JP2882053B2

JP2882053B2 - 金属キレート化合物及びそれを用いた光学的記録媒体

Info

Publication number: JP2882053B2
Application number: JP3505857A
Authority: JP
Inventors: 徹郎村山; 修一前田; 悟今村; 昌子竹内; 卓美長尾
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1990-03-19
Filing date: 1991-03-19
Publication date: 1999-04-12
Anticipated expiration: 2014-04-12

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は、ジスアゾ化合物と金属塩との新規な金属キ
レート化合物及びそれを用いた光学的記録媒体に関す
る。

〔背景技術〕

レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存
及び再生を可能とするため、近年、特にその開発が取り
進められている。

光学的記録媒体の一例としては、光ディスクを挙げる
ことができる。一般に、光ディスクは、円形の基体に設
けられた薄い記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光
を照射し、高密度の情報記録を行うものである。その記
録は、照射されたレーザー光エネルギーを吸収すること
によって、その個所の記録層に、分解、蒸発、溶解等の
熱的変形が生成することにより行われる。また、記録さ
れた情報の再生は、レーザー光により変形が起きている
部分が起きていない部分の反射率の差を読み取ることに
より行われる。

従って、記録層はレーザー光のエネルギーを効率よく
吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられてい
る。

この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のもの
が知られている。例えば、特開昭55−97033号公報に
は、基板上にフタロシアニン系色素の単層を設けたもの
が開示されている。しかしながら、フタロシアニン系色
素は感度が低くまた分解点が高く蒸着しにくい等の問題
点を有し、さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低い
ため塗布によるコーティングに使用することができない
という問題点も有している。

また、特開昭58−112790号、同58−114989号、同59−
85791号、同60−83236号各公報等には、シアニン系色素
を記録層として設けたものが開示されている。しかし、
このような色素は溶解性が高く、塗布によるコーティン
グが可能であるという利点の反面、耐光性が劣るという
問題点を有している。このため、特開昭59−55795号公
報には、このシアニン系色素にクエンチャーを加えて耐
光性を向上させることが検討されているが、まだまだ不
十分なレベルである。

これらの問題点に関して特開昭62−30090号公報に
は、有機溶媒に対する溶解性及び耐光性を改良した記録
媒体として、モノアゾ系化合物と金属との錯体を用いた
記録媒体が開示されている。しかしながら、これらの化
合物は、感光波長が短く感度が劣り、さらに高温高湿下
での保存安定性が劣ることから、光学的記録媒体として
は問題点を有していた。

〔発明の開示〕

本発明は、下記一般式〔Ｉ〕（式中、Ｄは置換基を有していてもよい芳香族残基また
は置換基を有していてもよい複素環アミンの残基を表
し、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一
緒になって複素環を形成する残基を表し、Ｘはそれが結
合している二つの炭素原子と一緒になって芳香族を形成
する残基を表し、Ｙは活性水素を有する基を表す。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物およびそれを用いた光学的記録媒体に関する。

以下、本発明につき、詳細に説明する。

一般式〔Ｉ〕において、Ａはそれが結合している炭素
原子及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基
を表し、例えばとして下記のものが挙げられる。

前記式中、環Ｂはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチル基、
sec−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の
炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６の
アルコキシ基；又はフッ素原子、塩素原子、臭素原子等
のハロゲン原子で置換されていてもよく、R³は水素原
子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、tert−ブト
キシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；又
はフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の
炭素数６〜12のアリール基を表し、R¹⁵は水素原子又は
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、test−ブチル基、sec−ブチル基、
ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のア
ルキル基を表す。

一般式〔Ｉ〕中、Ｘは、それが結合している２つの炭
素原子と一緒になってベンゼン環、ナフタレン環等の芳
香属環を形成する残基を表す。また、Ｘは、-NR¹R²（こ
こで、R¹及びR²はそれぞれ独立して水素原子メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル
基等の炭素数１〜20のアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜12のアリー
ル基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、イソプ
ロペニル基、１−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、
２−ペンテニル基等の炭素数２〜10のアルケニル基；又
はシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、ソクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基等の炭素数３〜10のシクロアルキル基を表す。係
る炭素数１〜20のアルキル基、炭素数６〜12のアリール
基、炭素数２〜10のアルケニル基及び炭素数３〜10のシ
クロアルキル基はメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、tert−ブ
トキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オ
クチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜10
のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキ
シ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプ
ロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ
基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜12のアルコキシ
アルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシ
メトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メ
トキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメ
トキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３〜
15のアルコキシアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜12のアリール基；フェノキシ基、トリルオ
キシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素
数６〜12のアリールオキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒ
ドロキシル基；テトラヒドロフリル基；メチルスルホニ
ルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピル
スルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ
基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、tert−ブチルスル
ホニルアミノ基、sec−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ
−ベンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシルスルホニ
ルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミ
ノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原
子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボ
ニル基、sec−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオ
キシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカル
ボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロ
ピルカルボニルオキシ基、、イソプロピルカルボニルオ
キシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチル
カルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカ
ルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニ
ルオキシ基、；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシ
カルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ
基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシ
カルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ
基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチル
オキシカルボニルオキシ基、、ｎ−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等の置換されていてもよい。更にR¹及びR²で
表される炭素数６〜12のアリール基及び前述の炭素数３
〜10のシクロアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブ
チル基、sec−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基等の炭素数１〜６のアルキル基またはビニル基で置
換されていてもよい。）；メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチ
ル基、sec−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペ
ンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜
６のアルコキシ基；及びフッ素原子、塩素原子、臭素原
子等のハロゲン原子から選ばれる１個以上の置換基を有
していてもよい。

一般式〔Ｉ〕において、Ｄとしては、等の置換されていてもよい芳香族又は複素環アミンの残
基が挙げられる。前記式中、環Ｅの置換基あるいは置換
基R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹及びR¹⁰としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基等の炭素数１〜20のアルキル基；係る炭素数１〜20
のアルキル基で置換されていてもよい、シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数
３〜10のシクロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキ
シ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ
−ドデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基等の炭
素数１〜20のアルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；-COO
R¹⁷（ここでR¹⁷は、前述の炭素数１〜20のアルキル基；
前述の炭素数１〜20のアルキル基で置換されていてもよ
い炭素数３〜10のシクロアルキル基；または前述の炭素
数１〜20のアルキル基；上述の炭素数１〜20のアルキル
基で置換されていてもよい炭素数３〜10のシクロアルキ
ル基；及び前述の炭素数１〜20のアルコキシ基から選ば
れる１以上の置換基を有していてもよいフェニル基を表
す。）前述の炭素数１〜20のアルキル基又は前述の炭素
数１〜20のアルコキシ基で置換されていてもよいフェニ
ル基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、tert−ブチルスルホニル基、se
c−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、
ｎ−ヘキシルスルホニル基、ｎ−ヘプチルスルホニル
基、ｎ−オクチルスルホニル基、ｎ−デシルスルホニル
基等の炭素数１〜10のアルキルスルホニル基；フッ素原
子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；トリフルオ
ロメチル基等の炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基
等が挙げられる。ｎは１又は２である。置換基R¹¹、
R¹²、R¹³及びR¹⁴としては、アリル基；メチル基；エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基
等の炭素数１〜８のアルキル基；メトキシエチル基、メ
トキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシメチル
基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシ
ブチル基、プロポキシメチル基、プロポキシエチル基、
プロポキシプロピル基、プロポキシブチル基、ブトキシ
メチル基、ブトキシエチル基等の炭素数３〜８のアルコ
キシアルキル基；ベンジル基、フェネチル基、フェニル
プロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７〜13のアラ
ルキル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、
ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキ
シペンチル基、ヒドロキシヘキシル基等の炭素数１〜10
のヒドロキシアルキル基；トリフルオロメチル基等の炭
素数１〜13のパーフルオロアルキル基等が挙げられ、ｍ
は０、１又は２である。

一般式〔Ｉ〕において、Ｙとしては、−OH、−SH、−
COOH、-SO₂H、-SO₃H、-NH₂、-NHR¹⁶、-B(OH)₂、-PO(OH)
₂、-NHCOR¹⁶、-NHSO₂R¹⁶等の活性水素を有する基が挙げ
られる。

前記式中、R¹⁶はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチル基、
sec−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の
炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６の
アルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基；又はフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換
されていてもよいメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチル基、
sec−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の
炭素数１〜６のアルキル基を表す。

なお、Ｙが−OH、−COOH、-SO₃Hなどのように陰イオ
ン解離し得る基である場合には、金属キレート化合物形
成に際してはこのままの形で用いてもまた陽イオンとの
塩の形で用いてもよい。この陽イオンとしては、Na⁺、L
i⁺、K⁺等の無機系の陽イオン又は N⁺(C₂H₄)₄、N⁺(C₄H₉(n))₄、等の有機系の陽イオンが挙げられる。

本発明における好ましい化合物の一つの態様として、
下記一般式〔II〕（式中、Ｄ及びＸは前記定義に同じであり、環Ｂは置換
基を有していてもよい。Ｙ′は−COOHまたは-SO₃Hを表
す。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が挙げられる。

上記〔II〕式における環Ｂの置換基としては、前述の
炭素数１〜20のアルキル基、前述の炭素数１〜20のアル
コキシ基、前述のハロゲン原子等が挙げられる。

上記〔II〕式で表される化合物の中でも、更に下記一
般式〔III〕（式中、Ｄ、Ｂ、Ｙ′、R¹およびR²は前記定義に同じで
あり、環Ｃは置換基を有していてもよい。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が好ましく、特に下記一般式〔IV〕（式中、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｙ′、R¹およびR²は前記定義と同
じ。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が一層好ましい。

環Ｃの置換基としては、環Ｂと同様の置換基を挙げる
ことができる。

更に本発明における好ましい化合物の他の態様として、
下記一般式〔Ｖ〕（式中、Ｄ、Ｘ、ＹおよびR³は前記定義と同じ。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が挙げられる。

上記〔Ｖ〕式で表される化合物の中でも、更に下記一般
式〔VI〕（式中、Ｄ、Ｃ、R¹、R²およびR³は前記定義に同じ。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が好ましく、特に下記一般式〔VII〕（式中、Ｃ、Ｅ、R¹、R²およびR³は前記定義に同じ。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物が一層好ましい。

本発明においてジスアゾ化合物とキレートを形成する
金属としては、一般に係るジスアゾ化合物と金属キレー
ト化合物を形成する能力のある金属であるならば特に制
限はされないが、Ni、Co、Fe、Ru、Rh、Pd、Os、Lr、Pt
等の遷移元素が好ましく、特にNiまたはCoが好ましい。

本発明において、金属とキレートを形成するジスアゾ
化合物の具体例としては例えば以下のものが挙げられ
る。

次に、本発明のジスアゾ化合物の金属キレート化合物
の製造方法について説明する。

本発明の置換アニリン誘導体とカップリングして、前
記一般式〔III〕又は〔VI〕で示されるジスアゾ化合物
の金属キレート化合物は、例えば古川のAnalytica Chim
ica Acta 140（1982）281−289の記載に準じて合成する
ことができる。即ち、一般式〔VIII〕または一般式〔I
X〕（式中、Ｄ、環ＢおよびR³は前記定義に同じ）で示されるアミノ化合物を常法に従い、ジアゾ化し、下
記一般式〔Ｘ〕（式中、Ｃ、Ｙ′、R¹およびR²は前記定義と同じ）で示される置換アニリン誘導体とカップリングして、前
記一般式〔III〕又は〔VI〕で示されるジスアゾ化合物
を得、次いで上記ジスアゾ化合物と金属塩とを水及び／
又はジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、エタ
ノール等の有機溶媒中で反応させることによって本発明
の金属キレート化合物を製造することができる。

該金属キレート化合物の製造に用いる金属塩の陰イオ
ンとしては、SCN^-、SbF₆ ^-、Cl^-、Br^-、F^-、ClO₄ ^-、B
F₄ ^-、PF₆ ^-、CH₃COO^-、TiF₆ ^2-、SiF₆ ^2-、ZrF₆ ^2-、等の一価又は二価の陰イオンが好ましく、特にBF₄ ^-、PF
₆ ^-、CH₃COO^-が好ましく用いられる。

次に本発明の光学的記録媒体について説明する。

本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板と前記ジ
スアゾ化合物の金属キレート化合物を含む記録層とから
構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に
下引き層を設けることができる。また好ましい層構成と
しては、記録層上に金、アルミニウムのような金属反射
層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記型の
CDメディアとすることができる。

本発明における基板としては、使用するレーザー光に
対して透明又は不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又は箔状
の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるか、プ
ラスチックが種々の点から好適に使用できる。プラスチ
ックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂
等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点か
ら射出成形型のポリカーボネート樹脂基板が特に好まし
く用いられる。

本発明の光学的記録媒体におけるジスアゾ化合物と金
属とのキレート化合物を含有する記録層は、膜厚100Å
〜５μｍであることが好ましく、更に好ましくは1000Å
〜３μｍである。

成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ド
クターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法な
ど一般に行われている薄膜形成法で成膜することができ
るが、量産性、コスト面等からスピナー法が好ましい。

また、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢
酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト等の既知のものが用いられる。スピナー法による成膜
の場合、回転数は500〜5000r.p.m.が好ましく、スピン
コート後、必要に応じて加熱あるいは溶媒蒸気にあてる
等の処理を行うことができる。

また、記録層の安定性や耐光性向上のために、一重項
酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例え
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等）を含有してもよく、更に同系統の色素あ
るいはトリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン
系色素、スクワリリウム系色素、モノアゾ化合物の金属
キレート化合物、ニッケル−インドアニリン系色素等の
他系統の色素を併用することもできる。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬
法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラフルオロプロパノー
ル、オクタフルオロペンタノール、テトラクロロエタ
ン、ブロモホルム、ジブロモエタン、ジアセトンアルコ
ール、エチルセロソルブ、キシレン、３−ヒドロキシ−
３−メチル−２−ブタノン、クロロベンゼン、シクロヘ
キサノン、乳酸メチル等の沸点120〜160℃のものが好適
に使用される。

この中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性に優れる射
出成型ポリカーボネート樹脂基板に対しては、該基板を
おかすことなく、好適に使用できる溶媒として、特にジ
アセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２
−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、テトラ
フルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール等
のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒が挙
げられる。

本発明の光学的記録媒体の記録層は、基板の両面に設
けてもよいし、片面だけに設けてもよい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は、基体
の両面または片面に設けられた記録層に１μｍ程度に集
束したレーザー光、好ましくは半導体レーザーの光を照
射することにより行う。レーザー光の照射された部分に
は、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が生じる。従って、レーザー光
により熱的変形が起きている部分と起きていない部分の
反射率の差を読み取ることにより、記録された情報の再
生を行うことができる。

なお、本発明の光学的記録媒体の記録、再生に使用さ
れるレーザー光としては、N₂、He−Cd、Ar、He−Ne、ル
ビー、半導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に軽
量性、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導
体レーザーが好適に使用される。

図面の簡単な説明第１図は、実施例１のニッケルキレート化合物の可視
部吸収スペクトルを表す図面であり、縦軸は吸光度、横
軸は波長（nm）を表す。

第２図は、実施例１のニッケルキレート化合物の赤外
吸収スペクトルを表す図面である。

第３図は、実施例１の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図面であり、縦軸は吸光度、横軸は波長（nm）を表す。

第４図は、実施例２で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第５図は、実施例３で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第６図は、実施例４で得られたニッケルキレート化合
物の可視部吸収スペクトルを表す図面である。

第７図は、実施例４で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第８図は、実施例６で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第９図は、実施例９で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第10図は、実施例13で得られたニッケルキレート化合
物の可視部吸収スペクトルを表す図面である。

第11図は、実施例13で得られたニッケルキレート化合
物の赤外吸収スペクトルを表す図面である。

第12図は、実施例13の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図面である。

〔発明を実施するための資料の形態〕

以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、か
かる実施例は本発明の限定するものではない。

実施例１（ａ）化合物製造例下記構造式で表わされる２−アミノ−６−フェニルベンゾチアゾー
ル2.5gをリン酸15ml、酢酸15ml及びプロピオン酸5mlの
混合溶液に溶解し、０〜−３℃で45％ニトロシル硫酸3.
4gを用いジアゾ化した。

メタノール100mlに３−ジメチルアミノ安息香酸1.65g
を溶解させた溶液に、得られたジアゾ液を０〜５℃の温
度下で滴下し、酢酸ナトリウム、アンモニア水溶液等の
アルカリ化合物を用いて中和し、得られた結晶を濾別、
乾燥して下記構造式で表わされる褐色結晶2.5gを得た。
なお本化合物の最大吸収波長（クロロホルム中）は595n
mであった。

得られたジスアゾ化合物0.8gをテトラヒドロフラン50ml
に溶解し、40％ホウフッ化ニッケル2.6gを加えた後一度
濾別し、濾液をホウフッ化ナトリウム50gを水50mlに溶
かした溶液に注ぎ、さらに過剰の水を加えて結晶を析出
させた。得られた結晶を濾別、乾燥して黒色結晶のニッ
ケルキレート化合物0.5gを得た。本化合物の最大吸収波
長（クロロホルム中）は655nmであった（第１図参
照）。

なお、本化合物の赤外吸収スペクトルを第２図に示
す。

物性値融点:250℃以上 λmax＝655nm（クロロホルム中） ε＝12.1×10⁴ （ｂ）光学的記録媒体製造例前期製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gをオクタフルオロペンタノール
7.5gに溶解し、0.22μｍのフィルターで濾過して溶解液
を得た。この溶液5mlを深さ700Å、幅0.7μの溝（グル
ープ）を有する直径５インチの射出成型ポリカーボネー
ト樹脂基板上に滴下し、スピナー法により500rpmの回転
数で塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜
の最大吸収波長は635nm及び691nmであった。

第３図に塗布膜の吸収スペクトルを示す。

次に塗布膜の上に、スパッタリング法により膜厚2000
Åの金の膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この
反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートした後、
紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保護層を形成
し、光学的記録媒体を製造した。

（ｃ）光記録例上記記録媒体を1.2m/sで回転させながら、中心波長78
0nmの半導体レーザー光を記録パワー7.0mWで照射し、EF
M信号を記録した。次にこの記録部を中心波長780nmの半
導体レーザーを有するCDプレーヤーで再生したところ、
良好な再生信号を得た。

また、耐光性（キセノンフェードメーター加速テス
ト:60時間）及び保存安定性（70℃、85％RH;500時間）
試験を行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣
化はみられず、光学的記録媒体として極めて優れたもの
であった。

比較例１下記構造式で表わされるモノアゾ化合物とホウフッ化ニッケルとか
ら得られるニッケル錯体を用いたこと以外は実施例１と
同様にして光学的記録媒体を製造した。

感度、保存安定性について評価、比較したところ、本
発明の実施例１の光学的記録媒体と比べて、感度、保存
安定性とも劣るものであった。

実施例２（ａ）化合物製造例下記構造式で表わされるジスアゾ化合物0.3gをテトラヒドロフラン
30ml及び水30mlの混合溶液に溶解し、酢酸ニッケル0.08
0gを加えた後、室温で攪拌した。過剰の水を加えた後、
析出した結晶を濾別し、これをメタノール、トルエンで
洗浄し、乾燥して茶色結晶のニッケルキレート化合物0.
148gを得た。本品の最大吸収波長（クロロホルム中）は
673nmであった。なお、本化合物の赤外吸収スペクトル
を第４図に示す。

物性値融点:250℃以上 λmax＝673nm（クロロホルム中） ε＝9.7×10⁴ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gを用いた以外は実施例１と同様
にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波長は、65
2nm及び705nmであった。

次に、この塗布膜の上に、実施例１と同様にして、反
射層、保護層を形成して光学的記録媒体を製造した。

（ｃ）光記録例上記記録媒体を1.2m/sで回転させながら、中心波長78
0nmの半導体レーザー光で、記録パワー6.8mWで照射し、
EFM信号を記録した。次にこの記録部を中心波長780nmの
半導体レーザーを有するCDプレーヤーで再生したとこ
ろ、良好な再生信号を得た。

また、実施例１と同様にして耐光性及び保存性安定性
試験を行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣
化はみられず、光学記録媒体として極めて優れたもので
あった。

実施例３（ａ）化合物製造例下記構造式で表わされるジスアゾ化合物0.30gをテトラヒドロフラ
ン30ml及び水30mlの混合溶液に溶解し、酢酸ニッケル0.
087gを加えた後、室温で攪拌した。過剰の水を加えた後
析出した結晶を濾別し、これをメタノールで洗浄し乾燥
して茶色結晶のニッケルキレート化合物0.253gを得た。
化合物の最大吸収波長（クロロホルム中）は659nmであ
った。なお本化合物の赤外吸収スペクトルを第５図に示
す。

物性値融点:203〜204℃（分解） λmax＝659nm（クロロホルム中） ε＝7.5×10⁴ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例１と
同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波長
は、639nm及び695nmであった。

次に、この塗布膜の上に実施例１と同様にして、反射
層、保護層を形成して光学的記録媒体を製造した。

（ｃ）光記録例上記記録媒体に実施例１と同様にしてEFM信号を記録
し、再生したところ、良好な再生信号を得た。

また、耐光性及び保存安定性試験も実施例１と同様に
して行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化
はみられず、光学的記録媒体として極めて優れたもので
あった。

実施例４（ａ）化合物製造例下記構造式で表わされる２−アミノ−６−フェニルアゾベンゾチア
ゾール2.54gをリン酸25ml、酢酸35mlおよびプロピオン
酸12.5mlの混合溶液に溶解し、０〜−３℃で45％ニトロ
シル硫酸3.39gを用いてジアゾ化した。メタノール100ml
に３−ジエチルアミノベンゼンスルホン酸ナトリウム3.
14gを溶解させた溶液に、得られたジアゾ液を０〜５℃
の温度下で滴下し、酢酸ナトリウム、アンモニア水溶液
等のアルカリ化合物を用いて中和し、得られた結晶を濾
別、乾燥して下記構造式で表わされる黒紫色結晶1.84g
を得た。なお本化合物の最大吸収波長（クロロホルム
中）は566nmであった。

得られたジスアゾ化合物0.5g、酢酸ナトリウム0.08gを
テトラヒドロフラン30ml及び水30mlの混合溶液に溶解
し、酢酸ニッケル0.14gを加えた後、室温で20時間攪拌
した。これを300mlの水に加えた後、析出した結晶を濾
別し、メタノール、水で洗浄し、乾燥して緑茶色結晶の
ニッケルキレート化合物0.22gを得た。本品の最大吸収
波長（クロロホルム中）は665nmであった。

なお、本化合物の赤外吸収スペクトルを第６図に示
す。

物性値融点:250℃以上 λmax＝665nm（クロロホルム中） ε＝1.30×10⁵ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得られたジスアゾ化合物とニッケ
ルとのキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例
１と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波
長は649nm及び706nmであった。

次に、この塗布膜の上に、実施例１と同様にして反射
層、保護層を形成し、光学的記録媒体を製造した。

また、耐光性及び保存安定性試験も実施例１と同様に
行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみ
られず、光学的記録媒体として極めて優れたものであっ
た。

実施例５（ａ）化合物製造例実施例４で製造したジスアゾ化合物0.5gおよび酢酸ナ
トリウム0.08gをテトラヒドロフラン30ml及び水30mlの
混合溶液に溶解し、酢酸コバルト0.15gを加えた後、室
温で20時間攪拌した。これを300mlの水に加えた後、析
出した結晶を濾別し、メタノール、水で洗浄し、乾燥し
て茶色結晶コバルトキレート化合物0.15gを得た。本化
合物の最大吸収波長（クロロホルム中）は658nmであっ
た。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得られたジスアゾ化合物とコバル
トとのキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例
１と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波
長は643nm及び699nmであった。

（ｃ）光記録例上記記録媒体に実施例１と同様にしてEFM信号を記録
し再生したところ、良好な再生信号を得た。

実施例６（ａ）化合物製造例下記構造式で表されるジスアゾ化合物0.8g、酢酸ナトリウム0.14g
をテトラヒドロフラン20ml及び水20mlの混合溶液に溶解
し、酢酸ニッケル0.26gを加えた後、室温で２時間攪拌
した。析出した結晶を濾別し、メタノール、トルエンで
洗浄、乾燥して、茶色結晶のニッケルキレート化合物0.
34gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロホルム
中）は658nmであった。本化合物の赤外吸収スペクトル
を第８図に示す。

物性値融点:250℃ λmax＝658nm（クロロホルム中） ε＝6.7×10⁴ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gを用いた以外は実施例１と同様
にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波長は650n
m及び713nmであった。

また、耐光性及び保存安定性試験も実施例１と同様に
行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみ
られず、光学記録媒体として極めて優れたものであっ
た。

実施例７（ａ）化合物製造例下記構造式で表されるジスアゾ化合物0.66gをメタノール35mlに溶
解し、酢酸ニッケル0.17gを加えた後、室温で５時間攪
拌した。析出した結晶を濾別し、これをメタノールで洗
浄、乾燥すると、茶色結晶のニッケルキレート化合物0.
010gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロホルム
中）は659nmであった。

物性値融点:250℃以上 λmax＝659nm（クロロホルム中） ε＝1.25×10⁵ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得られたジスアゾ化合物とニッケ
ルとのキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例
１と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波
長643nm及び704nmであった。

実施例８（ａ）化合物製造例前記実施例７で用いたジスアゾ化合物0.66gをメタノ
ール35mlに溶解し、酢酸コバルト0.17gを加えた後、室
温で５時間攪拌した。析出した結晶を濾別し、メタノー
ルで洗浄し、乾燥すると、茶色結晶のコバルトキレート
化合物0.14gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロ
ホルム中）は652nmであった。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得られたジスアゾ化合物のコバル
トキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例１と
同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波長は
643nm及び692nmであった。

また、耐光性及び保存安定性試験も実施例１と同様に
結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられ
ず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

実施例９（ａ）化合物製造例下記構造式で表されるジスアゾ化合物0.3g、酢酸ナトリウム0.048g
をテトラヒドロフラン30ml、水30mlに溶解し、酢酸ニッ
ケル0.087gを加えた後、室温で20時間攪拌した。析出し
た結晶を濾別し、これをメタノール、水、トルエンで洗
浄し、乾燥して茶色結晶のニッケルキレート化合物0.16
gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロホルム中）
は665nmであった。本化合物の赤外吸収スペクトルを第
９図に示す。

物性値融点:250℃以上 λmax＝665nm（クロロホルム中） ε＝1.19×10⁵ （ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得られたジスアゾ化合物のニッケ
ルとのキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例
１と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波
長は646nm及び714nmであった。

（ｃ）光記録例上記記録媒体に実施例１と同様にしてEFM信号を記録
し再生したところ、良好な再生信号を得た。また、耐光
性及び保存安定性試験も実施例１と同様に行った結果、
初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学
的記録媒体として極めて優れたものであった。

実施例10 （ａ）化合物製造例下記構造式で表わされるジスアゾ化合物0.8gをジオキサン50mlに溶
解し、40％ホウフッ化ニッケル2.6gを加えた後、濾別し
た。NH₄PF₆50gを水50mlに溶解した溶液に濾液を注ぎ、
さらに過剰の水を加えて結晶を析出させた。得られた結
晶を濾別、乾燥して黒色結晶のニッケルキレート化合物
0.55gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロホルム
中）は646nmであった。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gをテトラフルオロプロパノール5
gを溶解したこと以外は実施例１と同様にして塗布膜を
形成した。塗布膜の最大吸収波長は626nm及び682nmであ
った。

次にこの塗布膜の上に、実施例１と同様にして反射
層、保護層を形成し、光学的記録媒体を製造した。

実施例11 （ａ）製造例下記構造式で表わされるジスアゾ化合物をアセトン50mlに溶解し、
40％ホウフッ化ニッケル2.6gを加えた後、濾別した。ホ
ウフッ化ナトリウム50gを水50mlに溶解した溶液に濾液
を注ぎ、さらに過剰の水を加えて結晶を析出させた。得
られた結晶を濾別、乾燥して、黒色結晶のニッケルキレ
ート化合物0.5gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロ
ロホルム中）は640nmであった。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物のニッケルキ
レート化合物0.15gをジアセトンアルコール5gを溶解し
たこと以外は実施例１と同様にして塗布膜を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は621nm及び678nmであった。

（ｃ）光記録例上記記録媒体を4m/sで回転させながら、中心波長633n
mの約１μｍのHe−Neレーザー光を記録パワー6.0mWで照
射したところ、輪郭のはっきりしたピットが形成され
た。

また、実施例１と同様に耐光性及び保存安定性試験を
行なった結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化は
みられず、光学記録媒体として極めて優れたものであっ
た。

実施例12 実施例１〜11に記載した方法に準じて表１及び表２に
示した化合物を合成し、金属とのキレート化合物を得
た。次いでこれらの金属キレート化合物を使用して得た
溶液を基板上に塗布して、光学記録媒体を得た。半導体
レーザーを光源として書き込みを行ったところ、いずれ
の媒体も感度が良好で、耐光性、保存安定性にも優れて
いた。

金属キレート化合物のクロロホルム中での可視吸収ス
ペクトルの極大波長を表１に、また金属キレート化合物
を用いた塗布膜の最大吸収波長を表２にそれぞれ示す。

実施例13 （ａ）化合物製造例下記構造式で表わされる２−アミノ−４−メチル−５−フェニルア
ゾチアゾール2.18gをリン酸30ml、酢酸60ml及びプロピ
オン酸5mlの混合溶液に溶解し、０〜−５℃で45％ニト
ロシル硫酸3.38gを用いてジアゾ化した。メタノール100
mlに３−ジメチルアミノ安息香酸1.65gを溶解させた溶
液に、得られたジアゾ液を０〜５℃の温度下で滴下し、
酢酸ナトリウム、アンモニア水溶液等のアルカリ化合物
を用いて中和し、得られた結晶を濾別、乾燥して下記構
造式で表わされる黒褐色結晶1.75gを得た。なお本化合
物の最大吸収波長（クロロホルム中）は623nmであっ
た。

得られたジスアゾ化合物1.0gをテトラヒドロフラン50
mlに溶解し、40％ホウフッ化ニッケル3.6gを加えた後一
度濾別し、濾液をホウフッ化ナトリウム50gを水50mlに
溶かした溶液に注ぎ、さらに過剰の水を加えて結晶を析
出させた。得られた結晶を濾別し、乾燥して黒色結晶の
ニッケルキレート化合物0.2gを得た。本化合物の最大吸
収波長（クロロホルム中）は650nmであった。（第10図
参照）。

また、本化合物の赤外吸収スペクトルを第11図に示
す。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物のとニッケル
とのキレート化合物0.15gを用いたこと以外は実施例１
と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の最大吸収波長
は660nm及び715nmであった。第12図に塗布膜の吸収スペ
クトルを示す。

（ｃ）光記録例上記光学的記録媒体を1.2m/sで回転させながら、中心
波長780nmの半導体レーザー光で、記録パワー7.0mWで照
射したところ、明瞭なピットが形成された。

また、実施例１と同様にして耐光性及び保存安定性試
験を行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化
は見られず、光学的記録媒体として極めて優れたもので
あった。

実施例14 （ａ）化合物製造例下記構造式で表わされるジスアゾ化合物1.0gをジオキサン50mlに溶
解し、40％ホウフッ化ニッケル3.6gを加えた後、濾別し
た。NH₄PF₆50gを水50mlに溶解した溶液に濾液を注ぎ、
さらに過剰の水を加えて結晶を析出させた。得られた結
晶を濾別、乾燥して黒色結晶のニッケルキレート化合物
0.35gを得た。本化合物の最大吸収波長（クロロホルム
中）は642nmであった。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15gをテトラフルオロプロパノール5
gに溶解したこと以外は実施例１と同様にして塗布膜を
形成した。塗布膜の最大吸収波長は645nm及び700nmであ
った。

また、耐光性及び保存安定性試験も実施例１と同様に
行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化は見
られず、光学的記録媒体として極めて優れたものであっ
た。

実施例15 （ａ）製造例下記構造例で表わされるジスアゾ化合物1.0gをアセトン50mlに溶解
し、40％ホウフッ化ニッケル3.6gを加えた後、濾別し
た。ホウフッ化ナトリウム50gを水50mlに溶解した溶液
に濾液を注ぎ、さらに過剰の水を加えて結晶を析出させ
た。得られた結晶を濾別、乾燥して黒色結晶のニッケル
キレート化合物0.3gを得た。本化合物の最大吸収波長
（クロロホルム中）は640nmであった。

（ｂ）光学的記録媒体製造例前記製造例（ａ）で得たジスアゾ化合物とニッケルと
のキレート化合物0.15をジアセトンアルコール5gを溶解
したこと及びスピナー法の回転数を700rpmとしたこと以
外は実施例１と同様にして塗布膜を形成した。塗布膜の
最大吸収波長は650nm及び703nmであった。

（ｃ）光記録例上記記録媒体を実施例11と同様に4m/sで回転させなが
ら、中心波長633nmの約１μｍのHe−Neレーザー光を記
録パワー6.0mWで照射したところ、輪郭のはっきりした
ピットが形成された。

また、実施例１と同様に耐光性及び保存安定性試験を
行った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化は見
られず、光学的記録媒体として極めて優れたものであっ
た。

実施例16 実施例13〜15に記載した方法に準じて表３に示した化
合物を合成し、金属とのキレート化合物を得た。次いで
これらの金属キレート化合物を使用して得た溶液を基板
上に塗布して、光学記録媒体を得た。半導体レーザーを
光源として書き込みを行ったところ、いずれの媒体も感
度が良好で、耐光性、保存安定性にも優れていた。

金属キレート化合物を用いた塗布膜の最大吸収波長を
表３に示す。

また、前記実施例で用いた化合物の他、本発明の光学
的記録媒体に好適に使用されるジスアゾ化合物の金属と
の金属キレート化合物の具体例は表４の通りである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号特願平2−263627 (32)優先日平２(1990)10月１日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (56)参考文献特公平７−51682（ＪＰ，Ｂ２) 特公平７−51673（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C09B 45/00 - 45/48 B41M 5/26 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式〔Ｉ〕（式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
と一緒になって複素環を形成する残基を表し、Ｘはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香族を
形成する残基を表し、Ｄは置換基を有していてもよい芳
香族残基また置換基を有していてもよい複素環アミンの
残基を表し、Ｙは活性水素を有する基を表す。）で示されるジスアゾ化合物と金属との金属キレート化合
物。
【請求項２】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、一般式〔Ｉ〕におけるが、下記式（各式中、環Ｂは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１
〜６のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていて
もよく、R³は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭
素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子又は炭素数６
〜12のアリール基を表し、R¹⁵は水素原子又は炭素数１
〜６のアルキル基を表す。）で示される残基よりなる群から選ばれたものであること
を特徴とする金属キレート化合物。
【請求項３】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、一般式〔Ｉ〕における残基Ｘが、-NR¹R
²（式中、R¹及びR²はそれぞれ独立して、水素原子、置
換基を有していてもよい炭素数１〜20のアルキル基、置
換基を有していてもよい炭素数６〜12のアリール基、置
換基を有していてもよい炭素数２〜10のアルケニル基又
は置換基を有していてもよい炭素数３〜10のシクロアル
キル基を表す。）、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数
１〜６のアルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる１
個以上の置換基を有していることを特徴とする金属キレ
ート化合物。
【請求項４】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、一般式〔Ｉ〕における残基Ｄが、下記式〔各式中、環Ｅは置換基を有していてもよく、環Ｅの置
換基、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ独立
して、炭素数１〜20のアルキル基、炭素数１〜20のアル
キル基で置換されていてもよい炭素数３〜10のシクロア
ルキル基、炭素数１〜20のアルコキシ基、ニトロ基、シ
アノ基、-COOR¹⁷（式中、R¹⁷は炭素数１〜20のアルキル
基、置換基を有していてもよい炭素数３〜10のシクロア
ルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表
す。）、炭素数１〜20のアルキル基又は炭素数１〜20の
アルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基、炭素
数１〜10のアルキルスルホニル基、ハロゲン原子又は炭
素数１〜３のパーフルオロアルキル基を表し、ｎは１又
は２であり、ｍは１、２又は３である。〕で示される残基よりなる群から選ばれたものであること
を特徴とする金属キレート化合物。
【請求項５】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、一般式〔Ｉ〕における置換基Ｙが、−OH、
−SH、−COOH、-SO₂H、-SO₃H、-NH₂、-B(OH)₂、-PO(OH)
₂、-NHR¹⁶、-NHCOR¹⁶及び-NHSO₂R¹⁶（各式中、R¹⁶は、
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基又
はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜６の
アルキル基を表す。）よりなる群から選ばれたもの又はその塩であることを特
徴とする金属キレート化合物。
【請求項６】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔II〕（式中、環Ｂは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていても
よく、Ｘはそれが結合している二つの炭素原子と一緒に
なって芳香族を形成する残基を表し、Ｄは置換基を有し
ていてもよい芳香族残基または置換基を有していてもよ
い複素環アミンの残基を表し、Ｙ′は−COOH、-SO₃H又
はこれらの塩を表す。）で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とする金属
キレート化合物。
【請求項７】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔III〕（式中、環Ｂは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていても
よく、Ｄは置換基を有していてもよい芳香族残基または
置換基を有していてもよい複素環アミンの残基を表し、
Ｙ′は−COOH、-SO₃H又はこれらの塩を表し、R¹及びR²
はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していても
よい炭素数１〜20のアルキル基、置換基を有していても
よい炭素数６〜12のアリール基、置換基を有していても
よい炭素数２〜10のアルケニル基又は置換基を有してい
てもよい炭素数３〜10のシクロアルキル基で示されるジ
スアゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合
物。
【請求項８】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔IV〕（式中、環Ｂは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されていても
よく、Ｙ′は−COOH、-SO₃H又はこれらの塩を表し、R¹
及びR²はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有して
いてもよい炭素数１〜20のアルキル基、置換基を有して
いてもよい炭素数６〜12のアリール基、置換基を有して
いてもよい炭素数２〜10のアルケニル基又は置換基を有
していてもよい炭素数３〜10のシクロアルキル基を表
し、環Ｃおよび環Ｅはそれぞれ置換基を有していてもよ
い。）で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とする金属
キレート化合物。
【請求項９】請求の範囲第１項記載の金属キレート化合
物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔Ｖ〕（式中、Ｘはそれが結合している二つの炭素原子と一緒
になって芳香族を形成する残基を表し、Ｄは置換基を有
していてもよい芳香族残基または置換基を有していても
よい複素環アミンの残基を表し、Ｙは、活性水素を有す
る基又はその塩を表し、R³は水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原
子又は炭素数６〜12のアリール基を表す。）で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とする金属
キレート化合物。
【請求項１０】請求の範囲第１項記載の金属キレート化
合物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔VI〕（式中、Ｄは置換基を有していてもよい芳香族残基また
は置換基を有していてもよい複素環アミンの残基を表
し、R¹及びR²はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を
有していてもよい炭素数１〜20のアルキル基、置換基を
有していてもよい炭素数６〜12のアリール基、置換基を
有していてもよい炭素数２〜10のアルケニル基又は置換
基を有していてもよい炭素数３〜10のシクロアルキル基
を表し、R³は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭
素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子又は炭素数６
〜12のアリール基を表し、環Ｃは置換基を有していても
よい。）で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とする金属
キレート化合物。
【請求項１１】請求の範囲第１項記載の金属キレート化
合物において、ジスアゾ化合物が下記一般式〔VII〕（式中R¹及びR²はそれぞれ独立して、水素原子、置換基
を有していてもよい炭素数１〜20のアルキル基、置換基
を有していてもよい炭素数６〜12のアリール基、置換基
を有していてもよい炭素数２〜10のアルケニル基又は置
換基を有していてもよい炭素数３〜10のシクロアルキル
基を表し、R³は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、
炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子又は炭素数
６〜12のアリール基を表し、環Ｃおよび環Ｅはそれぞれ
置換基を有していてもよい。）で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とする金属
キレート化合物。
【請求項１２】基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学的
記録媒体において、該記録層が請求の範囲第１項ないし
第11項のいずれか１項に記載されているジスアゾ化合物
と金属とのキレート化合物を含有することを特徴とする
光学的記録媒体。
【請求項１３】請求の範囲第12項に記載されている光学
的記録媒体において、金属が遷移元素であることを特徴
とする光学的記録媒体。
【請求項１４】請求の範囲第13項に記載されている光学
的記録媒体において、金属がコバルト又はニッケルであ
ることを特徴とする光学的記録媒体。
【請求項１５】請求の範囲第12項ないし第14項のいずれ
か１項に記載されている光学的記録媒体において、記録
層上に金属に反射層および保護層を設けたことを特徴と
する光学的記録媒体。