JP2002036727A - 光学記録媒体及び金属キレート色素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 青色半導体レーザーで記録再生が可能な有機
色素系光学記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザーによる情報の記録又は
再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体におい
て、該記録層が下記一般式（１）で示される錯体を含有
することを特徴とする光学記録媒体 【化４４】 （式中、Ｍは金属又は金属イオンを表し、Ｒは水素原
子、置換されていてもよい炭化水素基又は置換されてい
てもよい複素環基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に、水
素原子、置換されていてもよい炭化水素基、置換されて
いてもよい複素環基、−ＮＲ₃Ｒ₄基、−ＯＲ₅基又は−
ＳＲ₆基を表し（但しＲ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆は水素原子又
は任意の置換基を表す）、Ｌは中性又はマイナス１価
の、１種又は２座配位子を表し、ｎは１〜４の整数を表
し、ｘ，ｙは下記式を満足する整数である。ｎ＋（Ｌの
価数）×ｘ＝（Ｍの価数）２ｎ＋（Ｌの座数）×ｘ＋ｙ
＝（Ｍの配位数））

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機色素を記録層
に用いた追記型光学記録媒体とこの光学記録媒体の記録
材料として有用な金属キレート色素に係わるものであ
り、詳しくは青色レーザー対応の追記型光学記録媒体と
この光学記録媒体の記録材料として有用な金属キレート
色素に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長78
0nm、830nmよりも短波長のレーザー光を用いた高密度の
記録再生が可能な光学記録媒体が求められている。従来
提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒
体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有
機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で有機色素
系光記録媒体は、コスト的に安価で且つ製造プロセス工
程も容易であるという点で優位性を有するものと考えら
れている。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプの追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が量産化され、広
く知られているが、このＣＤ−Ｒの記録再生に使用され
るレーザーよりもさらに短波長の赤色半導体レーザーで
記録する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−
Ｒ）も開発され、実用化されている。しかし、より短波
長のレーザー発振が可能になるに従い、今後、ＤＶＤ−
Ｒよりもさらに短波長のレーザー、即ち青色半導体レー
ザー（波長350nm〜530nm）で記録再生可能な光学記録媒
体の必要性が高まりつつある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来ＣＤ−Ｒ或いはＤ
ＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、短波長
の青色半導体レーザー光に対する反射率が低く、青色半
導体レーザー光では記録再生ができないという問題を有
している。

【０００５】本発明は、青色半導体レーザー光によって
記録再生が可能な有機色素系光学記録媒体と、この光学
記録媒体の記録層材料として有用な金属キレート色素を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能
な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層
が下記一般式（１）で示される金属キレート色素を含有
することを特徴とする。

【０００７】

【化５】

【０００８】（式中、Ｍは金属又は金属イオンを表し、
Ｒは水素原子、置換されていてもよい炭化水素基又は置
換されていてもよい複素環基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は各々
独立に、水素原子、置換されていてもよい炭化水素基、
置換されていてもよい複素環基、−ＮＲ₃Ｒ₄基、−ＯＲ
₅基又は−ＳＲ₆基を表し（但しＲ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆は水
素原子又は任意の置換基を表す）、Ｌは中性又はマイナ
ス１価の、１種又は２座配位子を表し、ｎは１〜４の整
数を表し、ｘ，ｙは下記式を満足する整数である。 ｎ＋（Ｌの価数）×ｘ＝（Ｍの価数） ２ｎ＋（Ｌの座数）×ｘ＋ｙ＝（Ｍの配位数））

【０００９】即ち、本発明者らは青色半導体レーザー光
に高い感受性を有する有機色素について種々検討した結
果、上記一般式（１）で示される特定の配位子を有する
金属キレート色素を光学記録媒体の記録層に使用するこ
とにより、青色半導体レーザー光による記録再生が可能
であることを知得し本発明に到達した。

【００１０】本発明の実施の態様において、光学記録媒
体の配位子Ｌは中性の２座配位子であることが好まし
く、この場合において、特に、下記一般式（２）で示さ
れる光学記録媒体であることが好ましい。

【００１１】

【化６】

【００１２】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｍ及びｎは前記一般式
（１）と同義であり、Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁，Ｒ
₁₂，Ｒ₁₃，Ｒ₁₄は各々独立に、水素原子又は任意の置換
基を表す。）

【００１３】上記一般式（２）中のＲ₁₀とＲ₁₁は互いに
結合してベンゼン環を形成していても良い。

【００１４】また、本発明の別の実施の形態において、
金属キレート色素としては、下記一般式（３）で示され
るものが挙げられる。

【００１５】

【化７】

【００１６】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂及びｎは前記一般式
（１）と同義であり、Ｍは金属イオンであり、ｍは０〜
４の整数を表す。）

【００１７】前記一般式（１），（２），（３）中、Ｒ
₁及びＲ₂は各々独立に、置換されていても良い炭素数１
〜１０の直鎖アルキル基、炭素数６〜２０のアリール
基、置換されていても良い炭素数７〜２０のアラルキル
基、置換されていても良い炭素数１〜１０のアルコキシ
基又は置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル
チオ基であることが好ましい。

【００１８】本発明の光学記録媒体は、情報の記録又は
再生のレーザー波長として好ましくは350nm 〜530nm の
ものを用いるものである。

【００１９】本発明の金属キレート色素は、下記一般式
（２）で示されることを特徴とする。

【００２０】

【化８】

【００２１】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｍ及びｎは前記一般式
（１）と同義であり、Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁，Ｒ
₁₂，Ｒ₁₃，Ｒ₁₄は各々独立に、水素原子又は任意の置換
基を表す。）

【００２２】

【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。

【００２３】本発明の光学記録媒体の記録層に含有させ
る金属キレート色素は、前記一般式（１）で示される。
一般式（１）において、Ｒは水素原子、置換されていて
もよい炭化水素基又は置換されていてもよい複素環基で
ある。

【００２４】Ｒが置換されていても良い炭化水素基の場
合の炭化水素基としては、具体的には、メチル基、エチ
ル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、te
rt−ブチル基、sec-ブチル基等の炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数
３〜１２の環状アルキル基；フェニル基、ナフチル基、
トリル基などの炭素数６〜２０のアリール基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数
１〜１０のアルコキシ基；ベンジル基、フェネチル基等
の炭素数７〜２０のアラルキル基；ビニル基、プロペニ
ル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜２０の直鎖又は分岐
のアルケニル基等が挙げられる。

【００２５】これらの炭化水素基の置換基としては、後
述のＲ_１，Ｒ_２が置換されていてもよい場合の置換基と
して例示したものが挙げられ、好ましい置換基について
も同様である。

【００２６】また、Ｒが置換されていてもよい複素環基
の場合の複素環としては、４〜１２員環の複素環が挙げ
られ、より具体的には、Ｒ_１，Ｒ_２の複素環基の複素環
として後述したチエニル基、フリル基、ピロリル基、オ
キサゾリル基、ピリミジニル基、モルホリノ基、ピペリ
ジル基等の複素環及び縮合環が挙げられる。これら複素
環はいずれも置換基を有していてもよく、その場合の置
換基としても、後述のＲ_１，Ｒ_２が置換されていてもよ
い場合の置換基として例示したものが挙げられる。

【００２７】Ｒとして好ましいものは、水素原子、置換
されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖アルキル基、置
換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基であ
り、特に好ましいものは水素原子である。

【００２８】一般式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂として
は各々独立に、水素原子；置換されてもよい炭化水素
基；置換されてもよい複素環基；−ＮＲ₄Ｒ₅基；−ＯＲ
₆基；−ＳＲ₇基（但しＲ₄〜Ｒ₇は水素原子又は任意の置
換基）である。金属キレート色素におけるこれらの配位
子は、単一でも複数種の混合でもよい。

【００２９】Ｒ₁及びＲ₂が置換されていても良い炭化水
素基の場合の炭化水素基としては、具体的には、メチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、tert−ブチル基、sec-ブチル基等の炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
の炭素数３〜１２の環状アルキル基；フェニル基、ナフ
チル基、トリル基などの炭素数６〜２０のアリール基；
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
の炭素数１〜１０のアルコキシ基；ベンジル基、フェネ
チル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；ビニル基、
プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜２０の直鎖
又は分岐のアルケニル基等が挙げられる。

【００３０】Ｒ_１，Ｒ_２の炭化水素基として好ましいも
のは炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素
数６〜２０のアリール基、及び炭素数７〜２０のアラル
キル基である。

【００３１】これらの炭化水素基の置換基としては、例
えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプ
ロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブ
トキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシ
メトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコ
キシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキ
シエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシ
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の
炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；
クロロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオ
ロエチル基、ペンタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタ
フルオロ−ｉ−プロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル
基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−
ヘキシル基等のハロゲン化アルキル基；アリルオキシ
基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜
１２のアリール基（これらは置換基でさらに置換されて
いてもよい。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシ
リルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２の
アリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等
の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基；シアノ基；イ
ソシアノ基；シアナト基；イソシアナト基；チオシアナ
ト基；イソチオシアナト基；ニトロ基；ヒドロキシル
基；テトラヒドロフリル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜
１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、
エチルスルホニルアミノ基、n-プロピルスルホニルアミ
ノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポ
キシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブ
トキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカル
ボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニ
ルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロ
ピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基
等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メト
キシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシ
カルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙
げられる。

【００３２】また、上述の炭化水素基の中で、炭素数６
〜２０のアリール基、炭素数３〜１２の環状アルキル基
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜８の直鎖又は
分岐のアルキル基やビニル基、アリル基等のアルケニル
基で置換されていてもよい。置換基中に包含される炭素
数６〜２０のアリール基は、同様の置換基でさらに置換
されていてもよい。

【００３３】これらの炭化水素基の置換基のうち、好ま
しい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン化アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基等で
ある。

【００３４】Ｒ₁及びＲ₂が置換されていても良い複素環
基の場合の複素環としては、４〜１２員環が好ましく、
例えば下記に示す複素環及び縮合環があげられる。

【００３５】

【化９】

【００３６】（式中Ｚは、水素原子又は炭素数１〜６の
直鎖又は分岐のアルキル基を表す）

【００３７】これらの中では、特にチエニル基、フリル
基、ピロリル基、オキサゾリル基、ピリミジニル基等の
５〜６員環の芳香族複素環やモルホリノ基、ピペリジル
基等が好ましい。さらにこれら複素環はいずれも置換基
を有していてもよく、置換基としては、上述の炭化水素
の置換基と同様の基が挙げられる。複素環基として、好
ましくは、無置換、又はアルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基で置換された複素環基である。

【００３８】−ＮＲ₄Ｒ₅基のＲ₄、Ｒ₅としては、水素原
子又は上記Ｒ₁、Ｒ₂と同様の、置換基を有していても良
い炭化水素基又は複素環基が挙げられる。中でも好まし
いものは、Ｒ₄、Ｒ₅の一方が水素原子で、他方が、置換
されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアル
キル基；置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール
基；置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル
基；又は置換されていてもよい複素環基である。

【００３９】これらアルキル基、アリール基、アラルキ
ル基及び複素環基は、ハロゲン原子又はメトキシ基で置
換されているか、無置換であるものが好ましい。

【００４０】−ＯＲ₆基；−ＳＲ₇基のＲ₆、Ｒ₇も、水素
原子又は上記Ｒ₁、Ｒ₂と同様の置換基を有していても良
い炭化水素基又は複素環基が挙げられる。好ましいもの
は、置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖又は分
岐のアルキル基；置換されてもよい炭素数７〜２０のア
ラルキル基；置換されてもよい炭素数６〜２０のアリー
ル基である。特に好ましくはアルキル基である。

【００４１】これらアルキル基、アラルキル基及びアリ
ール基は、ハロゲン原子で置換されているか、又は無置
換であるものが好ましい。

【００４２】一般式（１）におけるＲ₁及びＲ₂として
は、上述した各基の中でも特に、置換されていてもよい
炭素数１〜１０の直鎖アルキル基、置換されていてもよ
い炭素数６〜２０のアリール基、置換されていてもよい
炭素数７〜２０のアラルキル基、置換されていてもよい
炭素数１〜１０のアルコキシ基、又は置換されていても
よい炭素数１〜１０のアルキルチオ基が好ましい。

【００４３】一般式（１）における配位子Ｌは、中性又
はマイナス１価の１座又は２座配位子であれば特に制限
はないが、例えば下記のものが挙げられる。

【００４４】

【化１０】

【００４５】

【化１１】

【００４６】

【化１２】

【００４７】

【化１３】

【００４８】これらの配位子の存在のなかでも、特に、
下記のものが好ましい。

【００４９】

【化１４】

【００５０】とりわけ、好ましい配位子は下記のもので
ある。

【００５１】

【化１５】

【００５２】なお、ここに挙げた配位子は、基本骨格の
みを示しており、配位能力を損なわない限り、任意の基
で置換されていてもかまわない。

【００５３】配位させる金属イオンＭは、配位能力があ
れば特に種類は問わないが、錯形成のしやすさからＭ
ｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ等の遷移金属、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｅｕ等の希土類元
素が好ましい。

【００５４】本発明において、金属キレート色素が前記
一般式（２）で示される金属キレート色素である場合、
配位させる金属Ｍは、配位数８の金属又は金属イオンで
あり、通常ランタニド、アクチニド類の元素である。中
でも配位子との錯体形成のしやすさから、Ｅｕ，Ｓｍが
好ましい。

【００５５】Ｒ₇ 〜Ｒ₁₄は水素原子又は任意の置換基で
ある。置換基としては例えば、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ
−ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアル
キル基（アルキル基の置換した環と結合して環状を形成
していても良い。また、隣接するアルキル基同士で結合
して環状を形成していても良い。即ち、シクロヘキサン
又はシクロペンタン等のクマリン環に縮合するシクロア
ルキル環を形成していても良い。）；シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基等の炭素数３〜１０の環状のアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキ
シ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基
（もう一つのアルコキシ基と互いに結合してもよい。又
はアルコキシ基の置換した環と結合して環状を形成して
もよい。）；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル
基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピ
バロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素
数２〜２１の直鎖又は分岐のアルキルカルボニル基；ビ
ニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基等の炭素数２〜２０の直鎖又は分岐のアルケ
ニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の
炭素数３〜１０の環状のアルケニル基；プロペニルオキ
シ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセ
ニルオキシ基等の炭素数３〜２０の直鎖又は分岐のアル
ケニルオキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等の
ハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキ
シル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の
炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基；メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカル
ボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅ
ｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボ
ニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２
〜２１の直鎖又は分岐のアルコキシカルボニル基；メチ
ルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ
−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ
−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜２１の直鎖又
は分岐のアルキルカルボニルオキシ基；ニトロ基；シア
ノ基；スルホン酸基；メトキシメチル基、メトキシエチ
ル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロ
ポキシエチル基、ｎ−プロポキシプロピル基、イソプロ
ポキシメチル基、イソプロポキシエチル基等の炭素数２
〜２１の直鎖又は分岐のアルコキシアルキル基；メチル
チオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロ
ピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ
基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−
ヘキシルチオ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のア
ルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニ
ル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスル
ホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチル
スルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のアルキルスルホニル基；置換基
を有していてもよいフェニル基等のアリール基；置換基
を有していてもよいベンジル基、フェネチル基等の直鎖
又は分岐のアラルキル基；置換基を有していてもよいフ
ェノキシ基等のアリールオキシ基；置換基を有していて
もよいベンジルオキシ基等の直鎖又は分岐のアリールア
ルキルオキシ基、置換基を有していてもよいフェニルチ
オ基等のアリールチオ基；置換されていてもよいチオフ
ェン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダ
ゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾー
ル環、チアジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピ
リミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ベンゾフラ
ン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンズイミ
ダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、クマリ
ン環、キノキサリン環、ジベンゾフラン環、カルバゾー
ル環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェノチア
ジン環等の複素環基；−ＣＲ₁₅＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ₁₆（Ｒ₁₅
は水素原子、或いは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアル
キル基を表し、Ｒ₁₆はシアノ基、炭素数２〜７の直鎖又
は分岐のアルコキシカルボニル基、或いは炭素数２〜７
の直鎖又は分岐のフッ化アルコキシカルボニル基を表
す。）；−ＮＲ₁₇Ｒ₁₈（Ｒ₁₇、Ｒ₁₈はそれぞれ独立して
水素原子、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル
基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、置
換基を有していてもよいフェニル基等のアリール基、炭
素数７〜２０の直鎖又は分岐のアラルキル基、炭素数２
〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシアルキル基、炭素数
２〜１２の直鎖又は分岐のアルキルカルボニル基；炭素
数１〜１２の直鎖又は分岐のヒドロキシアルキル基を表
す。また、Ｒ ₁₇とＲ₁₈は互いに結合するか、アミノ基の
置換した環と結合して環状を形成してもよい。）；−Ｃ
ＯＮＲ₁₇Ｒ₁₈（Ｒ₁₇、Ｒ₁₈の定義は上記と同様。）；ト
リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタ
フルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピ
ル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、
パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘ
キシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のフルオロ
アルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプ
タフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフ
ルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等
の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のフルオロアルコキシ
基；トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチル
チオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタ
フルオロイソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ルチオ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ
−ペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基
等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のフルオロアルキル
チオ基が挙げられる。

【００５６】中でも好ましいものは、水素原子；炭素数
１〜６の直鎖又は分岐の無置換アルキル基；置換されて
いてもよいフェニル基等のアリル基；炭素数１〜６の直
鎖又は分岐のフルオロアルキル基；炭素数１〜６の直鎖
又は分岐のフルオロアルコキシ基；炭素数１〜６の直鎖
又は分岐のフルオロアルキルチオ基等があげられる。置
換基の場所としては、立体障害を考慮すると、Ｒ₈ 〜Ｒ
₁₃が望ましい。

【００５７】なお、Ｒ₁₀とＲ₁₁が結合してベンゼン環を
形成し、全体として１，１０−フェナントロリン環を形
成していてもよい。この時、Ｒ₁₀とＲ₁₁が結合すること
により形成されるベンゼン環部分に、例えばＲ₇ 〜Ｒ₁₄
として挙げた置換基を有していてもよい。

【００５８】また一般式（２）におけるｎは１〜４の整
数であるが、好ましくは１〜３である。

【００５９】一般式（２）で表される化合物の好ましい
例としては下記のものが挙げられるが、本発明の金属キ
レート色素はこれらは限定されるものではない。

【００６０】

【化１６】

【００６１】

【化１７】

【００６２】

【化１８】

【００６３】

【化１９】

【００６４】

【化２０】

【００６５】

【化２１】

【００６６】

【化２２】

【００６７】

【化２３】

【００６８】

【化２４】

【００６９】各式中、ＱはＣｌ^- 、ＣＨ₃ ＣＯＯ^- 、Ｎ
Ｏ₃ ^-、Ｂｒ^-、 Ｉ^- 、ＣｌＯ₄ ^-等のカウンターイオン
を表す。

【００７０】また、本発明の金属キレート色素が、前記
一般式（３）で示される金属キレート色素である場合、
ｎは金属Ｍの価数と同じ数であり１〜４の値を表す。ｍ
は配位する水分子Ｈ₂Ｏの数を表し０〜４である。な
お、「２ｎ＋ｍ＝金属イオンＭの配位数」の関係にあ
る。また特にＭが遷移金属である場合、多量（ｌ量）体
構造（一般に[Ｍ(Ｘ)_n]_lで表す（Ｘは配位子））を形成
する場合がある（例えばアセチルアセトンとＮｉの錯体
では、配位子であるアセチルアセトンの酸素原子が、３
つのＮｉイオン間を架橋するように配位して３量体を形
成し、［ＭＸ₂］₃（又は［Ｍ₃Ｘ₆］と表す）型のような
配位構造を形成する）。

【００７１】一般式（３）で表される化合物の好ましい
例としては下記のものが挙げられるが、本発明の有機色
素はこれらに限定されるものではない。

【００７２】

【化２５】

【００７３】

【化２６】

【００７４】

【化２７】

【００７５】

【化２８】

【化２９】

【００７６】一般式（３）で示される錯体は、市販品を
入手することも出来るし、或いは対応するジケトンと、
配位させる金属化合物の水溶液と接触、反応させること
により製造することができる。

【００７７】配位金属の化合物としては、塩酸塩、硝酸
塩等の無機酸塩或いは酢酸塩等の有機酸塩が挙げられ
る。

【００７８】その他、本発明に係る金属キレート色素と
しては、次のようなものも例示される。

【００７９】

【化３０】

【００８０】

【化３１】

【化３２】

【００８１】これら本発明の金属キレート色素は、例え
ば該色素を含む溶液から記録層の成膜を形成する際の薄
膜形成性に優れているので、光学記録媒体の記録層に使
用する色素として極めて有用である。

【００８２】また一般式（１）の金属キレート色素を含
有する記録層は、より短い波長（350nm〜500nm）領域に
レーザー光による記録再生に適した強度の吸収を有して
いるため、係る錯体は短波長レーザーに対応する記録再
生用光学記録媒体に使用する色素として、極めて有用で
ある。

【００８３】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記金属キレート色素を含む記録層とから構成される
ものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層、
金属反射層、保護層等を設けても良い。

【００８４】好ましい層構成の一例としては、記録層上
に金、銀、アルミニウムのような金属反射層及び保護層
を設けた高反射率の媒体が挙げられる。以下、この構造
の媒体を例に、本発明の光学記録媒体について説明す
る。

【００８５】本発明の光学記録媒体における基板の材質
としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明で
あればよい。

【００８６】このような材質としては、例えばアクリル
系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、ポ
リエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等
の樹脂からなるもの、ガラスからなるもの、ガラス上に
光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設
けたもの等を使用することができる。

【００８７】高生産性、コスト、耐吸湿性などの点から
は、射出成型ポリカーボネートが好ましい。耐薬品性、
耐吸湿性などの点からは、非晶質ポリオレフィンが好ま
しい。また高速応答性などの点からは、ガラス基板が好
ましい。

【００８８】記録層に接して樹脂基板又は樹脂層を設
け、その樹脂基板又は樹脂層上に記録再生光の案内溝や
ピットを有していてもよい。案内溝がスパイラル状の場
合、この溝ピッチが0.5〜1.2μｍ程度であることが好ま
しい。

【００８９】基板上、又は必要に応じて下引き層等を設
けた上に、本発明に係る金属キレート色素を含む記録層
を形成する。

【００９０】記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、
スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、
スピンコート法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成
法が挙げられる。量産性、コスト面からはスピンコート
法が好ましい。また、厚みの均一な記録層が得られると
いう点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好まし
い。

【００９１】スピンコート法による成膜の場合、回転数
は500〜15000rpmが好ましく、スピンコートの後、場合
によっては加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行
っても良い。

【００９２】ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する
場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば
よく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコー
ル、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトンアル
コール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等
のセロソルブ系溶媒；n-ヘキサン、n-オクタン等の鎖状
炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、
n-ブチルシクロヘキサン、tert-ブチルシクロヘキサ
ン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフ
ルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘ
キサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアル
コール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチ
ル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げら
れる。

【００９３】真空蒸着法の場合は、例えば一般式（１）
の金属キレート色素と、必要に応じて他の色素や各種添
加剤等の記録層成分を、真空容器内に設置されたるつぼ
に入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^-2〜１０
^-5Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層
成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に
蒸着させることにより、記録層を形成する。

【００９４】また、記録層は、記録層の安定性や耐光性
向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属
キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α-ジケトン等）等や、記録感度向
上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有して
いても良い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金
属が、原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含ま
れるものであり、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾ
メチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェ
ナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯
体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯
体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート
系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のよう
な有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に
限定されないが、遷移金属であることが好ましい。

【００９５】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に適度な吸収を有するものであれ
ばよく、特に制限されない。また、CD-Rのような770〜8
30nmから選ばれた波長の近赤外レーザーやDVD-Rのよう
な620〜690nmから選ばれた赤色レーザーでの記録に適す
る色素を併用して、複数の波長域でのレーザー光による
記録に対応する光学記録媒体とすることもできる。

【００９６】他系統の色素としては含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。

【００９７】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン等が挙げられる。

【００９８】記録層の膜厚は、記録方法などにより適し
た膜厚が異なる為、特に限定されるものではないが、通
常50〜300nmである。

【００９９】記録層の上には、反射層を形成してもよ
く、その膜厚は好ましくは、厚さ50〜300nmである。反
射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高い
もの、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、
Cr及びPdの金属を単独あるいは合金にして用いることが
可能である。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射
層の材料として適している。これらを主成分とする以外
に下記のものを含んでいても良い。例えば、Mg、Se、H
f、Ｖ、Nb、Ru、Ｗ、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Z
n、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金
属及び半金属を挙げることができる。なかでもAgを主成
分としているものはコストが安い点、高反射率が出やす
い点、更に後で述べる印刷受容層を設ける場合には地色
が白く美しいものが得られる点等から特に好ましい。こ
こで主成分とは含有率が５０％以上のものをいう。

【０１００】金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。

【０１０１】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設ける
こともできる。

【０１０２】反射層の上に形成する保護層の材料として
は、反射層を外力から保護するものであれば特に限定さ
れない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げ
ることができる。また、無機物質としては、SiO₂、Si
N₄、MgF₂、SnO₂等が挙げられる。

【０１０３】保護層が熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等よ
りなる場合は、樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を塗
布し、乾燥することによって形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂の場合は、樹脂をそのままもしくは適当な
溶剤に溶解した塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化
させることによって形成することができる。ＵＶ硬化性
樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキ
シアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリ
レート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単
独であるいは混合して用いても良いし、１層だけではな
く多層膜にして用いても良い。

【０１０４】保護層の形成方法としては、記録層と同様
にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法
や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピ
ンコート法が好ましい。

【０１０５】保護層の膜厚は、一般に0.1〜100μmの範
囲であるが、本発明においては、３〜30μmが好まし
い。

【０１０６】また、反射層面に更に基板を貼り合わせて
もよく、また反射層面相互を内面とし対向させ光学記録
媒体２枚を貼り合わせても良い。基板鏡面側に、表面保
護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹脂層や、無
機系薄膜等を成膜してもよい。

【０１０７】なお、記録再生光の入射面ではない面に、
インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、或いは各
種筆記具にて記入（印刷）が可能な印刷受容層を設けて
もよい。

【０１０８】本発明の光学記録媒体に対して使用される
レーザー光は、高密度記録を得るためには波長は短いほ
ど好ましいが、特に350〜530nmのレーザー光が好まし
い。かかるレーザー光の代表例としては、中心波長410n
m、515nmのレーザー光が挙げられる。

【０１０９】波長350〜530nmの範囲のレーザー光の一例
は、410nmの青色又は515nmの青緑色の高出力半導体レー
ザーを使用することにより得ることができるが、その
他、例えば、(a)基本発振波長が740〜960nmの連続発振
可能な半導体レーザー、又は(b)半導体レーザーによっ
て励起され、且つ基本発振波長が740〜960nmの連続発振
可能な固体レーザーのいずれかを第二高調波発生素子(S
HG)により波長変換することによっても得ることができ
る。

【０１１０】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
860nmの半導体レーザーの場合、その倍波の430nm、また
半導体レーザー励起の固体レーザーの場合は、Crドープ
したLiSrAlF₆結晶（基本発振波長860nm）からの倍波の4
30nm等が挙げられる。

【０１１１】上記のようにして得られた本発明の光学記
録媒体への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層
に0.4〜0.6μm程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の
記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化する。

【０１１２】記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、光学特性の変化が起きている部分と起きていない部
分の反射率の差を読みとることにより行う。

【０１１３】

【実施例】以下本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施
例によって限定されるものではない。

【０１１４】実施例１ （ａ） 色素の製造

【０１１５】

【化３３】

【０１１６】上記構造式［Ｉ］で示されるテノイルトリ
フルオロアセトン０．６７７ｇ（０．００３ｍｏｌ）と
上記構造式［II］１，１０−フェナントロリン一水和物
０．１８ｇ（０．００１ｇ）をエタノール２０ｍｌに、
３０〜４０℃に加熱しながら溶解させた。溶解後、１ｍ
ｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液３ｍｌ加えて、溶液を中和し
た。このあと更に溶液を加熱して６０℃にし、ここにに
酢酸サマリウム４水和物０．４ｇを溶解させた溶液を滴
下した。滴下終了後、攪拌を１時間行い、冷却後反応液
を濾過した。濾過物をエタノールを少々混ぜた水で洗浄
し、乾燥させて、下記の構造式［III ］で示される化合
物を０．８０ｇ（収率８０％）を得た。

【０１１７】

【化３４】

【０１１８】（ｂ） 塗布膜の形成及び評価 前記構造式［III ］で示される化合物（クロロホルム中
でのλmax ＝３４０ｎｍ、モル吸光係数は５．４×１０
⁴ ）をアセトンに溶解し、１．０ｗｔ％に調製した。こ
れをろ過してできた溶解液を直径１３０ｎｍ、厚さ１ｍ
ｍのポリオレフィン樹脂基板上に滴下し、スピナー法に
より塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。こ
の塗布膜の最大吸収波長（λmax ）は、３４６ｎｍであ
った。なお、ポリオレフィン樹脂基板は、非晶質ポリオ
レフィン（商品名「ＺＥＯＮＥＸ」；日本ゼオン（株）
製）を用いて形成されたものを用いた。以下の実施例に
おいても同様である。

【０１１９】実施例２ （ａ） 色素の製造

【０１２０】

【化３５】

【０１２１】前記のテノイルトリフルオロアセトン０．
６７７ｇ（０．００３ｍｏｌ）と上記構造式［IV］２，
２′−ビピリジル０．１５６ｇ（０．００１ｍｏｌ）を
エタノール２０ｍｌに、３０〜４０℃に加熱しながら溶
解させた。溶解後、１ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液３ｍ
ｌ加えて、溶液を中和した。このあと更に溶液を加熱し
て６０℃にし、ここに酢酸サマリウム４水和物０．４ｇ
／１０ｍｌ水溶液を溶解させた溶液を滴下した。滴下終
了後、攪拌を１時間行い、冷却後反応液を濾過した。濾
過物をエタノールを少々混ぜた水で洗浄し、乾燥させ
て、下記の構造式［Ｖ］で示される化合物を０．８５５
ｇ（収率８８％）を得た。

【０１２２】

【化３６】

【０１２３】（ｂ） 塗布膜の形成及び評価 前記構造式（Ｖ）で示される化合物（クロロホルム中で
のλmax ＝３４２ｎｍ、モル吸光係数は５．８×１
０⁴ ）をアセトンに溶解し、１．０ｗｔ％に調整した。
これを濾過してできた溶解液を直径１３０ｍｍ、厚さ１
ｍｍのポリオレフィン樹脂基板上に滴下し、スピナー法
により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。
この塗布膜の最大吸収波長（λmax ）は、３４４．５ｎ
ｍであった。

【０１２４】実施例３ （ａ） 色素の製造

【０１２５】

【化３７】

【０１２６】上記構造式［VI］で示される１，３−ジフ
ェニル−１，３−プロパンジオン０．６７ｇ（０．００
３ｍｏｌ）をエタノール２０ｍｌに加え、３０〜４０℃
に加熱して溶解させた。溶解後、１ｍｏｌ／ｌのＮａＯ
Ｈ水溶液４ｍｌを加えて、溶液を中和した。更に溶液を
加熱して６０℃にし、ここに酢酸サマリウム４水和物
０．４ｇを水１０ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴
下終了後、攪拌を１時間行い、冷却後反応液を濾過し
た。濾過物をエタノールを少々混ぜた水で洗浄し、乾燥
させて、下記の構造式［VII］で示される色素０．８４
ｇ（収率９７％）を得た。この色素は、クロロホルム中
でのλmax＝348nm、モル吸光係数は6.8×10⁴であった。

【０１２７】

【化３８】

【０１２８】（ｂ） 塗布膜の形成及び評価 上記構造式[VII]で示される色素をアセトンに溶解し、
１．０ｗｔ％溶液を調製した。これをろ過してできた溶
液を直径１３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのポリオレフィン樹脂
基板上に滴下し、塗布後、室温で乾燥した。この塗布膜
の最大吸収波長（λmax）は、３５１ｎｍであった。

【０１２９】実施例４ （ａ） 色素の製造

【０１３０】

【化３９】

【０１３１】上記構造式[VIII]で示される４−ｔ−ブチ
ル−４′−メトキシジベンゾイルメタン４．６６ｇ
（０．０１５ｍｏｌ）を前項と同様に反応させてサマリ
ウム錯体を形成し、下記の構造式［IX］で示される化合
物５．１８ｇ（収率９７％）を得た。この化合物は、ク
ロロホルム中でのλmax＝357nm、モル吸光係数は8.6×1
0⁴であった。

【０１３２】

【化４０】

【０１３３】（ｂ） 塗布膜の製造及び評価 前記構造式[IX]で示される色素をアセトンに溶解し、
１．０ｗｔ％溶液を調製した。これをろ過してできた溶
液を直径１３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのポリオレフィン樹脂
基板上に滴下し、塗布後、室温で乾燥した。この塗布膜
の最大吸収波長（λmax）は、３５７．５ｎｍであっ
た。

【０１３４】実施例５ （ａ） 色素の製造

【０１３５】

【化４１】

【０１３６】上記構造式［Ｘ］で示されるテノイルトリ
フルオロアセトン１．３３ｇ（０．００６ｍｏｌ）をエ
タノール２０ｍｌに加え、３０〜４０℃に加熱しながら
溶解させた。溶解後、１ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液３
ｍｌ加えて、溶液を中和した。更に溶液を加熱して６０
℃にし、ここに塩化鉄（III）０．３２ｇ／１５ｍｌ水
溶液を滴下した。滴下終了後、攪拌を１時間行い、冷却
後反応液を濾過した。濾過物をエタノールを少々混ぜた
水で洗浄し、乾燥させて、下記の構造式［XI］で示され
る化合物１．０５ｇ（収率７２．６％）を得た。この化
合物は、クロロホルム中でのλmax＝334nm、モル吸光係
数は4.9×10⁴であった。

【０１３７】

【化４２】

【０１３８】（ｂ） 塗布膜の製造及び評価 上記構造式［XI］で示される化合物をアセトンに溶解
し、１．０ｗｔ％溶液を調製した。これをろ過してでき
た溶液を直径１３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのポリオレフィン
樹脂基板上に滴下して塗布し、塗布後、室温で乾燥し
た。この塗布膜の最大吸収波長（λmax）は、３４１ｎ
ｍであった。

【０１３９】実施例６ （ａ） 色素の製造 前記構造式［VI］で示される１，３−ジフェニル−１，
３−プロパンジオン０．９０ｇ（０．０４ｍｏｌ）に、
実施例１と同様の方法で、酢酸マグネシウム０．４３ｇ
／１０ｍｌ水溶液を滴下して、下記［XII］でされる化
合物０．８６ｇ（収率５９％）を得た。この化合物は、
クロロホルム中でのλmax＝346nm、モル吸光係数は7.0
×10⁴であった。

【０１４０】

【化４３】

【０１４１】（ｂ） 塗布膜の製造及び評価 上記構造式［XII］で示される化合物を真空蒸着装置を
用いて、4×１０^−３Ｐａの圧力下で、室温から３５０
℃まで加熱して昇華させ、直径１２０ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に、蒸着さ
せた。この塗布膜の最大吸収波長（λmax）は３５０．
５ｎｍであった。

【０１４２】実施例１〜６で製造した塗布膜上に、スパ
ッタリング法等にて銀膜を成膜して反射層を形成し、更
に紫外線硬化型樹脂をスピンコート等にて塗布・ＵＶ照
射により硬化させて保護層を形成して光学記録媒体とす
ることができる。しかして、前記評価結果より、この光
学記録媒体は、塗布膜のλmaxの値より、例えば中心波
長410nmの半導体レーザーによる記録再生が可能である
ことが明らかである。

【０１４３】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、短
波長のレーザー光による記録再生に適した吸収を有する
塗布膜を形成することが出来、且つ成膜性にも優れた金
属キレート色素を用いて、短波長レーザーに対応する記
録再生用光学記録媒体が提供される。

フロントページの続き (72)発明者 市野澤 晶子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 畚野 真代 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA48 FA01 FA12 FA14 FA35 FB42 GA03 GA07 5D029 JA04 JB47

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレーザーによる情報の記録又は
   再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体におい
   て、該記録層が下記一般式（１）で示される金属キレー
   ト色素を含有することを特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、Ｍは金属又は金属イオンを表し、Ｒは水素原
   子、置換されていてもよい炭化水素基又は置換されてい
   てもよい複素環基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は各々独立に、水
   素原子、置換されていてもよい炭化水素基、置換されて
   いてもよい複素環基、−ＮＲ₃Ｒ₄基、−ＯＲ₅基又は−
   ＳＲ₆基を表し（但しＲ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆は水素原子又
   は任意の置換基を表す）、 Ｌは中性又はマイナス１価の、１座又は２座配位子を表
   し、 ｎは１〜４の整数を表し、ｘ，ｙは下記式を満足する整
   数である。 ｎ＋（Ｌの価数）×ｘ＝（Ｍの価数） ２ｎ＋（Ｌの座数）×ｘ＋ｙ＝（Ｍの配位数））
2. 【請求項２】 請求項１において、一般式（１）中の配
   位子Ｌが中性の２座配位子であることを特徴とする光学
   記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項２において、金属キレート色素が
   下記一般式（２）で示されることを特徴とする光学記録
   媒体。 【化２】 （式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｍ及びｎは前記一般式（１）と同義
   であり、Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁，Ｒ₁₂，Ｒ₁₃，Ｒ
   ₁₄は各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。）
4. 【請求項４】 請求項３において、一般式（２）中のＲ
   ₁₀とＲ₁₁が互いに結合してベンゼン環を形成している光
   学記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１において、金属キレート色素が
   下記一般式（３）で示されることを特徴とする光学記録
   媒体。 【化３】 （式中、Ｒ₁，Ｒ₂及びｎは前記一般式（１）と同義であ
   り、Ｍは金属イオンであり、ｍは０〜４の整数を表
   す。）
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
   て、一般式（１），（２）又は（３）中、Ｒ₁及びＲ₂は
   各々独立に、置換されていても良い炭素数１〜１０の直
   鎖アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、置換され
   ていても良い炭素数７〜２０のアラルキル基、置換され
   ていても良い炭素数１〜１０のアルコキシ基又は置換さ
   れていても良い炭素数１〜１０のアルキルチオ基である
   ことを特徴とする光学記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
   て、情報の記録又は再生のレーザー波長が350nm 〜530n
   m であることを特徴とする光学記録媒体。
8. 【請求項８】 下記一般式（２）で示されることを特徴
   とする金属キレート色素。 【化４】 （式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｍ及びｎは前記一般式（１）と同義
   であり、Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁，Ｒ₁₂，Ｒ₁₃，Ｒ
   ₁₄は各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。）