JPS5916153A - 記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
記録媒体及びその製造方法Info
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- JPS5916153A JPS5916153A JP57124578A JP12457882A JPS5916153A JP S5916153 A JPS5916153 A JP S5916153A JP 57124578 A JP57124578 A JP 57124578A JP 12457882 A JP12457882 A JP 12457882A JP S5916153 A JPS5916153 A JP S5916153A
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- JP
- Japan
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- group
- derivatives
- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B2007/24612—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes two or more dyes in one layer
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学記録媒体、更に詳細には本発明は近赤外域
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
近年半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おり、各種記録装置の光源として用いられ始めている。
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おり、各種記録装置の光源として用いられ始めている。
限定されている。短波長光の発振が可能な半導体レーザ
ーは室温発振での寿命、出力等に問題があるからである
。
ーは室温発振での寿命、出力等に問題があるからである
。
従って、半導体レーザーを光源とする記録装置では、近
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であり比較的短板長
側に吸収を持つ記録媒体、例えば６００ ｎｍ以下に吸
収を持つもの、では不適当である。
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であり比較的短板長
側に吸収を持つ記録媒体、例えば６００ ｎｍ以下に吸
収を持つもの、では不適当である。
従来この種の記録媒体としては、Ｔｅ、Ｒｈ。
Ｂｉ 等の金属又は半金属が知られていた。これらの薄
膜にレーザー光を照射し、照射部分に凹部を形成し記録
するものである。このうち’ｒｅは感度の点で比較的優
れているが毒性に欠点があるとぎわれでいる。Ｒｈ、Ｂ
ｉ 等は感度が低く、記録するには高いパワーのレー
ザー光を必要とする為、半導体レーザーが短寿命化する
欠点かある。
膜にレーザー光を照射し、照射部分に凹部を形成し記録
するものである。このうち’ｒｅは感度の点で比較的優
れているが毒性に欠点があるとぎわれでいる。Ｒｈ、Ｂ
ｉ 等は感度が低く、記録するには高いパワーのレー
ザー光を必要とする為、半導体レーザーが短寿命化する
欠点かある。
感度が高く低いパワーのレーザー光で記録可能であり且
つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレセ
イン、フリリアントグリーン又は、特開昭５５−１６１
６９０に示されるディスバーズ・レッドｌｉ等の色素薄
膜が知られている。しかし、これらは書き込み可能な波
長域が可視光域に限定されている点等の欠点がある。
つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレセ
イン、フリリアントグリーン又は、特開昭５５−１６１
６９０に示されるディスバーズ・レッドｌｉ等の色素薄
膜が知られている。しかし、これらは書き込み可能な波
長域が可視光域に限定されている点等の欠点がある。
であり、毒性が無く、且つ耐久性のある記録媒体の出現
が待ち望まれていた。
が待ち望まれていた。
本発明は前記現状に鑑みてなされたもので、その目的は
近赤外域の光に対し高感度であり、毒性が無く、且つ耐
久性のある新規な記録媒体とその製法とを提供すること
にある。
近赤外域の光に対し高感度であり、毒性が無く、且つ耐
久性のある新規な記録媒体とその製法とを提供すること
にある。
そこで本発明者らは鋭意努力した結果、このような記録
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
即ち、本発明は、基板上に記録層を設け、情報をレーザ
ー光線により記録し、かつ読取る記録媒体において該記
録層を第■族金属を含有するフタロシアニン化合物並び
にベンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジル
ケトン誘導体、ジフェニル誘導体、およびいずれか１つ
の置換基がニトロ基、シアノ基、アセチル基又はアルデ
ヒド基であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセ
ナフテン誘で 導体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた１
種又は２種以上のシフト化剤とから成る有機薄膜で構成
したことを特徴とする光学記録媒体に関するものであり
、更にその製法、即ち光学記録媒体の記録層を調製する
に当り、基板上に設けた第■族金属を含有するフタロシ
アニン化合物を有する有機＊＠を、溶媒中に溶かしたベ
ンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケト
ン誘導体、ジフェニル誘導体、およびいずれか１つの置
換で 基がニトロ基、シアノ基、ア寧チル基又はアルデヒド基
であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテ
ン誘導体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれ
た１種又は２種以上のシフト化剤と接触させることを特
徴とする光学記録媒体の製造方法に関する。
ー光線により記録し、かつ読取る記録媒体において該記
録層を第■族金属を含有するフタロシアニン化合物並び
にベンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジル
ケトン誘導体、ジフェニル誘導体、およびいずれか１つ
の置換基がニトロ基、シアノ基、アセチル基又はアルデ
ヒド基であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセ
ナフテン誘で 導体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた１
種又は２種以上のシフト化剤とから成る有機薄膜で構成
したことを特徴とする光学記録媒体に関するものであり
、更にその製法、即ち光学記録媒体の記録層を調製する
に当り、基板上に設けた第■族金属を含有するフタロシ
アニン化合物を有する有機＊＠を、溶媒中に溶かしたベ
ンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケト
ン誘導体、ジフェニル誘導体、およびいずれか１つの置
換で 基がニトロ基、シアノ基、ア寧チル基又はアルデヒド基
であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテ
ン誘導体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれ
た１種又は２種以上のシフト化剤と接触させることを特
徴とする光学記録媒体の製造方法に関する。
以下、本発明について詳述する。
本発明の第■族金属とはＴｉ、Ｓｎ および／または
Ｐｂ でありこれを含有するフタロシアニン化合物とは
チタニウム・フタロシアニン（ＴｉＰｃ）、モノクロル
チタニウム・フタロシアニン（ＴｉｃｅＰｃ ） 、ベ
ンゼン環の一つをクロル化したモノクロルチタニウム・
フタロシアニン・モノクロライド（ＴｉｃｅＰｃＣｄ）
、スズフタロシアニン（Ｓｎ Ｐｃ） 、モノクロル
スズψフタロシアニン（５ｎＣ５Ｐｃ ） 、ベンゼン
環の一つをクロル化したモノクロルスズ・フタロシアニ
ン・モノクロライド（ＳｎＣｅＰｃＣｇ） 、ナマリ・
フタロシアニン（ＰｂＰｃ）、モノクロルナマリ・フタ
ロシアニン（ＰｂＣ５Ｐｃ ）ベンゼン環の一つをクロ
ル化したモノクロルナマリ・フタロシアニン・モノクロ
ライド（ＰｂＣ５ＰｃＣ＠等のことである。
Ｐｂ でありこれを含有するフタロシアニン化合物とは
チタニウム・フタロシアニン（ＴｉＰｃ）、モノクロル
チタニウム・フタロシアニン（ＴｉｃｅＰｃ ） 、ベ
ンゼン環の一つをクロル化したモノクロルチタニウム・
フタロシアニン・モノクロライド（ＴｉｃｅＰｃＣｄ）
、スズフタロシアニン（Ｓｎ Ｐｃ） 、モノクロル
スズψフタロシアニン（５ｎＣ５Ｐｃ ） 、ベンゼン
環の一つをクロル化したモノクロルスズ・フタロシアニ
ン・モノクロライド（ＳｎＣｅＰｃＣｇ） 、ナマリ・
フタロシアニン（ＰｂＰｃ）、モノクロルナマリ・フタ
ロシアニン（ＰｂＣ５Ｐｃ ）ベンゼン環の一つをクロ
ル化したモノクロルナマリ・フタロシアニン・モノクロ
ライド（ＰｂＣ５ＰｃＣ＠等のことである。
本発明において使用されるシフト化剤とは特定のベンゼ
ン誘導体、ペンシフ１ノン誘導体、ベンジル誘導体、ジ
ベンジルケトン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテ
ン誘導体、アセナフチレン誘導体およびジフェニル誘導
体より選ばれ、１種または２種以上が組合せ式で表わさ
れる化合物である。
ン誘導体、ペンシフ１ノン誘導体、ベンジル誘導体、ジ
ベンジルケトン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテ
ン誘導体、アセナフチレン誘導体およびジフェニル誘導
体より選ばれ、１種または２種以上が組合せ式で表わさ
れる化合物である。
４
（ここで、Ｋ１−Ｒ６は少くともいずれか１つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外か水素原子、炭素原子数１−１０のアルキル基
、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シ
アノ基ζ−アセチル基またはアルデヒド基であるものと
する。） 八 （ここで、側鎖エステル基中のｎは１〜１０、ｍは８〜
２０の整数であり、Ｒ１−に、は水素原子、炭素原子数
１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
水酸基、ニトロ基、シアン基、アセチル基またはカルボ
キシル基であるものとする。）該ペンゾフヱノン誘導体
とは一般式（３）式で表わされる化合物である。
基、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外か水素原子、炭素原子数１−１０のアルキル基
、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シ
アノ基ζ−アセチル基またはアルデヒド基であるものと
する。） 八 （ここで、側鎖エステル基中のｎは１〜１０、ｍは８〜
２０の整数であり、Ｒ１−に、は水素原子、炭素原子数
１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
水酸基、ニトロ基、シアン基、アセチル基またはカルボ
キシル基であるものとする。）該ペンゾフヱノン誘導体
とは一般式（３）式で表わされる化合物である。
（ここで、Ｒ１−、Ｒ，ｏは水素原子、炭素原子数１−
１Ｏのアルキル基、炭素原子数ｌ〜ｌＯのアルコキシ基
、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチ
ル基、アルデヒド基、カルボキシル基又バ ーＣＯＣｎ）（ｍで表わされ且っｎが１−ＩＱ、ｍ１ が３〜２０の整数であるエステル基であるものとする。
１Ｏのアルキル基、炭素原子数ｌ〜ｌＯのアルコキシ基
、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチ
ル基、アルデヒド基、カルボキシル基又バ ーＣＯＣｎ）（ｍで表わされ且っｎが１−ＩＱ、ｍ１ が３〜２０の整数であるエステル基であるものとする。
）
該ベンジル誘導体とは一般式（４）式で表ゎされる化合
物である。
物である。
（ここで、”１〜ｋｌｏは水素原子、炭素原子数１−１
０のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基
、ニトロ基、アミン基、シアノ基、アセチル基、カルボ
キシル基、又は−ＣＯＣｎＨｍで表わされ、且っｎが１ １−１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） 該ジベンジルケトン誘導体とは一般式（５）式で表わさ
れる化合物である。
０のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基
、ニトロ基、アミン基、シアノ基、アセチル基、カルボ
キシル基、又は−ＣＯＣｎＨｍで表わされ、且っｎが１ １−１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） 該ジベンジルケトン誘導体とは一般式（５）式で表わさ
れる化合物である。
（ここでに１〜Ｒ１ｏは水素原子、炭素原子数１−１０
のアルキル基、炭素原子数１〜ｌＯのアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、シアン基、
アセチル基、カルボキシル基、又は−ＣＯＣｎＨｍで表
わされ且つｎが１−１０．ｍが８〜２０の整数のエステ
ル基であるものとする。）該ナフタリン誘導体とは一般
式（６）式で表わされる化合物である。
のアルキル基、炭素原子数１〜ｌＯのアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、シアン基、
アセチル基、カルボキシル基、又は−ＣＯＣｎＨｍで表
わされ且つｎが１−１０．ｍが８〜２０の整数のエステ
ル基であるものとする。）該ナフタリン誘導体とは一般
式（６）式で表わされる化合物である。
（ここに、Ｒ，−Ｒ８は少くともいずれか１つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基、またはアルデヒド基であり
、それ以外が水素原子、炭素原子数１−１０のアルキル
基、炭素原子数１ＮｌＯのアルコキシ基、ハロゲン原子
、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アルデヒ
ド基又は−ＣＯＣｎ）１ｍで１ 表わされ且つｎが１−１０．ｍが３〜２０の整数のエス
テル基であるものとする。）該アセナフテン誘導体とは
一般式（７）式で表わされる化合物である。
基、シアノ基、アセチル基、またはアルデヒド基であり
、それ以外が水素原子、炭素原子数１−１０のアルキル
基、炭素原子数１ＮｌＯのアルコキシ基、ハロゲン原子
、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アルデヒ
ド基又は−ＣＯＣｎ）１ｍで１ 表わされ且つｎが１−１０．ｍが３〜２０の整数のエス
テル基であるものとする。）該アセナフテン誘導体とは
一般式（７）式で表わされる化合物である。
Ｒ，Ｒ６
（ここに、ｋ１〜Ｒ６は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−ＣＯＣｎＨｍ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数であ
るエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子数
１−１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキ
シ基、ハロゲン１叡子、水酸基、ニトロ基、シアノ基で
あるものとする。） 該アセナフチレン誘導体とは一般式（８）式で表わされ
る化合物である。
基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−ＣＯＣｎＨｍ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数であ
るエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子数
１−１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキ
シ基、ハロゲン１叡子、水酸基、ニトロ基、シアノ基で
あるものとする。） 該アセナフチレン誘導体とは一般式（８）式で表わされ
る化合物である。
（ここに、”ｌ〜Ｒ８は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−ＣＯＣｎ）ｋｎ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数であ
るエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子数
１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキ
シ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ア
セチル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−ｃｍ
Ｃｎ Ｈｍで表わされ且つｎが１ １−１０、ｍが３〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） 該ジフヱニル誘導体とは一般式（９）式で表わされる化
合物である。
基、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−ＣＯＣｎ）ｋｎ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数であ
るエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子数
１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキ
シ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ア
セチル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−ｃｍ
Ｃｎ Ｈｍで表わされ且つｎが１ １−１０、ｍが３〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） 該ジフヱニル誘導体とは一般式（９）式で表わされる化
合物である。
（ここに、技、〜’１０は少なくともいずれカーラがニ
トロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カルボ
キシル基又は−ＣＯＣｎＨｍ１ で表わされ且つｎが１−１０、Ｉｎか３〜２０の整数で
あるエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子
数１−１０のアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコ
キシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアン基、
アセチル基、カルボキシル基又は −ＣＯＣｎＨｍて表わされ且つｎが１−１ｏ。
トロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カルボ
キシル基又は−ＣＯＣｎＨｍ１ で表わされ且つｎが１−１０、Ｉｎか３〜２０の整数で
あるエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子
数１−１０のアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコ
キシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアン基、
アセチル基、カルボキシル基又は −ＣＯＣｎＨｍて表わされ且つｎが１−１ｏ。
１
ｍが３〜２０のエステル基であるものとする。）
尚、本発明のシフト化剤とは第■族金属フタロシアニン
と接触することによりその吸収波長を長波長側ヘシフト
させる化合物である。
と接触することによりその吸収波長を長波長側ヘシフト
させる化合物である。
それらシフト化剤の上記化合物の具体例としては、安息
香酸、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロ
ピル、安息香酸ブチル、安息香酸フェニル、Ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチル、Ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸エチル、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸プロ
ピル、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸ブチル、Ｐ−ヒドロキシ
安息香酸フェニル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒド
ロキシ安息香酸メチル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸エチル
、ｍ−ヒドロキシ安息香酸プロピル、ｍ−ヒドロキシ安
息香酸ブチル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸フェニル、サリ
チル酸、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サリチ
ル酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸フェニル
、フヱニル酢酸、フェニル酢酸エチル、フェニル酢酸エ
チル、フェニル酢酸フロビル、フェニル酢酸ブチル、フ
ェニル酢酸フェニル、ニトロベンゼン、Ｐ−ジニトロベ
ンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、０−ジニトロベンゼン
、ベンズアルデヒド、ベンゾニトリル、Ｐ−フタロニト
リル、ｍ−フタロニトリル、０−フタロニトリル、テレ
フタル酸、テレフタル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチ
ル、テレフタル酸ジプロピル、テレフタル酸ジブチル、
テレフタル酸ジフェニル、Ｐ−メチル安息香酸、Ｐ−メ
チル安息杏酸メチル、Ｐ−メチル安息香酸エチル、Ｐ−
メチル安息香酸プロピル、Ｐ−メチル安息香酸ブチル、
Ｐ−メチル安息香酸フェニル、ｍ−メチル安息香酸、ｍ
−メチル安息香酸メチル、ｍ−メチル安息香酸エチル、
ｍ−メチル安息香酸プロピル、ｍ−メチル安息香酸ブチ
ル、ｍ−メチル安息香酸フェニル、０−メチル安息香酸
、０−メチル安息香酸メチル、０−メチル安息香酸エチ
ル、０−メチル安息香酸プロピル、Ｏ−メチル安息香酸
ブチル、０−メチル安息香酸フェニル、アセトフェノン
、Ｐ−メチルアセトフェノン、ｍ−メチルアセトフェノ
ン、０−メチルアセトフェノン、Ｐ−エチルアセトフェ
ノン、ｍ−エチルアセトフェノン、０−エチルアセトフ
ェノン、Ｐ−プロピルアセトフェノン、ｍ−プロビルア
セトフェノン、０−プロピルアセトフェノン、Ｐ−ブチ
ルアセトフェノン、ｍ −ブチルアセトフェノン、０−
ブチルアセトフェノン、Ｐ−フェニルアセトフェノン、
ｍ−フェニルアセトフェノン、０−フェニルアセトフェ
ノン、ベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４
−エチルベンゾフェノン、４−プロピルベンゾフェノン
、４−ブチルベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェ
ノン、２．２′−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−５−クロルベンゾフ
ェノン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、４ ＋
４ ’ ”’クロルベンゾフェノン、２−ヒドロキ
シ−４−メトキシベンゾフェノン、４−ドブシクロ−２
−ヒドロキシ−ベンゾフェノン、２−ヒ）’ワキシー４
−オクタデシロキシベンゾフェノン、２．２Ｉ−ジヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２．２’、４．
４’ −テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロ
キシ−４−メトキシ−５−スルフォベンゾフェノン、２
−ヒドロキシ−４−メトキシ−２′−カルボキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−クロロベンゾフェノン
、４−（ヒドロキシ）ベンジルベンゾニトリル、ジフェ
ニル、０−ヒドロキシジフェニル、４−ニトロジフェニ
ル、４−シアノジフェニル、Ｐ−キュミルフェノール、
フェノール、２．５−ジメチルキシレノール、５−ニト
ロアセナフテン、５−シアノアセナフテン、５−アセチ
ルアセナフテン、５−ニトロアセナフチレン、５−シア
ノアセナフチレン、５−アセチルアセナフチレン、２−
二トロナフタリン、２−シアノナラ２−アセチルフェナ
ントレン、２−ニトロピレン、２−シアノピレン、２−
アセチルピレン、２−ニトロトリフェニレン、２−シア
ノトリフヱニレン、２−ア七チルトリフェニレン、ｌ−
ニトロフルオランセン、ｌ−シアノフルオランセン、ｌ
−アセチルフルオランセン、■−ニトロベンズアントラ
セン、■−シアノベンズアントラセン、ｌ−アセトベン
ズアントラセン、ペンシル、４−メチルペンシル、４−
ヒドロキシベンジル、４−ニトロベンジル、４−シアノ
ベンジル、４−アセチルベンジル、ジベンジルケトン、
４．４’−（ジメチル）ジベンジルケトン等が挙げられ
る。
香酸、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロ
ピル、安息香酸ブチル、安息香酸フェニル、Ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチル、Ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸エチル、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸プロ
ピル、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸ブチル、Ｐ−ヒドロキシ
安息香酸フェニル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒド
ロキシ安息香酸メチル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸エチル
、ｍ−ヒドロキシ安息香酸プロピル、ｍ−ヒドロキシ安
息香酸ブチル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸フェニル、サリ
チル酸、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サリチ
ル酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸フェニル
、フヱニル酢酸、フェニル酢酸エチル、フェニル酢酸エ
チル、フェニル酢酸フロビル、フェニル酢酸ブチル、フ
ェニル酢酸フェニル、ニトロベンゼン、Ｐ−ジニトロベ
ンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、０−ジニトロベンゼン
、ベンズアルデヒド、ベンゾニトリル、Ｐ−フタロニト
リル、ｍ−フタロニトリル、０−フタロニトリル、テレ
フタル酸、テレフタル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチ
ル、テレフタル酸ジプロピル、テレフタル酸ジブチル、
テレフタル酸ジフェニル、Ｐ−メチル安息香酸、Ｐ−メ
チル安息杏酸メチル、Ｐ−メチル安息香酸エチル、Ｐ−
メチル安息香酸プロピル、Ｐ−メチル安息香酸ブチル、
Ｐ−メチル安息香酸フェニル、ｍ−メチル安息香酸、ｍ
−メチル安息香酸メチル、ｍ−メチル安息香酸エチル、
ｍ−メチル安息香酸プロピル、ｍ−メチル安息香酸ブチ
ル、ｍ−メチル安息香酸フェニル、０−メチル安息香酸
、０−メチル安息香酸メチル、０−メチル安息香酸エチ
ル、０−メチル安息香酸プロピル、Ｏ−メチル安息香酸
ブチル、０−メチル安息香酸フェニル、アセトフェノン
、Ｐ−メチルアセトフェノン、ｍ−メチルアセトフェノ
ン、０−メチルアセトフェノン、Ｐ−エチルアセトフェ
ノン、ｍ−エチルアセトフェノン、０−エチルアセトフ
ェノン、Ｐ−プロピルアセトフェノン、ｍ−プロビルア
セトフェノン、０−プロピルアセトフェノン、Ｐ−ブチ
ルアセトフェノン、ｍ −ブチルアセトフェノン、０−
ブチルアセトフェノン、Ｐ−フェニルアセトフェノン、
ｍ−フェニルアセトフェノン、０−フェニルアセトフェ
ノン、ベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４
−エチルベンゾフェノン、４−プロピルベンゾフェノン
、４−ブチルベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェ
ノン、２．２′−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−５−クロルベンゾフ
ェノン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、４ ＋
４ ’ ”’クロルベンゾフェノン、２−ヒドロキ
シ−４−メトキシベンゾフェノン、４−ドブシクロ−２
−ヒドロキシ−ベンゾフェノン、２−ヒ）’ワキシー４
−オクタデシロキシベンゾフェノン、２．２Ｉ−ジヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２．２’、４．
４’ −テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロ
キシ−４−メトキシ−５−スルフォベンゾフェノン、２
−ヒドロキシ−４−メトキシ−２′−カルボキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−クロロベンゾフェノン
、４−（ヒドロキシ）ベンジルベンゾニトリル、ジフェ
ニル、０−ヒドロキシジフェニル、４−ニトロジフェニ
ル、４−シアノジフェニル、Ｐ−キュミルフェノール、
フェノール、２．５−ジメチルキシレノール、５−ニト
ロアセナフテン、５−シアノアセナフテン、５−アセチ
ルアセナフテン、５−ニトロアセナフチレン、５−シア
ノアセナフチレン、５−アセチルアセナフチレン、２−
二トロナフタリン、２−シアノナラ２−アセチルフェナ
ントレン、２−ニトロピレン、２−シアノピレン、２−
アセチルピレン、２−ニトロトリフェニレン、２−シア
ノトリフヱニレン、２−ア七チルトリフェニレン、ｌ−
ニトロフルオランセン、ｌ−シアノフルオランセン、ｌ
−アセチルフルオランセン、■−ニトロベンズアントラ
セン、■−シアノベンズアントラセン、ｌ−アセトベン
ズアントラセン、ペンシル、４−メチルペンシル、４−
ヒドロキシベンジル、４−ニトロベンジル、４−シアノ
ベンジル、４−アセチルベンジル、ジベンジルケトン、
４．４’−（ジメチル）ジベンジルケトン等が挙げられ
る。
本発明の基板はポリメタクリレート、ポリカーボネート
、ポリエステルフィルム、テフロン等のプラスチック類
、ガラス又は金■等より成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けることができる。この金属反射を
考慮すればＡｅ製薄膜が好ましい。
、ポリエステルフィルム、テフロン等のプラスチック類
、ガラス又は金■等より成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けることができる。この金属反射を
考慮すればＡｅ製薄膜が好ましい。
本発明において基板上に第■族金属を含有するフタロシ
アニン化合物から成る有機薄膜を設ける方法としては真
空＃、着法やスピンコード法が採用される。前者の場合
１０″〜１〇−トル（ｔｏｒｒ ）の高興空下でフタロ
シアニ、ン化合物を４００〜５００℃に加熱することに
より得られ、後者の場合、フタロシアニン化合物をピリ
ジン、ジメチルホルムアミド等の溶媒に溶したものを用
いることによりスピンコーターの回転数を３，０００〜
７，０００ ｒ Ｐｍにして得られる。両者には一長一
短があり簡便さの点からは後者が優れているか得られた
被膜の吸光度の点からは前者の方が優れ、答易１こより
大きい吸光度を持つものが得られる。
アニン化合物から成る有機薄膜を設ける方法としては真
空＃、着法やスピンコード法が採用される。前者の場合
１０″〜１〇−トル（ｔｏｒｒ ）の高興空下でフタロ
シアニ、ン化合物を４００〜５００℃に加熱することに
より得られ、後者の場合、フタロシアニン化合物をピリ
ジン、ジメチルホルムアミド等の溶媒に溶したものを用
いることによりスピンコーターの回転数を３，０００〜
７，０００ ｒ Ｐｍにして得られる。両者には一長一
短があり簡便さの点からは後者が優れているか得られた
被膜の吸光度の点からは前者の方が優れ、答易１こより
大きい吸光度を持つものが得られる。
本発明の光学記録媒体の記録１−を調製するに当り、基
板−Ｌに設けた第■族金属を含有するフタロシアニン化
合物を有する有機薄膜を前記シフト化剤と接触させる方
法としては次の方法がある。その一つの方法はシフト化
剤をその可溶性溶媒に均一に溶解させ、その溶液に基板
上に設けた前記有機薄膜を浸漬（ディンピング）する方
法である。他の方法にはこの溶液を有機薄膜上に均一に
スプレーする方法がある。尚、シフト化剤のこの溶液中
のＭ度は０．８〜ａｏ、ｏｗｔ％好ましくは１．０〜ｉ
ｏ、 ｏ ｗ ｔ％である。
板−Ｌに設けた第■族金属を含有するフタロシアニン化
合物を有する有機薄膜を前記シフト化剤と接触させる方
法としては次の方法がある。その一つの方法はシフト化
剤をその可溶性溶媒に均一に溶解させ、その溶液に基板
上に設けた前記有機薄膜を浸漬（ディンピング）する方
法である。他の方法にはこの溶液を有機薄膜上に均一に
スプレーする方法がある。尚、シフト化剤のこの溶液中
のＭ度は０．８〜ａｏ、ｏｗｔ％好ましくは１．０〜ｉ
ｏ、 ｏ ｗ ｔ％である。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例１
チタニウム・フタロシアニン（−Ｉ’１Ｐｃ）を５Ｘ１
０−６１−ルの其空下で約４００〜５００°０に加熱し
、パイレックス（登録商標、以下略）基板上に真空蒸着
した。水晶振動式膜厚計で該真空蒸着薄膜の嗅厚を測定
すると１２０ＯＡであり、ｕｖ−ｖｌＳスペクトロメー
ター（島津ＵＶ２１ＯＡ）を用いて吸収曲線を求めると
、最大吸収波長は７２０℃ｍである事が判明した。
０−６１−ルの其空下で約４００〜５００°０に加熱し
、パイレックス（登録商標、以下略）基板上に真空蒸着
した。水晶振動式膜厚計で該真空蒸着薄膜の嗅厚を測定
すると１２０ＯＡであり、ｕｖ−ｖｌＳスペクトロメー
ター（島津ＵＶ２１ＯＡ）を用いて吸収曲線を求めると
、最大吸収波長は７２０℃ｍである事が判明した。
ヘプタン溶液に上記のチタニウムフタロシアニン薄膜を
ディッピングし十分乾燥した後、吸収曲線を観察すると
、最大吸収波長は７２０ ｎｍと変化していなかった。
ディッピングし十分乾燥した後、吸収曲線を観察すると
、最大吸収波長は７２０ ｎｍと変化していなかった。
次ニペンゾフェノン１車値％ヲ均一 ニ溶解したヘプタ
ン溶成ニ上記のチタニウムフタロシアニン鵠膜をディッ
ピングし風乾後、２００℃、２Ｈ乾燥した。ｕｖ−ｖｉ
ｓスペクトロメ←ターにより最大吸収波長を観察すると
、第１図の如（８２５℃ｍにシフトしていることが判明
した。
ン溶成ニ上記のチタニウムフタロシアニン鵠膜をディッ
ピングし風乾後、２００℃、２Ｈ乾燥した。ｕｖ−ｖｉ
ｓスペクトロメ←ターにより最大吸収波長を観察すると
、第１図の如（８２５℃ｍにシフトしていることが判明
した。
上記記録媒体に中心波長８３０ｎｍの半導体レーザー光
（日立製作新製ＨＬＰ１４００）を絞り、１μｍのスポ
ット径として照射した所、露光部の薄膜が昇華しピット
（穴）が生成していることをＳＥＭ観察により確認した
。半導体レーザー光に対する記録感磨は８０ ｍＪ／ｃ
ｄであった。
（日立製作新製ＨＬＰ１４００）を絞り、１μｍのスポ
ット径として照射した所、露光部の薄膜が昇華しピット
（穴）が生成していることをＳＥＭ観察により確認した
。半導体レーザー光に対する記録感磨は８０ ｍＪ／ｃ
ｄであった。
チタニウムフタロシアニンのＴＧ曲線
（理学電機製ＣＮ−８０８５）を観察すると第４図の如
く、約４００℃から昇華によると思われる減量が生じて
いた。
く、約４００℃から昇華によると思われる減量が生じて
いた。
実施例２
実施例１と同様にしてチタニウム・フタロシアニンをパ
イレックス基板上にｌ１００Ａ真空蒸着した。
イレックス基板上にｌ１００Ａ真空蒸着した。
これをベンゾニトリル溶液中に１秒間ディッピングする
。風乾後、１００℃、０．５１１熱風乾燥した後ＬＩＶ
−ＶＩＳスペクトロメーターで岐収曲線を観察すると、
最大吸収波長は８４０ ｎｍであった。
。風乾後、１００℃、０．５１１熱風乾燥した後ＬＩＶ
−ＶＩＳスペクトロメーターで岐収曲線を観察すると、
最大吸収波長は８４０ ｎｍであった。
」二記記録媒体に中心波長８８０ｎｍの半導体レーザー
光を照射した所、照光部の薄膜が昇華しピットが形成し
ていることを、光学顕微鏡で確認した。半導体レーザー
光に対する記録感度は７５ ｍＪ／ｃｄであった。
光を照射した所、照光部の薄膜が昇華しピットが形成し
ていることを、光学顕微鏡で確認した。半導体レーザー
光に対する記録感度は７５ ｍＪ／ｃｄであった。
実施例８
実施例１と同様にチタニウム・フタロシアニンをパイレ
ックス基板上にｌ８００Ａ真空蒸着した。
ックス基板上にｌ８００Ａ真空蒸着した。
これをテトラヒドロフラン溶液中に数秒間ディッピング
し、風乾後１００℃、０．５Ｈ熱風乾燥した。ＵＶ−Ｖ
ＩＳスペクトロメーターにより最大吸収波長を観察する
と７２００ｍであり、８８００ｍ付近には吸収ピークか
見られなかった。次にイソプロピル安息香酸３ｗｔ％を
均一に溶解させたテトラヒドロフラン溶液番こ上記のチ
タニウム・フタロシアニン薄膜をディッピングし風乾後
１００℃、０．５Ｈ熱風乾燥した。
し、風乾後１００℃、０．５Ｈ熱風乾燥した。ＵＶ−Ｖ
ＩＳスペクトロメーターにより最大吸収波長を観察する
と７２００ｍであり、８８００ｍ付近には吸収ピークか
見られなかった。次にイソプロピル安息香酸３ｗｔ％を
均一に溶解させたテトラヒドロフラン溶液番こ上記のチ
タニウム・フタロシアニン薄膜をディッピングし風乾後
１００℃、０．５Ｈ熱風乾燥した。
ＵＶ−Ｖ Ｉ Ｓ吸収スペクトルを観察すると、第２図
の如＜８２５℃ｍに吸収ピークが見られた。中心波長ｓ
ｓ ｏ ｎｍの半導体レーザー光を照射した所、露光
部の薄膜が昇華しピットが形成していることを光学顕微
鏡で確認した。半導体はレーザー光（こ対する記録感度
はｇｏｍ’Ｊ／Ｃｄであった。
の如＜８２５℃ｍに吸収ピークが見られた。中心波長ｓ
ｓ ｏ ｎｍの半導体レーザー光を照射した所、露光
部の薄膜が昇華しピットが形成していることを光学顕微
鏡で確認した。半導体はレーザー光（こ対する記録感度
はｇｏｍ’Ｊ／Ｃｄであった。
実施例４
ナマリフタロシアニン（ＰｂＰｃ）ヲ８Ｘ１０″ トル
の真空下で加熱し、ガラス基板上に真空蒸着した。水晶
振動式膜厚計で該真空蒸着薄膜の膜厚を測定すると１２
５０Ａであり、ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観察する
と、最大吸収波長は７２５１１ ｍであった。これをニ
トロベンゼン溶液中に短時間ディッピングし１５０℃、
２Ｈ乾燥後ｕｖ−ｖｉｓ吸収スペクトルを観察すると８
２０℃ｍに吸収ピークが新たに観察された。中心波長８
８００ｍの半導体レーザー光を照射したところ、露光部
の薄膜が昇華しピットが成形していることを光学顕微鏡
で確認した。半導体レーザー光に対する記録感度は９５
ｍ ｊ ／ｄであった。
の真空下で加熱し、ガラス基板上に真空蒸着した。水晶
振動式膜厚計で該真空蒸着薄膜の膜厚を測定すると１２
５０Ａであり、ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観察する
と、最大吸収波長は７２５１１ ｍであった。これをニ
トロベンゼン溶液中に短時間ディッピングし１５０℃、
２Ｈ乾燥後ｕｖ−ｖｉｓ吸収スペクトルを観察すると８
２０℃ｍに吸収ピークが新たに観察された。中心波長８
８００ｍの半導体レーザー光を照射したところ、露光部
の薄膜が昇華しピットが成形していることを光学顕微鏡
で確認した。半導体レーザー光に対する記録感度は９５
ｍ ｊ ／ｄであった。
ナマリ・フタロシアニンのＴＧ曲線（理学電機製ＣＮ−
８０８５）を測定すると、第４図の如く、約３５０℃付
近から昇華によるものと思われる減量が生じていた。
８０８５）を測定すると、第４図の如く、約３５０℃付
近から昇華によるものと思われる減量が生じていた。
実施例５
実施例１と同様にチタニウム・フタロシアニンをポリメ
チルメタクリレート基板上１８００Ａ真空蒸着した。次
にアセトナフトン３ｗｔ％を均一に溶解させたトリクロ
ルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロシアニン簿
膜を１秒間ディッピングし風乾後１００℃、Ｑ、 ５
Ｈ熱風乾燥した。ＵＶ−Ｖｔ５吸収スペクトルを測定す
ると第８図に示す如＜ｓａｏｎｍに最大吸収ピークが観
、察された。中心波長８８００ｍの半導体レーザー光を
照射したところ、露光部の薄膜が昇華しピットが形成し
ていることをＳＥＭで確認した。半導体レーザー光に対
する記録感度は６５ｍｊ７ｃｉであった。
チルメタクリレート基板上１８００Ａ真空蒸着した。次
にアセトナフトン３ｗｔ％を均一に溶解させたトリクロ
ルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロシアニン簿
膜を１秒間ディッピングし風乾後１００℃、Ｑ、 ５
Ｈ熱風乾燥した。ＵＶ−Ｖｔ５吸収スペクトルを測定す
ると第８図に示す如＜ｓａｏｎｍに最大吸収ピークが観
、察された。中心波長８８００ｍの半導体レーザー光を
照射したところ、露光部の薄膜が昇華しピットが形成し
ていることをＳＥＭで確認した。半導体レーザー光に対
する記録感度は６５ｍｊ７ｃｉであった。
実施例６
スズフタロシアニン（５ｎＰｃ ）を２ Ｘ ｌ Ｏ−
’トルの真空下で加熱し、ポリメタアクリレートの透明
基板上に真空蒸着した。水晶振動式膜厚計により測定し
たり厚は１８５０λであり、最大吸収波長は７２５℃ｍ
であった。これをトリクロルエチレン中に短時間ディッ
ピングし十分乾燥後ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観察
すると、最大吸収波長は７２５０ｍのままであり、長波
長側ヘシフトしていなかった。２−アセトナフトン２Ｗ
Ｌ％を溶解させたトリクロルエチレン溶液を上記のスズ
フタロシアニン薄膜１コ均−ｊこ吹き付け、風乾後、温
度５０℃、真空度５ＸｌＯ” トルで、１２Ｈ真空乾
燥した。
’トルの真空下で加熱し、ポリメタアクリレートの透明
基板上に真空蒸着した。水晶振動式膜厚計により測定し
たり厚は１８５０λであり、最大吸収波長は７２５℃ｍ
であった。これをトリクロルエチレン中に短時間ディッ
ピングし十分乾燥後ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観察
すると、最大吸収波長は７２５０ｍのままであり、長波
長側ヘシフトしていなかった。２−アセトナフトン２Ｗ
Ｌ％を溶解させたトリクロルエチレン溶液を上記のスズ
フタロシアニン薄膜１コ均−ｊこ吹き付け、風乾後、温
度５０℃、真空度５ＸｌＯ” トルで、１２Ｈ真空乾
燥した。
その後ＵＶ−Ｖ Ｉ Ｓ吸収スペクトルを観察すると、
８２５ｎｍに新たな吸収スペクトルが観察された。中心
波長ｓ ａ ｏ ｎｍの半 ４導体レーザー光を照射し
たところ露光部の薄膜が昇華しピットが形成しているこ
とを光学顕微鏡で確認した。半導体レーザー光に対する
記録感度は６５ｍｊ／Ｃｄであった。
８２５ｎｍに新たな吸収スペクトルが観察された。中心
波長ｓ ａ ｏ ｎｍの半 ４導体レーザー光を照射し
たところ露光部の薄膜が昇華しピットが形成しているこ
とを光学顕微鏡で確認した。半導体レーザー光に対する
記録感度は６５ｍｊ／Ｃｄであった。
実施例７
空蒸着した。次にＯ−ヒドロキシジフェニル１ｗｔ％を
均一に溶解させたベブタン溶液をチタニウム・フタロシ
アニン薄膜に均一に吹き付は風乾後、温度５０℃、真空
度５×ｌＯ″ Ｔｏｒｒで１５Ｈ真空乾燥した。
均一に溶解させたベブタン溶液をチタニウム・フタロシ
アニン薄膜に均一に吹き付は風乾後、温度５０℃、真空
度５×ｌＯ″ Ｔｏｒｒで１５Ｈ真空乾燥した。
ｕｖ−ｖｉｓ吸収スペクトルを観察すると８２５０ｍに
新たな吸収スペクトルが観察された。中心波長８８０ｎ
ｍの半導体レーザー光を照射したところ、レーザー光の
照５５ｍｊ／Ｃｄであった。
新たな吸収スペクトルが観察された。中心波長８８０ｎ
ｍの半導体レーザー光を照射したところ、レーザー光の
照５５ｍｊ／Ｃｄであった。
第１図、第２図及び第８図は本発明の実施例１１実施例
３及び実施例５に於ける、フタロシアニン蒸着膜の吸光
度（０〜２Ａ ｂ ｓ、）と波長との関係を示すもので
ある。 第４図（こチタニウム・フタロシアニン及びナマリ・フ
タロシアニンのＴＧ曲線を示す。 理学電機製ＣＮ−８０８５を用い、サンプル量１５１ｆ
、リファレンスＡｌ、０． 、昇温スピードｌＯ℃／ｍ
ｉｎの条件下で測定したものである。
３及び実施例５に於ける、フタロシアニン蒸着膜の吸光
度（０〜２Ａ ｂ ｓ、）と波長との関係を示すもので
ある。 第４図（こチタニウム・フタロシアニン及びナマリ・フ
タロシアニンのＴＧ曲線を示す。 理学電機製ＣＮ−８０８５を用い、サンプル量１５１ｆ
、リファレンスＡｌ、０． 、昇温スピードｌＯ℃／ｍ
ｉｎの条件下で測定したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）基板上に記録層を設け、情報をレーザー光線により
記録し、かつ読取る記録媒体において、該記録層を第■
族金属を含有するフタロシアニン化合物能ひに、ベンゾ
フェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン誘
導体、ジフェニル誘導体、およびいずれか１つの置換基
がニトロ基、シアノ基、アセチル基又はアルデヒド基で
あるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテン
誘導体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた
１種又は２種以上のシフト化剤とから成る有機薄膜で構
成したことを特徴とする光学記録媒体。 ２）光学記録媒体の記録層を調製するに当り、基板上に
設けた第■族金属を含有するフタロ ８゜シアニン化合
物を有する有機薄膜を、溶媒中に溶かしたベンゾフェノ
ン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン誘導体、
ジフェニル誘導体、およびいずれか１つの置換基がニト
ロ基、シアン基、アセチル基又はアルデヒド基であるベ
ンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体
、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた１種又
は２種以上のシｔト化剤と接触させることを特徴とする
光学記録媒体の製造方法。 ３）第■族金属がＴｉ、Ｓｎおよび／またはＰｂである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項の光学記録媒体
。 ４）第■族金属が’ｒｉ、Ｓｎ および／またはｐｂ
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項の光学記
録媒体の製造方法。 ５）基板が、その表面に金属反射層を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124578A JPS5916153A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124578A JPS5916153A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916153A true JPS5916153A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH044662B2 JPH044662B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=14888935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124578A Granted JPS5916153A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197281A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124578A patent/JPS5916153A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197281A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH044662B2 (ja) | 1992-01-29 |
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