JPH03173685A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光線によって、情報を書込んだり、
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来、レーザー光線を用いて、情報を記録し読み取る光
学記録媒体としては２種々のものが知られている。その
一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照射して、照
射部分に融解、蒸発９分解などの変化を生じさせて記録
を行なうものがある。

このような光学記録媒体の記録層としては、Ａｓ。

Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔｉなどの金属や合金の薄膜層が用いられ
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く。

記録再生光学系を小型化できる半導体レーザーを適用で
きると言う特長があるが、熱伝導率が大であるなどの理
由により、記録時にレーザー光線のエネルギーを効率よ
く利用できないという欠点があった。

また、これらの記録層は、化学的に不安定であり劣化す
ることがあった。

このため、特開昭５７−８２０９３号公報、特開昭５８
−５６８９２号公報、特開昭６０−８９８４２号公報、
特開昭６０−１５０２４３号公報などにより、記録層と
して有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば７８０ｎ
ｍ以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを行
なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録媒
体では、記録再生光学系の小型化が可能な半導体レーザ
ーによる融解、蒸発１分解などによって、有機薄膜層に
容易に微小な凹部（ピント）を形成させることができる
ものの半導体レーザー光線に対する吸光係数が小さく、
記録感度が十分ではないなどの欠点があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、従来の有機薄膜記録層を有する光学記録媒体
の種々の欠点をを改良し、化学的・物理的にできる１特
定のフタロシアニン系化合物を用いた光学記録媒体を提
供するものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に、下記一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含存する有
機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。

（以下余白） Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表
わす。

Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−０Ｒ１，−８Ｒ
２−ｃｏＯＲ３ＣＨｚ　　Ｎ　ＨＣＯＣＨｔ　　Ｎ　　
　Ｒ”Ｒ１＋ −ＮＨＣＯＲ”、−Ｎ＝ＮＲ’！、または−Ｎ＝Ｃｆ（
Ｒ”を表わす。

Ｒ１，Ｒ２，Ｒ″、　　Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ８，Ｒ９
゜Ｒ１０およびＲ”は、互いに同一であっても異なって
いてもよく、水素原子、置換基を有していてもよいアル
キル基、置換基を有していてもよいアリール基。

置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有してい
てもよいシクロアルキル基、または置換基を有していて
もよいポリエーテル基を表わし、または一般式（１） 〔式中、環Ａ　Ｉ　、　Ａ　４は、それぞれ独立に。

Ｒ６とＲ７とで　Ｒ８とＲ９とで、あるいはＲＩＧとＲ
１＋とで、４〜７員環を形成していてもよく、これらの
４〜７員環は、さらにちっ素原子、酸素原子いおう原子
を含む複素環であってもよい。

Ｒ”Ｉ　　Ｒ１″およびＲ”は、互いに同一であっても
異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を存してもよいシクロアルキル基、または置換
基を有してもよいアリール基を表わす。

Ｚは、水素、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有０ または−〇−３ｅ−Ｒ”を表わす。

ＲＩ５．　Ｒ１６ｔ　Ｒ”、　Ｒ２２，Ｒ２″、　　Ｒ
”、　　Ｒ２５，Ｒ２６Ｒ２７およびＲ３ｔは、互いに
同一であっても異なっていてもよく、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいアシル基５置換基を有してもよいシ
クロアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、
置換基を有してもよいアリロキシ基、置換基を有しても
よいポリエーテル基、水酸基、またはハロゲン原子を表
わす。

Ｒ１，ＲＩａ、　　Ｒ１９，ＲＺｏ、　　Ｒ２１１，Ｒ
２９，Ｒ３ＧオヨびＲ”は、互いに同一であっても異な
っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよい了り−ル基、置換基を有してもよい
アシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置
換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよ
いアリロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基
、水酸基、ハロゲン原子、または水素原子を表わす。

Ｗは、Ｏ，Ｓ、ＳｅまたはＴｅを表わす。

ｋ、ｊ！、ｍ、ｎは、それぞれ独立にＯ〜８の整数を表
わす。

ｐは、０または１を表わす。〕 本発明にかかわる一般式〔■〕で示される化合物におい
て、Ｘ、Ｚ、およびＲ１ないしＲ３ｇを構成する原子お
よび基の代表例として、ハロゲン原子としては、塩素原
子、臭素原子、よう素原子、およびふっ素原子を、置換
基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、ｎ−
ブチル基、　ｔｅｒｔ−ブチル基。

ステアリル基、トリクロロメチル基５２−メトキシエチ
ル基などを、置換基を有してもよいアリール基としては
、フェニル基、クロロフェニル基、トルイル基、ナフチ
ル基、アントリル基、ジメチルアミノフェニル基、ヒド
ロキシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基などを、置換基を有してもよいシクロア
ルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロブチル基
などを、置換基を有してもよいアシル基としては、アセ
チル基、トリフルオロアセチル基などを、置換基を有し
てもよいポリエーテル基としては、ジエチレングリコー
ルモノエチル基、トリエチレングリコールモツプチル基
などを、置換基を有してもよい複素環基としては、ピ１ ２ リジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニル基１
モルホリル基などを、また、置換基を有してもよいフタ
ルイミドメチル基としては、フタルイミドメチル基、ニ
トロフタルイミドメチル基、　ｔｅｒｔ−ブチルフタル
イミドメチル基、メトキシフタルイミドメチル基、ジク
ロロフタルイミドメチル基などをそれぞれあげることが
できるが、これらの基に限定されるものではない。

本発明において、一般式（１）で示される化合物は１例
えば、以下の方法により製造することができる。

すなわち、下記一般式（ｎ）で示されるイソインドレニ
ン化合物と各種金属塩とから、あるいは、カルボン酸無
水物類、イミド類、またはニトリル類を出発原料として
常法により、一般式（Ｉ［ｌ）で示されるフタロシアニ
ン系化合物を製造する。

一般式（ｎ） Ｈ １ 〔式中　Ａｌ〜’　、Ｘ、に、ｌ、ｍ、ｎは、一般式〔
Ｉ〕における意味と同じ意味を表わす。〕一般般式ＩＩ
Ｉ） 〔式中、環Ａ■〜’　、　Ｍ、　Ｘ、　ｋ、　　ｌ、　
ｍ、　ｎおよびｐは、一般式〔■］における意味と同じ
意味を表わす。〕 次に、得られた一般式（ＩＩ）で示されるフタロシアニ
ン系化合物に２種々のりん化合物またはセレン化合物を
反応させることにより、一般式（Ｔ）で示されるフタロ
シアニン系化合物を製造することができる。

３ ４ 本発明において用いられる一般式ＣＩ）で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては１次ぎのフタロシ
アニン系化合物（ａ）〜（Ｓ）をあげることができる。

（以下余白） ５ Ｈ （ｄ） ７ （ｂ） １８− １９ ２　〇− ２ −２４− 本発明において用いられる基板としては、信号の書き込
みや読み出しを行なうための光の透過率が。

好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチル
ペンテンなど）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂。

アリル樹脂などの熱硬化樹脂からなる基板があげられる
。これらの中で、成形のし・やすさ、案内溝・やアドレ
ス信号などの付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂から
なるものが好ましく、さらに光学特性・や機械的特性か
らアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが
特に望ましい。

本発明において、これらの透明な基板の厚さは。

特に制限がなく、板状でもフィルム状でもよい。また、
その形状は９円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。

また、基板には１通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝・やアドレス信号や各種マ６ −クなどのプリフォーマット用の凹凸があるが、これら
の凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形（射出成形
、圧縮成形など）する際にスタンバ−などを用いて付与
することが、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法１．−イオンプレー
ト法およびＬＢ法（ラングミュアブロジェット法）など
の方法があるが、これらの方法は操作が燈雑であり、生
産性が低く、また、−能代（１）で示されるフタロシア
ニン系化合物は、従来の有機薄膜層を有する光学記録媒
体に用いられている有機色素に較べ、！常の有機溶媒に
対する溶解性がはるかに窩いので　スピンコーク−など
を用いる塗布法が最も有利である。塗布法によって記録
層である有機薄膜層を形成する場合には、フタロシアニ
ン系化合物をアルコール類、ケトン類、アミド類スルホ
キシド類、エーテル類、エステル類、脂肪族ハロゲン化
炭化水素類、芳香族炭化水素類など通常の有機溶媒に分
散または溶解して塗布する。このとき、必要に応じて、
高分子バインダーを加えてもよい。高分子バインダーと
しては、塩化ビニル系樹脂。

アクリル樹脂　ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹Ｂｕ、
　６酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹
脂などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合、
フタロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの比
率は１０重量に以下が好ましい。

また１本発明において、フタロシアニン系化合物に　他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すでに公知
の１例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。

ナノクロシアニン系錯体。スクアリウム系色素、ナフト
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは５００人〜２
μｍである。また、塗布した後、クロロホルム、テトラ
ヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらす
ことによって、有機薄膜層の吸７ ８ 収波長が長波長側にシフトし、半導体レーザーの発振波
長域の光に対する感度をいちじるしく向上させることが
できる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、　Ａｆｆｉ。

０３＋　Ｓ　ｒ　０２＋　Ｓ　ｓ　Ｏ，Ｓ　ｎ　Ｏなど
の無機化合物を茶着して保８Ｗ層としてもよい。また、
保護層として。

高分子を塗布してもよい。

また、記録層の反射レベルを高くするために、記録層の
上に、金、銀、銅、白金、アルミニウム５コバルト、ス
ズ等の金属、　Ｍ　ｇ　Ｏ、Ｚ　ｎ　Ｏ、Ｓ　ｎ　Ｏ２
等の金属酸化物、ＳｉＮ４．ＡＩＮ、ＴｉＮ等の窒化物
、および、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓなどを含むカルコゲン化合物
等の反射膜を設けてもよい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は基板上に
設けた記録層に１ｐｍ程度に集束したレーザー光、好ま
しくは半導体レーザー光を照射することにより行なわれ
る。記録層のレーザー光の照射された部分は、レーザー
エネルギーの吸収による分解。

蒸発、溶融などの熱的な状態変化が生じる。再生は。

熱的な変化を生じた部分と生じていない部分との反射率
の差を読み取ることによって行なわれる。−能代（１）
で示されるフタロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜
層を有する光学記録媒体に用いられている有機色素に較
べ、記録前後の反射率の差がきわめて大きいので、きわ
めて有利である。

また、レーザーとしてはＨｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレー
ザー、半導体レーザーなどの各種レーザーを用いること
ができるが９価格、大きさの点で半導体レーザーが特に
好ましい。半導体レーザーとしては。

中心波長８３０ｎｍ、　　７８０ｎｍおよびそれより短
波長のレーザーを使用することができる。

（実　施　例） つぎに１本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
が５本発明は、以下の実施例に限定されるものではない
。なお１例中１部とは重量部を表わす。

製　造　例　１：フタロシアニン系化合物（ａ）。

（ｆ）、（＋）、（ｋ）、（１）。

（ｐ）、（ｑ）、（ｓ）、（ｔ） の製造 キノリン５０部に式［Ａ］ ０ ９ であるイソインドレニン７．８部および四塩化けい素５
．０部を加え、１８０〜２００°Ｃで３時間加熱撹拌し
た後、冷却し、メタノール５００部で希釈し、ろ過し、
メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥
して、ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合物
６．０部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合
物５．０　部、クロロジフェニルホスフィン５０部、ト
リーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１
０’Ｃで２時間加熱撹拌した後、冷却しメタノール１０
００部で希釈し、ろ過し、ろ液を得得られたろ液からメ
タノールを減圧上加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５００部に
加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し１８０°Ｃで乾燥
して、フタロシアニン系化合物（ａ）２．２部を得た。

フタロシアニン系化合物（ａ）、　　（ｆ）、　　（ｉ
）（ｋ）、　　（１）、　　（ｐ）、　　（ｑ）、　　
（ｓ）、　　（ｔ）は、フタロシアニン系化合物（ａ）
の製造法に準じた方法により得た。

製　造　例　２：フタロシアニン系化合物（ｂ）〜（ｄ
）、（ｊ）、（ｏ）、（ｒ） の製造 ５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃで３時間加熱撹拌
した後、冷却し５メタノ一ル５００部で希釈し、ろ過し
、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾
燥して、ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合
物５．５部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合
物５．０部、ジ（パラニトロフェニル）クロロホスフェ
ート５０部、トリー〇−ブチルアミン５０部、ピリジン
３００部を１１０°Ｃで２時間加熱撹拌した後、冷却し
、メタノール１０００部で希釈しろ過し、ろ液を得、得
られたろ液からメタノールを減圧上加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５０１ ２ ０部に加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０°Ｃ
で乾燥して、フタロシアニン系化合物（ｂ）２．５部を
得た。

フタロシアニン系化合物（ｃ）、　　（ｄ）、　　Ｎ）
。

（ｏ）、　　（ｒ）は、フタロシアニン系化合物（ｂ）
の製造法に準じた方法により得た。

製　造　例　３：フタロシアニン系化合物（ｅ）の製造 ピリジン３００部を１１０°Ｃで２時間加熱撹拌した後
、冷却し、メタノール１０００部で希釈し、ろ過し、ろ
液を得、得られたろ液からメタノールを減圧上加熱留去
させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５００部に
加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０°Ｃで乾燥
して、フタロシアニン系化合、物（−ｅ）２．８部を得
た。

製　造　例　４；フタロシアニン系化合物（ｇ）。

（ｈ）、（ｍ）、（ｎ）の製造 であるイソインドレニン７．８部および四塩化けい素５
．０部を加え、１８０〜２００°Ｃで３時間加熱撹拌し
た後、冷却し、メタノール５００部で希釈し、ろ過し、
メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥
して、ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合物
５．５部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合
物５．０部、ビス（ジエチルアミノ）ホスホリルクロリ
ド５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０部。

５．０部を加え、１８０〜２２０°Ｃで３時間加熱撹拌
した後、冷却し、メタノール５００部で希釈し、ろ過し
、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾
燥して、ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン系化合
物５．８部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンナフタロシアニン３ ４− 系化合物５．０部、ベンゼンセレネニルクロリド５０部
、トリー〇−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を
１１０°Ｃで２時間加熱撹拌した後、冷却し。

メタノール１０００部で希釈し、ろ過し、ろ液を得。

得られたろ液からメタノールを減圧下加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５００部に
加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０℃で乾燥し
て、フタロシアニン系化合物（ｇ）２．７部を得た。

フタロシアニン系化合物（ｈ）、（ｍ）、（ｎ）。

は、フタロシアニン系化合物（ｇ）の製造法に準じた方
法により得た。

実施例１ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ｅ）３．
０部とクロロホルム９７．０部とからなる溶液を滴下し
た後、１２０Ｏｒｐｍの速度で２０秒間回転させ。

８０°Ｃで２０分間乾燥させて光学記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ７８０人最大吸
収波長が７４５部ｍ、波長７８０ｎｍの光に対する反射
率が４１％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを１８０Ｏｒｐｍで回転させながら、１
．０μｍに集束した８３０ｎｈ＋のレーザー光を５ｍＷ
、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。

記録後の光学記録媒体の表面を走査型電子顕微鏡で観察
したところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、
得られた光学記録媒体に７８０部ｍ、　０．４ｍＷのレ
ーザー光を照射し５反射光の検出を行なったところ、Ｃ
／Ｎ比が４２ｄＢであった。

実施例２ ポリカーボネート樹脂製基板上に、フタロシアニン系化
合物（ｇ）２．５部とメチルセロソルブ９７．５部とか
らなる溶液を滴下した後、８００ｒｐｍの速度で３０秒
間回転させ、減圧下８０°Ｃで１５分間乾燥させて光学
記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ８５０人。

最大吸収波長が７５０部ｍ、波長７８０ｎｍの光に対す
る反射率が４２％であった。

また、得られた光学記録媒体に、実施例１と同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なビット形成
が認められ、また、Ｃ／Ｎ比は４０ｄＢで５ ６− あった・ 実施例３〜１１ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ｆ）（ｈ
）、（ｉ）、（Ｎ、（ｋ）、（ｏ）、（ｐ）。

（ｒ）、（ｓ）を、実施例１と同様にして塗布し。

乾燥させて光学記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長７８０ｎｍの光に対する反射率、および得られた光学
記録媒体に実施例１と同様な記録再生を行なったときの
Ｃ／Ｎ比を表１に示す。

Ｃ以下、余白） 表１ ３　　　　　　ｆ　　　　　７４０　　　　　４０　　
　　　　　４０４　　　　　　ｈ　　　　　７４８　　
　　　４６　　　　　　　４５５　　　　　　ｉ　　　
　　７５２　　　　　４５　　　　　　　４８６　　　
　　ｊ　　　　　７５５　　　　　４２　　　　　　４
０７　　　　　ｋ、７９０　　　　　５０　　　　　　
５５８　　　　　　ｏ　　　　　７７５　　　　　４６
　　　　　　　５０９　　　　　ｐ　　　　　？７０　
　　　　４８　　　　　　５２１０　　　　　ｒ　　　
　　７６５　　　　　４５　　　　　　５０１１　　　
　　ｓ　　　　　７５０　　　　　４５　　　　　　４
８〔発明の効果〕 本発明の光学記録媒体に用いられるフタロシアニン系化
合物は、前記のような通常の有ｍ溶媒への溶解性がきわ
めて高いので、これらの有機溶媒に溶解させて、生産性
や作業性のよい塗布法により基板上に有機薄膜層として
設けることができ９本発明の光学記録媒体は、レーザー
光線による記録前後の反射率の差がきわめて大きいため
感度が高く、高感度の記録再生が可能であり、また、化
学的、物理的にも３７ ３８ 安定でである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシ
   アニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有機薄
   膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、環Ａ＾１〜Ａ＾４は、それぞれ独立に、▲数式
   、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ を表わす。 Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表
   わす。 Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
   換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
   アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
   を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
   ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾１、−Ｓ
   Ｒ＾２、−ＣＯＯＲ＾３、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ −ＮＨＣＯＲ＾１＾２、−Ｎ＝ＮＲ＾１＾３、または−
   Ｎ＝ＣＨＲ＾１＾４を表わす。 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ
   ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０およびＲ＾１＾１は、互いに
   同一であっても異なっていてもよく、水素原子、置換基
   を有していてもよいアルキル基、置換基を有していても
   よいアリール基、置換基を有していてもよいアシル基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキル基、または置
   換基を有していてもよいポリエーテル基を表わし、また
   は、Ｒ＾６とＲ＾７とで、Ｒ＾８とＲ＾９とで、あるい
   はＲ＾１＾０とＲ＾１＾１とで、４〜７員環を形成して
   いてもよく、これらの４〜７員環は、さらにちっ素原子
   、酸素原子、いおう原子を含む複素環であってもよい。 Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３およびＲ＾１＾４は、互いに同
   一であっても異なっていてもよく、買換基を有してもよ
   いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
   、または置換基を有してもよいアリール基を表わす。 Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または−Ｏ−Ｓｅ−
   Ｒ＾２＾３を表わす。 Ｚは、水素、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有しても
   よいアルキル基、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ または−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ＾３＾２を表わす。 Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾２＾１、Ｒ＾２＾２、Ｒ
   ＾２＾３、Ｒ＾２＾４、Ｒ＾２＾５、Ｒ＾２＾６、Ｒ＾
   ２＾７およびＲ＾３＾２は、互いに同一であっても異な
   っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、置
   換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい
   アシル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置
   換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよ
   いアリロキシ基、置換基を有してもよいポリエーテル基
   、水酸基、またはハロゲン原子を表わす。 Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、Ｒ＾２＾０、Ｒ
   ＾２＾８、Ｒ＾２＾９、Ｒ＾３＾０およびＲ＾３＾１は
   、互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を
   有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリー
   ル基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有して
   もよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
   キシ基、置換基を有してもよいアリロキシ基、置換基を
   有してもよいポリエーテル基、水酸基、ハロゲン原子、
   または水素原子を表わす。 Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅを表わす。 ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜８の整数を表わ
   す。 ｐは、０または１を表わす。〕