CN1922028A

CN1922028A - 光记录材料和光记录介质

Info

Publication number: CN1922028A
Application number: CNA2005800057865A
Authority: CN
Inventors: 宫泽隆司; 久保秀之; 长野秀树; 太田宽纪
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp; Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp; Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 2004-02-26
Filing date: 2005-02-25
Publication date: 2007-02-28
Anticipated expiration: 2025-02-25
Also published as: CN100509426C; WO2005082637A1; US20070184386A1; TW200537479A; EP1719635A1

Abstract

本发明提供了一种能够用短波长的蓝色激光进行记录和读取的高级别光记录材料。一种光记录材料，其包含最大吸收波长(λmax)不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和最大吸收波长(λmax)不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B，有机染料化合物A的含量比金属络合物B的含量高，且用预定方法计算的耐光性x不小于30％。

Description

光记录材料和光记录介质

技术领域

[0001]

本发明涉及一种光记录材料，更具体地说是一种使用蓝色激光的光记录材料。

背景技术

[0002]

最近，能够存储大量信息并容易随机存取的各种光记录介质如CD-R/RW，DVD-R/RW，MO等被用作为信息处理机如计算机的外存储器得到了广泛地认可和扩展。这中间，由CD-R和DVD-R所代表的典型有机染料光记录介质被认为在低成本和容易制造方面具有优势。

此外，由于需要处理的信息量的增大，要求介质的记录密度也增加。近些年来，提出过使用显影显著的短发射波长(下文称短波长)激光束如蓝色激光的高密度可记录和可播放光记录介质。

[0003]

然而，通常就市场上的光记录介质如CD-R、DVD-R等而言，例如，CD-R被设计为适于用波长约780nm的激光束记录和读取，而DVD-R适于用波长约从600nm到700nm的激光束记录和读取。这种适合用较长波长激光束记录和读取的光记录介质在用较短波长激光束进行记录和读取时，会产尘反射太少以致于不能进行记录和读取的问题。

[0004]

因此，对于适合用这种短波长激光束记录和读取的光记录介质的记录层所用的有机染料化合物，曾研究过具有在相比传统所用的激光束的较短波长下的吸收性质的染料，使用这种染料用于记录层的光记录介质也已见报导(见专利文献1)。此外，还报导过一种在记录层中含有特定分子结构的喹诺酮(Carbostyryl)化合物的光记录介质(见专利文献2，专利文献3)。

[0005]

专利文献1：日本专利公开No.2001-096918

专利文献2：日本专利公开No.2001-287466

专利文献3：日本专利公开No.2003-127542

发明内容

本发明要解决的问题

[0006]

同时，至于用于使用蓝色激光的光记录介质的记录用染料所要求的性能，除了上述反射率之外，形成光盘的记录性质自不必说还包括例如记录灵敏度，施涂在基层上的涂膜性质，储存稳定性和耐光性等各种性能。然而，能同时满足这些性能的用于蓝色激光记录的染料还没有被实现。

[0007]

为了改善这种记录层的记录性质，曾研究在CD-R，DVD-R等中将一种具有补充性质的添加剂与染料以任意比例混合的方法。

[0008]

然而，对于适于用作使用短波长激光束进行记录和读取的光记录介质的记录层所用有机染料化合物而言，还没有找到用来改善记录性质而不损坏光记录介质的记录层所用有机染料化合物的记录灵敏度的最佳添加剂和最佳添加量，而且还不能以高水平地获得满足涂布在基层上涂膜性质，储存稳定性，耐光性等要求的有机染料光学记录介质。

[0009]

本发明要解决的问题是开发一种用于光记录介质及使用蓝色激光的光记录介质的光记录材料。具体说，本发明即使在以下情况下也要达到30％或更大的耐光性，即在用于蓝色激光进行记录的许多传统染料，其本身的耐光性小于30％的情况下。

[0010]

也就是说，本发明的一个目的是提供一种高级别光记录材料，其能够使用短波长如蓝色激光进行记录和读取。

本发明的另一个目的是提供一种能够使用短波长如蓝色激光进行记录和读取的光记录介质。

解决问题的手段

[0011]

经过大量的研究，本发明人发现，可以通过将最大吸收波长从340nm到440nm且对蓝色激光具有高灵敏度的化合物与特定的金属络合物复合而得到能很好满足耐光性等性能的光记录材料，并基于该发现完成了本发明。

也就是说，根据本发明，提供了一种光记录材料，其包含最大吸收波长(λmax)不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和最大吸收波长(λmax)不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B，有机染料化合物A的含量比金属络合物B的含量高，且用下式计算得到的耐光性x为30％或更大。

耐光性x＝{(I₁/I₀)×100}

其中，I₀是有机染料化合物A和金属络合物B的混合物膜用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率；I₁是有机染料化合物A和金属络合物B的混合物膜经过光照处理后，用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率。

[0012]

对于上述本发明所采用的光记录材料中的有机染料化合物A，当用吸光率(I_A0)和(I_A1)计算得到的耐光性x＝{(I_A1/I_A0)×100}小于30％时，本发明的效果更为明显，其中，I_A0是膜用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率，I_A1是有机染料化合物A的膜经过光照处理后用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率。

[0013]

这里，上述的耐光性x优选通过下述操作步骤计算：

(操作步骤)

(步骤1)用含有有机染料化合物A和金属络合物B的溶液旋转涂布一层透明基层，然后干燥，从而制备涂布染料的光盘；

(步骤2)使用分光光度计测量(步骤1)中制得的涂布染料的光盘在300nm至900nm波长内的吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₀；

(步骤3)将(步骤1)中制得的涂布染料的光盘在250W/m²的氙气灯下光照处理8小时，然后在与(步骤2)相同的条件下测量吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₁；以及

(步骤4)计算根据(步骤2)中的(I₀)和(步骤3)中的(I₁)计算{(I₁/I₀)×100}。

这里，步骤1中的“溶液”是指溶解于最大吸收时的吸光率为0.1至1.0的染料溶液中的有机染料化合物A和金属络合物B的固相含量。

[0014]

在本发明所采用的光记录材料中，可通过使在不小于340nm且不大于440nm的范围内具有最大吸收波长(λmax)的有机染料化合物A包含金属络合物B，来对有机染料化合物A的耐光性的弱点加以弥补。其原因可能是，通过金属配位，比起没有配位的情况耐光性有所增强，因为金属络合物B本身的耐光性就很强。

[0015]

此外，尤其在本发明的短波长区域，一般认为金属络合物B在有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)附近具有一弱吸收带，该吸收带屏蔽或遮挡了有机染料化合物A的吸收带的光退化。该“弱吸收带”被认为是源于金属离子并与配位体有小的相互作用的弱吸收和配位体的弱吸收带。如果该吸收带是光稳定的或热稳定的，它依然是可取的。

[0016]

此外，例如，一般认为，即使有机染料化合物A在单独使用时具有容易结晶的结构，金属络合物B要比有机染料化合物A占用更大的空间结构，因此，能够通过适当分散的金属络合物B而制造非晶态膜来改进涂膜性质。

[0017]

从涂膜性质的耐光性考虑，这样的金属络合物B优选偶氮金属络合物或吲哚苯胺金属络合物。

在本发明的光记录材料中，当偶氮金属络合物是用由以下通式(I)表示的偶氮化合物和金属离子构成的金属络合物所表征时，能够改进记录性质如施涂到基层上的涂膜性质、储存稳定性、耐光性和记录灵敏度。

[0018]

[化合物1]

[0019]

(在式(I)中，环A是与一个碳原子和一个氮原子形成的含氮杂芳环，XL表示取代基，其中当剔除L时X变为阴离子并能够与金属离子配位；R₁和R₂每个独立地为氢原子、直链或支链烷基、环烷基、芳烷基或烯基，或每个可以与相邻取代基团或相互之间形成为稠环；R₃，R₄和R₅每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，单环饱和杂环基团，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基(其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基))。

[0020]

在由上述通式(I)表示的偶氮化合物中，环A表示5或6元单环或二环的稠合的含氮芳杂环，XL表示羟基，磺酸酯基，酰胺基，磺胺基，氢硫基，羧基，R₁和R₂每个独立地为具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，或每个可以与相邻取代基或相互之间形成为饱和稠环，R₃，R₄和R₅每个独立地为氢原子或具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基，5或6元单环的饱和杂环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0021]

此外，在本发明的光记录材料中，该吲哚苯胺金属络合物优选为包含由通式(II)表示的化合物、金属离子和任意的阴离子的金属络合物。

[0022]

[化合物2]

[0023]

(在式(II)中，R₆和R₇每个独立地为氢原子、直链或支链烷基、环烷基、芳烷基、烯基，或每个可以与相邻取代基或可以相互之间形成为稠环；R₈～R₁₆每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，饱和或不饱和杂环基团，具有6～18个碳原子的芳基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基(其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基))。

[0024]

用于本发明的光记录材料的任意的阴离子优选一价的单齿配位体。

[0025]

此外，金属络合物B优选具有二价或三价的过渡金属离子的金属络合物。此外，这样的过渡金属优选自镍，钴，铜，铁，锌，铂，钯和锰。

[0026]

然后，本发明的光记录材料中的有机染料化合物A是选自γ-吡喃酮有机染料，γ-硫代吡喃酮有机染料，γ-1，1-二氧硫代吡喃酮有机染料，γ-吡啶酮有机染料，邻吡喃酮有机染料，喹诺酮有机染料和1-硫代香豆素有机染料的化合物。

本发明的光记录材料中的γ-吡喃酮有机染料的例子包括选自由以下通式(III)和(IV)表示的化合物(通常在以下通式(III)和(IV)中，Z＝O表示是吡喃酮，Z＝S表示是硫代吡喃酮，Z＝SO₂表示是二氧硫代吡喃酮，Z＝N表示是吡啶酮)。

[0027]

[化合物3]

[0028]

[化合物4]

[0029]

(在式(III)或(IV)中，R₁₇～R₂₀和R_17′～R_20′每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，饱和或不饱和杂环基团，具有6～18个碳原子的芳基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基(其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基)。

[0030]

这里，R₁₇和R₁₈，R₁₉和R₂₀，R₁₇′和R₁₈′，R₁₉′和R₂₀′可以互相缩合形成烃环或杂环结构，烃环和杂环可以有取代基)。X₁是吸电子基团，X₂是氢原子或-Q-Y(Q是直接键，具有1或2个碳原子的亚烷基，亚芳基或异亚芳基，Y是吸电子基团，且所述亚烷基，亚芳基，异亚芳基可以具有除Y以外的任意取代基)，环C是碳环形的酮环或杂环形的酮环，其可以有与C＝O一起的取代基；Z和Z′每个表示-O-，-S-，-SO₂-，-NR₂₁-(其中R₂₁是氢原子，可被取代的烃基，可被取代的杂环基，氰基，羟基)，由-NR₂₂R₂₃表示的氨基(其中R₂₂和R₂₃每个独立地为氢原子，烃基或杂环基)，或由-COR₂₄(R₂₄是烃基或杂环基)或-COR₂₅(R₂₅是烃基或杂环基)表示的酰基。

[0031]

此外，在本发明的光记录材料中，邻吡喃酮有机染料(下面结构式中X＝O)，喹诺酮有机染料(下面结构式中X＝NR₃₃)，1-硫代香豆素有机染料(下面结构式中X＝S)包括由通式(V)表示的化合物。

[0032]

[化合物5]

[0033]

(在式(V)中，X表示-O-，-S-，-NR₃₃-；R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉，和R₃₀每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，具有6～18个碳原子的芳基，饱和或不饱和杂环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，或由-NHSO₂R₄₇表示的磺胺基。

[0034]

R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为氢原子，直链或支链烷基，环烷基，芳烷基，直链或支链烯基，酰基，R₂₆～R₃₃中两个相邻的可以相连形成为饱和烃环或饱和杂环。)(其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，而R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子，烃基或杂环基。)

[0035]

在上述通式(V)中优选的是，X是-O-，-NR₃₃-；R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉和R₃₀每个独立地为氢原子或具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有3～8个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基，具有6～12个碳原子的芳基，饱和或不饱和杂环型单环或二环的稠环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0036]

在上述通式(V)所表示的化合物中，优选那些在结构中，R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，或具有7～18个碳原子的芳烷基，以及R₂₉和R₃₁以及R₃₀和R₃₂中的一个或两个可形成为饱和烃环或饱和杂环。

[0037]

此外，本发明的光记录材料中的金属络合物B优选能够防止有机染料化合物A结晶的化合物。

此外，金属络合物B的分解起始温度优选不大于有机染料化合物A的分解起始温度。

[0038]

然后，根据本发明，提供了一种光记录介质，其特征在于，它具有基层和设置在基层上并且能通过光照射而进行记录或读取的记录层，该记录层包含上述光记录材料。

用于在该光记录介质上记录和读取信息所用的光优选为波长从35⁰nm至53⁰nm的激光束。

此外，优选通过测量包含在该记录层中的光记录材料的金属络合物B的吸收强度来测量并控制该记录层的膜厚。

[0039]

本发明的光记录材料中的“最大吸收波长”(λmax)是指在氯仿溶液或甲醇溶液中测得的最大吸收波长，并能使得不论在何种溶液中的最大吸收波长(λmax)处于不小于340nm且不大于440nm或不小于500nm且不大于900nm的范围内。一般认为，光记录材料是旋转涂布膜时在氯仿溶液或甲醇溶液中测得的最大吸收波长大约在-10nm到10nm之间。

[0040]

此外，在本发明测试方法中提及的“最大吸收”是指当光记录材料形成为上述膜时的最大吸收。本发明中的“吸收光谱”是指“当样品已经形成为膜时所测得的吸收光谱”。“样品形成为膜”的方法包括，例如，在操作步骤中用来计算上述耐光性x时制备“涂布染料的光盘”的方法。

本发明的优点

[0041]

因此，根据本发明，提供了一种能够用短波长蓝色激光进行记录和读取的高级别光记录材料。

附图说明

图1是本发明的实施方式所采用的光记录介质的示意图。图1(a)是第一实施方式，图1(b)是第二实施方式。

图2是实施例13中所用的光记录材料的吸收光谱。

图3是对照例24中的光记录材料在空气中测得的TG-DTA图。

图4是实施例26中的光记录材料在空气中测得的TG-DTA图。

图5是对照例26中的光记录材料在空气中测得的TG-DTA图。

图6是对照例27中的光记录材料在空气中测得的TG-DTA图。

图7是由“弱吸收带”约为400nm的金属络合物B组成的膜的吸收光谱。

图8是由不具有约为400nm的“弱吸收带”的金属络合物组成的膜的吸收光谱。

图9显示的是表2和表11中所示的光记录材料的耐光性x。

图10显示的是耐光性x与有机染料化合物A2和金属络合物B的最大吸收波长(λmax)(Δλ＝λmax(B)-λmax(A))差之间的关系。

附图中标号和符号说明

1...基层，2...记录层，3...反射层，4...保护层，5...保护涂膜，10，20...光记录介质

具体实施方式

[0042]

本发明的最佳实施方式(以下称本发明的实施方式)具体描写如下。但是，本发明不局限于下面的实施方式，本发明能以各种方式进行改进并在本发明的要点范围内实施。此外，附图用于解释本发明的实施方式，而不是表示实际尺寸。

本发明的实施方式的光记录材料含有最大吸收波长(λmax)不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和最大吸收波长(λmax)不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B，有机染料化合物A的含量比金属络合物B的含量高，并调节该含量使得用下式计算得到的耐光性x为30％或更大。

[0043]

耐光性x＝{(I₁/I₀)×100}

其中，I₀是有机染料化合物A和金属络合物B的混合物膜用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率；I₁是有机染料化合物A和金属络合物B的混合物膜经过光照处理后，用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内最大吸收处的吸光率。

[0044]

这里，上述耐光性x通过下述操作步骤计算：

(操作步骤)

[0045]

上述这些步骤能够：(a)改善记录性质如记录灵敏度，(b)改善耐光性，以及(c)改善被涂布到光记录介质的基层上的涂膜性质。

此外，如果有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)不小于340nm且不大于440nm，它对蓝色激光的波长范围有合适的吸收。由于这个原因，可通过使用有机染料化合物A获得具有使用蓝色激光的记录灵敏度的光记录介质。如果有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)超过该范围，可能出现的问题是吸收太少以致于不能进行充分的记录，或者吸收太多以致于不能获得充分的反射率。

[0046]

就(a)而言，本发明实施方式所用的金属络合物B的最大吸收波长(λmax)需要在可见光至近红外区范围内，如通常为500nm或以上，优选550nm或以上，进一步优选620nm或以上，更进一步优选680nm或以上，且通常为900nm或以下，优选850nm或以下，进一步优选800nm或以下，以免影响直接参与记录和读取的有机染料化合物A的吸收光谱。此外，至于染料含量重量比，可以是有机染料化合物A＞金属络合物B。否则不同波长的组分将影响记录性质，且记录性质可能差。将有机染料化合物A和金属络合物B的总重量计为100％，金属络合物B的含量是40wt％或以下，优选35wt％或以下，进一步优选30wt％或以下。

[0047]

此外，一般认为，如果金属络合物B在上述这样的可见光区域有吸收，该区域的光被金属络合物B吸收，减少了对有机染料化合物A的光学损伤，从而达到(b)的目的。

如上所述，首先使之使一开始就含有金属络合物B以减少对有机染料化合物A的光学损伤。具体地说，通过包含金属络合物B使得用上述测试方法测得的耐光性x为30％或以上。因此，有机染料化合物A和金属络合物B各自的含量能够通过单独考虑有机染料化合物A的耐光性和单独考虑金属络合物B的耐光性来确定。

[0048]

换句话说，当单独使用有机染料化合物A时，有机染料化合物A的耐光性x小于30％。因此，对于有机染料化合物A本身的耐光性x是在小于30％范围内的一较大值的情况，金属络合物B的含量就可以相对降低。另一方面，当有机染料化合物A本身的耐光性x是在小于30％范围内的一较小值，则必须适当提高金属络合物B的含量。以这种方法，可根据有机染料化合物A本身的耐光性x来确定金属络合物B的含量。

同时，当单独使用金属络合物B时，可根据金属络合物B的耐光性x来确定金属络合物B的含量。换句话说，金属络合物B本身的耐光性x越高，光记录材料的耐光性x达到30％或以上所需要的金属络合物B的含量就越少。

[0049]

本发明人假定光记录材料的耐光性x和金属络合物B的耐光性x之间有如下关系。也就是说，考虑优选利用金属络合物B在从300nm至400nm波长范围内的“弱吸收带”来改善光记录材料的耐光性x。该“弱吸收带”是指一种源自于金属离子并与配位体作用小的吸收带或源自于配位体的弱吸收带。一般认为“弱吸收带”具有屏蔽或遮挡了有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)的光退化。“弱吸收带”通常与金属络合物B的最大吸收波长(λmax)有关。

[0050]

具体地，当金属络合物B的最大吸收波长在波长较短侧的情况下，可以在波长较短侧观察到该“弱吸收带”。本发明人的研究表明，在耐光性试验中被认为是与染料耐光性最相关的350nm到500nm，尤其是400nm附近具有“弱吸收带”的金属络合物B，其最大吸收波长(λmax)出现在620nm或以上，更具体地说680nm或以上的较长波长侧(见图7)。“弱吸收带”在最大吸收波长(λmax)在500nm到620nm范围内的金属络合物B中出现在比350nm短的波长处，且在400nm附近的吸收很小(见图8)。

[0051]

因此，一般认为，当使用“弱吸收带”在400nm附近、最大吸收波长(λmax)为680nm或以上的金属络合物B时，金属络合物B的用量可以减少。另一方面，一般认为，最大吸收波长(λmax)不小于500nm且不大于620nm的金属络合物B对提高有机染料化合物A的耐光性的作用较小，因此需要大量的金属络合物B以确保所要求的耐光性。

[0052]

能够确保实际耐光性的金属络合物B的重量比含量随金属络合物B的最大吸收波长(λmax)和如本发明实施方式中所述的有机染料化合物A本身的耐光性而变化，且该重量比不能仅用数值表示。因此，有机染料化合物A和金属络合物B可以包含在发明的实施方式中以使预定的耐光性不小于30％。

[0053]

由于上述原因，当假定有机染料化合物A和金属络合物B的总量为100wt％，且金属络合物B的最大吸收波长(λmax)在500nm至620nm范围内时，金属络合物B的含量优选不小于20wt％且不大于40wt％。具有其它波长范围的金属络合物B的含量优选为不小于5wt％，进一步优选不小于10wt％。其上限为不大于40wt％。

[0054]

当金属络合物B的最大吸收波长(λmax)不小于680nm且不大于900nm时，在400nm附近将出现“弱吸收带”，因此只需少量即可确保所要求的耐光性。

[0055]

此外，由于上述原因，金属络合物B的最大吸收波长(λmax)与有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)之差优选为不小于100nm，进一步优选不小于150nm，更进一步优选不小于200nm，再进一步优选不小于300nm(见图10)，其上限是500nm，优选为450nm且进一步优选400nm。

[0056]

此外，当进行涂布时，(c)对涂膜特性(成膜特性)的改进的原因被认为是金属络合物B比有机染料化合物A具有更大的空间结构，因此，即使当该结构会仅与有机染料化合物A结晶时，也能通过金属络合物B适当地分散并非晶态化，因此防止了结晶。

[0057]

此外，如果金属络合物B的金属络合物在光记录材料中的含量太小，则观察不到对记录性质如涂布时的涂膜特性，储存稳定性，耐光性的改进。此外，如果该含量太大，有机染料化合物A的含量减小，难以进行充分的记录。

[0058]

事实上，任何只要不是0％耐光性x都能使用。然而，从防止当使用紫外线固化树脂进行粘附时产生有害的变化、形成覆盖层或保护涂层以及重复地读取记录区的角度出发，耐光性x优选为不小于30％，进一步优选不小于50％，更进一步优选不小于80％，再进一步优选不小于90％。

至于用于测定耐光性x的光源，即光照处理，已知的方法有日光照射，氙气灯光照射(参见ISO-105-B02)。例如，测量可通过使用具有几乎同日光(自然光)的波长分布相同的光(常见的例子如氙气灯)照射以测量(I₁/I₀)来进行测量，这种照射等同于例如Wool-Scale5级别(或欧洲参考#5)的照射。这种光通常从染料膜一侧照射。

[0059]

本发明的实施方式的耐光性x是通过操作以下(1)-(4)步骤具体确定的。

(1)使有机溶剂包含有机染料化合物A和金属络合物B，在用该溶液旋转涂布一透明基层后，干燥以制备涂布染料的光盘。

(2)使用紫外线/可见光分光光度计测量(1)中制得的涂布染料的光盘在300nm至900nm波长内的吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₀。

(3)将(1)中制得的涂布染料的光盘置于耐光性测试机下用250W/m²的氙气灯照射8小时，在与(2)中相同的条件下测量吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₁。

(4)计算{(I₁/I₀)×100}并将其作为耐光性x。

[0060]

以下具体描述(1)-(4)中的操作。

(1)的操作

对有机溶剂没有特别限定，除非当它含有有机染料化合物A和金属络合物B时将两者溶解到分光光度计能够检测到其吸收的程度，以及除非它溶解基层材料。这样的溶剂的例子包括醇溶剂。更具体的例子包括四氟丙醇，八氟戊醇等。本发明的实施方式使用的是四氟丙醇。在有机溶剂中含有上述化合物，优选用超声分散器将固相物质(有机染料化合物A和金属络合物B)尽可能溶解于上述有机溶剂(下文中称溶液)中。上述固相物质尽可能被过滤移除。这是因为当有固相物质存在于膜中时，它们可能作为晶核引起膜结晶。

[0061]

然后将含有有机染料化合物A和金属络合物B(有机染料化合物A和金属络合物B的总量在本发明的实施方式中是溶液重量的0.6wt％)的溶液涂布在基层上。充分考虑有机染料化合物A和金属络合物B的可溶性来确定溶液的浓度。

[0062]

基层可以是任何对可见光透明的基层。基层的例子包括玻璃基层和树脂基层，优选使用树脂基层，因为它能在与上述溶液的表面张力具有良好平衡的状态下形成良好的膜。更优选使用实际用于CD和DVD的聚碳酸酯基层。当使用聚碳酸酯基层时，优选使用例如厚度为0.6mm或1.2mm的基层。

[0063]

对基层的涂布没有特别限定，可提及的是广泛用于涂布光记录介质的记录层的旋涂法。作为用于旋涂的具体方法，可提及的方法包括：以800rpm转速旋转厚度为0.6mm、直径为120mm的圆盘状聚碳酸酯基层的中心或中心附近滴加含有有机染料化合物A和金属络合物B的溶液。此时对溶液的浓度，旋涂的转速没有特别限定，只要能够检测吸收即可，但最大吸收处的吸收率优选不小于0.1，进一步优选不小于0.2，更进一步优选不小于0.3。其上限约为1.0。上述浓度和转速优选设置在特定条件内，以使膜厚适合于记录和读取。

在涂布后，将涂布膜干燥以从其上除去有机溶剂。对干燥温度没有特别限定，只要能够使有机溶剂蒸发即可，并优选在60℃到100℃的范围内。

[0064]

(2)的操作

用紫外线/可见光分光光度计测量(1)中制得的涂布染料的光盘在300nm到900nm范围内的吸收光谱。紫外线/可见光分光光度计可使用已知的设备。例如，可使用日立制作所有限公司的U-3300。在300nm到900nm的吸收光谱中确定从340nm至440nm的波长范围内显示出最大吸收率的波长(最大吸收波长)处的吸收率I₀。

[0065]

(3)的操作

将(1)中获得的涂布染料的光盘在250W/m²的氙气灯下照射8小时。氙气灯的照射可以使用例如耐光性测试机进行。然后，如上述(2)中所述，使用紫外线/可见光分光光度计测量涂布染料的光盘在300nm到900nm范围内的吸收光谱，确定从340nm至440nm波长范围内显示最大吸收率的波长处的吸收率I₁。

[0066]

(4)的操作

使用在上述(2)和(3)中获得的I₀和I₁计算(I₀/I₁)×100，从而确定耐光性x。

当有机染料化合物A本身的耐光性x或金属络合物B本身的耐光性x被确定时，可单独使用要求确定其耐光性x的有机染料化合物A或金属络合物B来替代上述有机染料化合物A和金属络合物B的组合。

[0067]

用于本发明的实施方式的金属络合物B的例子包括偶氮金属络合物或吲哚苯胺金属络合物。从光记录材料的应用角度考虑，这些偶氮金属络合物或吲哚苯胺金属络合物优选不溶于水。在下文中描述了偶氮金属络合物或吲哚苯胺金属络合物的具体例子。

[0068]

用于本发明的实施方式的金属络合物B包括：含有由通式(I)表示的偶氮染料和金属离子的偶氮金属络合物，和含有由通式(II)表示的化合物、金属离子和任意阴离子的金属络合物。金属络合物不局限于同一种类，也可使用多种类型的金属络合物。

[0069]

[化合物6]

[0070]

金属络合物是通过螯合键合由通式(I)表示的化合物和金属形成的。由通式(I)表示的偶氮化合物的分子量通常不大于2000，并优选不大于1500。

[0071]

对构成用于本发明的实施方式中的金属络合物B的金属没有特别限定，可以是过渡元素或特征元素，对其氧化值没有特别限定，只要它们具有与通式(I)形成配位的能力。络合物中金属对偶氮化合物的比例没有特别限定，但优选偶氮化合物对过渡金属的配位比为2到1的结构。具有二价或三价离子的过渡金属对稳定络合物结构有利。具体说优选自镍，钴，铜，铁，锌，铂，钯和锰。

[0072]

在由通式(I)表示的化合物中，环A表示与碳原子和氮原子(环A与其相连)形成的含氮芳杂环。芳环的结构可以是单环或稠环，只要它在可能配位的地方具有氮原子，其例子包括下面列举的芳环。

[0073]

[化合物7]

[0074]

这里，D₁至D₉是氢原子、可替代烷基或酰基中任一种。此外，芳环可以有除氢原子之外的任意取代基，且取代基数量和位置没有特别限定。其中，作为环A的结构优选5元或6元单环和2-稠环，从易于合成和可溶性考虑，首选苯并噻唑环，苯并恶唑环，苯并咪唑环，咪唑环，噻唑环，噻二唑环，三唑环，恶唑环，吡啶环，吡唑环，异恶唑环。由通式(I)表示的偶氮化合物和金属形成螯合键的键合包括各种构型，例如下面的a和a′，b和b′。这里，M表示中心金属。

[0075]

[化合物8]

[0076]

下面描述通式(I)中的R₁至R₅。

通式(I)中，R₁和R₂每个独立地为氢原子，直链或支链烷基如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基，环烷基如环丙基、环戊基、环己基，芳烷基如苯甲基、苯乙基，烯基如乙烯基、丙烯基和己烯基。

[0077]

如果由R₁和R₂表示的结构在烷基链部分中具有增加的碳原子数或具有下述稠环结构，λmax通常移向更长波长，但是碳原子数量过大对波长的影响并不显著，相反，有可能导致每克吸收强度减小且产物不固化的问题。

[0078]

因此，R₁和R₂优选是具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有7～20个碳原子的芳烷基(其芳环部分可以有任意取代基)，并尤其优选具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有3～8个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基。

[0079]

此外，R₁和R₂中的一个或两个都可以与相邻苯环的R₃或R₅键合并可以形成饱和碳环(稠环)，R₃和R₅每个独立地具有杂原子如氧原子，硫原子，氮原子，并可以在端部与R₁，R₂缩合形成饱和杂环(稠环)。此外，R₁和R₂可以相互连接形成饱和杂环(稠环)。它们可以形成包括除碳原子以外的一个或更多其他杂原子的饱和杂环(稠环)。所形成的环(稠环)优选为5元至7元环，且这里更优选为5元或6元环。此外，由R₁和R₂连接形成的环(稠环)和由R₁、R₂连接到苯环上而形成的环上可键合有取代基。

[0080]

这里，那些其中(-NR₁R₂)为环结构的例子包括以下。

[0081]

[化合物9]

[0082]

这里，D₁₀至D₁₂是氢原子、可替代烷基或酰基中任一种。此外，芳环可以有任意取代基，且取代基数量和位置没有特别限定，只要其不超出本发明的要旨的范围。

[0083]

R₃，R₄和R₅为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基如甲基，乙基，丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，叔丁基和正庚基；具有3～12个碳原子的环烷基如环丙基，环戊基，环己基和三环癸基；具有2～12个碳原子的直链或支链烯基如乙烯基，丙烯基和己烯基；具有7～18个碳原子的芳烷基如苯甲基，苯乙基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基如甲氧基，乙氧基，正丙氧基，异丙氧基，正丁氧基，仲丁氧基，叔丁氧基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基如甲硫基，乙硫基，正丙硫基，正丁硫基，仲丁硫基，叔丁硫基；单环的饱和杂环基如4-哌啶基，吗啉代基；卤素原子如氟原子，氯原子，溴原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；醛基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SOR₄₄表示的亚硫酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0084]

这里，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆为氢原子、烃基或杂环基中任一种。

[0085]

由R₃₄至R₄₈表示的烃基为具有1～18个碳原子的直链或支链烷基如甲基，乙基，丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，叔丁基和正庚基；具有3～18个碳原子的环烷基如环丙基，环戊基，环己基和三环癸基；具有2～18个碳原子的直链或支链烯基如乙烯基，丙烯基和己烯基；具有3～18个碳原子的环烯基如环戊烯基和环己烯基；具有7～20个碳原子的芳烷基如苯甲基，苯乙基；具有6～18个碳原子的芳基如苯基，甲苯基，二甲苯基，2，4，6-三甲苯基；这些基团的烷基链部分和芳基部分可以进一步用烷基链部分可具有的下述取代基所取代。

[0086]

此外，由R₃₄至R₄₈表示的杂环基可以是饱和杂环如4-哌啶，吗啉代基，2-吗啉基，哌嗪基，或芳杂环如2-呋喃基，2-吡啶基，2-噻唑基，2-喹啉基。它们可能包含多个杂原子，并进一步可包含取代基，且键合位置没有限制。优选作为杂环的结构是5元或6元的饱和杂环，5元或6元的单环及其2-稠环的芳杂环。

[0087]

由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基和由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基的具体例子包括如下。

[0088]

酰基(-COR₃₄)包括以下结构的取代基。

[0089]

[化合物10]

[0090]

氨基(-NR₃₅R₃₆)包括以下结构的取代基。

[0091]

[化合物11]

[0092]

酰胺基(-NHCOR₃₇)包括以下结构的取代基。

[0093]

[化合物12]

[0094]

氨基甲酸酯(-NHCOOR₃₈)包括以下结构的取代基。

[0095]

[化合物13]

[0096]

羧酸酯基(-COOR₃₉)包括以下结构的取代基。

[0097]

[化合物14]

[0098]

酰氧基(-OCOR₄₀)包括以下结构的取代基。

[0099]

[化合物15]

[0100]

氨基甲酰基(-CONR₄₁R₄₂)包括以下结构的取代基。

[0101]

[化合物16]

[0102]

磺酰基(-SO₂R₄₃)包括以下结构的取代基。

[0103]

[化合物17]

[0104]

亚硫酰基(-SOR₄₄)包括以下结构的取代基。

[0105]

[化合物18]

[0106]

氨磺酰基(-SO₂NR₄₅R₄₆)包括以下结构的取代基。

[0107]

[化合物19]

[0108]

磺酸酯基(-SO₃R₄₇)包括以下结构的取代基。

[0109]

[化合物20]

[0110]

磺胺基(-NHSO₂R₄₈)包括以下结构的取代基。

[0111]

[化合物21]

[0112]

优选作为R₃，R₄和R₅的是氢原了或具有1～8个碳原子的直链或支链烷基；具有7～12个碳原子的芳烷基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基；5元或6元单环的饱和杂环基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0113]

在通式(I)中，XL表示当剔除离去基团L时成为具有与金属配位能力的取代基。具体地说，由XL表示的取代基包括羟基(-O^-；X，H⁺，L)，磺酸基(-SO₃H^-；X，H⁺；L)，氨基(-N-H；X，H⁺；L)，酰胺基(-N-COR₃₇，H⁺；L)，磺胺基(-N-SO₂R₄₈，H⁺；L)，氢硫基(-S^-；X，H⁺；L)，羧基(-COO^-；X，H⁺；L)。

[0114]

由通式(I)表示的偶氮化合物的优选结构由以下(1)-(48-2)表示。

[0115]

[化合物22]

[0116]

[化合物23]

[0117]

[化合物24]

[0118]

[化合物25]

[0119]

[化合物26]

[0120]

[化合物27]

[0121]

对于本发明的实施方式所使用的光记录材料中的金属络合物B，可以使用通过连接由通式(II)所表示的化合物、金属离子和任意阴离子而形成的吲哚苯胺金属络合物。由通式(II)表示的化合物的分子量取决于配位体和金属的配位结构，其通常不大于4500，且优选不大于3000。

[0122]

[化合物28]

[0123]

在由通式(II)表示的化合物中，R₆和R₇为氢原子，直链或支链烷基，环烷基，芳烷基，直链或支链烯基。

由R₆和R₇表示的结构优选是具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有7～20个碳原子的芳烷基(其芳环部分可以有任意取代基)，并尤其优选具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有3～8个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，其原因与上述R₁和R₂类似。

[0124]

此外，R₆和R₇中的一个或两个都可以与相邻苯环的R₈或R₁₀缩合并可以形成饱和碳环(稠环)，R₈和R₁₀每个独立地具有杂原子如氧原子，硫原子，氮原子，并可以在端部与R₆，R₇缩合形成饱和杂环(稠环)。此外，R₆和R₇可以相互缩合形成饱和杂环(稠环)。R₆和R₇在这里还可以形成包括除碳原子以外的一个或更多个其他杂原子的饱和杂环。所形成的环优选为5元至7元环，且更优选为5元或6元环。此外，由R₆和R₇连接形成的环上和由R₆、R₇连接到苯环上而形成的环上可键合有取代基。

[0125]

这种结构的例子可以使用例如上述(-NR₁R₂)是环状结构的类似结构。

[0126]

在通式(II)中，R₈至R₁₆为氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基；具有3～12个碳原子的环烷基；具有2～12个碳原子的直链或支链烯基；具有7～18个碳原子的芳烷基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基；单环的饱和杂环基；具有6至18个碳原子的芳基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；醛基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SOR₄₄表示的亚硫酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基(这里，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基中任一种)。

[0127]

R₈至R₁₆优选为具有1～12个碳原子的直链或支链烷基；具有7～18个碳原子的芳烷基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基；具有6～18个碳原子的芳基；单环或2-稠环的饱和或不饱和杂环基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0128]

对构成用于本发明的实施方式中的金属络合物B的金属没有特别限定，可以是过渡元素或特征元素，对其氧化值没有特别限定，只要它们具有与通式(II)形成配位的能力。络合物中金属对偶氮化合物的比例没有特别限定，但优选偶氮化合物对过渡金属的配位比为2到1的结构。具有二价或三价离子的过渡金属对稳定络合物结构有利。具体说，优选自镍，钴，铜，铁，锌，铂，钯和锰。

[0129]

至于与具有上述金属离子的吲哚苯胺化合物形成络合物的阴离子，可使用任意的阴离子，只要整个络合物的电荷保持中性。其例子包括那些具有一价电荷的如卤素原子，硝酸根离子，氯酸根离子，高氯酸根离子。此外，这些阴离子包括那些具有二价电荷的如草酸根离子，硫酸根离子，碳酸根离子。这些阴离子可以具有更高电荷。此外，配位数可以是单齿配位体，或具有多个配位原子如二齿配位体、三齿配位体的多齿配位体。该阴离子优选为一价单齿配位体。当该阴离子是一价的单齿配位体时更可取，因为它容易合成单组分化合物。由于化合价是一价，因此比较地容易被合成，从而更可取。此外，该阴离子可以作为配位体直接配位至金属原子或作为离子以分离形成存在。

[0130]

这些配位体的例子包括以下。

[0131]

[化合物29]

F^- Cl^- Br^- I^- OH^- CN^- SCN^- OCN^-

(NO₂)^- (NO₃)^- (CO₃)^2- (HCO₃)^- (SO₃)^2- (SO₄)^2-

(ClO)^- (ClO₂)^- (ClO₃)^- (ClO₄)^- (PF₆)^- (PCl₆)^-

(BrO)^- (BrO₂)^- (BrO₃)^- (BrO₄)^- (PO₄)^3- I₃ ^-

(IO)^- (IO₂)^- (IO₃)^- (IO₄)^- (NH₂)^- (BF₄)^-

B^-(Ph)₄ CH₃SO₄ ^- (SiF₆)^2- (TiF₆)^2- (HSO₄)^-

[0132]

由通式(II)表示的化合物、金属离子和阴离子之间的比例没有特别限定，可根据金属离子的电荷、金属络合物的配位结构而变化。但是优选结构中由通式(II)表示的化合物与金属离子以2或3比1的比例配位。这种结构的化合物容易形成如下所示的络合物。下面的结构式中，M表示金属离子，X表示阴离子。

[0133]

[化合物30]

M²⁺4配位

M²⁺4配位

M²⁺6配位

M²⁺6配位

M³⁺6配位

[0134]

由上述这些配位中，金属络合物优选以如下方式形成，由通式(II)表示的同一类型化合物和阴离子配位至金属离子，还优选的是，由通式(II)表示的多个类型化合物和阴离子配位至金属离子，同时还优选由通式(II)表示的多个类型化合物和阴离子配位至金属离子。由通式(II)表示的化合物的优选结构如下所示。

[0135]

[化合物31]

[0136]

[化合物32]

[0137]

[化合物33]

[0138]

然后描述本发明的实施方式的光记录材料中的有机染料化合物A。对于本发明的实施方式所采用的光记录材料中的有机染料化合物A，可使用最大吸收在340nm至440nm范围且能使用所谓的蓝色激光记录的任何已知化合物。通常，能使用蓝色激光记录的有机染料化合物A在使用上述测试方法单独用所述有机染料化合物A测试时其耐光性x小于30％。这样的有机染料化合物A没有特别限定，但首先包括γ-吡喃酮有机染料，邻吡喃酮有机染料，喹诺酮有机染料，1-硫代香豆素有机染料。

[0139]

γ-吡喃酮有机染料，邻吡喃酮有机染料，喹诺酮有机染料，1-硫代香豆素酮的分子量没有特别限定，但就吡喃酮有机染料而言，该分子量通常不大于900，优选不大于600。就邻吡喃酮有机染料或喹诺酮有机染料而言，该分子量通常不大于700，优选不大于500。如果该分子量太大，尤其是对吸收没有贡献的那部分的OD值减小，记录所必须的吸收难以保证，因此不可取。

[0140]

更具体地说，优选使用选自由上述通式(III)、(IV)和(V)表示的化合物。

[0141]

[化合物34]

[0142]

[化合物35]

[0143]

[化合物36]

[0144]

以下，首先描述通式(III)或通式(IV)。这里，通式(III)或(IV)中的R₁₇′至R₂₀′包括那些类似于R₁₇至R₂₀的化合物。

[0145]

在通式(III)或通式(IV)中，R₁₇至R₂₀每个独立地为氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基；具有3～12个碳原子的环烷基；具有2～12个碳原子的直链或支链烯基；具有7～18个碳原子的芳烷基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基；饱和或不饱和杂环基；具有6至18个碳原子的芳基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；醛基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SOR₄₄表示的亚硫酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0146]

然而，R₁₇和R₁₈，R₁₉和R₂₀，R₁₇′和R₁₈′，R₁₉′和R₂₀′可以互相缩合形成烃环或杂环结构。该烃环和杂环可以有取代基。X₁是吸电子基团，X₂是氢原子或-Q-Y(Q是直接键，具有1或2个碳原子的亚烷基，亚芳基或异亚芳基，Y是吸电子基团，且所述亚烷基，亚芳基，异亚芳基可以具有除Y以外的任意取代基)。环C是碳环形的酮环或杂环形的酮环，其可以有与C＝O一起的取代基。Z和Z′每个表示-O-，-S-，-SO₂-，-NR₂₁-(其中R₂₁是氢原子，可取代烃基，可取代杂环基，氰基，羟基)，由-NR₂₂R₂₃表示的氨基(其中R₂₂和R₂₃每个独立地为氢原子，烃基或杂环基)，或由-COR₂₄(R₂₄是烃基或杂环基)由-COR₂₅(R₂₅是烃基或杂环基)表示的酰基。

[0147]

以上取代基中，优选作为R₁₇至R₂₀的是具有1～8个碳原子的直链或支链烷基；具有3～8个碳原子的环烷基；具有2～8个碳原子的直链或支链烯基；具有7～12个碳原子的芳烷基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基；单环或2-稠坏的饱和或不饱和杂环基；具有6～12个碳原子的芳基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0148]

当R₁₇和R₁₈，R₁₉和R₂₀，R₁₇′和R₁₈′，R₁₉′和R₂₀′分别互相缩合形成烃环或杂环结构结构时，稠环结构优选下述稠环结构。

[0149]

[化合物37]

[0150]

(在上述稠环结构中，D₁₃至D₁₅是氢原子、可替代烷基或酰基中任一种。此外，芳环可以有任意取代基，且取代基数量和位置没有特别限定，只要其不超出本发明的要旨的范围。)此外，这些稠环可以用上述被取代或未被取代的烷基取代。该烷基可具有的取代基的例子包括，例如，那些类似于下述R₁₇至R₂₀的烷基链部分所具有的取代基。

[0151]

在有机染料化合物A的通式(III)或通式(IV)中，X₁和X₂中的吸电子基团Y通常包括那些在哈米特(Hammett)定律中西格马常数σ(σm和σp，尤其是σp)为正值的吸电子基团。其例子包括氰基，硝基，亚硝基，卤素原子，羧基，醛基，酰基，羧酸酯官能团，氨基甲酰基，三烷基氨基，卤代烷基如三氟甲基，磺酸根基，磺酸酯基，磺酰基，氨磺酰基，亚硫酰基。该酰基，羧酸酯基，氨基甲酰基，三烷基氨基，卤代烷基如三氟甲基，磺酸根基，磺酸酯基，磺酰基，氨磺酰基，亚硫酰基包括类似于上述的基团。

[0152]

在有机染料化合物A的通式(III)或通式(IV)中，连接基Q表示直接键(X₂成为-Y)，具有1或2个碳原子的亚烷基，亚芳基和异亚芳基。这里，Y是吸电子基团，且该亚烷基、亚芳基、异亚芳基可以有除Y以外的任意取代基。当Q是亚烷基时，碳原子可以有下述R₁至R₄₈当它们是除氢原子以外的烷基链或在其中还被支化的烷基链时可以有的取代基。当Q是6元亚芳基，异亚芳基时，吸电子基团Y优选位于结合位的邻位或对位，当它是5元异亚芳基时，该结合位和吸电子基团优选分别位于位2和位4处。此外，可以由两个或更多个Y基团结合到这些连接基上。此外，在除了键合Y的位置的其它位置上可以有取代基。这些连接基和吸电子基团的优选连接方式列举如下。

[0153]

[化合物38]

[0154]

(在上述例子中，G₁至G₆为具有1～4个碳原子的任意取代基或可被取代的烷基链，X₁和Y为吸电子基团。X₁优选包括氰基，硝基，酰基，羧酸酯基，氨基甲酰基，卤代烷基，磺酰基，氨磺酰基，亚硫酰基。此外，Y优选包括氰基，硝基，酰基，羧酸酯基，氨基甲酰基，卤代烷基，磺酰基，氨磺酰基，亚硫酰基。此外，串连的Q基团优选包括亚芳基，异亚芳基。)

[0155]

在有机染料化合物A的通式(III)或通式(IV)，环C表示碳环形的酮结构或杂环形的酮结构，其可以有与＞C＝O一起的取代基。碳环形的酮和杂环形的酮是指化合物中不饱和环或芳环中的-CH₂-或＝CH-被＞C＝O取代。此外，在用虚线表示的环C的环结构部分中可以有多个＞C＝O，＞C＝S或＞C＝NH。由环C形成的碳环形的酮结构和杂环形的酮结构可以是不饱和的或饱和的，环的数目也没有特别限制。杂环中杂原子的数目也没有特别限制。此外，在环或构成环的-NH-中的烃基部分的氢原子可以被任意取代基取代。作为取代基，尤其优选烷基和芳基。

[0156]

至于碳环形的酮结构和杂环形的酮结构，部分环可以与另外的环缩合形成稠环结构。缩合成环酮结构的环结构可以是烃环或杂环，但优选是苯环或者是5元或6元杂环。环酮的结构列举如下。

[0157]

[化合物39]

[0158]

有环C形成的碳环形的酮结构和杂环形的酮结构的例子优选5元或6元饱和烃环或5元或6元饱和或不饱和杂环。

[0159]

在有机染料化合物A的通式(III)或通式(IV)中，Z的-NR₂₁-的R₂₁中的烃基为具有1～18个碳原子的直链或支链烷基如甲基，乙基，丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，叔丁基和正庚基；具有3～18个碳原子的环烷基如环丙基，环戊基，环己基和三环癸基；具有2～18个碳原子的直链或支链烯基如乙烯基，丙烯基和己烯基；具有3～18个碳原子的环烯基如环戊烯基和环己烯基；具有7～20个碳原子的芳烷基如苯甲基，苯乙基；具有6～18个碳原子的芳基如苯基，甲苯基，二甲苯基，2，4，6-三甲苯基；这些基团的烷基链部分和芳基部分当成为烷基链时是可以进一步用下述R₁至R₄₈可具有的取代基所取代。

[0160]

由R₂₁表示的杂环基可以是饱和杂环如4-哌啶基，吗啉代基，2-吗啉基，哌嗪基，或芳杂环如2-呋喃基，2-吡啶基，2-噻唑基，2-喹啉基。这些可能包括多个杂原子，或可以进一步包括取代基，且对键合位置也没有限制。作为杂环的结构优选5元或6元饱和杂环，其二环稠合的芳杂环的5元或6元单环。这些基团当成为烷基链时可以进一步用下述R₁至R₄₈可具有的取代基所取代。

[0161]

当R₂₁具有烷基链作为可被取代的烃基时，它可以键合到R₁₈或R₂₀，R₁₈′或R₂₀′上以形成饱和或不饱和烃环结构或者形成饱和或不饱和杂环结构。环状结构的环的数目没有特别限定，但对于烃环和杂环都优选是5元到6元环。这些优选的稠环结构如下所示。

[0162]

[化合物40]

[0163]

-NR₂₂R₂₃中的R₂₂和R₂₃包括类似于为R₂₁所列举的烃基和杂环基的基团。-COR₂₄中的R₂₄包括类似于为R₂₁所列举的烃基和杂环基的基团。-COR₂₅中的R₂₅为烃基或杂环基中任一种基团，并包括类似于为R₂₁所列举的烃基和杂环基的基团。-NR₂₁-的优选例子包括如下。

[0164]

[化合物41]

[0165]

[化合物42]

[0166]

由有机染料化合物A的通式(III)或通式(IV)所表示的化合物的例子优选包括以下(A(1)-A(103))。Et表示乙基，Bu表示丁基，Ph表示苯基。

[0167]

[化合物43]

[0168]

[化合物44]

[0169]

[化合物45]

[0170]

[化合物46]

[0171]

[化合物47]

[0172]

[化合物48]

[0173]

[化合物49]

[0174]

[化合物50]

[0175]

[化合物51]

[0176]

[化合物52]

[0177]

[化合物53]

[0178]

其次，在本发明的实施方式采用的光记录材料中的有机染料化合物A优选使用由上述通式(V)表示的化合物。

在通式(V)中，X表示氧原子，硫原子或-N-R₃₃。R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉，R₃₀每个独立地为氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基；具有3～12个碳原子的环烷基；具有2～12个碳原子的直链或支链烯基；具有7～18个碳原子的芳烷基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基；具有6至18个碳原子的芳基；饱和或不饱和杂环基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；醛基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基；由-SO₂R₄₃表示的磺酰基；由-SOR₄₄表示的亚硫酰基；由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基；由-NHSO₂R₄₇表示的磺胺基。

[0179]

R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为氢原子，直链或支链烷基，环烷基，芳烷基，直链或支链烯基，酰基。此外，R₂₆至R₃₃中两个相邻基团可以相互键合形成饱和烃环或饱和杂环(这里，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基)。

[0180]

上述基团中，R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉，R₃₀优选是氢原子，具有1～8个碳原子的直链或支链烷基；具有3～8个碳原子的环烷基；具有7～12个碳原子的芳烷基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基；具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基；具有6～12个碳原子的芳基；单环或2-稠环的饱和或不饱和杂环基；卤素原子；硝基；氰基；氢硫基；羟基；醛基；由-COR₃₄表示的酰基；由-NR₃₅R₃₆表示的氨基；由-NHCOR₃₇表示的酰胺基；由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基；由-COOR₃₉表示的羧酸酯基；由-OCOR₄₀表示的酰氧基；由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基和由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

[0181]

这些取代基是有利的，因为它们能够提高涂料溶剂的可溶性(尤其是那些具有烷基部分的)，并能够将最大吸收波长(λmax)移向更长波长处(尤其是芳基，不饱和杂环，吸电子基团如卤代烷基或氰基)，尤其优选在R₂₆和R₂₇中具有这些的基团。

[0182]

R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为氢原子，可取代直链或支链烷基，可取代环烷基，可取代芳烷基，可取代直链或支链烯基，或酰基。

R₃₁，R₃₂，R₃₃优选是氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基和具有7～18个碳原子的芳烷基。

[0183]

由于通过增强氨基的供电子性质(尤其在R₃₁和R₃₂中)，使最大吸收波长(λmax)移向更长波长侧，从而能增加对蓝色激光的吸收。从这方面考虑，R₃₁和R₃₂特别优选为未被取代的直链或支链烷基或环烷基。然而，碳原子数目过多对波长并没有显著作用，相反可能导致吸收强度减小和产物不能固化的问题，因此R₃₁和R₃₂的碳原子数目优选为1～8。

[0184]

此外，R₂₆至R₃₃中任意相邻的两个可以键合形成为饱和烃环，R₂₆至R₃₀每个独立地为杂原子如氧原子，硫原子，氮原子，并可以在其端部形成缩合的饱和杂环。

优选作为上述稠环结构的是缩合有R₂₉和R₃₁或R₃₀和R₃₂的5元至7元环状结构。具有氨基结构的R₃₁和R₃₂可通过与相邻的取代基形成缩合结构而进一步将λmax移向更长波长侧，并且所述的具有氨基结构的R₃₁和R₃₂在提高溶解性方面是优越的，而溶解性的提高也是所期望的。此外，这些键合而成的环可以进一步具有取代基。环结构的具体例子包括如下所示的结构。

[0185]

[化合物54]

[0186]

其中D为类似于R₃₁和R₃₂的取代基。

[0187]

由通式(V)表示的优选化合物的具体例子包括如下。

[0188]

[化合物55]

[0189]

[化合物56]

[0190]

[化合物57]

[0191]

[化合物58]

[0192]

[化合物59]

[0193]

[化合物60]

[0194]

[化合物61]

[0195]

当上述R₁至R₄₈是直链或支链烷基，环烷基，直链或支链烯基，环烯基，芳烷基，直链或支链烷氧基，直链或支链烷硫基时，如有必要，这些基团的烷基链部分可以有取代基。然而，此时的取代基或“可被取代”或“可以有取代基”中的取代基不包括水溶性基团如磺酸根基，羧基和羟基。

[0196]

取代基的例子包括以下。具有1～10个碳原子的烷氧基如甲氧基，乙氧基，正丙氧基，异丙氧基，正丁氧基，仲丁氧基，叔丁氧基；具有2～12个碳原子的烷氧烷氧基如甲氧甲氧基，乙氧甲氧基，丙氧甲氧基，乙氧乙氧基，丙氧乙氧基，甲氧丁氧基；具有3～15个碳原子的烷氧烷氧烷氧基如甲氧甲氧甲氧基，甲氧甲氧乙氧基，甲氧乙氧甲氧基，甲氧甲氧乙氧基，乙氧乙氧甲氧基；具有6～12个碳原子的芳氧基如苯氧基，甲苯氧基，二甲苯氧基，萘氧基；具有2～12个碳原子的链烯氧基如烯丙氧基，乙烯氧基。

[0197]

此外，其它取代基包括杂环基如2-噻吩基，2-吡啶基，4-哌啶基，吗啉代基；氰基；硝基；羟基；氢硫基；烷硫基如甲硫基，乙硫基；氨基；具有1～10个碳原子的烷氨基如N，N-二甲氨基，N，N-二乙基氨基；具有1～6个碳原子的烷磺酰氨基如甲磺酰氨基，乙磺酰氨基，正丙磺酰氨基；卤素原子如氟原子，氯原子，溴原子；烷羰基如甲羰基，乙羰基，异丙羰基；具有2～7个碳原子的烷氧羰基如甲氧羰基，乙氧羰基，正丙氧羰基，异丙氧羰基，正丁氧羰基；具有2～7个碳原子的烷羰氧基如甲羰氧基，乙羰氧基，正丙羰氧基，异丙羰氧基，正丁羰氧基；具有2～7个碳原子的烷氧羰氧基如甲氧羰氧基，乙氧羰氧基，正丙氧羰氧基，异丙氧羰氧基，正丁氧羰氧基；对这些取代基的位置没有特别限定，取代基的数量可容许在1～4之间。当存在多个取代基时，它们也可以是不同种类。

[0198]

(光记录介质)

下面描述光记录介质。

本发明的实施方式的光记录介质至少包含基层和记录层，该记录层含有在氯仿或甲醇溶液中的最大吸收波长不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和在氯仿或甲醇溶液中的最大吸收波长不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B。如有必要，还可设置底层，反射层，和/或保护层。

[0199]

图1所示是本发明的实施方式所采用的光记录介质。图1(a)是第一实施方式，图1(b)是第二实施方式。图1(a)中的光记录介质10包含：含有光学透明材料的基层1，设置在基层1上的记录层2，顺序形成在记录层2上的反射层3和保护层4。信息的记录和读取是通过从基层1侧照射的激光束在光记录介质10内进行的。

为了方便描述，将保护层4所在侧称为光记录介质10的上侧，基层1所在侧称为光记录介质10的下侧，将每个层与上述这些方向对应的每个表面分别称为每个层的上表面和下表面。

[0200]

至于基层1，可使用各种材料，只要它在记录光和读取光的波长下基本上是透明的材料。具体的例子包括树脂如丙烯酸酯树脂，甲基丙烯酸酯树脂，聚碳酸酯树酯，聚烯烃树脂(尤其是非晶态聚烯烃)，聚酯树脂，聚苯乙烯树脂，环氧树脂树脂，以及玻璃。此外，还包括在玻璃上设置有包含可辐射固化树脂如可光固化树脂的树脂层的结构。从高产率、低成本、耐湿性考虑，首先优选用于注射成型的聚碳酸酯树酯，从耐化学性和耐湿性考虑则优选非晶态聚烯烃。此外，从快速响应考虑优选玻璃。

[0201]

当使用树脂制成的基层1或使用其中树脂层设置在与记录层相接触的一侧(上侧)的基层1时，可以在上表面形成记录光和读取光所需的导槽或凹坑。导槽的几何形态包括以光记录介质10的中心为基准点的同心圆或螺旋形。当形成螺旋形导槽时，槽距优选为约0.2μm～1.2μm。

[0202]

记录层2直接形成在基层1的上侧上或在按要求设置在基层1上侧的底层等上，其包含在氯仿或甲醇溶液中的最大吸收波长(λmax)不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和在氯仿或甲醇溶液中的最大吸收波长(λmax)不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B。对于所包含的上述有机染料化合物A和金属络合物B要使得记录层2中的有机染料化合物A的含量大于金属络合物B的含量，且使用以下测试方法测得的耐光性x不小于30％。

[0203]

金属络合物B的分解起始温度优选不大于有机染料化合物A的分解起始温度。金属络合物B的分解温度比有机染料化合物A的分解温度低，这就能够整体上降低记录层2的分解温度并改善记录层2的记录灵敏度。

金属络合物B和有机染料化合物A之间的分解温度差优选不小于5℃，更优选不小于10℃，且优选不大于50℃，更优选不大于40℃。

[0204]

本发明的实施方式中的分解起始温度是将3mg到4mg的染料放入铝锅中，在空气或氮气流中以10℃/min的升温速率，使用差热平衡法测量从30℃至600℃的TG-DTA来确定的。将失重过程(其中失重不小于10％)中失重线的切线在失重前后的交点作为失重过程的分解起始温度。

[0205]

记录层2的膜形成方法包括各种常用的薄膜形成方法如真空淀积法，溅射法，刮涂法，浇铸法，旋涂法，浸渍法。从大规模生产和成本考虑，优选旋涂法，从设置均匀厚度的记录层2的角度考虑，真空淀积法比涂覆法更好。就旋涂法成膜而言，转速优选为500rpm至15000rpm。在旋涂后可以任选地进行一些处理如加热或与溶剂蒸汽接触。

[0206]

当记录层2是用涂覆法如刮涂法，浇铸法，旋涂法，浸渍法形成时，对用来溶解将被涂覆到基层1上的有机染料化合物A和金属络合物B的涂布溶剂没有特别限定，只要它不腐蚀基层1，并能够充分溶解有机染料化合物A和金属络合物B以使制备的溶液的浓度达到其吸收能被分光光度计检测到的程度。其具体的例子包括：酮醇溶剂如双丙酮乙醇，3-羟基-3-甲基-2-丁酮；溶纤剂溶剂如甲基溶纤剂，乙基溶纤剂；链式碳氢化合物溶剂如正己烷，正辛烷；环烃溶剂如环己烷，甲基环己烷，乙基环己烷，二甲基环己烷，正丁基环己烷，叔丁基环己烷，环辛烷；全氟烃基醇溶剂如四氟丙醇，八氟戊醇，六氟丁醇；羟基羧酸酯系溶剂如乳酸甲酯，乳酸乙酯和2-羟基异丁酸甲酯。

[0207]

当使用真空淀积法时，例如，记录层的组分如其他染料或各种添加剂按要求放入置于真空容器中的坩埚内，在真空容器被真空泵抽至约10^-2Pa～10^-5Pa后，加热该坩埚使记录层的组分汽化，从而使所述组分沉积到基层背对坩埚的一面上并形成记录层2。

[0208]

记录层2中可包含过渡金属螯合物(如，乙酰丙酮螯合物，联苯二硫醇，水杨醛肟，双二硫代-α-二酮)作为单氧光猝灭剂以改善稳定性和耐光性，并可包含记录灵敏度改进剂如金属化合物以改善记录灵敏度。这里，金属化合物是指其中金属如过渡金属以原子、离子、簇的形式包含在化合物中，所述金属化合物包括有机金属化合物，例如，乙二胺络合物，甲亚胺络合物，苯胲络合物，菲咯啉络合物，二羟偶氮苯络合物，二肟络合物，亚硝基氨酚络合物，吡啶三嗪络合物，乙酰丙酮络合物，茂金属络合物，卟啉络合物。对金属原子没有特别限定，但优选过渡金属。这里所列的过渡金属螯合物和金属化合物在氯仿或甲醇溶液中在波长不小于500nm且不大于900nm范围内不具有最大吸收波长。

[0209]

可根据需要在记录层2中组合使用两种或更多种有机染料化合物A。此时，这两种或更多种的全部(总和)被认为是有机染料化合物A。此外，除有机染料化合物A以外，可通过在记录层2中组合使用金属络合物来制造适合于用两种或更多种属于不同波长范围的激光束进行记录和读取的光记录介质10。

[0210]

如有必要，在本发明的实施方式的金属络合物之外，除有机染料化合物A之外其它种类的染料包括二苯甲酮染料，酞菁染料，萘菁染料，花青染料，偶氮化合物，斯夸琳(squarylium)染料，三芳基甲烷系染料，部花青染料，甘菊(azulenium)染料，萘醌(naphthoquinone)染料，蒽醌(anthraquinone)染料，吲哚酚(indophenol)染料，呫吨(xanthene)染料，恶嗪染料，吡喃鎓(pyrylium)染料。此外，如有必要还可同时使用粘结剂，均化剂，消泡剂等。粘结剂优选包括聚乙烯醇，聚乙烯吡咯烷酮，硝化纤维，醋酸纤维素，酮类树脂，丙烯酸酯类树脂，聚苯乙烯树脂，聚氨酯树脂，聚乙烯醇缩丁醛，聚碳酸酯和聚烯烃。

[0211]

对记录层2的膜厚没有特别限定，因为合适的膜厚可根据记录方法而变，但其通常为至少1nm或更大，优选不小于5nm，因为需要一定的薄膜厚度才能进行记录。然而，如果膜厚太大，则可能导致记录不能很好进行，其通常不大于300nm，优选不大于200nm，更优选不大于100nm。

此外，记录层2在记录和读取光波长处的消光系数(复数折射率的虚数部分)k为0～0.50，优选为0.05～0.35。此外，折射率(复数折射率的实数部分)n在1～3的范围内，优选在1.5～2.5之间。

[0212]

对于测量记录层2膜厚并控制膜厚使其达到预定值的方法，是在记录层2上照射激光，测量形成记录层2的用于记录的染色层的吸收强度，即测量透射光谱，从而确定和控制记录层2的膜厚。

该方法不能测量最大吸收不大于400nm的记录层2的膜厚。测量记录层2的膜厚变得困难的原因被认为是用作光记录介质10的基层1的材料的最大吸收通常不大于400nm并与记录层2的最大吸收重合，以及当用来照射的激光的波长减小时(尤其是不大于500nm)，由形成在基层1上的导槽导致的激光的衍射效应增加，因此难以测量正确的数据。

[0213]

在本实施方式中，以上问题得以解决，通过仅测量最大吸收不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B的透射光谱而不测量包含在记录层2中的有机染料化合物A(其最大吸收不小于340nm且不大于440nm)的透射光谱而得到正确的记录层2的膜厚，从而能够提供具有最合适膜厚的光记录介质10。

[0214]

反射层3形成在记录层2之上。反射层3的膜厚优选为50nm至300nm。作为反射层3的材料，可以单独或以合金形式使用在读取光波长处具有足够高反射率的材料，如金属Au，Al，Ag，Cu，Ti，Cr，Ni，Pt，Ta，Pd。其中，优选具有高反射率的Au，Al，Ag作为反射层3的材料。

[0215]

在以这些金属作为主要组分的条件下还可以含有其它材料。这里，主要组分是指其含量不小于50％。除主要成分以外的其它材料包括金属如Mg，Se，Hf，V，Nb，Ru，W，Mn，Re，Fe，Co，Rh，Ir，Cu，Zn，Cd，Ga，In，Si，Ge，Te，Pb，Po，Sn，Bi，Ta，Ti，Pt，Pd，和Nd等，以及准金属。

[0216]

其中，尤其优选那些以Ag作为主要组分的，因为它们成本低，易于产生高反射率，当形成下述印制接收层时，能提供具有白色和优美基色的制品。例如，含有Ag和约0.1atom％至5atom％的选自Au，Pd，Pt，Cu和Nd中的一种或多种金属的合金具有高反射率，高耐受性，高灵敏度和低成本，因此受到优选。具体地说，有例如AgPdCu合金，AgCuAu合金，AgCuAuNd合金，AgCuNd合金。至于非金属材料，可以交替层叠高折射率薄膜和低折射率薄膜以形成多层膜而用作反射层3。

[0217]

用以形成反射层3的方法包括例如，溅射法，离子电镀法，化学气相淀积，真空淀积法。此外，在基层1之上或反射层3之下可设置已知的无机或有机的中间层和粘合层，以增强反射率，改进记录性质，增强粘结性等。

[0218]

保护层4形成在反射层3之上。对保护层4的材料没有特别限定，只要其能保护反射层3免受外力。有机物材料包括热塑性树脂，热固性树脂，可电子辐射固化树脂，紫外线固化树脂等。

无机物材料包括二氧化硅，氮化硅，MgF₂，SnO₂等。

[0219]

当使用热塑性树脂或热固性树脂时，可将其用适当的溶剂溶解后形成的涂布液涂布到反射层3上并干燥以制得保护层4。当使用紫外线固化树脂时，可将其直接涂布在反射层3上，或将其用适当的溶剂溶解得到的涂布液涂布在反射层3上，然后用紫外线光照射进行固化而得到保护层4。对于紫外线固化树脂，例如，可以使用丙烯酸酯类树脂如聚氨酯丙烯酸酯，环氧丙烯酸酯，聚酯丙烯酸酯。这些材料可以单独使用或两种或更多种混合使用。保护层4可形成为单层或多层。

[0220]

形成保护层4的方法包括，例如，与记录层2的类似，施涂法如旋涂法和浇铸法，溅射法，化学气相淀积法，其中优选旋涂法。保护层4的膜厚通常不小于0.1μm，优选不小于3μm，因为需要一定的厚度来达到保护功能。然而，如果太厚，保护层4的形成可能费时并使成本增加而效果却没有变化，其通常不小于100μm，优选不小于30μm。

[0221]

这里，所述的将基层、记录层、反射层和保护层依次层叠的结构作为光记录介质10的层状结构的例子，但是也可采用除此结构以外的其它结构。

例如，可以进一步固定另一基层1到上例层状结构中的保护层4的上表面上，或通过从上例层状结构中省去保护层4而固定到反射层3的上表面上。这里的基层1可以是没有设置任何层的基层本身，或是在需要固定的一侧或其另一侧具有任何的任选层如反射层3。此外，两片具有上例层状结构的光记录介质10或其中保护层4被省去的光记录介质10可以每个保护层4和/或反射层3的上表面相互面对的方式固定在一起。

[0222]

下面描述光记录介质的第二实施方式。

图1(b)显示了光记录介质的第二实施方式。任何与第一实施方式的光记录介质10相同的部分以相同的符号表示并省略对其描述。图1(b)中的光记录介质20包含含有光学透明材料的基层1，设置在基层1上的反射层3，顺序层叠在反射层3上的记录层2和保护涂膜5。信息的记录和读取是通过从保护涂膜5侧照射的激光束在光记录介质20内进行的。

[0223]

保护涂膜5可用膜或片材通过粘合剂粘贴而形成，或使用类似于上述保护层4的材料经过涂布成膜涂布液并进行固化或干燥而形成。保护涂膜5的膜厚通常不小于0.1μm，优选不小于3μm，因为需要一定的厚度来达到保护功能。然而，如果太厚，保护涂膜5的形成可能费时并使成本增加而效果却没有变化，其通常不大于300μm，优选不大于200μm。类似于上述光记录介质10的材料通常被用作每个记录层2，反射层3。然而，基层1在该结构中不一定要透明，不透明树脂、陶瓷、金属(包括合金)也可作为上述材料使用。除非会损害本发明的性质，可根据需要在该结构的上述每个层之间设置任何的任选层。

[0224]

同时，一种用以改善光记录介质10、20的记录密度的方法是增大物镜的数值口径。这使得光点在将成为高密度的信息记录表面上聚光。然而，在物镜的数值口径增大的情况下，当照射激光束进行记录和读取时，因光记录介质10、20的翘曲等导致的光点的像差会增大，难以稳定地获得良好的记录和读取信号。

[0225]

当激光束要通过的透明的基层1或保护涂膜5很厚时，这种像差会增大，因此优选尽可能降低基层1和保护涂膜5的厚度以减少像差。然而，通常基层1应具有一定的厚度以确保光记录介质10，20的强度，优选采用光记录介质20的结构(含有基层1，反射层3，记录层2，保护涂膜5的基本基层结构的光记录介质20的结构)。因为光记录介质20的保护涂膜5比光记录介质10的基层1更容易制得薄，优选使用光记录介质20。

[0226]

然而，通过将记录和读取用激光束要穿过的透明基层1的厚度降低到约50μm至300μm来降低像差从而可使用光记录介质10的结构(包含基层1，记录层2，反射层3，保护层4的基本层的光记录介质10的结构)。

此外，为了保护表面并防止灰尘粘附，可在记录和读取激光束进入的表面(通常是基层1的下表面)上、在每个其它层形成之后形成紫外线固化树脂层膜或无机薄膜，并可在除了记录和读取激光束进入的表面以外的表面(通常是反射层3和保护层4的上表面)上设置可用各种打印机如喷墨打印机、热敏墨水-转印打印机或各种写入器具在其上记录或打印的印迹接收层。

[0227]

在本发明的实施方式的光记录介质10，20中，用于记录和读取信息的激光束的波长从实现高密度记录的角度考虑是越短越好，尤其优选波长为350nm到530nm的激光束。这样的激光束的具体例子包括中心波长在大约405nm、410nm、515nm的激光束(允许波长偏移为±5nm)。

[0228]

波长为350nm至530nm的激光束可使用大功率半导体的波长为405nm或410nm的蓝色激光，或者波长为515nm的蓝绿色激光发射而获得。此外，它们还可以通过例如，使用二次谐波发生元件(SHG)将下面任一种振荡激光束进行波长转换而获得：(a)基本振荡波长为740nm至960nm并可进行持续振荡的半导体激光发射的振荡激光束；(b)基本振荡波长为740nm至960nm并受半导体激光束激发而可发生持续振荡的固态激光束。

[0229]

SHG可以是任何缺乏转换对称性的压电元件，但优选KDP，ADP，BNN，KN，LBO，化合物半导体。第二谐波的具体例子包括430nm，其是基本振荡波长为860nm的半导体激光发射用的基本振荡波长的半波长；和430nm，其是在用半导体激光激发固态激光束时，来自掺Cr的LiSrAlF₆单晶的半波长(基本振荡波长为860nm)。

[0230]

对用于记录和读取的波长，最优选使用波长为405nm的短波，其有利于高密度化，并由实用的激光二极管提供。当使用该波长时，有机染料化合物A的最大吸收波长(λmax)优选在340nm至400nm的范围内，更优选在350nm至400nm的范围内，更进一步优选在370nm至400nm的范围内。

[0231]

当在本发明的实施方式的光记录介质10，20中记录信息时，在记录层2上照射通常被集聚到约0.4到0.6μm的激光束(通常使激光束从基层1侧透过基层1)。记录层2上照射有激光束的部分吸收激光束的能量，导致如分解、放热、融化等的热变化和复数折射率的变化，从而导致光学性质变化。

当播放记录层2中记录的信息时，具有较低能量的激光束以同样方式照射到记录层2上(通常以与记录时相同的方向)。在记录层2中，信息的读取是通过读取光学性质(光学常数或相差等)发生变化的部分(即记录有信息的部分)和没有发生变化的部分之间的反射率差而进行的。

实施例

[0232]

下面通过的实施例来更具体地说明本发明的实施方式。然而，本发明的实施方式不局限于这些实施例。在下表中，把有机染料化合物A记作组分A，金属络合物B记作组分B，而把与金属络合物B作比较的化合物记作组分C。

[0233]

(化合物的合成例)

本发明实施方式中所用的化合物的合成法没有特别限定，但是包括例如，日本专利公开No.06-329616等描述的用于合成由式(I)表示的偶氮化合物的合成法。由式(II)表示的化合物的合成法包括例如，日本专利公开No.63-057846等描述的方法。由式(III)和式(IV)表示的化合物的合成法包括例如，日本专利申请No.2001-372199(USP6815033)描述的方法，而由式(V)表示的化合物的合成法包括例如日本专利申请No.2001-027599等描述的方法。

[0234]

(1)金属络合物B的合成

往上述例子化合物(45)，(46)，(47)的甲醇溶液中滴加醋酸镍的甲醇溶液(0.6当量)，然后过滤以合成金属络合物B(组分B：B1～B3)，如表1所示。在所述例子中化合物(63)的乙醇溶液中滴加氯化镍的水溶液和NH₄PF₆的水溶液，然后过滤以合成金属络合物(组分B：B4)。在氯仿溶液中的最大吸收波长λmax和摩尔消光系数ε如表1所示。

[0235]

[表1]

组分(B)	配位体	金属	阴离子	配位体∶金属	λmax(nm)	εx10^-3
组分(B)	配位体	金属	阴离子	配位体∶金属	λmax(nm)	εx10^-3	B1	45	Ni	-	2∶1	689.5	127
B2	46	Ni	-	2∶1	692	109	B1	45	Ni	-	2∶1	689.5	127
B2	46	Ni	-	2∶1	692	109	B3	47	Ni	-	2∶1	680.5	122
B4	63	Ni	PF₆	(配位体∶阴离子∶金属)3∶2∶1	793.5	253	B3	47	Ni	-	2∶1	680.5	122

[0236]

(2)耐光性测试

将有机染料化合物A和金属络合物B以预定组成比制得0.6wt％光记录材料的四氟丙醇溶液，将该溶液以800rpm的转速旋涂到厚0.6mm、直径12cm的注射成型的聚碳酸酯树酯基层上，然后干燥并切割成适当的大小以制得盘片，在耐光性测试机(Toyo Seiki Seisakujo有限公司产品：Suntest XLS+)下用氙灯在45℃下以250W/m²照射8小时。

[0237]

在能够检测有机染料化合物A的吸收带范围内(即从340nm至440nm的最大吸收波长范围)测量光记录材料在氙灯照射之前的最大吸收的吸收率I₀和氙灯照射之后的最大吸收的吸收率I₁，计算耐光性x＝I₁/I₀。I₀的波长通常与I₁相同。其数值越大，耐光性越好。

混合组分B本身在不大于440nm的吸收与组分A的相比很小，考虑其在混合物中的含量，可以认为λmax的吸收几乎都是组分A带来的。

[0238]

(实施例1～13，对照例1～7)

检测了表2所示的组合物的光记录材料并对其耐光性x进行了评价。结果见表2。有机染料化合物A使用的是下列化合物(A1，A2)。

[0239]

[化合物62]

[0240]

[化合物63]

[0241]

[表2]

	组分(A)	组分(B)	A/B	(耐光性x)％
	组分(A)	组分(B)	A/B	(耐光性x)％	实施例1	A1	B1	85/15	77.8
实施例2	A1	B1	80/20	85.9	实施例1	A1	B1	85/15	77.8
实施例2	A1	B1	80/20	85.9	实施例3	A1	B1	70/30	77.3
对照例1	A1	B1	100/0	0	实施例3	A1	B1	70/30	77.3
对照例1	A1	B1	100/0	0	对照例2	A1	B1	90/10	27.0
实施例4	A1	B2	85/15	70.4	对照例2	A1	B1	90/10	27.0
实施例4	A1	B2	85/15	70.4	实施例5	A1	B2	80/20	78.3
实施例6	A1	B2	70/30	82.8	实施例5	A1	B2	80/20	78.3
实施例6	A1	B2	70/30	82.8	对照例3	A1	B2	100/0	0

对照例4	A1	B2	90/10	3.9
对照例4	A1	B2	90/10	3.9	实施例7	A1	B3	85/15	85.2
实施例8	A1	B3	80/20	84.1	实施例7	A1	B3	85/15	85.2
实施例8	A1	B3	80/20	84.1	实施例9	A1	B3	70/30	84.3
对照例5	A1	B3	100/0	0	实施例9	A1	B3	70/30	84.3
对照例5	A1	B3	100/0	0	实施例10	A1	B3	90/10	58.9
实施例11	A2	B4	85/15	61.3	实施例10	A1	B3	90/10	58.9
实施例11	A2	B4	85/15	61.3	实施例12	A2	B4	80/20	93.2
实施例13	A2	B4	70/30	96.6	实施例12	A2	B4	80/20	93.2
实施例13	A2	B4	70/30	96.6	对照例6	A2	B4	100/0	0
对照例7	A2	B4	90/10	0.5	对照例6	A2	B4	100/0	0

[0242]

从表2的结果看出，有机染料化合物A的重量/金属络合物B的重量(以下称“组分(A)/组分(B)”)＝85/15至70/30的光记录材料(实施例1～13)被证实具有50％或以上的优越耐光性x，耐光性x是采用上述(2)描述的耐光性测试方法测得的。

另一方面，至于组分(A)/组分(B)＝100/0的光记录材料，以及例如那些组分(A)/组分(B)＝90/10的除实施例10之外的光记录材料(对照例1～7)，其耐光性x小于30％，可见耐光性x较差。

[0243]

用于实施例13的光记录材料溶于八氟戊醇并调节至0.6wt％。将其过滤后得到的溶液滴加到厚度0.6mm、直径120mm的注射成型聚碳酸酯树酯基层上并进行旋转涂布，涂布后在100℃下干燥30分钟。该涂膜的最大吸收波长(λmax)是388.5nm，其次的最大吸收波长是803.5nm。吸收光谱如图2所示。

[0244]

(对照例8～11)

实施例1中所用的化合物A1和下述的化合物C(组分C：C1～C4)按表3所示的组成制备，并进行耐光性测试。结果见表3。这里，C1是λmax在500nm至900nm范围内的蒽醌染料，C2是花青染料，C3是不在B1的金属离子上配位的偶氮化合物，C4是λmax在500nm至900nm范围之外的偶氮金属络合物。对于化合物C的最大吸收波长(λmax)和ε值，

其中C1、C2、C4和C5是在氯仿溶液中的测量值而C3是在甲醇溶液中的测量值。

[0245]

[化合物64]

[0246]

[化合物65]

[0247]

[化合物66]

[0248]

[化合物67]

[0249]

[表3]

组分(A)

组分(C)

A/C

(耐光性x)％

对照例8	A1	C1	70/30	2.9
对照例8	A1	C1	70/30	2.9	对照例9	A1	C2	70/30	1.1
对照例10	A1	C3	70/30	6.3	对照例9	A1	C2	70/30	1.1
对照例10	A1	C3	70/30	6.3	对照例11	A1	C4	70/30	14.1

[0250]

从表3的结果可以看出它们(对照例8～11)在耐光性方面没有显示出改善。

[0251]

(实施例14～17，对照例12～15)

(1)光记录介质的制造例

将表4所示组成的光记录材料的八氟戊醇溶液(0.6wt％)滴加到厚度0.6mm、直径120mm、槽的道距425nm、槽宽163nm、槽深90nm的注射成型聚碳酸酯树酯基层上并进行旋转涂布。涂布时在25秒内将转速从600rpm提升到4900rpm并在4900rpm转速下保持5秒钟。然后，在100℃下干燥30分钟以形成记录层。随后，通过溅射法溅射得到厚度100nm的银合金膜以形成反射层。然后，使用旋涂法涂布含有紫外线固化树脂的保护涂剂，并用紫外光线照射以形成厚度5μm的保护层。此外，用延迟硬化成型粘合剂将厚度为0.6mm的聚碳酸酯基层粘附到保护层一侧的表面，从而制得用于评价的光记录介质。

[0252]

(2)记录例

在上述光记录介质以5.7m/sec的线速度旋转的同时，用波长405nm的激光束(数值口径NA＝物镜的0.65)在凹槽内记录(8T标记/8T空白)和(3T标记/3T空白)的单频信号，并测量每个记录特征参数。结果见表4。这里，T是对应于66MHz频率的基准时钟周期。作为记录脉冲策略，假定标记长度为nT，上端记录脉冲宽度2T，后行记录脉冲宽度0.6T，偏压功率0.2mW，读取功率0.2mW，记录功率可变，那么分裂脉冲数是(n-1)。

[0253]

[表4]

	组分(A)	组分(B)	A/B	CN(dB)		记录灵敏度(mW)
				CN(dB)			8T	3T
				实施例14	A1		8T	3T	B3	80/20	50.8	42.9	10.3
实施例15	A1	B3	70/30	实施例14	A1	51.2	43.3	10.0	B3	80/20	50.8	42.9	10.3

对照例12	A1	B3	100/0	50.0	36.1	＞12
对照例12	A1	B3	100/0	50.0	36.1	＞12	对照例13	A1	B3	90/10	49.9	38.9	10.8
实施例16	A2	B3	80/20	50.0	38.0	11.8	对照例13	A1	B3	90/10	49.9	38.9	10.8
实施例16	A2	B3	80/20	50.0	38.0	11.8	实施例17	A2	B3	70/30	49.7	41.4	8.6
对照例14	A2	B3	100/0	42.7	35.6	＞12	实施例17	A2	B3	70/30	49.7	41.4	8.6
对照例14	A2	B3	100/0	42.7	35.6	＞12	对照例15	A2	B3	90/10	48.2	39.0	＞12

[0254]

从表4的结果可见，使用组分(A)/组分(B)＝80/20和70/30的光记录材料(实施例14～17)，其光记录介质的记录灵敏度和记录特征参数得以改善。

[0255]

(实施例18～21，对照例16～19)

将实施例14～17和对照例12～15中的光记录介质通过在0.2mW的读取光功率下读取10⁵次来进行测试，分别测量8T的C/N的下降dB，比较光读取衰退。其数值越小，可循环读取性越好。结果见表5。

[0256]

[表5]

	组分(A)	组分(B)	A/B	(在循环读取中的衰退)dB
	组分(A)	组分(B)	A/B	(在循环读取中的衰退)dB	实施例18	A1	B3	80/20	0
实施例19	A1	B3	70/30	-3.0	实施例18	A1	B3	80/20	0
实施例19	A1	B3	70/30	-3.0	对照例16	A1	B3	100/0	-12.9
对照例17	A1	B3	90/10	-4.0	对照例16	A1	B3	100/0	-12.9
对照例17	A1	B3	90/10	-4.0	实施例20	A2	B3	80/20	-0.8
实施例21	A2	B3	70/30	-0.1	实施例20	A2	B3	80/20	-0.8
实施例21	A2	B3	70/30	-0.1	对照例18	A2	B3	100/0	-10.1
对照例19	A2	B3	90/10	-2.2	对照例18	A2	B3	100/0	-10.1

[0257]

从表5的结果可见，使用组分(A)/组分(B)＝80/20和70/30的光记录材料(实施例18～21)，其光记录介质的光读取衰退表现出优秀的可循环读取性。

[0258]

(实施22，对照例20)

按照表6所示的光记录材料组成制备实施例14的光记录介质，测量记录灵敏度等性质。有机染料化合物A使用的是下列化合物(A3)。结果见表6。

[0259]

[化合物68]

[0260]

[表6]

	组分(A)	组分(B)	A/B	CN		记录灵敏度
				CN			8T	3T
				实施例22	A3		8T	3T	B3	80/20	52.9	46.6	10.9
对照例20	A3	B3	100/0	实施例22	A3	53.6	44.5	11.6	B3	80/20	52.9	46.6	10.9

[0261]

从表6结果可见记录灵敏度得到了改善。

[0262]

(实施例23～26，对照例21～26)

对表7所示组成的光记录材料进行TG-DTA(DTG)测量，观察其热分解行为。TG-DTA(DTG)的测量过程如下：将光记录材料的粉末在研钵中研磨至均匀；分别在氮气流和空气流下，以10℃/min的升温速率，在30℃到600℃的范围内对每个样品进行TG-DTA(DTG)测量(使用精工仪器有限公司的产品：TG/DTA6200)。结果由表7和表8所示。测量图由图3至图5所示。

[0263]

[表7]

TG-DTA测量(条件：以氮气作为气流)

	组分(A)	组分(B)	A/B	分解起始温度	DTG峰值温度
	组分(A)	组分(B)	A/B	分解起始温度	DTG峰值温度	实施例23	A2	B3	80/20	277.7	339.4
实施例24	A2	B3	70/30	271.4	325.7	实施例23	A2	B3	80/20	277.7	339.4
实施例24	A2	B3	70/30	271.4	325.7	对照例21	A2	B3	100/0	294.7	348.0
对照例22	A2	B3	90/10	284.3	344.1	对照例21	A2	B3	100/0	294.7	348.0
对照例22	A2	B3	90/10	284.3	344.1	对照例23	A2	B3	0/100	284.5	290.5

[0264]

[表8]

TG-DTA测量(条件：以空气作为气流)
TG-DTA测量(条件：以空气作为气流)							组分(A)	组分(B)	A/B	分解起始温度	DTG峰值温度
实施例25	A2	B3	80/20	271.2	317.5		组分(A)	组分(B)	A/B	分解起始温度	DTG峰值温度
实施例25	A2	B3	80/20	271.2	317.5	实施例26	A2	B3	70/30	264.2	304.7
对照例24	A2	B3	100/0	289.7	344.3	实施例26	A2	B3	70/30	264.2	304.7
对照例24	A2	B3	100/0	289.7	344.3	对照例25	A2	B3	90/10	269.9	324.1
对照例26	A2	B3	0/100	266.6	379.0	对照例25	A2	B3	90/10	269.9	324.1

[0265]

从表7和表8的结果可以看出，对于组分(A)/组分(B)＝80/20和70/30的光记录材料，TG的分解起始温度移向比从简单重量比所期望的更低温度侧，而DTG(TG的差示峰值)峰值温度下降。可以认为光记录介质的记录灵敏度因这种热分解行为而得到改善。

[0266]

(实施例27和28，对照例27～30)

[0267]

[化合物69]

[0268]

在实施例23～26中，以同样的方法，将按照表9的比例其中混合有B1、B3和C5的A5粉末进行TG-DTA(DTG)测量，观察其热分解行为。TG-DTA(DTG)的测量条件与上述相同。结果由表9和表10所示。此外，对照例27的测量图如图6所示。

[0269]

[表9]

TG-DTA测量(条件：以空气作为气流)
TG-DTA测量(条件：以空气作为气流)							组分(A)	组分(B)或(C)	A/(B或C)	分解起始温度(℃)	DTG峰值温度(℃)
实施例27	A5	B1	70/30	276.2	527.3		组分(A)	组分(B)或(C)	A/(B或C)	分解起始温度(℃)	DTG峰值温度(℃)
实施例27	A5	B1	70/30	276.2	527.3	实施例28	A5	B3	70/30	271.4	543.6
对照例27	A5	C5	70/30	189.9，331.5	217.4，364.2	实施例28	A5	B3	70/30	271.4	543.6
对照例27	A5	C5	70/30	189.9，331.5	217.4，364.2	对照例28	A5	B1	100/0	316.3	556.4
对照例29	A5	B1	0/100	265.5	428.6	对照例28	A5	B1	100/0	316.3	556.4
对照例29	A5	B1	0/100	265.5	428.6	对照例30	A5	C5	0/100	189.9	245.4

[0270]

[表10]

TG-DTA测量(条件：以氮气作为气流)
TG-DTA测量(条件：以氮气作为气流)							组分(A)	组分(B)or(C)	A/(B orC)	分解起始温度(℃)	DTG峰值温度(℃)
实施例27	A5	B1	70/30	229.5	373		组分(A)	组分(B)or(C)	A/(B orC)	分解起始温度(℃)	DTG峰值温度(℃)
实施例27	A5	B1	70/30	229.5	373	实施例28	A5	B3	70/30	221	383.8
对照例27	A5	C5	70/30	190.1.348.9	221.9，389	实施例28	A5	B3	70/30	221	383.8
对照例27	A5	C5	70/30	190.1.348.9	221.9，389	对照例28	A5	B1	100/0	341.3	388.3
对照例29	A5	B1	0/100	256.1	260	对照例28	A5	B1	100/0	341.3	388.3
对照例29	A5	B1	0/100	256.1	260	对照例30	A5	C5	0/100	188.3	245.4

[0271]

从表9和表10的结果可以看出，对于在组分(A)/组分(B)＝70/30的混合粉末中的光记录材料，TG的分解起始温度再次移向比从简单重量比所期望的更低温度侧，而DTG(TG的差示峰值)峰值温度下降。

另一方面，如图6所示，根据混合比混合有C5(作为对照例的不含金属的单偶氮化合物)的粉末在先于单独C5的分解温度时分解，显然该粉术对降低记录用有机染料化合物A的分解起始温度没有作用。

[0272]

(实施例29～44，对照例31～39)

以上述实施例1～13中同样的方法，以表11所述的比例在有机染料化合物A2，A4和A5中混合金属络合物B5，B6，B3和B4，从而制备涂布染料的光盘并进行耐光性测试。计算耐光性x的结果如图11所示。B5，B6的组成如表12所示。

[0273]

[表11]

	组分(A)	组分(B)	A/B	(耐光性x)％
	组分(A)	组分(B)	A/B	(耐光性x)％	对照例31	A2	B5	85/15	20.4
实施例29	A2	B5	80/20	50.6	对照例31	A2	B5	85/15	20.4
实施例29	A2	B5	80/20	50.6	实施例30	A2	B5	70/30	73.9
对照例32	A2	B5	100/0	0	实施例30	A2	B5	70/30	73.9
对照例32	A2	B5	100/0	0	对照例33	A2	B5	90/10	2.5
对照例34	A2	B6	85/15	22.7	对照例33	A2	B5	90/10	2.5
对照例34	A2	B6	85/15	22.7	实施例31	A2	B6	80/20	61.5
实施例32	A2	B6	70/30	78.3	实施例31	A2	B6	80/20	61.5
实施例32	A2	B6	70/30	78.3	对照例35	A2	B6	100/0	0
对照例36	A2	B6	90/10	2.9	对照例35	A2	B6	100/0	0
对照例36	A2	B6	90/10	2.9	实施例33	A4	B3	85/15	71.8
实施例34	A4	B3	80/20	79.6	实施例33	A4	B3	85/15	71.8
实施例34	A4	B3	80/20	79.6	实施例35	A4	B3	70/30	89.2
对照例37	A4	B3	100/0	15.8	实施例35	A4	B3	70/30	89.2
对照例37	A4	B3	100/0	15.8	实施例36	A4	B3	90/10	45
实施例37	A5	B3	85/15	94.3	实施例36	A4	B3	90/10	45
实施例37	A5	B3	85/15	94.3	实施例38	A5	B3	80/20	93.8

实施例39	A5	B3	70/30	97.1
实施例39	A5	B3	70/30	97.1	对照例38	A5	B3	100/0	21.7
实施例40	A5	B3	90/10	85.4	对照例38	A5	B3	100/0	21.7
实施例40	A5	B3	90/10	85.4	实施例41	A4	B4	85/15	87.4
实施例42	A4	B4	80/20	91.9	实施例41	A4	B4	85/15	87.4
实施例42	A4	B4	80/20	91.9	实施例43	A4	B4	70/30	98.2
对照例39	A4	B4	100/0	15.8	实施例43	A4	B4	70/30	98.2
对照例39	A4	B4	100/0	15.8	实施例44	A4	B4	90/10	72.8

[0274]

[化合物70]

[0275]

[化合物71]

[0276]

[化合物72]

[0277]

[化合物73]

[0278]

[表12]

组分(B)	配位体	金属	阴离子	配位体∶金属	λmax(nm)	ε×10^-3
组分(B)	配位体	金属	阴离子	配位体∶金属	λmax(nm)	ε×10^-3	B5	48-1	Ni	-	2∶1	577	158
B6	48-2	Ni	-	2∶1	579.5	137	B5	48-1	Ni	-	2∶1	577	158

[0279]

由该结果可以清楚的看到，相比于100％单独使用A2，A4和A5，通过包含金属络合物B3，B4和B5可极大的改善耐光性。

[0280]

实施例1～13，对照例1～7，实施例29～44，以及对照例31～39的结果概括如图9所示。从图9可见，能够获得期望耐光性x的A/B是根据有机染料化合物A(在金属络合物B含量为0wt％的情况下估算)和金属络合物B的组合不同而不同。

[0281]

此外，正如通过比较B4，B5和B6(其对于A2在耐光性上的最大吸收波长(λmax)分别为793.5nm，577nm，579.5nm)的效果所知道的，B5和B6(其最大吸收波长(λmax)不大于620nm)的所需用量比B4(其最大吸收波长(λmax)在比B5和B6的最大吸收波长(λmax)更长侧)的大，可以估算在这个例子中金属络合物B为15wt％或以上。对于获得至少50％的耐光性x来说约20wt％的金属络合物B是必须的。

[0282]

有机染料化合物A2和金属络合物B的最大吸收波长(λmax)(Δλ＝λmax(B)-λmax(A))差和耐光性x之间的关系如图10所示。

即，显示了对照例1(A2＝100％，Δλ＝0)，实施例13(A2/B4＝70/30，Δλ＝404.5nm)，实施例30(A2/B5＝70/30，Δλ＝188nm)和实施例32(A2/B6＝70/30，Δλ＝190.5nm)的耐光性x。在图10中具有的一种趋势是，当金属络合物B的最大吸收波长(λmax)比有机染料化合物A的更长时，所述金属络合物B对耐光性x更为有效。可见，为了在该例子中获得至少50％的耐光性x，长出100nm的波长更好。为了获得至少80％的耐光性x，长出200nm的波长更好。为获得至少90％的耐光性x，优选长出300nm的波长。

[0283]

(对照例40)

以上述实施例43所述的同样的方法，将不是金属络合物的C4(其最大吸收波长(λmax)为354.5nm，即比A4的最大吸收波长(λmax)377nm短)与A4以A4/C4＝70/30比例用于制备涂布染料的光盘，测定其耐光性x。测得x是13.3％，没有观察到对耐光性的改善。结果见表13。

[表13]

	组分(A)	组分(C)	A/C	(耐光性x)％
	组分(A)	组分(C)	A/C	(耐光性x)％	对照例40	A4	C5	70/30	13.3

[0285]

本发明是基于申请日为2004年2月26日的日本专利申请(专利申请No.2004-052421)，其整个文件合并在此作为参考。

Claims

1.一种光记录材料，它包含最大吸收波长λmax不小于340nm且不大于440nm的有机染料化合物A和最大吸收波长λmax不小于500nm且不大于900nm的金属络合物B，其特征在于，

所述有机染料化合物A的含量比所述金属络合物B的含量高，以及

用下式计算出的耐光性x不小于30％：

耐光性x＝{(I₁/I₀)×100}

其中，I₀是所述有机染料化合物A和所述金属络合物B的混合物膜用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率；I₁是所述有机染料化合物A和所述金属络合物B的混合物膜经过光照处理后，用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内最大吸收处的吸光率。

2.如权利要求1所述的光记录材料，其特征在于，对于所述有机染料化合物A，用吸光率I_A0和I_A1计算得到的耐光性x＝{(I_A1/I_A0)×100}小于30％，其中，I_A0是膜用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率，I_A1是所述有机染料化合物A的膜经过光照处理后用分光光度计测得的在其吸收光谱中从340nm至440nm波长范围内的最大吸收处的吸光率。

3.如权利要求1或2所述的光记录材料，其特征在于，所述耐光性x通过下述步骤计算的：(操作步骤)

(步骤1)用含有所述有机染料化合物A和所述金属络合物B的溶液旋转涂布一层透明基层，干燥后制得涂布染料的光盘；

(步骤2)使用分光光度计测量所述(步骤1)中制得的所述涂布染料的光盘在300nm至900nm波长内的吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₀；

(步骤3)将所述(步骤1)中制得的所述涂布染料的光盘在250W/m²的氙气灯下光照处理8小时，然后在与所述(步骤2)相同的条件下测量吸收光谱，将波长范围从340nm至440nm内的最大吸收处吸光率定义为I₁；以及

(步骤4)计算根据所述(步骤2)中的所述I₀和所述(步骤3)中的所述I₁计算{(I₁/I₀)×100}。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光记录材料，其特征在于，当所述金属络合物B的最大吸收波长λmax为500nm至620nm时，假定所述有机染料化合物A和所述金属络合物B的总量为100wt％，则所述金属络合物B的含量不小于20wt％且不大于40wt％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述有机染料化合物A的最大吸收波长λmax与所述金属络合物B的最大吸收波长λmax之差为100nm或以上。

6.如权利要求1或5所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B的最大吸收波长λmax为680nm至900nm。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述耐光性x为50％或以上。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述有机染料化合物A是至少一种选自γ-吡喃酮有机染料，γ-硫代吡喃酮有机染料，γ-1，1-二氧硫代吡喃酮有机染料，γ-吡啶酮有机染料，邻吡喃酮有机染料，喹诺酮有机染料和1-硫代香豆素有机染料中的基团。

9.如权利要求1～8中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B是偶氮金属络合物或吲哚苯胺金属络合物。

10.如权利要求9所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B是一种含有金属离子和用以下通式(I)表示的偶氮化合物的偶氮金属络合物：

[化合物1]

在式(I)中，环A是与一个碳原子和一个氮原子形成的含氮杂芳环，XL表示取代基，其中当剔除L时X变为阴离子并能够与金属离子配位；R₁和R₂每个独立地为氢原子、直链或支链烷基、环烷基、芳烷基或烯基，或每个可以与相邻取代基团或相互之间形成为稠环；R₃，R₄和R₅每个独立地为氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，单环饱和杂环基团，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基，其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基。

11.如权利要求10所述的光记录材料，其特征在于，在所述通式(I)表示的偶氮化合物中，环A表示5或6元单环或二环稠合的含氮芳杂环，XL表示羟基，磺酸酯基，酰胺基，磺胺基，氢硫基，羧基，R₁和R₂每个独立地为具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，或每个可以与相邻取代基或相互之间形成为饱和稠环，R₃，R₄和R₅每个独立地为氢原子，具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基，5或6元单环的饱和杂环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基。

12.如权利要求9所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B是一种含有金属离子、任意阴离子和用以下通式(II)表示的化合物的金属络合物：

[化合物2]

在式(II)中，R₆和R₇每个独立地为氢原子、直链或支链烷基、环烷基、芳烷基、烯基，或每个可以与相邻取代基或可以相互之间形成为稠环；R₈至R₁₆每个独立地为氢原子，具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，饱和或不饱和杂环基团，具有6～18个碳原子的芳基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基，其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基。

13.如权利要求12所述的光记录材料，其特征在于，所述任意阴离子是一价单齿配位体。

14.如权利要求1～13中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B是具有二价或三价过渡金属离子的金属络合物。

15.如权利要求14所述的光记录材料，其特征在于，所述过渡金属是选自镍，钴，铜，铁，锌，铂，钯和锰中的至少一种。

16.如权利要求1～15中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述有机染料化合物A是选自用以下通式(III)和通式(IV)表示的化合物：

[化合物3]

[化合物4]

在式(III)或(IV)中，R₁₇～R₂₀和R₁₇′～R₂₀′每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，饱和或不饱和杂环基，具有6至18个碳原子的芳基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基，由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基，其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子、烃基或杂环基，这里，R₁₇和R₁₈，R₁₉和R₂₀，R₁₇′和R₁₈′，R₁₉′和R₂₀′可以互相缩合形成烃环或杂环结构，烃环和杂环可以有取代基，X₁是吸电子基团，X₂是氢原子或-Q-Y，其中Q是直接键，具有1或2个碳原子的亚烷基，亚芳基或异亚芳基，Y是吸电子基团，且所述亚烷基，亚芳基，异亚芳基可以具有除Y以外的任意取代基；环C是碳环形的酮环或杂环形的酮环，其可以有与C＝O一起的取代基；Z和Z′每个表示-O-，-S-，-SO₂-，-NR₂₁-，其中R₂₁是氢原子，可被取代的烃基，可被取代的杂环基，氰基，羟基，由-NR₂₂R₂₃表示的氨基(其中R₂₂和R₂₃每个独立地为氢原子，烃基或杂环基)，或由-COR₂₄(R₂₄是烃基或杂环基)或-COR₂₅(R₂₅是烃基或杂环基)表示的酰基。

17.如权利要求1～15中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述有机染料化合物A是用以下通式(V)表示的化合物：

[化合物5]

在式(V)中，X表示-O-，-S-，-NR₃₃-；R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉，和R₃₀每个独立地为氢原子或具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基，具有2～12个碳原子的直链或支链烯基，具有7～18个碳原子的芳烷基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～12个碳原子的直链或支链烷硫基，具有6～18个碳原子的芳基，饱和或不饱和杂环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，由-SO₂R₄₃表示的磺酰基，由-SOR₄₄表示的亚硫酰基，由-SO₂NR₄₅R₄₆表示的氨磺酰基，由-SO₃R₄₇表示的磺酸酯基或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基，R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为氢原子，直链或支链烷基，环烷基，芳烷基，直链或支链烯基，酰基，R₂₆～R₃₃中两个相邻的可以相连形成为饱和烃环或饱和杂环，其中，R₃₄，R₃₇，R₃₈，R₃₉，R₄₀，R₄₃，R₄₄，R₄₇和R₄₈每个独立地为烃基或杂环基，而R₃₅，R₃₆，R₄₁，R₄₂，R₄₅和R₄₆每个独立地为氢原子，烃基或杂环基。

18.如权利要求15所述的光记录材料，其特征在于，在所述通式(V)中，X是-O-，-NR₃₃-，而R₂₆，R₂₇，R₂₈，R₂₉，和R₃₀每个独立地为氢原子或具有1～8个碳原子的直链或支链烷基，具有3～8个碳原子的环烷基，具有7～12个碳原子的芳烷基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷氧基，具有1～8个碳原子的直链或支链烷硫基，具有6～12个碳原子的芳基，饱和或不饱和杂环型单环或二环的稠环基，卤素原子，硝基，氰基，氢硫基，羟基，醛基，由-COR₃₄表示的酰基，由-NR₃₅R₃₆表示的氨基，由-NHCOR₃₇表示的酰胺基，由-NHCOOR₃₈表示的氨基甲酸酯基，由-COOR₃₉表示的羧酸酯基，由-OCOR₄₀表示的酰氧基，由-CONR₄₁R₄₂表示的氨基甲酰基，或由-NHSO₂R₄₈表示的磺胺基，以及R₃₁，R₃₂，R₃₃每个独立地为具有1～12个碳原子的直链或支链烷基，具有3～12个碳原子的环烷基或具有7～18个碳原子的芳烷基，且R₂₉和R₃₁以及R₃₀和R₃₂中的一个或两个都可以形成饱和烃环或饱和杂环。

19.如权利要求1～18中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B能抑制所述有机染料化合物A的结晶。

20.如权利要求1～19中任一项所述的光记录材料，其特征在于，所述金属络合物B的分解起始温度不高于所述有机染料化合物A的分解起始温度。

21.一种具有信息记录和读取功能的光记录介质，其特征在于，所述介质具有基层，和

设置在所述基层上并能够用于通过光照射来记录和读取所述信息的记录层，以及

所述记录层包含如权利要求1～20中任一项所述的光记录材料。

22.如权利要求21所述的光记录介质，其特征在于，所述光是波长从350nm至530nm的激光束。