JP2005205907A - 光学記録媒体および色素 - Google Patents

Abstract

【課題】 短波長のレーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能である光学記録媒体を提供すること。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられ、光が照射されることにより情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有する光学記録媒体であって、記録層には、下記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物が含有される。
【化１】

（一般式［Ｉ］中、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ_１は、水素原子又は置換されてもよい炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｒ_６は、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、ｎ＝１〜４である。）
【選択図】 なし

Description

本発明は、光学記録媒体等に関し、より詳しくは、青色レーザに対応が可能な光学記録媒体等に関する。

現在、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＯ等の各種光学記録媒体は、大容量の情報を記憶でき、ランダムアクセスが容易であるために、コンピュータ等の情報処理装置における外部記憶装置として広く認知され普及している。これらの中で、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに代表される、有機色素化合物が含有される記録層を設けた有機色素系光記録媒体は、低コストで且つ製造も容易であるという点で、優位性を有するものと考えられている。
一方、取り扱われる情報量の増大により、媒体の記録密度を高めることが望まれ、近年、開発が著しい青色レーザ光等の発振波長の短いレーザ光を用いた高密度の記録再生可能な光学記録媒体が提唱されつつある。
しかし、一般に、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等として市販されている光学記録媒体の場合、例えば、ＣＤ−Ｒは波長７８０ｎｍ程度のレーザ光による記録・再生に適するように、またＤＶＤ−Ｒは波長６００〜７００ｎｍ程度のレーザ光による記録・再生に適するように設計されている。このような、比較的長波長のレーザ光を用いる光学的記録・再生用に適合する記録媒体では、より短波長のレーザ光を用いて記録・再生すると、反射率が低く記録・再生ができないという問題を有している。
このような光情報の記録再生に、短波長のレーザ光が用いられるのに伴い、光学記録媒体の記録層に使用される有機色素化合物についても、従来から使用されているレーザ光の波長より短い波長において吸収特性を有する色素が検討され、このような色素を記録層に用いた光学記録媒体が報告されている（特許文献１参照）。また、本出願人も、特定の分子構造のカルボスチリル化合物が記録層に含有される光学記録媒体について報告した（特許文献２参照）。

特開２００１−０９６９１８号公報 特開２００３−１２７５４２号公報

ところで、特許文献１又は特許文献２に記載されている光学記録媒体においては、７位にアミノ基を有するカルボスチリル化合物が色素として使用されているが、この色素が含有される記録層が製膜される際に結晶化しやすく、このために、光情報が十分に記録・再生されないという問題がある。
また、この色素が含有される塗布膜の吸収スペクトルでは、吸収極大波長（λｍａｘ）が３４５〜３７５ｎｍ程度に観察されるものの、吸収スペクトルの長波長側部分である４０５ｎｍ付近には、ほとんど吸収スペクトルが観察されないため、青色レーザ光に対する感度が低い傾向があるという問題がある。
このように、本発明は、短波長の青色レーザ光によって高密度の光情報の記録再生が行われる光学記録媒体を開発する際に浮き彫りになった問題を解決すべくなされたものである。
即ち、本発明の目的は、短波長のレーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能である光学記録媒体を提供することにある。

かかる課題を解決すべく、本発明では、分子中にアミノ基とヘテロ原子とを含む縮合環を有するカルボスチリル化合物を色素として使用している。即ち、本発明が適用される光学記録媒体は、基板と、基板上に設けられ、光が照射されることにより情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、記録層には、下記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物が含有されることを特徴とするものである。

（式［Ｉ］中、Ｘは酸素原子、硫黄原子又はＮＲ_７である。Ｒ_１、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基又は−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基である。Ｒ_１６は、炭化水素基又は複素環基である。Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基である。Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂは、独立して、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基である。ｎは、１〜４であり、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。ｎが２〜４の場合における複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂはそれぞれ互いに異なっていてもよい。但し、Ｒ_１〜Ｒ_７の中、隣接する置換基同士が結合した縮合環を形成していてもよい。）

本発明の光学記録媒体において、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、Ｒ_１、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基及び炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基からなる群から選ばれることが好ましい。

また、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、炭素数２〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基、−ＳＯ_２Ｒ_２５で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ_２６で表されるスルフィニル基、−ＳＯ_２ＮＲ_２７Ｒ_２８で表されるスルファモイル基、−ＳＯ_３Ｒ_２９で表されるスルホン酸エステル基及び−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基（但し、Ｒ_１６、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_２９、Ｒ_３０は、炭化水素基又は複素環基を表す。Ｒ_１７、Ｒ_１８、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２７、Ｒ_２８は、水素原子、炭化水素基又は複素環基を表す。）からなる群から選ばれ、Ｒ_１〜Ｒ_７のうち隣接する置換基同士が結合して縮合環を形成していてもよいことが好ましい。

さらに、上記のＲ_２、Ｒ_３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数８の環状アルキル基、炭素数７〜炭素数１２のアラルキル基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基及び−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基から選ばれることが好ましい。さらに、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、ｎが２〜３であることが好ましい。

また、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、Ｘが酸素原子あるいはＮＲ_７であることが好ましい。
また、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、ｎが２であることが好ましい。
また、７−アミノカルボスチリル化合物は、一般式［Ｉ］において、Ｘが酸素原子又はＮＲ_７であり、Ｒ_１は、水素原子、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１０の環状アルキル基であり、ｎが２であることが好ましい。
また、本発明の光学記録媒体において、情報の記録又は再生が行われる光は、波長が３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光であることが好ましい。

一方、本発明は、上記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物からなることを特徴とする色素として捉えられる。
また、本発明が適用される色素において、７−アミノカルボスチリル化合物は、上記一般式［Ｉ］において、Ｘは、酸素原子又はＮＲ_７である。Ｒ_１は水素原子もしくは炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基であり、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、ハロゲン原子あるいは炭素数７〜１２のアラルキル基、不飽和複素環、置換されてもよいアリール基である。、Ｒ_４、Ｒ_５は水素原子であり、Ｒ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立に、無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基もしくは環状アルキル基である。ｎは１〜４であり、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。ｎが２〜４の場合における複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂはそれぞれ互いに異なっていてもよい。但し、Ｒ_１〜Ｒ_７の中、隣接する置換基同士が結合した縮合環を形成していてもよい。さらにｎ＝２とすれば、化学的に安定な色素として使用することができる。

かくして本発明によれば、短波長のレーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能である光学記録媒体が提供される。

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態と記す）について詳細に説明する。
本実施の形態が適用される光学記録媒体に使用される上記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの青色光領域に適度の吸収を有し、青色レーザ光による記録に適する色素化合物である。
そのためには、まずかかる化合物が、光ディスクの色素に適切な溶媒に溶解する必要がある。従って、本発明の目的においては、「必要に応じて置換されていてもよい。」、「置換されてもよい」あるいは「任意の置換基」という記載の置換基の対象は、スルホン酸基やカルボン酸基などの水溶性基を含まない。さらに、記録再生光の波長において、適切な量の吸収がなければならない。上記の置換基は、上記の溶媒の溶解性や吸収の観点から適宜選択すればよい。
かかる７−アミノカルボスチリル化合物は、上記一般式［Ｉ］において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ_７を表す。ここでＲ_１、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立して水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基を表す。ここで、アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アシル基は、必要に応じて置換されてもよい。

一般式［Ｉ］において、Ｒ_１、Ｒ_６、Ｒ_７としては、水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、置換されてもよい炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基及び置換されてもよい炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基が好ましい。中でも特に好ましいものは、水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、置換されてもよい炭素数３〜炭素数１０の環状アルキル基、炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基が好ましい。
特にＲ_６、Ｒ_７は、アミノ基の電子供与性を増す事により長波長にλｍａｘがシフトするので、無置換の直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基であることが特に好ましい。しかし、炭素数が多すぎても波長的にはそれほど効果が見られず逆に吸収強度が下がる、生成物が固形化しないなどの問題もあるので、炭素数は１から８程度が特に好ましい。

Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して水素原子又は任意の置換基を表す。このような任意の置換基の例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜炭素数１８の環状アルケニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基等の炭素数６〜炭素数１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の炭素数３〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基が挙げられる。ここで、アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、環状アルケニル基、複素環基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基は、必要に応じて置換されてもよい。

Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５の他の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；ニトロソ基；シアノ基；イソシアノ基；シアナト基；イソシアナト基；チオシアナト基；イソチオシアナト基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ヒドロキシアミノ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基；−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基；−ＳＯ_２Ｒ_２５で表されるスルホニル基；−ＳＯＲ_２６で表されるスルフィニル基；−ＳＯ_２ＮＲ_２７Ｒ_２８で表されるスルファモイル基；−ＳＯ_３Ｒ_２９で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基が挙げられる。
これらの置換基は、必要に応じてさらに置換されてもよい。その場合、置換基の位置は特に限定されず、置換基の数も１〜４個の範囲で可能である。複数の置換基を有する場合、同種でも異なってもよい。

ここでＲ_１６、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_２９、Ｒ_３０は炭化水素基、又は複素環基を表し、Ｒ_１７、Ｒ_１８、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２７、Ｒ_２８は水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。ここで、炭化水素基、複素環基は、必要に応じて置換されてもよい。

このＲ_１６〜Ｒ_３０で表される炭化水素基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜炭素数１８の環状アルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜炭素数１８アリール基を表す。これらの基のアルキル鎖部分及びアリール基部分は後述するＲ_２〜Ｒ_５のアルキル鎖部分が有し得る置換基で更に置換されていてもよい。

また、Ｒ_１６〜Ｒ_３０で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ基、２−モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、２−フリル基、２−ピリジル基、２−チアゾリル基、２−キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよく、また結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環及びその２縮合環の芳香族複素環である。

具体的な化合物としては、アシル基（−ＣＯＲ_１６）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

アミノ基（−ＮＲ_１７Ｒ_１８）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

アシルアミノ基（−ＮＨＣＯＲ_１９）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

カーバメート基（−ＮＨＣＯＯＲ_２０）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

カルボン酸エステル基（−ＣＯＯＲ_２１）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

アシルオキシ基（−ＯＣＯＲ_２２）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

カルバモイル基（−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

スルホニル基（−ＳＯ_２Ｒ_２５）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

スルフィニル基（−ＳＯＲ_２６）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

スルファモイル基（−ＳＯ_２ＮＲ_２７Ｒ_２８）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

スルホン酸エステル基（−ＳＯ_３Ｒ_２９）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

スルホンアミド基（−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。

また、一般式［Ｉ］において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５としては、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜炭素数１８のアリール基、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ホルミル基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基、−ＳＯ_２Ｒ_２５で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ_２６で表されるスルフィニル基、−ＳＯ_２ＮＲ_２７Ｒ_２８で表されるスルファモイル基、−ＳＯ_３Ｒ_２９で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基が好ましい。

特に、一般式［Ｉ］において、Ｒ_２、Ｒ_３として、水素原子、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数８の環状アルキル基、炭素数７〜炭素数１２のアラルキル基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、飽和又は不飽和の単環又は２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基、−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基から選ばれることが特に好ましい。これらの置換基は、後述する塗布溶媒に対する溶解性を上げる効果（特にアルキル基部分を持つもの）や、色素のλｍａｘをより長波長にシフトさせることができる（アリール基、不飽和複素環、ハロゲン化アルキル基やシアノ基などの電子吸引性基）点、合成しやすい点で有用である。

前述した一般式［Ｉ］において、Ｒ_１〜Ｒ_７が示す直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、直鎖又は分岐のアルコキシ基、直鎖又は分岐のアルキルチオ基、及びＲ_１６〜Ｒ_３０が示すアルキル基のアルキル鎖部分は、更に置換基を有することがある。このような置換基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜炭素数１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜炭素数１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜炭素数１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜炭素数１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜炭素数１２のアルケニルオキシ基等が例示される。

更に、他の置換基として、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；メルカプト基；メチルメルカプト基、エチルメルカプト基等のアルキルチオ基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜炭素数１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜炭素数６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチルカロボニル基、エチルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基等のアルキルカルボニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル等の炭素数２〜炭素数７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜炭素数７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜炭素数７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。

一般式［Ｉ］において、Ｒ_１〜Ｒ_７のうち隣接する置換基同士が結合して飽和又は不飽和の縮合環を形成していてもよい。縮合環の構造としては５〜７員環構造の飽和の炭化水素環が好ましい。

また、一般式［Ｉ］において、ｎは１〜４を表し、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。例えば、ｎが１のときは、７＋２ｎ＝９となる。このため、Ａは８、Ｂは９となる。尚、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂは、言い換えれば、ｎ＝２〜４の場合は、異なる炭素原子に結合する複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂが存在することになるが、これら複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂは、それぞれ互いに同一であっても、異なっていてもよい。
具体的には、以下に示すような縮合環を形成する。

ｎ＝２、３、４においては７位のＮ（窒素原子）に近い炭素の方からＲ_８、Ｒ_９〜Ｒ_１５としている。この中でも好ましい環構造はｎ＝２〜３であり、特にｎ＝２が好ましい。この場合、化合物の合成が容易であり、また化学的に安定と考えられる。尚、このような縮合環におけるＲ_８〜Ｒ_１５は、水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基である。また、Ｒ_８〜Ｒ_１５は、前述した置換されてもよいアルキル基等（ただし、水酸基やシアノ基のように、合成を困難とする極性基は除く）で例示された置換基であってもよい。
Ｘは、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ_７を表す（Ｒ_７については、既に説明したとおりである。）これらのうち、工業的に合成しやすい点から好ましいのは、酸素原子、又はＮＲ_７である。合成しやすさの点で特に好ましいのは、酸素原子である。つまり、ｎとＸとの組み合わせとして最も好ましいのは、Ｘを酸素原子とし、ｎ＝２とすることである。

本実施の形態が適用される光学記録媒体に使用されるさらに好ましい７−アミノカルボスチリル化合物は以下のものである。即ち、上式［Ｉ］において、Ｘは、酸素原子又はＮＲ_７である。Ｒ_１は水素原子もしくは炭素数１〜４の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、ハロゲン原子、炭素数７〜１２のアラルキル基、不飽和複素環、置換されてもよいアリール基である。Ｒ_４、Ｒ_５は水素原子であり、Ｒ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立に、無置換の炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基もしくは環状アルキル基である。ｎは１〜４であり、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。ｎが２〜４の場合における複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂはそれぞれ互いに異なっていてもよい。但し、Ｒ_１〜Ｒ_７の中、隣接する置換基同士が結合した縮合環を形成していてもよい。さらに、ｎ＝２とすれば、化学的に安定な色素として使用することができる。

一般式［Ｉ］で表される化合物は、その分子量が、好ましくは１０００以下、特に好ましくは６００以下の化合物である。また好ましくは１８０以上、特に好ましくは２００以上である。この範囲内であれば、良好な記録特性を期待することが出来る。分子量が過度に大きいと、グラム吸光係数が減少してしまうため好ましくない。
一般式［Ｉ］で表される化合物の好ましい例として下記に示された（１）〜（６６）の化合物が挙げられる。

（合成方法）
本発明において請求書記載の化合物の合成方法については特に限定されるものではないが、キノリン環を合成する一般的な製法としては（便宜的にｎ＝２、Ｒ_７、Ｒ_８，Ｒ_９，Ｒ_１０を水素原子で表しておく）、
（１）ｍ（ｍｅｔａ）―フェニレンジアミン誘導体とβ―ケトエステル、マロン酸ジエチル誘導体との縮合反応

上記の反応の様にβ―ケトエステルのＲ_２，Ｒ_３の置換基の種類を変更することにより様々な置換基の導入が可能である。（ｒｅｆ．Ｊ．Ｏ．Ｃ．５６，３，９８０（１９９１）等）

またマロン酸ジエチル誘導体を用いてＲ_３＝ＯＨの化合物を合成することができる。
（２）２−置換ニトロベンゼンからの合成

ｒｅｆ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ，４８（１２），２００３（２０００）
（３）アセトアニリドのＶｉｌｓｍｅｉｅｒ反応

ｒｅｆ．Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏ．Ｃｈｅｍ．３１，７０１（１９９４）

ｒｅｆ．Ｊ．Ｃ．Ｓ．ｐｅｒｋｉｎ１，１５３７（１９８１）
等が知られている。
一方、Ｎ−Ｃ（ＲＡＲＢ）−Ｘで表される芳香族環の合成法としては、実施例１に記載の方法以外にも、０（ｏｒｔｈｏ）−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｌ誘導体とハロゲン化アルキルとの反応（Ｍｏｎａｔｓｃｈ． Ｃｈｅｍ． １２７，３０５−３１１（１９９６）、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，３８，１，５（１９９４）等でも合成することができる。

またＸ＝ＮＲ_７の環としては、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏ．Ｃｈｅｍ．２５，４７９（１９８８）にあるように３，４−ジフルオロニトロアニリンとエチレンジアミンから合成することができる。

Ｘ＝Ｓの環としては、アミノチオフェノールからの類似の合成するルートや、Ｊ．Ｏ．Ｃ．６０，２５９７（１９９５）にあるようなベンゾチアゾールから合成する方法等が考えられる。

次に、本実施の形態が適用される光学記録媒体について説明する。本実施の形態が適用される光学記録媒体は、少なくとも、基板と、一般式［Ｉ］で表される化合物を含有する記録層とから構成される。尚、必要に応じて、更に下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。図１は、本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図１（ａ）は、第１の実施の形態であり、図１（ｂ）は、第２の実施形態である。図１（ａ）に示される光学記録媒体１０は、光透過性材料からなる基板１と、基板１上に設けられた記録層２と、記録層２上に積層された反射層３及び保護層４とが順番に積層されている。光学記録媒体１０は、基板１側から照射されるレーザ光により、情報の記録・再生が行われる。
なお、説明の便宜上、光学記録媒体１０において、保護層４が存在する側を上方、基板１が存在する側を下方とし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面とする。

基板１は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材料であれば、様々な材料を使用することができる。具体的には、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に、非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂；ガラスが挙げられる。また、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた構造が挙げられる。中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性等の観点からは、射出成型法にて使用されるポリカーボネート樹脂、耐薬品性及び耐吸湿性等の観点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましい。更に、高速応答等の観点からは、ガラスが好ましい。

樹脂製の基板１を使用した場合、又は、記録層と接する側（上側）に樹脂層を設けた基板１を使用した場合には、上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体１０の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２〜１．２μｍ程度であることが好ましい。

記録層２は、基板１の上側に直接、又は必要に応じて基板１上に設けた下引き層等の上側に形成され、一般式［Ｉ］で表される化合物が含まれる。記録層２の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層２が得られるという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。

ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層２を形成する場合に、一般式［Ｉ］で表される化合物を溶解させて基板１に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板１を侵食しない溶媒であれば特に限定されない。具体的には、例えばジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。

真空蒸着法を用いる場合には、例えば、一般式［Ｉ］で表される化合物と、必要に応じて他の色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−２〜１０^−５Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層２を形成する。
また、記録層２には、一般式［Ｉ］で表される化合物に加えて、安定性や耐光性の向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。

なお、記録層２には、必要に応じて、一般式［Ｉ］で表される化合物を複数種類併用しても良い。更に、記録層２には、一般式［Ｉ］で表される化合物に加え、必要に応じて他系統の色素を併用することもできる。他系統の色素としては、主として記録用レーザ光の発振波長域に適度な吸収を有するものであればよく、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒ等に使用され、７７０〜８３０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する近赤外レーザ光を用いた記録・再生に適する色素や、ＤＶＤ−Ｒ等に使用され、６２０〜６９０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する赤色レーザ光を用いた記録・再生に適する色素等を、一般式［Ｉ］で表される化合物と併用して記録層２に含有させることにより、異なる波長帯域に属する複数種のレーザ光を用いた記録・再生に対応する光学記録媒体１０を製造することもできる。

一般式［Ｉ］で表される化合物以外の他系統の色素としては、含金属アゾ系色素、ベンゾフェノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
更に、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
記録層２の膜厚は、記録方法等により適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも１ｎｍ以上であり、好ましくは５ｎｍ以上である。但しあまり厚すぎても記録が良好に行えなくなるおそれがあり、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。

反射層３は、記録層２の上に形成されている。反射層３の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。反射層３の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層３の材料として適している。また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄ等の金属及び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。例えば、ＡｇにＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＮｄから選ばれる一種以上を０．１原子％〜５原子％程度含有させた合金は、高反射率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。具体的には、例えば、ＡｇＰｄＣｕ合金、ＡｇＣｕＡｕ合金、ＡｇＣｕＡｕＮｄ合金、ＡｇＣｕＮｄ合金等である。金属以外の材料としては、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、これを反射層３として用いることも可能である。
反射層３を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板１の上や反射層３の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。

保護層４は、反射層３の上に形成される。保護層４の材料は、反射層３を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布して乾燥させれば、保護層４を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層３の上に塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層４を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。

保護層４の形成方法としては、記録層２と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層４の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層４の形成に時間がかかったりコストが高くなる虞があるので通常１００μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下である。

上述したように、光学記録媒体１０の層構造として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層して成る構造を例に採って説明したが、この他の層構造を採っても構わない。
例えば、上例の層構造における保護層４の上面に、又は上例の層構造から保護層４を省略して反射層３の上面に、更に別の基板１を貼り合わせてもよい。この際の基板１は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層３等任意の層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を有する光学記録媒体１０や、上例の層構造から保護層４を省略した光学記録媒体１０を、それぞれの保護層４及び／又は反射層３の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。

次に、光学記録媒体の第２の実施の形態について説明する。図１（ｂ）は、光学記録媒体の第２の実施の形態を説明する図である。第１の実施の形態の光学記録媒体１０と共通する部分は同じ符号を付し、説明を省略する。図１（ｂ）に示される光学記録媒体２０は、光透過性材料からなる基板１と、基板１上に設けられた反射層３と、反射層３上に積層された記録層２及び保護被膜５とが順番に積層されている。光学記録媒体２０は、保護被膜５側から照射されるレーザ光により、情報の記録・再生が行われる。

保護被膜５は、フィルム又はシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよく、また、前述の保護層４と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することにより形成しても良い。保護被膜５の厚さは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚さが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護被膜５の形成に時間がかかったりコストが高くなるおそれがあるので通常３００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。尚、記録層２、反射層３等の各層は通常、前述の光学記録媒体１０と同様のものが用い得る。但し、本層構成では基板１は透明である必要はなく、従って、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、金属（合金を含む）等が用いられる。このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。

ところで、光学記録媒体１０，２０の記録密度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口数を上げることがある。これにより情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レンズの開口数を上げると、記録・再生を行うためにレーザ光を照射した際に、光学記録媒体１０，２０の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。
このような収差は、レーザ光が透過する透明基板や保護被膜の膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板１は光学記録媒体１０，２０の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、光学記録媒体２０の構造（基板１、反射層３、記録層２、保護被膜５なる基本的層構成の光学記録媒体２０）を採用するのが好ましい。光学記録媒体１０の基板１を薄くするのに比べると、光学記録媒体２０の保護被膜５は薄くしやすいため、好ましくは光学記録媒体２０を用いる。

但し、光学記録媒体１０の構造（基板１、記録層２、反射層３、保護層４なる基本的層構成の光学記録媒体１０）であっても、記録・再生用レーザ光が通過する透明な基板１の厚さを５０〜３００μｍ程度にまで薄くすることにより、収差を小さくして使用できるようになる。
また、他の各層の形成後に、記録・再生レーザ光の入射面（通常は、基板１の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよく、記録・再生レーザ光の入射面ではない面（通常は、反射層３や保護層４の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。

本実施の形態が適用される光学記録媒体１０，２０において、情報の記録・再生のために使用するレーザ光は、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光が好ましい。かかるレーザ光の代表例として、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザ光が挙げられる。
波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光は、波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザ光を使用することによって得られる。また、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ光、及び（ｂ）半導体レーザ光によって励起される基本発振波長７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザ光の何れかの発振レーザ光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。
尚、ＳＨＧとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体等が好ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザ光の場合には、その基本発振波長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザ光励起の固体レーザ光の場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ_６結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍ等が挙げられる。

本実施の形態が適用される光学記録媒体１０，２０に、情報の記録を行なう際には、記録層２に対して（通常は、基板１側から基板１を透過させ）、通常、０．４〜０．６μｍ程度に集束したレーザ光を照射する。記録層２のレーザ光が照射された部分は、レーザ光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形を起こすため、光学的特性が変化する。
記録層２に記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層２に対して（通常は、記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザ光を照射する。記録層２において、光学的特性の変化が起きた部分（すなわち、情報が記録された部分）の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより、情報の再生が行なわれる。

以下に実施例に基づき、本実施の形態をさらに具体的に説明するが、尚、本実施の形態はその要旨を越えない限り、これら実施例によって限定されるものではない。
（実施例１）
一般式［Ｉ］で示される化合物のうち、前述した例示化合物（５１）を以下のとおりに製造した。
（ａ）製造例
下記構造式［１］で示される２−ヒドロキシアセトアニリド３０．２３ｇ（０．２ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２００ｍｌ＋トルエン２５０ｍｌ溶媒中に懸濁させ、撹拌条件下、氷浴で反応容器を冷却し、０〜１０℃に保った。ここに水酸化ナトリウム３２ｇ（０．８ｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロマイド６ｇ（０．０１９ｍｏｌ）を添加し、上記［２］で示される１，２−ジブロモエタン１５０．４ｇ（０．８ｍｏｌ）を滴下した。その後氷浴中で１時間撹拌してから室温に戻して２８時間撹拌した。
反応液は水６００ｍｌ中に放出し、トルエン２００ｍｌを加えて有機層に抽出し、その後抽出水層にまたトルエン１５０ｍｌを加え回収し、混合させたトルエン層を水４００ｍｌで２回洗浄し、トルエン層に硫酸ナトリウムを加え、一晩静置した。
トルエン溶液は濾過後、エバポレーターで溶媒を留去させ下記化合物［３］２８．１７ｇ（収率７９．５％）を合成した。

次に、メタノール１２０ｍｌ＋水６０ｍｌ混合溶媒に水酸化ナトリウム３２ｇを加えて溶解させ、そこに得られた化合物［３］２８ｇのメタノール５０ｍｌ溶液を滴下し、滴下終了後反応液を４時間還流させた。
反応液は水２００ｍｌ中に放出し、トルエン３００ｍｌ加えて抽出し、その後水層にトルエン１１０ｍｌ加えて回収し、混合したトルエン溶液を水３００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムを加えて一晩静置した。
トルエン溶液は濾過後、エバポレーターで溶媒を留去させ下記化合物［４］１７．３６ｇ（収率８０．２％）を合成した。

得られた化合物［４］７．４ｇ（０．０５５ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドン６５ｍｌに溶解させ、ｎ−プロピルヨージド１１．１６ｇ（０．０６６ｍｏｌ）、炭酸カリウム４．５５ｇ（０．０３３ｍｏｌ）を加え、８０〜９０℃で８時間加熱した。反応液は冷却後、水１５０ｍｌ中に放出し、トルエン２００ｍｌで抽出した。抽出したトルエン層は水１００ｍｌで３回洗浄し、硫酸ナトリウムを加え、一晩静置した。
トルエン溶液は濾過後、エバポレーターで溶媒を留去し、下記化合物［５］９ｇ（収率９２．７％）を得ることが出来た。

得られた化合物［５］９ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を氷浴で１０℃以下に保った硫酸３０ｍｌ中に滴下した。別の容器で硫酸１２．７ｇを氷浴で１０℃以下に保ち、そこに６０％硝酸５．１７ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を滴下し、混酸を生成した。この混酸溶液を、化合物［５］が溶けている硫酸溶液に１０℃以下を保ちながら滴下し、その後１時間撹拌した。反応後、反応液は氷水１５０ｍｌ中に放出し、アンモニア水で中和した。中和後、ここにトルエン１００ｍｌ加えて抽出し、水層をトルエン１００ｍｌで再抽出し、混合した抽出層は水１００ｍｌで３回洗浄し、硫酸ナトリウムを加えて静置、濾過後エバポレーターで溶媒を留去し、シリカゲルカラムで精製（展開溶媒；ヘキサン／酢酸エチル）し、下記化合物［６］８．３３ｇ（収率７３．８％）を得た。

鉄粉１２．５８ｇ（０．２２ｍｏｌ）を水１２ｍｌ、酢酸１．６ｍｌ中に懸濁させ、８０℃に加熱した。ここに前述の［６］８．３３ｇ（０．０３７ｍｏｌ）のＩＰＡ２０ｍｌ溶液を７０〜８０℃に保ちながら滴下し、その後９０℃で１時間半加熱した。反応終了後、冷却し、炭酸カリウムを加え中和し、反応液を濾過して、鉄粉を取り除いた。濾液は水５０ｍｌを加え酢酸エチルで抽出（１００ｍｌ×３）し、硫酸ナトリウムを加えて静置し、濾過後エバポレーターで溶媒を留去して下記化合物［７］６．２９ｇ（粗収率８８％）を得た。

得られた化合物［７］５．０３ｇ（０．０２６ｍｏｌ）とアセト酢酸エチル３．４１ｇ（０．０２６ｍｏｌ）を撹拌条件下、１５０℃で８時間加熱した。反応物は冷却後、酢酸エチルを加えて撹拌し、濾別した。得られた固体は酢酸エチル中に懸濁させ撹拌し、濾過した。得られた固体は真空中で乾燥し、例示化合物（５１）に示される化合物４ｇ（収率５９．２％）を得た（付属の番号は命名則に基づいて表示）。

この例示化合物（５１）のクロロホルム中でのλｍａｘは３７９．５ｎｍ、モル吸光係数は２．５×１０^４であった。この化合物のマススペクトル（ＥＩ）を測定したところ、目的化合物と一致するｍ／ｚ＝２５８（Ｍ＋）を観測された。
また１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ（δ＝ｐｐｍ）２７０ＭＨｚ）を測定したところ、０．９（３Ｈ、ｔ、＞Ｎ−ＣＨ_２ＣＨ_２ ＣＨ _３）、１．６（２Ｈ、ｍ、＞Ｎ−ＣＨ_２ ＣＨ _２ＣＨ_３）、２．２（３Ｈ、ｓ、Ｍｅ−４）、３．２（２Ｈ、ｔ、Ｐｈ−Ｎ−ＣＨ _２ＣＨ_２Ｏ）、３．４（２Ｈ、ｔ、Ｐｈ−Ｏ−ＣＨ _２）、４．１（２Ｈ、ｔ、＞Ｎ−ＣＨ _２ＣＨ_２ＣＨ_３）、６．０（１Ｈ、ｓ、Ｈ−３）、６．５（１Ｈ、ｓ、Ｈ−８）、６．９（１Ｈ、ｓ、Ｈ−５）、１１．０（１Ｈ、ｓ、ＮＨ−１）と目的の化合物と一致するピークであった。

ＤＭＦ４０ｍｌ中に、この例示化合物（５１）３．４ｇ（０．０１３ｍｏｌ）、水酸化カリウム７．３９ｇ（０．１３ｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後ヨウ化メチル９．３４ｇ（０．０６５ｍｏｌ）を滴下し、室温で３時間撹拌した。
反応液に１５０ｍｌの水と酢酸エチル１５０ｍｌを加え撹拌、抽出して、水層を再度酢酸エチル５０ｍｌで抽出し、混合した有機層は水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムを加え静置した。濾過後、エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固形物をヘキサン中で懸濁させて撹拌して濾過、濾別した固体を真空中で乾燥させ、下記例示化合物（５２）２．９８ｇ（収率８２．６％）を合成した。この例示化合物（５２）のクロロホルム中でのλｍａｘは３８０．５ｎｍ、モル吸光係数は２．６×１０^４であった。

（ｂ）光学記録媒体の評価
前述の例示化合物（５２）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布（５００ｒｐｍ）し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３８４ｎｍであった。
また、このように形成した塗布膜上に、必要に応じてスパッタリング法にてＡｇ等を製膜して反射層を形成し、さらに紫外線硬化樹脂をスピンコート等にて塗布・ＵＶ照射により硬化させて保護層を形成し、光学記録媒体とすることができる。この光学記録媒体は、塗布膜のλｍａｘの値より、例えば中心波長４０５ｎｍの半導体レーザ光による記録再生が可能である。即ち、６位にヘテロ原子を持ち、７位のアミノ基と縮合したカルボスチリル化合物が、青色レーザ光の記録に対して、有効な構造の化合物であることが分かる。

（実施例２）
一般式［Ｉ］で示される化合物のうち、前述した例示化合物（５３）を以下のとおりに製造した。
（ａ）製造例
実施例１と同様の方法で、例示化合物（５３）を得ることが出来た。この例示化合物（５３）のクロロホルム中でのλｍａｘは３８０．５ｎｍ、モル吸光係数は２．４×１０^４であった。
（ｂ）光学記録媒体の評価
例示化合物（５３）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３８５ｎｍであった。結果を図２に示す。

尚、光学記録媒体は以下のとおり調製した。
前述の例示化合物（５３）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、０．９ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液をトラックピッチ４２５ｎｍ、溝幅１６３ｎｍ、溝深さ９０ｎｍの溝を持つ直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板に滴下し、スピナー法により塗布した。なお、塗布は、回転数６００ｒｐｍから４９００ｒｐｍへ２５秒かけて回転数を上げ、４９００ｒｐｍで５秒間保持して行った。更に１００℃で３０分間乾燥し、記録層とした。次いで、スパッタリング法にて銀合金を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射層を形成した。その後、ＵＶ硬化性樹脂からなる保護コート剤をスピナー法により塗布し、ＵＶ光を照射して厚さ５μｍの保護層を形成させた。更に、遅延硬化型接着剤を用いて、保護層のある面に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を接着して、評価用の光学記録媒体を調製した。

（ｃ）記録例
前述した評価用の光学記録媒体を線速度５．７ｍ／ｓｅｃで回転させながら、波長４０５ｎｍ（対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５）のレーザ光で、８Ｔマーク／８Ｔスペースの単一周波数信号を溝上に記録した。なお、Ｔは、周波数６６ＭＨｚに対応する基準クロック周期である。記録パルスストラテジーとして、分割パルス数はマーク長をｎＴとして（ｎ−１）、先頭記録パルス幅２Ｔ、後続記録パルス幅０．６Ｔ、バイアスパワー０．２ｍＷ、再生パワー０．２ｍＷ、記録パワーを可変とした。その結果、１２ｍＷで変調度２８．３％の信号が記録できた。変調度は、パルスストラテジー等記録条件の最適化によって、より大きくなると考えられる。

（実施例３〜実施例１５）
以下、前記の合成法と同様の方法で、例示化合物（５４）〜（６６）を合成し、実施例１と同様にして塗布膜を形成し塗布膜の吸収スペクトルを測定した。これらの化合物の溶液中での最大吸収波長、モル吸光係数、塗布膜での最大吸収波長を測定した。結果を表１に示す。
また、このように形成した塗布膜上に、必要に応じてスパッタリング法にてＡｇ等を製膜して反射層を形成し、さらに紫外線硬化樹脂をスピンコート等にて塗布・ＵＶ照射により硬化させて保護層を形成し、光学記録媒体とすることができる。この光学記録媒体は、塗布膜のλｍａｘの値より、例えば中心波長４０５ｎｍの半導体レーザ光による記録再生が可能である。即ち、６位にヘテロ原子を持ち、７位のアミノ基と縮合したカルボスチリル化合物が、青色レーザ光の記録に対して、有効な構造の化合物であることが分かる。

（比較例１）
比較のため、下記に示される化合物（８）を合成し、光学記録媒体としての評価を行った。
（ａ）製造例

ｍ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンより同様の方法で合成した上記化合物［８］は、クロロホルム中でのλｍａｘは３６８ｎｍ、モル吸光係数は２．５×１０^４であった。
（ｂ）光学記録媒体例
この化合物［８］をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布（５００ｒｐｍ）し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３７０．５ｎｍであり、良好な塗布膜のスペクトルが得られた。しかし、波長４０５ｎｍには吸収がなく、中心波長４０５ｎｍのレーザ光に対して記録が期待できないことが分かる。尚、スペクトルを図３に示した。即ち、７位のアミノ基を有するカルボスチリル化合物であっても、６位にヘテロ原子を有さない場合は、青色レーザ光の記録に対して、不十分な色素化合物であることが分かる。

（比較例２）
比較のため、下記に示される化合物（９）を合成し、光学記録媒体としての評価を行った。
（ａ）製造例

１，２，３，４−テトラハイドロキノリン（（株）東京化成品）を原料にして、同様の合成方法で得られた下記化合物［９］は、クロロホルム中でのλｍａｘは３７６ｎｍ、モル吸光係数は２．７×１０^４であった。
（ｂ）光学記録媒体例
化合物［９］をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布（５００ｒｐｍ）し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３５４ｎｍであり、低屈折率且つ低反射率のスペクトルが得られ、また、ディスク表面上がうすく白濁して結晶化が起きていた。尚、スペクトルを図４に示した。
即ち、７位のアミノ基を有するカルボスチリル化合物であっても、６位にヘテロ原子を有さない場合は、青色レーザ光の記録に対して、不十分な色素化合物であることが分かる。

（実施例１６）
（ａ）製造例
実施例１と同様の方法で、例示化合物（５８）を得ることが出来た。この例示化合物（５８）のクロロホルム中でのλｍａｘは３８４．５ｎｍ、モル吸光係数は２．４×１０^４であった。
（ｂ）光学記録媒体の評価
例示化合物（５８）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３８９．５ｎｍであった。結果を図５に示す。

尚、光学記録媒体は、以下のとおり調製した。
前述の例示化合物（５８）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、０．６ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液をトラックピッチ４２５ｎｍ、溝幅２００ｎｍ、溝深さ７０ｎｍの溝を持ち、これにＺｎＳ／ＳｉＯ_２をスパッタした直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板に滴下し、スピナー法により塗布した。なお、塗布は、回転数６００ｒｐｍから４９００ｒｐｍへ２５秒かけて回転数を上げ、４９００ｒｐｍで５秒間保持して行った。更に１００℃で３０分間乾燥し、記録層とした。次いで、スパッタリング法にて銀合金を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射層を形成した。その後、ＵＶ硬化性樹脂からなる保護コート剤をスピナー法により塗布し、ＵＶ光を照射して厚さ５μｍの保護層を形成させた。更に、遅延硬化型接着剤を用いて、保護層のある面に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を接着して、評価用の光学記録媒体を調製した。

（ｃ）記録例
前述した評価用の光学記録媒体を線速度５．７ｍ／ｓｅｃで回転させながら、波長４０５ｎｍ（対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５）のレーザ光で、１１Ｔマーク／１１Ｔスペースの単一周波数信号を溝上に記録した。なお、Ｔは、周波数６６ＭＨｚに対応する基準クロック周期である。記録パルスストラテジーとして、分割パルス数はマーク長をｎＴとして（ｎ−１）、先頭記録パルス幅２Ｔ、後続記録パルス幅０．６Ｔ、バイアスパワー０．２ｍＷ、再生パワー０．２ｍＷ、記録パワーを可変とした。その結果、９．９Ｗで変調度７２％の信号が記録できた。変調度は、パルスストラテジー等記録条件の最適化によって、より大きくなると考えられる。

（比較例３）
比較のため、下記に示される化合物［１０］を合成し、光学記録媒体としての評価を行った。
（ａ）製造例

上記３−アミノ−４−メトキシアセトアニリドと１，５−ジブロモペンタンを実施例１の化合物［４］とｎ−プロピルヨージドとの反応と同様の反応条件で環化して下記化合物を合成し、その後、

硫酸水溶液で加熱してアセチル基を加水分解して得られた３−ピペリジノ−４−メトキシアニリンを、前記実施例１の化合物［７］とアセト酢酸エチルとの反応と同様の条件で環化して下記化合物［１０］を得ることができた。

得られた上記化合物［１０］は、クロロホルム中でのλｍａｘは３７０，３５８ｎｍ、モル吸光係数は１．５×１０^４、１．６×１０^４であった。

（ｂ）光学記録媒体例
化合物［１０］をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布（５００ｒｐｍ）し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３５４．５，３７３ｎｍであり、酸素原子と縮合していない構造の化合物と比べてλｍａｘが短いため、４０５ｎｍに吸収を持たず、またεが低いため薄膜にした際の吸収も小さい。尚、スペクトルを図６に示した。
即ち、７位のアミノ基と６位のヘテロ原子を有するカルボスチリル化合物であっても、互いに縮合して環を形成する構造を有しない場合は、青色レーザ光の記録に対して、不十分な色素化合物であることが分かる。

（比較例４）
（ａ）製造例

上記２，３−ジメチルインドリンを前記実施例１の化合物［４］とｎ−プロピルヨージドとの反応と同様の反応条件で、イソプロピル化、その後も同様の条件でニトロ化、還元、環化を行い、

上記の化合物［１１］を得ることが出来た。この化合物［１１］のクロロホルム中でのλｍａｘは３７７ｎｍ、モル吸光係数は２．６×１０^４であった。

（ｂ）光学記録媒体の評価
例示化合物（５８）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１ｗｔ％に調整した。これを濾過して出来た溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成形型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３７８．５ｎｍであった。結果を実施例３の同スペクトルとあわせて図７に示す。
スペクトルを比較して分かるようにこの化合物の塗布膜のスペクトルでは４０５ｎｍの吸収がわずかしかないことが分かる。すなわち、７位のアミノ基と６位のヘテロ原子を有するカルボスチリル化合物が互いに縮合して環を形成する構造を有していても、一般式｛Ｉ｝のＸ＝炭素原子である場合には、実施例２、３（Ｘ＝酸素原子）で記録した化合物よりλｍａｘが短く、４０５ｎｍの吸収が小さいことにより、記録するために高パワーのレーザーで記録しなくてはならないことが明らかである。

本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図１（ａ）は、第１の実施の形態であり、図１（ｂ）は、第２の実施形態である。 実施例２における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。 比較例１における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。 比較例２における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。 実施例１６における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。 比較例３における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。 比較例４における塗布膜の吸収波長の測定スペクトルある。

符号の説明

１…基板、２…記録層、３…反射層、４…保護層、５…保護被膜、１０，２０…光学記録媒体

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられ、光が照射されることにより情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、
   前記記録層には、下記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物が含有されることを特徴とする光学記録媒体。
   

   

   （式［Ｉ］中、Ｘは酸素原子、硫黄原子又はＮＲ_７である。Ｒ_１、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基又は−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基である。Ｒ_１６は、炭化水素基又は複素環基である。Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基である。Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂは、独立して、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基である。ｎは、１〜４であり、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。ｎが２〜４の場合における複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂはそれぞれ互いに異なっていてもよい。但し、Ｒ_１〜Ｒ_７の中、隣接する置換基同士が結合した縮合環を形成していてもよい。）
2. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、Ｒ_１、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基及び炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
3. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１２の環状アルキル基、炭素数２〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜炭素数１８のアラルキル基、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基、−ＳＯ_２Ｒ_２５で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ_２６で表されるスルフィニル基、−ＳＯ_２ＮＲ_２７Ｒ_２８で表されるスルファモイル基、−ＳＯ_３Ｒ_２９で表されるスルホン酸エステル基及び−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基（但し、Ｒ_１６、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_２９、Ｒ_３０は、炭化水素基又は複素環基を表す。Ｒ_１７、Ｒ_１８、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２７、Ｒ_２８は、水素原子、炭化水素基又は複素環基を表す。）からなる群から選ばれ、Ｒ_１〜Ｒ_７のうち隣接する置換基同士が結合して縮合環を形成していてもよいことを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
4. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、Ｒ_２、Ｒ_３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数８の環状アルキル基、炭素数７〜炭素数１２のアラルキル基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ_１６で表されるアシル基、−ＮＲ_１７Ｒ_１８で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ_１９で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ_２０で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ_２１で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ_２２で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ_２３Ｒ_２４で表されるカルバモイル基及び−ＮＨＳＯ_２Ｒ_３０で表されるスルホンアミド基から選ばれることを特徴とする請求項３に記載の光学記録媒体。
5. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、ｎが２〜３であることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
6. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、Ｘが酸素原子あるいはＮＲ_７であることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
7. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、ｎが２であることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
8. 前記７−アミノカルボスチリル化合物は、前記一般式［Ｉ］において、Ｘが酸素原子又はＮＲ_７であり、Ｒ_１は、水素原子、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、Ｒ_６、Ｒ_７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１０の環状アルキル基であり、ｎが２であることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
9. 前記光が、波長が３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光であることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
10. 下記一般式［Ｉ］で示される７−アミノカルボスチリル化合物からなることを特徴とする色素。
    

    

    （式［Ｉ］中、Ｘは酸素原子又はＮＲ_７である。Ｒ_１は水素原子もしくは炭素数１〜４の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、ハロゲン原子、炭素数７〜１２のアラルキル基、不飽和複素環、アリール基である。Ｒ_４、Ｒ_５は水素原子であり、Ｒ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立に、無置換の炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基もしくは環状アルキル基である。Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基である。ｎは１〜４であり、Ｒ_ＡにおけるＡは８〜７＋２ｎのうちの偶数を表し、Ｒ_ＢにおけるＢは８〜７＋２ｎのうちの奇数を表わす。ｎが２〜４の場合における複数のＲ_Ａ、Ｒ_Ｂはそれぞれ互いに異なっていてもよい。但し、Ｒ_１〜Ｒ_７の中、隣接する置換基同士が結合した縮合環を形成していてもよい。）

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