JPH11334205A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH11334205A JPH11334205A JP10145553A JP14555398A JPH11334205A JP H11334205 A JPH11334205 A JP H11334205A JP 10145553 A JP10145553 A JP 10145553A JP 14555398 A JP14555398 A JP 14555398A JP H11334205 A JPH11334205 A JP H11334205A
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- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色レーザー光での記録に適した光学記録媒
体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および、又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学
記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピラゾールアゾ骨格を有する色素を含有することを
特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピラゾール環は更に置換基を有し
ていても良い。）
体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および、又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学
記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピラゾールアゾ骨格を有する色素を含有することを
特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピラゾール環は更に置換基を有し
ていても良い。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青色レーザー光に
対応し得る光学記録媒体に関する。詳しくは、ピラゾー
ルアゾ化合物を記録層として用いた光学記録媒体に関す
るものである。
対応し得る光学記録媒体に関する。詳しくは、ピラゾー
ルアゾ化合物を記録層として用いた光学記録媒体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を有するプラス
チック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報
の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によ
って、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、
蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われ
る。また、記録された情報の再生は、レーザー光により
変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録
媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収す
る必要があり、レーザー光吸収色素が用いられる。
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を有するプラス
チック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報
の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によ
って、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、
蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われ
る。また、記録された情報の再生は、レーザー光により
変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録
媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収す
る必要があり、レーザー光吸収色素が用いられる。
【０００３】このような有機色素を利用した光記録媒体
は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記録層を形
成し得るため安価な光記録媒体としてますます普及する
ことが期待され、その結果一層の高密度化が要望されて
いる。このため、記録に用いるレーザー光を従来の７８
０ｎｍを中心とした半導体レーザーから青色光領域にま
で短波長化することが検討されている。
は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記録層を形
成し得るため安価な光記録媒体としてますます普及する
ことが期待され、その結果一層の高密度化が要望されて
いる。このため、記録に用いるレーザー光を従来の７８
０ｎｍを中心とした半導体レーザーから青色光領域にま
で短波長化することが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光学記録媒体の記録層
に適した色素としては、使用されるレーザー光に対応す
る波長領域に吸収を有すること以外に、レーザー光に対
し感度が良いこと、吸収曲線がシャープであること或い
は熱分解挙動が良好であることなどの特性が必要であ
る。本発明は、青色レーザー光に対応する光学記録媒体
を提供することを目的とするものである。
に適した色素としては、使用されるレーザー光に対応す
る波長領域に吸収を有すること以外に、レーザー光に対
し感度が良いこと、吸収曲線がシャープであること或い
は熱分解挙動が良好であることなどの特性が必要であ
る。本発明は、青色レーザー光に対応する光学記録媒体
を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこの目的を
達成するべく鋭意検討した結果、記録層にピラゾールア
ゾ化合物を使用した光学記録媒体が青色レーザーで良好
に記録できることを見い出した。すなわち本発明は基板
と記録層からなり、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピラゾールアゾ骨格を有する色素を含有することを
特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
達成するべく鋭意検討した結果、記録層にピラゾールア
ゾ化合物を使用した光学記録媒体が青色レーザーで良好
に記録できることを見い出した。すなわち本発明は基板
と記録層からなり、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピラゾールアゾ骨格を有する色素を含有することを
特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、ベンゼン環、ピラゾール環は更に
置換基を有していても良い。） なお、一般式（Ｉ）で示される骨格を有する色素とは、
一般式（Ｉ）で示される構造あるいは更にベンゼン環、
ピラゾール環に任意の置換基を有する構造の色素を意味
する。
置換基を有していても良い。） なお、一般式（Ｉ）で示される骨格を有する色素とは、
一般式（Ｉ）で示される構造あるいは更にベンゼン環、
ピラゾール環に任意の置換基を有する構造の色素を意味
する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明で使用されるピラゾールアゾ化合物は３５０
〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有し、青色レーザー
での記録に適する色素が好ましい。かかる色素として
は、下記一般式（II）で示される色素が挙げられる。
る。本発明で使用されるピラゾールアゾ化合物は３５０
〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有し、青色レーザー
での記録に適する色素が好ましい。かかる色素として
は、下記一般式（II）で示される色素が挙げられる。
【０００９】
【化４】
【００１０】（式中、Ｘはヒドロキシ基もしくはアミノ
基を表し、Ｙは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
アルキルチオ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコ
キシ基、フルオロアルキルチオ基、アリールオキシ基、
置換もしくは非置換のアミノ基、アシルアミノ基、アル
コキシカルボニル基、置換もしくは非置換のカルバモイ
ル基を表し、Ｒは水素原子、置換もしくは非置換のアル
キル基、アルケニル基、シクロアルキル基または置換も
しくは非置換のアリール基を表し、環Ａは置換基を有し
ていても良いベンゼン環を表す。）
基を表し、Ｙは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
アルキルチオ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコ
キシ基、フルオロアルキルチオ基、アリールオキシ基、
置換もしくは非置換のアミノ基、アシルアミノ基、アル
コキシカルボニル基、置換もしくは非置換のカルバモイ
ル基を表し、Ｒは水素原子、置換もしくは非置換のアル
キル基、アルケニル基、シクロアルキル基または置換も
しくは非置換のアリール基を表し、環Ａは置換基を有し
ていても良いベンゼン環を表す。）
【００１１】一般式（II）において、Ｘはヒドロキシ基
又はアミノ基を示すが、好ましくはヒドロキシ基であ
る。Ｙとしては水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−エ
チルヘキシル基、ｎ−ドデシル基等の炭素数１〜１２の
直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の
炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチ
オ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐
のアルキルチオ基；トリフルオロメチル基、ペンタフル
オロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプ
タフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル
基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ
−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、
パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１２の直
鎖または分岐のフルオロアルキル基；トリフルオロメト
キシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−
ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、
パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、
パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−
ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜１２の直鎖または
分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチルチオ
基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ
−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオロ−
ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチ
ルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖
または分岐のフルオロアルキルチオ基；フェノキシ基或
いは置換基として炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキルチオ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、炭
素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルキル基；炭
素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルコキシ基；
炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルキルチオ
基；シアノ基；ニトロ基等を有するフェノキシ基等のア
リールオキシ基；アミノ基；炭素数１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基を１個又は２個置換した置換アミノ
基；炭素数１〜４のアルキル基を有するアルキルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ
基；炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基を有す
るアルコキシカルボニル基；カルバモイル基；炭素数１
〜８の直鎖または分岐のアルキル基を有するモノアルキ
ルアミノカルボニル基もしくはジアルキルアミノカルボ
ニル基等の置換カルバモイル基等が挙げられる。
又はアミノ基を示すが、好ましくはヒドロキシ基であ
る。Ｙとしては水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−エ
チルヘキシル基、ｎ−ドデシル基等の炭素数１〜１２の
直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の
炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチ
オ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐
のアルキルチオ基；トリフルオロメチル基、ペンタフル
オロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプ
タフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル
基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ
−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、
パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１２の直
鎖または分岐のフルオロアルキル基；トリフルオロメト
キシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−
ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、
パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、
パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−
ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜１２の直鎖または
分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチルチオ
基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ
−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオロ−
ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチ
ルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖
または分岐のフルオロアルキルチオ基；フェノキシ基或
いは置換基として炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキルチオ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、炭
素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルキル基；炭
素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルコキシ基；
炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルキルチオ
基；シアノ基；ニトロ基等を有するフェノキシ基等のア
リールオキシ基；アミノ基；炭素数１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基を１個又は２個置換した置換アミノ
基；炭素数１〜４のアルキル基を有するアルキルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ
基；炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基を有す
るアルコキシカルボニル基；カルバモイル基；炭素数１
〜８の直鎖または分岐のアルキル基を有するモノアルキ
ルアミノカルボニル基もしくはジアルキルアミノカルボ
ニル基等の置換カルバモイル基等が挙げられる。
【００１２】Ｙとして好ましくは、水素原子、炭素数１
〜８のアルキル基、アルキル部分の炭素数が１〜４のア
ルコキシ基、アルキルチオ基、フルオロアルキル基、フ
ルオロアルキルチオ基、フルオロアルコキシ基、モノ又
はジアルキルアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシカ
ルボニル基、モノ又はジ置換カルバモイル基などが挙げ
られる。特に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、
かかるアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、モ
ノアルキルカルバモイル基等が挙げられる。
〜８のアルキル基、アルキル部分の炭素数が１〜４のア
ルコキシ基、アルキルチオ基、フルオロアルキル基、フ
ルオロアルキルチオ基、フルオロアルコキシ基、モノ又
はジアルキルアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシカ
ルボニル基、モノ又はジ置換カルバモイル基などが挙げ
られる。特に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、
かかるアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、モ
ノアルキルカルバモイル基等が挙げられる。
【００１３】また、Ｒとしては水素原子；前述の如き炭
素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基；置換基と
してアルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アル
コキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオ
キシ基、アラルキルオキシ基、アリール基、シアノ基、
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル基、テトラヒドロ
フリル基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシ
カルボニル基、アシルオキシ基等を有する炭素数１〜１
２の直鎖または分岐のアルキル基；アルケニル基；シク
ロアルキル基；置換もしくは非置換のフェニル基等のア
リール基が挙げられる。
素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基；置換基と
してアルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アル
コキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオ
キシ基、アラルキルオキシ基、アリール基、シアノ基、
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル基、テトラヒドロ
フリル基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシ
カルボニル基、アシルオキシ基等を有する炭素数１〜１
２の直鎖または分岐のアルキル基；アルケニル基；シク
ロアルキル基；置換もしくは非置換のフェニル基等のア
リール基が挙げられる。
【００１４】置換アルキル基の具体例としては、２−メ
トキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、２
−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｉｓｏ−ブトキシエチル
基、２−ｓｅｃ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ペンチル
オキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２
−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２−エチルヘキ
シルオキシ）エチル基、１−メチル−２−メトキシエチ
ル基、１−メチル−２−エトキシエチル基、１−メチル
−２−ｎ−プロポキシエチル基、１−メチル−２−ｉｓ
ｏ−プロポキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ブトキ
シエチル基、１−メチル−２−ｉｓｏ−ブトキシエチル
基、１−メチル−２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、１
−メチル−２−（２−エチルヘキシルオキシ）エチル
基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル
基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブチル基、３
−エトキシブチル基、１−エチル−２−メトキシエチル
基、１−エチル−２−エトキシエチル基等のアルコキシ
置換アルキル基；２−アミノエチル基等のアミノ置換ア
ルキル基；２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル基、
２−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ）エチル基、３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル基、３−（Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノ）プロピル基等のアルキルアミノ置換
アルキル基；２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ
−プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−
プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ブトキ
シエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ヘキシルオキシエト
キシ）エチル基、２−（２−ｎ−オクチルオキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−ｎ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）ブチ
ル基、２−｛（２−（２−エチルヘキシルオキシ）エト
キシ｝エチル基等のアルコキシアルコキシ置換アルキル
基；２−フェノキシエチル基、１−メチル−２−フェノ
キシエチル基、１−エチル−２−フェノキシエチル基等
のアリールオキシ置換アルキル基；２−アリルオキシエ
チル基、１−メチル−２−アリルオキシエチル基、１−
エチル−２−アリルオキシエチル基等のアルケニルオキ
シ置換アルキル基；２−ベンジルオキシエチル基、１−
メチルベンジルオキシエチル基、１−エチル−２−ベン
ジルオキシエチル基、２−β−フェネチルオキシエチル
基等のアラルキルオキシ置換アルキル基；ベンジル基、
ｐ−クロロベンジル基、２−フェネチル基等のアリール
置換アルキル基；シアノメチル基、２−シアノエチル基
等のシアノ置換アルキル基；２−ヒドロキシエチル基、
３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、４−ヒドロキシ−ｎ
−ブチル基、１−メチル−２−ヒドロキシエチル基、１
−エチル−２−ヒドロキシエチル基等のヒドロキシ置換
アルキル基；２−クロロエチル基、２−ブロモエチル
基、３−クロロプロピル基、２−クロロプロピル基、
２，２，２−トリフルオロエチル基等のハロゲン原子置
換アルキル基；フルフリル基等のフリル基置換アルキル
基；テトラヒドロフルフリル基等のテトラヒドロフリル
置換アルキル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニ
ルメチル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニルメチ
ル基、ベンジルオキシカルボニルメチル基、フルフリル
オキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチ
ル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシカルボニルエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシカ
ルボニルエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル
基、２−ｉｓｏ−ブトキシカルボニルエチル基、２−ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルエチル基、１−メチル−２
−メトキシカルボニルエチル基、１−メチル−２−ｎ−
ブトキシカルボニルエチル基、２−（２−エチルヘキシ
ルオキシカルボニル）エチル基、２−ベンジルオキシカ
ルボニルエチル基、２−フルフリルオキシカルボニルエ
チル基等の置換もしくは非置換のアルコキシカルボニル
置換アルキル基；２−アリルオキシカルボニルエチル
基、１−メチル−２−アリルオキシカルボニルエチル基
等のアルケニルオキシカルボニル置換アルキル基；２−
アセチルオキシエチル基、２−プロピオニルオキシエチ
ル基、２−ｎ−ブチリルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−
ブチリルオキシエチル基、２−トリフルオロアセチルオ
キシエチル基、３−アセチルオキシ−ｎ−プロピル基、
４−アセチルオキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−
アセチルオキシエチル基、２−ベンゾイルオキシエチル
基等のアシルオキシ置換アルキル基等の置換アルキル基
が挙げられる。
トキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、２
−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｉｓｏ−ブトキシエチル
基、２−ｓｅｃ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ペンチル
オキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２
−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２−エチルヘキ
シルオキシ）エチル基、１−メチル−２−メトキシエチ
ル基、１−メチル−２−エトキシエチル基、１−メチル
−２−ｎ−プロポキシエチル基、１−メチル−２−ｉｓ
ｏ−プロポキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ブトキ
シエチル基、１−メチル−２−ｉｓｏ−ブトキシエチル
基、１−メチル−２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、１
−メチル−２−（２−エチルヘキシルオキシ）エチル
基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル
基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブチル基、３
−エトキシブチル基、１−エチル−２−メトキシエチル
基、１−エチル−２−エトキシエチル基等のアルコキシ
置換アルキル基；２−アミノエチル基等のアミノ置換ア
ルキル基；２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル基、
２−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ）エチル基、３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル基、３−（Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノ）プロピル基等のアルキルアミノ置換
アルキル基；２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ
−プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−
プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ブトキ
シエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ヘキシルオキシエト
キシ）エチル基、２−（２−ｎ−オクチルオキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−ｎ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）ブチ
ル基、２−｛（２−（２−エチルヘキシルオキシ）エト
キシ｝エチル基等のアルコキシアルコキシ置換アルキル
基；２−フェノキシエチル基、１−メチル−２−フェノ
キシエチル基、１−エチル−２−フェノキシエチル基等
のアリールオキシ置換アルキル基；２−アリルオキシエ
チル基、１−メチル−２−アリルオキシエチル基、１−
エチル−２−アリルオキシエチル基等のアルケニルオキ
シ置換アルキル基；２−ベンジルオキシエチル基、１−
メチルベンジルオキシエチル基、１−エチル−２−ベン
ジルオキシエチル基、２−β−フェネチルオキシエチル
基等のアラルキルオキシ置換アルキル基；ベンジル基、
ｐ−クロロベンジル基、２−フェネチル基等のアリール
置換アルキル基；シアノメチル基、２−シアノエチル基
等のシアノ置換アルキル基；２−ヒドロキシエチル基、
３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、４−ヒドロキシ−ｎ
−ブチル基、１−メチル−２−ヒドロキシエチル基、１
−エチル−２−ヒドロキシエチル基等のヒドロキシ置換
アルキル基；２−クロロエチル基、２−ブロモエチル
基、３−クロロプロピル基、２−クロロプロピル基、
２，２，２−トリフルオロエチル基等のハロゲン原子置
換アルキル基；フルフリル基等のフリル基置換アルキル
基；テトラヒドロフルフリル基等のテトラヒドロフリル
置換アルキル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニ
ルメチル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニルメチ
ル基、ベンジルオキシカルボニルメチル基、フルフリル
オキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチ
ル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシカルボニルエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシカ
ルボニルエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル
基、２−ｉｓｏ−ブトキシカルボニルエチル基、２−ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルエチル基、１−メチル−２
−メトキシカルボニルエチル基、１−メチル−２−ｎ−
ブトキシカルボニルエチル基、２−（２−エチルヘキシ
ルオキシカルボニル）エチル基、２−ベンジルオキシカ
ルボニルエチル基、２−フルフリルオキシカルボニルエ
チル基等の置換もしくは非置換のアルコキシカルボニル
置換アルキル基；２−アリルオキシカルボニルエチル
基、１−メチル−２−アリルオキシカルボニルエチル基
等のアルケニルオキシカルボニル置換アルキル基；２−
アセチルオキシエチル基、２−プロピオニルオキシエチ
ル基、２−ｎ−ブチリルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−
ブチリルオキシエチル基、２−トリフルオロアセチルオ
キシエチル基、３−アセチルオキシ−ｎ−プロピル基、
４−アセチルオキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−
アセチルオキシエチル基、２−ベンゾイルオキシエチル
基等のアシルオキシ置換アルキル基等の置換アルキル基
が挙げられる。
【００１５】Ｒがアルケニル基の場合は、例えばアリル
基、ビニル基等が挙げられる。Ｒがシクロアルキル基の
場合は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等
が挙げられる。Ｒがアリール基の場合は、例えばフェニ
ル基、その置換基としては例えば炭素数１〜４の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐
のアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
カルボニル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフル
オロアルキルチオ基等が挙げられる。
基、ビニル基等が挙げられる。Ｒがシクロアルキル基の
場合は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等
が挙げられる。Ｒがアリール基の場合は、例えばフェニ
ル基、その置換基としては例えば炭素数１〜４の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐
のアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
カルボニル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフル
オロアルキルチオ基等が挙げられる。
【００１６】Ｒとして好ましくは、水素原子；置換基と
してヒドロキシ基、ハロゲン原子を有していても良いア
ルキル基；置換又は非置換のフェニル基；シクロアルキ
ル基、アルケニル基等が挙げられ、特に好ましくはフェ
ニル基である。また、環Ａで表されるベンゼン環はアゾ
基以外に置換基を有していても良く、置換基としては例
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の炭素数１〜１２の直鎖また
は分岐のアルコキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、
ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチル
チオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ
基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素
数１〜１２の直鎖または分岐のアルキルチオ基；トリフ
ルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフル
オロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル
基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキ
シル基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロ
アルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプ
タフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフ
ルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等
炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルコキシ
基；トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチル
チオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタ
フルオロイソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ルチオ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ
−ペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基
等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルキ
ルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子；ニトロ基；シアノ基；−ＮＲ1 Ｒ2 で表される
アミノ基；−ＮＨＣＯＲ3 で表されるアシルアミノ基；
−ＮＨＣＯＯＲ4で表されるカーバメート基；−ＮＨＳ
Ｏ2 Ｒ5 で表されるスルホンアミド基；−ＣＯＯＲ6 で
表されるカルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ7 Ｒ8 で表
されるカルバモイル基；−ＳＯ2 ＮＲ9 Ｒ10で表される
スルファモイル基；−ＳＯ3 Ｒ11で表されるスルホン酸
エステル基等が挙げられる。それらの置換位置は特に限
定されず、置換基の数も１〜５個の範囲で可能である。
してヒドロキシ基、ハロゲン原子を有していても良いア
ルキル基；置換又は非置換のフェニル基；シクロアルキ
ル基、アルケニル基等が挙げられ、特に好ましくはフェ
ニル基である。また、環Ａで表されるベンゼン環はアゾ
基以外に置換基を有していても良く、置換基としては例
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の炭素数１〜１２の直鎖また
は分岐のアルコキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、
ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチル
チオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ
基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素
数１〜１２の直鎖または分岐のアルキルチオ基；トリフ
ルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフル
オロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル
基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキ
シル基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロ
アルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプ
タフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフ
ルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等
炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルコキシ
基；トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチル
チオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタ
フルオロイソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ルチオ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ
−ペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基
等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルキ
ルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン原子；ニトロ基；シアノ基；−ＮＲ1 Ｒ2 で表される
アミノ基；−ＮＨＣＯＲ3 で表されるアシルアミノ基；
−ＮＨＣＯＯＲ4で表されるカーバメート基；−ＮＨＳ
Ｏ2 Ｒ5 で表されるスルホンアミド基；−ＣＯＯＲ6 で
表されるカルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ7 Ｒ8 で表
されるカルバモイル基；−ＳＯ2 ＮＲ9 Ｒ10で表される
スルファモイル基；−ＳＯ3 Ｒ11で表されるスルホン酸
エステル基等が挙げられる。それらの置換位置は特に限
定されず、置換基の数も１〜５個の範囲で可能である。
【００１７】ここでＲ1 〜Ｒ11はそれぞれ水素原子、置
換もしくは非置換の直鎖または分岐のアルキル基、シク
ロアルキル基、置換もしくは非置換のアルケニル基、置
換もしくは非置換のフェニル基を表す。環Ａとして好ま
しくは、非置換或いは置換基として、アルキル基、アル
コキシ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ
基、フルオロアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、置換アミノ基、アシルアミノ基、置換ス
ルファモイル基、置換スルホンアミド基、カルボン酸エ
ステル基などを１〜３個置換したベンゼン環が挙げられ
る。特に好ましくは、アルキル基、フルオロアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボン酸エステル基を
１個置換したベンゼン環である。本発明に使用されるピ
ラゾールアゾ化合物のさらに具体的なものとしては、例
えば表−１に示されるものが挙げられる。
換もしくは非置換の直鎖または分岐のアルキル基、シク
ロアルキル基、置換もしくは非置換のアルケニル基、置
換もしくは非置換のフェニル基を表す。環Ａとして好ま
しくは、非置換或いは置換基として、アルキル基、アル
コキシ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ
基、フルオロアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、置換アミノ基、アシルアミノ基、置換ス
ルファモイル基、置換スルホンアミド基、カルボン酸エ
ステル基などを１〜３個置換したベンゼン環が挙げられ
る。特に好ましくは、アルキル基、フルオロアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボン酸エステル基を
１個置換したベンゼン環である。本発明に使用されるピ
ラゾールアゾ化合物のさらに具体的なものとしては、例
えば表−１に示されるものが挙げられる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】
【表６】
【００２４】
【表７】
【００２５】
【表８】
【００２６】これらのピラゾールアゾ化合物は１種類用
いてもよいし、数種類混合して使用しても構わない。ま
た、ピラゾールアゾ化合物の製法は、公知の方法に従っ
て製造することができる。
いてもよいし、数種類混合して使用しても構わない。ま
た、ピラゾールアゾ化合物の製法は、公知の方法に従っ
て製造することができる。
【００２７】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記ピラゾールアゾ化合物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を設けることができる。前記基板としては、使用する
レーザー光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種
々のプラスチックが用いられる。プラスチックとして
は、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロ
ース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロ
ピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポ
キシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿
性の点からポリカーボネート樹脂が好ましく、特に射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が好ましい。
と前記ピラゾールアゾ化合物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を設けることができる。前記基板としては、使用する
レーザー光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種
々のプラスチックが用いられる。プラスチックとして
は、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロ
ース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロ
ピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポ
キシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿
性の点からポリカーボネート樹脂が好ましく、特に射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が好ましい。
【００２８】本発明の光学記録媒体におけるピラゾール
アゾ化合物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５μ
ｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記録層は、ピ
ラゾールアゾ骨格を有する色素を、必要に応じバインダ
ーと共に、適当な溶媒に溶解し、又は溶解することな
く、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われて
いる薄膜形成法で成膜することにより形成できるが、量
産性、コスト面からスピナー法による成膜が好ましい。
アゾ化合物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５μ
ｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記録層は、ピ
ラゾールアゾ骨格を有する色素を、必要に応じバインダ
ーと共に、適当な溶媒に溶解し、又は溶解することな
く、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われて
いる薄膜形成法で成膜することにより形成できるが、量
産性、コスト面からスピナー法による成膜が好ましい。
【００２９】また、バインダーを使用する場合は、バイ
ンダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知の
ものが用いられる。この場合、本発明のピラゾールアゾ
骨格を有する色素は、樹脂中に１０重量％以上含有され
ていることが好ましい。スピナー法による成膜の場合、
回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコ
ートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気に接
触させる等の処理を行ってもよい。
ンダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知の
ものが用いられる。この場合、本発明のピラゾールアゾ
骨格を有する色素は、樹脂中に１０重量％以上含有され
ていることが好ましい。スピナー法による成膜の場合、
回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコ
ートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気に接
触させる等の処理を行ってもよい。
【００３０】また、記録層の安定や耐光性向上のため
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のため
に金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のため
に金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
【００３１】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長
の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０
ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記録に適する色素を
併用して、複数の波長域のレーザーでの記録に対応する
光記録媒体とすることもできる。他系統の色素としては
含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリ
リウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジ
ン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長
の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０
ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記録に適する色素を
併用して、複数の波長域のレーザーでの記録に対応する
光記録媒体とすることもできる。他系統の色素としては
含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリ
リウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジ
ン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
【００３２】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の脂環式炭化水素系溶
媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフ
ルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパ
ーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳
酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶
媒等が挙げられる。
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の脂環式炭化水素系溶
媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフ
ルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパ
ーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳
酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶
媒等が挙げられる。
【００３３】また、記録層上に金、銀、アルミニウムま
たはそれらの合金の様な金属反射層および保護層を設け
て高反射率の媒体としてもよい。その時の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法によって成膜される。なお、金
属反射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるた
め、または、反射率を高める等の目的で中間層を設けて
もよい。保護層としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂組成物
などが挙げられる。また、接着層を介して貼りあわせ両
面記録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
たはそれらの合金の様な金属反射層および保護層を設け
て高反射率の媒体としてもよい。その時の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法によって成膜される。なお、金
属反射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるた
め、または、反射率を高める等の目的で中間層を設けて
もよい。保護層としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂組成物
などが挙げられる。また、接着層を介して貼りあわせ両
面記録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
【００３４】本発明の光学記録媒体について使用される
レーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好まし
いが、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好ま
しい。かかるレーザー光の代表例としては、中心波長４
１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。波長
３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は、
４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半
導体レーザーを使用することにより得ることが出来る
が、その他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９
６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザー、又は（ｂ）
半導体レーザーによって励起されかつ基本発振波長が７
４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーのいず
れかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換す
ることによっても得ることが出来る。
レーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好まし
いが、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好ま
しい。かかるレーザー光の代表例としては、中心波長４
１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。波長
３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は、
４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半
導体レーザーを使用することにより得ることが出来る
が、その他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９
６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザー、又は（ｂ）
半導体レーザーによって励起されかつ基本発振波長が７
４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーのいず
れかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換す
ることによっても得ることが出来る。
【００３５】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6 結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6 結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
【００３６】上記のようにして得られた光学記録媒体へ
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に０．
４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、
レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に０．
４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、
レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
【００３７】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を具体的に説明
するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発
明を限定するものではない。
するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発
明を限定するものではない。
【００３８】実施例１ （ａ）記録媒体の製造 下記構造式（III)で示されるピラゾールアゾ化合物（ク
ロロホルム中でのλmax ＝３９７ｎｍ、モル吸光係数は
３．２３×１０4 ）のオクタフルオロペンタノール１重
量％溶液を調製し、ろ過して、溶解液を得た。この溶液
を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカー
ボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し
た。塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。次に、この
塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Å
の銀膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外
線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成し
た。塗布膜の最大吸収波長は３９７ｎｍであった。塗布
膜の可視部吸収スペクトルを図１に示す。得られた光記
録媒体の４８８ｎｍにおける反射率は６８％であった。
ロロホルム中でのλmax ＝３９７ｎｍ、モル吸光係数は
３．２３×１０4 ）のオクタフルオロペンタノール１重
量％溶液を調製し、ろ過して、溶解液を得た。この溶液
を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカー
ボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し
た。塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。次に、この
塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Å
の銀膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外
線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成し
た。塗布膜の最大吸収波長は３９７ｎｍであった。塗布
膜の可視部吸収スペクトルを図１に示す。得られた光記
録媒体の４８８ｎｍにおける反射率は６８％であった。
【００３９】
【化５】
【００４０】（ｂ）光記録法 上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー
光を照射したところ、良好な記録ピットを形成すること
が出来た。
光を照射したところ、良好な記録ピットを形成すること
が出来た。
【００４１】実施例２−５ 実施例１において用いた化合物の代わりに表−２に示し
た色素を用いて実施例１と同様に基板上に塗布して、光
学記録媒体を製造した。使用した色素の最大吸収波長、
分子吸光係数（ε）および基板上の塗布膜の最大吸収波
長を表−２に示した。また、得られた光学記録媒体は、
中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光を照射したとこ
ろ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
た色素を用いて実施例１と同様に基板上に塗布して、光
学記録媒体を製造した。使用した色素の最大吸収波長、
分子吸光係数（ε）および基板上の塗布膜の最大吸収波
長を表−２に示した。また、得られた光学記録媒体は、
中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光を照射したとこ
ろ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
【００４２】
【表９】
【００４３】
【発明の効果】本発明のピラゾールアゾ化合物を用いた
光学記録媒体により、青色レーザー光に対応し得る、安
価な高密度の記録媒体が提供され、工業的に極めて有用
なものである。
光学記録媒体により、青色レーザー光に対応し得る、安
価な高密度の記録媒体が提供され、工業的に極めて有用
なものである。
【図１】実施例１で使用したピラゾールアゾ化合物のポ
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図。
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および／または読み取りが可能な記録層が設けられた光
学記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示
されるピラゾールアゾ骨格を有する色素を少なくとも一
種含有することを特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピラゾール環は更に置換基を有し
ていても良い。） - 【請求項２】 ピラゾールアゾ骨格を有する色素が、下
記一般式（II）で示される色素であることを特徴とする
請求項１記載の光学記録媒体。 【化２】 （式中、Ｘはヒドロキシ基もしくはアミノ基を表し、Ｙ
は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フル
オロアルキルチオ基、アリールオキシ基、置換もしくは
非置換のアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボ
ニル基、置換もしくは非置換のカルバモイル基を表し、
Ｒは水素原子、置換もしくは非置換のアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルキル基または置換もしくは非置換
のアリール基を表し、環Ａは置換基を有していても良い
ベンゼン環を表す。） - 【請求項３】 書き込み及び読み取りのレーザー波長が
ともに３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることを特徴とする
請求項１記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14555398A JP3633279B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14555398A JP3633279B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11334205A true JPH11334205A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3633279B2 JP3633279B2 (ja) | 2005-03-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP14555398A Expired - Fee Related JP3633279B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001271001A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-10-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | アゾ系色素及びこれを用いた光学記録媒体 |
| WO2001075873A1 (de) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Verwendung von lichtabsorbierenden verbindungen in der informationsschicht von optischen datenträgern sowie optische datenträger |
| EP1343159A2 (en) | 2002-03-07 | 2003-09-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP2006142789A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-06-08 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | 光情報記録媒体及び情報記録方法 |
| US7241555B2 (en) | 2002-08-05 | 2007-07-10 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium and method for recording information |
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| WO2007119672A1 (ja) | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Fujifilm Corporation | 光記録媒体、可視情報記録方法、及び色素化合物の利用方法 |
| WO2007122830A1 (ja) | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Fujifilm Corporation | 光記録媒体および可視情報記録方法 |
| WO2007139139A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Fujifilm Corporation | 光記録媒体、色素化合物の利用方法及び可視情報記録方法 |
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| WO2008090638A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Fujifilm Corporation | 光記録媒体および可視情報記録方法 |
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| CN100449626C (zh) * | 2005-04-14 | 2009-01-07 | 株式会社东芝 | 存储介质、再现方法、和记录方法 |
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| WO2009113272A1 (ja) | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | 金型の加工方法および製造方法 |
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| WO2009130846A1 (ja) | 2008-04-22 | 2009-10-29 | 富士フイルム株式会社 | レーザ露光方法、フォトレジスト層の加工方法およびパターン成形品の製造方法 |
| WO2010023790A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成体の製造方法および電磁ビーム加工装置 |
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| EP2219053A1 (en) | 2009-02-04 | 2010-08-18 | FUJIFILM Corporation | Heat-ray reflective film, heat-ray reflective structure, and production method thereof |
| WO2010093062A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device, and method for producing the same |
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-
1998
- 1998-05-27 JP JP14555398A patent/JP3633279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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