JP2545569B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JP2545569B2 JP2545569B2 JP63036266A JP3626688A JP2545569B2 JP 2545569 B2 JP2545569 B2 JP 2545569B2 JP 63036266 A JP63036266 A JP 63036266A JP 3626688 A JP3626688 A JP 3626688A JP 2545569 B2 JP2545569 B2 JP 2545569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituent
- alkyl group
- hydrogen atom
- following groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は，半導体レーザーの集束ビームを用いて追記
することが可能な光学記録媒体に関するものであり，更
に詳しくは，コンピューター外部メモリー，画像，音声
等の各種情報の記録に用いられる光記録媒体に関する。
することが可能な光学記録媒体に関するものであり，更
に詳しくは，コンピューター外部メモリー，画像，音声
等の各種情報の記録に用いられる光記録媒体に関する。
（従来の技術） 上記した追記可能な光記録媒体としては，テルル，テ
ルル合金，ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記
録層を有する記録媒体が実用化されはじめている。しか
しながら，これらの記録媒体は，真空蒸着，スパッタリ
ング等の真空中での薄膜形式によるため生産性が低く，
さらに記録層の熱伝導率が大きいため記録密度の点で限
界があり，またテルル等の有毒物質を使用するので衛生
性の点で問題がある。
ルル合金，ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記
録層を有する記録媒体が実用化されはじめている。しか
しながら，これらの記録媒体は，真空蒸着，スパッタリ
ング等の真空中での薄膜形式によるため生産性が低く，
さらに記録層の熱伝導率が大きいため記録密度の点で限
界があり，またテルル等の有毒物質を使用するので衛生
性の点で問題がある。
このような問題点を解決するために，近年，有機系色
素を記録媒体として使用する方法が検討されており，例
えば，ポリメチン色素（特開昭58−112790号），ナフト
キノン（特開昭58−112793号），フタロシアニン色素
（米国特許4298975号），ナフタロシアニン色素（米国
特許4492750号）等の半導体レーザー発振波長領域に吸
収を有する有機色素を記録層とした記録媒体が提案され
ている。しかしながら，これまでに提案されている有機
色素を用いた記録媒体では，耐久性，反射率の面で，十
分な特性が得られなかったり，溶剤への溶解性が悪く，
経済的に有利な塗布方式による薄膜形成法が適用できな
いという欠点を有していた。
素を記録媒体として使用する方法が検討されており，例
えば，ポリメチン色素（特開昭58−112790号），ナフト
キノン（特開昭58−112793号），フタロシアニン色素
（米国特許4298975号），ナフタロシアニン色素（米国
特許4492750号）等の半導体レーザー発振波長領域に吸
収を有する有機色素を記録層とした記録媒体が提案され
ている。しかしながら，これまでに提案されている有機
色素を用いた記録媒体では，耐久性，反射率の面で，十
分な特性が得られなかったり，溶剤への溶解性が悪く，
経済的に有利な塗布方式による薄膜形成法が適用できな
いという欠点を有していた。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは，有機色素を用いた記録媒体の問題点を
改善すべく，鋭意検討した結果，実用上優れた特性を持
ち，さらに経済的にも有利な光学記録媒体を発明するに
至った。
改善すべく，鋭意検討した結果，実用上優れた特性を持
ち，さらに経済的にも有利な光学記録媒体を発明するに
至った。
すなわち，本発明は，レーザービームなどの高密度エ
ネルギー照射によって状態変化を生じさせて記録を行な
う光学記録媒体において，基板上に，下記一般式〔Ｉ〕
で示されるフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以
上を含有する，記録層としての有機薄膜層を設けてなる
光学記録媒体である。
ネルギー照射によって状態変化を生じさせて記録を行な
う光学記録媒体において，基板上に，下記一般式〔Ｉ〕
で示されるフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以
上を含有する，記録層としての有機薄膜層を設けてなる
光学記録媒体である。
一般式〔Ｉ〕 ［式中，環A1,A2,A3およびA4は，それぞれ独立に，ベン
ゼン環，ナフタレン環，またはアントラセン環を表す。
ゼン環，ナフタレン環，またはアントラセン環を表す。
Ｍは,Al,Ga,In,Tl,Si,Ge,SnまたはPbを表す。
Ｚは−Q1−Q2であり，ここでQ1は,O,S,Se,TeまたはNH
を表し， Q2は,GeR1R2R3,SnR4R5R6またはPbR7R8R9を表す。
を表し， Q2は,GeR1R2R3,SnR4R5R6またはPbR7R8R9を表す。
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8およびR9は，同一でも異別
でもよく，それぞれ，水素原子，水酸基，または置換基
を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
でもよく，それぞれ，水素原子，水酸基，または置換基
を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
Ｙは，−Q1−Q2,水素原子，ハロゲン原子，水酸基，
置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，シクロアルキル基，またはアリール
基〕， −OR10,−SR11,−SeR12,−TeR13, −OSiR14R15R16,−SSiR17R18R19, −SeSiR20R21R22, または−TeSiR23R24R25であり，ここでR10,R11,R12およ
びR13は，置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，アシル基，シクロアルキル
基，またはポリエーテル基〕 である。
置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，シクロアルキル基，またはアリール
基〕， −OR10,−SR11,−SeR12,−TeR13, −OSiR14R15R16,−SSiR17R18R19, −SeSiR20R21R22, または−TeSiR23R24R25であり，ここでR10,R11,R12およ
びR13は，置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，アシル基，シクロアルキル
基，またはポリエーテル基〕 である。
R14,R15,R16,R17,R18,R19,R20,R21,R22,R23,R24およ
びR25は，同一でも異別でもよく，それぞれ，水素原
子，水酸基，または置換基を有してもよい下記のいずれ
かの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
びR25は，同一でも異別でもよく，それぞれ，水素原
子，水酸基，または置換基を有してもよい下記のいずれ
かの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
Ｘは同一でも異別でもよく，それぞれ別個に，ハロゲ
ン原子，水酸基，置換基を有してもよい下記のいずれか
の基 〔アルキル基，アリール基，または複素環基〕， −OR26,−SR27,−NHCOR28,−COR29,−Ｎ＝CHR30,−Ｎ＝
NR31,−NR32R33,−SiR34R35R36,−OSiR37R38R39,−SO2N
R40R41,−CONR42R43,−CH2NHCOCH2NR44R45,−COOR46,−
NO2,−SO3H,または−CNを表す。
ン原子，水酸基，置換基を有してもよい下記のいずれか
の基 〔アルキル基，アリール基，または複素環基〕， −OR26,−SR27,−NHCOR28,−COR29,−Ｎ＝CHR30,−Ｎ＝
NR31,−NR32R33,−SiR34R35R36,−OSiR37R38R39,−SO2N
R40R41,−CONR42R43,−CH2NHCOCH2NR44R45,−COOR46,−
NO2,−SO3H,または−CNを表す。
ここで,R26,R27,R28,R29,R30,R31,R34およびR37は，
同一でも異別でもよく，それぞれ，水素原子，水酸基，
または置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
同一でも異別でもよく，それぞれ，水素原子，水酸基，
または置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基，アルコ
キシ基，アリーロキシ基，シロキシ基，ゲルマニウムオ
キシ基，またはすずオキシ基〕 である。
R32,R33,R35,R36,R38およびR39は，同一でも異別でも
よく，それぞれが，水素原子，または，置換基を有して
もよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，シクロアルキル基，またはアリール基〕 であるか，または,R32およびR33が，一緒になって該ち
っ素原子を含む４〜７員環の複素環，またはR35およびR
36あるいはR38およびR39のいずれかの一組が一緒になっ
て該珪素原子を含む４〜７員環の複素環を形成してもよ
い。
よく，それぞれが，水素原子，または，置換基を有して
もよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，シクロアルキル基，またはアリール基〕 であるか，または,R32およびR33が，一緒になって該ち
っ素原子を含む４〜７員環の複素環，またはR35およびR
36あるいはR38およびR39のいずれかの一組が一緒になっ
て該珪素原子を含む４〜７員環の複素環を形成してもよ
い。
R40,R42およびR44は，水素原子またはアルキル基を表
す。
す。
R41,R43,R45およびR46は，水素原子，または置換基を
有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，または複素環基〕，または
−R47−NR46R49を表す。
有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，または複素環基〕，または
−R47−NR46R49を表す。
ここで,R47は炭素数１〜４のアルキル基を表す。R48
およびR49は，同一でも異別でもよく，それぞれ別個
に，置換基を有してもよいアルキル基，またはR48およ
びR49が，一緒になって，ちっ素，酸素またはいおう原
子を含む複素環を表す。
およびR49は，同一でも異別でもよく，それぞれ別個
に，置換基を有してもよいアルキル基，またはR48およ
びR49が，一緒になって，ちっ素，酸素またはいおう原
子を含む複素環を表す。
ｐは０または１であり，置換基Ｙの個数を表す。
k,l,m,nはそれぞれ独立に,0〜８の整数を表し，置換
基Ｘの個数を表す。〕 一般式〔Ｉ〕で示される化合物は，例えば下記一般式
〔II〕 一般式〔II〕 ［式中，環Ａは，一般式〔Ｉ〕における環A1,A2,A3,ま
たはA4を表す。
基Ｘの個数を表す。〕 一般式〔Ｉ〕で示される化合物は，例えば下記一般式
〔II〕 一般式〔II〕 ［式中，環Ａは，一般式〔Ｉ〕における環A1,A2,A3,ま
たはA4を表す。
X,k,l,mおよびｎは，一般式〔Ｉ〕における意味と同
一の意味を表す。］ で示されるイソインドリン化合物と金属または金属化合
物とから，公知の方法にしたがって合成する［例えば,
M.E.Kenney et.al.:J.A.Chem.Soc.,106,7404〜7410（19
84）］。
一の意味を表す。］ で示されるイソインドリン化合物と金属または金属化合
物とから，公知の方法にしたがって合成する［例えば,
M.E.Kenney et.al.:J.A.Chem.Soc.,106,7404〜7410（19
84）］。
また，一般式〔II〕で示されるイソインドリン類の代
わりに同類のニトリル類を使用した方が好ましい場合も
ある。
わりに同類のニトリル類を使用した方が好ましい場合も
ある。
本発明において用いられる透明基板としては，信号の
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が，好ま
しくは85％以上であり，かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。例えば，ガラス，またはアルクル樹脂，ポリ
カーボネート樹脂，ポリエステル樹脂，ポリアミド樹
脂，塩化ビニル樹脂，ポリビニルエステル樹脂，ポリス
チレン系樹脂，ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチル
ペンテン等），ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑
性樹脂やエポキシ樹脂，アリル樹脂などの熱硬化樹脂を
用いた基板が挙げられる。これらの中で，成形のしやす
さ，案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから
前記した熱可塑性樹脂が好ましく，更に光学特性や機械
的特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂が特に
望ましい。
書き込みや読み出しを行なうための光の透過率が，好ま
しくは85％以上であり，かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。例えば，ガラス，またはアルクル樹脂，ポリ
カーボネート樹脂，ポリエステル樹脂，ポリアミド樹
脂，塩化ビニル樹脂，ポリビニルエステル樹脂，ポリス
チレン系樹脂，ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチル
ペンテン等），ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑
性樹脂やエポキシ樹脂，アリル樹脂などの熱硬化樹脂を
用いた基板が挙げられる。これらの中で，成形のしやす
さ，案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから
前記した熱可塑性樹脂が好ましく，更に光学特性や機械
的特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂が特に
望ましい。
本発明においては，これらの透明な基板の厚さは，特
に制限がなく，板状でもフィルム状でも良い。また，そ
の形状は，円形やカード状でもよく，その大きさには特
に制限はない。
に制限がなく，板状でもフィルム状でも良い。また，そ
の形状は，円形やカード状でもよく，その大きさには特
に制限はない。
また本発明の透明基板には，記録および読み出しの際
の位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク
等のプリフォーマット用の凹凸を通常有しているが，こ
れらの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形（射
出，圧縮等）する際にスタンパーなどを用いて付与する
のが，好ましい。
の位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク
等のプリフォーマット用の凹凸を通常有しているが，こ
れらの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形（射
出，圧縮等）する際にスタンパーなどを用いて付与する
のが，好ましい。
本発明の光学記録媒体において，フタロシアニン系化
合物を含有する記録層を透明な基板上に定着するには，
例えば真空蒸着法，スパッタリング性，イオンプレート
法およびLB法（ラングミュアブロジェット法）などの方
法で薄膜化できるが，これらの方法は操作が繁雑であ
り，かつ生産性の点で劣るので，いわゆる塗布による方
法が最も好ましい。塗布法によって記録層を形成する場
合には，フタロシアニン系化合物をアルコール類，ケト
ン類，アミド類，スルホキシド類，エーテル類，エステ
ル類，脂肪族ハロゲン化炭化水素類，芳香族炭化水素類
等の一般の有機溶媒に分散または溶解して塗布する。こ
の際，フタロシアニン系化合物がアミノ基を有する場合
には有機酸とによる造塩体を形成させることにより，溶
解性が増大するため，上記の有機溶媒中に，酢酸，プロ
ピオン酸，酪酸，オレイン酸，ステアリン酸等の有機酸
を混合して使用することもできる。また，このとき場合
によっては，高分子バインダーを加えても良い。高分子
バインダーとしては，塩化ビニル樹脂，アクリル酸樹
脂，ポリエステル樹脂，ポリエチレン樹脂，ポリアミド
樹脂，ポリカーボネート樹脂，エポキシ樹脂，メタクリ
ル酸樹脂，酢酸ビニル樹脂，ニトロセルロース，ポリプ
ロピレン樹脂，ポリエチレンテレフタレート樹脂，フェ
ノール樹脂またはこれらの共重合体などがあげられる。
その際フタロシアニン系化合物に対する樹脂の比率は10
重量％以下が好ましい。
合物を含有する記録層を透明な基板上に定着するには，
例えば真空蒸着法，スパッタリング性，イオンプレート
法およびLB法（ラングミュアブロジェット法）などの方
法で薄膜化できるが，これらの方法は操作が繁雑であ
り，かつ生産性の点で劣るので，いわゆる塗布による方
法が最も好ましい。塗布法によって記録層を形成する場
合には，フタロシアニン系化合物をアルコール類，ケト
ン類，アミド類，スルホキシド類，エーテル類，エステ
ル類，脂肪族ハロゲン化炭化水素類，芳香族炭化水素類
等の一般の有機溶媒に分散または溶解して塗布する。こ
の際，フタロシアニン系化合物がアミノ基を有する場合
には有機酸とによる造塩体を形成させることにより，溶
解性が増大するため，上記の有機溶媒中に，酢酸，プロ
ピオン酸，酪酸，オレイン酸，ステアリン酸等の有機酸
を混合して使用することもできる。また，このとき場合
によっては，高分子バインダーを加えても良い。高分子
バインダーとしては，塩化ビニル樹脂，アクリル酸樹
脂，ポリエステル樹脂，ポリエチレン樹脂，ポリアミド
樹脂，ポリカーボネート樹脂，エポキシ樹脂，メタクリ
ル酸樹脂，酢酸ビニル樹脂，ニトロセルロース，ポリプ
ロピレン樹脂，ポリエチレンテレフタレート樹脂，フェ
ノール樹脂またはこれらの共重合体などがあげられる。
その際フタロシアニン系化合物に対する樹脂の比率は10
重量％以下が好ましい。
また，本発明のフタロシアニン系化合物に，他の色素
を混合分散あるいは混合溶解して使用することもでき
る。混合して使用できる色素としては，すでに公知の例
えば，芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属錯体，
芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体，フタ
ロシアニン系錯体，ナフタロシアニン系錯体，スクアリ
ウム系色素，ナフトキノン系錯体，アントラキノン系色
素やポリメチン系色素が挙げられる。
を混合分散あるいは混合溶解して使用することもでき
る。混合して使用できる色素としては，すでに公知の例
えば，芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属錯体，
芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体，フタ
ロシアニン系錯体，ナフタロシアニン系錯体，スクアリ
ウム系色素，ナフトキノン系錯体，アントラキノン系色
素やポリメチン系色素が挙げられる。
透明基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有
する記録層は,10μｍ以下で，好ましくは500Å〜２μｍ
である。また塗布した後，クロロホルム，テトラヒドロ
フラン，トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらすことによ
って，薄膜の吸収波長が長波長にシフトし，半導体レー
ザーの発振波長域の光に対する感度を著しく向上させる
ことができる場合もある。
する記録層は,10μｍ以下で，好ましくは500Å〜２μｍ
である。また塗布した後，クロロホルム，テトラヒドロ
フラン，トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらすことによ
って，薄膜の吸収波長が長波長にシフトし，半導体レー
ザーの発振波長域の光に対する感度を著しく向上させる
ことができる場合もある。
また，これらの記録層を保護するために,Al2O3,SiO2,
SiO,SnO等の無機化合物を蒸着して保護層を設けても良
い。また，保護層として，高分子を塗布しても良い。
SiO,SnO等の無機化合物を蒸着して保護層を設けても良
い。また，保護層として，高分子を塗布しても良い。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は，基板上
に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光，好
ましくは半導体レーザー光を照射することにより行な
う。レーザー光の照射された部分は，レーザーエネルギ
ーの吸収による分解，蒸発，溶融等の記録層の熱的な状
態変化が生じた部分と，生じていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行なう。
に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光，好
ましくは半導体レーザー光を照射することにより行な
う。レーザー光の照射された部分は，レーザーエネルギ
ーの吸収による分解，蒸発，溶融等の記録層の熱的な状
態変化が生じた部分と，生じていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行なう。
光源としては,He−Neレーザー,Arレーザー，半導体レ
ーザー等の各種レーザーを用いることができるが，価
格，大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。半導
体レーザーとしては，中心波長830nm,780nmおよびそれ
より短波長のレーザーを使用することができる。
ーザー等の各種レーザーを用いることができるが，価
格，大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。半導
体レーザーとしては，中心波長830nm,780nmおよびそれ
より短波長のレーザーを使用することができる。
次に，本発明を実施例により，更に具体的に説明する
が，本発明は，以下の実施例に限定されるものではな
い。例中部は重量部である。
が，本発明は，以下の実施例に限定されるものではな
い。例中部は重量部である。
〔合成例１ 化合物（ａ）の合成〕 キノリン20部に,1,3−ジイミノベンゾイソインドリン
2.0部，テトラクロルゲルマニウム2.0部を加え，ちっ素
気流下で180〜200℃で２時間加熱攪拌した後，室温まで
冷却。メタノール300部で希釈し，生成物を濾別，メタ
ノール，アセトンで洗浄した後，乾燥する。得られた化
合物1.0部を濃硫酸200部に溶解した後，氷水2000部に注
入し，析出物を濾過，水洗し，水ケーキをアンモニア水
300部にリスラリーし,1時間煮沸後，濾過，水洗し，メ
タノールで洗浄乾燥するとジヒドロキシゲルマニウムナ
フタロシアニンが0.8部得られた。
2.0部，テトラクロルゲルマニウム2.0部を加え，ちっ素
気流下で180〜200℃で２時間加熱攪拌した後，室温まで
冷却。メタノール300部で希釈し，生成物を濾別，メタ
ノール，アセトンで洗浄した後，乾燥する。得られた化
合物1.0部を濃硫酸200部に溶解した後，氷水2000部に注
入し，析出物を濾過，水洗し，水ケーキをアンモニア水
300部にリスラリーし,1時間煮沸後，濾過，水洗し，メ
タノールで洗浄乾燥するとジヒドロキシゲルマニウムナ
フタロシアニンが0.8部得られた。
次に，ジヒドロキシゲルマニウムナフタロシアニン0.
5部をピリジン80部に加え，加熱還流し，その際，ディ
ーンスターク冷却管等を用いてピリジン30部を回収し，
系内の水分を除去した。
5部をピリジン80部に加え，加熱還流し，その際，ディ
ーンスターク冷却管等を用いてピリジン30部を回収し，
系内の水分を除去した。
反応液を冷却後，トリメチルクロルゲルマニウム10部
を加え,6時間加熱還流し，冷却後濾過，残さをピリジン
50部で洗浄抽出し，濾液を希塩酸水500部に注入し，生
成物を濾別，水洗した後，メタノール／水（1:1,重量
比）溶液で洗浄後，減圧乾燥すると化合物（ａ）0.2部
が得られる。
を加え,6時間加熱還流し，冷却後濾過，残さをピリジン
50部で洗浄抽出し，濾液を希塩酸水500部に注入し，生
成物を濾別，水洗した後，メタノール／水（1:1,重量
比）溶液で洗浄後，減圧乾燥すると化合物（ａ）0.2部
が得られる。
〔合成例２ 化合物（ｂ）の合成〕 合成例１と同様に合成したジヒドロキシゲルマニウム
ナフタロシアニン0.5部をピリジン50部，トリ−ｎ−ブ
チルアミン10部に加え，加熱還流し，その際，ディーン
スターク冷却管等を用いてピリジン20部を回収し，系内
の水分を除去した。
ナフタロシアニン0.5部をピリジン50部，トリ−ｎ−ブ
チルアミン10部に加え，加熱還流し，その際，ディーン
スターク冷却管等を用いてピリジン20部を回収し，系内
の水分を除去した。
反応液を冷却し，ジクロルジメチルゲルマニウム5.0
部を加え，室温で15時間攪拌した後，過剰のジクロルジ
メチルゲルマニウムを留去し，冷却。反応液を冷却後エ
チレングリコール10部を加え,6時間加熱還流した後，濾
過，残さをピリジン，ジメチルホルムアミドで洗浄し，
濾液を希塩酸水1000部に注入し，生成物を濾別，水洗，
乾燥すると化合物（ｂ）0.2部が得られる。
部を加え，室温で15時間攪拌した後，過剰のジクロルジ
メチルゲルマニウムを留去し，冷却。反応液を冷却後エ
チレングリコール10部を加え,6時間加熱還流した後，濾
過，残さをピリジン，ジメチルホルムアミドで洗浄し，
濾液を希塩酸水1000部に注入し，生成物を濾別，水洗，
乾燥すると化合物（ｂ）0.2部が得られる。
〔合成例３ 化合物（ｃ）の合成〕 合成例１と同様に合成したジヒドロキシけい素テトラ
ブロモナフタロシアニン0.5部をピリジン80部に加え，
加熱還流し，その際，ディースターク冷却管等を用いて
ピリジン30部を回収し，系内の水分を除去した。
ブロモナフタロシアニン0.5部をピリジン80部に加え，
加熱還流し，その際，ディースターク冷却管等を用いて
ピリジン30部を回収し，系内の水分を除去した。
反応液を冷却後，トリメチルクロルすず10部を加え,6
時間加熱還流し，冷却後，濾過，残さをピリジン50部で
洗浄抽出し，濾液を希塩酸水500部に注入し，生成物を
濾別，水洗した後，メタノール／水（1:1,重量比）溶液
で洗浄後，減圧乾燥すると化合物（ｃ）が0.15部得られ
る。
時間加熱還流し，冷却後，濾過，残さをピリジン50部で
洗浄抽出し，濾液を希塩酸水500部に注入し，生成物を
濾別，水洗した後，メタノール／水（1:1,重量比）溶液
で洗浄後，減圧乾燥すると化合物（ｃ）が0.15部得られ
る。
（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ） （ｆ） （ｇ） （ｈ） （ｉ） （ｊ） （ｋ） 実施例 １ パイレックス（商品名,Corning Glass Works製）製基
板上にフタロシアニン系化合物（ａ）2.7部とクロロホ
ルム97.3部からなる溶液を滴下した後，この基板を800r
pmの速度で15秒間回転した。
板上にフタロシアニン系化合物（ａ）2.7部とクロロホ
ルム97.3部からなる溶液を滴下した後，この基板を800r
pmの速度で15秒間回転した。
次に，この基板を80℃で20分間乾燥して記録媒体を得
た。
た。
この記録層の膜厚は700Åであった。この薄膜の最大
吸収波長は,805nmであり,830nmの波長の光に対する反射
率は32％であった。
吸収波長は,805nmであり,830nmの波長の光に対する反射
率は32％であった。
この光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け，タ
ーンテーブルを1800rpmで回転させながら,1.0μｍに集
束した830nmのレーザー5mW,8MHzで照射して記録を行な
った。
ーンテーブルを1800rpmで回転させながら,1.0μｍに集
束した830nmのレーザー5mW,8MHzで照射して記録を行な
った。
この記録を行なった光学記録媒体表面を走査型電子顕
微鏡観察を行なったところ，鮮明なピットの形成が認め
られた。また，この光学記録媒体に830nm,0.4mWのレー
ザー光を照射し，反射光の検出を行なったところ,C/N比
が52dBであった。
微鏡観察を行なったところ，鮮明なピットの形成が認め
られた。また，この光学記録媒体に830nm,0.4mWのレー
ザー光を照射し，反射光の検出を行なったところ,C/N比
が52dBであった。
実施例 ２ ポリカーボネート樹脂基板にフタロシアニン系化合物
（ｂ）2.4部と，メチルセロソルブ97.6部から成る溶液
を滴下した後，この基板を800rpmの速度で20秒間回転し
た。
（ｂ）2.4部と，メチルセロソルブ97.6部から成る溶液
を滴下した後，この基板を800rpmの速度で20秒間回転し
た。
次に，この基板を減圧下80℃で30分間乾燥して記録媒
体を得た。
体を得た。
この記録層の膜厚は720Åであった。この薄膜の最大
吸収波長は810nmであり,830nmの波長の光に対する反射
率は33％であった。
吸収波長は810nmであり,830nmの波長の光に対する反射
率は33％であった。
また，この記録媒体を実施例１と同様に記録を行なっ
たところ，記録層表面に鮮明なピット形成が認められ，
また,C/N比が51dBであった。
たところ，記録層表面に鮮明なピット形成が認められ，
また,C/N比が51dBであった。
実施例 ３〜11 パイレックス（商品名,Corning Glass Works製）製基
板上にフタロシアニン系化合物（ｃ）〜（ｋ）を実施例
１と同様な方法により塗布して記録媒体を得た。
板上にフタロシアニン系化合物（ｃ）〜（ｋ）を実施例
１と同様な方法により塗布して記録媒体を得た。
この薄膜の最大吸収波長および830nmの波長光に対す
る反射率，およびこの記録媒体に実施例１と同様な記録
再生を行なった結果を表１に示す。
る反射率，およびこの記録媒体に実施例１と同様な記録
再生を行なった結果を表１に示す。
〔発明の効果〕 本発明は以上のような構成によりなり，化学的，物理
的に安定でレーザー光線で高感度で記録再生できる特徴
を有する。
的に安定でレーザー光線で高感度で記録再生できる特徴
を有する。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｂ 47/18 Ｃ０９Ｂ 47/18 47/20 47/20 47/22 47/22 47/24 47/24 47/26 47/26 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ (56)参考文献 特開 昭64−38285（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−133790（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1374（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−297293（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に下記一般式〔Ｉ〕で示されるフタ
ロシアニン系化合物の少なくとも一種以上を含有する有
機薄膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔Ｉ〕 ［式中、環A1、A2、A3、およびA4は、それぞれ独立にベ
ンゼン環，ナフタレン環、またはアントラセン環を表
す。 Ｍは、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、SnまたはPbを表す。 Ｚは−Q1−Q2であり、ここでQ1は、Ｏ、Ｓ、Se、Teまた
はNHを表し、 Q2は、GeR1R2R3、SnR4R5R6またはPbR7R8R9を表す。 R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8およびR9は、同一でも
異別でもよく、それぞれ、水素原子、水酸基または置換
基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、ゲルマニウムオ
キシ基、またはすずオキシ基〕 Ｙは、−Q1−Q2、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置
換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール
基〕、 −OR10,−SR11,−SeR12,−TeR13,−OSiR14R15R16、−SS
iR17R19、−SeSiR20R21R22または−TeSiR23R24R25であ
り、ここでR10、R11、R12およびR13は、置換基を有して
もよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，アシル基，シクロアルキル
基、またはポリエーテル基〕 である。 R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、
R24およびR25は、同一でも異別でもよく、それぞれ、水
素原子、水酸基、または置換基を有してもよい下記のい
ずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、ゲルマニウムオ
キシ基、またはすずオキシ基〕 である。 Ｘは、同一でも別異でもよく、それぞれ別個に、ハロゲ
ン原子、水酸基、置換基を有してもよい下記のいずれか
の基 〔アルキル基、アリール基、または複素環基〕、 −OR26、−SR27、−NHCOR28、−COR29、−Ｎ＝CHR30、
−Ｎ＝NR31、−NR32R33、−SiR34R35R36、−OSiR37R38R
39、−SO2NR40R41、−CONR42R43、−CH2NHCOCH2NR
44R45、−COOR46、−NO2、−SO3H、または−CNを表す。 ここでR26、R27、R28、R29、R30、R31、R34およびR
37は、同一でも異別でもよく、それぞれ、水素原子、水
酸基、または置換基を有してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基，シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、ゲルマニウムオ
キシ基、またはすずオキシ基〕 である。 R32、R33、R35、R36、R38、およびR39、は、同一でも異
別でもよく、それぞれが、水素原子、または置換基を有
してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，シクロアルキル基、またはアリール基〕 であるか、または、R32およびR33が、一緒になって該ち
っ素原子を含む４〜７員環の複素環、またはR35およびR
36あるいはR38およびR39のいずれかの一組が一緒になっ
て該珪素原子を含む４〜７員環の複素環を形成してもよ
い。 R40、R42およびR44は、水素原子またはアルキル基を表
す。 R41、R43、R45およびR46は、水素原子、または置換を有
してもよい下記のいずれかの基 〔アルキル基，アリール基、または複素環基〕、 または−R47−NR48R49−を表す。 ここで、R47は炭素数１〜４のアルキル基を表す。R48お
よびR49は、同一でも別異でもよく、それぞれ別個に、
置換基を有してもよいアルキル基、またはR48およびR49
が一緒になって、ちっ素、酸素またはいおう原子を含む
複素環を表す。 ｐは０または１であり、置換基Ｙの個数を表す。 ｋ、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に、０〜８の整数を表
し、置換基Ｘの個数を表す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036266A JP2545569B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036266A JP2545569B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01210388A JPH01210388A (ja) | 1989-08-23 |
| JP2545569B2 true JP2545569B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=12464964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63036266A Expired - Lifetime JP2545569B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545569B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2910042B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JPH0497889A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-30 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光学記録媒体 |
| WO1994005025A1 (en) * | 1992-08-17 | 1994-03-03 | Sandoz Ltd. | Use of optical brighteners and phthalocyanines as photosensitizers |
| EP1271500A1 (en) | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording method and medium |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63036266A patent/JP2545569B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01210388A (ja) | 1989-08-23 |
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