JP2003103935A

JP2003103935A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP2003103935A
Application number: JP2001305940A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Kameyama; 泰弘亀山; Takashi Miyazawa; 隆司宮沢
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2001-10-02
Filing date: 2001-10-02
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2021-10-02
Also published as: JP3876970B2

Abstract

(57)【要約】【課題】特に、波長５３０ｎｍ以下のレーザー光
による記録・再生に適した光学記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に、レーザーによる情報の記録及
び／または再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒
体であって、該記録層が下記一般式（１）で示される色
素を含有することを特徴とする光学記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機色素を記録層
に用いた追記型光学記録媒体に関わるものであり、詳し
くは青色レーザー対応の追記型光学記録媒体に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長７
８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用い
た高密度の記録再生可能な光学記録媒体が求められてい
る。従来提案されている光学記録媒体としては、光磁気
記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒
体、有機色素系記録媒体等があるが、これらの中で有機
色素系記録媒体は、コスト的に安価で且つ製造プロセス
も容易であるという点で優位性を有するものと考えられ
ている。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素の上に積層したタイプの書き
込み型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が量産化され広
く知られているが、このＣＤ−Ｒの記録再生に使用され
るレーザーよりも短波長の、赤色半導体レーザーで記録
する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も
開発され、実用化されている。また、更に短波長のレー
ザー発振が可能となるに従い、ＤＶＤ−Ｒより短波長の
レーザー、即ち青色半導体レーザー（波長３５０〜５３
０ｎｍ）で記録再生可能な光学記録媒体の必要性が高ま
ってきた。

【０００４】ところが、一般にＣＤ−ＲあるいはＤＶＤ
−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、短波長の青
色レーザーでは、反射率が低く記録再生ができないとい
う問題点を有している。そこで、例えば特開２００１−
７１６３９号公報には、ハメットの置換基定数σｐが−
０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基のみを有する
アリール基または芳香族ヘテロ環基を有する色素を、青
色半導体レーザー対応の記録材料として用いることが提
案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、有機色素系光
学記録媒体において良好な記録特性を得るためには、色
素の複素屈折率の実部が大きくかつ虚部が小さいことが
必要である。これはすなわち、色素の吸収極大がレーザ
ーの波長よりも短波長側にあること、色素の吸収極大に
おける吸光度が大きいこと、レーザーの波長近辺におけ
る色素の吸収スペクトル変化が急峻であることが必要で
ある。本発明者らの検討では、上記特開２００１−７１
６３９号公報に記載の色素化合物は、色素の吸収極大に
おける吸光度及び、レーザーの波長近辺における色素の
吸収スペクトル変化が不十分であり、改良を要すること
がわかった。該特開２００１−７１６３９号公報には、
具体例として種々の化合物が例示されているが、例えば
アルコキシ基を有する例示化合物（Ｉ−１６）

【０００６】

【化２】

【０００７】は吸収スペクトルのピーク形状がブロード
であり、レーザーの波長近辺における色素の吸収スペク
トル変化が緩やかである。また、本発明の構造に類似の
アミノ基を有する化合物（Ｉ−１２）、（Ｉ−１７）

【０００８】

【化３】

【０００９】等も例示されている。上記フェニル基にお
ける置換基のσｐを−０．６〜０．０の範囲にするため
には、アミノ基の窒素原子上に強い電子吸引性基の置換
基を導入する必要があるが、本発明者らの検討では、強
い電子吸引性基をアミノ基に導入すると色素の吸収極大
における吸光度が小さくなるという問題があることがわ
かった。本発明は、青色半導体レーザーによって記録再
生が可能でありかつ優れた記録特性を有する有機色素系
光学記録媒体を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】発明者らは、鋭意検討の
結果、特定の構造のベンゼン誘導体においてメチン鎖の
パラ位に特定構造のアミノ基を導入することにより、吸
光度が増大し、吸収スペクトル変化も急峻であることを
見いだし本発明に至った。即ち、本発明は基板上に、レ
ーザーによる情報の記録及び／または再生が可能な記録
層が設けられた光学記録媒体であって、該記録層が下記
一般式（１）で示される色素を含有することを特徴とす
る光学記録媒体に存する。

【００１１】

【化４】

【００１２】（但し、環Ａは環を構成する原子の数が４
以上８以下の環を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ ³およびＲ⁴、はそ
れぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表し、
Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ独立して水素原子又はハメットの置
換基定数σpが０または負の置換基を表す。またＲ¹〜Ｒ
⁶の隣接する２つの置換基が結合して環を形成していて
も良い。）

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で使用される前記一般式（１）の化合物
は、３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に適度な吸収を有
し、青色レーザーでの記録に適する色素である。前記一
般式（１）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴で表される基としては、
例えば水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、ｔｅｒｔ−アミ
ル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル
基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の炭素数１〜１８の直鎖又
は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基等の炭素数３〜１８のシクロアルキル基；ビニル
基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の
直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シ
クロヘキセニル基等の炭素数３〜１８のシクロアルケニ
ル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
ｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、アミルオキシ基、ｔｅｒ
ｔ−アミルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オク
チルオキシ基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアル
コキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピル
チオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、
ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、アミ
ルチオ基、ｔｅｒｔ−アミルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ
基、ｎ−ヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、ｔｅｒ
ｔ−オクチルチオ基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐
のアルキルチオ基；フェニル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基等の炭素数６〜１８のアリール基；ベン
ジル基、フェネチル基等の炭素数７〜１８のアラルキル
基；ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ヘキセニル
オキシ基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニ
ルオキシ基；ビニルチオ基、プロペニルチオ基、ヘキセ
ニルチオ基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケ
ニルチオ基；２−チエニル基、２−ピリジル基、フリル
基、オキサゾリル基、ベンゾキサゾリル基、チアゾリル
基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、ピロリジニル
基、テトラヒドロチオフェンジオキザイド基等の飽和も
しくは不飽和の複素環基；フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル
基；ヒドロキシ基；カルボキシル基；スルホン酸基；−
ＯＣＯＲ₇で表されるアシルオキシ基；−ＮＲ⁸Ｒ⁹で表
されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ¹⁰で表されるアシルアミ
ノ基；−ＮＨＣＯＯＲ¹¹で表されるカーバメート基；−
ＮＨＳＯ₂Ｒ¹²で表されるスルホンアミド基；−ＣＯＮ
Ｒ¹³Ｒ¹⁴で表されるカルバモイル基；−ＣＯＯＲ¹⁵で表
されるカルボン酸エステル基；−ＳＯ₃ＮＲ¹⁶Ｒ¹⁷で表
されるスルファモイル基；−ＳＯ₃Ｒ¹⁸で表されるスル
ホン酸エステル基、等が挙げられる。

【００１４】これらの位置関係は特に限定されず、複数
の置換基を有する場合、同種でも異なっても良い。前記
一般式（１）において、Ｒ⁵またはＲ⁶で表される基とし
ては、水素原子又はハメットの置換基定数σpが０また
は負の置換基であればよく、好ましくはＲ⁵、Ｒ⁶の少な
くともいずれか一方がハメットの置換基定数σpが-0.05
以下の置換基である。ハメットの置換基定数σpは、例
えばChem. Rev., 91巻, 165頁〜195頁(1991年)に記載さ
れている。本発明において、ハメットの置換基定数σp
を定義する際、Ｒ⁵、Ｒ⁶が置換または非置換のアルキル
基または置換または非置換のシクロアルキル基の場合に
は、Ｒ⁵、Ｒ⁶が置換している窒素原子から２個以上離れ
た炭素原子上の置換基は、色素の吸収スペクトルに与え
る電子的効果は実質上非常に小さいと見なせるため、水
素原子と等価と見なすこととする。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶が隣
接するＲ²、Ｒ⁴との間で環を形成する場合、Ｒ⁵、Ｒ⁶が
置換している窒素原子から３個離れた結合鎖で切断し、
切断した結合に水素原子が置換されたものと等価と見な
すこととする。

【００１５】具体的には、水素原子；メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル
基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の炭素
数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピ
ル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８のシクロア
ルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の
炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロ
ペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８
のシクロアルケニル基；ベンジル基、フェネチル基等の
炭素数６〜１８のアラルキル基等が挙げられる。

【００１６】また、Ｒ¹〜Ｒ⁶の内、隣接する２つが結合
して環を形成する場合としては、基本骨格であるベンゼ
ン環に縮合する、飽和又は不飽和の炭化水素環又は複素
環、Ｒ⁵とＲ⁶が窒素原子と共に形成するピペリジニル
基、ピロリジニル基等の含窒素複素環やさらに酸素原子
を含んだモルホリニル基、あるいはＲ²とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁶
とが結合して形成するジュロリジン環等が挙げられる。
これらの環はさらに置換基を有していても良い。特に、
Ｒ⁵および／またはＲ⁶が結合して形成する環、すなわち
Ｒ²とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁶、Ｒ⁵とＲ⁶が結合して形成する環と
しては、飽和環が好ましい。

【００１７】この様な環を有する例としては、例えば下
記の構造が挙げられる。

【００１８】

【化５】

【００１９】（（５）式中、Ｒは任意の置換基を表
す。）上記構造式中には記載していないが、各化合物において
Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち隣接する２つが結合して形成した環は、
置換基を有していても良い。またＲ¹〜Ｒ⁴も記載を省略
した。Ｒ⁷〜Ｒ¹⁸はそれぞれ水素原子、置換されていて
も良い直鎖、分岐又は環状のアルキル基、置換されてい
ても良い直鎖、分岐又は環状のアルケニル基、置換され
ていても良いアリール基、または置換されていても良い
アラルキル基を表す。

【００２０】また、Ｒ¹〜Ｒ¹⁸で示される基に含まれる
アルキル基、アルケニル基、アリール基および複素環基
は、更に置換されていても良い。この場合の置換基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
ｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアル
コキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、
プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキ
シエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２
のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ
基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメ
トキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシエト
キシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコ
キシアルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基
等の炭素数６〜１２のアリール基（これらは置換基で更
に置換されていても良い。）；フェノキシ基、トリルオ
キシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素
数６〜１２のアリールオキシ基；ビニルオキシ基、アリ
ルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基；
アセチル基、プロピオニル基などのアシル基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシル基；テトラヒドロフリル
基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ
基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミ
ノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜
６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカ
ルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロ
ピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ
基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基：メ
トキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロ
ポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオ
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基などの
炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げ
られる。

【００２１】好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ⁴としては水素原子、
置換されていても良いアルキル基、シクロアルキル基、
アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アラル
キル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、アリ
ール基、飽和もしくは不飽和の複素環基、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ヒドロキシ基、
カルボキシル基、スルホン酸基、アシルオキシ基、アミ
ノ基、アシルアミノ基、カーバメート基、スルホンアミ
ド基、カルバモイル基、カルボン酸エステル基、スルフ
ァモイル基またはスルホン酸エステル基であり、Ｒ⁵お
よびＲ⁶としては、水素原子、置換されていても良いア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基またはアラ
ルキル基であるか、あるいはこれらＲ¹〜Ｒ⁶のうち隣接
する２つが結合して飽和又は不飽和の炭化水素環または
複素環を形成する場合である。

【００２２】より好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ⁴としては水素原
子、置換されていても良いアルキル基、アルケニル基、
アルコキシ基、アルキルチオ基、アラルキル基、アリー
ル基、飽和もしくは不飽和の複素環基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
アミノ基、アシルアミノ基、カーバメート基、スルホン
アミド基、カルバモイル基またはカルボン酸エステル基
であり、Ｒ⁵およびＲ⁶としては、水素原子、置換されて
いても良いアルキル基、アルケニル基またはアラルキル
基であるか、あるいはこれらＲ¹〜Ｒ⁶のうち隣接する２
つが結合して５〜６員環の飽和炭化水素環または飽和複
素環を形成する場合である。

【００２３】特に好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ⁴としては水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜１８の直鎖
又は分岐のアルケニル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１８の
アリール基、炭素数１〜６のフルオロアルキル基、炭素
数１〜６のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜６のフル
オロアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、置換アミノ基、アシル基またはカルボン酸エステル
基であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶として、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニ
ル基または炭素数７〜１８のアラルキル基であるか、あ
るいはこれらＲ¹〜Ｒ⁶のうち隣接する２つが結合して５
〜６員環の飽和炭化水素環または飽和複素環を形成する
場合である。

【００２４】一般式（１）における環Ａとしては、環を
構成する原子の数が４以上８以下の環であるが、好まし
くは環を構成する原子の数が４以上８以下の飽和もしく
は不飽和の複素環である。特に好ましくは、５員環もし
くは６員環の飽和もしくは不飽和の複素環である。環Ａ
としては具体的には下記のようなものが例示される。

【００２５】

【化６】（但し、Ｒ¹⁹〜Ｒ³⁶はそれぞれ独立して、水素原子、置
換されていても良いアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、シクロアルケニル基、アラルキル基、アリ
ール基を表す。）これら本発明の色素は、例えば該色素を含む溶液から記
録層の成膜を形成する際の薄膜形成製に優れているの
で。光学記録媒体の記録層に使用する色素としてきわめ
て有用である。また本発明の色素は、該色素を含有する
記録層がより短い波長（３５０〜５００ｎｍ）領域にレ
ーザー光による記録再生に適した強度の吸収およびスペ
クトル形状を有しているため、短波長レーザーに対応す
る記録再生用光学記録媒体に使用する色素として、きわ
めて有用である。

【００２６】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記化合物を含む記録層とから構成されるものである
が、更に必要に応じて基板上に下引き層、金属反射層、
保護層などを設けても良い。好ましい層構成の一例とし
ては、記録層上に金、銀、アルミニウムのような金属反
射層および保護層を設けた高反射率の媒体が挙げられ
る。以下、この構造の媒体を例に本発明の光学記録媒体
について説明する。

【００２７】本発明の光学記録媒体における基板の材質
としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明で
あればよい。このような材質としては、例えばアクリル
系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、
ポリオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、
ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、エポキシ系
樹脂等の樹脂からなるもの、ガラスからなるもの、ガラ
ス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂
層を設けたもの等を使用することができる。

【００２８】高生産性、コスト、耐吸湿性等の点から
は、射出成型ポリカーボネートが好ましい。耐薬品性、
耐吸湿性等の点からは、非晶質ポリオレフィンが好まし
い。また高速応答などの点からは、ガラス基板が好まし
い。記録層に接して樹脂基板または樹脂層を設け、その
樹脂基板または樹脂層上に記録再生光の案内溝やピット
を有していても良い。案内溝がスパイラル状の場合、こ
の溝ピッチが０．３〜１．２μｍ程度であることが好ま
しい。

【００２９】基板上、または必要に応じて下引き層等を
設けた上に本発明の化合物を含む記録層を形成する。記
録層の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート
法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法が挙げられ
る。量産性、コスト面からはスピンコート法が好まし
い。また、厚みの均一な記録層が得られるという点から
は、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。

【００３０】スピンコート法による成膜の場合、回転数
は５００〜１５００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの
後、場合によっては加熱あるいは溶媒蒸気にあてるなど
の処理を行ってもよい。ドクターブレード法、キャスト
法、スピンコート法、浸漬法等の塗布方法により記録層
を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶
媒であればよく、特に限定されない。例えば、ジアセト
ンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタ
ノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、
ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の
環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オ
クタフルオロペンタパノール、ヘキサフルオロブタノー
ル等のパーフルオロアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳
酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エ
ステル系溶媒などが挙げられる。

【００３１】真空蒸着法の場合には、例えば本発明の化
合物と、必要に応じて他の色素や各種添加剤などの記録
層成分を真空容器内に設置された坩堝に入れ、真空容器
内を適当な真空ポンプで１０^-2〜１０^-5Ｐａ程度にまで
排気した後、坩堝を加熱して記録層成分を蒸発させ、坩
堝と向き合って置かれた基板上に蒸着させることによ
り、記録層を形成する。

【００３２】また、記録層は記録層の安定や耐光性向上
のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレ
ート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、
ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシ
ム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等や記録感度向上の
ために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していて
も良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属
が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれる
ものをいい、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチ
ン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナン
トロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジ
オキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピ
リジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯
体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有
機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定
されないが、遷移金属であることが好ましい。

【００３３】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域￥に適度な吸収を有するものであ
ればよく、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒのような
７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長の近赤外レーザー
やＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０ｎｍから選ばれた
赤色レーザーでの記録に適する色素を併用して、複数の
波長域でのレーザー光による記録に対応する光学記録媒
体とする事もできる。

【００３４】他系統の色素としては含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。

【００３５】更に必要に応じて、バインダー、レベリン
グ剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましいバ
インダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタ
ン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、
ポリオレフィン等が挙げられる。

【００３６】記録層の膜厚は記録方法などにより適した
膜厚が異なるため、特に限定するものではないが、通常
５０〜３００ｎｍである。記録層の上には、反射層を形
成してもよく、その膜厚は好ましくは５０〜３００ｎｍ
である。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率
の十分高いもの、例えばＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＰｄの金属を単独ある
いは合金にして用いることができる。この中でもＡｕ、
Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適してい
る。これらを主成分とする以外に下記のものを含んでい
ても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒ
ｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐ
ｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を挙げることができ
る。なかでもＡｇを主成分としているものはコストが安
い点、高反射率が出やすい点、更に後で述べる印刷受容
層を設ける場合には地色が白く美しいものが得られる点
等から特に好ましい。ここで主成分とは含有率が５０％
以上のものをいう。

【００３７】金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜とを交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層とし
て用いることも可能である。反射層を形成する方法とし
ては、例えばスパッタ法、イオンプレーティング法、化
学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上
や反射層のしたに反射率の向上、記録特性の改善、密着
性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間
層、接着層を設けることもできる。

【００３８】反射層の上に形成する保護層の材料として
は、反射層を外力から保護するものであれば特に限定さ
れない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げ
ることができる。また、無機物質としてはＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＮ₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶剤に溶解して塗布液を塗
布し、乾燥することによって形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解し
て塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を
照射して硬化させることによって形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂としては例えば、ウレタンアクリレ
ート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレー
ト等のアクリレート系樹脂を用いることができる。これ
らの材料は単独であるいは混合して用いても良いし、１
層だけではなく多層膜にして用いても良い。

【００３９】保護層の形成方法としては、記録層と同様
にスピンコート法やキャスト法等の塗布方法やスパッタ
法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもス
ピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に０．
１〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３
〜３０μｍが好ましい。

【００４０】また、反射層面に更に基板を張り合わせて
もよく、また反射層面相互を内面とし対向させ光学記録
媒体２枚を張り合わせても良い。基板鏡面側に、表面保
護やゴミなどの付着防止のために紫外線硬化樹脂層や、
無機系薄膜などを成膜しても良い。なお、記録再生光の
入射面ではない面にインクジェット、感熱転写等の各種
プリンタあるいは各種筆記用具にて記入（印刷）が可能
な印刷受容層を設けても良い。

【００４１】本発明の光学記録媒体について使用される
レーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好まし
いが、特に３５０〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザー光の代表例としては、中心波長４１
０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。波長３
５０〜５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は４０５ｎ
ｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レー
ザーを使用することにより得ることができるが、その
他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍ
の連続発振可能な半導体レーザー、または（ｂ）半導体
レーザーによって励起され、かつ基本発振波長が７４０
〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーのいずれか
を第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換するこ
とによっても得ることができる。

【００４２】上記のＳＨＧ素子としては、反転対称性を
欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤ
Ｐ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体など
が好ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波
長が８６０ｎｍの半導体レーザーの場合、その倍波の４
３０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場
合にはＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ₆結晶（基本発振
波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げら
れる。

【００４３】上記のようにして得られた本発明の光学記
録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録
層に０．３〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照
射することにより行う。レーザー光の照射された部分に
は、レーザー光エネルギーの吸収による分解、発熱、溶
解等の記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化す
る。記録された情報の再生は、レーザー光により光学特
性の変化が起きている部分と起きていない部分の反射率
の差を読みとることにより行う。

【００４４】

【実施例】以下本発明を実施例によりさらに具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、これら実
施例によって限定されるものではない。合成例１色素（１９）の合成

【００４５】

【化７】

【００４６】攪拌棒と冷却管とを備えた１００ｍｌの反
応容器にｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド２．９８
ｇ（２０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルアミノホルムア
ミド４０ｍｌとを入れ攪拌して均一な溶液とした。次い
で、メルドラム酸２．８８ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加え、
８０℃で１時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却
し、反応溶液を２００ｍｌの水に滴下した。析出した固
体を濾別、乾燥して濃黄褐色の固体として色素（１９）
１．１ｇを得た。合成例２色素（２０）の合成

【００４７】

【化８】

【００４８】合成例１と同様にして、ｐ−（２−シアノ
エチル）エチルアミノベンズアルデヒド４．０４ｇ（２
０ｍｍｏｌ）とメルドラム酸２．８８ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）とから色素（２０）２．０ｇを得た。合成例３色素（２１）の合成

【００４９】

【化９】

【００５０】攪拌棒と冷却管とを備えた２００ｍｌの反
応容器にｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド２．９８
ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ヒダントイン２．２０ｇ（２２ｍ
ｍｏｌ）およびピペリジン４ｍｌを入れ、１２０℃で１
時間反応させた。反応終了後、反応容器に８０ｍｌの水
を加え６０℃で１時間攪拌した。室温まで冷却後、反応
溶液に１２規定塩酸８ｍｌを滴下した。析出した固体を
濾別、乾燥して黄色の固体として色素（２１）２．２ｇ
を得た。実施例１合成例１で合成した化合物（１９）をエタノールに溶解
し、５ｍｇ／Ｌの溶液とした。この溶液のＵＶ可視吸収
スペクトルを測定したところ、３３８ｎｍに吸収極大
（λｍａｘ）があり、モル吸光係数（ε）は５２，４０
０であった。また、吸収スペクトルの吸収極大付近での
変化率の大きさを見積もるために、吸光度がλｍａｘの
半分になるλｍａｘよりも長波長側の波長（λ_1/2）と
吸収極大波長との差を求めたところ２０ｎｍであった。

【００５１】ついで、化合物（１９）をオクタフロロペ
ンタノールに１重量％の濃度で溶解し、これを濾過して
作成した液を、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出
成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法
によって塗布した後、１００℃で３０分間乾燥したとこ
ろ、良好な色素塗膜が得られた。この塗布膜のλｍａｘ
は３４０．５ｎｍであった。実施例２実施例１と同様にして、上記構造式（２０）で示される
化合物の５ｍｇ／Ｌエタノール溶液を調製し、ＵＶ可視
吸収スペクトルを測定したところ、４４２．５ｎｍにλ
ｍａｘがあり、εは２９，８００であった。またλｍａ
ｘとλ_1/2の差は２０ｎｍであった。ついで、化合物
（２０）をオクタフロロペンタノールに１重量％の濃度
で溶解し、これを濾過して作成した液を、実施例１と同
様にして直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポ
リカーボネート樹脂基板上に塗布したところ、良好な色
素塗膜が得られた。この塗布膜のλｍａｘは４４２ｎｍ
であった。実施例３実施例１と同様にして、上記構造式（２１）で示される
化合物の５ｍｇ／Ｌエタノール溶液を調製し、ＵＶ可視
吸収スペクトルを測定したところ、３９２．５ｎｍにλ
ｍａｘがあり、εは１８，０００であった。またλｍａ
ｘとλ_1/2の差は２５ｎｍであった。ついで、化合物
（２１）を乳酸メチルに１重量％の濃度で溶解し、これ
を濾過して作成した液を、実施例１と同様にして直径１
２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート
樹脂基板上に塗布したところ、良好な色素塗膜が得られ
た。この塗布膜のλｍａｘは３９５．５ｎｍであった。比較例１

【００５２】

【化１０】

【００５３】実施例１と同様にして、上記構造式（２
２）で示される化合物の５ｍｇ／Ｌエタノール溶液を調
製し、ＵＶ可視吸収スペクトルを測定したところ、３３
９ｎｍにλｍａｘがあり、εは１２，０００であった。
またλｍａｘとλ_1/2の差は３０ｎｍであった。つい
で、化合物（２３）をオクタフロロペンタノールに１重
量％の濃度で溶解し、これを濾過して作成した液を、実
施例１と同様にして直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に塗布したとこ
ろ、良好な色素塗膜が得られた。この塗布膜のλｍａｘ
は３４０ｎｍであった。比較例２

【００５４】

【化１１】

【００５５】実施例１と同様にして、上記構造式（２
３）で示される化合物の５ｍｇ／Ｌエタノール溶液を調
製し、ＵＶ可視吸収スペクトルを測定したところ、３６
１ｎｍにλｍａｘがあり、εは３，１５０であった。ま
たλｍａｘとλ_1/2の差は３１ｎｍであった。ついで、
化合物（２３）をオクタフロロペンタノールに１重量％
の濃度で溶解し、これを濾過して作成した液を、実施例
１と同様にして直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出
成型ポリカーボネート樹脂基板上に塗布したところ、良
好な色素塗膜が得られた。この塗布膜のλｍａｘは３６
５ｎｍであった。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【発明の効果】本発明の光学記録媒体は、吸収スペクト
ルにおける適切な波長領域に急峻なピークを有し、かつ
高い吸光度を有する色素を使用することにより、比較的
短波長のレーザー光にて好適に記録再生を行うことがで
きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H111 EA03 EA22 EA32 EA33 FA01 FB42 4H056 CA01 CC02 CC08 CE02 CE03 DD06 DD16 DD29 5D029 JA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、レーザーによる情報の記録及び
／または再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体
であって、該記録層が下記一般式（１）で示される色素
を含有することを特徴とする光学記録媒体。【化１】（但し、環Ａは環を構成する原子の数が４以上８以下の
環を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ ³およびＲ⁴、はそれぞれ独立し
て、水素原子または任意の置換基を表し、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそ
れぞれ独立して水素原子又はハメットの置換基定数σp
が０または負の置換基を表す。またＲ¹〜Ｒ⁶の隣接する
２つの置換基が結合して環を形成していても良い。）
【請求項２】一般式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³お
よびＲ⁴がそれぞれ独立して、水素原子、置換されてい
ても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基、アラルキル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチ
オ基、アリール基、飽和もしくは不飽和の複素環基、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ヒドロ
キシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、アシルオキシ
基、アミノ基、アシルアミノ基、カーバメート基、スル
ホンアミド基、カルバモイル基、カルボン酸エステル
基、スルファモイル基及びスルホン酸エステル基から選
ばれる基を表し、Ｒ⁵、Ｒ⁶がそれぞれ独立して、水素原
子、置換されていても良いアルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、シクロアルケニル基およびアラルキ
ル基から選ばれる基を表すことを特徴とする、請求項１
に記載の光学記録媒体。
【請求項３】一般式（１）において、環Ａが環を構成す
る原子の数が４以上８以下の飽和もしくは不飽和の複素
環であることを特徴とする、請求項１または２に記載の
光学記録媒体。
【請求項４】情報の記録または再生を行うレーザー波長
が３５０〜５３０ｎｍであることを特徴とする、請求項
１乃至３の何れかに記載の光学記録媒体。