JP4158553B2

JP4158553B2 - 光学記録方法

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Publication number: JP4158553B2
Application number: JP2003051383A
Authority: JP
Inventors: 隆司宮沢; 修一前田; 徹郎村山
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2002-03-05
Filing date: 2003-02-27
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2023-02-27
Also published as: JP2004025834A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機色素を記録層に用いた光学記録媒体、特に青色レーザー対応の追記型光学記録媒体と、この光学記録媒体を用いた光学記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発振波長の短い半導体レーザーの開発が進められ、従来使用されている波長７８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用いた高密度の記録・再生可能な光学記録媒体が求められている。従来提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で有機色素系光記録媒体は、安価で且つ製造も容易であるという点で優位性を有するものと考えられている。
【０００３】
現在、有機色素系光学記録媒体には、反射率の高い金属層を有機色素層の上に積層した構造のＣＤ−Ｒが量産化され、広く用いられているが、このＣＤ−Ｒの記録・再生に使用されるレーザーよりも更に短波長の赤色半導体レーザーで記録する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化されている。
【０００４】
しかし、より短波長のレーザー発振が可能になるに従い、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長のレーザー、即ち、波長３５０〜５３０ｎｍの青色半導体レーザーで記録・再生可能な光学記録媒体の実現が求められてきている。このような状況のもとに、本発明者らは、特開２０００−４３４２３号公報、同２０００−３４３８２５号公報及び同２００１−１５８８６２号公報などで、青色半導体レーザーに対応する光学記録媒体を既にいくつか提案している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＣＤ−Ｒ或いはＤＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、短波長の青色半導体レーザーで記録・再生を行おうとすると、反射率が低いために記録・再生ができないという問題を有している。
【０００６】
本発明は、青色半導体レーザーによって記録・再生が可能な有機色素系光学記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学記録方法は、基板上にレーザーによる情報の記録・再生が可能な、厚さ１μｍ以下の記録層が設けられている光学記録媒体において、該記録層が下記一般式［Ｉ］、好ましくは下記一般式［II］で示される化合物を含有する光学記録媒体に対して、波長が３５０〜５３０ｎｍのレーザー光を用いて情報の記録を行うことを特徴とするものである。
【０００８】
【化３】

【０００９】
【化４】

【００１０】
（［Ｉ］，［II］式中、環Ａはベンゼン環を表し、
Ｒ^０は−ＯＲ^ａ、−ＳＲ^ｂ又は−ＮＲ^１Ｒ^２を表し、
Ｒ^３、Ｒ^４は各々独立に、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、これらの環に更に置換基が結合していてもよい。
Ｒ^０の表す−ＯＲ^ａ、−ＳＲ^ｂ又は−ＮＲ^１Ｒ^２の、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、水素原子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^ａ又はＲ^ｂは各々環Ａと結合して、他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、これらの環には更に置換基が結合していてもよい。
Ｒ^１、Ｒ^２は各々独立に水素原子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^１とＲ^２とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成するか、Ｒ^１及びＲ^２の一方もしくは双方が環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、これらの環には更に置換基が結合していてもよい。）
【００１１】
一般式［Ｉ］、好ましくは一般式［II］で表される化合物は、薄膜形成性に優れ、しかも、３５０〜５３０ｎｍの波長領域に強い吸収を示すため、このような化合物を含有する記録層を形成した本発明の光学記録媒体によれば、青色半導体レーザー光のような短波長レーザーに対応する記録・再生用光学記録媒体が得られる。
【００１２】
ところで、同様の色素骨格を有する化合物を用いて、電磁波の照射により記録する媒体として、特開２０００−１９５７２号公報に記載の光記録媒体があるが、これは本発明とは記録原理が大きく異なる。
【００１３】
即ち、特開２０００−１９５７２号公報記載の光記録媒体は、該色素が電荷発生材として記録層に存在し、それ以外に電荷輸送材と非線形光学材料が必要とされる。そして、記録媒体に対して電磁波を照射することにより電荷発生材より正電荷と負電荷を発生させ、これらの一方を電荷輸送材により分離させることによって、それに起因する内部電場による光学特性の変化（吸収係数、発光係数、屈折率）によって光照射のパターンを情報として記録する。また、記録された情報は、媒体に一様に光を照射したりするなど、電荷を再分布させれば再度記録することができる。つまり書き換え可能な光記録媒体である。
【００１４】
このような記録原理に対応するため、上記特開２０００−１９５７２号公報記載の光記録媒体における記録層の厚みは１０〜１００μｍ程度である。
【００１５】
一方、本発明における光学記録媒体の場合、基板上に形成した該色素を含む記録層にレーザーを照射し、色素を融解、分解させることにより、基板にピットを形成させ、未記録の部分との反射率の差を読みとる。つまり、本発明の光学記録媒体はライトワンス型光学記録媒体である。
【００１６】
このような記録原理に対応するためには、本発明の光学記録媒体では、記録層の厚さは１μｍ以下であることが必須である。この膜厚が１μｍより厚いと反射率が低下し、再生信号特性が悪化するおそれがある。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の光学記録媒体及び光学記録方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】
まず、本発明の光学記録媒体の記録層に含有される前記一般式［Ｉ］で表される化合物について説明する。
【００２０】
前記一般式［Ｉ］で示される化合物は、３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有する色素である。この化合物は特に、前記一般式［II］で表される、環Ａに置換アミノ基−ＮＲ^１Ｒ^２を有する化合物であることが好ましい。
【００２１】
前記一般式［Ｉ］又は［II］において、環Ａは５〜６員環の単環又はそれらの２縮合環の芳香族環であり、例えば、ベンゼン環、ナフチル環などの芳香族炭化水素環、フラン環、ピリジン環、キノリン環等の芳香族複素環が挙げられる。環Ａにおいて、置換基Ｒ^０とアルデヒドヒドラゾン基（−ＣＨ＝ＮＮＲ^３Ｒ^４）の結合する位置は、特に制限はないが、６員環については環に対してパラ位であり、５員環の芳香族複素環においては、２，５位であることが好ましい。環Ａが２縮合環の場合、環の構造によって６員環部分のパラ位、或いは５員環部分の２，５位のどちらかにこれらの置換基が結合しているものが好ましい。以下に環Ａとして好ましい芳香族炭化水素環と芳香族複素環を、その置換基の結合位置と共に示す。下記例示式において、６員環又は５員環から伸びる結合手がそれぞれ置換基Ｒ^０及び−ＣＨ＝Ｎ−ＮＲ^３Ｒ^４の結合位置を示す。
【００２２】
【化５】

【００２３】
これらの環構造の中で、環Ａとして特に好ましいものとしては、ベンゼン環、ナフチル環、６員環の芳香族複素環が挙げられ、最も好ましいのはベンゼン環である。
【００２４】
前記一般式［Ｉ］又は［II］において、環Ａは、置換基Ｒ^０とアルデヒドヒドラゾン基（−ＣＨ＝ＮＮＲ^３Ｒ^４）以外に任意の置換基を有していてもよい。この置換基の例としては、次のようなものが例示される。即ち、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基；2-チエニル基、2-ピリジル基、4-ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２４のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の炭素数３〜１８の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；イソシアノ基；シアナト基；イソシアナト基；チオシアナト基；イソチオシアナト基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ヒドロキシアミノ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＣＯＲ^５で表されるアシル基、−ＣＯＯＲ^６で表されるカルボン酸エステル基、−ＣＯＮＲ^７Ｒ^８で表されるカルバモイル基、−ＯＣＯＲ^９で表されるアシルオキシ基、−ＮＲ^１０Ｒ^１１で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ^１２で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ^１３で表されるカーバメート基、−ＮＨＳＯ_２Ｒ^１４で表されるスルホンアミド基、−ＳＯ_２Ｒ^１５で表されるスルホニル基、−ＳＯ_２ＮＲ^１６Ｒ^１７で表されるスルファモイル基、−ＳＯ_３Ｒ^１８で表されるスルホン酸エステル基、−ＳＯＲ^１９で表されるスルフィニル基等が挙げられる。これらの置換基の環Ａ上の位置は特に限定されず、置換基の数も１〜４個の範囲で可能である。複数の置換基を有する場合、同種でも異なっていてもよい。
【００２５】
ここでＲ^５、Ｒ^６，Ｒ^９，Ｒ^１２，Ｒ^１３、Ｒ^１４，Ｒ^１５、Ｒ^１８、Ｒ^１９は置換されていてもよい炭化水素基、又は置換されていてもよい複素環基を表し、Ｒ^７、Ｒ^８，Ｒ^１０，Ｒ^１１，Ｒ^１６，Ｒ^１７は水素原子、又は置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよい複素環基を表す。
【００２６】
このＲ^５〜Ｒ^１９で表される炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８アリール基が挙げられる。これらの基のアルキル鎖部分及びアリール基部分は後述するアルキル鎖部分が有し得る置換基で更に置換されていてもよい。
【００２７】
またＲ^５〜Ｒ^１９で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ基、2-モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、2-フリル基、2-ピリジル基、2-チアゾリル基、2-キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよく、またその結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環及びその２縮合環の芳香族複素環である。
【００２８】
−ＣＯＲ^５で表される置換されていてもよいアシル基；−ＣＯＯＲ^６で表される置換されていてもよいカルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ^７Ｒ^８で表される置換されていてもよいカルバモイル基；−ＯＣＯＲ^９で表される置換されていてもよいアシルオキシ基；−ＮＲ^１０Ｒ^１１で表される置換されていてもよいアミノ基；−ＮＨＣＯＲ^１２で表される置換されていてもよいアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ^１３で表される置換されていてもよいカーバメート基；−ＮＨＳＯ_２Ｒ^１４で表される置換されていてもよいスルホンアミド基；−ＳＯ_２Ｒ^１５で表される置換されていてもよいスルホニル基；−ＳＯ_２ＮＲ^１６Ｒ^１７で表される置換されていてもよいスルファモイル基；−ＳＯ_３Ｒ^１８で表される置換されていてもよいスルホン酸エステル基；−ＳＯＲ^１９で表される置換されていてもよいスルフィニル基の各々の好ましい具体例を以下に示す。
【００２９】
アシル基（−ＣＯＲ^５）
【化６】

【００３０】
カルボン酸エステル基（−ＣＯＯＲ^６）
【化７】

【００３１】
カルバモイル基（−ＣＯＮＲ^７Ｒ^８）
【化８】

【００３２】
アシルオキシ基（−ＯＣＯＲ^９）
【化９】

【００３３】
アミノ基（−ＮＲ^１０Ｒ^１１）
【化１０】

【００３４】
アシルアミノ基（−ＮＨＣＯＲ^１２）
【化１１】

【００３５】
カーバメート基（−ＮＨＣＯＯＲ^１３）
【化１２】

【００３６】
スルホンアミド基（−ＮＨＳＯ_２Ｒ^１４）
【化１３】

【００３７】
スルホニル基（−ＳＯ_２Ｒ^１５）
【化１４】

【００３８】
スルファモイル基（−ＳＯ_２ＮＲ^１６Ｒ^１７）
【化１５】

【００３９】
スルホン酸エステル基（−ＳＯ_３Ｒ^１８）
【化１６】

【００４０】
スルフィニル基（−ＳＯＲ^１９）
【化１７】

【００４１】
環Ａの置換基として例示した上述の置換基は、そのアルキル鎖部分、即ち、上述の直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、直鎖又は分岐のアルコキシ基、直鎖又は分岐のアルキルチオ基、Ｒ^５〜Ｒ^１９が示す直鎖、分岐又は環状のアルキル基が、以下の置換基で置換されていてもよい。また、環Ａの置換基として例示したアリール基部分については、更に環Ａと同様の置換基で置換されていてもよい。
【００４２】
［環Ａの置換基のアルキル鎖部分に置換し得る置換基］
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基；2-チエニル基、2-ピリジル基、4-ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、n-プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等
【００４３】
以下において、上記環Ａの置換基のアルキル鎖部分に置換し得る置換基として例示した置換基を「置換基群Ｚ」と称す場合がある。
【００４４】
環Ａに結合する置換基として好ましいものは、置換されていてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよい炭素数６〜１８のアリール基、置換されていてもよい炭素数７〜２４のアラルキル基、置換されていてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ^５で表されるアシル基、−ＣＯＯＲ^６で表されるカルボン酸エステル基、−ＣＯＮＲ^７Ｒ^８で表されるカルバモイル基、−ＯＣＯＲ^９で表されるアシルオキシ基、−ＮＲ^１０Ｒ^１１で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ^１２で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ^１３で表されるカーバメート基、−ＮＨＳＯ_２Ｒ^１４で表されるスルホンアミド基、−ＳＯ_２Ｒ^１５で表されるスルホニル基、−ＳＯ_２ＮＲ^１６Ｒ^１７で表されるスルファモイル基である。
【００４５】
環Ａの置換基Ｒ^０は、−ＯＲ^ａ、−ＳＲ^ｂ又は−ＮＲ^１Ｒ^２であり、置換アミノ基−ＮＲ^１Ｒ^２のＲ^１、Ｒ^２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、−ＯＲ^ａのＲ^ａ、−ＳＲ^ｂのＲ^ｂは、水素原子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｒ^１とＲ^２とは相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよい。また、Ｒ^１と環Ａとが結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、Ｒ^２と環Ａとが結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよい。これらの環には更に置換基が結合していてもよい。また、Ｒ^ａと環Ａとが結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、Ｒ^ｂと環Ａとが結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよい。これらの環にも更に置換基が結合していてもよい。
【００４６】
これらＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂとしては、好ましくは、炭素数１〜１２の置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数６〜１８の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜２０の置換されていてもよいアラルキル基、Ｒ^１とＲ^２とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜６員環（これらの環は置換基を有していてもよい）、Ｒ^１及びＲ^２の一方もしくは双方が環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜６員環（これらの環は置換基を有していてもよい）、或いはＲ^ａ又はＲ^ｂが環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜６員環（これらの環は置換基を有していてもよい）が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基が有していてもよい置換基としては、［環Ａの置換基のアルキル鎖部分に置換し得る置換基］として例示した前記置換基群Ｚが挙げられる。
【００４７】
Ｒ^１、Ｒ^２のアルキル基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に好ましくは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基である。また、Ｒ^１とＲ^２とは、相互に結合して、他のヘテロ原子を１ないし複数個含んでいてもよい環を形成していてもよい。このようにして形成される環は５〜６員環が好ましい。更にＲ^１及びＲ^２の一方もしくは双方が環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環、好ましくは５〜６員環を形成していてもよい。更にこれらのＲ^１及びＲ^２が結合して形成される環や、Ｒ^１、Ｒ^２が環Ａと結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。このような置換基の代表的なものは炭素数１〜６の低級アルキル基である。
【００４８】
−ＮＲ^１Ｒ^２が非環構造の例としては、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基及びこれらが前述の置換基群Ｚの例示置換基で置換されたものなどが挙げられる。また、−ＮＲ^１Ｒ^２が環構造の例としては、環Ａをベンゼン環で例示すると以下に示すものが挙げられる（但し、ここで環に結合する置換基は省略されている。また、環Ａはベンゼン環で例示されているが何らベンゼン環に限定されるものではない。）。
【００４９】
【化１８】

【００５０】
Ｒ^１、Ｒ^２のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１８のものが好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基を有していてもよい。
【００５１】
Ｒ^１、Ｒ^２のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のもの好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基を有していてもよい。
【００５２】
Ｒ^ａのアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に好ましくは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基である。
【００５３】
Ｒ^ａのアリール基としてはフェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１８のものが好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基、即ち前記置換基群Ｚを有していてもよい。
【００５４】
Ｒ^ａのアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のものが好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基、即ち前記置換基群Ｚを有していてもよい。
【００５５】
また、Ｒ^ａは環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環、好ましくは５〜６員環を形成してもよい。更にこれらのＲ^ａが環Ａと結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。このような置換基の代表的なものは炭素数１〜６の低級アルキル基である。
【００５６】
Ｒ^ｂのアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に好ましくは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基である。
【００５７】
Ｒ^ｂのアリール基としてはフェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１８のものが好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基、即ち前記置換基群Ｚを有していてもよい。
【００５８】
Ｒ^ｂのアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のものが好ましく、これらの芳香族環は環Ａと同様の置換基、即ち前記置換基群Ｚを有していてもよい。
【００５９】
また、Ｒ^ｂは環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環、好ましくは５〜６員環を形成してもよい。更に、これらのＲ^ｂが環Ａと結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。このような置換基の代表的なものは炭素数１〜６の低級アルキル基である。
【００６０】
Ｒ^ａ，Ｒ^ｂが環Ａと結合して形成される環構造の例としては、以下に示すものがあげられる（但し、環に結合する置換基は省略されている。また、環Ａはベンゼン環で例示されているが、何らベンゼン環に限定されるものではない。）。
【００６１】
【化１９】

【００６２】
アルデヒドヒドラゾン基−ＣＨ＝ＮＮＲ^３Ｒ^４のＲ^３、Ｒ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、Ｒ^３、Ｒ^４とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、これらの環に更に置換基が結合していてもよい。
【００６３】
これらのＲ^３、Ｒ^４のアルキル基、アリール基、アラルキル基が有していてもよい置換基としては、［環Ａの置換基のアルキル鎖部分に置換し得る置換基］として例示した前記置換基群Ｚが挙げられる。
【００６４】
Ｒ^３、Ｒ^４としては、炭素数１〜１２の置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数６〜１８の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜２０の置換されていてもよいアラルキル基が挙げられる。これらのうち、好ましいものは、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基である。また、Ｒ^３とＲ^４とは、相互に結合して、他のヘテロ原子を１ないし複数個含んでいてもよい環を形成していてもよい。このようにして形成される環は５〜７員環が好ましい。更にこれらのＲ^３及びＲ^４が結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。この場合、Ｒ^３とＲ^４で形成される環に結合する置換基の代表的なものは炭素数１〜６の直鎖又は分岐の低級アルキル基である。
【００６５】
−ＮＲ^３Ｒ^４が非環構造の例としては、前述のＲ^１とＲ^２同様にアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基又はこれらが前述の置換基群Ｚの例示置換基で置換されたものなどが挙げられる。また、−ＮＲ^３Ｒ^４が環構造の例としては、環Ａをベンゼン環で例示すると以下に示すものが挙げられる（但し、ここで環に結合する置換基は省略されている。また、環Ａはベンゼン環で例示されているが何らベンゼン環に限定されるものではない。）。
【００６６】
【化２０】

【００６７】
一般式［Ｉ］で示される化合物（以下「化合物［Ｉ］」と称す場合がある。）は、好ましくは一般式［II］で示されるものであり、その好ましい例としては、下記の化合物（１）〜（５２）が挙げられる。
【００６８】
【化２１】

【００６９】
【化２２】

【００７０】
【化２３】

【００７１】
【化２４】

【００７２】
【化２５】

【００７３】
【化２６】

【００７４】
【化２７】

【００７５】
【化２８】

【００７６】
【化２９】

【００７７】
このような本発明に係る化合物［Ｉ］は、例えば該化合物［Ｉ］を含む溶液から記録層を成膜する際の薄膜形成性に優れていることから、光学記録媒体の記録層に使用する色素として極めて有用である。また、本発明に係る化合物［Ｉ］は、該化合物［Ｉ］を含有する記録層がより短い波長（350nm〜530nm）領域にレーザー光による記録・再生に適した強度の吸収を有しているため、短波長レーザーに対応する記録・再生用光学記録媒体に使用する色素として、極めて有用である。
【００７８】
前記一般式[Ｉ]で示される本発明に係る化合物［Ｉ］の合成法は特に限定されるものではないが、例えば、一般式［II］で表される化合物であれば、一般的にはｐ−アミノ置換ベンズアルデヒドとＮ，Ｎ置換ヒドラジン化合物等を、アルコールやトルエンなどの溶媒中で還流することにより得られる。
【００７９】
次に、本発明の光学記録媒体について説明する。
【００８０】
本発明の光学記録媒体は少なくとも、基板と、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物を含有する記録層とから構成される。更に、必要に応じて下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。
【００８１】
好ましい層構成の一例としては、基板の上に記録層を設け、その上に更に反射層、保護層をこの順に積層した、高反射率の媒体が挙げられる。この場合、基板側からレーザー光を照射して、情報の記録・再生を行なうことになる（媒体構造例１）。
【００８２】
以下、こうした構造の媒体（媒体構造例１）を例にとりながら、本発明の光学記録媒体について説明する。なお、以下の記載では、説明の便宜上、積層時に保護層が存在する側及び基板が存在する側を、それぞれ上方及び下方とみなし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面と呼ぶことにする。
【００８３】
本発明の光学記録媒体における基板は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材質であればよく、様々な材質を用いたものを使用することができる。具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂製の基板、ガラス製の基板、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた基板等が挙げられる。
【００８４】
中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性などの観点からは、射出成型ポリカーボネート製の基板が好ましい。また、耐薬品性、耐吸湿性などの観点からは、非晶質ポリオレフィン製の基板が好ましい。更に、高速応答などの観点からは、ガラス製の基板が好ましい。
【００８５】
樹脂製の基板を使用した場合、又は、記録層と接する側（上面側）に樹脂層を設けた基板を使用した場合には、その樹脂製基板又は樹脂層の上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００８６】
基板の上側に直接、又は必要に応じて基板上に設けた下引き層等の上側に、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物を含む記録層を形成する。
【００８７】
記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法（スピナー法）、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層が得られるという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。
【００８８】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層を形成する場合に、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物を溶解させて基板に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板を侵食しない溶媒であれば特に限定されない。このような塗布触媒としては、例えばジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。
【００８９】
真空蒸着法を用いる場合には、例えば、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物と、必要に応じて他の色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−２〜１０^−５Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層を形成する。
【００９０】
また、記録層には、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物に加えて、安定性や耐光性の向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
【００９１】
更に記録層には、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物に加え、必要に応じて他系統の色素を併用することもできる。他系統の色素としては、主として記録用レーザーの発振波長域に適度な吸収を有するものであればよく、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒ等に使用され、７７０〜８３０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する近赤外レーザーを用いた記録・再生に適する色素や、ＤＶＤ−Ｒ等に使用され、６２０〜６９０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する赤色レーザーを用いた記録・再生に適する色素等を、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物と併用して記録層に含有させることにより、異なる波長帯域に属する複数種のレーザー光を用いた記録・再生に対応する光学記録媒体を製造することもできる。
【００９２】
前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物以外の他系統の色素としては、含金属アゾ系色素、ベンゾフェノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
【００９３】
更に、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【００９４】
記録層中には、前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物を２種以上含んでいても良く、上述のように、他系統の色素や他の成分を含んでいても良いが、記録層中に含まれる色素の含有量は６０重量％以上であることが好ましく、８０重量％以上であればより好ましい。記録層中に含まれる色素総量における前記一般式［Ｉ］，好ましくは一般式［II］で表される化合物の割合は８０重量％以上が好ましく、９０重量％以上であればより好ましい。
【００９５】
記録層の膜厚は、記録方法などにより適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも５ｎｍ以上であり、好ましくは１０ｎｍ以上である。但し、あまり厚すぎても記録が良好に行えなくなるおそれがあり、通常４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。
【００９６】
記録層の上には、反射層を形成する。その膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００９７】
反射層の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えばＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層の材料として適している。また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えばＭｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄなどの金属及び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。例えば、ＡｇにＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＮｄから選ばれる一種以上を０．１〜５原子％程度含有させた合金は、高反射率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。このようなものとしては、例えばＡｇＰｄＣｕ合金、ＡｇＣｕＡｕ合金、ＡｇＣｕＡｕＮｄ合金、ＡｇＡｕＮｄ合金、ＡｇＣｕＮｄ合金等が挙げられる。金属以外の材料としては、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、これを反射層として用いることも可能である。
【００９８】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【００９９】
反射層の上に形成する保護層の材料は、反射層を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。
【０１００】
保護層に熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層の上に塗布して乾燥させれば、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層の上に塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。
【０１０１】
保護層の形成方法としては、記録層と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層の形成に時間がかかったりコストが高くなる虞があるので通常１００μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下である。
【０１０２】
以上、光学記録媒体の層構造として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層して成る媒体構造例１を例に採って説明したが、本発明の光学記録媒体は、前述した如く、この他の層構造を採っても構わない。
【０１０３】
例えば、反射層が無い構成でも記録光や再生光に対して十分な反射率が得られるならば、反射層は設けないほうが好ましい。この場合には、反射層の材料及び成膜コストを削減できるメリットがある。これにより、スパッタ法を使用することなく、記録層と保護層をスピンコート法などの塗布法によって設けることで、媒体を安価に製造できるメリットがある。
【０１０４】
また例えば、媒体構造例１の層構造における保護層の上面に、又は媒体構造例１の層構造から保護層を省略して反射層の上面に、更に別の基板を貼り合わせてもよい。この際の基板は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層など任意の層を有するものでも良い。また、同じく媒体構造例１の層構造を有する光記録媒体や、媒体構造例１の層構造から保護層を省略した光学記録媒体を、それぞれの保護層及び／又は反射層の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。
【０１０５】
更に、本発明の好ましい光学記録媒体の層構成の一例としては、基板の上に反射層を設け、その上にさらに記録層、保護被膜をこの順に積層した媒体（媒体構造例２）が挙げられる。この場合、保護被膜を通してレーザー光を照射して、情報の記録・再生を行うことになる。
【０１０６】
この保護被膜は、フィルム又はシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよいし、あるいは前述の保護層と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することにより形成しても良い。保護被膜の厚みは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層の形成に時間がかかったりコストが高くなる虞があるので通常３００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。
【０１０７】
このような層構成においても、記録層、反射層などの各層は通常、前述の媒体構造例１と同様のものを用い得る。但し、本層構成では基板は透明である必要はなく、従って、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、金属（合金を含む）などからなる基板を用い得る。
【０１０８】
このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。
【０１０９】
ところで、光学記録媒体の記録密度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口数を上げることがある。これにより情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レンズの開口数を上げると、記録・再生を行うためにレーザー光を照射した際に、光学記録媒体の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。
【０１１０】
このような収差は、レーザー光が透過する透明基板や保護被膜の膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板は光学記録媒体の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、媒体構造例２（基板、反射層、記録層、薄い保護被膜なる基本的層構成の光学記録媒体）を採用するのが好ましい。媒体構造例１の基板を薄くするのに比べると、媒体構造例２の保護被膜は薄くしやすいため、好ましくは媒体構造例２を用いる。
【０１１１】
なお媒体構造例２においても、反射層が無い構成で記録光や再生光に対して十分な反射率が得られるならば、反射層は設けないほうが好ましい。この場合には、前述の如く、反射層の材料及び成膜コストを削減できるメリットがある。これにより、スパッタ法を使用することなく、記録層と保護層をスピンコート法などの塗布法によって設けることで、媒体を安価に製造できるメリットがある。
【０１１２】
但し、媒体構造例１（透明基板、記録層、反射層、保護層なる基本的層構成の光学記録媒体）であっても、記録・再生用レーザー光が通過する透明基板の厚みを５０〜３００μｍ程度にまで薄くすることで、収差を小さくして使用できるようになる。
【０１１３】
また、他の各層の形成後に、記録・再生レーザー光の入射面（通常は基板の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよく、記録・再生レーザー光の入射面ではない面（通常は反射層や保護層の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。
【０１１４】
本発明の光学記録媒体において、情報の記録・再生のために使用するレーザー光は、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に波長３５０〜５３０ｎｍのレーザー光が好ましい。かかるレーザー光の代表例として、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。
【０１１５】
３５０〜５３０ｎｍのレーザー光は、４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザーを使用することによって得られるが、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザー、及び（ｂ）半導体レーザーによって励起される基本発振波長７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーの何れかの発振レーザー光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。
【０１１６】
上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザーの場合には、その基本発振波長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザー励起の固体レーザーの場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ_６結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられる。
【０１１７】
本発明の光学記録媒体に対して情報の記録を行なう際には、記録層に対して（通常は基板側から基板を透過させ）、通常、０．４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射する。記録層のレーザー光が照射された部分は、レーザー光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形を起こすため、光学的特性が変化する。
【０１１８】
記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層に対して（通常は記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザー光を照射する。記録層において、光学的特性の変化が起きた部分（すなわち、情報が記録された部分）の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより、情報の再生が行なわれる。
【０１１９】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらの実施例によって限定されるものではない。
【０１２０】
実施例１
ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド０．７５ｇ（５ｍｍｏｌ）と１−アミノ−４−メチルピペラジン０．５８ｇ（５ｍｍｏｌ）をエタノール２０ｍｌ中に溶解し、湯浴中で１８時間撹拌しながら還流させた。その後反応液を冷却し、溶液に水５０ｍｌを添加して３０分撹拌し、固体を析出させた。固体は濾別して水洗いした後、乾燥させて、前記例示化合物（１）で表される化合物１．０１ｇ（収率８２％）を得た。
【０１２１】
この例示化合物（１）で示される化合物（クロロホルム中でのλmax＝３１８ｎｍ、モル吸光係数は２．５×１０⁴）を乳酸メチルに溶解し、１．０ｗｔ％溶液とした。この溶液を濾過し、濾液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法（回転数約500rpm）により塗布した。塗布後、１００℃で３０分間乾燥して記録層を形成した。
【０１２２】
実施例２
ｐ−ジフェニルアミノベンズアルデヒドとジフェニルヒドラジンとを用い、実施例１と同様に例示化合物（２）で表される化合物（クロロホルム中でのλmax＝３７９ｎｍ、モル吸光係数は３．８×１０⁴）を得、この例示化合物（２）を３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンに溶解し、１．０ｗｔ％溶液とした。この溶液を濾過し、濾液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法（回転数約500rpm）により塗布した。塗布後、１００℃で３０分間乾燥して記録層を形成した。
【０１２３】
実施例３〜９
実施例１，２と同様の方法で、表１に示す例示化合物を合成し、合成した化合物を表１に示す塗布溶媒に溶解して、同様に記録層を形成した。
【０１２４】
実施例１０
（ａ）製造例
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）８．０４ｇ（０．０１１ｍｏｌ）を氷浴中で冷却し、その中にオキシ塩化リン４．６ｇ（０．０３ｍｏｌ）を１０℃以下に保ちながら滴下した。次いで下記構造式▲１▼で示されるＮ−メチルテトラハイドロキノリン４．４２ｇ（０．０３ｍｏｌ）を１０℃以下を保つように滴下した。反応液は室温で１時間撹拌した後、温浴中６０〜７０℃で１．５時間撹拌した。反応液は冷却後、氷水２００ｍｌ中にあけて、飽和酢酸ナトリウム水溶液で中和した。
【０１２５】
【化３０】

【０１２６】
析出した油状物はトルエン２５０ｍｌで抽出し、抽出液を水洗した後、硫酸ナトリウムを入れて一晩静置した。その後、抽出液を濾過した後、エバポレーターで溶媒を留去し、下記構造式▲２▼で示される化合物４．７ｇを得た（収率８９．６％）。
【０１２７】
【化３１】

【０１２８】
上記▲２▼で示される化合物１．３１ｇ（７．５ｍｍｏｌ）と１−メチル−１−フェニルヒドラジン０．９２ｇ（７．５ｍｍｏｌ）をエタノール２５ｍｌ中に溶解し、１６時間還流させた。反応液は冷却後、濾過して析出した固体を濾別した。この固体をメタノール３０ｍｌ中に懸濁させて３０分間撹拌した後、真空中で乾燥させて例示化合物（４３）１．２６ｇ（収率６０．３％）を得た。
【０１２９】
（ｂ）記録媒体例
この例示化合物（４３）で示される化合物（クロロホルム中でのλmax＝３６５ｎｍ、モル吸光係数は３．１×１０⁴）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１．０ｗｔ％溶液とした。この溶液を濾過し、濾液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法（回転数約500rpm）により塗布した。塗布後、１００℃で３０分間乾燥して記録層を形成した。
【０１３０】
（ｃ）評価用ディスクの作製例
前述の例示化合物（４３）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、０．６ｗｔ％に調整した。これを濾過してできた溶解液をトラックピッチ４２５ｎｍ、溝幅１６３ｎｍ、溝深さ９０ｎｍの溝を持つ直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板に滴下し、スピンコート法により塗布した。なお、塗布は、回転数６００ｒｐｍから４９００ｒｐｍへ２５秒かけて回転数を上げ、４９００ｒｐｍで５秒間保持して行った。更に１００℃で３０分間乾燥し、記録層とした。次いで、スパッタリング法にて銀合金を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射層を形成した。その後、ＵＶ硬化性樹脂からなる保護コート剤をスピンコート法により塗布し、ＵＶ光を照射して厚さ５μｍの保護層を形成させた。更に、遅延硬化型接着剤を用いて、保護層のある面に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を接着して、評価用ディスクを作成した。
【０１３１】
（ｄ）記録例
前記評価用ディスクを線速度５．７ｍ／ｓｅｃで回転させながら、波長４０５ｎｍ（対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５）のレーザー光で、８Ｔマーク／８Ｔスペースの単一周波数信号を溝上に記録した。なお、Ｔは、周波数６６ＭＨｚに対応する基準クロック周期である。記録パルスストラテジーとして、分割パルス数はマーク長をｎＴとして（ｎ−１）、先頭記録パルス幅２Ｔ、後続記録パルス幅０．６Ｔ、バイアスパワー０．２ｍＷ、再生パワー０．２ｍＷ、記録パワーを可変とした。その結果、１２ｍＷで変調度２５．３％の信号が記録できた。変調度は、パルスストラテジーなど記録条件の最適化によって、より大きな値にすることができると考えられる。
【０１３２】
実施例１１〜１４
同様の方法で、例示化合物（４４）〜（４７）を合成し、合成した化合物を表１に示す塗布溶媒に溶解して、同様に表１に示す記録層を形成した。
【０１３３】
実施例１〜１４で合成した化合物のクロロホルム溶液中での最大吸収波長、モル吸光係数及び記録層の最大吸収波長を測定し、結果を表１に示した。
【０１３４】
【表１】

【０１３５】
また、実施例５で合成した例示化合物（５）のクロロホルム溶液中での吸収スペクトル及び記録層の吸収スペクトルをそれぞれ図１，２に示した。
【０１３６】
実施例１５
前述の実施例で使用した各化合物のうち、波長405nmの青色レーザーでの記録に特に適すると思われる例示化合物（２）〜（７）について、記録層の保存安定性を検証した。
【０１３７】
実施例２〜７で作成した記録層を有する基板（以下、サンプルと称す）につき、最大吸収波長における吸収強度を測定後、各々、８５℃、相対湿度８５％の条件下、恒温恒湿漕内に２００時間静置した。その後、各サンプルにおける記録層の吸収スペクトルを測定し、保存安定性試験前の吸収強度との比較を行った。
【０１３８】
測定の結果を表２に示す。多くの色素で元のスペクトルに対して、９０％以上吸収を保っており、その形状にも変化がないことから、これらの色素が強い保存安定性を有する化合物であるといえる。
【０１３９】
なお図２において、実線は例示化合物（５）からなる記録層の保存安定性試験前のスペクトル、点線が保存安定性試験を行った後のスペクトルを表す。
【０１４０】
【表２】

【０１４１】
表１，２及び図１，２より、実施例１〜１４で形成された記録層は、そのλmax値より、例えば中心波長４０５ｎｍの半導体レーザーによる記録・再生が可能であることが明らかである。
【０１４２】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば波長３５０〜５３０ｎｍの青色半導体レーザー光のような短波長レーザーに対応する有機色素系記録・再生用光学記録媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例５で合成した例示化合物（５）のクロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
【図２】実施例５で合成した例示化合物（５）より形成した記録層の吸収スペクトルである。

Claims

基板上にレーザーによる情報の記録及び再生が可能な、厚さ１μｍ以下の記録層が設けられている光学記録媒体において、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示される化合物を含有する光学記録媒体に対して、波長が３５０〜５３０ｎｍのレーザー光を用いて情報の記録を行うことを特徴とする光学記録方法。

（［Ｉ］式中、環Ａはベンゼン環を表し、
Ｒ^０は−ＯＲ^ａ、−ＳＲ^ｂ又は−ＮＲ^１Ｒ^２を表し、
Ｒ^３、Ｒ^４は各々独立に、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、これらの環に更に置換基が結合していてもよい。
Ｒ^０の表す−ＯＲ^ａ、−ＳＲ^ｂ又は−ＮＲ^１Ｒ^２の、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、水素原子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^ａ又はＲ^ｂは各々環Ａと結合して、他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、これらの環には更に置換基が結合していてもよい。
Ｒ^１、Ｒ^２は各々独立に水素原子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、或いは置換されていてもよいアラルキル基を表す。但し、Ｒ^１とＲ^２とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成するか、Ｒ^１及びＲ^２の一方もしくは双方が環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよく、これらの環には更に置換基が結合していてもよい。）
請求項１において、一般式［Ｉ］で表される化合物が下記一般式［II］で表されることを特徴とする光学記録方法。

（［II］式中、環Ａ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は一般式［Ｉ］におけると同義である。）
請求項２において、一般式［II］におけるＲ^１、Ｒ^２が各々独立に、炭素数１〜１２の置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数６〜１８の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜２０の置換されていてもよいアラルキル基、Ｒ^１とＲ^２とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜６員環（これらの環は置換基を有していてもよい）、或いはＲ^１及びＲ^２の一方もしくは双方が環Ａと結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜６員環（これらの環は置換基を有していてもよい）を表すことを特徴とする光学記録方法。
請求項１ないし３のいずれか１項において、一般式［Ｉ］又は［II］におけるＲ^３、Ｒ^４が各々独立に、炭素数１〜１２の置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数６〜１８の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜２０の置換されていてもよいアラルキル基、或いはＲ^３とＲ^４とが相互に結合して他のヘテロ原子を含んでいてもよい形で形成する５〜７員環（これらの環は置換基を有していてもよい）を表すことを特徴とする光学記録方法。