JPH03281388A - 追記型光ディスク - Google Patents
追記型光ディスクInfo
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- JPH03281388A JPH03281388A JP2085331A JP8533190A JPH03281388A JP H03281388 A JPH03281388 A JP H03281388A JP 2085331 A JP2085331 A JP 2085331A JP 8533190 A JP8533190 A JP 8533190A JP H03281388 A JPH03281388 A JP H03281388A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、レーザー光による情報の記録、再生を行なう
光ディスクに関する。
光ディスクに関する。
さらに詳しくはCDあるいはCD−ROM対応の追記型
光ディスクに関する。
光ディスクに関する。
[従来の技術]
集束レーザー光による情報記録媒体の中で、オーディオ
等の音楽再往用としてコンパクトディスク(CD)が広
く普及している。
等の音楽再往用としてコンパクトディスク(CD)が広
く普及している。
これらのCDは、通常ポリカーボネート等の透明基板表
面にCDフォーマット信号を有するビット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着
あるいはスパッタリングにより反射膜を設け、さらに反
射膜上に保護膜を形成し、基板の裏面から再生レーザー
光(780nm半導体レーザー光)を照射して、ビット
列の凹凸による反射率の変化から各信号を読取り情報を
再生するものである。
面にCDフォーマット信号を有するビット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着
あるいはスパッタリングにより反射膜を設け、さらに反
射膜上に保護膜を形成し、基板の裏面から再生レーザー
光(780nm半導体レーザー光)を照射して、ビット
列の凹凸による反射率の変化から各信号を読取り情報を
再生するものである。
しかし、このようなCD等は再生専用であり情報の記録
ができないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能
な光磁気ディスク等のような編集機訃がないという不都
合さがある。
ができないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能
な光磁気ディスク等のような編集機訃がないという不都
合さがある。
一方、編集機能を有する追記型光ディスク等としては、
Te等のカルコゲナイド系化合物もしくはシアニン、ナ
フタロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実
用化されている。
Te等のカルコゲナイド系化合物もしくはシアニン、ナ
フタロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実
用化されている。
しかしながら、これらの光ディスクは、基板面の反射率
が30〜40%であり、現在のCDの規格である基板面
の反射率が70%には到達しておらず、現状のままCD
またはCD−ROMの再生装置により信号の再生を行な
うことはできないという問題点がある。
が30〜40%であり、現在のCDの規格である基板面
の反射率が70%には到達しておらず、現状のままCD
またはCD−ROMの再生装置により信号の再生を行な
うことはできないという問題点がある。
このような問題を解決するために、シアニン等の記録膜
の上に金等の反射膜を設けて、基板面の反射率を70%
以上を確保して780nmでCDフォーマットあるいは
CD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたはC
D−ROMの再生装置で情報を読み出すCDまたはCD
−ROM等に対応する光ディスクおよび方法が提案され
ている。
の上に金等の反射膜を設けて、基板面の反射率を70%
以上を確保して780nmでCDフォーマットあるいは
CD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたはC
D−ROMの再生装置で情報を読み出すCDまたはCD
−ROM等に対応する光ディスクおよび方法が提案され
ている。
しかし、上記の方式では記録と再生を同一波長で行なう
ことから、780nmの単一波長においてヒートモード
記録が可能な吸収と70%以上の反射が必要であるため
、記録媒体の構成が難しく、また十分な吸収を得ること
ができず高出力の記録レーザーパワーが必要であったり
、再生の信号が得にくいという欠点があったり、再生時
に記録膜が劣化するという危険性を持っていた。
ことから、780nmの単一波長においてヒートモード
記録が可能な吸収と70%以上の反射が必要であるため
、記録媒体の構成が難しく、また十分な吸収を得ること
ができず高出力の記録レーザーパワーが必要であったり
、再生の信号が得にくいという欠点があったり、再生時
に記録膜が劣化するという危険性を持っていた。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、従来の追記機能、編集I!能を有するCDあ
るいはCD−ROMの持つ欠点を解決し、記録と再生を
異なる波長によって行なうことにより再往時の記録膜劣
化を防ぎ、さらに再生レーザー波長73Qnmでは記録
に必要な吸収を必要としないため再生に必要な反射率を
十分高くすることが可能であり、安定した再生信号を得
ることができる記録安定性の優れた追記機能、編集機能
を有するCD、CD=ROMを提供するものである。
るいはCD−ROMの持つ欠点を解決し、記録と再生を
異なる波長によって行なうことにより再往時の記録膜劣
化を防ぎ、さらに再生レーザー波長73Qnmでは記録
に必要な吸収を必要としないため再生に必要な反射率を
十分高くすることが可能であり、安定した再生信号を得
ることができる記録安定性の優れた追記機能、編集機能
を有するCD、CD=ROMを提供するものである。
[発明の構成]
(課題を解決する手段)
上記のような記録安定性の優れた追記機能、編集機能を
有するCD、CD−ROMの光ディスクは以下のような
手段によって実現される。
有するCD、CD−ROMの光ディスクは以下のような
手段によって実現される。
まず第一の発明は、透明基板/記録膜層/反射膜層の3
層構造からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコ
ンパクトディスクにおいて、その記録膜層として830
nm/780nmの吸光度比が2以上であることを特徴
とする追記型光ディスク。
層構造からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコ
ンパクトディスクにおいて、その記録膜層として830
nm/780nmの吸光度比が2以上であることを特徴
とする追記型光ディスク。
第二の発明は透明基板/記録膜層/反射膜層の3層構造
からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコンパク
トディスクにおいて、その記録膜層として下記一般式[
1]で示されるフタロシアニン系色素薄膜を用いること
を特徴とする追記型光ディスク。
からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコンパク
トディスクにおいて、その記録膜層として下記一般式[
1]で示されるフタロシアニン系色素薄膜を用いること
を特徴とする追記型光ディスク。
[式中、Mは、水素あるいは金属または金属酸化物を表
す。
す。
x’−x’は、それぞれ独立に置換基を有してもよいア
ルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよい複素環残基、)10ゲン原子、ニトロ基、 シアノ基、 スルホン酸基、 −OR’ −CH2NHCOCH,N−Rlo −NHCOR”\ R目 −N−NR” −N−CHR”を表す。
ルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよい複素環残基、)10ゲン原子、ニトロ基、 シアノ基、 スルホン酸基、 −OR’ −CH2NHCOCH,N−Rlo −NHCOR”\ R目 −N−NR” −N−CHR”を表す。
R’ 、R”、R’ 、R’ 、R’、R’ 、
R’ 、R”R9、RIOおよびR目は、互に同一であ
っても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよい了り−ル基、
置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい
シクロアルキル基、またはポリエーテル基を表し、また
は、R6とR1とで、R1とR9とで、あるいはR”と
R”とで、4〜7員環を形成していてもよく、これらの
4〜7員環はさらに窒素原子などのへテロ原子を含む複
素環であってもよい。
R’ 、R”R9、RIOおよびR目は、互に同一であ
っても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよい了り−ル基、
置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい
シクロアルキル基、またはポリエーテル基を表し、また
は、R6とR1とで、R1とR9とで、あるいはR”と
R”とで、4〜7員環を形成していてもよく、これらの
4〜7員環はさらに窒素原子などのへテロ原子を含む複
素環であってもよい。
RIZ、RIZおよびR14は、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、
または置換基を有してもよいアリール基を表す。
アルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、
または置換基を有してもよいアリール基を表す。
Yは、置換基を有してもよいアルキル基、水素原子、ハ
ロケン原子、水酸基、 OR1% −3RI SR”
は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよいシクロアルキ
ル基、あるいはポリエーテル基を表す。
ロケン原子、水酸基、 OR1% −3RI SR”
は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよいシクロアルキ
ル基、あるいはポリエーテル基を表す。
RI 6、R′7およびR11は、互いに同一であって
も異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を
有してもよい了り−ル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基、置換基を有してもよいアリーロキシ基、ポリエ
ーテル基、水酸基、または水素原子を表す。
も異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を
有してもよい了り−ル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基、置換基を有してもよいアリーロキシ基、ポリエ
ーテル基、水酸基、または水素原子を表す。
R′9、R16は、互いに同一であっても異なっていて
もよ(、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を存
してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基を表す。
もよ(、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を存
してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基を表す。
k、Lmsnは、それぞれ独立に0〜6の整数であり、
それぞれ置換基x’ 、x” 、x’ 、x’の個数を
表す。
それぞれ置換基x’ 、x” 、x’ 、x’の個数を
表す。
Zは、0〜2の整数であり、置換基Yの個数を表す、]
次に第三の発明は、透明基板/記録膜層/反射膜層の3
層構造からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコ
ンパクトディスクにおいて、信号の記録を行うレーザー
の波長が830nmであることを特徴とする光ディスク
。
層構造からなり、CDフォーマット信号の記録を行うコ
ンパクトディスクにおいて、信号の記録を行うレーザー
の波長が830nmであることを特徴とする光ディスク
。
(発明の具体的な構成)
本発明の具体的な構成について、以下に詳細に説明する
。
。
本発明に用いられる記録膜素材としては、830nm/
780nmの吸光度比が2以上を有する物質であればよ
い。
780nmの吸光度比が2以上を有する物質であればよ
い。
現状、光記録に用いられるレーザー光源としては830
nmの半導体レーザーが代表的なものであることから、
この波長域に大きな吸収を有し、780nmの光はあま
り吸収しない物質が最適となる。
nmの半導体レーザーが代表的なものであることから、
この波長域に大きな吸収を有し、780nmの光はあま
り吸収しない物質が最適となる。
このような特性を有する物質として、有機系追記型光記
録媒体用記録膜材料として提案されているシアニン系色
素、ナフトキノン色素、アントラキノン色素、ジチオー
ル金属錯体等の使用も可能であるが、吸収係数が高くし
かも化学的、物理的に安定であるという面からナフタロ
シアニン系色素が最適である。
録媒体用記録膜材料として提案されているシアニン系色
素、ナフトキノン色素、アントラキノン色素、ジチオー
ル金属錯体等の使用も可能であるが、吸収係数が高くし
かも化学的、物理的に安定であるという面からナフタロ
シアニン系色素が最適である。
例えば、下記(a)、 (b)で示されるナフタロシア
ニン系色素を上げることができる。
ニン系色素を上げることができる。
CDあるいはCD−ROMに適用する光ディスクは単板
構成になるため、常に太陽光あるいは蛍光灯の光にさら
される可能性があり、特に耐光性の強さが必要になって
くる。その意味でもナフタロシアニン系色素が好ましい
ことは言うまでもない。
構成になるため、常に太陽光あるいは蛍光灯の光にさら
される可能性があり、特に耐光性の強さが必要になって
くる。その意味でもナフタロシアニン系色素が好ましい
ことは言うまでもない。
このような記録膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法によつても可能で
ある。
例えば真空蒸着法、スパッタリング法によつても可能で
ある。
また、ウェットプロセス例えばスピンコード法、デイツ
プ法ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−プロ
ジェット)法によって可能である。記録膜素材がアルコ
ール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素
系等の汎用の有機溶媒に可溶な場合は、生産性等からス
ピンコード法によって成膜する方法が望ましい、アルコ
ール系溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、
n−ブチルアルコール等、ケトン系溶媒としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等、セロソルブ系溶媒としては、エチ
ルセロソルブ等が適応される。
プ法ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−プロ
ジェット)法によって可能である。記録膜素材がアルコ
ール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素
系等の汎用の有機溶媒に可溶な場合は、生産性等からス
ピンコード法によって成膜する方法が望ましい、アルコ
ール系溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、
n−ブチルアルコール等、ケトン系溶媒としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等、セロソルブ系溶媒としては、エチ
ルセロソルブ等が適応される。
このようにいわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に
応して、高分子バインダーを加えても良い。
応して、高分子バインダーを加えても良い。
高分子バインダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙
げられる。
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが挙
げられる。
高分子バインダーを用いる場合、色素系に対する高分子
バインダーの比率は10重量%以下が好ましい。
バインダーの比率は10重量%以下が好ましい。
反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミラム、
コバルト、スズ等の金属、MgO,ZnO。
コバルト、スズ等の金属、MgO,ZnO。
Snow等の金属酸化物、5tN4.AIN、TiN等
の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く、物理的
、化学的安定性に優れている点から考えると金が最適で
ある。また、場合によってはフタロシアニン、ナフタロ
シアニン等の有機系の高反射率膜を使用することもでき
る。
の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く、物理的
、化学的安定性に優れている点から考えると金が最適で
ある。また、場合によってはフタロシアニン、ナフタロ
シアニン等の有機系の高反射率膜を使用することもでき
る。
このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましいが
これに限られるものではない。
例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましいが
これに限られるものではない。
さらに、反射膜の上に化学的劣化(例えば、酸化、吸水
等)および物理的劣化(傷、けずれ等)を防ぐ目的で膜
を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい。
等)および物理的劣化(傷、けずれ等)を防ぐ目的で膜
を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい。
オーバーコート材としては、UV硬化型樹脂による方法
が一般的であるがこれに限られるものではない。
が一般的であるがこれに限られるものではない。
ディスク形態は、記録後CD、CD−ROMとして機能
する必要があるため、CD、CD−ROMのドライブ装
置に適合し得る規格に準拠していることが好ましい。
する必要があるため、CD、CD−ROMのドライブ装
置に適合し得る規格に準拠していることが好ましい。
また、本発明に用いられるディスク基板としては信号の
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。
例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、°ポリアミド樹脂、塩化ビ
ニル系樹脂、酢酸ビニル系ffM脂、ポリスチレン系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂(ポリ−4−メチルペンテン
等)、ポリエーテルスルホン樹脂、などの熱可塑性樹脂
やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる
基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ、案
内溝やアドレス信号などの付与のしやすさなどから熱可
塑性樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機
械特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からな
るものが特に望ましい。
ト樹脂、ポリエステル樹脂、°ポリアミド樹脂、塩化ビ
ニル系樹脂、酢酸ビニル系ffM脂、ポリスチレン系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂(ポリ−4−メチルペンテン
等)、ポリエーテルスルホン樹脂、などの熱可塑性樹脂
やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる
基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ、案
内溝やアドレス信号などの付与のしやすさなどから熱可
塑性樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機
械特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からな
るものが特に望ましい。
また、案内溝やアドレス信号の付与は熱可塑性樹脂を成
形(射出成形、圧縮成形)する際にスタンバ−などを用
いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いるい
わゆる2P法による方法が好ましい。
形(射出成形、圧縮成形)する際にスタンバ−などを用
いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いるい
わゆる2P法による方法が好ましい。
(実施例)
以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明は以下の実施例に限られるものではない。
発明は以下の実施例に限られるものではない。
[実施例1]
厚さ1.18mm、外径120mm、内径15mmのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02 mmで
塗布し、これにスタンバ−を押しっけ高圧水銀灯による
紫外線により硬化させ、外径116mm、内径48mm
の範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成
した。
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02 mmで
塗布し、これにスタンバ−を押しっけ高圧水銀灯による
紫外線により硬化させ、外径116mm、内径48mm
の範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成
した。
このディスク基板上に(a)で示されるナフタロシアニ
ン化合物をシクロヘキサノン2.0重量%溶液に調整し
、スピンコーターを用いて膜厚1200人に成膜した。
ン化合物をシクロヘキサノン2.0重量%溶液に調整し
、スピンコーターを用いて膜厚1200人に成膜した。
次に、ナフタロシアニン化合物を塗布した上に金を膜厚
800人でスパッタリングにより成膜した。
800人でスパッタリングにより成膜した。
さらに、この上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて
光ディスクを作製した。
光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを用い、波長830
、nmの半導体レーザーを使用して、線速1,2〜1.
4m/secで8.0mWの記録パワーでEFM−CD
フォーマット信号を記録したところ記録が可能であった
。記録されたピット列は、長さ0.9〜3゜3μm、間
隔0.9〜3.3μmである。
、nmの半導体レーザーを使用して、線速1,2〜1.
4m/secで8.0mWの記録パワーでEFM−CD
フォーマット信号を記録したところ記録が可能であった
。記録されたピット列は、長さ0.9〜3゜3μm、間
隔0.9〜3.3μmである。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速l。
2〜1.4m/s e c、再生レーザー出力0.5m
Wで再生を行なっ、たとこる得られた再生信号は良好で
あり、市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであっ
た。
Wで再生を行なっ、たとこる得られた再生信号は良好で
あり、市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであっ
た。
[実施例2コ
厚さ1.18mm、外径120mm、内径15mmのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径116mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径116mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
このディスク基板上に(b)で示されるナフタロシアニ
ン化合物をジクロルエタン1.2N量%溶液に調整し、
スピンコーターを用いて膜厚1000人に成膜した。
ン化合物をジクロルエタン1.2N量%溶液に調整し、
スピンコーターを用いて膜厚1000人に成膜した。
次に、ナフタロシアニ化合物を塗布した上に金を膜厚8
00人でスパッタリングにより成膜した。さらに、この
上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを
作製した。
00人でスパッタリングにより成膜した。さらに、この
上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを
作製した。
このようにして作製した光ディスクを用い、波長830
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/s e cで7.0mWの記録パワーでEFM−C
Dフォーマット信号を記録したところ記録が可能であっ
た。記録されたビット列は、長さ0.9〜3゜3μm1
間隔0.9〜3.3μmである。
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/s e cで7.0mWの記録パワーでEFM−C
Dフォーマット信号を記録したところ記録が可能であっ
た。記録されたビット列は、長さ0.9〜3゜3μm1
間隔0.9〜3.3μmである。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速1゜2〜
1.4m/s e c、再生レーザー出力0.5mWで
再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり、
市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
1.4m/s e c、再生レーザー出力0.5mWで
再生を行なったところ得られた再生信号は良好であり、
市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。
(比較例)
厚さ1.18mm、外径120mm、内径15mmのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径116mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ0.02mmで塗
布し、これにスタンバ−を押しつけ高圧水銀灯による紫
外線により硬化させ、外径116mm、内径48mmの
範囲に0.8μmピッチのスパイラルグループを形成し
た。
このディスク基板上に日本化薬株式会社製のポリメチン
系色素(IR−820)をジクロルエタン1゜2重量%
溶液に調整し、スピンコーターを用いて膜厚1000人
に成膜した。
系色素(IR−820)をジクロルエタン1゜2重量%
溶液に調整し、スピンコーターを用いて膜厚1000人
に成膜した。
次に、IR−820を塗布した上に金を膜厚800人で
スパッタリングにより成膜した。さらに、この上にUV
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作製した
。
スパッタリングにより成膜した。さらに、この上にUV
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作製した
。
このようにして作製した光ディスクを用い、波長830
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/secで13.QmWの記録パワーでEFM−CD
フォーマット信号を記録したところ、記録は可能であっ
が、再生信号を得るための780nmの反射率は48%
であり、CDの国際規格(反射率70%を満足していな
った。
nmの半導体レーザーを使用して、線速1.2〜1.4
m/secで13.QmWの記録パワーでEFM−CD
フォーマット信号を記録したところ、記録は可能であっ
が、再生信号を得るための780nmの反射率は48%
であり、CDの国際規格(反射率70%を満足していな
った。
(発明の効果)
本発明の構成により光ディスクを作製することにより、
追記機能、編集機能を有するCD、CD−ROMを提供
することができ、記録と再生を別波長で行なうことによ
り、再生時の劣化がなく、さらに化学的、物理的に安定
なナフタロシアニン系化合物を4゜ 記録膜層とすることにより、保存安定性の優れたCD、
CD−ROM対応の追記型光ディスクが得られる。
追記機能、編集機能を有するCD、CD−ROMを提供
することができ、記録と再生を別波長で行なうことによ
り、再生時の劣化がなく、さらに化学的、物理的に安定
なナフタロシアニン系化合物を4゜ 記録膜層とすることにより、保存安定性の優れたCD、
CD−ROM対応の追記型光ディスクが得られる。
第1図〜第3図は、ナフタロシアニン系色素(a)(b
)および比較例に用いたポリメチン系色素の吸光度曲線
を示す。
)および比較例に用いたポリメチン系色素の吸光度曲線
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明基板/記録膜層/反射膜層の3層構造からなり
、CDフォーマット信号の記録を行うコンパクトディス
クにおいて、その記録膜層として830nm/780n
mの吸光度比が2以上であることを特徴とする追記型光
ディスク。 2、記録膜層として下記一般式[1]で示されるナフタ
ロシアニン系色素薄膜を用いることを特徴とする請求項
1記載の追記型光ディスク。 一般式[1] ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Mは、水素あるいは金属または金属酸化物を表
す。 X^1〜X^4は、それぞれ独立に置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、ハロゲン原子、ニトロ基
、シアノ基、スルホン酸基、−OR^1、−SR^2、
−COOR^3、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−NHCOR^1
^2、 −N=NR^1^3、−N=CHR^1^4を表す。 R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6、R
^7、R^8、R^9、R^1^0およびR^1^1は
、互に同一であっても異なっていてもよく、水素原子、
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基、置換基を有してもよいアシル基、置換基
を有してもよいシクロアルキル基、またはポリエーテル
基を表し、または、R^6とR^7とで、R^8とR^
9とで、あるいはR^1^0とR^1^1とで、4〜7
員環を形成していてもよく、これらの4〜7員環はさら
に窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環であってもよ
い。 R^1^2、R^1^3およびR^1^4は、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロ
アルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を
表す。 Yは、置換基を有してもよいアルキル基、水素原子、ハ
ロゲン原子、水酸基、−OR^1^5、−SR^1^5
、−SeR^1^5、−TeR^1^5、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼を表す。 R^1^5は、置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいシ
クロアルキル基、あるいはポリエーテル基を表す。 R^1^6、R^1^7およびR^1^8は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有しても
よいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリーロキシ
基、ポリエーテル基、水酸基、または水素原子を表す。 R^1^9、R^2^0は、互いに同一であっても異な
っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基を表す。 k、l、m、、nは、それぞれ独立に0〜6の整数であ
り、それぞれ置換基X^1、X^2、X^3、X^4の
個数を表す。 Zは、0〜2の整数であり、置換基Yの個数を表す。] 3、上記光ディスクにおいて、信号の記録を行うレーザ
ーの波長が830nmであることを特徴とする請求項1
記載の追記型光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2085331A JPH03281388A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 追記型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2085331A JPH03281388A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 追記型光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03281388A true JPH03281388A (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=13855654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2085331A Pending JPH03281388A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 追記型光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03281388A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007091879A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | ナフタロシアニン色素およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085331A patent/JPH03281388A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007091879A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | ナフタロシアニン色素およびその製造方法 |
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