JPH0518717B2 - - Google Patents
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
- G11B7/2492—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds neutral compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
本発明は、新規な光学的情報記録媒体に関し、
さらに詳しくは、波長600〜2000nmの赤色光な
いし近赤外光を吸収する光学的情報記録媒体に関
する。 「従来の技術」 600〜2000nmの波長の赤色光を選択的に吸収
する赤外線吸収剤の用途としては光学フイルター
材のほかに次のような各種の用途がある。(A)→熱
変換作用を利用して、光デイスク記録層、レ
ーザーによる感熱発色記録体、光デイスクある
いは光カードあるいはレーザ記録用フイルム、こ
の他に(B)光吸収作用を利用して、インクジエツ
トプリンタ用インク、バーコードインク、感
光材料のアンチハレーシヨン剤、サウンドトラ
ツク用赤外線吸収色素を形成する赤外カプラー
フオトセンサーのモールドやフイルターなどに使
用することなどがあげられる。 この中で、レーザ記録媒体の光吸収剤として
は、特開昭57−11090号、同58−16888号、同58−
175693号に第四級アンモニウム塩を有する芳香族
ジチオール系ニツケル錯体を用いることが開示さ
れている。 「発明が解決しようとする問題点」 しかし、第四級アンモニウム塩を有する芳香族
ジチオール系ニツケル錯体は有機媒体に対する溶
解性が低く、基板上に塗布する際の組成物中の赤
外線吸収剤の濃度を高くできない、使用しうる媒
体が制限されるなどの難点があつた。また、真空
蒸着により薄膜を形成しようとしても、イオン的
化合物のため速度が遅が、残査が多くなり蒸着に
やや困難であつた。 本発明の目的はこれらの光学的情報記録媒体の
欠点を克服し、有機溶剤への溶解度が高く、場合
によつてはバインダーなどとの相溶性のよい光学
的情報記録媒体が提供することであり、第二に、
近赤外光の吸収能力が大きく、熱および光に対し
て堅牢な光学的情報記録媒体を提供することであ
る。ここで、光学的情報記録媒体とは、支持体又
は基板に、前記〔〕ないし〔〕の赤外線吸収
化合物を一種又は混合したものを単独或いは、少
くともこれとバインダーを設けた複合物を示すこ
ととする。 「問題点を解決するための手段」 本発明者らは、上記目的を達成するため種々検
討を重ねた結果、(α−ジイミン)(シス−1,2
−エチレンジオラト)ニツケル誘導体のある種の
ものが、有機溶媒に対する溶解性が格段に良く、
かつ、近赤外光の吸収能力が極めて大きいことを
見出し、この知見に基づき本発明をなすに至つ
た。 すなわち、本発明は下記一般式〔〕、〔〕、
〔〕で表わされる化合物から選ばれる少なくと
も1種の(α−ジイミン)(シス−1,2−エチ
レンジチオラト)ニツケル誘導体を含有すること
を特徴とする光学的情報記録媒体を提供するもの
である。本発明において光学的情報記録媒体と
は、光学フイルター材を除外する意味である。 (式中、R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21はハロゲ
ン、水素原子、直接もしくは2価の連結基と介し
て間接的にベンゼン環上の炭素原子に結合するア
ルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素
環基を示し、これらは同じでも異つていてもよ
く、また、これらのうち、隣り合つた置換基は結
合して環を形成してもよく、R6、R7はアルキル
基、アリール基を示し、これらは同じでも異つて
いてもよく、R8、R9、R15、R16、R22、R23は水
素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基を示
し、これらは、それぞれ同じでも異つていてもよ
く、R8とR9、R15とR16、R22とR23はそれぞれ結
合して環を形成していてもよい。) 上記一般式〔〕、〔〕および〔〕で表わさ
れる化合物においてR1〜R5、R10〜R14、R17〜
R21で表わされるハロゲン原子は弗素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を包含する。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で表わされるア
ルキル基は好ましくは炭素数1ないし20のアルキ
ル基を示し、このアルキル基として、たとえばメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オク
タデシル基などをあげることができる。 この場合、アルキル基は更に置換されていても
よく、例えば、水酸基、炭素数1ないし20のアル
キル基(たとえばメチル基、エチル基、n−ブチ
ル基、n−オクチル基など)、炭素数1ないし20
のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基など)などで置換されていてもよ
い。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で表わされるア
ルコキシ基は好ましくは、炭素数1ないし20のア
ルコキシ基を示し、このアルコキシ基として、た
とえばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、n
−ヘキサデシルオキシ基などをあげることができ
る。 この場合、アルコキシ基は更に置換されていて
もよく、例えば、水酸基、炭素数1ないし20のア
ルキル基(たとえばメチル基、エチル基、n−ブ
チル基、n−オクチル基など)、炭素数1ないし
20のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキ
シ基、ブトキシ基など)などで置換されていても
よい。 R6〜R7で表わされるアルキル基は、好ましく
は炭素数1ないし20のアルキル基を示し、このア
ルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、
n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル
基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基などを
あげることができる。 R6、R7で表わされるアリール基は好ましくは
フエニル基を示し、このフエニル基は、例えばメ
チル基、メトキシ基、ハロゲン原子などで置換さ
れていてもよい。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で表わされるア
ルキル基は好ましくは炭素数1ないし20のアルキ
ル基を示し、このアルキル基として、たとえばメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−ヘキ
サデシル基などをあげることができる。 この場合、アルキル基は更に置換されていても
よく、例えば、炭素数1ないし20のアルキル基
(たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル基、
n−オクチル基など)、炭素数1ないし20のアル
コキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ基、n
−ブトキシ基など)などで置換されていてもよ
い。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で表わされるア
リール基は、好ましくはフエニル基であり、この
場合、フエニル基は更に置換されていてもよく、
例えば、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえ
ばメチル基、エチル基、n−ブチル基、n−オク
チル基、n−デシル基など)、炭素数1ないし20
のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ
基、n−ブトキシ基、n−ドデシルオキシ基な
ど)などで置換されていてもよい。 R8、R9、R15とR16、R22とR23はそれぞれ係合
して環を形成していてもよいが、この場合、好ま
しくは5員環または6員環がよい。また、これら
の環はハロゲン、アルキル基、アルコキシ基によ
つて置換されていてもよく、または他の環と縮合
していてもよい。 前記一般式〔〕ないし〔〕で表わされる
(α−ジイミン)(シス−1,2−エチレンジチオ
ラト)ニツケル誘導体の製造は、一般に次のよう
にして行うことができる。 無水メタノールにシス−1,2−エチレンジチ
オール誘導体又は、そのアルカリ金属塩を溶か
す。(前駆体から調製する場合もある)この溶液
に、ビス(α−ジイミン)ニツケル()ハライ
ドまたは(α−ジイミン)(ジハロ)ニツケル
()錯体を粉末又は、メタノール溶液で加え撹
拌し、生成した沈澱をろ過する。この沈澱をジク
ロロメタンなどの有機溶剤で抽出し、濃縮して、
ゆつくりメタノールを加えると求める錯体の結晶
が得られる。 前記一般式〔〕ないし〔〕で表わされる化
合物のうち好ましいものを例示すれば次の通りで
あるが、本発明はこれらの例示化合物に限定され
るものではないことはもちろんである。 これらの化合物のいくつかの吸収極大
(λmax)とモル吸光係数(εmax、・mol-1・
cm-1単位)及び融点(分解点)は下記の第1表の
通りである。
さらに詳しくは、波長600〜2000nmの赤色光な
いし近赤外光を吸収する光学的情報記録媒体に関
する。 「従来の技術」 600〜2000nmの波長の赤色光を選択的に吸収
する赤外線吸収剤の用途としては光学フイルター
材のほかに次のような各種の用途がある。(A)→熱
変換作用を利用して、光デイスク記録層、レ
ーザーによる感熱発色記録体、光デイスクある
いは光カードあるいはレーザ記録用フイルム、こ
の他に(B)光吸収作用を利用して、インクジエツ
トプリンタ用インク、バーコードインク、感
光材料のアンチハレーシヨン剤、サウンドトラ
ツク用赤外線吸収色素を形成する赤外カプラー
フオトセンサーのモールドやフイルターなどに使
用することなどがあげられる。 この中で、レーザ記録媒体の光吸収剤として
は、特開昭57−11090号、同58−16888号、同58−
175693号に第四級アンモニウム塩を有する芳香族
ジチオール系ニツケル錯体を用いることが開示さ
れている。 「発明が解決しようとする問題点」 しかし、第四級アンモニウム塩を有する芳香族
ジチオール系ニツケル錯体は有機媒体に対する溶
解性が低く、基板上に塗布する際の組成物中の赤
外線吸収剤の濃度を高くできない、使用しうる媒
体が制限されるなどの難点があつた。また、真空
蒸着により薄膜を形成しようとしても、イオン的
化合物のため速度が遅が、残査が多くなり蒸着に
やや困難であつた。 本発明の目的はこれらの光学的情報記録媒体の
欠点を克服し、有機溶剤への溶解度が高く、場合
によつてはバインダーなどとの相溶性のよい光学
的情報記録媒体が提供することであり、第二に、
近赤外光の吸収能力が大きく、熱および光に対し
て堅牢な光学的情報記録媒体を提供することであ
る。ここで、光学的情報記録媒体とは、支持体又
は基板に、前記〔〕ないし〔〕の赤外線吸収
化合物を一種又は混合したものを単独或いは、少
くともこれとバインダーを設けた複合物を示すこ
ととする。 「問題点を解決するための手段」 本発明者らは、上記目的を達成するため種々検
討を重ねた結果、(α−ジイミン)(シス−1,2
−エチレンジオラト)ニツケル誘導体のある種の
ものが、有機溶媒に対する溶解性が格段に良く、
かつ、近赤外光の吸収能力が極めて大きいことを
見出し、この知見に基づき本発明をなすに至つ
た。 すなわち、本発明は下記一般式〔〕、〔〕、
〔〕で表わされる化合物から選ばれる少なくと
も1種の(α−ジイミン)(シス−1,2−エチ
レンジチオラト)ニツケル誘導体を含有すること
を特徴とする光学的情報記録媒体を提供するもの
である。本発明において光学的情報記録媒体と
は、光学フイルター材を除外する意味である。 (式中、R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21はハロゲ
ン、水素原子、直接もしくは2価の連結基と介し
て間接的にベンゼン環上の炭素原子に結合するア
ルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素
環基を示し、これらは同じでも異つていてもよ
く、また、これらのうち、隣り合つた置換基は結
合して環を形成してもよく、R6、R7はアルキル
基、アリール基を示し、これらは同じでも異つて
いてもよく、R8、R9、R15、R16、R22、R23は水
素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基を示
し、これらは、それぞれ同じでも異つていてもよ
く、R8とR9、R15とR16、R22とR23はそれぞれ結
合して環を形成していてもよい。) 上記一般式〔〕、〔〕および〔〕で表わさ
れる化合物においてR1〜R5、R10〜R14、R17〜
R21で表わされるハロゲン原子は弗素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を包含する。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で表わされるア
ルキル基は好ましくは炭素数1ないし20のアルキ
ル基を示し、このアルキル基として、たとえばメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オク
タデシル基などをあげることができる。 この場合、アルキル基は更に置換されていても
よく、例えば、水酸基、炭素数1ないし20のアル
キル基(たとえばメチル基、エチル基、n−ブチ
ル基、n−オクチル基など)、炭素数1ないし20
のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基など)などで置換されていてもよ
い。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で表わされるア
ルコキシ基は好ましくは、炭素数1ないし20のア
ルコキシ基を示し、このアルコキシ基として、た
とえばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、n
−ヘキサデシルオキシ基などをあげることができ
る。 この場合、アルコキシ基は更に置換されていて
もよく、例えば、水酸基、炭素数1ないし20のア
ルキル基(たとえばメチル基、エチル基、n−ブ
チル基、n−オクチル基など)、炭素数1ないし
20のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキ
シ基、ブトキシ基など)などで置換されていても
よい。 R6〜R7で表わされるアルキル基は、好ましく
は炭素数1ないし20のアルキル基を示し、このア
ルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、
n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル
基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基などを
あげることができる。 R6、R7で表わされるアリール基は好ましくは
フエニル基を示し、このフエニル基は、例えばメ
チル基、メトキシ基、ハロゲン原子などで置換さ
れていてもよい。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で表わされるア
ルキル基は好ましくは炭素数1ないし20のアルキ
ル基を示し、このアルキル基として、たとえばメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−ヘキ
サデシル基などをあげることができる。 この場合、アルキル基は更に置換されていても
よく、例えば、炭素数1ないし20のアルキル基
(たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル基、
n−オクチル基など)、炭素数1ないし20のアル
コキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ基、n
−ブトキシ基など)などで置換されていてもよ
い。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で表わされるア
リール基は、好ましくはフエニル基であり、この
場合、フエニル基は更に置換されていてもよく、
例えば、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえ
ばメチル基、エチル基、n−ブチル基、n−オク
チル基、n−デシル基など)、炭素数1ないし20
のアルコキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ
基、n−ブトキシ基、n−ドデシルオキシ基な
ど)などで置換されていてもよい。 R8、R9、R15とR16、R22とR23はそれぞれ係合
して環を形成していてもよいが、この場合、好ま
しくは5員環または6員環がよい。また、これら
の環はハロゲン、アルキル基、アルコキシ基によ
つて置換されていてもよく、または他の環と縮合
していてもよい。 前記一般式〔〕ないし〔〕で表わされる
(α−ジイミン)(シス−1,2−エチレンジチオ
ラト)ニツケル誘導体の製造は、一般に次のよう
にして行うことができる。 無水メタノールにシス−1,2−エチレンジチ
オール誘導体又は、そのアルカリ金属塩を溶か
す。(前駆体から調製する場合もある)この溶液
に、ビス(α−ジイミン)ニツケル()ハライ
ドまたは(α−ジイミン)(ジハロ)ニツケル
()錯体を粉末又は、メタノール溶液で加え撹
拌し、生成した沈澱をろ過する。この沈澱をジク
ロロメタンなどの有機溶剤で抽出し、濃縮して、
ゆつくりメタノールを加えると求める錯体の結晶
が得られる。 前記一般式〔〕ないし〔〕で表わされる化
合物のうち好ましいものを例示すれば次の通りで
あるが、本発明はこれらの例示化合物に限定され
るものではないことはもちろんである。 これらの化合物のいくつかの吸収極大
(λmax)とモル吸光係数(εmax、・mol-1・
cm-1単位)及び融点(分解点)は下記の第1表の
通りである。
【表】
【表】
本発明の光学的情報記録媒体は、前記一般式
〔〕ないし〔〕で表わされる化合物を赤外線
吸収剤として一種または数種の混合物を単独に
(結合剤なしで)、あるいは適宜に結合剤中に含有
させてなる組成物である。単独に結合剤なしで用
いる場合は前記一般式〔〕ないし〔〕で表わ
される化合物の一種又は数種を溶剤に溶かして基
板に塗布するかあるいは、真空蒸着で基板に蒸着
するなどで行う。この際、他の染料を同時に用い
て、塗布あるいは蒸着を行つてもよい。さらに目
的に応じて基板に下引層を設けるか、また、塗布
あるいは蒸着を行つた後に、保護層として高分子
化合物を塗布するか、あるいは無機物、例えば酸
化ケイ素、窒化けい素、窒化アルミニウムなどを
蒸着あるいはスパツタリングすることができる。 単独に用いる場合は、他の一方法として、例え
ば、単分子膜作成の方法(LANGMUIR−
BLODGET法)によつて該ニツケル錯体を基板
に複数層設けることもできる。 結合剤としては特に制限はなく、組成物として
は、赤外線吸収性を発揮させるものであれば有
機、無機の区別なく用いることができる。そのよ
うな結合剤としては、プラスチツクのような高分
子材料、ガラスのような無機材料などがあげられ
る。 またこの結合剤中には必要により溶媒を使用で
きる。好ましい溶媒としてはアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、クロロホ
ルム、塩化メチレン、メタノール、エタノール、
トルエン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、アセト
ニトリル、エチルセロソルブ、ジメチルホルムア
ミドなどの有機溶媒があげられる。 次に本発明の光学的情報記録媒体を光記録媒体
に用いる場合の実施態様を説明する。 光記録媒体は基本的には基板と記録層とから構
成されるものであるが、さらに目的に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けるこ
とができる。 基板としては使用レーザーに対して透明であれ
ば既知のものを任意に使用することができる。そ
の代表的な例にはガラスまたはプラスチツクがあ
り、プラスチツクとしてはポリアクリレート、ポ
リメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスル
ホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いられ
る。その形状はデイスク状、カード状、シート
状、ロールフイルム状など種々のものが可能であ
る。 ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。案内溝を形成させたデイスク状のもの
はプレグルーブド・デイスクといわれる。またガ
ラスまたはプラスチツク基板にはプラスチツクバ
インダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下
引き層を設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低
い下引き層が好ましい。 記録層は、赤外線吸収剤単独またはそれと他の
材料との組合せそれ自体により構成されるもの、
あるいは反射層と前記赤外線吸収剤層、あるいは
反射層と前記赤外線吸収剤を含有する光吸収層に
よつて構成されるものに分けられる。この赤外線
吸収剤単独またはそれと他の材料との組合せによ
つて構成される記録層は該赤外線吸収剤を溶媒に
溶解させ、塗布する方式や基板に蒸着する方式、
該赤外線吸収剤を溶剤に溶かし、これを塗布する
方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、他の色
素との混合溶液を塗布する方式、他の色素ととも
に樹脂溶液に溶解させて塗布する方式などによつ
て形成される。 樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、無水マレイン酸
共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体等既知
のものが用いられ、赤外線吸収性組成物中におけ
る樹脂に対する前記一般式〔〕ないし〔〕で
表わされる赤外線吸収剤の重量比は0.01以上であ
ることが望ましい。他の色素、例えばトリアリー
ルメタン系色素、メロシアニン色素、シアニン色
素、アゾ色素、アントラキノン色素など半導体レ
ーザの波長域以外に吸収をもつものを用いると、
半導体レーザだけでなく、He−Neレーザなどで
も記録できる。 この記録層は1層又は2層以上設ける。 記録層の膜厚は、通常0.01μm〜1μm、好まし
くは0.08〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長
の1/4の奇数倍である。 半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射
層を設ける場合は、基板に反射層を設け次の二の
反射層の上に前述したような方式によつて記録層
を設けることによるか、あるいは基板に記録層を
設け、次いでこの上に反射層を設けるかのいずれ
かの方法がある。 反射層は蒸着法、スパツタリング法、イオンプ
レーテイング法などの他の次のような方法によつ
ても作ることができる。 例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属
塩または、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤
を加えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ま
しくは60℃〜100℃で加熱乾燥させることによつ
て形成される。 樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。 金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シア
ン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体
などを使用できる。還元剤としてはホルマリン、
酒石酸、酒石酸塩、還元剤、次亜燐酸塩、水素化
硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使
用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩1モル
に対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲
で使用できる。 光記録媒体において、情報の記録とレーザなど
のスポツト状の高エネルギービームを基板を通し
てあるいは基板と反対側より記録層に照射するこ
とにより行われ、記録層に吸収された光が熱に変
換され、記録層にピツト(穴)が形成される。 また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾
値エネルギー以下の低出力で照射し、ピツト部と
ピツトが形成されていない部分の反射光量の変化
により検出する。 「発明の効果」 本発明において(α−ジイミン)(シス−1,
2−エチレンジチオラト)ニツケル誘導体は、有
機溶媒への溶解性が高く、高分子バインダー(プ
ラスチツクス)や印刷用ビヒクル中へも良好に微
小分散あるいは溶解し、近赤外光の吸収能力が大
きいという優れた性質を有する。 また、本発明の光学的情報記録媒体は、耐熱
性、耐光性に優れる。さらに本発明の(α−ジイ
ミン)(シス−1,2−エチレンジチオラト)ニ
ツケル誘導体は合成が容易であり、低コストで製
造できるという実用上、優れた利点を有する。 従つて本発明の光学的情報記録媒体はグラビ
ヤ、凸版、オフセツトなどの印刷用インキとして
また光→熱変換を利用したレーザーによる感熱発
色、感熱記録、光デイスク記録材料として使用さ
れる。 「実施例」 次に本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説
明する。なお、以下において「部」は特に記載の
ない限り「重量部」を意味する。先づ、合成例1
〜4において、実施例で用いる化合物の合成法に
ついて説明する。 尚、合成の出発物質である。各種ビス(α−ジ
イミン)ニツケルライド又は(α−ジイミン)
(ジハロ)ニツケル錯体は Z.anorg. allg. Chemie 267 137(1951) ibid. 267 161(1951) にならつて調製した。従つて、以下の合成例中で
は、単に、(α−ジイミン)(ジハロ)ニツケルと
略記し、それぞれの調製法は省略する。 合成例 1 <例示化合物(2)の合成> 4,5−ジメチル−1,3−ジチオール−2−
オン0.002モルを無水メタノール30mlに分散する。
これにナトリウムメトキサイド0.004モル(メタ
ノール溶液でもよい)を加えて室温で2時間撹拌
する。この溶液に(α−ジイミン)(ジクロロ)
ニツケル0.002モルを加え、更に室温で1時間撹
拌する。析出した沈澱をろ過し、メタノールで洗
い、風乾する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.2g。 合成例 2 <例示化合物(21)の合成> 4,5−ジフエニル−1,3−ジチオール−2
−オン0.002モルを無水メタノール30mlに分散す
る。これにナトリウムメトキサイド0.004モル
(メタノール溶液でもよい)を加えて室温で2時
間撹拌する、この溶液に(α−ジイミン)(ジク
ロロ)ニツケル0.002モルを加え、更に室温で1
時間撹拌する。析出したチンデンをろ過し、メタ
ノールで洗い、風乾する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.3g。 合成例 3 <例示化合物(38)の合成> 4,5−ジメトキシフエニル−1,3−ジチオ
ール−2−オン0.002モルを無水メタノール30ml
に分散する。これにナトリウムメトキサイド
0.004モル(メタノール溶液でもよい)を加えて、
40℃の水浴中で2時間撹拌する。この溶液に(α
−ジイミン)(ジクロロ)ニツケル0.002モルを加
え、更に、40℃の水浴中で2時間撹拌する。析出
したチンデンをろ過し、メタノールで洗い、風乾
する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.1g。 合成例 4 <例示化合物(115)の合成> (α−ジイミン)(ジブロモ)ニツケル0.002モ
ルを無水メタノール30mlに溶かす。これにソデイ
ウム−1,2−ジシアノエチレンジチオレート
0.002モルを加えて、更に、室温で2時間撹拌す
る。析出した結晶をろ過し、メタノールで洗い風
乾する。これを少量のジクロロメタンに溶かし、
シリカゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70−
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.1g。 実施例 1 例示化合物(115) 1g ニトロセルロース 0.2g ジクロルメタン 7ml 上記組成の溶液をガラス板に回転塗布し、40℃
で乾燥し、厚さ0.25μmの記録層を得た。波長
780nmにおける反射率および吸収率はそれぞれ
19%および63%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長780nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
1MHzで信号を記録したところ、0.2μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 2 例示化合物(21) 1g ポリカーボネート樹脂 1.0g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 0.8g 1,2−ジクロルエタン 12ml 上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回
転塗布し、60℃で乾燥し厚さ0.24μmの記録層を
得た。波長780nmにおける反射率および吸収率
はそれぞれ40%および12%であつた。また波長
630nmにおける吸収率はそれぞれ20%および36
%であつた。この記録媒体を照射面6mW、ビー
ム径1.6μmの波長780nmの半導体レーザビームで
0.4MHzで信号を記録したところ0.5μ秒の照射
(6.0nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用いて
ビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mWで、
4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で1.0μmのピツトが形成された。 実施例1と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 3 例示化合物(21) 1g ジクロルメタン 20ml 上記組成の塗布液をセルキヤストのポリメチル
メタクリレート製の板に回転塗布し、40℃で乾燥
したところ、バインダーなしでも平坦な記録膜が
出来て、その厚さは0.24μであつた。波長780nm
における反射率および吸収率はそれぞれ19%およ
び62%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長780nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
4MHzで信号を記録したところ、0.25μ秒の照射
(1.2nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 4 例示化合物(38) 1g ポリカーボネート樹脂 0.7g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 0.8g 1,2−ジクロルエタン 12ml 上記組成の溶液を紫外線硬化樹脂膜を塗布して
表面硬化したポリカーボネート製の板に回転塗布
し、60℃で乾燥し厚さ0.4μmの記録層を得た。波
長780nmにおける反射率および吸収率はそれぞ
れ16%および51%であつた。また波長630nmに
おける反射率および吸収率はそれぞれ14%および
62%であつた。この記録媒体を照射面で6mW、
ビーム径1.6μmの波長780nmの半導体レーザビー
ムで0.4MHzで信号を記録したところ0.4μ秒の照
射(1.8nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成さ
れた。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用い
てビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mW
で、4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で0.8μmのピツトが形成された。 実施例3と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 5 次の組成の液をポリカーボネート円板に回転塗
布して、厚さ0.1μmの乾燥膜厚の下引層を得た。 セルロースアセテートブチレート 0.8g アセトン 32ml これに例示化合物(2)を含む次の組成の液例示化合
物(21) 1g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 10g を回転塗布して厚さ0.4μの乾燥膜厚の記録層を得
た。さらにこの上に銀を厚さ01μに真空蒸着し、
記録媒体をつくり、銀の面を向い合せにして、ス
ペーサーを円板の中心部と周囲に入れて二つの円
板状の記録媒体をサンドイツチにして接合した記
録媒体を得た。 これにポリカーボネート板側より波長780nm
のビーム径1.6μmの半導体レーザビームを照射面
で6mWで照射し0.5μ秒の照射(4.2nJ/sec)で
直径0.9μmのピツトが形成された。 この記録媒体を室内光中80℃、90%で2ケ月保
存したが記録および読み出しの特性の劣化は殆ど
なかつた。 実施例 6 例示化合物(115) 1.0g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 12ml 上記組成の溶液をアルミニウムを0.04μmの厚
さに蒸着したポリカーボネート樹脂板に回転塗布
し、厚さ0.4μmの光吸収層を得た。波長780nmに
おける反射率および吸収率は16%および64%であ
つた。この記録媒体に波長780nmの半導体レー
ザを用い照射面エネルギー6mW、ビーム径1.6μ
mで基板和より2MHzの信号を記録したところ
0.5μsecの照射時間で(3.0nJ/pit)で直径0.8μm
のピツトが形成された。この記録媒体を60℃、湿
度90%で1ケ月保存後も記録特性および記録され
たピツトの再生特性が劣化しなかつた。 実施例 7 ニトロセルロース 0.4g ジクロルメタン 10ml 上記組成の液をセルキヤストのアクリル板に回
路塗布し下引き層をつくり、これに例示化合物(2)
を真空蒸着して、厚さ0.2μmの層を得た。これに
ゼラチン0.5gを水10mlに溶かした液を回転塗布
して厚さ0.5μmの保護層をつけた。基板側より
780nmの波長のレーザビームを実施例5と同様
に照射し、0.5μ秒の照射(2.0nJ/pit)で直径
0.9μmのピツトが形成された。この記録材料を室
内光中で、温度60℃、湿度90%で1ケ月保存した
が特性には変化がなかつた。 実施例 8 セルキヤストのカード状のアクリル板にストラ
イプ状の開口部をもつたマスクを通して例示化合
物(2)を10-4Torrで300Å/minの真着速度で真空
蒸着して厚さ0.1μmの層を得た。これにゼラチン
の5%水溶液をカードの全面に塗設してレーザカ
ードを作つた。 なお蒸着層の厚さは水晶振動子の周波数変化を
利用する方法で測定し、比重を1.3に設定した厚
さである。蒸着された膜は非常によい膜質で、ア
クリル板より剥れにくく、基板側からの780nm
光りに対する反射率は23%であつた。基板側より
780nmの波長のレーザビームを照射面で5mW、
ビーム径1.6μmでMHzで照射したところ、直径
0.8μmのピツトが形成された。 この記録媒体を温度70℃、湿度80%RHで螢光
灯照射下で1ケ月保存したが、記録および読み出
しの特性の変化はなかつた。 なお、蒸着速度を1000Å/minにすると、若干
大きい粒子(径約0.4μ程度)が認められたが、
780nmのレーザ光、照射面5mW、ビーム径1.6μ
mで4MHzで記録出来た。
〔〕ないし〔〕で表わされる化合物を赤外線
吸収剤として一種または数種の混合物を単独に
(結合剤なしで)、あるいは適宜に結合剤中に含有
させてなる組成物である。単独に結合剤なしで用
いる場合は前記一般式〔〕ないし〔〕で表わ
される化合物の一種又は数種を溶剤に溶かして基
板に塗布するかあるいは、真空蒸着で基板に蒸着
するなどで行う。この際、他の染料を同時に用い
て、塗布あるいは蒸着を行つてもよい。さらに目
的に応じて基板に下引層を設けるか、また、塗布
あるいは蒸着を行つた後に、保護層として高分子
化合物を塗布するか、あるいは無機物、例えば酸
化ケイ素、窒化けい素、窒化アルミニウムなどを
蒸着あるいはスパツタリングすることができる。 単独に用いる場合は、他の一方法として、例え
ば、単分子膜作成の方法(LANGMUIR−
BLODGET法)によつて該ニツケル錯体を基板
に複数層設けることもできる。 結合剤としては特に制限はなく、組成物として
は、赤外線吸収性を発揮させるものであれば有
機、無機の区別なく用いることができる。そのよ
うな結合剤としては、プラスチツクのような高分
子材料、ガラスのような無機材料などがあげられ
る。 またこの結合剤中には必要により溶媒を使用で
きる。好ましい溶媒としてはアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、クロロホ
ルム、塩化メチレン、メタノール、エタノール、
トルエン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、アセト
ニトリル、エチルセロソルブ、ジメチルホルムア
ミドなどの有機溶媒があげられる。 次に本発明の光学的情報記録媒体を光記録媒体
に用いる場合の実施態様を説明する。 光記録媒体は基本的には基板と記録層とから構
成されるものであるが、さらに目的に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けるこ
とができる。 基板としては使用レーザーに対して透明であれ
ば既知のものを任意に使用することができる。そ
の代表的な例にはガラスまたはプラスチツクがあ
り、プラスチツクとしてはポリアクリレート、ポ
リメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスル
ホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いられ
る。その形状はデイスク状、カード状、シート
状、ロールフイルム状など種々のものが可能であ
る。 ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。案内溝を形成させたデイスク状のもの
はプレグルーブド・デイスクといわれる。またガ
ラスまたはプラスチツク基板にはプラスチツクバ
インダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下
引き層を設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低
い下引き層が好ましい。 記録層は、赤外線吸収剤単独またはそれと他の
材料との組合せそれ自体により構成されるもの、
あるいは反射層と前記赤外線吸収剤層、あるいは
反射層と前記赤外線吸収剤を含有する光吸収層に
よつて構成されるものに分けられる。この赤外線
吸収剤単独またはそれと他の材料との組合せによ
つて構成される記録層は該赤外線吸収剤を溶媒に
溶解させ、塗布する方式や基板に蒸着する方式、
該赤外線吸収剤を溶剤に溶かし、これを塗布する
方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、他の色
素との混合溶液を塗布する方式、他の色素ととも
に樹脂溶液に溶解させて塗布する方式などによつ
て形成される。 樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホル
マール、メチルビニルエーテル、無水マレイン酸
共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体等既知
のものが用いられ、赤外線吸収性組成物中におけ
る樹脂に対する前記一般式〔〕ないし〔〕で
表わされる赤外線吸収剤の重量比は0.01以上であ
ることが望ましい。他の色素、例えばトリアリー
ルメタン系色素、メロシアニン色素、シアニン色
素、アゾ色素、アントラキノン色素など半導体レ
ーザの波長域以外に吸収をもつものを用いると、
半導体レーザだけでなく、He−Neレーザなどで
も記録できる。 この記録層は1層又は2層以上設ける。 記録層の膜厚は、通常0.01μm〜1μm、好まし
くは0.08〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長
の1/4の奇数倍である。 半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射
層を設ける場合は、基板に反射層を設け次の二の
反射層の上に前述したような方式によつて記録層
を設けることによるか、あるいは基板に記録層を
設け、次いでこの上に反射層を設けるかのいずれ
かの方法がある。 反射層は蒸着法、スパツタリング法、イオンプ
レーテイング法などの他の次のような方法によつ
ても作ることができる。 例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属
塩または、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤
を加えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ま
しくは60℃〜100℃で加熱乾燥させることによつ
て形成される。 樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。 金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シア
ン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体
などを使用できる。還元剤としてはホルマリン、
酒石酸、酒石酸塩、還元剤、次亜燐酸塩、水素化
硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使
用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩1モル
に対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲
で使用できる。 光記録媒体において、情報の記録とレーザなど
のスポツト状の高エネルギービームを基板を通し
てあるいは基板と反対側より記録層に照射するこ
とにより行われ、記録層に吸収された光が熱に変
換され、記録層にピツト(穴)が形成される。 また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾
値エネルギー以下の低出力で照射し、ピツト部と
ピツトが形成されていない部分の反射光量の変化
により検出する。 「発明の効果」 本発明において(α−ジイミン)(シス−1,
2−エチレンジチオラト)ニツケル誘導体は、有
機溶媒への溶解性が高く、高分子バインダー(プ
ラスチツクス)や印刷用ビヒクル中へも良好に微
小分散あるいは溶解し、近赤外光の吸収能力が大
きいという優れた性質を有する。 また、本発明の光学的情報記録媒体は、耐熱
性、耐光性に優れる。さらに本発明の(α−ジイ
ミン)(シス−1,2−エチレンジチオラト)ニ
ツケル誘導体は合成が容易であり、低コストで製
造できるという実用上、優れた利点を有する。 従つて本発明の光学的情報記録媒体はグラビ
ヤ、凸版、オフセツトなどの印刷用インキとして
また光→熱変換を利用したレーザーによる感熱発
色、感熱記録、光デイスク記録材料として使用さ
れる。 「実施例」 次に本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説
明する。なお、以下において「部」は特に記載の
ない限り「重量部」を意味する。先づ、合成例1
〜4において、実施例で用いる化合物の合成法に
ついて説明する。 尚、合成の出発物質である。各種ビス(α−ジ
イミン)ニツケルライド又は(α−ジイミン)
(ジハロ)ニツケル錯体は Z.anorg. allg. Chemie 267 137(1951) ibid. 267 161(1951) にならつて調製した。従つて、以下の合成例中で
は、単に、(α−ジイミン)(ジハロ)ニツケルと
略記し、それぞれの調製法は省略する。 合成例 1 <例示化合物(2)の合成> 4,5−ジメチル−1,3−ジチオール−2−
オン0.002モルを無水メタノール30mlに分散する。
これにナトリウムメトキサイド0.004モル(メタ
ノール溶液でもよい)を加えて室温で2時間撹拌
する。この溶液に(α−ジイミン)(ジクロロ)
ニツケル0.002モルを加え、更に室温で1時間撹
拌する。析出した沈澱をろ過し、メタノールで洗
い、風乾する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.2g。 合成例 2 <例示化合物(21)の合成> 4,5−ジフエニル−1,3−ジチオール−2
−オン0.002モルを無水メタノール30mlに分散す
る。これにナトリウムメトキサイド0.004モル
(メタノール溶液でもよい)を加えて室温で2時
間撹拌する、この溶液に(α−ジイミン)(ジク
ロロ)ニツケル0.002モルを加え、更に室温で1
時間撹拌する。析出したチンデンをろ過し、メタ
ノールで洗い、風乾する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.3g。 合成例 3 <例示化合物(38)の合成> 4,5−ジメトキシフエニル−1,3−ジチオ
ール−2−オン0.002モルを無水メタノール30ml
に分散する。これにナトリウムメトキサイド
0.004モル(メタノール溶液でもよい)を加えて、
40℃の水浴中で2時間撹拌する。この溶液に(α
−ジイミン)(ジクロロ)ニツケル0.002モルを加
え、更に、40℃の水浴中で2時間撹拌する。析出
したチンデンをろ過し、メタノールで洗い、風乾
する。 これを少量のジクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70〜
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.1g。 合成例 4 <例示化合物(115)の合成> (α−ジイミン)(ジブロモ)ニツケル0.002モ
ルを無水メタノール30mlに溶かす。これにソデイ
ウム−1,2−ジシアノエチレンジチオレート
0.002モルを加えて、更に、室温で2時間撹拌す
る。析出した結晶をろ過し、メタノールで洗い風
乾する。これを少量のジクロロメタンに溶かし、
シリカゲル(Merck Art7734 Kieselgel60、70−
230mesh)でカラムクロマトグラフイーにかけ精
製する。収量0.1g。 実施例 1 例示化合物(115) 1g ニトロセルロース 0.2g ジクロルメタン 7ml 上記組成の溶液をガラス板に回転塗布し、40℃
で乾燥し、厚さ0.25μmの記録層を得た。波長
780nmにおける反射率および吸収率はそれぞれ
19%および63%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長780nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
1MHzで信号を記録したところ、0.2μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 2 例示化合物(21) 1g ポリカーボネート樹脂 1.0g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 0.8g 1,2−ジクロルエタン 12ml 上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回
転塗布し、60℃で乾燥し厚さ0.24μmの記録層を
得た。波長780nmにおける反射率および吸収率
はそれぞれ40%および12%であつた。また波長
630nmにおける吸収率はそれぞれ20%および36
%であつた。この記録媒体を照射面6mW、ビー
ム径1.6μmの波長780nmの半導体レーザビームで
0.4MHzで信号を記録したところ0.5μ秒の照射
(6.0nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用いて
ビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mWで、
4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で1.0μmのピツトが形成された。 実施例1と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 3 例示化合物(21) 1g ジクロルメタン 20ml 上記組成の塗布液をセルキヤストのポリメチル
メタクリレート製の板に回転塗布し、40℃で乾燥
したところ、バインダーなしでも平坦な記録膜が
出来て、その厚さは0.24μであつた。波長780nm
における反射率および吸収率はそれぞれ19%およ
び62%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長780nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
4MHzで信号を記録したところ、0.25μ秒の照射
(1.2nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 4 例示化合物(38) 1g ポリカーボネート樹脂 0.7g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 0.8g 1,2−ジクロルエタン 12ml 上記組成の溶液を紫外線硬化樹脂膜を塗布して
表面硬化したポリカーボネート製の板に回転塗布
し、60℃で乾燥し厚さ0.4μmの記録層を得た。波
長780nmにおける反射率および吸収率はそれぞ
れ16%および51%であつた。また波長630nmに
おける反射率および吸収率はそれぞれ14%および
62%であつた。この記録媒体を照射面で6mW、
ビーム径1.6μmの波長780nmの半導体レーザビー
ムで0.4MHzで信号を記録したところ0.4μ秒の照
射(1.8nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成さ
れた。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用い
てビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mW
で、4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で0.8μmのピツトが形成された。 実施例3と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 5 次の組成の液をポリカーボネート円板に回転塗
布して、厚さ0.1μmの乾燥膜厚の下引層を得た。 セルロースアセテートブチレート 0.8g アセトン 32ml これに例示化合物(2)を含む次の組成の液例示化合
物(21) 1g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 10g を回転塗布して厚さ0.4μの乾燥膜厚の記録層を得
た。さらにこの上に銀を厚さ01μに真空蒸着し、
記録媒体をつくり、銀の面を向い合せにして、ス
ペーサーを円板の中心部と周囲に入れて二つの円
板状の記録媒体をサンドイツチにして接合した記
録媒体を得た。 これにポリカーボネート板側より波長780nm
のビーム径1.6μmの半導体レーザビームを照射面
で6mWで照射し0.5μ秒の照射(4.2nJ/sec)で
直径0.9μmのピツトが形成された。 この記録媒体を室内光中80℃、90%で2ケ月保
存したが記録および読み出しの特性の劣化は殆ど
なかつた。 実施例 6 例示化合物(115) 1.0g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 12ml 上記組成の溶液をアルミニウムを0.04μmの厚
さに蒸着したポリカーボネート樹脂板に回転塗布
し、厚さ0.4μmの光吸収層を得た。波長780nmに
おける反射率および吸収率は16%および64%であ
つた。この記録媒体に波長780nmの半導体レー
ザを用い照射面エネルギー6mW、ビーム径1.6μ
mで基板和より2MHzの信号を記録したところ
0.5μsecの照射時間で(3.0nJ/pit)で直径0.8μm
のピツトが形成された。この記録媒体を60℃、湿
度90%で1ケ月保存後も記録特性および記録され
たピツトの再生特性が劣化しなかつた。 実施例 7 ニトロセルロース 0.4g ジクロルメタン 10ml 上記組成の液をセルキヤストのアクリル板に回
路塗布し下引き層をつくり、これに例示化合物(2)
を真空蒸着して、厚さ0.2μmの層を得た。これに
ゼラチン0.5gを水10mlに溶かした液を回転塗布
して厚さ0.5μmの保護層をつけた。基板側より
780nmの波長のレーザビームを実施例5と同様
に照射し、0.5μ秒の照射(2.0nJ/pit)で直径
0.9μmのピツトが形成された。この記録材料を室
内光中で、温度60℃、湿度90%で1ケ月保存した
が特性には変化がなかつた。 実施例 8 セルキヤストのカード状のアクリル板にストラ
イプ状の開口部をもつたマスクを通して例示化合
物(2)を10-4Torrで300Å/minの真着速度で真空
蒸着して厚さ0.1μmの層を得た。これにゼラチン
の5%水溶液をカードの全面に塗設してレーザカ
ードを作つた。 なお蒸着層の厚さは水晶振動子の周波数変化を
利用する方法で測定し、比重を1.3に設定した厚
さである。蒸着された膜は非常によい膜質で、ア
クリル板より剥れにくく、基板側からの780nm
光りに対する反射率は23%であつた。基板側より
780nmの波長のレーザビームを照射面で5mW、
ビーム径1.6μmでMHzで照射したところ、直径
0.8μmのピツトが形成された。 この記録媒体を温度70℃、湿度80%RHで螢光
灯照射下で1ケ月保存したが、記録および読み出
しの特性の変化はなかつた。 なお、蒸着速度を1000Å/minにすると、若干
大きい粒子(径約0.4μ程度)が認められたが、
780nmのレーザ光、照射面5mW、ビーム径1.6μ
mで4MHzで記録出来た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式〔〕、〔〕、〔〕で表わされる
化合物から選ばれる少なくとも1種の(α−ジイ
ミン)(シス−1,2−エチレンジチオラト)ニ
ツケル誘導体を含有することを特徴とする光学的
情報記録媒体。 (式中、R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21はハロゲ
ン、水素原子、直接もしくは2価の連結基を介し
て間接的にベンゼン環上の炭素原子に結合するア
ルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素
環基を示し、これらは同じでも異つていてもよ
く、R6、R7はアルキル基、アリール基を示し、
これらは同じでも異つていてもよく、R8、R9、
R15、R16、R22、R23は水素原子、アルキル基、
アリール基、シアノ基を示し、これらは、それぞ
れ同じでも異つていてもよく、R8とR9、R15と
R16、R22とR23はそれぞれ結合して環を形成して
いてもよい。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183948A JPS6339389A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183948A JPS6339389A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6339389A JPS6339389A (ja) | 1988-02-19 |
JPH0518717B2 true JPH0518717B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16144618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61183948A Granted JPS6339389A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6339389A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0297578U (ja) * | 1989-01-20 | 1990-08-03 | ||
WO2003102005A1 (en) | 2002-05-30 | 2003-12-11 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Soluble late transition metal catalysts for olefin oligomerizations |
US7160834B2 (en) | 2003-03-18 | 2007-01-09 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Soluble group-10 α-diimine catalyst precursors, catalysts and methods for dimerizing and oligomerizing olefins |
JP4826636B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2011-11-30 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61183948A patent/JPS6339389A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6339389A (ja) | 1988-02-19 |
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