m、nは、それぞれ独立に0〜4の整数を表す
が、ksl、m、nすべてが同時に0となることはない
。
が、ksl、m、nすべてが同時に0となることはない
。
pは、0またはlを表す、コ
本発明にかかわる一般式(1)で示される化金物におい
て、ZおよびR1ないしR2tを構成する原子および基
の代表例として、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭
素原子、よう素原子、およびふっ素原子を、置換基を有
してもよいアルキル基としては、メチル基、n−ブチル
基、 tert−ブチル基、ステアリル基、トリクロロ
メチル基、2−メトキシエチル基などを置換基を有して
もよいアリール基としては、フェニル基、クロロフェニ
ル基、トルイル基、ナフチル基、アントリル基。
て、ZおよびR1ないしR2tを構成する原子および基
の代表例として、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭
素原子、よう素原子、およびふっ素原子を、置換基を有
してもよいアルキル基としては、メチル基、n−ブチル
基、 tert−ブチル基、ステアリル基、トリクロロ
メチル基、2−メトキシエチル基などを置換基を有して
もよいアリール基としては、フェニル基、クロロフェニ
ル基、トルイル基、ナフチル基、アントリル基。
ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジ
エチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基などを
、置換基を存してもよいアルコキシ基としては、メトキ
シ基、n−ブトキシ基、1−ブトキシ基、トリクロロメ
トキシ基などを、置換基を有してもよいアリロキシ基と
しては、フェノキシ基、ニトロフェノキシ基、ジメチル
フェノキシ基、クロロフェノキシ基、ジエチルアミノフ
ェノキシ基、ナフトキシ基、アトロキシ基、ジ−n−ブ
チルアミノナフトキシ基などを、置換基を有してもよい
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロ
ブチル基などを、置換基を有してもよいアシル基として
は、アセチル基、トリフルオロアセチル基などを、置換
基を有してもよいポリエーテル基としては、ジエチレン
グリコール七ノエチル基、トリエチレングリコールモツ
プチル基などを、置換基を有してもよい複素環基として
は、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニ
ル基9モルホリル基などを、また、置換基を有してもよ
いフタルイミドメチル基としては。
エチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基などを
、置換基を存してもよいアルコキシ基としては、メトキ
シ基、n−ブトキシ基、1−ブトキシ基、トリクロロメ
トキシ基などを、置換基を有してもよいアリロキシ基と
しては、フェノキシ基、ニトロフェノキシ基、ジメチル
フェノキシ基、クロロフェノキシ基、ジエチルアミノフ
ェノキシ基、ナフトキシ基、アトロキシ基、ジ−n−ブ
チルアミノナフトキシ基などを、置換基を有してもよい
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロ
ブチル基などを、置換基を有してもよいアシル基として
は、アセチル基、トリフルオロアセチル基などを、置換
基を有してもよいポリエーテル基としては、ジエチレン
グリコール七ノエチル基、トリエチレングリコールモツ
プチル基などを、置換基を有してもよい複素環基として
は、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニ
ル基9モルホリル基などを、また、置換基を有してもよ
いフタルイミドメチル基としては。
フタルイミドメチル基、ニトロフタルイミドメチル基、
tert−ブチルフタルイミドメチル基、メトキシフ
タルイミドメチル基、ジクロロフタルイミドメチル基な
どを、それぞれあげることができるが、これらの基に限
定されるものではない。
tert−ブチルフタルイミドメチル基、メトキシフ
タルイミドメチル基、ジクロロフタルイミドメチル基な
どを、それぞれあげることができるが、これらの基に限
定されるものではない。
本発明において、一般式〔I〕で示される化合物は1例
えば、以下の方法により製造することができる。
えば、以下の方法により製造することができる。
すなわち、下記−形式(II)で示されるイソインドリ
ン化合物と各種金属塩とから、あるいは。
ン化合物と各種金属塩とから、あるいは。
カルボン酸無水物類、イミド類、またはニトリル類を出
発原料として常法により、−形式CI[[]で示される
フタロシアニン系化合物を製造する。
発原料として常法により、−形式CI[[]で示される
フタロシアニン系化合物を製造する。
−形式(Iり
N)(
H
〔式中、R′〜’+ kn L m、nは一般式(
I)における意味と同じ意味を表わす。〕 一般般式II[) できる。
I)における意味と同じ意味を表わす。〕 一般般式II[) できる。
本発明において用いられる一般式(1)で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては。
ロシアニン系化合物の代表例としては。
下記のフタロシアニン系化合物(a)〜(h)をあげる
ことができる。
ことができる。
(a)
〔式中、WおよびXは、OH基またはSH基を表すe
Mr R1′’ + kn L m、 nおよびpは
、−形式(1)における意味と同じ意味を表す、〕次に
、得られた一般式(I[I)で示されるフタロシアニン
化合物に9種々のケイ素化合物、ゲルマニウム化合物、
アルコール類、アルキルハライド類などを反応させるこ
とにより、−形式(I)で示されるフタロシアニン化合
物を製造することが(b) (c) (f) (g) (d) (e) (h) (発明の具体的な構成) 本発明の具体的な構成について、以下に詳細に説明する
。
Mr R1′’ + kn L m、 nおよびpは
、−形式(1)における意味と同じ意味を表す、〕次に
、得られた一般式(I[I)で示されるフタロシアニン
化合物に9種々のケイ素化合物、ゲルマニウム化合物、
アルコール類、アルキルハライド類などを反応させるこ
とにより、−形式(I)で示されるフタロシアニン化合
物を製造することが(b) (c) (f) (g) (d) (e) (h) (発明の具体的な構成) 本発明の具体的な構成について、以下に詳細に説明する
。
本発明に用いられる記録膜素材としては、780nmの
波長に30%以下、好ましくは10〜20%の吸収を有
する物質であればよい。
波長に30%以下、好ましくは10〜20%の吸収を有
する物質であればよい。
記録膜の上に金等の反射膜を設けることにより、基板面
入射で70%以上の反射率を有し、波長780nmのレ
ーザー光でCDフォーマット、あるいはCD−ROMフ
ォーマット信号を記録し、CDまたはCD−ROMの再
生装置で情報の読み出すことが可能な光ディスクを提供
するものである。
入射で70%以上の反射率を有し、波長780nmのレ
ーザー光でCDフォーマット、あるいはCD−ROMフ
ォーマット信号を記録し、CDまたはCD−ROMの再
生装置で情報の読み出すことが可能な光ディスクを提供
するものである。
このような特性を有する物質として、有機追記型光記録
膜材料として提案されているシアニン系色素、ナフトキ
ノン色素、アントラキノン色素。
膜材料として提案されているシアニン系色素、ナフトキ
ノン色素、アントラキノン色素。
ジチオール金属錯体等の使用も可能であるが、吸光度係
数が高くしかも化学的、物理的に安定であるという面か
らフタロシアニン系色素が最適である。
数が高くしかも化学的、物理的に安定であるという面か
らフタロシアニン系色素が最適である。
CDあるいはCD−ROMに適用する光ディスクは単板
構成になるため、常に太陽光あるいは蛍光灯の光にさら
される可能性があり、特に耐光性の強さが必要になって
くる。その意味でもフタロシアニン系色素が好ましいこ
とは言うまでもない。
構成になるため、常に太陽光あるいは蛍光灯の光にさら
される可能性があり、特に耐光性の強さが必要になって
くる。その意味でもフタロシアニン系色素が好ましいこ
とは言うまでもない。
このような記録膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法によっても可能で
ある。
例えば真空蒸着法、スパッタリング法によっても可能で
ある。
また、ウェットプロセス例えばスピンコード法、デイツ
プ法ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−プロ
ジェット)法によって可能である。
プ法ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−プロ
ジェット)法によって可能である。
記録膜素材がアルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系等の汎用の有機溶媒に可溶な場合
は、生産性等からスピンコード法によって成膜する方法
が望ましい、アルコール系溶媒としては、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、n−ブチルアルコール等、ケトン系
溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等、セロソルブ系
溶媒としては、エチルセロソルブ等が適応される。
ハロゲン化炭化水素系等の汎用の有機溶媒に可溶な場合
は、生産性等からスピンコード法によって成膜する方法
が望ましい、アルコール系溶媒としては、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、n−ブチルアルコール等、ケトン系
溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等、セロソルブ系
溶媒としては、エチルセロソルブ等が適応される。
このようにいわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に
応じて、高分子バインダーを加えても良い。
応じて、高分子バインダーを加えても良い。
高分子バインダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙
げられる。
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙
げられる。
高分子バインダーを用いる場合、色素系に対する高分子
バインダーの比率は10重量%以下が好ましい。
バインダーの比率は10重量%以下が好ましい。
反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミラム、
コバルト、スズ等の金属、MgO,ZnO,5nOt等
の金属酸化物、SiN4.AIN。
コバルト、スズ等の金属、MgO,ZnO,5nOt等
の金属酸化物、SiN4.AIN。
TiN等の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く
、物理的、化学的安定性に優れている点から考えると金
が最適である。また、場合によってはフタロシアニン、
ナフタロシアニン等の有機系の高反射率膜を使用するこ
ともできる。
、物理的、化学的安定性に優れている点から考えると金
が最適である。また、場合によってはフタロシアニン、
ナフタロシアニン等の有機系の高反射率膜を使用するこ
ともできる。
このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましいが
これに限られるものではない。
例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましいが
これに限られるものではない。
さらに、反射膜の上に化学的劣化(例えば、酸化、吸水
等)および物理的劣化(傷、けずれ等)を防ぐ目的で膜
を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい。
等)および物理的劣化(傷、けずれ等)を防ぐ目的で膜
を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい。
オーバーコート材としては、UV硬化型樹脂による方法
が一般的であるがこれに限られるものではない。
が一般的であるがこれに限られるものではない。
ディスク形態は、記録後CDSCD−ROMとして機能
する必要があるため、CD、CD−ROMのドライブ装
置に適合し得る規格に準拠していることが好ましい。
する必要があるため、CD、CD−ROMのドライブ装
置に適合し得る規格に準拠していることが好ましい。
また、本発明に用いられるディスク基板としては信号の
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。
例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニ
ル系嬌脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂(ポリ−4−メチルペンテン等)、
ポリエーテルスルホン樹脂、などの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる基板が
挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝や
アドレス信号などの付与のしやすさなどがら熱可塑性樹
脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械特性
からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に望ましい。
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニ
ル系嬌脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂(ポリ−4−メチルペンテン等)、
ポリエーテルスルホン樹脂、などの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる基板が
挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝や
アドレス信号などの付与のしやすさなどがら熱可塑性樹
脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械特性
からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に望ましい。
また、案内溝やアドレス信号の付与は熱可塑性樹脂を成
形(射出成形、圧縮成形)する際にスタンバ−などを用
いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いるい
わゆる2P法による方法が好ましい。
形(射出成形、圧縮成形)する際にスタンバ−などを用
いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いるい
わゆる2P法による方法が好ましい。
以下に、実施例により本発明を具体的に説明すが、実施
例に先立ち、フタロシアニン系化合物(a)〜(h)の
製造例について説明する。
例に先立ち、フタロシアニン系化合物(a)〜(h)の
製造例について説明する。
(以下余白)
製 造 例 1:フタロシアニン系化合物(a)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160℃で3時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物6゜0部を得た。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160℃で3時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物6゜0部を得た。
得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
5.0部、トリメチルクロロシラン50部。
5.0部、トリメチルクロロシラン50部。
トリーn−ブチルアミン50部、ピリジン300部を1
15℃で2時間加熱撹拌した後、冷却し。
15℃で2時間加熱撹拌した後、冷却し。
5%塩酸1000部で希釈し9口遇し、メタノール洗浄
し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(a)の
混合物3.0部を得た。
し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(a)の
混合物3.0部を得た。
製 造 例 2:フタロシアニン系化合物(b)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 00部を115℃で2時間加熱撹拌した後、冷却し、5
%塩酸1000部で希釈し2口遇し、メタノール洗浄し
、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(b)の混
合物2.8部を得た。
25部に、下記構造式 00部を115℃で2時間加熱撹拌した後、冷却し、5
%塩酸1000部で希釈し2口遇し、メタノール洗浄し
、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(b)の混
合物2.8部を得た。
製 造 例 3:フタロシアニン系化合物(c)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160°Cで3時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン系化合物5゜6部を得た。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160°Cで3時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン系化合物5゜6部を得た。
得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
5.0部、トリフェニルクロロシラン50部、トリーn
−ブチルアミン50部、ピリジン3l−1 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160℃で3時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物5゜5部を得た。
5.0部、トリフェニルクロロシラン50部、トリーn
−ブチルアミン50部、ピリジン3l−1 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ケイ素5.0部を加え、150〜160℃で3時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物5゜5部を得た。
得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
5.0部、シクロヘキシルクロロシラン50部、トリー
n−ブチルアミン50部、ピリジン300部を115℃
で2時間加熱撹拌した後、冷却し、5%塩酸1000部
で希釈し1口過し、メタノール洗浄し、80°Cで乾燥
してフタロシアニン系化合物(C)の混合物2..5部
を得た。
5.0部、シクロヘキシルクロロシラン50部、トリー
n−ブチルアミン50部、ピリジン300部を115℃
で2時間加熱撹拌した後、冷却し、5%塩酸1000部
で希釈し1口過し、メタノール洗浄し、80°Cで乾燥
してフタロシアニン系化合物(C)の混合物2..5部
を得た。
製 造 例 4;フタロシアニン系化合物(d)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ゲルマニウム5.0部を加え、150〜160℃で3時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシゲ
ルマニウムフタロシアニン系化合物5.6部を得た。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
ゲルマニウム5.0部を加え、150〜160℃で3時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシゲ
ルマニウムフタロシアニン系化合物5.6部を得た。
得られたジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化
合物5.0部、ビス(ジメチルアミノ)フェノキシクロ
ロシラン50部、トリーn−ブチルアミン50部、ピリ
ジン300部を115℃で2時間加熱撹拌した後、冷却
し、5%塩酸1000部で希釈し9口過し、メタノール
洗浄し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(d
)2.7部を得た。
合物5.0部、ビス(ジメチルアミノ)フェノキシクロ
ロシラン50部、トリーn−ブチルアミン50部、ピリ
ジン300部を115℃で2時間加熱撹拌した後、冷却
し、5%塩酸1000部で希釈し9口過し、メタノール
洗浄し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(d
)2.7部を得た。
製 造 例 5:フタロシアニン系化合物(e)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
アルミニウム5.0部を加え、150〜160℃で3時
間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシア
ルミニウムフタロシアニン系化合物5.8部を得た。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部および四塩化
アルミニウム5.0部を加え、150〜160℃で3時
間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシア
ルミニウムフタロシアニン系化合物5.8部を得た。
得られたジヒドロキシアルミニウムフタロシアニン系化
合物5.0部、トリエトキシクロロゲルマン30部、ト
リーn−ブチルアミン50部、ピリジン300部を11
5℃で2時間加熱攪拌した後。
合物5.0部、トリエトキシクロロゲルマン30部、ト
リーn−ブチルアミン50部、ピリジン300部を11
5℃で2時間加熱攪拌した後。
冷却し、5%塩酸1000部で希釈し9口過し。
メタノール洗浄し、80℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物(e)2.7部を得た。
化合物(e)2.7部を得た。
製 造 例 6:フタロシアニン系化合物(f)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジプロ
ピルジクロロシラン5.0部を加え、150〜160℃
で3時間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジプロ
ピルジクロロシラン5.0部を加え、150〜160℃
で3時間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し。
メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し。
80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(f)3.2
部を得た。
部を得た。
製 造 例 7:フタロシアニン系化合物(g)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジ(n
−へキシルオキシ)ジクロロシラン5.0部を加え、1
50〜160℃で3時間加熱攪拌した後。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジ(n
−へキシルオキシ)ジクロロシラン5.0部を加え、1
50〜160℃で3時間加熱攪拌した後。
ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチルホルムアミド
で洗浄し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(
g)3.5部を得た。
で洗浄し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(
g)3.5部を得た。
製 造 例 8:フタロシアニン系化合物(h)の製造
0−ジクロロベンゼン50部、トリーn−ブチルアミン
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジチオ
フェノキシジクロロシラン5.0部を加え、150〜1
60℃で3時間加熱攪拌した後、ろ過。
25部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物7.8部およびジチオ
フェノキシジクロロシラン5.0部を加え、150〜1
60℃で3時間加熱攪拌した後、ろ過。
冷却し、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄
し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(h)3
.4部を得た。
し、80℃で乾燥してフタロシアニン系化合物(h)3
.4部を得た。
(実施例)
以下に、実施例により本発明を具体的に説明する。
[実施例1]
厚さ1.18mm、外径120mm、内径15mmのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンパ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径115 m m 、内径43
mmの範囲に0.8μmピンチのスパイラルグループを
形成した。
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンパ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径115 m m 、内径43
mmの範囲に0.8μmピンチのスパイラルグループを
形成した。
このディスク基板上にフタロシアニン化合物(a)をシ
クロヘキサノン2.0重量%溶液に調整し、スピンコー
ターを用いて膜厚1200人に成膜した。
クロヘキサノン2.0重量%溶液に調整し、スピンコー
ターを用いて膜厚1200人に成膜した。
次に、フタロシアニン化合物を塗布した上に金を膜厚8
00人でスパッタリングにより成膜した。
00人でスパッタリングにより成膜した。
さらに、この上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて
光ディスクを作製した。
光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを用い、波長780
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/ s e cで8.0mWの記録パワーでEFM−
CDフォーマント信号を記録したところ記録が可能であ
った。記録されたピット列は、長さ0.9〜3.3 p
m、間隔0.9〜3.3 p mである。
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/ s e cで8.0mWの記録パワーでEFM−
CDフォーマント信号を記録したところ記録が可能であ
った。記録されたピット列は、長さ0.9〜3.3 p
m、間隔0.9〜3.3 p mである。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速1.2〜
1.4m/ s e c、再生レーザー出力0.5mW
で再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり
、市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
1.4m/ s e c、再生レーザー出力0.5mW
で再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり
、市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
[実施例2]
厚さ1.18mm、外径120mm、内径15mmのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径115mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径115mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
このディスク基板上にフタロシアニン化合物(b)をジ
クロルエタン1.2重量%溶液に調整し、スピンコータ
ーを用いて膜厚1000人に成膜した。
クロルエタン1.2重量%溶液に調整し、スピンコータ
ーを用いて膜厚1000人に成膜した。
次に、フタロシアニ化合物を塗布した上に金を膜厚80
0人でスパッタリングにより成膜した。
0人でスパッタリングにより成膜した。
さらに、この上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて
光ディスクを作製した。
光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを用い、波長830
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/s e cで7.0mWの記録パワーでEFM−C
Dフォーマット信号を記録したところ記録が可能であっ
た。記録されたピット列は、長さ0.9〜3.3 μm
、間隔0.9〜3.3 p mである。
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/s e cで7.0mWの記録パワーでEFM−C
Dフォーマット信号を記録したところ記録が可能であっ
た。記録されたピット列は、長さ0.9〜3.3 μm
、間隔0.9〜3.3 p mである。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速1.2〜
1.4m/s e c、再生レーザー出力0.5mWで
再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり、
市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
1.4m/s e c、再生レーザー出力0.5mWで
再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり、
市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
(発明の効果)
本発明の構成により光ディスクを作製することにより、
追記機能、編集機能を有するCD、CD−ROMを提供
することができる。
追記機能、編集機能を有するCD、CD−ROMを提供
することができる。
さらに化学的、物理的に安定なフタロシアニン系化合物
、フタロシアニン系化合物を記録膜層とすることにより
、保存安定性の優れたCD、CD−ROM対応の追記型
光ディスクが得られる。
、フタロシアニン系化合物を記録膜層とすることにより
、保存安定性の優れたCD、CD−ROM対応の追記型
光ディスクが得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明基板/記録膜層/反射膜層の3層構造からなり
、CDフォーマット信号の記録を行うコンパクトディス
クにおいて、記録膜層として下記一般式〔 I 〕で示さ
れるフタロシアニン系化合物を含有する色素薄膜を用い
ることを特徴とする追記型光ディスク。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Mは、Al、Ga、In、Si、Ge、または
Snを表す。 R^1、R^2、R^3およびR^4は、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有し
てもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基
、置換基を有してもよい複素環残基、置換基を有しても
よいアシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
、置換基を有してもよいポリエーテル基またはハロゲン
原子を表す。Yは−R^5、−OR^6、−SR^7、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を表す。 を表す。 Zは水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−R^1^4、
−OR^1^5、−SR^1^6、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を表す。 R^5、R^6、R^7、R^1^4、R^1^5およ
びR^1^6は、互いに同一であっても異なっていても
よく、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
てもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環残基
、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよ
いシクロアルキル基、置換基を有してもよいポリエーテ
ル基を表す。 R^8、R^9、R^1^0、R^1^1、R^1^2
、R^1^3、R^1^7、R^1^8、R^1^9、
R^2^0、R^2^1およびR^2^2は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいア
シル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換
基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよい
アリロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基、
置換基を有してもよいアミノ基、水素原子、水酸基また
はハロゲン原子を表す。 k、l、m、nは、それぞれ独立に0〜4の整数を表す
が、k、l、m、nすべてが同時に0となることはない
。 pは、0または1を表す。]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2156337A JPH0447985A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 追記型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2156337A JPH0447985A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 追記型光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0447985A true JPH0447985A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15625569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2156337A Pending JPH0447985A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 追記型光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0447985A (ja) |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156337A patent/JPH0447985A/ja active Pending
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