JP2000309722A - 金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体 - Google Patents
金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体Info
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短い波長のレーザー光による記録・再生特性
に優れた光学記録媒体を得ることができる色素を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（１）または（２）で示され
るアゾ系化合物と金属との金属キレート色素。 【化１】
に優れた光学記録媒体を得ることができる色素を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（１）または（２）で示され
るアゾ系化合物と金属との金属キレート色素。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の構造のアゾ
系化合物と金属との金属キレート色素及び該色素を用い
た光学記録媒体に関するものである。近年、発振波長の
短い半導体レーザーの開発が進められ、従来の７８０ｎ
ｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用いた高密
度の記録再生可能な光学記録媒体が求められている。従
来提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒
体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有
機色素系光記録媒体、等がある。これらの中で、安価で
プロセス上容易であるという点で、有機色素系光学記録
媒体は有意性を有するものと考えられている。現在、有
機色素系光学記録媒体としては、反射率の高い金属層を
有機色素層の上に積層したタイプのＣＤ−Ｒが、量産化
され広く知られているが、今後、これよりもさらに短波
長半導体レーザーで記録再生可能な、高密度の有機色素
系光学記録媒体が必要になると考えられる。
系化合物と金属との金属キレート色素及び該色素を用い
た光学記録媒体に関するものである。近年、発振波長の
短い半導体レーザーの開発が進められ、従来の７８０ｎ
ｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用いた高密
度の記録再生可能な光学記録媒体が求められている。従
来提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒
体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有
機色素系光記録媒体、等がある。これらの中で、安価で
プロセス上容易であるという点で、有機色素系光学記録
媒体は有意性を有するものと考えられている。現在、有
機色素系光学記録媒体としては、反射率の高い金属層を
有機色素層の上に積層したタイプのＣＤ−Ｒが、量産化
され広く知られているが、今後、これよりもさらに短波
長半導体レーザーで記録再生可能な、高密度の有機色素
系光学記録媒体が必要になると考えられる。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＣＤ−Ｒとし
て使用されている媒体は、例えば６８０ｎｍ、６５０ｎ
ｍ、６３５ｎｍなどの、本来の記録再生波長（７８０ｎ
ｍ）より短い波長で使用すると、反射率が低く記録再生
ができないという問題を有している。また、短波長での
記録用として現在提案されている媒体であっても、記録
時の色素分解による記録部の変形が大きい、変調度があ
まり得られない、耐光性や耐久性が不十分である、等の
問題を有している。本発明者らは先に特開平３−２６８
９９４号公報において、耐光性と耐久性に優れた新規な
アゾ系金属キレート化合物を使用した光学記録媒体を提
案したが、短波長半導体レーザーによる記録、再生特性
が不十分であった。
て使用されている媒体は、例えば６８０ｎｍ、６５０ｎ
ｍ、６３５ｎｍなどの、本来の記録再生波長（７８０ｎ
ｍ）より短い波長で使用すると、反射率が低く記録再生
ができないという問題を有している。また、短波長での
記録用として現在提案されている媒体であっても、記録
時の色素分解による記録部の変形が大きい、変調度があ
まり得られない、耐光性や耐久性が不十分である、等の
問題を有している。本発明者らは先に特開平３−２６８
９９４号公報において、耐光性と耐久性に優れた新規な
アゾ系金属キレート化合物を使用した光学記録媒体を提
案したが、短波長半導体レーザーによる記録、再生特性
が不十分であった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】先に本出願人は、アゾ系
金属キレート化合物のカップリング成分のベンゼン環に
結合しているアルキルスルホニルアミノ基がフッ素で置
換され、しかもカップリング成分のベンゼン環が特定の
アミノ基を有することにより、耐光性と耐久性に優れ、
記録、再生特性が著しく改良された光学記録媒体を提供
できる色素を見い出し、出願を行なった。今般本発明者
らは、更にカップリング成分のベンゼン環上のアミノ基
がベンゼン環に縮合する形で環を形成することにより、
光学記録媒体の記録特性がより向上する傾向があること
を見い出し、本発明に到達した。
金属キレート化合物のカップリング成分のベンゼン環に
結合しているアルキルスルホニルアミノ基がフッ素で置
換され、しかもカップリング成分のベンゼン環が特定の
アミノ基を有することにより、耐光性と耐久性に優れ、
記録、再生特性が著しく改良された光学記録媒体を提供
できる色素を見い出し、出願を行なった。今般本発明者
らは、更にカップリング成分のベンゼン環上のアミノ基
がベンゼン環に縮合する形で環を形成することにより、
光学記録媒体の記録特性がより向上する傾向があること
を見い出し、本発明に到達した。
【０００４】すなわち本発明は、下記一般式（１）また
は（２）で示されるアゾ系化合物と金属との金属キレー
ト色素および該色素を記録層に含有する光学記録媒体を
その旨とする。
は（２）で示されるアゾ系化合物と金属との金属キレー
ト色素および該色素を記録層に含有する光学記録媒体を
その旨とする。
【０００５】
【化２】
【０００６】（式中、環Ｅはそれぞれ結合している炭素
原子及び窒素原子と一緒になって形成する複素環を表
し、環Ａは５〜８員環を表し、環Ｂは少なくともＸ1 及
び／又はＸ2 で置換されたベンゼン環を表す。環Ｅおよ
び環Ａは置換されていてもよい。Ｃ1 は炭素原子を表わ
し、Ｒ1 は水素原子、置換されていてもよい直鎖または
分岐のアルキル基、またはＣ1 の炭素原子と結合して形
成する、６員環以外の環を表す。Ｘ1 かＸ2 の少なくと
もいずれか一方がＮＨＳＯ2 Ｙ基を表し、Ｙは少なくと
も２つのフッ素原子で置換されている直鎖または分岐の
アルキル基を表す。）
原子及び窒素原子と一緒になって形成する複素環を表
し、環Ａは５〜８員環を表し、環Ｂは少なくともＸ1 及
び／又はＸ2 で置換されたベンゼン環を表す。環Ｅおよ
び環Ａは置換されていてもよい。Ｃ1 は炭素原子を表わ
し、Ｒ1 は水素原子、置換されていてもよい直鎖または
分岐のアルキル基、またはＣ1 の炭素原子と結合して形
成する、６員環以外の環を表す。Ｘ1 かＸ2 の少なくと
もいずれか一方がＮＨＳＯ2 Ｙ基を表し、Ｙは少なくと
も２つのフッ素原子で置換されている直鎖または分岐の
アルキル基を表す。）
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。前記一般式（１）または（２）において、環Ｅはそ
れぞれ結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になっ
て形成する複素環であればよく、それらの群であれば特
に制限されないが、好ましくは下記のものが挙げられ
る。
る。前記一般式（１）または（２）において、環Ｅはそ
れぞれ結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になっ
て形成する複素環であればよく、それらの群であれば特
に制限されないが、好ましくは下記のものが挙げられ
る。
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、Ｄ1 〜Ｄ42は水素原子、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、
ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素
数１から６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオル
基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバ
レリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイ
ル基等の炭素数１〜６のアルキルカルボニル基；ビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル
基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素
数３〜６の環状アルケニル基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル
基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオ
キシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；
シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０の
アルキルアミノ基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数
３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ
基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６の
アルキルスルホニル基；置換基を有していてもよい炭素
数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭
素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＤ43＝Ｃ
（ＣＮ）Ｄ44（Ｄ43は水素原子またはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６のアルキル基
を表わし、Ｄ44はシアノ基またはメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｎ−
ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコ
キシ基を表わす。）；
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、
ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素
数１から６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオル
基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバ
レリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイ
ル基等の炭素数１〜６のアルキルカルボニル基；ビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル
基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素
数３〜６の環状アルケニル基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル
基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオ
キシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；
シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０の
アルキルアミノ基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数
３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ
基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６の
アルキルスルホニル基；置換基を有していてもよい炭素
数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭
素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＤ43＝Ｃ
（ＣＮ）Ｄ44（Ｄ43は水素原子またはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６のアルキル基
を表わし、Ｄ44はシアノ基またはメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｎ−
ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコ
キシ基を表わす。）；
【００１０】
【化４】
【００１１】Ｄ45〜Ｄ47はそれぞれ独立して水素原子、
ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭
素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅ
ｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わ
す。）；
ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭
素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅ
ｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わ
す。）；
【００１２】
【化５】
【００１３】Ｄ48〜Ｄ50はそれぞれ独立して水素原子、
ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭
素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅ
ｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わし、
Ｌは−ＳＣＨ2 −、−ＳＯ2 −を表わす。）；トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、
パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオ
ロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アル
キル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエト
キシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等炭素数１から６のハロ
ゲン化アルコキシ基；トリフルオロメチルチオ基、トリ
フルオロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、
ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ
イソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ
基、パーフルオロ−ｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−
ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチ
オ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素数１か
ら６のハロゲン化アルキルチオ基等を表わす。）
ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭
素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅ
ｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わし、
Ｌは−ＳＣＨ2 −、−ＳＯ2 −を表わす。）；トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、
パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオ
ロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アル
キル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエト
キシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等炭素数１から６のハロ
ゲン化アルコキシ基；トリフルオロメチルチオ基、トリ
フルオロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、
ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ
イソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ
基、パーフルオロ−ｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−
ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチ
オ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素数１か
ら６のハロゲン化アルキルチオ基等を表わす。）
【００１４】環Ｅに対する置換基Ｄ1 〜Ｄ42として挙げ
たもののうち好ましい基は、環Ｅの構造によって多少異
なるが、水素、無置換のアルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基、アルキルチオ基、無置換のアルコキシ基、ハロゲ
ン化アルコキシ基、アルケニル基、アルデヒド基、カル
ボキシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボ
ニル基、シアノ基、ニトロ基またはハロゲン原子であ
る。
たもののうち好ましい基は、環Ｅの構造によって多少異
なるが、水素、無置換のアルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基、アルキルチオ基、無置換のアルコキシ基、ハロゲ
ン化アルコキシ基、アルケニル基、アルデヒド基、カル
ボキシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボ
ニル基、シアノ基、ニトロ基またはハロゲン原子であ
る。
【００１５】また、前記一般式（１）、（２）における
環Ａは置換されていてもよい５〜８員環を表し、より好
ましくは５員環または６員環を表す。置換基としては、
特に制限はないが、以下にＲ1 として挙げるもの（但
し、炭素原子Ｃ1 と結合して環を形成するものを除く）
がいずれも使用できる。中でも無置換のアルキル基が特
に好ましい。Ｒ1 は水素原子、置換されてもよい直鎖ま
たは分岐のアルキル基、またはＣ1の炭素原子と結合し
て形成する６員環以外の環を表すが、置換されてもよい
直鎖または分岐のアルキル基を表す場合、Ｒ1 はメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−
オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オク
タデシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアル
キル基、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖または分岐の
アルキル基、より好ましくは炭素数１〜６の直鎖または
分岐のアルキル基を表わす。
環Ａは置換されていてもよい５〜８員環を表し、より好
ましくは５員環または６員環を表す。置換基としては、
特に制限はないが、以下にＲ1 として挙げるもの（但
し、炭素原子Ｃ1 と結合して環を形成するものを除く）
がいずれも使用できる。中でも無置換のアルキル基が特
に好ましい。Ｒ1 は水素原子、置換されてもよい直鎖ま
たは分岐のアルキル基、またはＣ1の炭素原子と結合し
て形成する６員環以外の環を表すが、置換されてもよい
直鎖または分岐のアルキル基を表す場合、Ｒ1 はメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−
オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オク
タデシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアル
キル基、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖または分岐の
アルキル基、より好ましくは炭素数１〜６の直鎖または
分岐のアルキル基を表わす。
【００１６】かかる炭素数１〜２０の直鎖または分岐の
アルキル基はメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブ
トキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のア
ルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、
メトキシメトキシエトキシ基、メトエキシエトキシメト
キシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキ
シメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の
炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；
アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、
ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキ
シ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオ
キシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；
テトラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エ
チルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミ
ノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルス
ルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチル
スルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニル
オキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカ
ルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、
ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカル
ボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基；ｎ−ヘキシルカルボ
ニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオ
キシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イ
ソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。これらＲ1 の中
で、特に好ましいのは、無置換のアルキル基、ハロゲン
原子またはアルケニル基で置換されたアルキル基であ
る。
アルキル基はメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブ
トキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のア
ルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、
メトキシメトキシエトキシ基、メトエキシエトキシメト
キシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキ
シメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の
炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；
アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、
ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキ
シ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオ
キシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；
テトラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エ
チルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミ
ノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルス
ルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチル
スルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニル
オキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカ
ルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、
ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカル
ボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基；ｎ−ヘキシルカルボ
ニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオ
キシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イ
ソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。これらＲ1 の中
で、特に好ましいのは、無置換のアルキル基、ハロゲン
原子またはアルケニル基で置換されたアルキル基であ
る。
【００１７】またＲ1 がＣ1 の炭素原子と環を形成する
場合は６員環以外の環を表し、より好ましくは５員環、
７員環または８員環を表す。環Ｂは少なくともＸ1 及び
／又はＸ2 で置換されたベンゼン環であるが、その置換
基Ｘ1 、Ｘ2 としてはそれぞれ−ＮＨＳＯ2 Ｙ（Ｙは少
なくとも２つのフッ素原子で置換されている直鎖または
分岐のアルキル基である）か、または、ハロゲン原子、
置換されていてもよい直鎖または分岐のアルキル基、置
換されていてもよい直鎖または分岐のアルコキシ基等が
挙げられる。置換されていてもよい直鎖または分岐のア
ルキル基としては、Ｒ1 として挙げたものがいずれも使
用できるが、中でも無置換のアルキル基またはハロゲン
化アルキル基が好ましい。また置換されていてもよい直
鎖または分岐のアルコキシ基としても、そのアルキル鎖
部分がＲ1 の「置換されていてもよい直鎖または分岐の
アルキル基」として挙げたもののいずれかであるアルコ
キシ基が使用できるが、中でも好ましいのは、無置換の
アルコキシ基およびハロゲン化アルコキシ基である。こ
れらは環Ｂにおいて、Ｃ1 で表される炭素原子に結合し
ていても、Ｘ1 またはＸ2 のいずれか一方のみが−ＮＨ
ＳＯ2 Ｙ基であった場合の他方に相当しても、どちらで
もよい。なお、環Ｂは炭素原子Ｃ1 でも置換されていて
よく、その場合の置換基としては、Ｘ1 およびＸ2 とし
て上述した基がいずれも使用できる。
場合は６員環以外の環を表し、より好ましくは５員環、
７員環または８員環を表す。環Ｂは少なくともＸ1 及び
／又はＸ2 で置換されたベンゼン環であるが、その置換
基Ｘ1 、Ｘ2 としてはそれぞれ−ＮＨＳＯ2 Ｙ（Ｙは少
なくとも２つのフッ素原子で置換されている直鎖または
分岐のアルキル基である）か、または、ハロゲン原子、
置換されていてもよい直鎖または分岐のアルキル基、置
換されていてもよい直鎖または分岐のアルコキシ基等が
挙げられる。置換されていてもよい直鎖または分岐のア
ルキル基としては、Ｒ1 として挙げたものがいずれも使
用できるが、中でも無置換のアルキル基またはハロゲン
化アルキル基が好ましい。また置換されていてもよい直
鎖または分岐のアルコキシ基としても、そのアルキル鎖
部分がＲ1 の「置換されていてもよい直鎖または分岐の
アルキル基」として挙げたもののいずれかであるアルコ
キシ基が使用できるが、中でも好ましいのは、無置換の
アルコキシ基およびハロゲン化アルコキシ基である。こ
れらは環Ｂにおいて、Ｃ1 で表される炭素原子に結合し
ていても、Ｘ1 またはＸ2 のいずれか一方のみが−ＮＨ
ＳＯ2 Ｙ基であった場合の他方に相当しても、どちらで
もよい。なお、環Ｂは炭素原子Ｃ1 でも置換されていて
よく、その場合の置換基としては、Ｘ1 およびＸ2 とし
て上述した基がいずれも使用できる。
【００１８】本発明では、Ｘ1 かＸ2 の少なくともいず
れか１つは−ＮＨＳＯ2 Ｙを表し、Ｙは少なくとも２つ
のフッ素原子で置換されている直鎖または分岐のアルキ
ル基である。Ｙは具体的にはトリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、
２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリ
フルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフル
オロプロピル基、等が挙げられ、合計の炭素数が１〜６
のアルキル基がより好ましく、吸収スペクトル形状及び
耐光性、耐久性の点から−ＣＨ2 ＣＦ3 、−ＣＦ3 が特
に好ましい。一般式（１）または（２）で表されるアゾ
系化合物のうち、好ましい化合物の例としては下記のも
のが挙げられる。
れか１つは−ＮＨＳＯ2 Ｙを表し、Ｙは少なくとも２つ
のフッ素原子で置換されている直鎖または分岐のアルキ
ル基である。Ｙは具体的にはトリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、
２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリ
フルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフル
オロプロピル基、等が挙げられ、合計の炭素数が１〜６
のアルキル基がより好ましく、吸収スペクトル形状及び
耐光性、耐久性の点から−ＣＨ2 ＣＦ3 、−ＣＦ3 が特
に好ましい。一般式（１）または（２）で表されるアゾ
系化合物のうち、好ましい化合物の例としては下記のも
のが挙げられる。
【００１９】
【化６】
【００２０】
【化７】
【００２１】
【化８】
【００２２】
【化９】
【００２３】
【化１０】
【００２４】
【化１１】
【００２５】
【化１２】
【００２６】
【化１３】
【００２７】
【化１４】
【００２８】
【化１５】
【００２９】
【化１６】
【００３０】
【化１７】
【００３１】
【化１８】
【００３２】
【化１９】
【００３３】これらの中でも、Ｒ1 がＣ1 の炭素と結合
せず、水素原子または置換されていても良い直鎖または
分岐のアルキル基を表す場合が、特に好ましい。また、
前記環Ｅの具体例の中でも、より好ましいものは、
せず、水素原子または置換されていても良い直鎖または
分岐のアルキル基を表す場合が、特に好ましい。また、
前記環Ｅの具体例の中でも、より好ましいものは、
【００３４】
【化２０】
【００３５】（式中、Ｄ1 〜Ｄ33は前出と同様）であ
る。一般式（１）または（２）で表される色素に対して
は、構造以外の制限は特にないが、今後ますます必要と
される、短波長のレーザー光による記録再生可能な光学
記録媒体への利用の点からは、色素単層膜について測定
した時に波長６５０ｎｍ以下に吸収極大を有する色素が
より好ましく、波長６５０〜５００ｎｍに吸収極大をも
つものであれば更に好ましい。
る。一般式（１）または（２）で表される色素に対して
は、構造以外の制限は特にないが、今後ますます必要と
される、短波長のレーザー光による記録再生可能な光学
記録媒体への利用の点からは、色素単層膜について測定
した時に波長６５０ｎｍ以下に吸収極大を有する色素が
より好ましく、波長６５０〜５００ｎｍに吸収極大をも
つものであれば更に好ましい。
【００３６】本発明において、アゾ系化合物とキレート
を形成する金属としては、錯体形成可能な各種の金属を
用いることができるが、吸収スペクトルの形状が良好で
あるという点から遷移金属、中でもＮｉ、Ｃｏ、または
Ｃｕが好ましく、また各種溶媒への溶解度や耐光性、耐
久性の点から特にＮｉが好ましい。本発明の金属キレー
ト色素は、例えば一般式（１）で表されるアゾ系化合物
を、一般式（３）
を形成する金属としては、錯体形成可能な各種の金属を
用いることができるが、吸収スペクトルの形状が良好で
あるという点から遷移金属、中でもＮｉ、Ｃｏ、または
Ｃｕが好ましく、また各種溶媒への溶解度や耐光性、耐
久性の点から特にＮｉが好ましい。本発明の金属キレー
ト色素は、例えば一般式（１）で表されるアゾ系化合物
を、一般式（３）
【００３７】
【化２１】
【００３８】で示されるアミノ化合物を公知の方法によ
りジアゾ化し、一般式（４）
りジアゾ化し、一般式（４）
【００３９】
【化２２】
【００４０】で示されるカップリング成分と反応させる
ことにより合成し、メタノール、テトラヒドロフラン、
アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物のメタノール溶
液や水溶液を加えることにより得られる。一般式（２）
で表されるアゾ系化合物の金属キレート色素の場合も同
様である。本発明の光学記録媒体は、少なくとも基板と
前記アゾ系化合物の金属キレート色素を含む記録層を有
するが、必要に応じて基板上に下引き層、金属反射層、
保護層等を設けても良い。好ましい層構成の一例として
は、基板上に記録層、金属反射層および保護層を設けた
高反射率の媒体が挙げられる。
ことにより合成し、メタノール、テトラヒドロフラン、
アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物のメタノール溶
液や水溶液を加えることにより得られる。一般式（２）
で表されるアゾ系化合物の金属キレート色素の場合も同
様である。本発明の光学記録媒体は、少なくとも基板と
前記アゾ系化合物の金属キレート色素を含む記録層を有
するが、必要に応じて基板上に下引き層、金属反射層、
保護層等を設けても良い。好ましい層構成の一例として
は、基板上に記録層、金属反射層および保護層を設けた
高反射率の媒体が挙げられる。
【００４１】以下、この構造の媒体を例に、本発明の光
学記録媒体について説明する。本発明の光学記録媒体に
おける基板の材質としては、基本的には記録光及び再生
光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリメタクリル産メチル等
のアクリル樹脂、ポリスチレン系樹脂、エポキシ系樹
脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレ
ン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリイミド系樹脂等
の高分子材料やガラス等の無機材料が利用されるが、高
生産性、コスト、耐吸湿性、などの点からポリカーボネ
ート樹脂が好ましい。
学記録媒体について説明する。本発明の光学記録媒体に
おける基板の材質としては、基本的には記録光及び再生
光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリメタクリル産メチル等
のアクリル樹脂、ポリスチレン系樹脂、エポキシ系樹
脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレ
ン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリイミド系樹脂等
の高分子材料やガラス等の無機材料が利用されるが、高
生産性、コスト、耐吸湿性、などの点からポリカーボネ
ート樹脂が好ましい。
【００４２】これらの基板材料は射出成形法等により円
盤状に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案
内溝やピットを形成することもある。このような案内溝
やピットは、基板の成形時に付与することが好ましい
が、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与すること
もできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチ
が０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
盤状に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案
内溝やピットを形成することもある。このような案内溝
やピットは、基板の成形時に付与することが好ましい
が、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与すること
もできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチ
が０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００４３】基板上、または必要に応じ下引き層等を設
けた上に、本発明の金属キレート色素を含む記録層を形
成する。記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピ
ンコート法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法が
挙げられるが、量産性、コスト面からスピンコート法が
特に好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転
数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコート
の後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる
等の処理を行っても良い。
けた上に、本発明の金属キレート色素を含む記録層を形
成する。記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピ
ンコート法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法が
挙げられるが、量産性、コスト面からスピンコート法が
特に好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転
数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコート
の後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる
等の処理を行っても良い。
【００４４】ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する
場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば
よく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコー
ル、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケ
トンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オク
タン等の鎖状炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシ
クロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶
媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペン
タノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロ
アルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、
イソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶
媒等が挙げられる。
コート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する
場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば
よく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコー
ル、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケ
トンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オク
タン等の鎖状炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシ
クロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶
媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペン
タノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロ
アルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、
イソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶
媒等が挙げられる。
【００４５】記録層を成膜する際に、必要に応じて、前
記の色素に、クエンチャー、紫外線吸収剤、接着剤等の
添加剤を混合か、あるいは、そのような効果を有する置
換基として導入することも可能である。記録層の耐光性
や耐久性向上のために加える一重項酸素クエンチャーと
しては、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジ
ケトン系やビスフェニルジチオール系などのビスジチオ
ール系、チオカテコール系、サリチルアルデヒドオキシ
ム系、チオビスフェノレート系等の金属錯体が好まし
い。またアミン系化合物も好適である。
記の色素に、クエンチャー、紫外線吸収剤、接着剤等の
添加剤を混合か、あるいは、そのような効果を有する置
換基として導入することも可能である。記録層の耐光性
や耐久性向上のために加える一重項酸素クエンチャーと
しては、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジ
ケトン系やビスフェニルジチオール系などのビスジチオ
ール系、チオカテコール系、サリチルアルデヒドオキシ
ム系、チオビスフェノレート系等の金属錯体が好まし
い。またアミン系化合物も好適である。
【００４６】また、記録特性などの改善のために、他の
色素を併用してもよい。併用可能な色素としては、本発
明の色素と同系統の、アゾ系色素またはアゾ系金属キレ
ート色素であっても、シアニン系色素、スクアリリウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、ビスピロメテン系色素、チアジン系色素、ア
クリジン系色素、オキサジン系色素、インドアニリン系
色素など、他系統の色素でもよい。
色素を併用してもよい。併用可能な色素としては、本発
明の色素と同系統の、アゾ系色素またはアゾ系金属キレ
ート色素であっても、シアニン系色素、スクアリリウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、ビスピロメテン系色素、チアジン系色素、ア
クリジン系色素、オキサジン系色素、インドアニリン系
色素など、他系統の色素でもよい。
【００４７】色素の熱分解促進剤としては、例えば、金
属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチル
アセトナト系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。さ
らに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡
剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとし
ては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、ア
クリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフ
ィン等が挙げられる。色素層の膜厚は、特に限定するも
のではないが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色
素層の膜厚を５０ｎｍよりあまり薄くすると、熱拡散が
大きいため記録出来ないか、記録信号に歪みが発生する
上、信号振幅が小さくなる傾向がある。また、膜厚が３
００ｎｍよりあまり厚い場合は反射率が低下し、再生信
号特性が悪化するおそれがある。
属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチル
アセトナト系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。さ
らに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡
剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとし
ては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、ア
クリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフ
ィン等が挙げられる。色素層の膜厚は、特に限定するも
のではないが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色
素層の膜厚を５０ｎｍよりあまり薄くすると、熱拡散が
大きいため記録出来ないか、記録信号に歪みが発生する
上、信号振幅が小さくなる傾向がある。また、膜厚が３
００ｎｍよりあまり厚い場合は反射率が低下し、再生信
号特性が悪化するおそれがある。
【００４８】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ５０
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及
び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分と
しているものはコストが安い点、アゾ金属キレート系色
素と組み合わせた時に反射率が向上する傾向がある点、
更に後に述べる印刷受容層を設ける場合には地色が白く
美しいものが得られる点、等から、特に好ましい。ここ
で主成分とは含有率が５０％以上のものをいう。金属以
外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重
ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能で
ある。
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及
び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分と
しているものはコストが安い点、アゾ金属キレート系色
素と組み合わせた時に反射率が向上する傾向がある点、
更に後に述べる印刷受容層を設ける場合には地色が白く
美しいものが得られる点、等から、特に好ましい。ここ
で主成分とは含有率が５０％以上のものをいう。金属以
外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重
ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能で
ある。
【００４９】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設け
ることもできる。反射層の上に形成する保護層の材料と
しては、反射層を外力から保護するものであれば特に限
定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げるこ
とができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎ4 、ＭｇＦ2 ，ＳｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解
して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレ
ートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独であるいは混合して用いてもよい
し、１層だけでなく多層膜にして用いてもよい。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設け
ることもできる。反射層の上に形成する保護層の材料と
しては、反射層を外力から保護するものであれば特に限
定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げるこ
とができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎ4 、ＭｇＦ2 ，ＳｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解
して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレ
ートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独であるいは混合して用いてもよい
し、１層だけでなく多層膜にして用いてもよい。
【００５０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般には
０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明において
は、３〜３０μｍであり、好ましくは５〜２０μｍがよ
り好ましい。また、反射層面に基板を貼り合わせる、あ
るいは反射層面相互を内側とし対向させ光記録媒体２枚
を貼り合わせる等の手段を用いてもよい。基板鏡面側
に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹
脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。反射層上に受けた
保護層の上、又は反射層面に貼りあわせた基板の上等に
更に印刷受容層を形成することもできる。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般には
０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明において
は、３〜３０μｍであり、好ましくは５〜２０μｍがよ
り好ましい。また、反射層面に基板を貼り合わせる、あ
るいは反射層面相互を内側とし対向させ光記録媒体２枚
を貼り合わせる等の手段を用いてもよい。基板鏡面側
に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹
脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。反射層上に受けた
保護層の上、又は反射層面に貼りあわせた基板の上等に
更に印刷受容層を形成することもできる。
【００５１】上記のようにして得られた光学記録媒体へ
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層にレー
ザー光をあてることにより行う。レーザー光の照射され
た部分には、レーザー光エネルギーの吸収による分解、
発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録された
情報の再生は、レーザー光により熱的変形が起きている
部分と起きてない部分の反射率の差を読みとることによ
り行う。本発明の光記録媒体は、記録・再生に使用する
波長のレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
が２０％以上であることが好ましい。
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層にレー
ザー光をあてることにより行う。レーザー光の照射され
た部分には、レーザー光エネルギーの吸収による分解、
発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録された
情報の再生は、レーザー光により熱的変形が起きている
部分と起きてない部分の反射率の差を読みとることによ
り行う。本発明の光記録媒体は、記録・再生に使用する
波長のレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
が２０％以上であることが好ましい。
【００５２】記録・再生に使用するレーザーに特に限定
はないが、例えば、可視領域の広範囲で波長選択のでき
る色素レーザーや、波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレ
ーザー、最近開発されている波長６８０、６５０、６３
５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの
高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられるが、軽量
性、取り扱いの容易さ、コンパクト性、コスト等の点で
は半導体レーザーが好適である。本発明では、これらか
ら選択される一波長または複数波長において高密度記録
及び再生が可能となる。
はないが、例えば、可視領域の広範囲で波長選択のでき
る色素レーザーや、波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレ
ーザー、最近開発されている波長６８０、６５０、６３
５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの
高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられるが、軽量
性、取り扱いの容易さ、コンパクト性、コスト等の点で
は半導体レーザーが好適である。本発明では、これらか
ら選択される一波長または複数波長において高密度記録
及び再生が可能となる。
【００５３】
【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。尚、ε（分子吸光係数）は、
金属−原子に対して二原子のアゾ系化合物が配位したも
のとして算出した。 実施例１ （ａ）製造例
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。尚、ε（分子吸光係数）は、
金属−原子に対して二原子のアゾ系化合物が配位したも
のとして算出した。 実施例１ （ａ）製造例
【００５４】
【化２３】
【００５５】窒素気流下でトリフルオロメタンスルホン
酸無水物７．９０ｇを攪拌しながら２０℃以下に保ち、
これにＵＳＰ５５４３０８６号公報に記載の方法にて得
られた上記構造式（ａ）で示される化合物３．８１ｇの
トルエン３５ｍｌ溶液を滴下した。引き続き１０〜１５
℃で２時間攪拌した後、一晩放置した。１０〜２５℃で
反応溶液に水２ｍｌを添加し１時間攪拌後、析出した固
体をろ別し、これをアセトンで溶解させ、水２００ｍｌ
を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、酢酸エチルを留去しｎ−ヘキサンを加えて析出さ
せた結晶をろ別した。乾燥して下記構造式（ｂ）で示さ
れる褐色結晶５．３７ｇを得た。
酸無水物７．９０ｇを攪拌しながら２０℃以下に保ち、
これにＵＳＰ５５４３０８６号公報に記載の方法にて得
られた上記構造式（ａ）で示される化合物３．８１ｇの
トルエン３５ｍｌ溶液を滴下した。引き続き１０〜１５
℃で２時間攪拌した後、一晩放置した。１０〜２５℃で
反応溶液に水２ｍｌを添加し１時間攪拌後、析出した固
体をろ別し、これをアセトンで溶解させ、水２００ｍｌ
を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、酢酸エチルを留去しｎ−ヘキサンを加えて析出さ
せた結晶をろ別した。乾燥して下記構造式（ｂ）で示さ
れる褐色結晶５．３７ｇを得た。
【００５６】
【化２４】
【００５７】上記構造式（ｃ）で示される２−アミノ−
５−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，４−チアジアゾール
０．３９ｇを酢酸５ｍｌ、プロピオン酸３ｍｌに溶解
し、０〜５℃で硫酸１ｍｌを滴下し、０〜５℃で４３％
ニトロシル硫酸０．８９ｇを加えジアゾ化した。構造式
（ｂ）で示される化合物０．９７ｇ、尿素０．１ｇ、酢
酸ナトリウム１．０ｇをメタノール２０ｍｌに溶解させ
た溶液に、得られたジアゾ液を０〜５℃で滴下し、３時
間攪拌後、一晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥
して下記構造式（ｄ）で示される赤色結晶０．６９ｇを
得た。
５−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，４−チアジアゾール
０．３９ｇを酢酸５ｍｌ、プロピオン酸３ｍｌに溶解
し、０〜５℃で硫酸１ｍｌを滴下し、０〜５℃で４３％
ニトロシル硫酸０．８９ｇを加えジアゾ化した。構造式
（ｂ）で示される化合物０．９７ｇ、尿素０．１ｇ、酢
酸ナトリウム１．０ｇをメタノール２０ｍｌに溶解させ
た溶液に、得られたジアゾ液を０〜５℃で滴下し、３時
間攪拌後、一晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥
して下記構造式（ｄ）で示される赤色結晶０．６９ｇを
得た。
【００５８】
【化２５】
【００５９】前記のようにして得られた構造式（ｄ）で
示されるアゾ化合物０．６０ｇをＴＨＦ４０ｍｌに溶解
し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．１８ｇのメタノー
ル３ｍｌ溶液を加えた後、室温で３時間攪拌し、水４０
ｍｌを加えた。析出した結晶をろ別し、これを水で洗浄
し、乾燥してニッケルキレート化合物０．２９ｇを得
た。この化合物のλmax （クロロホルム中）は５８９ｎ
ｍ（ε＝９．５×１０4）であった。
示されるアゾ化合物０．６０ｇをＴＨＦ４０ｍｌに溶解
し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．１８ｇのメタノー
ル３ｍｌ溶液を加えた後、室温で３時間攪拌し、水４０
ｍｌを加えた。析出した結晶をろ別し、これを水で洗浄
し、乾燥してニッケルキレート化合物０．２９ｇを得
た。この化合物のλmax （クロロホルム中）は５８９ｎ
ｍ（ε＝９．５×１０4）であった。
【００６０】（ｂ）記録媒体例 前記のようにして得られたニッケルキレート化合物をオ
クタフルオロペンタノールに溶解し、１．１ｗｔ％にし
た。これを５０℃以下で３０分間超音波分散した後、
０．２μｍのフィルターでろ過し、その液を回転数８０
０ｒｐｍで０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板にスピ
ンコートした。なお、この基板の溝幅は０．３５μｍで
あり、（トラックピッチ０．８μｍ）溝深さは１４０ｎ
ｍである。次にこの塗布膜を８０℃のオーブンで乾燥し
た後、塗布膜の上にスパッタリング法により膜厚１００
ｎｍのＡｇ膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、こ
の反射層の上に紫外線硬化樹脂を３μｍスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とし
た。さらにホットメルト接着剤をつけ、全く同様にして
得られた記録媒体同士を接着し、光ディスクとした。塗
布膜のλmax は６０１ｎｍであった。記録層の膜厚は約
９０ｎｍであった。
クタフルオロペンタノールに溶解し、１．１ｗｔ％にし
た。これを５０℃以下で３０分間超音波分散した後、
０．２μｍのフィルターでろ過し、その液を回転数８０
０ｒｐｍで０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板にスピ
ンコートした。なお、この基板の溝幅は０．３５μｍで
あり、（トラックピッチ０．８μｍ）溝深さは１４０ｎ
ｍである。次にこの塗布膜を８０℃のオーブンで乾燥し
た後、塗布膜の上にスパッタリング法により膜厚１００
ｎｍのＡｇ膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、こ
の反射層の上に紫外線硬化樹脂を３μｍスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とし
た。さらにホットメルト接着剤をつけ、全く同様にして
得られた記録媒体同士を接着し、光ディスクとした。塗
布膜のλmax は６０１ｎｍであった。記録層の膜厚は約
９０ｎｍであった。
【００６１】（ｃ）光記録法 ６３５ｎｍの半導体レーザー（ＮＡ＝０．６）で、線速
２．６ｍ／ｓ、再生パワー０．７ｍＷでＣＤ−Ｒの４倍
速記録用のＥＦＭ信号を入力して記録したところ、記録
パワー５．０ｍＷ、１ｔｏｐ反射率４９％、変調度６０
％の良好な記録特性が得られた。
２．６ｍ／ｓ、再生パワー０．７ｍＷでＣＤ−Ｒの４倍
速記録用のＥＦＭ信号を入力して記録したところ、記録
パワー５．０ｍＷ、１ｔｏｐ反射率４９％、変調度６０
％の良好な記録特性が得られた。
【００６２】実施例２ （ａ）製造例 １，２，３，４−テトラヒドロキノリン１３．９９ｇ、
炭酸カリウム１４．５２ｇをメタノール３５０ｍｌに溶
解させ攪拌しながら４５〜５０℃に保ち、そこに硫酸ジ
メチル２５．５４ｇを滴下した。引き続き４５〜５０℃
で３時間攪拌した後、一晩放置した。この反応液にトル
エン３５０ｍｌ、水３５０ｍｌを加えてトルエン抽出し
た。抽出したトルエン溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、トルエンを留去して褐色液体を得た。これをカラム
精製することにより下記構造式（ｅ）で示される淡黄色
溶液１２．９ｇを得た。
炭酸カリウム１４．５２ｇをメタノール３５０ｍｌに溶
解させ攪拌しながら４５〜５０℃に保ち、そこに硫酸ジ
メチル２５．５４ｇを滴下した。引き続き４５〜５０℃
で３時間攪拌した後、一晩放置した。この反応液にトル
エン３５０ｍｌ、水３５０ｍｌを加えてトルエン抽出し
た。抽出したトルエン溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、トルエンを留去して褐色液体を得た。これをカラム
精製することにより下記構造式（ｅ）で示される淡黄色
溶液１２．９ｇを得た。
【００６３】
【化２６】
【００６４】上記構造式（ｅ）で示される化合物１２．
９ｇを０〜５℃に冷却した濃硫酸２３０ｇ中に０〜５℃
に保ちながら滴下し、続いて濃硫酸３６ｇ、濃硝酸９．
０ｇの混合液を０〜５℃に保ちながら滴下した。滴下終
了後、室温に戻して２時間攪拌した。その反応液を氷水
３００ｍｌに注入し、冷却しながら５０％水酸化ナトリ
ウム水溶液を添加してｐＨ９にし、１時間攪拌後、析出
した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式（ｆ）で示され
る赤色結晶１２．４ｇを得た。
９ｇを０〜５℃に冷却した濃硫酸２３０ｇ中に０〜５℃
に保ちながら滴下し、続いて濃硫酸３６ｇ、濃硝酸９．
０ｇの混合液を０〜５℃に保ちながら滴下した。滴下終
了後、室温に戻して２時間攪拌した。その反応液を氷水
３００ｍｌに注入し、冷却しながら５０％水酸化ナトリ
ウム水溶液を添加してｐＨ９にし、１時間攪拌後、析出
した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式（ｆ）で示され
る赤色結晶１２．４ｇを得た。
【００６５】
【化２７】
【００６６】鉄粉３１．４ｇをＤＭＦ−水（２：１）１
８３ｍｌに懸濁させ、攪拌しながら８５〜９０℃に加熱
し、そこに塩酸６．７ｍｌ、ＤＭＦ−水（２：１）９
１．５ｍｌを混合させた溶液を滴下した。続いて上記構
造式（ｆ）で示される化合物１２．０ｇのＤＭＦ溶液１
８３ｍｌを８５〜９５℃に保ちながら１５分間で滴下し
た。８０〜９０℃で２０分間攪拌し、その後放冷しなが
ら炭酸水素ナトリウム６．３９ｇを添加して１０分間攪
拌後、ろ過して鉄粉を除去し、そのろ液を氷水５００ｍ
ｌに注入しトルエン抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、トルエンを留去し下記構造式（ｇ）で示される褐
色液体５．４７ｇを得た。
８３ｍｌに懸濁させ、攪拌しながら８５〜９０℃に加熱
し、そこに塩酸６．７ｍｌ、ＤＭＦ−水（２：１）９
１．５ｍｌを混合させた溶液を滴下した。続いて上記構
造式（ｆ）で示される化合物１２．０ｇのＤＭＦ溶液１
８３ｍｌを８５〜９５℃に保ちながら１５分間で滴下し
た。８０〜９０℃で２０分間攪拌し、その後放冷しなが
ら炭酸水素ナトリウム６．３９ｇを添加して１０分間攪
拌後、ろ過して鉄粉を除去し、そのろ液を氷水５００ｍ
ｌに注入しトルエン抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、トルエンを留去し下記構造式（ｇ）で示される褐
色液体５．４７ｇを得た。
【００６７】
【化２８】
【００６８】窒素気流下でトリフルオロメタンスルホン
酸無水物９．３１ｇを攪拌しながら２０℃以下に保ち、
上記構造式（ｇ）で示される化合物５．４７ｇのトルエ
ン４０ｍｌ溶液を滴下した。引き続き１０〜１５℃で４
時間攪拌した後、一晩放置した。１０〜２５℃で反応溶
液に水２ｍｌを添加し１時間攪拌後、析出した固体をろ
別し、これを酢酸エチルで溶解させ、水１５０ｍｌを加
え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、酢酸エチルを留去して下記構造式（ｈ）で示される
濃褐色液体６．８７ｇを得た。
酸無水物９．３１ｇを攪拌しながら２０℃以下に保ち、
上記構造式（ｇ）で示される化合物５．４７ｇのトルエ
ン４０ｍｌ溶液を滴下した。引き続き１０〜１５℃で４
時間攪拌した後、一晩放置した。１０〜２５℃で反応溶
液に水２ｍｌを添加し１時間攪拌後、析出した固体をろ
別し、これを酢酸エチルで溶解させ、水１５０ｍｌを加
え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、酢酸エチルを留去して下記構造式（ｈ）で示される
濃褐色液体６．８７ｇを得た。
【００６９】
【化２９】
【００７０】上記構造式（ｉ）で示される２−アミノ−
５−メチル−１，３，４−チアジアゾール０．５８ｇを
酢酸５ｍｌ、プロピオン酸３ｍｌに溶解し、０〜５℃で
硫酸１ｍｌを滴下し、０〜５℃で４３％ニトロシル硫酸
１．７８ｇを加えジアゾ化した。構造式（ｈ）で示され
る化合物１．７７ｇ、尿素０．２ｇ、酢酸ナトリウム
２．０ｇをメタノール２０ｍｌに溶解させた溶液に、得
られたジアゾ液を０〜５℃で滴下し、３時間攪拌後、一
晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造
式（ｊ）で示される赤色結晶１．４４ｇを得た。
５−メチル−１，３，４−チアジアゾール０．５８ｇを
酢酸５ｍｌ、プロピオン酸３ｍｌに溶解し、０〜５℃で
硫酸１ｍｌを滴下し、０〜５℃で４３％ニトロシル硫酸
１．７８ｇを加えジアゾ化した。構造式（ｈ）で示され
る化合物１．７７ｇ、尿素０．２ｇ、酢酸ナトリウム
２．０ｇをメタノール２０ｍｌに溶解させた溶液に、得
られたジアゾ液を０〜５℃で滴下し、３時間攪拌後、一
晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造
式（ｊ）で示される赤色結晶１．４４ｇを得た。
【００７１】
【化３０】
【００７２】前記のようにして得られた構造式（ｊ）で
示されるアゾ化合物１．３０ｇをＴＨＦ５０ｍｌに溶解
し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．４６ｇのメタノー
ル６ｍｌ溶液を加えた後、室温で３時間攪拌し、水５０
ｍｌを加えた。析出した結晶をろ別し、これを水で洗浄
し、乾燥してニッケルキレート化合物０．５９ｇを得
た。この化合物のλmax （クロロホルム中）は５９１ｎ
ｍ（ε＝９．９×１０4）であった。
示されるアゾ化合物１．３０ｇをＴＨＦ５０ｍｌに溶解
し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．４６ｇのメタノー
ル６ｍｌ溶液を加えた後、室温で３時間攪拌し、水５０
ｍｌを加えた。析出した結晶をろ別し、これを水で洗浄
し、乾燥してニッケルキレート化合物０．５９ｇを得
た。この化合物のλmax （クロロホルム中）は５９１ｎ
ｍ（ε＝９．９×１０4）であった。
【００７３】（ｂ）記録媒体例 前記のようにして得られたニッケルキレート化合物を実
施例１と同様の方法で光ディスクを作製した。塗布膜の
λmax は６１３ｎｍであった。記録層の膜厚は約９０ｎ
ｍであった。
施例１と同様の方法で光ディスクを作製した。塗布膜の
λmax は６１３ｎｍであった。記録層の膜厚は約９０ｎ
ｍであった。
【００７４】（ｃ）光記録法 ６６０ｎｍの半導体レーザー（ＮＡ＝０．６）で、線速
３．５ｍ／ｓ、再生パワー０．７ｍＷでＤＶＤ−Ｒの
３．９５ＧＢの規格のベーシックストラテジーで記録し
たところ、記録パワー９．０ｍＷ、１ｔｏｐ反射率４９
％、変調度６０％の良好な記録特性が得られた。
３．５ｍ／ｓ、再生パワー０．７ｍＷでＤＶＤ−Ｒの
３．９５ＧＢの規格のベーシックストラテジーで記録し
たところ、記録パワー９．０ｍＷ、１ｔｏｐ反射率４９
％、変調度６０％の良好な記録特性が得られた。
【００７５】
【発明の効果】本発明によれば、金属とのキレート形成
に寄与する基であるＸ1 またはＸ2 がフッ素原子を２つ
以上含む特定の構造の金属キレート色素を使用すること
により、比較的短波長での記録に対して感度がよく、ま
た耐光性にも優れた光学記録媒体を得ることができる。
に寄与する基であるＸ1 またはＸ2 がフッ素原子を２つ
以上含む特定の構造の金属キレート色素を使用すること
により、比較的短波長での記録に対して感度がよく、ま
た耐光性にも優れた光学記録媒体を得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 鈴木 夕起 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA33 EA39 EA43 FA01 FB42 5D029 HA05 JA01 JA04 JB04 JB21 JC01 WD10
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１）または（２）で示され
るアゾ系化合物と金属との金属キレート色素。 【化１】 （式中、環Ｅはそれぞれ結合している炭素原子及び窒素
原子と一緒になって形成する複素環を表し、環Ａは５〜
８員環を表し、環Ｂは少なくともＸ1 及び／又はＸ2 で
置換されたベンゼン環を表す。環Ｅおよび環Ａは置換さ
れていてもよい。Ｃ1 は炭素原子を表わし、Ｒ1 は水素
原子、置換されていてもよい直鎖または分岐のアルキル
基、またはＣ1 の炭素原子と結合して形成する、６員環
以外の環を表す。Ｘ1 かＸ2 の少なくともいずれか一方
がＮＨＳＯ2 Ｙ基を表し、Ｙは少なくとも２つのフッ素
原子で置換されている直鎖または分岐のアルキル基を表
す。） - 【請求項２】 環Ａは５〜８員環を表し、Ｒ1 は置換さ
れても良い炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基
である請求項１の金属キレート色素。 - 【請求項３】 金属がＮｉ、Ｃｏ、またはＣｕである、
請求項１又は２に記載の金属キレート色素。 - 【請求項４】 透明基板上に光ビームによる情報の書き
込み及び／または読みとりが可能な記録層が設けられた
光学記録媒体において、記録層に請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の金属キレート色素を含有することを特徴
とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33114799A JP4078773B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-11-22 | 金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-50397 | 1999-02-26 | ||
| JP5039799 | 1999-02-26 | ||
| JP33114799A JP4078773B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-11-22 | 金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000309722A true JP2000309722A (ja) | 2000-11-07 |
| JP4078773B2 JP4078773B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=26390872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33114799A Expired - Lifetime JP4078773B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-11-22 | 金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4078773B2 (ja) |
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| WO2008038717A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Colorant de chélate métallique azoïque et support d'enregistrement optique |
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| EP2930215A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-14 | Cheil Industries Inc. | Imidazole metal complex azo dyes and their use as colorant for color resists |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33114799A patent/JP4078773B2/ja not_active Expired - Lifetime
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