JP2000043423A

JP2000043423A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP2000043423A
Application number: JP11137478A
Authority: JP
Inventors: Takumi Nagao; 卓美長尾; Rieko Fujita; 理恵子藤田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1998-05-27
Filing date: 1999-05-18
Publication date: 2000-02-15
Anticipated expiration: 2019-05-18
Also published as: JP3646563B2

Abstract

(57)【要約】【課題】クマリン化合物を記録層に用いた青色レーザ
ー対応の光学記録媒体を提供する。【解決手段】基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記
録媒体において、記録層が下記式［Ｉ］で示されるクマ
リン化合物を含有する光学記録媒体【化７】（Ｒ¹〜Ｒ⁶はＨ又はアルキル基、アミノ基等。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クマリン化合物を
記録層に用いた青色レーザー対応の光学記録媒体に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。

【０００３】このような光学記録媒体の一例としては光
ディスクを挙げることができる。

【０００４】一般に、光ディスクは、円形の基体に設け
られた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光
を照射し、高密度の情報記録を行うものである。中でも
最近注目を集めているものに、書き込み型コンパクトデ
ィスク（ＣＤ−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を
有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録
層、金属反射膜及び保護膜を順次積層することにより構
成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネル
ギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層又は基
板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することに
より行われる。また、記録された情報の再生は、レーザ
ー光により変形が起きている部分と起きていない部分の
反射率の差を読み取ることにより行われる。従って、光
学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく
吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。

【０００５】そして、レーザー吸収色素として有機色素
を利用した光学記録媒体は、有機色素溶液の塗布による
簡単な方法で記録層を形成し得るため、安価な光学記録
媒体としてますます普及することが期待され、その結
果、より一層の高密度化が要望されている。このため、
記録に用いるレーザー光を従来の７８０ｎｍを中心とし
た半導体レーザーから、青色光領域にまで短波長化する
ことが検討されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の実
情に鑑みてなされたものであって、クマリン化合物を記
録層に用いた青色レーザー対応の光学記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／又は
読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体にお
いて、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示されるクマリン
化合物を含有することを特徴とする。

【０００８】

【化２】

【０００９】（［Ｉ］式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，
Ｒ⁵，Ｒ⁶はそれぞれ独立して水素原子又は任意の置換基
を表す。また、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち隣接する置換基同士が結
合してクマリン環に縮合する環を形成していてもよ
い。）特に、一般式［Ｉ］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶としては、各々独立
に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル
基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、ハロゲン原
子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒ
ドロキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキ
ルカルボニルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、スルホン
酸基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ基、アルキ
ルスルホニル基、アリール基、アラルキル基、アリール
オキシ基、アリールアルキルオキシ基、アリールチオ
基、複素環基、−ＣＲ⁷＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ⁸（Ｒ⁷は水素原
子、或いは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を
表し、Ｒ⁸はシアノ基、炭素数２〜７の直鎖又は分岐の
アルコキシカルボニル基、或いは炭素数２〜７の直鎖又
は分岐のフッ化アルコキシカルボニル基を表す。）、−
ＮＲ⁹Ｒ¹⁰、−ＣＯＮＲ⁹Ｒ¹⁰（Ｒ⁹，Ｒ１０はそれぞれ
独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アラルキル基、アルコキシアルキル基、アルキル
カルボニル基、又はヒドロキシアルキル基を表す。ま
た、Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに結合するか、アミノ基又はアミ
ド基の置換した環と結合して環状を形成しても良
い。）、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、
フルオロアルキルチオ基が挙げられ、また、Ｒ¹〜Ｒ⁶の
うち隣接する置換基同士が結合してクマリン環に縮合す
る環を形成する場合、この環としてはシクロアルキル環
が挙げられる。

【００１０】即ち、本発明者らは上記目的を達成するべ
く鋭意検討した結果、上記一般式［Ｉ］で示されるクマ
リン化合物を記録層に使用した光学記録媒体が、青色レ
ーザーで良好に記録できることを見出し、本発明を完成
させた。

【００１１】本発明に係るクマリン化合物は、波長３５
０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収（Ｓｏｒｅｔ帯）を
有し、青色レーザーでの記録に適する。また、合成が比
較的容易であることから、安価な光学記録媒体を提供す
ることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。

【００１３】本発明に係るクマリン化合物を示す前記一
般式［Ｉ］において、Ｒ¹〜Ｒ⁶で表される置換基として
は、次のようなものが例示される。水素原子；メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直
鎖又は分岐のアルキル基（アルキル基の置換した環と結
合して環状を形成していても良い。また、隣接するアル
キル基同士で結合して環状を形成していても良い。即
ち、シクロヘキサン又はシクロペンタン等のクマリン環
に縮合するシクロアルキル環を形成していても良
い。）；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜１０の環状
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルコキシ基（もう一つのアルコキシ基と互い
に結合してもよい。またはアルコキシ基の置換した環と
結合して環状を形成してもよい。）；アセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、
ヘプタノイル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のア
ルキルカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜２０
の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、
シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１０の環状のアルケ
ニル基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペン
テニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基等の炭素数３〜２
０の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基；フッ素原子、
塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒ
ドロキシル基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、
ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜２０のヒドロキシア
ルキル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカル
ボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ
−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカ
ルボニル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアルコ
キシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチル
カルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ
基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカル
ボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基
等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアルキルカルボニ
ルオキシ基；ニトロ基；シアノ基；スルホン酸基；メト
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、
エトキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｎ−プロ
ポキシプロピル基、イソプロポキシメチル基、イソプロ
ポキシエチル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のア
ルコキシアルキル基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ
−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチ
オ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ
基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素
数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキルチオ基；メチルス
ルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホ
ニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチ
ルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキ
シルスルホニル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐の
アルキルスルホニル基；置換基を有していてもよいフェ
ニル基等のアリール基；置換基を有していてもよいベン
ジル基、フェネチル基等の直鎖又は分岐のアラルキル
基；置換基を有していてもよいフェノキシ基等のアリー
ルオキシ基；置換基を有していてもよいベンジルオキシ
基等の直鎖又は分岐のアリールアルキルオキシ基、置換
基を有していてもよいフェニルチオ基等のアリールチオ
基；置換されていてもよいチオフェン環、フラン環、ピ
ロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール
環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジ
ン環、トリアジン環、ベンゾフラン環、インドール環、
ベンゾチオフェン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチ
アゾール環、キノリン環、クマリン環、キノキサリン
環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、アクリジン
環、フェナントロリン環、フェノチアジン環等の複素環
基；−ＣＲ⁵＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ⁶（Ｒ⁵は水素原子、或いは
炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を表し、Ｒ⁶
はシアノ基、炭素数２〜７の直鎖又は分岐のアルコキシ
カルボニル基、或いは炭素数２〜７の直鎖又は分岐のフ
ッ化アルコキシカルボニル基を表す。）；−ＮＲ⁹Ｒ¹⁰
（Ｒ⁹，Ｒ¹⁰はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜
１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数２〜１２の直
鎖又は分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよい
フェニル基等のアリール基、炭素数７〜２０の直鎖又は
分岐のアラルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐の
アルコキシアルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐
のアルキルカルボニル基；炭素数１〜１２の直鎖又は分
岐のヒドロキシアルキル基を表す。また、Ｒ⁹とＲ¹⁰は
互いに結合するか、アミノ基の置換した環と結合して環
状を形成してもよい。）；−ＣＯＮＲ⁹Ｒ¹⁰（Ｒ⁹，Ｒ¹⁰
の定義は上記と同様。）；トリフルオロメチル基、ペン
タフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル
基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ
−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パー
フルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のフルオロアルキル基；トリフルオ
ロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフル
オロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフル
オロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチル
チオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ
−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピルチ
オ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオロ
−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブ
チルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パー
フルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜２０の直
鎖又は分岐のフルオロアルキルチオ基が挙げられる。

【００１４】なお、本発明に係るクマリン化合物が、Ｒ
¹〜Ｒ⁶のいずれかとして複素環基を有する場合、単環又
は２つの環からなる縮合環が好ましい。これは、３つ以
上の環からなる縮合環を有すると、記録層を形成すると
きに使用する塗布溶媒への、クマリン化合物の溶解性が
低下する恐れがあるからである。

【００１５】また、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち、隣接する置換基同
士が結合してクマリン環に縮合する環を形成する場合、
この環には特に制限はないが、芳香族環であると、該ク
マリン化合物の最大吸収波長が長波長側へ移動する恐れ
があるため、青色レーザーでの記録再生の点からは、飽
和炭化水素環又は飽和複素環、特にシクロアルキル環が
好ましい。

【００１６】本発明のクマリン化合物としては具体的に
は以下の構造のものが挙げられる。

【００１７】

【化３】

【００１８】

【化４】

【００１９】

【化５】

【００２０】

【化６】

【００２１】これらのクマリン化合物は１種を単独で用
いてもよいし、２種以上を混合して使用しても構わな
い。

【００２２】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記クマリン化合物を含む記録層とから構成されるも
のであるが、更に必要に応じて基板上に下引き層を設け
ることができる。

【００２３】前記基板としては、使用するレーザー光に
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。

【００２４】本発明の光学記録媒体におけるクマリン化
合物を含有する記録層の膜厚は、一般に１００Å〜５μ
ｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。

【００２５】この記録層は、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、
浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜すること
ができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好まし
い。

【００２６】記録層の成膜に当っては、必要に応じてバ
インダーを使用することもできる。バインダーとしては
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン
樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニル
ブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられ
る。この場合、本発明に係るクマリン化合物は、バイン
ダー樹脂中に１０重量％以上含有されていることが好ま
しい。

【００２７】スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱又は溶媒蒸気に当てる等の処理を
行ってもよい。

【００２８】また、記録層の安定性や耐光性向上のため
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフ
ェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビス
ジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために
金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。

【００２９】金属には、更に必要に応じて他系統の色素
を併用することもできる。他系統の色素としては、主と
して記録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射された
レーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録
層、反射層又は基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形
を伴いピットが形成されるようなものであれば特に制限
されない。また、ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍ
から選ばれた波長の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのよう
な６２０〜６９０ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記
録に適する色素を併用して、複数の波長域のレーザーで
の記録に対応する光学記録媒体とすることもできる。他
系統の色素としては、具体的には、含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。

【００３０】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒であれば良く、特に限定されない。例えば、ジアセ
トンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブ
タノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ
−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素
系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等
のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オク
タフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等
のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステ
ル系溶媒等が挙げられる。

【００３１】また、記録層上に金、銀、アルミニウム又
はそれらの合金のような金属反射層及び保護層を設けて
高反射率の媒体としてもよい。この場合の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。

【００３２】金属反射層は、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法によって成膜される。な
お、金属反射層と記録層との間に層間の密着力を向上さ
せるため、又は、反射率を高める等の目的で中間層を設
けてもよい。

【００３３】保護層としては、例えば、紫外線硬化型樹
脂組成物などが挙げられる。

【００３４】また、接着層を介して貼りあわせ、両面記
録型光学記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面
に設けてもよいし、片面に設けてもよい。

【００３５】本発明の光学記録媒体に使用されるレーザ
ー光は高密着度記録のため、波長は短いほど好ましい
が、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザーの代表例としては、中心波長４１０
ｎｍ、５１５ｎｍのレーザーが挙げられる。

【００３６】波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレー
ザー光は、例えば、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの
青緑色の高出力半導体レーザーを使用することにより得
ることができるが、その他、例えば、（ａ）基本発振波
長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ
ー又は（ｂ）半導体レーザーによって励起されかつ基本
発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レ
ーザーのいずれかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）によ
り波長変換することによっても得ることができる。

【００３７】上記のＳＨＧとしては、反射対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ₆結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。

【００３８】上記のようにして得られた光記録媒体への
記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に０．４〜
０．６μｍ程度に集束したレーザー光を当てることによ
り行う。これにより、レーザー光の照射された部分に
は、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。

【００３９】記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、上記熱的変形が起きている部分と起きていない部分
の反射率の差を読み取ることにより行う。

【００４０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

【００４１】実施例１（ａ）記録媒体例前記クマリン化合物（５）（クロロホルム中でのλｍａ
ｘ＝４１９ｎｍ、モル吸光係数は２．０８×１０⁴）の
オクタフルオロペンタノール１．０重量％溶液を調製
し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基
板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１０
０℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長
（λｍａｘ）は４１７ｎｍであった。塗布膜の可視部吸
収スペクトルを図１に示す。

【００４２】次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。

【００４３】得られた光学記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は６０％であった。

【００４４】（ｂ）光記録法上記光学記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。

【００４５】実施例２（ａ）記録媒体例前記クマリン化合物（８）（クロロホルム中でのλｍａ
ｘ＝４３６ｎｍ、モル吸光係数は４．８９×１０⁴）の
オクタフルオロペンタノール１．０重量％溶液を調製
し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基
板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１０
０℃で３０分間乾燥した。この塗布膜のλｍａｘは４２
３ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図２
に示す。

【００４６】次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。

【００４７】得られた光学記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は６５％であった。

【００４８】（ｂ）光記録法上記光学記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。

【００４９】実施例３（ａ）記録媒体例前記クマリン化合物（７）（クロロホルム中でのλｍａ
ｘ＝４５２ｎｍ、モル吸光係数は５．２８×１０⁴）の
オクタフルオロペンタノール１．０重量％溶液を調製
し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基
板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１０
０℃で３０分間乾燥した。この塗布膜のλｍａｘは４３
８ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図３
に示す。

【００５０】次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。

【００５１】得られた光学記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は５９％であった。

【００５２】（ｂ）光記録法上記光学記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。

【００５３】実施例４〜１０表１に示すクマリン化合物を用いた。各クマリン化合物
のλｍａｘ、εは表１に示す通りであった。

【００５４】また、これらのクマリン化合物を用いて実
施例１と同様に基板上に塗布して、表１に示す塗布膜の
最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。

【００５５】得られた光学記録媒体に、中心波長４８８
ｎｍのアルゴンレーザーを用いて記録を行ったところ、
良好な記録ピットを形成することができた。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のクマリン化
合物を用いた光学記録媒体によれば、安価な高密度記録
媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られたクマリン化合物のポリカー
ボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す図であ
る。

【図２】実施例２で得られたクマリン化合物のポリカー
ボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す図であ
る。

【図３】実施例３で得られたクマリン化合物のポリカー
ボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す図であ
る。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記
録媒体において、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示され
るクマリン化合物を含有することを特徴とする光学記録
媒体。【化１】（［Ｉ］式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶はそれぞ
れ独立して水素原子又は任意の置換基を表す。また、Ｒ
¹〜Ｒ⁶のうち隣接する置換基同士が結合してクマリン環
に縮合する環を形成していてもよい。）
【請求項２】一般式［Ｉ］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶が、それぞれ
独立してアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニ
ル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、ハロゲン原
子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒ
ドロキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキ
ルカルボニルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、スルホン
酸基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ基、アルキ
ルスルホニル基、アリール基、アラルキル基、アリール
オキシ基、アリールアルキルオキシ基、アリールチオ
基、複素環基、−ＣＲ⁷＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ⁸（Ｒ⁷は水素原
子、或いは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を
表し、Ｒ⁸はシアノ基、炭素数２〜７の直鎖又は分岐の
アルコキシカルボニル基、或いは炭素数２〜７の直鎖又
は分岐のフッ化アルコキシカルボニル基を表す。）、−
ＮＲ⁹Ｒ¹⁰、−ＣＯＮＲ⁹Ｒ¹⁰（Ｒ⁹，Ｒ¹⁰はそれぞれ独
立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカ
ルボニル基、又はヒドロキシアルキル基を表す。また、
Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに結合するか、アミノ基又はアミド基
の置換した環と結合して環状を形成しても良い。）、フ
ルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、又はフルオ
ロアルキルチオ基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち隣接する置換
基同士が結合してクマリン環に縮合する環が、シクロア
ルキル環であることを特徴とする請求項１に記載の光学
記録媒体。
【請求項３】書き込み及び読み取りのレーザー波長が
ともに３５０〜５３０ｎｍであることを特徴とする請求
項１又は２に記載の光学記録媒体。