WO2005082637A1

WO2005082637A1 - 光記録材料及び光学記録媒体

Info

Publication number: WO2005082637A1
Application number: PCT/JP2005/003190
Authority: WO
Inventors: Takashi Miyazawa; Hideyuki Kubo; Hideki Nagano; Hironori Ota
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corporation; Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd.
Priority date: 2004-02-26
Filing date: 2005-02-25
Publication date: 2005-09-09
Also published as: TW200537479A; EP1719635A1; CN100509426C; CN1922028A; US20070184386A1

Abstract

【課題】　短波長の青色レーザによって記録・再生が可能であり、高水準の光記録材料を提供すること。【解決手段】　最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である有機色素化合物Ａと、最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下である金属錯体化合物Ｂとを含有し、有機色素化合物Ａの含有量が、金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、所定の試験方法で測定された耐光性ｘが３０％以上となる光記録材料。

Description

明細書

光記録材料及び光学記録媒体

技術分野

[0001] 本発明は光記録材料等に関し、より詳しくは、青色レーザ対応の光記録材料等に関する。

背景技術

[0002] 現在、 CD-R/RW, DVD-R/RW, MO等の各種光学記録媒体は、大容量の情報を記憶でき、ランダムアクセスが容易であるために、コンピュータのような情報処理装置における外部記憶装置として広く認知され普及している。これらの中でも、 CD Rや DVD— Rに代表される有機色素系光学記録媒体は、低コスト、且つ、製造が容易であると!/、う点で、優位性を有するものと考えられて、る。

また、取り扱う情報量の増大により、媒体の記録密度を高めることが望まれている。近年、開発が著しい青色レーザ等の発振波長の短い（以下、短波長という。）レーザ光を用いた高密度の記録再生可能な光学記録媒体が提唱されつつある。

[0003] しかし、一般に、 CD— Rや DVD— R等として市販されている光学記録媒体の場合、例えば、 CD— Rは波長 780nm程度のレーザ光による記録 ·再生に適するように、また DVD— Rは波長 600nm— 700nm程度のレーザ光による記録.再生に適するように設計されている。このような、比較的長波長のレーザ光を用いる光学的記録'再生用に適合する光学記録媒体では、より短波長のレーザを用いて記録，再生すると、反射率が低く記録 ·再生ができな、という問題を有して!/、る。

[0004] よって、このような短波長のレーザ光による記録，再生に適する光学記録媒体の記録層に使用される有機色素化合物につヽても、従来から使用されてヽるレーザ光の波長より短い波長において吸収特性を有する色素が検討され、このような色素を記録層に用いた光学記録媒体が報告されている (特許文献 1参照)。また、特定の分子構造のカルボスチリル化合物が記録層に含有される光学記録媒体につ！ヽても報告がある (特許文献 2、特許文献 3参照)。

[0005] 特許文献 1：特開 2001-096918号公報特許文献 2：特開 2001— 287466号公報

特許文献 3 :特開 2003—127542号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] ところで、青色レーザを利用した光学記録媒体に使用される記録用色素に求められる性能は前述の反射率のほか、ディスクにした際の記録特性はもちろん、記録感度、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等様々な性能が要求される。しかしながら、これらの特性を同時に満たすような青色レーザ用の記録用色素は、未だ実現されていない。

[0007] このような記録層の記録特性を向上させるために、 CD— Rや DVD— R等において、特性を補う性質を持つ添加剤を任意の割合で色素に混合させる方法等が検討されている。

[0008] しかし、短波長のレーザ光による記録'再生に適する光学記録媒体の記録層に使用される有機色素化合物の記録感度を損なわず、記録特性を向上させるのに最適な添加剤及び添加量は未だ見出されておらず、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等を高!ヽ水準で満たす有機色素系光学記録媒体は実現されてヽない。

[0009] 本発明は、このような青色レーザを利用した光学記録媒体等に使用される光記録材料を開発する際の問題を解決すべくなされたものである。特に、本発明は、単独では、例えば耐光性が 30%未満という多くの青色レーザ用の記録用色素であっても、耐光性が 30%以上となるべくなされたものである。

[0010] 即ち、本発明の目的は、短波長の青色レーザによって記録 *再生が可能であり、高水準の光記録材料を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、短波長の青色レーザによって記録'再生が可能な光学記録媒体を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0011] 本発明者等は、鋭意検討の結果、青色レーザに高い感受性を有し、吸収極大が波長 340nm— 440nmにある化合物と、特定の金属錯体と、を組み合わせることにより、耐光性等を高い水準で満たす光記録材料が得られることを見出し、この知見に基づき本発明を完成した。

即ち、本発明によれば、最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上 440nm以下である有機色素化合物 Aと、最大吸収波長（ λ max)が 500nm以上 900nm以下である金属錯体化合物 Bと、を含有し、有機色素化合物 Aの含有量が、金属錯体化合物 Bの含有量よりも多ぐ下記式で算出された耐光性 Xが 30%以上であることを特徴とする光記録材料が提供される。

耐光性 x= { (I /I ) X 100}

1 0

(但し、上記式中、 Iは、有機色素化合物 A及び金属錯体ィ匕合物 B混合物の分光光

0

度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度である。 Iは、有機色素化合物 A及び金属錯体化合物 B 混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スぺクトルにおいて、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度である。 ) [0012] 本発明が適用される光記録材料において、前述した有機色素化合物 Aは、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度 (I )と、有機色素化合物 Aの膜に光照射処理を施した後に測定

AO

された膜の吸収スペクトルの波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度 (I )

Al と、を用いて算出された耐光性 χ= { (1

Al Λ ) X 100}

AO が 30%未満である場合に、本発明の効果がより一層発揮される。

[0013] ここで、上記耐光性 Xは、好ましくは、下記操作ステップにより算出される。

(操作ステップ）

(ステップ 1)有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bとを含有する溶液を透明基板上にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを調製する。

(ステップ 2)分光光度計を用いて、波長 300nm— 900nmにおいて、（ステップ 1)で調製した色素塗布ディスクの吸収スペクトルを測定し、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度を Iとする。

0

(ステップ 3) (ステップ 1)で調製した色素塗布ディスクに、キセノンランプを 250WZ m²で 8時間照射する光照射処理を施した後、（ステップ 2)と同じ条件で吸収スぺタトルを測定し、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度を ^とする。 (ステップ 4) (ステップ 2)における（I )と、（ステップ 3)における（I )に基づき、 { (I /\

0 1 1

) X 100}を算出する。

0

尚、ステップ 1における「溶液」は、吸収極大の吸光度が 0. 1-1. 0となる程度の有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとの固形分を含む液体を意味する。

[0014] 本発明が適用される光記録材料において、最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上 440nm以下に有する有機色素化合物 Aに、金属錯体化合物 Bを含有することにより、有機色素化合物 Aの耐光性の弱さを補うものことが可能となる。それは、金属が配位することにより、配位しない場合よりも耐光性が向上する場合があり、そもそも金属錯体化合物 Bの耐光性が強い、ということが要因として挙げられる。

[0015] また、特に、本発明での短波長領域においては、金属錯体ィ匕合物 Bが、有機色素化合物 Aの最大吸収極大波長（ λ max)の近傍に、微弱な吸収帯を有することにより、その吸収帯が、有機色素化合物 Aの吸収帯の光劣化をシールドする、あるいはマスキングするものと考えられる。力かる"弱い吸収帯"は、金属イオンに由来する、配位子との相互作用が小さい吸収や、配位子の弱い吸収帯と考えられる。その吸収帯が光学的あるヽは熱的に安定であればなお好ま、。

[0016] また、金属錯体ィ匕合物 Bが、有機色素化合物 Aよりも嵩高い立体構造をとるために、例えば、有機色素化合物 A単独では結晶化しやすい構造のものでも、金属錯体化合物 Bによって適度に分散されたアモルファス状になり、塗膜性を向上することができると考えられる。

[0017] 力かる金属錯体ィ匕合物 Bは、耐光性、あるいは塗布性の観点などから、ァゾ系金属錯体ィ匕合物あるいはインドア-リン系金属錯体ィ匕合物であることが好まし、。

本発明が適用される光記録材料において、ァゾ系金属錯体ィ匕合物は、下記一般式 (I)に示すァゾ化合物と、金属イオンとの金属錯体化合物であることを特徴とすれば、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性、記録感度等の記録特性を向上させることが出来る。 [0018] [化 1]

[0019] (式 (I)中、環 Aは、炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環であり、 XLは、 Lが脱離することにより Xが陰イオンとなり金属が配位可能となる置換基を表す。 R

1、 Rは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環 2

状アルキル基、ァラルキル基又はアルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。 R に、水

3、 R

4、 Rは、それぞれ独立

5

素原子または炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状ァルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表さ

34 35 36 れるァミノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカー

37 38

バメート基、 COOR で表されるカルボン酸エステル基、 OCOR で表されるァシ

39 40

ルォキシ基、 CONR R で表される力ルバモイル基、 SO R で表されるスルホ

41 42 2 43

-ル基、 -SOR で表されるスルフィエル基、—SO NR R で表されるスルファモイ

44 2 45 46 ル基、 SO R で表されるスルホン酸エステル基、 NHSO R で表されるスルホン

3 47 2 48 アミド基を表す。（但し R

34、R

37、R

38、R

39、R

40、R

43、R

44、R

47、R は、それぞれ独立 48

に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R 、それぞれ

35、R

36、R

41、R

42、R

45、R は

46

独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 ) )

[0020] 前記一般式 (I)で表されるァゾィヒ合物において、環 Aが 5— 6員環の単環または 2 縮合環の含窒素複素芳香環を表し、 XLがヒドロキシ基、スルホン酸基、ァシルァミノ基、スルホンアミド基、メルカプト基、カルボキシル基を表し、 R、 R力それぞれ独立

1 2

に、炭素数 1一 12の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7— 12ァラルキル基を表す、または各々隣接する置換基同士または互いに飽和縮合環を形成し、 R、 R、 Rは、各々独立に水素原子または炭素数 1

3 4 5 一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の 5 一 6員環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で

34 35 36 37 表されるァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカーバメート基、 COOR で表さ

38 39 れるカルボン酸エステル基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、 CONR R で

40 41 42 表される力ルバモイル基、 SO R で表されるスルホニル基、 SO NR R で表さ

2 43 2 45 46 れるスルファモイル基、 NHSO R で表されるスルホンアミド基を表すものであるこ

2 48

とが好ましい。

[0021] また、本発明が適用される光記録材料において、インドア-リン系金属錯体化合物は、下記一般式 (Π)に示す化合物と、金属イオン及び任意のァ-オンと、力なる金属錯体ィ匕合物であることが好まし、。

[0022] [化 2]

[0023] (式 (Π)中、 R、 Rは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、

6 7

環状アルキル基、ァラルキル基、アルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。 R 、それぞれ独立に、水素原子

8一 R は

16

または炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のァルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数 6— 18のァリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基

35 36 37

、 -NHCOOR で表されるカーバメート基、 COOR で表されるカルボン酸エステ

38 39

ル基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、 CONR R で表される力ルバモイル

40 41 42

基、 SO R で表されるスルホニル基、 SOR で表されるスルフィエル基、 SO N

2 43 44 2

R R で表されるスルファモイル基、 SO R で表されるスルホン酸エステル基、 N

45 46 3 47

HSO R で表されるスルホンアミド基を表す。（但し R 、R 、R 、R 、R 、R 、R

2 48 34 37 38 39 40 43

、R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R 、R 、R

44 47 48 35 36

、R 、R 、R は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれ

41 42 45 46

かを表す。））

[0024] 本発明が適用される光記録材料において使用する任意のァ-オンは、 1価の一座配位子であることが好まし、。

[0025] また、金属錯体ィ匕合物 Bが、 2価または 3価の遷移金属イオンを有する金属錯体ィ匕合物であることが好ましい。さらに、このような遷移金属力ニッケル、コバルト、銅、鉄

、亜鉛、白金、ノラジウム及びマンガン力なる群力選ばれるものであることが好ましい。

[0026] 次に、本発明が適用される光記録材料において、有機色素化合物 Aは、 γ—ピロン系有機色素、 γ—チォピロン系有機色素、 γ— 1, 1 ジォキソチォピロン系有機色素、 γ ピリドン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、及び 1 チォクマリン系有機色素力も選ばれる化合物であることが挙げられる。

本発明が適用される光記録材料において、 γ ピロン系有機色素としては、例えば、下記一般式 (ΠΙ)及び (IV)に示すィ匕合物（一般的には、下記一般式 (ΠΙ)及び (IV )において、 ζ = οのものをピロン、 Z = Sのものをチォピロン、 Z = SOのものをジ才キ

2

ソチォピロン、 Z = Nのものをピリドンと呼ぶ。）から選ばれるものが挙げられる。 [0027] [化 3]

[0028] [化 4]

[0029] (式 (ΠΙ)又は（IV)中、 R — R 及び R '— R 'は、それぞれ独立に、水素原子、ま

17 20 17 20

たは炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数 6— 18のァリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表され

34 るァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基、

35 36 37

-NHCOOR で表されるカーバメート基、 COOR で表されるカルボン酸エステル

38 39

基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、 CONR R で表される力ルバモイル基

40 41 42

、一 SO R で表されるスルホニル基、 SOR で表されるスルフィエル基、 SO NR

2 43 44 2 4

R で表されるスルファモイル基、 SO R で表されるスルホン酸エステル基、 NH

5 46 3 47

SO R で表されるスルホンアミド基を表す（但し R R

2 48 34、R

37、R R

38、 39、R

40、 43、R

44、

R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R

48 35、R

36、R

47 41、

R 、R 、R は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを

42 45 46

表す。 [0030] 但し、 R と R 、R と R 、R ，と R '、R ，と R ，は、各々縮合して炭化水素環ま

17 18 19 20 17 18 19 20

たは複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。 ) o Xは、電子吸引性基であり、 Xは、水素原子または- Q-Y(Q

1 2

は、直接結合、炭素数 1または 2のアルキレン基、ァリーレン基またはへテロアリーレン基であり、 Yは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該ァリーレン基、当該ヘテロァリーレン基は、 Y以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環 Cは、 c = oと共に置換基を有して、てもよ、炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である。 Z及び Z，は、それぞれ O — S -SO -NR —(ここで、 R は、水素原

2 21 21

子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シァノ基、ヒドロキシ基）、 NR R で表されるアミノ基 (R 、R は、各々独立に、水素原子、炭化水素

22 23 22 23

基または複素環基)、若しくは- COR (R は、炭化水素基または複素環基である）

24 24

COR (R は、炭化水素基または複素環基である）で表されるァシル基のいずれ

25 25

かを表す。 )

[0031] また、本発明が適用される光記録材料において、クマリン系有機色素（下記構造式で、 Χ=0) ,カルボスチリル系有機色素（下記構造式で、 X=NR )

33、 1 チォクマリン系有機色素（下記構造式で、 x= S)としては、下記一般式 (V)に示す化合物が挙げられる。

[0032] [化 5]

[0033] (式 (V)中、 Xは O S —NR —を表す。 R 、R 、R 、R 、R は、それぞれ

33 26 27 28 29 30

独立して水素原子または炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 1 2の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18 のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 18のァリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 -COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表され

34 35 36 37 るァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカーバメート基、—COOR で表される力

38 39

ルボン酸エステル基、—OCOR で表されるァシルォキシ基、—CONR R で表され

40 41 42 る力ルバモイル基、 SO R で表されるスルホ-ル基、 SOR で表されるスルフィ

2 43 44

-ル基、 -SO NR R で表されるスルファモイル基、 NHSO R で表されるスルホ

2 45 46 2 47

ンアミド基を表す。

[0034] R 、R 、R は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環

31 32 33

状アルキル基、ァラルキル基、直鎖または分岐のァルケ-ル基、ァシル基を表す。また R -R のうち隣接する 2つが結合して飽和炭化水素環または飽和複素環を形成

26 33

していてもよい。 )

(但し R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素

34 37 38 39 40 43 44 47 48

基、または複素環基を表し、 R

35、R

36、R

41、R

42、R

45、R は、それぞれ独立に、水素 46

原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 )

[0035] 前記一般式 (V)において、 X力 O NR —であり、 R

33 26、R

27、R

28、R

29、R が 30

、それぞれ独立して、水素原子または炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 12のァリール基、飽和または不飽和の単環または 2縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表さ

34 れるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基

35 36 37

NHCOOR で表されるカーバメート基、 COOR で表されるカルボン酸エステ

38 39

40 41 42 基、—NHSO R で表されるスルホンアミド基であることが好ましい。

2 48

[0036] 尚、前記一般式 (V)において、 R

31、R

32、R がそれぞれ独立して、炭素数 1

33 一 12 の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7— 18 のァラルキル基であり、 R と R

29 31、R と R の一方または両方が飽和炭化水素環また

30 32

は飽和複素環を形成して、てもよ、構造をもつものが好まし、。 [0037] また、本発明が適用される光記録材料において、金属錯体化合物 Bが有機色素化合物 Aの結晶化を阻害するものであることが好ましい。

さらに、金属錯体化合物 Bの分解開始温度が有機色素化合物 Aの分解開始温度以下であることが好ましい。

[0038] 次に、本発明によれば、基板と、基板上に設けられ、光による情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、記録層は、前述した光記録材料を含有することを特徴とする光学記録媒体が提供される。

光学記録媒体の情報の記録又は再生に使用される光は、波長 350nm— 530nm のレーザ光であることが好まし、。

また、記録層に含有される光記録材料の金属錯体ィ匕合物 Bの吸収強度を測定することにより、記録層の膜厚の測定及び膜厚の管理がされることが好ましい。

[0039] 尚、本発明が適用される光記録材料における"最大吸収波長（ λ max) "は、クロ口ホルム溶液又はメタノール溶液中で測定した吸収極大の波長のことを言、、どちらかの溶液中での最大吸収波長（え max)が 340nm以上、 440nm以下、又は、 500nm 以上、 900nm以下の範囲にあればよい。尚、光記録材料を膜状に形成した場合の極大吸収は、クロ口ホルム溶液又はメタノール溶液中で測定した値から、— lOnm— 1 Onm程度変動すると考えられる。

[0040] また、本発明における試験方法に記載された"吸収極大"は、上述したように光記録材料を膜状に形成した場合の吸収極大を意味する。尚、本発明において「吸収スベクトル」とは、「試験片を膜状に形成した場合に測定された吸収スペクトル」を意味する。また、試験片を「膜状に形成」する方法としては、例えば、前述した耐光性 Xを算出するための操作ステップにおける「色素塗布ディスク」を調製する方法が挙げられる。

発明の効果

[0041] 力べして本発明によれば、短波長の青色レーザによって記録 '再生が可能であり、高水準の光記録材料が提供される。

発明を実施するための最良の形態

[0042] 以下、本発明を実施するための最良の形態 (以下、発明の実施の形態と言う。 )について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなぐその要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。

本実施の形態が適用される光記録材料は、最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上 440nm以下である有機色素化合物 Aと、最大吸収波長（ λ max)が 500nm以上 900nm以下である金属錯体化合物 Bとを含有し、有機色素化合物 Aの含有量が金属錯体化合物 Bの含有量よりも多ぐ下記式で算出された耐光性 Xが 30%以上となるように有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bとを含有する。

[0043] 耐光性 X = { (I /I ) X 100}

1 0

0

度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度である。 Iは、有機色素化合物 A及び金属錯体化合物 B 混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スぺクトルにおいて、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度である。 ) [0044] ここで、上記耐光性 Xは、下記操作ステップにより算出される。

(操作ステップ）

0

(ステップ 3) (ステップ 1)で調製した色素塗布ディスクに、キセノンランプを 250WZ m²で 8時間照射する光照射処理を施した後、（ステップ 2)と同じ条件で吸収スぺタトルを測定し、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度を Iとする。

(ステップ 4) (ステップ 2)における（I )と、（ステップ 3)における（I )に基づき、 { (I /\

0 1 1

) X 100}を算出する。

0

[0045] 上記のようにすることにより、（a)記録感度等の記録特性を向上させることが出来、（ b)耐光性を向上させることができ、さらに、（c)光学記録媒体の基板上への塗布時の塗膜性を向上させることができる。

尚、有機色素化合物 Aの最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上 440nm以下であれば、青色レーザの波長域に適切な吸収をもつ。このため、有機色素化合物 Aを用いることにより、青色レーザに用いることができる記録感度を有する光学記録媒体を得ることができる。有機色素化合物 Aの最大吸収波長（ λ max)がこの範囲を超える場合には、吸収が少なすぎて十分な記録が行えない、あるいは、吸収が大きすぎて十分な反射率が得られな!/、と!、う問題が起こりうる。

[0046] (a)につヽては、本実施の形態で使用する金属錯体化合物 Bは、記録再生に直接関与する有機色素化合物 Aの吸収スペクトルに影響を与えな、ために、最大吸収波長（ max)が通常 500nm以上、好ましくは 550nm以上、好ましくは 620nm以上、より好ましくは 680nm以上、通常 900nm以下、好ましくは 850nm以下、さらに好ましくは 800nm以下、のような、可視光から近赤外の領域に最大吸収波長（ λ max)をもつことが必要である。また、重量比は、有機色素化合物 A>金属錯体ィ匕合物 Bである必要がある。そうでないと、波長の異なる成分が記録特性にかかわることになり、記録特性が損なわれる可能性がある。有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとの合計量を 100重量％としたときの金属錯体ィ匕合物 Bの含有量は 40重量％以下、より好ましくは 35重量％以下、さらに好ましくは 30重量％以下である。

[0047] また、金属錯体ィ匕合物 Bが、このような可視光領域の吸収を有することにより、この領域の光が金属錯体ィヒ合物 Bに吸収され、有機色素化合物 Aへの光学的ダメージが軽減され、 (b)の目的が達成されると考えられる。

上記のように、金属錯体化合物 Bは、まず、有機色素化合物 Aの光学的ダメージを軽減するために含有させる。具体的には、金属錯体化合物 Bを含有させて、上記試験方法で測定される耐光性 Xを 30%以上とする。従って、有機色素化合物 A及び金属錯体化合物 Bのそれぞれの含有量は、有機色素化合物 A単独での耐光性、金属錯体ィ匕合物 B単独での耐光性を考慮して決めることができる。

[0048] つまり、有機色素化合物 Aは、単独で用いた場合の耐光性 Xが 30%未満となるような材料である。従って、有機色素化合物 Aの単独での耐光性 Xが、 30%未満の範囲にお、て比較的高、値となる場合は、金属錯体化合物 Bの含有量を比較的少なくすることができる。一方で、有機色素化合物 Aの単独での耐光性 X力 30%未満の範囲において比較的低い値となる場合は、金属錯体ィ匕合物 Bの含有量を比較的多くする必要がある。このように、有機色素化合物 Aの単独での耐光性 Xの程度によって、金属錯体化合物 Bの含有量が決まってくる。

また、金属錯体ィ匕合物 Bを単独で使用した場合の耐光性 Xの程度によって、金属錯体化合物 Bの含有量が決まる。つまり、金属錯体ィ匕合物 Bは、単独での耐光性 Xが高ければ高、ほど、少な、含有量で光記録材料の耐光性 Xを 30%以上に確保することができる。

[0049] 本発明者等は、光記録材料の耐光性 Xと金属錯体ィ匕合物 Bとの間に以下のような関係が存在するのではないかと推察している。つまり、光記録材料の耐光性 Xを向上させるためには、金属錯体化合物 Bの波長 300nm— 400nm近傍の "弱!/、吸収体" を利用することが好ましいと考えられる。この"弱い吸収帯"は、金属イオン由来の配位子との相互作用の小さい吸収帯あるいは配位子由来の弱い吸収帯と考えられる。その"弱い吸収帯"が、有機色素化合物 Aの最大吸収波長（ λ max)の光劣化をシールドする、あるいはマスキングするもの効果を有すると考えられる。この"弱い吸収帯" は金属錯体ィ匕合物 Bの最大吸収波長（ λ max)と連動して、ることが多、。

[0050] 具体的には、金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)が短波長側であれば、この"弱い吸収帯"も短波長側に見られる。本発明者らの検討で、耐光性試験で最も色素の劣化に関与すると考えられる 350nm— 500nm近傍、特に 400nm近傍にこの"弱い吸収帯"を有する金属錯体ィ匕合物 Bは、最大吸収波長（ λ max)を 620nmよりも長波長側に、より具体的には 680nm以上に有するものであることがわ力つた（図 7 参照)。 500nm— 620nmに最大吸収波長（ λ max)を有する金属錯体化合物 Bは、力かる"弱い吸収帯"が 350nmよりも短波長となり、 400nm近傍の吸光度が非常に小さくなることが多、（図 8参照)。

[0051] 従って、 400nm近傍に"弱い吸収帯"を有する、 680nm以上に最大吸収波長（ λ max)を有する金属錯体化合物 Bを用いる場合は、金属錯体化合物 Bの含有量を少なくできると考えられる。一方、 500nm以上 620nm以下に最大吸収波長（ max) を有する金属錯体ィ匕合物 Bは、有機色素化合物 Aの耐光性向上に対する効果が小さいため、所望の耐光性を確保するための金属錯体ィ匕合物 Bの量をより多く必要とすることになると考えられる。

[0052] 本実施の形態にぉ、ては、上記で説明したように、金属錯体ィ匕合物 Bの最大吸収波長（ λ max)や有機色素化合物 Aそのものの耐光性により、実用性のある耐光性が確保されるための金属錯体化合物 Bの重量比が異なり、重量比を一義的に数値表現することはできない。従って、本実施の形態においては、所定の耐光性が 30%以上となるように有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとを含有させればよい。

[0053] 上記の理由により、金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)力 OOnm— 620 nmの時は、有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとの合計量を 100重量％としたときの金属錯体ィ匕合物 Bの含有量を 20重量％以上 40重量％以下とすることが好ましい。それ以外の波長範囲の金属錯体ィ匕合物 Bの含有量としては、 5重量％以上が好ましぐより好ましくは 10重量％以上である。上限は 40重量％以下である。

[0054] 金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)が 680nm以上 900nm以下の場合には、 400nm近傍に"弱い吸収帯"が位置することになるため、より少ない量で所望の耐光性を確保することが可能である。

[0055] 尚、上記の理由で、金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)と有機色素化合物 Aの最大吸収波長（ λ max)との差は lOOnm以上が好ましぐより好ましくは 150η m、さらに好ましくは 200nm以上、より一層好ましくは 300nm以上であり（図 10参照）、上限は 500nm、より好ましくは 450nm、さらに好ましくは 400nmである。

[0056] また、（c)塗布時の塗膜性 (製膜性)が向上するのは、金属錯体ィ匕合物 Bが、有機色素化合物 Aに比べ、非常に嵩高い立体構造をとるため、例えば有機色素化合物 A 単独では結晶化しやすい構造のものでも、金属錯体化合物 Bにより適度に分散されアモルファス状になり、結晶化が妨げられるためと考えられる。

[0057] また、光記録材料における金属錯体化合物 Bの金属錯体化合物の含有量が過度に小さいと、塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等の記録特性の向上が見られない。また、含有量が過度に大きいと、有機色素化合物 Aの含有量が低減し、十分な記録を行うことが出来ない。 [0058] 尚、耐光性 xは 0%でなければ実際には使用できる。しかしながら、紫外線硬化榭脂を使用して貼り合わせやカバー層、保護コート層を形成したり、記録部を繰り返し再生する際の劣化を防止するという観点から、通常、耐光性 Xは、好ましくは 30%以上、より好ましくは 50%以上、さらに好ましくは 80%以上、より一層好ましくは 90%以上であると考えられる。

耐光性 Xの評価に用いる光源、即ち、光照射処理としては、太陽光暴露、キセノンランプ光照射等の方法が知られている（ISO— 105— B02参照)。例えば、太陽光（自然昼光)の波長分布に類似した分布を有する光 (キセノンランプが一般的である。 )を、 WoolScale5級（または、 European Reference # 5)に相当する量だけサンプルに照射したときの (I

1 /\ 0 )を測定すればよい。尚、かかる光照射処理は、通常、色素の膜を光源側に向けて行う。

[0059] 本実施の形態における耐光性 Xは、より具体的には、下記（1)一（4)の操作を行うことによって求める。

(1)有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bとを有機溶媒に含有させ、透明基板にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを得る。

(2)波長 300nm— 900nmまでの（1)の色素塗布ディスクの吸収スペクトルを紫外. 可視分光光度計で測定し、 340nm— 440nmの波長範囲にある吸収極大の吸光度を I

0とする。

(3) (1)の塗布ディスクを耐光性試験機内において、キセノンランプを 250WZm²で 8時間照射した後、（2)と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、 340nm— 440nmの波長範囲にある吸収極大の吸光度を Iとする。

(4) (I /I ) X 100を算出し、それを耐光性 Xとする。

1 0

[0060] 以下、（1)一（4)の操作についてさらに詳細に説明する。

(1)の操作

有機溶媒は、有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとを含有した時に、その吸収を、分光光度計が検出することが可能な程度溶解するものであり、基板材料を溶かすものでなければ、特に制限されない。尚、溶解このような溶媒としては例えば、アルコール系溶媒を挙げることができる。より具体的には、例えば、テトラフルォロプロパノール、ォクタフルォロペンタノール等を挙げることができる。本実施の形態の実施例においては、テトラフルォロプロパノールを使用した。上記化合物を有機溶媒に含有させたところで、超音波分散器に力 4ナて、なるべく固形分 (有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 B)上記を上記有機溶媒に溶解させることが好ま、 (以下、溶液とする。 )。上記固形分は、可能な限り、ろ過により除去する。何故ならば、固形分が膜中に存在する場合には、それを核として、膜の結晶化が起こる可能性があるからである。

[0061] 次に、有機色素化合物 A及び金属錯体化合物 Bの含有する溶液 (本実施の形態の実施例では有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 Bとの合計量を、溶液重量の 0. 6 重量％とした。）を基板上に塗布する。この溶液濃度は、有機色素化合物 A及び金属錯体ィ匕合物 Bの溶解性も考慮して決める。

[0062] 基板としては、可視光に対する透明性が確保されるものであればよい。基板としては、例えば、ガラス基板ゃ榭脂基板が挙げられるが、上記溶液の表面張力との兼ね合いから、良好な膜が形成できるという点で、榭脂基板を用いることが好ましい。より好ましくは、 CDや DVDで実用的に用いられて、るポリカーボネート基板を用いる。ポリカーボネート基板を用いる場合には、例えば、厚さ 0. 6mmあるいは 1. 2mmのものを用いればよい。

[0063] また、基板への塗布は、特に制限されな!、が、光記録媒体の記録層の塗布に汎用的に用いられている方法として、スピンコート塗布が挙げられる。スピンコート塗布を用いる場合の具体的な方法としては、厚さ 0. 6mmZ直径 120mmの円盤状のポリ力ーボネート基板を 800rpmで回転させながら、有機色素化合物 A及び金属錯体ィ匕合物 Bの含有する溶液を円盤の中心部分付近に滴下して塗布する方法が挙げられる。この時の溶液濃度、スピンコートの回転数は、吸収が検出できる限り特に制限されないが、吸収極大の吸光度は 0. 1以上、より好ましくは 0. 2以上、さらに好ましくは 0. 3 以上である。上限は、およそ 1. 0である。できれば、記録再生に好適な膜厚となるように、上記濃度および回転数の条件設定することが好まヽ。

塗布後、塗膜から有機溶媒を除去するために塗膜を乾燥する。乾燥温度は、有機溶媒が蒸発するような温度範囲で、特に制限はされないが、 60°C— 100°Cが好ましい。 [0064] (2)の操作

( 1 )で得られた色素塗布ディスクの 300nm— 900nmまでの吸収スペクトルを紫外 •可視分光光度計で測定する。紫外 ·可視分光光度計としては、公知の装置を用いることができる。このような装置としては、例えば、株式会社日立製作所製 U-3300が挙げられる。そして、 300nm— 900nmまでの吸収スペクトルにおいて、 340nm— 4 40nmの波長範囲における最大の吸光度を示す波長（吸収極大波長）の吸光度 Iを

0 求める。

[0065] (3)の操作

(1)の色素塗布ディスクに対して、キセノンランプを 250WZm²で 8時間照射する。キセノンランプの照射は、例えば、耐光性試験機を用いて行えばよい。その後、上記 (2)と同様にして、色素塗布ディスクの 300nm— 900nmまでの吸収スペクトルを紫外'可視分光光度計で測定し、 340nm— 440nmの波長範囲における最大の吸光度を示す波長の吸光度 Iを求める。

[0066] (4)の操作

上記（2)、（3)で求めた、 I、 Iを用いて (I /\ ) X 100を算出し、これを耐光性 Xと

0 1 0 1

する。

尚、有機色素化合物 A又は金属錯体ィ匕合物 Bの単独での耐光性 Xを求める場合には、上記有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bの併用のかわりに、耐光性 Xを求めたヽ有機色素化合物 A又は金属錯体ィ匕合物 Bを単独で用いればょ、。

[0067] 本実施の形態で用いる金属錯体ィ匕合物 Bとしては、例えば、ァゾ系金属錯体化合物あるいはインドア-リン系金属錯体ィ匕合物を挙げることができる。これらァゾ系金属錯体ィ匕合物あるいはインドア-リン系金属錯体ィ匕合物は、光記録材料の用途を考慮して、水難溶性であることが好ましい。以下、これらァゾ系金属錯体化合物あるいはィンドア-リン系金属錯体ィ匕合物の具体例について説明する。

[0068] 本実施の形態で使用する金属錯体ィ匕合物 Bとしては、一般式 (I)で示されるァゾ色素と金属イオン力なるァゾ系金属錯体ィ匕合物、一般式 (Π)で示される化合物と金属イオン、任意のァ-オン力もなる金属錯体ィ匕合物を挙げることができる。尚、金属錯体ィ匕合物は同一種に限らず、複数種の金属錯体ィ匕合物を使用しても良い。 [0069] [化 6]

[0070] 一般式 (I)で示される化合物と金属とがキレート結合することにより金属錯体化合物が形成される。一般式 (I)で表されるァゾィ匕合物の分子量は、通常、 2000以下であり、好ましくは 1500以下である。

[0071] 本実施の形態で使用する金属錯体化合物 Bを構成する金属は、一般式 (I)と配位形成能力があれば特に限定されず、遷移元素または典型元素でもよぐその酸化数も限定されない。また、錯体における金属とァゾィ匕合物の比も特に問わないが、遷移金属 1に対してァゾィ匕合物 2の割合で配位した構造が好ましい。安定な錯体構造をとるためには、 2価あるいは 3価のイオンを有する遷移金属が好ましい。中でも特に、二ッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、ノラジウム、マンガン力もなる群力も選ばれることが好ましい。

[0072] 一般式 (I)で表される化合物にお、て、環 Aは、環 Aが結合して、る炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環を表す。芳香環の構造は、配位可能な位置に窒素原子を有していれば単環でも縮合環でも良ぐ例えば、以下に例示するような芳香環が挙げられる。化 7]

ここで、 D— Dは、水素原子または置換されてもよいアルキル基、ァシル基のいず

1 9

れかを表す。また、芳香環は水素原子以外に任意の置換基を有してレ、てもよぐその置換基の数も位置にも特に制限はない。この中で、環 Aとして好ましい構造としては、 5— 6員環の単環及び 2縮合環であり、中でも、合成の容易さと溶解性の点からベンゾチアゾール環、ベンゾォキサゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾール環、チァゾール環、チアジアゾール環、トリァゾール環、ォキサゾール環、ピリジン環、ピラゾール環、イソキサゾール環が好ましい。尚、一般式 (I)で示されるァゾ化合物と金属とがキレート結合する結合には、例えば、次の aと a' , bと b 'の様な形態を含むものとする。

尚、 Mは中心金属を表す。

[化 8]

[0076] 以下、一般式 (I)における R— Rにつ、て説明する。

1 5

一般式 (I)において、 R 、 Rは、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、ェチル基、

1 2

n—プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、イソブチル基、 sec—ブチル基、 tert— ブチル基等の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等の環状アルキル基；ベンジル基、フエネチル基等のァラルキル基；ビ -ル基、プロべ-ル基、へキセ -ル基等のァルケ-ル基を表す。

[0077] これらの R 、 Rが示す構造は、一般的にアルキル鎖部分の炭素数を増やしたり後

1 2

述するような縮合環構造をとることにより、より長波長に λ maxがシフトする力あまり炭素数が多すぎても波長的にはそれほど効果が見られず、逆にグラムあたりの吸収強度が下がる、生成物が固形ィ匕しないなどの問題も起こりうる。

[0078] そのため R、 Rとして好ましくは炭素数 1一 12の直鎖または分岐のアルキル基、炭

1 2

素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7— 20のァラルキル基 (これらの芳香族環部分は任意の置換基を有していてもよい）、であり、特に好ましくは炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基である。

[0079] また、 R及び Rの一方もしくは双方が隣接するベンゼン環の Rまたは Rと結合して

1 2 3 5 飽和炭素環 (縮合環)を形成しても良ぐまた R

3、 R

5がそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のへテロ原子を有し、その先で R

1、 R

2と縮合して飽和複素環（縮合環）を形成してもよい。さらに R R

1と 2とは、相互に結合して飽和炭素環構造 (縮合環)を形成してもよい。またこのとき炭素原子以外に他のへテロ原子を 1ないし複数個含む飽和複素環 (縮合環)を形成して、てもよ、。このようにして形成される環 (縮合環）は、 5— 7員環が好ましぐ更に好ましくは 5— 6員環である。更にこれらの R及び R

2が結合して形成される環 (縮合環)や、 R

1、 R

2がベンゼン環と結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。

[0080] ここで、（一 NR R )が環構造である場合の例としては、以下に示すものが挙げられ

1 2

る。

[0081] [ィ匕 9]

[0082] ここで、 D — D は、水素原子または置換されてもよいアルキル基、ァシル基のい

10 12

ずれかを表す。また芳香環は任意の置換基を有していてもよぐその置換基の数や位置も、本発明の要旨の範囲内であれば特に制限はない。

[0083] R、 R、 Rは、水素原子または、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基

3 4 5

、 n -ブチル基、 sec -ブチル基、 tert -ブチル基、 n -へプチル基等の炭素数 1一 12 の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ァダマンチル基等の炭素数 3— 12の環状アルキル基;ビュル基、プロべ-ル基、へキセ -ル基等の炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のァルケ-ル基、ベンジル基、フエネチル基等の炭素数 7— 18のァラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、 n—プロポキシ基、イソプロポキシ基、 n ブトキシ基、 sec ブトキシ基、 tert ブトキシ基等の炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基;メチルチオ基、ェチルチオ基、 n プロピルチォ基、 n -ブチルチオ基、 sec -ブチルチオ基、 tert -ブチルチオ基等炭素数 1一 1 2の直鎖又は分岐のアルキルチオ基; 4ーピペリジル基、モルホリノ基等の単環の飽和複素環基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シァノ基;メルカプト基；ヒドロキシ基；ホルミル基; COR で表されるァシル基; NR R で表さ

34 35 36 れるァミノ基; NHCOR で表されるァシルァミノ基; NHCOOR で表されるカー

37 38

バメート基; COOR で表されるカルボン酸エステル基; OCOR で表されるァシ

39 40

ルォキシ基； CONR R で表される力ルバモイル基； SO R で表されるスルホ-

41 42 2 43

ル基； SOR で表されるスルフィエル基； SO NR R で表されるスルファモイル

44 2 45 46

基; SO R で表されるスルホン酸エステル基; NHSO R で表されるスルホンアミ

3 47 2 48

ド基を表す。

[0084] ここで、 R 、R 、R 、R 、R 、R

34 37 38 39 40 43、R

44、R

47、R は、炭化水素基、または複素 48

環基を表し、 R 、R 、R 、R 、R 、R は水素原子、炭化水素基、複素環基のい

35 36 41 42 45 46

ずれかを表す。

[0085] R -R で表される炭化水素基とは、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピ

34 48

ル基、 n -ブチル基、 sec -ブチル基、 tert -ブチル基、 n -へプチル基等の炭素数 1 一 18の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ァダマンチル基等の炭素数 3— 18の環状アルキル基;ビニル基、プロぺ-ル基、へキセ -ル基等の炭素数 2— 18の直鎖または分岐のアルケニル基；シク口ペンテ-ル基、シクロへキセ -ル基等の炭素数 3— 18の環状アルケ-ル基；ベンジル基、フエネチル基等の炭素数 7— 20のァラルキル基;フエ-ル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数 6— 18ァリール基を表す。これらの基のアルキル鎖部分及びァリール基部分は後述するアルキル鎖部分が有し得る置換基で更に置換されていてもよい。

[0086] また、 R — R で表される複素環基は、 4ーピペリジル基、モルホリノ基、 2 モルホリ

34 48

-ル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、 2—フリル基、 2—ピリジル基、 2—チアゾリル基、 2 -キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のへテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよぐまた結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、 5— 6員環の飽和複素環、 5— 6員環の単環及びその 2縮合環の芳香族複素環である。

[0087] -COR で表されるァシル基;一 NR R で表されるアミノ基;一 NHCOR で表され

34 35 36 37 るアシノレアミノ基;一 NHCOOR で表されるカーバメート基；一 COOR で表される力

38 39

ルボン酸エステル基;一 OCOR で表されるァシルォキシ基;一 CONR R で表され

40 41 42 る力ルバモイル基;一 SO R で表されるスルホ-ル基;一 SOR で表されるスルフィ-

2 43 44

ル基;一 SO NR R で表されるスルファモイル基;一 SO R で表されるスルホン酸ェ

2 45 46 3 47

ステル基;一 NHSO R で表されるスルホンアミド基の具体例としては、以下に示すも

2 48

のが挙げられる。

[0088] ァシル基 (一 COR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

34

[0089] [化 10]

[0090] アミノ基 (一 NR R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

[0091] [化 11]

[0092] ァシルァミノ基 (一 NHCOR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

37

[0093] [化 12]

[0094] カーノメート基 (一 NHCOOR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

38

[0095] [化 13]

[0096] カルボン酸エステル基 (一 COOR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。 [0097] [化 14]

[0098] ァシルォキシ基 (一 OCOR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

40

[0099] [化 15]

[0100] 力ルバモイル基 (一 CONR R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

41 42

[0101] [化 16]

[0102] スルホニル基 (一 SO R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

2 43

[0103] [化 17]

[0104] スルフィエル基 (一 SOR )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。 [0105] [化 18]

[0106] スルファモイル基 (一 SO NR R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる _c

2 45 46

[0107] [化 19]

[0108] スルホン酸エステル基 (一 SO R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。 [0109] [化 20]

[0110] スルホンアミド基 (一 NHSO R )としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

2 48

[0111] [化 21]

R、 R、 Rとして好ましいものは、水素原子または炭素数 1一 8の直鎖又は分岐の

3 4 5

アルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の 5— 6員環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、 COR

34 で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表されるァシル

35 36 37

アミノ基、 -NHCOOR で表されるカーバメート基、—COOR で表されるカルボン

38 39

酸エステル基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、 CONR R で表されるカル

40 41 42

バモイル基、 SO R で表されるスルホニル基、 SO NR R で表されるスルファ

2 43 2 45 46

モイル基、 NHSO R で表されるスルホンアミド基である。 [0113] 一般式 (I)において、 XLは、脱離基 Lが脱離することにより金属と配位することが可能な置換基を表す。具体的に XLで表される置換基としては、ヒドロキシ基 (一 O— ;X、 H+ ;L)、スルホン酸基 (一 SO H— ;X、 11⁺ ; 、ァミノ基(ー?^ー11 ; 、 H+ ;L)、ァシル

3

アミノ基 (—N—COR 、 H+； L)ゝスルホンアミド基 (-N-SO R 、 H+； L)ゝメルカプト

37 2 48

基 (-S— ;X、 H+ ;L)、カルボキシル基 (-COO— ;X、 H+ ;L)等が挙げられる。

[0114] 一般式 (I)で示されるァゾィ匕合物の好ましい構造は、以下（1)一（48— 2)に示される。

\7Z \ [eno] TCOO/SOOZdf/X3d .C9Z80/S00Z OAV

06l£00/S00ZdT/13d εε L£9I80/≤00∑: OAV os/sosooidT/DId 1A LC9/Z80S00∑ O:AV

〔〕 0

NHo〇H

[9^] [6Π0]

06l£00/S00Zdf/X3d 9S Z 9丽 SOO OAV [化 27]

本実施の形態が適用される光記録材料の金属錯体ィ匕合物 Bとしては、一般式 (II) で示される化合物と、金属イオン及びァ-オンとが結合することにより形成されたインドア二リン系金属錯体ィ匕合物を使用することができる。一般式 (Π)で表される化合物の分子量は、配位子と金属との配位構造にも左右される力通常、 4500以下であり、好ましくは 3000以下である。

[化 28]

[0123] 前記一般式 (Π)で表される化合物において、 R 水素原子、直鎖または分岐

6、 Rは

7

のアルキル基、環状アルキル基、ァラルキル基、直鎖または分岐のァルケ-ル基を表す。

これらの R、 Rが示す構造も、前述の R , Rと同様の理由から、好ましくは炭素数

6 7 1 2

1一 12の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7 一 20のァラルキル基 (これらの芳香族環部分は任意の置換基を有して、てもよ、）、であり、特に好ましくは炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基である。

[0124] また、 R及び Rの一方もしくは双方が隣接するベンゼン環の Rまたは R と縮合し

6 7 8 10 て飽和炭素環 (縮合環)を形成しても良ぐまた R

8、 R

10がそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のへテロ原子を有し、その先で R R

6、 7と縮合して飽和複素環

(縮合環）を形成してもよい。さらに R R

6と 7とは、相互に縮合して飽和炭素環 (縮合環

)構造を形成してもよ、。またこのとき炭素原子以外に他のへテロ原子を 1な、し複数個含む飽和複素環を形成していてもよい。このようにして形成される環は、 5— 7員環が好ましぐ更に好ましくは 5— 6員環である。更にこれらの R及び Rが結合して形成

6 7

される環や、 R ン

6、 R

7がベンゼ環と結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。

[0125] このような構造は、前述の (一 NR R )が環構造である場合の例としては示されたものと同様の構造を用いることができる。

[0126] 一般式 (Π)において、 R 分岐

8一 R は、水素原子または炭素数 1

16 一 12の直鎖又はのアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の飽和複素環基、炭素数 6— 18のァリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表されるァシル基; NR R で表されるアミノ基;

34 35 36

NHCOR で表されるァシルァミノ基; NHCOOR で表されるカーバメート基; C

37 38

OOR で表されるカルボン酸エステル基; OCOR で表されるァシルォキシ基; C

39 40

ONR R で表される力ルバモイル基； SO R で表されるスルホ-ル基； SOR

41 42 2 43 44 で表されるスルフィエル基； SO NR R で表されるスルファモイル基； SO R で

2 45 46 3 47 表されるスルホン酸エステル基; NHSO R で表されるスルホンアミド基を表す（こ

2 48

こで、 R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素基

34 37 38 39 40 43 44 47 48

、または複素環基を表し、 R 、R 、R 、R

35 36 41 42、R

45、R は、それぞれ独立に、水素原 46

子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 ) o

[0127] R として好ましくは、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 7

8 16

一 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 1 2の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 18のァリール基、飽和または不飽和の単環または 2縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 N

34 35 36

HCOR で表されるァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカーバメート基、—CO

37 38

OR で表されるカルボン酸エステル基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、 C

39 40

ONR R で表される力ルバモイル基、—SO R で表されるスルホ-ル基、—SO N

41 42 2 43 2

R R で表されるスルファモイル基、—NHSO R で表されるスルホンアミド基である

45 46 2 48 本実施の形態で使用する金属錯体化合物 Bを構成する金属は、一般式 (II)に示す化合物と配位形成能力があれば特に限定されず、遷移元素または典型元素でもよぐその酸ィ匕数も限定されない。また、錯体における金属とァゾィ匕合物の比も特に問わないが、遷移金属 1に対してァゾィ匕合物 2の割合で配位した構造が好ましい。安定な錯体構造をとるためには、 2価あるいは 3価のイオンを有する遷移金属が好ましい。中でも特に、ニッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム、マンガンからなる群力選ばれることが好まし、。

[0129] インドア-リンィ匕合物と、上記金属のイオンとともに錯体を形成するァ-オンは、トータルとして錯体全体が電荷的に中性になればよぐ任意のァ-オンを用いることができる。例えば、ハロゲン原子、硝酸イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオンのように 1 価の電荷のものが挙げられる。さらに、このようなァ-オンとしては、シユウ酸イオン、硫酸イオン、炭酸イオンのように 2価の電荷のものが挙げられる。また、このようなァ- オンとしては、それ以上の電荷をもつものでもよい。また、配座数は単座配位子でも、二座配位子、三座配位子等のように複数の配位原子をもつ多座配位子でもよい。好ましくは、ァ-オンが 1価の一座配位子である。ァ-オンが 1価の一座配位子であると、単一成分の化合物が合成しやすいので好ましい。価数が 1価であることにより、比較的容易に合成しやすいため好ましい。また、ァ-オンは配位子として金属原子に直接配位する形でも、塩のように離れて存在する形でもよ、。

[0130] これらの配位子としては、例えば以下のものが挙げられる。

[化 29]

F CI" Br一 Γ OH" CN" SCN" OCN

(N0₂)- (N0₃)- (C0₃)²- (HCO3)- (S0₃)²- (S0₄)²-

(CIO)- (cio₂)- (CIO3)- (CIO4)- (PF₆)" (PC】6)-

(BrO)" (Br0₂)" (Br0₃)" (Br0₄)- (P0₄)³- 13"

(io)- (io₂)- (IO3)" (io₄)- (NH₂)- (BF₄)-

B-(Ph)₄ CH3SO4 " (SiF₆)²" (TiF₆)²- (HS0₄)-

一般式 (II)で示す化合物と金属イオン及びァ-オンとの割合は特に特定されず、金属イオンの電荷、金属錯体化合物の配位構造により様々に変化してもよいが、好ましい構造としては、金属イオン 1に対して、一般式 (Π)で示すィ匕合物が 2個または 3 個が配位した構造である。このような構造の化合物は、以下の示される錯体を形成しやすい。尚、下記構造式では、 Mは金属イオン、 Xはァニオンを示す。 [化 30]

これらが配位する際に、同種の一般式 (Π)で示される化合物と金属イオン及びァニオンとからなる金属錯体ィヒ合物のほか、複数種の一般式 (Π)で示される化合物またはァニオンが配位した形でもよい。以下に、一般式 (Π)で示される化合物の好ましい構造を示す。 [0135] [化 31]

§20 [化 33]

次に、本実施の形態が適用される光記録材料における有機色素化合物 Aについて説明する。本実施の形態が適用される光記録材料で使用する有機色素化合物 A としては、吸収極大が 340nm力も 440nmの範囲にある、いわゆる青色レーザで記録可能なものであれば、公知の任意のものを用いることができる。尚、青色レーザでの記録を可能とするような有機色素化合物 Aは、一般に、単独で用いた場合における上記試験方法で測定した耐光性 Xが 30%未満となるものが多、。このような有機色素化合物 Aとしては、特に限定されないが、なかでも、 γ—ピロン系有機色素、タマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、 1ーチォクマリン系有機色素が挙げられる。

[0139] y—ピロン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、 1ーチォクマリン系の分子量は特に限定されないが、通常、ピロン系有機色素の場合、分子量 900以下、好ましくは 600以下である。クマリン系有機色素又はカルボスチリル系有機色素の場合、通常、分子量 700以下、好ましくは 500以下である。分子量が過度に大きいと、特に吸収に寄与しない部分で OD値が低下するため記録に必要な吸収を確保できなくなるので好ましくな、。

[0140] より具体的には、前述した一般式 (III)、（IV)及び (V)に示す化合物から選ばれるものを使用することが好ましい。

[0141] [化 34]

[0142] [化 35]

[0143] [化 36]

[0144] 以下、まず、一般式 (ΠΙ)又は一般式 (IV)について説明する。尚、一般式 (III)又は

(IV)における R ，一 R ，については、 R — R と同様なものが挙げられる。

17 20 17 20

[0145] 一般式 (ΠΙ)又は一般式 (IV)にお、て、 R

17一 R は、それぞれ独立に、水素原子 20

または炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のァルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数 6— 18のァリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 -COR で表さ

34 れるァシル基; NR R で表されるアミノ基; NHCOR で表されるァシルァミノ基

35 36 37

； -NHCOOR で表されるカーバメート基; COOR で表されるカルボン酸エステ

38 39

ル基;— OCOR で表されるァシルォキシ基; CONR R で表される力ルバモイル

40 41 42

基； SO R で表されるスルホニル基； SOR で表されるスルフィニル基； SO NR

2 43 44 2

R で表されるスルファモイル基； SO R で表されるスルホン酸エステル基； NH

45 46 3 47

SO R で表されるスルホンアミド基を表す。

2 48

但し、 R と R と R ま

17 18、R

19 20、R ，と R '

17 18、R ，と R ，は、各々縮合して炭化水素環

19 20

たは複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。 Xは、電子吸引性基であり、 Xは、水素原子または- Q-Y(Qは、

1 2

直接結合、炭素数 1または 2のアルキレン基、ァリーレン基またはへテロアリーレン基であり、 Yは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該ァリーレン基、当該へテロアリーレン基は、 Y以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環 Cは、 C = Oと共に置換基を有して、てもよ、炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である Z及び Z，は、それぞれ O — S -SO -NR —(ここで、 R は、水素原子、

2 21 21

置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シァノ基、ヒドロキシ基、

-NR R で表されるアミノ基 (R 、R は、各々独立に、水素原子、炭化水素基また

22 23 22 23

は複素環基、若しくは - COR (R は、炭化水素基または複素環基である）、 -COR

24 24

(R は、炭化水素基または複素環基である）で表されるァシル基を表す。 )の、ず

25 25

れかを表す)。

[0147] 上記置換基のうち、 R — R として好ましいものは、炭素数 1

17 20 一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 2— 8の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数 7— 12のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の単環又は 2縮合環の複素環基、炭素数 6— 12のァリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、—COR で表されるァシル基; NR R で表される

34 35 36 アミノ基; NHCOR で表されるァシルァミノ基; NHCOOR で表されるカーバメ

37 38

ート基; COOR で表されるカルボン酸エステル基; OCOR で表されるァシルォ

39 40

キシ基； CONR R で表される力ルバモイル基； SO R で表されるスルホ -ル基

41 42 2 43

；—SO NR R で表されるスルファモイル基； NHSO R で表されるスルホンアミド

2 45 46 2 48

基である。

[0148] R と R 、R と R 、R ，と R '、R ，と R 'が、各々縮合して炭化水素環または

17 18 19 20 17 18 19 20

複素環構造を形成する場合の好ましいものとしては、以下の縮合環構造が挙げられる。 [0149] [化 37]

[0150] (上記縮合環構造において、 D — D は、水素原子または置換されてもよいアルキ

13 15

ル基、ァシル基のいずれかを表す。また芳香環は任意の置換基を有していてもよぐその置換基の数や位置も、本発明の要旨の範囲内であれば特に制限はない。）またこれらの縮合環は前述したような置換または未置換のアルキル基で置換されていてもよい。このアルキル基が有し得る置換基としては、例えば、後述する R — R のァ

17 20 ルキル鎖部分が有し得る置換基と同種のものが挙げられる。 [0151] 有機色素化合物 Aの一般式 (ΠΙ)又は一般式 (IV)にお、て、 X及び Xにおける Y

1 2 の電子吸引性基としては、一般にハメット則においてシグマ定数 σ (び111及びび、特に σ ρ)が正の値を持つものが挙げられる。これらの例としては、シァノ基、ニトロ基、ニトロソ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ホルミル基、ァシル基、カルボン酸エステル基、力ルバモイル基、トリアルキルアミノ基、トリフルォロメチル基等のハロゲン置換アルキル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホ-ル基、スルファモイル基、スルフィエル基等が挙げられる。ァシル基、カルボン酸エステル基、力ルバモイル基、トリアルキルアミノ基、トリフルォロメチル基等のハロゲン置換アルキル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基については、前述と同様なものが挙げられる。

[0152] 有機色素化合物 Αの一般式 (ΠΙ)又は一般式 (IV)にお、て、 Qの連結基は、直接結合 (Xは- Yとなる。）、炭素数 1一 2のアルキレン基、ァリーレン基、ヘテロァリーレ

2

ン基を表す。ここで、 Yは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該ァリーレン基、当該へテロアリーレン基は、 Y以外に任意の置換基を有していてもよい。 Qがァルキレン基の場合、炭素原子は水素原子以外に、後述する R 力アルキル鎖と

1 48

なる場合に有し得る置換基を有して、ても、そこ力分岐したアルキル鎖を有してヽてもよい。 Qが 6員環のァリーレン基、ヘテロァリーレン基を表す場合、電子吸引性基 Yが結合部に対してオルト位力パラ位にあることが好ましぐ 5員環のへテロアリーレン基である場合は、結合部と電子吸引性基力 2位と 4位にあることが好ましい。またこれら連結基に結合する Yは複数個でもよ、。また Yが結合して、る以外の箇所に置換基を有して、てもよ、。これらの連結基と電子吸引性基の好まし、結合を下記に例示する。 [0153] [化 38]

[0154] (上記の例示中、 G一 Gは、炭素数 1一 4の任意の置換基または置換されてもよいァ

1 6

ルキル鎖を表し、 X、 Yは電子吸引性基を示す。 Xとしては、より好ましくは、シァノ基、ニトロ基、ァシル基、カルボン酸エステル基、力ルバモイル基、ハロゲン置換アルキル基、スルホ-ル基、スルファモイル基、スルフィエル基が挙げられる。また、 γとしては、より好ましくは、シァノ基、ニトロ基、ァシル基、カルボン酸エステル基、力ルバモイル基、ハロゲン置換アルキル基、スルホ-ル基、スルファモイル基、スルフィエル基が挙げられる。さらに、 Qの連続基としてより好ましくは、ァリーレン基、ヘテロァリレーン基が挙げられる。 )

[0155] 有機色素化合物 Aの一般式 (ΠΙ)又は一般式 (IV)において、環 Cは、 >C = 0と共に炭素環式ケトン構造または複素環式ケトン構造を表す。炭素環式ケトン、複素環式ケトンとは、不飽和または芳香環系の環内の CH や =CH—が、 >C = 0に置き換

2

わったものである。また点線で示した環 cの環構造部にも、複数の〉 c=o、 >c=s や >C=NH等を有していてもよい。環 Cが形成する炭素環式ケトン構造や複素環式ケトン構造は、飽和でも不飽和でもよぐ環の員数も特に問わない。また複素環においてはへテロ原子の数も特に問わない。また環内の炭化水素基部や環を構成する NH—の水素原子は、任意の置換基で置換されていてもよい。置換基としては、特にアルキル基ゃァリール基が好まし、。

[0156] これらの炭素環式ケトン構造ゃ複素環式ケトン構造は、環の一部に更なる環が縮合して、縮合環構造を形成してもよい。環式ケトン構造に縮合する環構造は、炭化水素環、複素環を問わないが、好ましくは、ベンゼン環または 5— 6員環の複素芳香環である。以下に、環式ケトンが示す構造を例示する。

[0157] [化 39]

[0158] 環 Cが形成する炭素環式ケトン構造と複素環式ケトン構造の好ま、例としては、 5 一 6員環の飽和炭化水素環、 5— 6員環の飽和または不飽和の複素環のものである [0159] 有機色素化合物 Aの一般式 (III)又は一般式 (IV)にお!/、て、 Zの NR —の、 R

21 21 における炭化水素基としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n— ブチル基、 sec -ブチル基、 tert -ブチル基、 n -へプチル基等の炭素数 1一 18の直鎖または分岐のアルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ァダマンチル基等の炭素数 3— 18の環状アルキル基、ビュル基、プロぺニル基、へキセ -ル基等の炭素数 2— 18の直鎖または分岐のァルケ-ル基、シクロペンテ- ル基、シクロへキセ -ル基等の炭素数 3— 18の環状ァルケ-ル基、ベンジル基、フエネチル基等の炭素数 7— 20のァラルキル基、フエ-ル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数 6— 18ァリール基を表す。これらの基のアルキル鎖部分及びァリール基部分は後述する R -R がアルキル鎖となる場合に有し得る置換基で更に置

1 48

換されていてもよい。

[0160] R で表される複素環基としては、 4ーピペリジル基、モルホリノ基、 2 モルホリニル

21

基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、 2—フリル基、 2—ピリジル基、 2—チアゾリル基、 2—キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のへテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよぐまた結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、 5— 6員環の飽和複素環、 5— 6員環の単環及びその 2縮合環の芳香族複素環である。これらの基は後述する R— R 力 Sアルキル鎖となる場合に有し得

1 48

る置換基で更に置換されて、てもよ、。

[0161] R が置換されてもよい炭化水素基としてアルキル鎖を有する場合、 R または R

21 18 20、

R 'または R 'と結合して、飽和または不飽和の炭化水素環や、飽和または不飽和

18 20

の複素環構造を形成してもよい。環状構造の員数は特に制限されないが、炭化水素環、複素環共に好ましいのは 5— 6員環である。これらの好ましい縮合環構造を下記に示す。 [化 40]

NR R の R 、R は、 R として例示した炭化水素基および複素環基と同様の

22 23 22 23 21

基が挙げられる。 COR の R は、 R と同様の炭化水素基、複素環基と同様な基

24 24 21

力 S挙げられる。— COR の R は、炭化水素基、複素環基のいずれかを表し、 R と同

25 25 21 様に、炭化水素基、複素環基と同様な基が挙げられる。以下に、好ましい一 NR —の

21 例を挙げる。

〔〕〔 £0164 [化 42]

有機色素化合物 Aの一般式 (III)又は一般式 (IV)で表される化合物の好ま、例として下記のもの（A (l)— A (103) )が挙げられる。なお、 Etはェチル基を、 Buはブチル基を、 Phはフエ二ル基を表す。

[ff^ [89 TO] df/X3d 89 .C9Z80/S00Z OAV

[0170] [化 46]

(6 ) V

[0174] [化 50]

A(75) A(76) [0175] [化 51]

A(83) A(84)

A(91)

A(92)

[化 53]

A(101) A(103)

A(102) 次に、本実施の形態が適用される光記録材料における有機色素化合物 Aとしては、前述した一般式 (V)に示す化合物を使用することが好ましい。

一般式 (V)において、 Xは酸素原子、硫黄原子または N— R を表す。 R 、R 、 R 、R 、R はそれぞれ独立して水素原子または炭素数 1一 12の直鎖又は分岐の

28 29 30

アルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 2— 12の直鎖又は分岐のァルケニル基、炭素数 7— 18のァラルキル基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 18のァリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミ

34 35 36

ノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカーバメート

37 38

基、 COOR で表されるカルボン酸エステル基、 OCOR で表されるァシルォキ

39 40 シ基、 CONR R で表される力ルバモイル基、 SO R で表されるスルホニル基、

41 42 2 43

-SOR で表されるスルフィエル基、—SO NR R で表されるスルファモイル基、

44 2 45 46

NHSO R で表されるスルホンアミド基を表す。

2 47

[0179] R 、R 、R は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環

31 32 33

26 33

していてもよい（但し、 R

34、R

37、R

38、R

39、R

40、R

43、R

44、R

47、R は、それぞれ独立 48

に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R

35、R

36、R

41、R

42、R

45、R は、それぞれ 46

独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 )

[0180] 上記基の中でも、 R

26、R

27、R

28、R

29、R として好ましくは、水素原子または炭素数 30

1一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 7— 1 2のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 12のァリール基、飽和または不飽和の単環または 2縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 COR で表されるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、

34 35 36

-NHCOR で表されるァシルァミノ基、 NHCOOR で表されるカーバメート基、

37 38

COOR で表されるカルボン酸エステル基、 OCOR で表されるァシルォキシ基、

39 40

-CONR R で表される力ルバモイル基、—NHSO R で表されるスルホンアミド基

41 42 2 48

である。

[0181] これらの置換基は、塗布溶媒に対する溶解性を上げる効果 (特にアルキル基部分を持つもの）や、最大吸収波長（ λ max)をより長波長にシフトさせることができる（特に、ァリール基、不飽和複素環、ハロゲンィ匕アルキル基やシァノ基などの電子吸引性基)点で有用であり、特にこれらを R

26、R

27に持つものが好ましい。

[0182] R 、R 、R は、それぞれ独立に、水素原子、置換されてもよい直鎖または分岐の

31 32 33

アルキル基、置換されてもよい環状アルキル基、置換されてもよいァラルキル基、置換されてもょ、直鎖または分岐のァルケ-ル基、ァシル基を表す。

R 、R 、R として好ましくは、水素原子、炭素数 1一 12の直鎖又は分岐のアルキ

31 32 33

ル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7— 18のァラルキル基である。

[0183] 特に R 、R においては、ァミノ基の電子供与性を増す事により最大吸収波長（λ

31 32

max)が長波長側にシフトするので、青色レーザに対する吸収をより持たせることができる。このため、 R 、 R は、無置換の直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル

31 32

基であることが特に好ましい。しかし、炭素数が多すぎても波長的にはそれほど効果が見られず逆に吸収強度が下がる、生成物が固形ィ匕しないなどの問題も考えられるので、 R

1、R の炭素数は 1から 8程度が好ましい。

3 32

[0184] また、 R — R のうち隣接する 2つが結合して飽和炭化水素環を形成していてもよ

26 33

ぐまた、 R -R

26 30それぞれが独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のへテロ原子を表し、その先で縮合した飽和複素環を形成してもよい。

上記縮合環構造として好ましいのは、 R

29と R

31または R

30と R

32が縮合した 5— 7員環構造である。アミノ基構造をもつ R , R

31 32は隣接置換基と縮合構造をとることにより

、よりえ maxを長波長にシフトさせることができ、なおかつ溶解性の向上も期待できることから好ましい。更にこれらが結合して形成される環には、さらに置換基を有していてもよい。環構造の具体例としは、以下に示される構造が挙げられる。 [0185] [化 54]

[0186] ここで Dは R 、R と同様の置換基を表す。

31 32

[0187] 一般式 (V)で示される化合物の好まし、具体例を以下に示す,

5

¾〔S0185

〔〕0190

奮〕〔〕

〔〕」

[0194] [化 61]

[0195] 尚、上記説明した R -R が示す直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、

1 48

直鎖または分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、ァラルキル基、直鎖または分岐のアルコキシ基、直鎖または分岐のアルキルチオ基となる場合、これらの置換基のアルキル鎖部分は、必要に応じて置換基を有していてもよい。ただしその場合の置換基あるいは、 "置換されてもょ、""置換基を有して、てもよ、"なる記載における" 置換基"は、スルホン酸基やカルボン酸基、水酸基のような水溶性基を含まない。 [0196] その置換基としては、例えば以下のものが挙げられる。メトキシ基、エトキシ基、 n— プロポキシ基、イソプロポキシ基、 n—ブトキシ基、 sec—ブトキシ基、 tert—ブトキシ基等の炭素数 1一 10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数 2— 12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシェトキシメトキシ基、メトキシメトキシェトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数 3— 15のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フエノキシ基、トリルォキシ基、キシリルォキシ基、ナフチルォキシ基等の炭素数 6— 12のァリールォキシ基;ァリルォキシ基、ビニルォキシ基等の炭素数 2— 12のァルケニルォキシ基等が例示される。

[0197] 更に、他の置換基として、 2—チェニル基、 2—ピリジル基、 4ーピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シァノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基;メルカプト基;メチルメルカプト基、ェチルメルカプト基等のアルキルチオ基;アミノ基; _N、 _N_ジメチルァミノ基、 N、

N—ジェチルァミノ基等の炭素数 1一 10のアルキルアミノ基;メチルスルホ -ルァミノ基、ェチルスルホ -ルァミノ基、 n—プロピルスルホ -ルァミノ基等の炭素数 1一 6のァルキルスルホ -ルァミノ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メチルカロボ-ル基、ェチルカルボ-ル基、イソプロピルカルボ-ル基等のアルキルカルボニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、 n—プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボ-ル基、 n—ブトキシカルボ-ル基等の炭素数 2— 7のアルコキシカルボ-ル基；メチルカルボ-ルォキシ基、ェチルカルボ-ルォキシ基、 n—プロピルカルボ-ルォキシ基、イソプロピルカルボ-ルォキシ基、 n—ブチルカルボ-ルォキシ基等の炭素数 2— 7のアルキルカルボ-ルォキシ基;メトキシカルボ-ルォキシ基、エトキシカルボ-ルォキシ基、 n—プロポキシカルボニルォキシ基、イソプロポキシ力ルポ-ルォキシ基、 n—ブトキシカルボ-ルォキシ基等の炭素数 2— 7のアルコキシ力ルポニルォキシ基等が挙げられる。これらの置換基の位置は特に限定されず、置換基の数は、 1一 4個の範囲で可能である。複数の置換基を有する場合、種でも異なつてもよい。

[0198] (光学記録媒体）次に、光学記録媒体について説明する。

本実施の形態が適用される光学記録媒体は、少なくとも、基板と、クロ口ホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が 340nm以上、 440nm以下の有機色素化合物 A 及びクロ口ホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が 500nm以上、 900nm以下の金属錯体化合物 Bとを含有する記録層とから構成される。尚、必要に応じて、更に、下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。

[0199] 図 1は、本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図 1 (a)は、第 1の実施の形態であり、図 1 (b)は、第 2の実施の形態である。図 1 (a)に示される光学記録媒体 10は、光透過性材料からなる基板 1と、基板 1上に設けられた記録層 2と、記録層 2上に積層された反射層 3及び保護層 4とが順番に積層されている。光学記録媒体 10は、基板 1側から照射されるレーザ光により、情報の記録'再生が行われる。

なお、説明の便宜上、光学記録媒体 10において、保護層 4が存在する側を上方、基板 1が存在する側を下方とし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面とする。

[0200] 基板 1は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材料であれば、様々な材料を使用することができる。具体的には、例えば、アクリル系榭脂、メタクリル系榭脂、ポリカーボネート榭脂、ポリオレフイン系榭脂 (特に、非晶質ポリオレフイン)、ポリエステル系榭脂、ポリスチレン榭脂、エポキシ榭脂等の榭脂;ガラスが挙げられる。また、ガラス上に光硬化性榭脂等の放射線硬化性榭脂からなる榭脂層を設けた構造が挙げられる。中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性等の観点からは、射出成型法にて使用されるポリカーボネート榭脂、耐薬品性及び耐吸湿性等の観点からは、非晶質ポリオレフインが好ましい。更に、高速応答等の観点からは、ガラスが好ましい。

[0201] 榭脂製の基板 1を使用した場合、又は、記録層と接する側 (上側）に榭脂層を設けた基板 1を使用した場合には、上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体 10の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが 0. 2 μ χη—1. 2 m程度であることが好ましい。 [0202] 記録層 2は、基板 1の上側に直接、又は必要に応じて基板 1上に設けた下引き層等の上側に形成され、有機色素化合物 Aの、クロ口ホルムまたはメタノール溶液中の最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上、 440nm以下の化合物と、クロ口ホルム溶液またはメタノール溶液中の最大吸収波長（ λ max)が 500nm以上、 900nm以下の金属錯体化合物 Bと、を含有する。記録層 2中の有機色素化合物 Aの含有量が、金属錯体化合物 Bの含有量よりも多ぐ下記試験方法で測定したときの耐光性 Xが 30% 以上となるように有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bとを含有する。

[0203] 金属錯体ィ匕合物 Bの分解開始温度は、有機色素化合物 Aの分解開始温度以下であることが好まヽ。金属錯体化合物 Bの分解温度が有機色素化合物 Aの分解温度より低いことにより、記録層 2全体としての分解温度を低下させることができ、記録層 2 の記録感度を向上させることが出来る。

好ましくは金属錯体ィ匕合物 Bの分解温度と有機色素化合物 Aの分解温度の差が 5 °C以上、さらに好ましくは 10°C以上あることであり、好ましくは 50°C以下、さらに好ましくは 40°C以下である。

[0204] 尚、本実施の形態の分解開始温度は、大気中もしくは窒素フロー中で昇温速度 10 °C/min (分）で、色素量 3mg— 4mgをアルミニウム製のパンに入れて示差熱天秤法によって 30°C— 600°Cまでの TG— DTAを測定して求めたものである。減量が 10 %以上ある減量過程にお!、て、減量前後の減量線の接線の交点をその減量過程の減量開始温度とする。

[0205] 記録層 2の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましぐ均一な厚みの記録層 2が得られるという観点力もは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は 500rpm— 15000rpmが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。

[0206] ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層 2 を形成する場合に、有機色素化合物 Aと金属錯体化合物 Bとを溶解させて基板 1に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板 1を侵食せず、分光光度計で吸収が検出可能な濃度の溶液を作製できうる程度の、有機色素化合物 Aと金属錯体ィ匕合物 B の溶解性のある溶媒であれば特に限定されない。具体的には、例えばジアセトンァルコール、 3—ヒドロキシー 3—メチルー 2—ブタノン等のケトンアルコール系溶媒;メチルセロソルブ、ェチルセ口ソルブ等のセロソルブ系溶媒； _n キサン、 n オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒;シクロへキサン、メチルシクロへキサン、ェチルシクロへキサン、ジメチルシクロへキサン、 n—ブチルシクロへキサン、 tert—ブチルシクロへキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルォロプロパノール、ォクタフルォ口ペンタノール、へキサフルォロブタノール等のパーフルォロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸ェチル、 2—ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。

[0207] 真空蒸着法を用いる場合には、例えば、必要に応じて他の色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポンプで 10— ²Pa— 10— ⁵Pa程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層 2を形成する。

[0208] また、記録層 2には、安定性ゃ耐光性の向上のために、さらに一重項酸素タエンチヤーとして遷移金属キレートイ匕合物（例えば、ァセチルァセトナートキレート、ビスフエ二ルジチオール、サリチルアルデヒドォキシム、ビスジチォ α—ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形でィ匕合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、ァゾメチン系錯体、フエ-ルヒドロキシアミン系錯体、フエナント口リン系錯体、ジヒドロキシァゾベンゼン系錯体、ジォキシム系錯体、ニトロソァミノフエノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、ァセチルァセトナート系錯体、メタ口セン系錯体、ボルフイリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。なお、ここで列挙した遷移金属キレートイ匕合物や金属系化合物は、クロ口ホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が 500nm以上、 900nm 以下にはない。

[0209] なお、記録層 2には、必要に応じて、有機色素化合物 Aを複数種類併用しても良い。その場合には、複数種類全部 (総和)を有機色素化合物 Aと見なす。更に、記録層 2には、有機色素化合物 Aに加え、併用する金属錯体化合物により、異なる波長帯域に属する複数種のレーザ光を用いた記録 *再生に対応する光学記録媒体 10を製造することちでさる。

[0210] 有機色素化合物 A以外の他系統の色素としては、本実施の形態の金属錯体化合物のほか、必要に応じてベンゾフエノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シァニン系色素、ァゾ系化合物、スクァリリウム系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、ァズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフエノール系色素、キサンテン系色素、ォキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。更に、必要に応じて、バインダー、レべリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビュルアルコール、ポリビ -ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系榭脂、アクリル系榭脂、ポリスチレン系榭脂、ウレタン系榭脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフイン等が挙げられる。

[0211] 記録層 2の膜厚は、記録方法等により適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも lnm以上であり、好ましくは 5nm以上である。但しあまり厚すぎても記録が良好に行えなくなるおそれがあり、通常 300nm以下、好ましくは 200nm以下、より好ましくは lOOnm以下である。

また、記録層 2は、記録および再生光波長における消衰係数 (複素屈折率の虚部） k力一 0. 50、好ましくは 0. 05-0. 35の範囲である。さらに、屈折率 (複素屈折率の実部） nが 1一 3、好ましくは 1. 5-2. 5の範囲である。

[0212] 記録層 2の膜厚を測定し、膜厚が所定の値になるように管理する方法としては、記録層 2にレーザ光を照射し、記録層 2を構成する記録用色素層の吸収強度、即ち透過スペクトルを測定することにより記録層 2の膜厚を測定して管理する方法がある。尤も、この方法は、極大吸収力 00nm以下の記録層 2の膜厚を測定することが困難な場合があった。記録層 2の膜厚の測定が困難になる理由としては、光学記録媒体 10の基板 1に使用される材料の極大吸収力 OOnm以下であることが多ぐ記録層 2の極大吸収と重なってしまうこと、照射するレーザ光の波長が小さくなると (特に 500 nm以下）、基板 1に形成した案内溝によるレーザ光の回折の影響が大きくなり、正確なデータを測定できな、ことが考えられる。

[0213] 本実施の形態において、記録層 2中に含まれる有機色素化合物 A (極大吸収が 34 Onm以上、 440nm以下にある）ではなぐ極大吸収が 500nm以上、 900nm以下にある金属錯体ィ匕合物 Bの透過スペクトルを測定することにより、上述したような問題を解決し、正確な記録層 2の膜厚を測定することができ、最適な膜厚を持つ光学記録媒体 10を提供することが出来る。

[0214] 反射層 3は、記録層 2の上に形成されている。反射層 3の膜厚は、好ましくは 50nm 一 300nmである。反射層 3の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えば、 Au、 Al、 Ag、 Cu、 Ti、 Cr、 Ni、 Pt、 Ta、 Pd等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でも Au、 Al、 Agは反射率が高ぐ反射層 3の材料として適している。

[0215] また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が 50%以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えば、 Mg、 Se、 Hf、 V、 Nb、 Ru、 W、 Mn、 Re、 Fe、 Co、 Rh、 Ir、 Cu、 Zn、 Cd、 Ga、 In、 Si、 Ge、 Te、 Pb、 Po、 Sn、 Bi、 Ta、 Ti、 Pt、 Pd、 Nd等の金属及び半金属を挙げることができる。

[0216] 中でも Agを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。例えば、 Agに Au、 Pd、 Pt、 Cu、及び Ndから選ばれる一種以上を 0. 1原子％— 5原子％程度含有させた合金は、高反射率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。具体的には、例えば、 AgPdCu合金、 AgCuAu合金、 AgCuAuNd合金、 A gCuNd合金等である。金属以外の材料としては、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、これを反射層 3として用いることも可能である。

[0217] 反射層 3を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板 1の上や反射層 3の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。

[0218] 保護層 4は、反射層 3の上に形成される。保護層 4の材料は、反射層 3を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、電子線硬化性榭脂、 UV硬化性榭脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸化ケィ素、窒化ケィ素、 MgF、 SnO等が挙げられる。

2 2

[0219] 熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂等を用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層 3の上に塗布して乾燥させれば、保護層 4を形成することができる。 UV硬化性榭脂を用いる場合は、そのまま反射層 3の上に塗布するカゝ、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層 3の上に塗布し、 UV光を照射して硬化させること〖こよって、保護層 4を形成することができる。 UV硬化性榭脂としては、例えば、ウレタンアタリレート、エポキシアタリレート、ポリエステルアタリレート等のアタリレート系榭脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層 4は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。

[0220] 保護層 4の形成方法としては、記録層 2と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法やィ匕学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層 4の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に 0. 1 μ m以上であり、好ましくは 3 μ m以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層 4の形成に時間がかかつたりコストが高くなるおそれがあるので通常 100 μ m以下であり、好ましくは 30 μ m以下である。

[0221] 上述したように、光学記録媒体 10の層構造として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層して成る構造を例に採って説明したが、この他の層構造を採っても構わない。

例えば、上例の層構造における保護層 4の上面に、又は上例の層構造から保護層 4を省略して反射層 3の上面に、更に別の基板 1を貼り合わせてもよい。この際の基板 1は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよぐ貼り合わせ面又はその反対面に反射層 3等任意の層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を有する光学記録媒体 10や、上例の層構造力も保護層 4を省略した光学記録媒体 10を、それぞれの保護層 4及び Z又は反射層 3の上面を相互に対向させて 2枚貼り合わせてもよい。

[0222] 次に、光学記録媒体の第 2の実施の形態について説明する。

図 1 (b)は、光学記録媒体の第 2の実施の形態を説明する図である。第 1の実施の形態の光学記録媒体 10と共通する部分は同じ符号を付し、説明を省略する。図 l (b )に示される光学記録媒体 20は、光透過性材料からなる基板 1と、基板 1上に設けられた反射層 3と、反射層 3上に積層された記録層 2及び保護被膜 5とが順番に積層されている。光学記録媒体 20は、保護被膜 5側力照射されるレーザ光により、情報の記録 '再生が行われる。

[0223] 保護被膜 5は、フィルム又はシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよぐまた、前述の保護層 4と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することにより形成しても良い。保護被膜 5の厚さは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚さが必要とされるため、一般に 0. 1 μ m以上であり、好ましくは 3 m以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護被膜 5の形成に時間が力かったりコストが高くなるおそれがあるので通常 300 μ m以下であり、好ましくは 20 以下である。尚、記録層 2、反射層 3等の各層は通常、前述の光学記録媒体 1 0と同様のものが用い得る。但し、本層構成では基板 1は透明である必要はなぐ従つて、前述の材料以外にも、不透明な榭脂、セラミック、金属 (合金を含む)等が用いられる。このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。

[0224] ところで、光学記録媒体 10、 20の記録密度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口数を上げることがある。これにより情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。し力しながら、対物レンズの開口数を上げると、記録'再生を行うためにレーザ光を照射した際に、光学記録媒体 10、 20の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。 [0225] このような収差は、レーザ光が透過する透明な基板 1や保護被膜 5の膜厚が厚、ほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板 1や保護被膜 5をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板 1は光学記録媒体 10、 20の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、光学記録媒体 20の構造 (基板 1、反射層 3、記録層 2、保護被膜 5なる基本的層構成の光学記録媒体 20)を採用するのが好ましい。光学記録媒体 10の基板 1を薄くするのに比べると、光学記録媒体 2 0の保護被膜 5は薄くしゃす、ため、好ましくは光学記録媒体 20を用いる。

[0226] 但し、光学記録媒体 10の構造 (基板 1、記録層 2、反射層 3、保護層 4なる基本的層構成の光学記録媒体 10)であっても、記録'再生用レーザ光が通過する透明な基板 1の厚さを 50 m— 300 m程度にまで薄くすることにより、収差を小さくして使用でさるよう〖こなる。

また、他の各層の形成後に、記録 ·再生レーザ光の入射面 (通常は、基板 1の下面 )に、表面の保護ゃゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化榭脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよぐ記録，再生レーザ光の入射面ではない面 (通常は、反射層 3や保護層 4の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもょ、。

[0227] 本実施の形態が適用される光学記録媒体 10、 20において、情報の記録'再生のために使用するレーザ光は、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に波長 350nm— 530nmのレーザ光が好ましい。かかるレーザ光の代表例として、中心波長約 405nm、約 410nm、約 515nmのレーザ光が挙げられる（約は、士 5nm程度の波長シフトを許容する）。

[0228] 波長 350— 530nmのレーザ光は、波長 405nm、 410nmの青色又は 515nmの青緑色の高出力半導体レーザ光を使用することによって得られる。また、その他にも、例えば、（a)基本発振波長が 740nm— 960nmの連続発振可能な半導体レーザ光、及び (b)半導体レーザ光によって励起される基本発振波長 740nm— 960nmの連続発振可能な固体レーザ光の何れかの発振レーザ光を、第二高調波発生素子 (SH G)〖こより波長変換すること〖こよっても得られる。

[0229] 尚、 SHGとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、 KDP、 ADP、 BNN、 KN、 LBO、化合物半導体等が好ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が 860nmの半導体レーザ光の場合には、その基本発振波長の倍波である 430nm、また、半導体レーザ光励起の固体レーザ光の場合には、 C rドープした LiSrAlF結晶（基本発振波長 860nm)からの倍波の 430nm等が挙げ

6

られる。

[0230] 記録再生に用いる波長としては、高密度化に有利な短波長で、かつ、実用的なレ一ザダイオードが供給されて、る波長 405nmを用いることが最も好ま、。この波長を用いる場合は、有機色素化合物 Aの最大吸収波長（λ max)は、 340nm— 400η mにあることが好ましぐより好ましくは 350nm— 400nmにあることであり、さらに好ましくは 370nm— 400nmにあることである。

[0231] 本実施の形態が適用される光学記録媒体 10、 20に、情報の記録を行なう際には、記録層 2に対して (通常は、基板 1側から基板 1を透過させ）、通常、 0. 4-0. 6 m 程度に集束したレーザ光を照射する。記録層 2のレーザ光が照射された部分は、レ一ザ光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形、複素屈折率の変化を起こすため、光学的特性が変化する。

記録層 2に記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層 2に対して (通常は、記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザ光を照射する。記録層 2において、光学的特性 (光学定数や位相差等)の変化が起きた部分 (即ち、情報が記録された部分)の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより、情報の再生が行なわれる。

実施例

[0232] 以下、実施例に基づき本実施の形態をさらに具体的に説明する。尚、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。また、下記の表では、有機色素化合物八を（ A)成分、金属錯体化合物 Bを (B)成分、金属錯体化合物 Bの比較としての化合物を (C)成分と記載する。

[0233] (化合物の合成例）

本実施の形態において使用する化合物の合成方法は、特に限定されるものではないが、式 (I)で示されるァゾ化合物の合成方法としては、例えば、特開平 6— 329616 号公報等に記載されている合成方法が挙げられる。また、式 (Π)で示される化合物の合成方法としては、例えば、特開昭 63-057846号公報等が挙げられる。式 (III) や式 (IV)で示される化合物の合成方法としては、例えば、特願 2001— 372199 (U SP6815033)、式 (V)で示される化合物の合成方法としては、例えば、特願 2001— 027599等に記載されている方法により合成することができる。

[0234] (1)金属錯体化合物 Bの合成

前述した例示化合物 (45)、（46)、（47)のメタノール溶液に、それぞれ酢酸-ッケルのメタノール溶液 (0. 6当量)を滴下した後濾別し、表 1で示す金属錯体化合物 B ( B成分: B1 B3)を合成した。また、例示化合物（63)のエタノール溶液中に塩ィ匕ニッケル水溶液及び NH PF水溶液を滴下した後濾別し、金属錯体化合物（B成分: B

4 6

4)を合成した。クロ口ホルム溶液中の最大吸収波長え maxとモル吸光係数 εとを表 1に示す。

[0235] [表 1]

[0236] (2)耐光性試験

有機色素化合物 Αと金属錯体化合物 Βとを所定の組成比で調製した光記録材料の 0. 6重量％テトラフルォロプロパノール溶液を、厚さ 0. 6mm,直径 12cmの射出成形型ポリカーボネート製榭脂基板上に回転 800rpmでスピンコートした後で乾燥し、次いで、適当な大きさにカットして調製してディスク切片に、耐光性試験機 (株式会社東洋精機製作所製:サンテスト XLS + )を使用して、 Xeランプを 45°C、 250W/m 2で 8時間照射した。

[0237] 尚、光記録材料中の有機色素化合物 A (即ち、 340nm— 440nmの波長範囲の吸収極大）をモニターできる吸収帯について、 Xeランプの照射前の吸収極大の吸光度 Iと、 Xeランプの照射後の吸収極大の吸光度 Iとをそれぞれ測定し、耐光性 x = I /

0 1 1

Iを算出した。通常、 Iと Iの波長は同じである。数値が大きいほど耐光性が良好であ

0 1 0

る。

尚、混合した B成分自身の 440nm以下の吸収は、 A成分と比較して非常に小さぐ混合時の含量を考慮すると λ maxの吸収の大きさは、ほぼ A成分の吸収としてみなすことができる。

[0238] (実施例 1一 13、比較例 1一 7)

表 2に示した組成の光記録材料にっヽて試験を行!、耐光性 Xを評価した。結果を表 2に示す。尚、有機色素化合物 Aは以下の化合物 (Al、 A2)を使用した。

[0239] [化 62]

[0240] [化 63]

[0241] [表 2] A成分 B成分 A/B (耐光性 x)%

実施例 1 A 1 B 1 85/1 5 77. 8

実施例 2 A 1 B 1 80/20 85. 9

実施例 3 A 1 B 1 70/30 77. 3

比較例 1 A 1 B 1 100/0 0

比較例 2 A 1 B 1 90/1 0 27. 0

実施例 4 A 1 B 2 85/1 5 70. 4

実施例 5 A 1 B 2 80/20 78. 3

実施例 6 A 1 B 2 70/30 82. 8

比較例 3 A 1 B 2 100/0 0

比較例 4 A 1 B 2 90/10 3. 9

実施例 7 A 1 B 3 85/15 85. 2

実施例 8 A 1 B 3 80/20 84. 1

実施例 9 A 1 B 3 70/30 84. 3

比較例 5 A 1 B 3 1 00/0 0

実施例 10 A 1 B 3 90/10 58. 9

実施例 1 1 A 2 B 4 85/1 5 6 1. 3

実施例 1 2 A 2 B 4 80/20 93. 2

実施例 1 3 A 2 B 4 70/30 96. 6

比較例 6 A 2 B 4 100/0 0

比較例 7 A 2 B 4 90/1 0 0. 5

[0242] 表 2の結果から、有機色素化合物 Aの重量金属錯体化合物 Bの重量 (以下「 (A) 成分 Z(B)成分」と記載する場合がある。 ) (A)成分 Z(B)成分 =85Z15— 70Z3 0である光記録材料 (実施例 1一 13)は、前述の（2)耐光性試験方法で実施した耐光性 Xが 50%以上あり、耐光性に優れることが確認できた。

一方、（A)成分 Z(B)成分 =100Z0及び、例えば、実施例 10を除く 90Z10である光記録材料 (比較例 1一 7)は、耐光性 Xが 30%未満であり、耐光性に劣ることが分かる。

[0243] 尚、実施例 13で使用した光記録材料をオタタフ/レオ口ペンタノールに溶解し、 0.6 wt。/c^調整した。これをろ過してできた溶解液を直径 120mm、厚さ 0.6mmの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナ一法により塗布し、塗布後、 100 °Cで 30分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λ max)は、 388.5nm、次に大きな最大吸収波長は 803. 5nmであった。図 2に吸収スペクトルを示す。

[0244] (比較例 8— 11)

実施例 1で使用した化合物 A1と、以下に示す化合物 C (C成分: C1一 C4)とを表 3 に示す組成で調製し、耐光性試験を行った。結果を表 3に示す。尚、 C1は、 500nm 一 900nmの範囲に λ maxを有するアントラキノン色素であり、 C2は、シァニン色素であり、 C3は、 B1の金属イオンに配位していないァゾ化合物であり、 C4は、 I max 力 OOnm— 900nmの範囲外にあるァゾ系金属錯体化合物である。また、化合物 C の最大吸収波長（ λ max)と εの値は、 Cl、 C2、 C4、 C5はクロ口ホルム溶液中、 C3 はメタノール溶液中の測定値である。

[0245] [化 64]

[0246] [化 65]

[0247] [化 66]

( C 3 )

λ =564nm

ε =47000 [0248] [化 67]

[0249] [表 3]

[0250] 表 3の結果から、これら（比較例 8— 11)は、いずれも耐光性の向上は見られないことが分かる。

[0251] (実施例 14一 17、比較例 12— 15)

(1)光学記録媒体の作製例

表 4に示す組成の光記録材料のォクタフルォロペンタノール溶液（0. 6wt%)を、トラックピッチ 425nm、溝幅 163nm、溝深さ 90nmの溝を有する直径 120mm、厚さ 0 . 6mmの射出成型ポリカーボネート樹脂基板に滴下し、スピナ一法により塗布した。なお、塗布 ίま、回転数 600rpm力ら 4900rpmへ 25禾少カ 4ナて回転数を上げ、、 4900rp mで 5秒間保持して行った。更に、 100°Cで 30分間乾燥し、記録層とした。次いで、スパッタリング法にて銀合金を lOOnmの厚さで成膜し、反射層を形成した。その後、 UV硬化性樹脂カゝらなる保護コート剤をスピナ一法により塗布し、 UV光を照射して厚さ 5 /z mの保護層を形成させた。更に、遅延硬化型接着剤を用いて、保護層のある面に、厚さ 0. 6mmのポリカーボネート製基板を接着して、評価用の光学記録媒体を作成した。

[0252] (2)記録例

前述した光学記録媒体を線速度 5. 7mZsecで回転させながら、波長 405nm (対物レンズの開口数 NA=0. 65)のレーザ光で、（8Tマーク Z8Tスペース）及び（3T マーク Z3Tペース)の単一周波数信号を溝上に記録し、それぞれの記録特性を測定した。結果を表 4に示す。尚、 Tは、周波数 66MHzに対応する基準クロック周期である。記録パルスストラテジとして、分割パルス数はマーク長を nTとして (n— 1)、先頭記録パルス幅 2T、後続記録パルス幅 0. 6Τ、バイアスパワー 0. 2mW、再生パワー 0 . 2mW、記録パワーを可変とした。

[0253] [表 4]

[0254] 表 4の結果から、（A)成分 Z (B)成分 =80/20、 70Z30の光記録材料を使用した光学記録媒体 (実施例 14一 17)の記録特性及び記録感度が向上することが分かる。

[0255] (実施例 18— 21、比較例 16— 19)

実施例 14一 17及び比較例 12— 15にお、て使用した光学記録媒体にっ、て、それぞれ、再生光パワー 0. 2mWで 10⁵回読み込み、 8Tの C/Nの減少 dBを測定し、再生光劣化を比較した。数値が小さいほど再生光劣化が良好である。結果を表 5に示す。

[0256] [表 5] A成分 B成分 A/B (再生光劣化) dB

実施例 1 8 A 1 B 3 80/20 0

実施例 1 9 A 1 B 3 70/30 - 3. 0

比較例 1 6 A 1 B 3 100/0 - 1 2. 9

比較例 1 7 A 1 B 3 90/10 -4. 0

実施例 20 A 2 B 3 80/20 -0. 8

実施例 2 1 A 2 B 3 70/30 — 0. 1

比較例 18 A 2 B 3 1 00/0 - 10. 1

比較例 1 9 A 2 B 3 90/10 一 2. 2

[0257] 表 5の結果から、（A)成分 (B)成分 =80 20、 70Z30の光記録材料を使用した光学記録媒体 (実施例 18— 21)の再生光劣化が良好であることが分力る。

[0258] (実施例 22、比較例 20)

表 6に示した組成の光記録材料を用いて、実施例 14と同様に光学記録媒体を調製し、記録感度等について測定した。尚、有機色素化合物 Aは以下の化合物 (A3) を使用した。結果を表 6に示す。

[0259] [化 68]

[0260] [表 6]

[0261] 表 6の結果から、記録感度が向上することが分かる。

[0262] (実施例 23— 26、比較例 21— 26) 表 7及び表 8に示した組成の光記録材料にっレ、て、 TG—DTA (DTG)測定を行!ヽ、熱分解挙動を観察した。 TG— DTA(DTG)測定は、光記録材料の粉末を乳鉢で均一になるようすりつぶし、それぞれのサンプル (約 3. 5mg)を、 TG— DTA(DTG) ( セイコーインスツルメンッ株式会社製: TG/DTA 6200)を用いて、 30°C力ら 600 でまで、 10°CZminの速度で昇温しながら、フローガスとして窒素、空気のそれぞれの条件で行った。結果を表 7及び表 8に示す、また、測定チャートを、図 3—図 5に示す。

[0263] [表 7]

[0264] [表 8]

[0265] 表 7及び表 8の結果から、（A)成分 Z(B)成分 =80Z20、 70 30の光記録材料は、単純な重量比以上に TGの分解開始温度が低温側にシフトし、その DTG (TGの微分ピーク）ピーク温度が低下することが分かる。このような熱分解挙動により、光学記録媒体の記録感度等が向上していると考えられる。

[0266] (実施例 27、 28、比較例 27— 30) [0267] [化 69]

[0268] 実施例 23— 26と同様に、表 9に記載した割合で A5と Bl， B3、 C5を混合した粉末を TG— DTA(DTG)測定を行い、熱分解挙動を観察した。 TG— DTA(DTG)測定の条件は前項と同様である。結果を表 9、表 10に示す。また、比較例 27の測定チヤ一トを図 6に示す。

[0269] [表 9]

TG-DTA測定（空気フロー条件)

[0270] [表 10] T G- D T A測定（窒素フロ

[0271] 表 9及び表 10の結果から、こちらも同様に (A)成分 Z(B)成分 =70Z30混合粉末力 S、単純な重量比以上に TGの分解開始温度が低温側にシフトし、その DTG (TG の微分ピーク)ピーク温度も低下することが分力る。

一方、比較例として用いた未含金のモノァゾィ匕合物である C5を混合した粉末は、図 6を見て明らかな様に、 C5単体の分解温度で先に混合比の分だけ分解してしまい、記録用である有機色素化合物 Aの分解開始温度の低下に寄与しないことが明らかである。

[0272] (実施例 29— 44、比較例 31 39)

前述の実施例 1一 13と同様にして、有機色素化合物 A2， A4, A5に、金属錯体化合物 B5、 B6、 B3、 B4を表 11に示す割合で調合し、色素塗布ディスクを作成し、耐光性試験を行い、耐光性 Xを算出した結果を表 11に示す。また、 B5、 B6の成分を表 12に示した c

[0273] [表 11]

A成分 B成分 A/B (耐光性 x) % 比較例 3 1 A 2 B 5 85/15 20.4 実施例 29 A 2 B 5 80/20 50.6 実施例 30 A 2 B 5 70/30 73.9 比較例 32 A 2 B 5 100/0 0 比較例 33 A 2 B 5 90/10 2.5 比較例 34 A 2 B 6 85/15 22.7 実施例 31 A 2 B 6 80/20 61.5 実施例 32 A 2 B 6 70/30 78.3 比較例 35 A2 B 6 100/0 0 比較例 36 A2 B 6 90/10 2.9 実施例 33 A4 B 3 85/15 71.8 実施例 34 A4 B 3 80/20 79.6 実施例 35 A4 B 3 70/30 89.2 比較例 37 A4 B 3 100/0 15.8 実施例 36 A4 B 3 90/10 45 実施例 37 A 5 B 3 85/15 94.3 実施例 38 A 5 B 3 80/20 93.8 実施例 39 A 5 B 3 70/30 97.1 比較例 38 A 5 B 3 100/0 21.7 実施例 40 A 5 B 3 90/10 85.4 実施例 41 A4 B 4 85/15 87.4 実施例 42 A4 B 4 80/20 91.9 実施例 43 A4 B 4 70/30 98.2 比較例 39 A4 B 4 100/0 15.8 実施例 44 A4 B 4 90/10 72.8

[0275] [化 71]

[0276] [ィ匕 72]

[0277] [化 73]

48-2)

[0278] [表 12]

[0279] この結果から、 Α2, Α4, Α5がそれぞれ 100%の結果に比べて、金属錯体化合物 Β3、 Β4、 Β5を含有することにより耐光性が極めて向上することが明らかである。

[0280] また、図 9には、実施例 1一 13、比較例 1一 7、実施例 29— 44、比較例 31— 39の結果をまとめて図示した。図 9から、所望の耐光性 Xを得ることができる ΑΖΒは、金属錯体ィ匕合物 Βが 0重量％の時の有機色素化合物 Αの耐光性と金属錯体ィ匕合物 Βとの組み合わせにより、異なることが分かる。

[0281] また、 A2に対する最大吸収波長（ λ max)がそれぞれ 793. 5nm、 577nm、 579.

5nmである B4、 B5、 B6の耐光性への効果を比較するとわ力るように、最大吸収波長（ λ max)が 620nm以下である B5、 B6の必要量はそれよりも長波長側に最大吸収波長（ λ max)を有する B4よりも大きぐこの例では金属錯体ィ匕合物 Bは 15重量％以上と見積もれる。耐光性 Xを 50%以上とするには、 20重量％程度は必要である。

[0282] 図 10に、有機色素化合物 A2と金属錯体化合物 Bとの最大吸収波長（ λ max)の差

( Μ = λ max (B) - λ max (A) )と耐光性 xとの関係を示す。

即ち、比較例 1 (Α2= 100% Δ λ =0)と、実施例 13 (Α2ΖΒ4 = 70Ζ30, Δ λ =404. 5nm) ,実施例 30 (A2,B5 = 70,30, Δ = 188nm)、実施例 32 (A2 /B6 = 70/30, Δ λ = 190. 5nm)の耐光性 χを示す。図 10には、有機色素化合物 Αに対する金属錯体ィ匕合物 Βの最大吸収波長（ λ max)は長、方が耐光性 xへの効果が大きいという傾向が見られる。この例では、耐光性 x50%以上を得るには、波長は lOOnm以上長い方が良いことが分かる。耐光性 x80%以上を得るには、波長は 200nm以上長い方が良い。さらに好ましい耐光性 x90%以上を得るには、波長は 300nm以上長!ヽ方が良!ヽ。

[0283] (比較例 40)

金属錯体化合物ではなぐまた、最大吸収波長（λ max)が 354. 5nmと A4 (最大吸収波長（λ max) = 377nm)よりも短波長である C4を、実施例 43と同様にして A4 ZC4 = 70Z30として色素塗布ディスクを作製し、耐光性 Xを調べたところ、 13. 3% と、耐光性の向上は見られなカゝつた。結果を表 13に示す。

[0284] [表 13]

尚、本出願は、 2004年 2月 26日付きで出願された日本出願 (特願 2004-05242 1)に基づいており、その全体が引用により援用される。

図面の簡単な説明 [0286] [図 1]本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図 1 (a)は、第 1 の実施の形態であり、図 1 (b)は、第 2の実施の形態である。

[図 2]実施例 13で使用した光記録材料の吸収スペクトルである。

[図 3]比較例 24で使用した光記録材料の空気中で測定した TG— DTAのチャートである。

[図 4]実施例 26で使用した光記録材料の空気中で測定した TG— DTAのチャートである。

[図 5]比較例 26で使用した光記録材料の空気中で測定した TG— DTAのチャートである。

[図 6]比較例 27で使用した光記録材料の空気中で TG— DTAのチャートである。

[図 7]400nm近傍に「弱ヽ吸収帯」をもつ金属錯体ィ匕合物 Bカゝらなる膜の吸収スぺクトルである。

[図 8]400nm近傍に「弱ヽ吸収帯」をもたな！、金属錯体ィ匕合物 Bからなる膜の吸収スベクトルである。

[図 9]表 2及び表 11に示した光記録材料の耐光性 Xを示す図である。

[図 10]有機色素化合物 A2と金属錯体ィ匕合物 Bとの最大吸収波長（ λ max)の差（（

Δ λ = λ max (Β)— λ max (Α) )と耐光性 Xとの関係を示す図である。

符号の説明

[0287] 1…基板、 2· ··記録層、 3…反射層、 4…保護層、 5…保護被膜、 10, 20· ··光学記録媒体

Claims

請求の範囲

[1] 最大吸収波長（ λ max)が 340nm以上 440nm以下である有機色素化合物 Aと、最大吸収波長（ λ max)が 500nm以上 900nm以下である金属錯体ィ匕合物 Bと、を含有し、

前記有機色素化合物 Aの含有量が、前記金属錯体化合物 Bの含有量よりも多ぐ下記式で算出された耐光性 Xが 30%以上であることを特徴とする光記録材料。耐光性 x= { (I /I ) X 100}

1 0

(但し、上記式中、 Iは、前記有機色素化合物 A及び前記金属錯体化合物 B混合物

0

の分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲 340nm— 4 40nmに存在する吸収極大の吸光度である。 Iは、前記有機色素化合物 A及び前記金属錯体化合物 B混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにお、て、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度である。 )

[2] 前記有機色素化合物 Aは、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度 (I )と、当該有機色素化合

AO

物 Aの膜に光照射処理を施した後に測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲 340 nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度 (I )と、を用いて算出された耐光性 x

A1

= { (I /\ ) X 100}が 30%未満であることを特徴とする請求項 1記載の光記録材

Al AO

料。

[3] 前記耐光性 Xは、下記操作ステップにより算出されることを特徴とする請求項 1または 2記載の光記録材料。

(操作ステップ）

(ステップ 1)前記有機色素化合物 Aと前記金属錯体ィ匕合物 Bとを含有する溶液を透明基板上にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを調製する。

(ステップ 2)分光光度計を用いて、波長 300nm— 900nmにおいて、前記 (ステップ 1)で調製した前記色素塗布ディスクの吸収スペクトルを測定し、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度を Iとする。

0

(ステップ 3)前記 (ステップ 1)で調製した前記色素塗布ディスクに、キセノンランプを 2 50WZm²で 8時間照射する光照射処理を施した後、前記 (ステップ 2)と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、波長範囲 340nm— 440nmに存在する吸収極大の吸光度を Iとする。

(ステップ 4)前記 (ステップ 2)における前記 (I )と、前記 (ステップ 3)における前記 (I

0 1

)に基づき、 { (I /I ) X

1 0 100}を算出する。

[4] 前記金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)が 500nm— 620nmの場合は、前記有機色素化合物 Aと前記金属錯体ィ匕合物 Bとの合計量を 100重量％としたときの前記金属錯体化合物 Bの含有量％を 20重量％以上 40重量％以下とすることを特徴とする請求項 1乃至 3いずれか 1項記載の光記録材料。

[5] 前記有機色素化合物 Aの最大吸収波長（ λ max)と前記金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)との差が、 lOOnm以上であることを特徴とする請求項 1乃至 4いずれか 1項記載の光記録材料。

[6] 前記金属錯体化合物 Bの最大吸収波長（ λ max)が 680nm— 900nmであることを特徴とする請求項 1又は 5記載の光記録材料。

[7] 前記耐光性 Xが 50%以上であることを特徴とする請求項 1乃至 61ゝずれか 1項記載の光記録材料。

[8] 前記有機色素化合物 Aが、 γ—ピロン系有機色素、 γ—チォピロン系有機色素、 γ -1, 1 ジォキソチォピロン系有機色素、 γ ピリドン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素及び 1ーチォクマリン系有機色素力も選ばれる少なくとも 1種であることを特徴とする請求項 1乃至 7いずれ力 1項記載の光記録材料。

[9] 前記金属錯体ィ匕合物 Βがァゾ系金属錯体ィ匕合物またはインドア-リン系金属錯体化合物であることを特徴とする請求項 1乃至 8いずれ力 1項記載の光記録材料。

[10] 前記金属錯体化合物 Βが、金属イオンと、下記一般式 (I)で表されるァゾィ匕合物と、力なるァゾ系金属錯体ィ匕合物であることを特徴とする請求項 9記載の光記録材料。

[化 1]

(式 (I)中、環 Aは、炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環であり、 XLは、 Lが脱離することにより Xが陰イオンとなり金属が配位可能となる置換基を表す。 R

状アルキル基、ァラルキル基又はアルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。 R

3、 R

4、 Rは、それぞれ独立に、水 5

37 38

39 40

41 42 2 43

3 47 2 48 アミド基を表す。（但し、 R 、R

34 37、R

38、R

39、R

40、R

43、R れ独 44、R

47、R は、それぞ

48

立に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R 、それぞ

35、R

36、R

41、R

42、R

45、R は

46 れ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 ) )

[11] 前記一般式 (I)で表されるァゾィヒ合物において、環 Aが 5— 6員環の単環または 2 縮合環の含窒素複素芳香環を表し、 XLがヒドロキシ基、スルホン酸基、ァシルァミノ基、スルホンアミド基、メルカプト基、カルボキシル基を表し、 R、 R力それぞれ独立

1 2

2 43 2 45 46 れるスルファモイル基、 NHSO R で表されるスルホンアミド基を表すことを特徴と

2 48

する請求項 10記載の光記録材料。

前記金属錯体化合物 Bは、金属イオン及び任意のァニオンと、下記一般式 (Π)に示す化合物と、からなる金属錯体化合物であることを特徴とする請求項 9記載の光記録材料。

[化 2]

(式 (Π)中、 R、 Rは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、

6 7

環状アルキル基、ァラルキル基、アルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。 R一 R は、それぞれ独立に、水素原子

8 16

34 れるァシル基、 NR R で表されるアミノ基、 NHCOR で表されるァシルァミノ基、 -NHCOOR で表されるカーバメート基、 COOR で表されるカルボン酸エステ

38 39

40 41 42

基、 SO R で表されるスルホニル基、 SOR で表されるスルフィニル基、 SO N

2 43 44 2

45 46 3 47

HSO R で表されるスルホンアミド基を表す。（但し、 R 、R 、R 、R 、R 、R 、

2 48 34 37 38 39 40 43

R 、R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、 R 、R 、

44 47 48 35 36

R 、R 、R 、R は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいず

41 42 45 46

れかを表す。））

[13] 前記任意のァ-オン力 1価の一座配位子であることを特徴とする請求項 12記載の光記録材料。

[14] 前記金属錯体化合物 Bが、 2価または 3価の遷移金属イオンを有する金属錯体ィ匕合物であることを特徴とする請求項 1乃至 13いずれか 1項記載の光記録材料。

[15] 前記遷移金属が、ニッケル、コノレト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム及びマンガンカもなる群力も選ばれる少なくとも 1種であることを特徴とする請求項 14記載の光記録材料。

[16] 前記有機色素化合物 Aが、下記一般式 (ΠΙ)及び (IV)に示す化合物から選ばれるものであることを特徴とする請求項 1乃至 15いずれか 1項記載の光記録材料。

[化 3]

[化 4]

(式 (III)又は（IV)中、 R — R 及び R '— R 'は、それぞれ独立に、水素原子、ま

17 20 17 20

35 36 37

38 39

40 41 42

SO R で表されるスルホニル基、 SOR で表されるスルフィエル基、 SO NR

2 43 44 2 4

5 46 3 47

SO R で表されるスルホンアミド基を表す（但し R 、R 、R 、R

9、R

8 34 37 38 3 40、R

43、R

2 4 44、

48 35、R

36、R

47 41、

42 45 46

表す。但し、 R と R 、R と R 、R ，と R '、R ，と R ，は、各々縮合して炭化水素

17 18 19 20 17 18 19 20

環または複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。）。 Xは、電子吸引性基であり、 Xは、水素原子または

1 2 Q Y

(Qは、直接結合、炭素数 1または 2のアルキレン基、ァリーレン基またはへテロアリーレン基であり、 Yは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該ァリーレン基、当該ヘテロァリーレン基は、 Y以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環 C は、 c = oと共に置換基を有していてもよい炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である。 Z及び Z，は、それぞれ O — S -SO -NR —(ここで、 R は、水

2 21 21 素原子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シァノ基、ヒドロキシ基）、 NR R で表されるアミノ基 (R 々独立に、水素原子、炭化

22 23 22、R は、各

23

水素基または複素環基)、若しくは- COR (R は、炭化水素基または複素環基で

24 24

ある）、 COR (R は、炭化水素基または複素環基である）で表されるァシル基の

25 25

いずれかを表す。 )

[17] 前記有機色素化合物 Aは、下記一般式 (V)に示す化合物であることを特徴とする請求項 1乃至 15 ヽずれか 1項記載の光記録材料。

[化 5]

(式 (V)中、 Xは— O—、― S―、— NR —を表す。 R

33 26、R

27、R

28、R

29、R は、それぞれ 30

38 39

2 43 44

ニル基、 -SO NR R で表されるスルファモイル基、—SO R で表されるスルホン

2 45 46 3 47 酸エステル基、 NHSO R で表されるスルホンアミド基を表す。 R 、R 、R は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、ァラルキル基、直鎖または分岐のァルケ-ル基、ァシル基を表す。また R -R のうち隣

26 33 接する 2つが結合して飽和炭化水素環または飽和複素環を形成して、てもよ、。伹し、 R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R は、それぞれ独立に、炭化水素基、

34 37 38 39 40 43 44 47 48

または複素環基を表し、 R

35、R

36、R

41、R

42、R

45、R は、それぞれ独立に、水素原 46

子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。 )

[18] 前記一般式 (V)において、 X力 O NR —であり、 R

33 26、R

27、R

28、R

29、R が 30

、それぞれ独立して、水素原子または炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数 3— 8の環状アルキル基、炭素数 7— 12のァラルキル基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数 1一 8の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数 6— 12のァリール基、飽和または不飽和の単環または 2縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シァノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 -COR で表さ

35 36 37

38 39

40 41 42

基、 NHSO R で表されるスルホンアミド基であり、 R 独立

2 48 31、R

32、R 力それぞれ 33

して、炭素数 1一 12の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 3— 12の環状アルキル基、炭素数 7— 18のァラルキル基であり、 R と R または両方が飽

29 31、R と R の一方

30 32

和炭化水素環または飽和複素環を形成して、てもよ、構造であることを特徴とする請求項 15記載の光記録材料。

[19] 前記金属錯体化合物 Bが、前記有機色素化合物 Aの結晶化を阻害することを特徴とする請求項 1乃至 18 ヽずれか 1項記載の光記録材料。

[20] 前記金属錯体化合物 Bの分解開始温度が、前記有機色素化合物 Aの分解開始温度以下であることを特徴とする請求項 1乃至 19いずれか 1項記載の光記録材料。

[21] 情報の記録または再生が可能な光学記録媒体であって、

基板と、

前記基板上に設けられ、光照射による前記情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、

前記記録層は、請求項 1乃至 20いずれか 1項記載の光記録材料を含有することを特徴とする光学記録媒体。

[22] 前記光は、波長 350nm— 530nmのレーザ光であることを特徴とする請求項 21記載の光学記録媒体。