JPH0447985A - 追記型光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光による情報の記録、再生を行なう
光ディスクに関する。

さらに詳しくはＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクに関する。

（従来の技術） 集束レーザー光による情報記録媒体の中で、オーディオ
等の音楽再生用としてコンパクトディスク（ＣＤ）が広
く普及している。

これらのＣＤは、通常ポリカーボネート等の透明基板表
面にＣＤフォーマット信号を有するピット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着
あるいはスパッタリングにより反射膜を設け、さらに反
射膜上に保護膜を形成し、基板の裏面から再生レーザー
光（７８０ｎｍ半導体レーザー光）を照射して、ピント
列の凹凸による反射率の変化から各信号を読取り情報を
再生するものである。

しかし、このようなＣＤ等は再生専用であり情報の記録
ができないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能
な光磁気ディスク等のような編集機能がないという不都
合さがある。

一方、編集機能を有する追記型光ディスク等としては、
テルル等のカルコゲナイド系化合物もしくはシアニン、
フタロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実
用化されている。

しかしながら、これらの光ディスクは、基板面の反射率
が３０〜４０％であり、現在のＣＤの規格である基板面
の反射率が７０％には到達しておらず、現状のままＣＤ
またはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を行な
うことはできないという問題点がある。

このような問題を解決するために、シアニン等の記録膜
の上に金等の反射膜を設けて、基板面の反射率を７０％
以上を確保して７８０　ｎｍでＣＤフォーマントあるい
はＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、ＣＤまたは
ＣＤ−ＲＱＭの再生装置で情報を読み出すＣＤまたはＣ
Ｄ−ＲＯＭ等に対応する光ディスクおよび方法（特開昭
２−４２６５２号公報）が提案されている。

このような光ディスクにおいては、現状記録膜に使用さ
れている有機色素はシアニン系色素であった。

しかしながら、従来よりシアニン系色素は耐光性が劣っ
ており、記録媒体として最も重要な記録安定性等の信鯨
性を確保することが困難であ−リ、ファイリングシステ
ム用追記型ディスクに用いられているシアニン系材料で
は、−重項クエンチャーとしてＮｉジオール系錯体によ
り安定化させて実用化レベルにしている。

シアニン系材料の場合、このような安定化により信軌性
を確保しているが、基本的に耐光性が弱いことは、大き
な問題点である。

ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭのようにカートリッジにも挿
填されず単板構成の光ディスクでは、記録膜面が太陽光
あるいは蛍光灯下に曝されることも考えられ、耐光性に
問題のあるシアニン系色素を記録膜に用いる場合には、
記録安定性を確保することは非常に困難であるという欠
点を有している。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、従来の追記機能、編集機能を有するＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、記録と再生を異
なる波長によって行なうことにより再生時の記録膜劣化
を防ぎ、さらに再生レーザー波長７８０ｎｍでは記録に
必要な吸収を必要としないため再生に必要な反射率を十
分高くすることが可能であり、安定した再生信号を得る
ことができる記録安定性の優れた追記機能、編集機能を
有するＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭを提供するものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、透明基板／記録膜層／反射膜層の３層構造か
らなり、ＣＤフォーマント信号の記録を行うコンパクト
ディスクにおいて、記録膜層として下記−形式〔１〕で
示されるフタロシアニン系化合物を含有する色素薄膜を
用いることを特徴とする追記型光ディスクである。

一形式ＣＩ’） 「式中、Ｍは、Ａ１、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、または
Ｓｎを表す。

ＲＩ　ＳＲ１、Ｒ３およびＲ４は、互いに同一であって
も異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいア
シル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換
基を有してもよいポリエーテル基またはハロゲン原子を
表す。

Ｙは−Ｒ’　　−ＯＲ’　　−３Ｒ’ を表す。

Ｚは水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−ＲＩ４−　Ｏ
ＲＩ　Ｓ　　−Ｓ　ＲＩ　４ Ｒ％、Ｒ”　ＳＲ’　、Ｒ”、ＲＩＳおよびＲ１＆は、
互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を存してもよい複素環残基、置換基を有して
もよいアシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル
基、置換基を有してもよいポリエーテル基を表す。

Ｒ”　、Ｒ啼、Ｒ”％　Ｒ”、Ｒｌｔｓ　Ｒ”、Ｒ”Ｒ
”％　Ｒ”、ＲｔＯｌＲ”、によびＲ”は、互イニ同一
であっても異なっていてもよ（、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよい了り一ル基、置換基
を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいアシ
ル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基、置
換基を有してもよいアミノ基、水素原子、水酸基または
ハロゲン原子を表す。

ｋ、１、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜４の整数を表す
が、ｋｓｌ、ｍ、ｎすべてが同時に０となることはない
。

ｐは、０またはｌを表す、コ 本発明にかかわる一般式（１）で示される化金物におい
て、ＺおよびＲ１ないしＲ２ｔを構成する原子および基
の代表例として、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭
素原子、よう素原子、およびふっ素原子を、置換基を有
してもよいアルキル基としては、メチル基、ｎ−ブチル
基、　ｔｅｒｔ−ブチル基、ステアリル基、トリクロロ
メチル基、２−メトキシエチル基などを置換基を有して
もよいアリール基としては、フェニル基、クロロフェニ
ル基、トルイル基、ナフチル基、アントリル基。

ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジ
エチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基などを
、置換基を存してもよいアルコキシ基としては、メトキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、１−ブトキシ基、トリクロロメ
トキシ基などを、置換基を有してもよいアリロキシ基と
しては、フェノキシ基、ニトロフェノキシ基、ジメチル
フェノキシ基、クロロフェノキシ基、ジエチルアミノフ
ェノキシ基、ナフトキシ基、アトロキシ基、ジ−ｎ−ブ
チルアミノナフトキシ基などを、置換基を有してもよい
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロ
ブチル基などを、置換基を有してもよいアシル基として
は、アセチル基、トリフルオロアセチル基などを、置換
基を有してもよいポリエーテル基としては、ジエチレン
グリコール七ノエチル基、トリエチレングリコールモツ
プチル基などを、置換基を有してもよい複素環基として
は、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニ
ル基９モルホリル基などを、また、置換基を有してもよ
いフタルイミドメチル基としては。

フタルイミドメチル基、ニトロフタルイミドメチル基、
　ｔｅｒｔ−ブチルフタルイミドメチル基、メトキシフ
タルイミドメチル基、ジクロロフタルイミドメチル基な
どを、それぞれあげることができるが、これらの基に限
定されるものではない。

本発明において、一般式〔Ｉ〕で示される化合物は１例
えば、以下の方法により製造することができる。

すなわち、下記−形式（ＩＩ）で示されるイソインドリ
ン化合物と各種金属塩とから、あるいは。

カルボン酸無水物類、イミド類、またはニトリル類を出
発原料として常法により、−形式ＣＩ［［］で示される
フタロシアニン系化合物を製造する。

−形式（Ｉり Ｎ）（ Ｈ 〔式中、Ｒ′〜’＋　　ｋｎ　　Ｌ　ｍ、ｎは一般式（
Ｉ）における意味と同じ意味を表わす。〕 一般般式ＩＩ［） できる。

本発明において用いられる一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては。

下記のフタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｈ）をあげる
ことができる。

（ａ） 〔式中、ＷおよびＸは、ＯＨ基またはＳＨ基を表すｅ　
Ｍｒ　Ｒ１′’　＋　ｋｎ　　Ｌ　ｍ、　ｎおよびｐは
、−形式（１）における意味と同じ意味を表す、〕次に
、得られた一般式（Ｉ［Ｉ）で示されるフタロシアニン
化合物に９種々のケイ素化合物、ゲルマニウム化合物、
アルコール類、アルキルハライド類などを反応させるこ
とにより、−形式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合
物を製造することが（ｂ） （ｃ） （ｆ） （ｇ） （ｄ） （ｅ） （ｈ） （発明の具体的な構成） 本発明の具体的な構成について、以下に詳細に説明する
。

本発明に用いられる記録膜素材としては、７８０ｎｍの
波長に３０％以下、好ましくは１０〜２０％の吸収を有
する物質であればよい。

記録膜の上に金等の反射膜を設けることにより、基板面
入射で７０％以上の反射率を有し、波長７８０ｎｍのレ
ーザー光でＣＤフォーマット、あるいはＣＤ−ＲＯＭフ
ォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再
生装置で情報の読み出すことが可能な光ディスクを提供
するものである。

このような特性を有する物質として、有機追記型光記録
膜材料として提案されているシアニン系色素、ナフトキ
ノン色素、アントラキノン色素。

ジチオール金属錯体等の使用も可能であるが、吸光度係
数が高くしかも化学的、物理的に安定であるという面か
らフタロシアニン系色素が最適である。

ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭに適用する光ディスクは単板
構成になるため、常に太陽光あるいは蛍光灯の光にさら
される可能性があり、特に耐光性の強さが必要になって
くる。その意味でもフタロシアニン系色素が好ましいこ
とは言うまでもない。

このような記録膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法によっても可能で
ある。

また、ウェットプロセス例えばスピンコード法、デイツ
プ法ロールコート法あるいはＬＢ（ラングミュア−プロ
ジェット）法によって可能である。

記録膜素材がアルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系等の汎用の有機溶媒に可溶な場合
は、生産性等からスピンコード法によって成膜する方法
が望ましい、アルコール系溶媒としては、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等、ケトン系
溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等、セロソルブ系
溶媒としては、エチルセロソルブ等が適応される。

このようにいわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に
応じて、高分子バインダーを加えても良い。

高分子バインダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙
げられる。

高分子バインダーを用いる場合、色素系に対する高分子
バインダーの比率は１０重量％以下が好ましい。

反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミラム、
コバルト、スズ等の金属、ＭｇＯ，ＺｎＯ，５ｎＯｔ等
の金属酸化物、ＳｉＮ４．ＡＩＮ。

ＴｉＮ等の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く
、物理的、化学的安定性に優れている点から考えると金
が最適である。また、場合によってはフタロシアニン、
ナフタロシアニン等の有機系の高反射率膜を使用するこ
ともできる。

このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましいが
これに限られるものではない。

さらに、反射膜の上に化学的劣化（例えば、酸化、吸水
等）および物理的劣化（傷、けずれ等）を防ぐ目的で膜
を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい。

オーバーコート材としては、ＵＶ硬化型樹脂による方法
が一般的であるがこれに限られるものではない。

ディスク形態は、記録後ＣＤＳＣＤ−ＲＯＭとして機能
する必要があるため、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭのドライブ装
置に適合し得る規格に準拠していることが好ましい。

また、本発明に用いられるディスク基板としては信号の
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が好まし
くは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。

例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニ
ル系嬌脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂（ポリ−４−メチルペンテン等）、
ポリエーテルスルホン樹脂、などの熱可塑性樹脂やエポ
キシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる基板が
挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝や
アドレス信号などの付与のしやすさなどがら熱可塑性樹
脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械特性
からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に望ましい。

また、案内溝やアドレス信号の付与は熱可塑性樹脂を成
形（射出成形、圧縮成形）する際にスタンバ−などを用
いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いるい
わゆる２Ｐ法による方法が好ましい。

以下に、実施例により本発明を具体的に説明すが、実施
例に先立ち、フタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｈ）の
製造例について説明する。

（以下余白） 製　造　例　１：フタロシアニン系化合物（ａ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃で３時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物６゜０部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、トリメチルクロロシラン５０部。

トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１
１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し。

５％塩酸１０００部で希釈し９口遇し、メタノール洗浄
し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ａ）の
混合物３．０部を得た。

製　造　例　２：フタロシアニン系化合物（ｂ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 ００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、５
％塩酸１０００部で希釈し２口遇し、メタノール洗浄し
、８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｂ）の混
合物２．８部を得た。

製　造　例　３：フタロシアニン系化合物（ｃ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０°Ｃで３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン系化合物５゜６部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、トリフェニルクロロシラン５０部、トリーｎ
−ブチルアミン５０部、ピリジン３ｌ−１ で示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１５０〜１６０℃で３時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコン
フタロシアニン系化合物５゜５部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、シクロヘキシルクロロシラン５０部、トリー
ｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５℃
で２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１０００部
で希釈し１口過し、メタノール洗浄し、８０°Ｃで乾燥
してフタロシアニン系化合物（Ｃ）の混合物２．．５部
を得た。

製　造　例　４；フタロシアニン系化合物（ｄ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ゲルマニウム５．０部を加え、１５０〜１６０℃で３時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシゲ
ルマニウムフタロシアニン系化合物５．６部を得た。

得られたジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化
合物５．０部、ビス（ジメチルアミノ）フェノキシクロ
ロシラン５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却
し、５％塩酸１０００部で希釈し９口過し、メタノール
洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｄ
）２．７部を得た。

製　造　例　５：フタロシアニン系化合物（ｅ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
アルミニウム５．０部を加え、１５０〜１６０℃で３時
間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシア
ルミニウムフタロシアニン系化合物５．８部を得た。

得られたジヒドロキシアルミニウムフタロシアニン系化
合物５．０部、トリエトキシクロロゲルマン３０部、ト
リーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１
５℃で２時間加熱攪拌した後。

冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し９口過し。

メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（ｅ）２．７部を得た。

製　造　例　６：フタロシアニン系化合物（ｆ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部およびジプロ
ピルジクロロシラン５．０部を加え、１５０〜１６０℃
で３時間加熱攪拌した後、ろ過、冷却し。

メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し。

８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｆ）３．２
部を得た。

製　造　例　７：フタロシアニン系化合物（ｇ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部およびジ（ｎ
−へキシルオキシ）ジクロロシラン５．０部を加え、１
５０〜１６０℃で３時間加熱攪拌した後。

ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチルホルムアミド
で洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（
ｇ）３．５部を得た。

製　造　例　８：フタロシアニン系化合物（ｈ）の製造 ０−ジクロロベンゼン５０部、トリーｎ−ブチルアミン
２５部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部およびジチオ
フェノキシジクロロシラン５．０部を加え、１５０〜１
６０℃で３時間加熱攪拌した後、ろ過。

冷却し、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄
し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｈ）３
．４部を得た。

（実施例） 以下に、実施例により本発明を具体的に説明する。

［実施例１］ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ０．０２ｍｍで塗
布し、これにスタンパ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径１１５　ｍ　ｍ　、内径４３
ｍｍの範囲に０．８μｍピンチのスパイラルグループを
形成した。

このディスク基板上にフタロシアニン化合物（ａ）をシ
クロヘキサノン２．０重量％溶液に調整し、スピンコー
ターを用いて膜厚１２００人に成膜した。

次に、フタロシアニン化合物を塗布した上に金を膜厚８
００人でスパッタリングにより成膜した。

さらに、この上にＵＶ硬化型樹脂により保護層を設けて
光ディスクを作製した。

このようにして作製した光ディスクを用い、波長７８０
ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速１．２〜１．４
ｍ／　ｓ　ｅ　ｃで８．０ｍＷの記録パワーでＥＦＭ−
ＣＤフォーマント信号を記録したところ記録が可能であ
った。記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３　ｐ
　ｍ、間隔０．９〜３．３　ｐ　ｍである。

次に、この信号をＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜
１．４ｍ／　ｓ　ｅ　ｃ、再生レーザー出力０．５ｍＷ
で再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり
、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。

［実施例２］ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ０．０２ｍｍで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径１１５ｍｍ、内径４８ｍｍの
範囲に０．８μｍピッチのスパイラルグループを形成し
た。

このディスク基板上にフタロシアニン化合物（ｂ）をジ
クロルエタン１．２重量％溶液に調整し、スピンコータ
ーを用いて膜厚１０００人に成膜した。

次に、フタロシアニ化合物を塗布した上に金を膜厚８０
０人でスパッタリングにより成膜した。

さらに、この上にＵＶ硬化型樹脂により保護層を設けて
光ディスクを作製した。

このようにして作製した光ディスクを用い、波長８３０
ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速１．２〜１．４
ｍ／ｓ　ｅ　ｃで７．０ｍＷの記録パワーでＥＦＭ−Ｃ
Ｄフォーマット信号を記録したところ記録が可能であっ
た。記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３　μｍ
、間隔０．９〜３．３　ｐ　ｍである。

次に、この信号をＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜
１．４ｍ／ｓ　ｅ　ｃ、再生レーザー出力０．５ｍＷで
再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり、
市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。

（発明の効果） 本発明の構成により光ディスクを作製することにより、
追記機能、編集機能を有するＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭを提供
することができる。

さらに化学的、物理的に安定なフタロシアニン系化合物
、フタロシアニン系化合物を記録膜層とすることにより
、保存安定性の優れたＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクが得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板／記録膜層／反射膜層の３層構造からなり
   、ＣＤフォーマット信号の記録を行うコンパクトディス
   クにおいて、記録膜層として下記一般式〔 I 〕で示さ
   れるフタロシアニン系化合物を含有する色素薄膜を用い
   ることを特徴とする追記型光ディスク。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、または
   Ｓｎを表す。 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は、互いに同一で
   あっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有し
   てもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基
   、置換基を有してもよい複素環残基、置換基を有しても
   よいアシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
   、置換基を有してもよいポリエーテル基またはハロゲン
   原子を表す。Ｙは−Ｒ＾５、−ＯＲ＾６、−ＳＲ＾７、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を表す。 を表す。 Ｚは水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−Ｒ＾１＾４、
   −ＯＲ＾１＾５、−ＳＲ＾１＾６、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を表す。 Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５およ
   びＲ＾１＾６は、互いに同一であっても異なっていても
   よく、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
   てもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環残基
   、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよ
   いシクロアルキル基、置換基を有してもよいポリエーテ
   ル基を表す。 Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２
   、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、
   Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾１およびＲ＾２＾２は、互いに同
   一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
   いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
   基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいア
   シル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換
   基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよい
   アリロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基、
   置換基を有してもよいアミノ基、水素原子、水酸基また
   はハロゲン原子を表す。 ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜４の整数を表す
   が、ｋ、ｌ、ｍ、ｎすべてが同時に０となることはない
   。 ｐは、０または１を表す。］