JP3219037B2 - 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体 - Google Patents
金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体Info
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Description
属との金属キレート化合物および該金属キレート化合物
を用いた光学記録媒体に関するものである。
開発が進められ、従来の780nm、830nmよりも
短波長のレーザー光を用いたより高密度の記録再生可能
な光学記録媒体が求められている。従来提案されている
光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒
体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色素系光記録媒
体等がある。これらの中で、安価でプロセス上容易であ
るという点で、有機色素系光記録媒体は有意性を有する
ものと考えられている。また、有機色素系光記録媒体に
は記録可能なコンパクトディスク(CD−R)として、
反射率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプ
のものが広く知られている。
有機色素系光学記録媒体では、CD−Rのレーザー波長
より短い波長のものを用い、レーザーのビーム径をより
微小なものにして高密度記録にすることができるが、現
在のCD−Rとして使用されているディスクは、680
nm、650nm、635nmなどの波長で使用する
と、反射率が低く記録再生ができないという問題を有し
ている。また、現在提案されているものは記録時の色素
の分解による記録部の変形が大きいという問題や、変調
度があまり得られないという問題、その他に耐光性、耐
久性の不十分という問題を有している。
公報において、耐光性と耐久性に優れた新規なアゾ系化
合物と金属との金属キレート化合物を使用した光学記録
媒体を提案したが、金属反射層を有する光学記録媒体と
しては、短波長半導体レーザーによる記録、再生特性は
不十分なものであった。また、本発明者らは特願平8−
187794号において短波長半導体レーザーで記録、
再生可能なアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物
を使用した光学記録媒体を提案したが、本発明の金属キ
レート化合物を用いた記録媒体は、記録再生特性および
耐光性、耐久性をさらに改良したものである。
点を解決する光学記録媒体として、アゾ系化合物と金属
との金属キレート化合物および該金属キレート化合物を
用いた短波長半導体レーザーによる記録、再生特性に優
れかつ耐光性、耐久性が良好な光学記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
達成するべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明は下記一般式〔I〕で示されるアゾ系化
合物と金属塩とから得られる金属キレート化合物および
該金属キレート化合物を記録層に含有する光学記録媒体
をその要旨とする。
子および窒素原子と一緒になって5員環又は6員環の複
素環を形成する残基を表わし、Xは水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表わし、Yは少なく
とも2つはフッ素原子で置換されている炭素数1〜6の
直鎖または分岐のアルキル基を表わし、R1 、R2 はそ
れぞれ独立に置換基を有してもよいアルキル基、もしく
はR1 とR2 とで環を形成する残基を表わす。)
る。本発明におけるアゾ系化合物としては、前記一般式
〔I〕において、A1 はそれが結合している炭素原子お
よび窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基であ
ればよく、それらの群であれば特に制限されないが、好
ましくはA1 がそれが結合している炭素原子および窒素
原子と一緒になってチアジアゾール、イソキサゾール、
イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、トリアゾー
ル、ピリジンからなる群より選択された複素環を形成す
る残基であることが好ましく、例えば、一般式〔I〕に
おいて
エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基などの炭素数1から6の直鎖
または分岐のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素
数3から6の環状アルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキ
シ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n
−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基等の炭素数
1から6のアルコキシ基;アセチル基、プロピオル基、
ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリ
ル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基
等の炭素数1〜6のアルキルカルボニル基;ビニル基、
プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基等の炭素数2〜6の直鎖または分岐のアルケニル基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3
〜6の環状アルケニル基;フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子;ホルミル基;ヒドロキシル基;
カルボキシル基;ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチ
ル基等の炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基;メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキ
シカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブ
トキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル
基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキ
シカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の
炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;ニトロ基;シ
アノ基;アミノ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、
n−プロピルアミノ基、n−ブチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ
基、ジ−n−ブチルアミノ基等の炭素数1〜10のアル
キルアミノ基;メトキシカルボニルメチル基、エトキシ
カルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル
基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数3〜
7のアルコキシカルボニルアルキル基;メチルチオ基、
エチルチオ基、n−プロピルチオ基、tert−ブチル
チオ基、sec−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、
n−ヘキシルチオ基等の炭素数1〜6のアルキルチオ
基;メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、n−プ
ロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、n−
ブチルスルホニル基、tert−ブチルスルホニル基、
sec−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル
基、n−ヘキシルスルホニル基等の炭素数1〜6のアル
キルスルホニル基;置換基を有していてもよい炭素数6
〜16のアリール基;置換基を有していてもよい炭素数
7〜17のアリールカルボニル基;−CD34=C(C
N)D35(D34は水素原子またはメチル基、エチル基、
n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、se
c−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基などの炭素数1から6のアルキル基を表
わし、D24はシアノ基またはメトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イ
ソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル
基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキ
シカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、n−ヘキ
シルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシ
基を表わす。);
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イ
ソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、te
rt−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基など
の炭素数1から6の直鎖または分岐のアルキル基;シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数3から6の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ
基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−
ヘキシルオキシ基等の炭素数1から6のアルコキシ基を
表わす。);
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イ
ソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、te
rt−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基など
の炭素数1から6の直鎖または分岐のアルキル基;シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数3から6の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ
基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−
ヘキシルオキシ基等の炭素数1から6のアルコキシ基を
表わし、LはSCH2 、SO2 を表わす。);トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオ
ロ−n−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、
パーフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−sec−
ブチル基、パーフルオロ−n−ペンチル基、パーフルオ
ロ−n−ヘキシル基等の炭素数1〜6のフルオロアルキ
ル基;トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、パーフルオロ−n−ブトキシ基、パーフルオロ−
tert−ブトキシ基、パーフルオロ−sec−ブトキ
シ基、パーフルオロ−n−ペンチルオキシ基、パーフル
オロ−n−ヘキシルオキシ基等炭素数1から6のフルオ
ロアルコキシ基;トリフルオロメチルチオ基、トリフル
オロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプ
タフルオロ−n−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソ
プロピルチオ基、パーフルオロ−n−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−t−ブチルチオ基、パーフルオロ−sec
−ブチルチオ基、パーフルオロ−n−ペンチルチオ基、
パーフルオロ−n−ヘキシルチオ基等炭素数1から6の
フルオロアルキルチオ基等を表わす。
びR2 はそれぞれ独立して水素原子;メチル基、エチル
基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル
基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基、
好ましくは炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル
基、より好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わす。かかる炭素数1〜20の直鎖または
分岐のアルキル基はメトキシ基、エトキシ基、n−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、ter
t−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオ
キシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ
基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭
素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数2〜
12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメト
キシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシ
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキ
シ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフ
チルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;
シアノ基;ニトロ基;ヒドロキシ基;テトラヒドロフリ
ル基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルア
ミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピ
ルスルホニルアミノ基、n−ブチルスルホニルアミノ
基、tert−ブチルスルホニルアミノ基、sec−ブ
チルスルホニルアミノ基、n−ペンチルスルホニル基ア
ミノ、n−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜
6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン基;メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、
イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル
基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキ
シカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n
−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアル
コキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチ
ルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ
基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカル
ボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ
基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチル
カルボニルオキシ基;n−ヘキシルカルボニルオキシ基
等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ基;メト
キシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキ
シカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ
基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基、sec−
ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチルオキシカル
ボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカルボニルオキシ
基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基等
で置換されていてもよい。
基、ハロゲン原子をあげることができ、特に水素原子、
メトキシ基が好ましい。Yは、少なくとも2つはフッ素
原子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐の
アルキル基である。具体的にはトリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等
の炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基、2,2,2
−トリフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプ
ロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピ
ル基、等の合計の炭素数が2〜6のペルフルオロアルキ
ル基で置換されたアルキル基等が例示できる。特に、吸
収スペクトルの形状および耐光性、耐久性の点から−C
H2 CF3 、−CF3 、が特に好ましい。前記アゾ系化
合物のうち、下記一般式〔II〕〜〔X〕で表わせるもの
がより好ましい。
エトキシ基、プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2
つはフッ素原子で置換されている炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 は置
換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R4 、R5 は置換基を有してもよい
炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基、またはシ
アノ基、カルボン酸エステル基を表わし、R6 は、置換
基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖または分岐のアル
キル基、またはアルコキシ基、アルキルチオ基を表わ
す。R7 〜R10は置換基を有してもよい炭素数1〜6の
直鎖または分岐のアルキル基、または水素原子、ハロゲ
ン原子を表わす。)
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記
のものが挙げられる。
系化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下
記のものが挙げられる。
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記
のものが挙げられる。
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記
のものが挙げられる。
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記
のものが挙げられる。
て特に好ましいアゾ系化合物と金属との金属キレート化
合物の例としては下記のものが挙げられる。
化合物と金属との金属キレート化合物としては、下記の
ものが挙げられる。
ト化合物を生成させる金属塩としては、錯体を形成する
各種の金属塩を用いることができるが、吸収スペクトル
の形状が良好であるという点から、Ni、CoまたはC
uの塩が好ましく、また各種溶媒への溶解度や耐光性、
耐久性の点から特にNi塩が好ましい。本発明の金属キ
レート化合物は、一般式〔XI〕
れるアミノ化合物を公知の方法によりジアゾ化し、一般
式〔XII〕
と同じ)で示されるカップリング成分と反応させること
により合成されるアゾ系化合物に、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物
のメタノール溶液や水溶液を加えることにより得られ
る。
本的には基板と前記アゾ系化合物と金属との金属キレー
ト化合物を含む記録層とから構成されるものであるが、
さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることがで
きる。好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、
銀、アルミニウムの様な金属反射層および保護層を設け
た高反射率の媒体が挙げられる。前記基板としては、使
用するレーザー光に対して透明なものが好ましく、ガラ
スや種々のプラスチックが用いられる。プラスチックと
しては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
物と金属との金属キレート化合物を含有する記録層の記
録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸
漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することが
できるが、量産性、コスト面からスピナー法が好まし
い。また、必要に応じてバインダーを使用することもで
きる。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢
酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト等既知のものが用いられる。スピナー法による成膜の
場合、回転数は500〜5000rpmが好ましく、ス
ピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸
気にあてる等の処理を行ってもよい。
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物(たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等)を含有していてもよい。さ
らに、必要に応じて他の色素を併用することもできる。
他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよい
し、トリアリールメタン系色素、アゾ系色素、シアニン
系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン
系色素、フタロシアニン系色素等他系統の色素でもよ
い。
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、n−ヘキサン、n−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、t−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。また、基板
上に記録層を設けた2枚の媒体を貼り合わせたものでも
よい。保護層としては記録層、反射層を保護しうる層で
あればよく、例えば紫外線硬化樹脂等によって形成され
る。また必要に応じて保護層の上に印刷受容層を設ける
こともできる。
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層にレー
ザー光をあてることにより行う。レーザー光の照射され
た部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分
解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録さ
れた情報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起き
ている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取る
ことにより行う。また、レーザーとしては各種のものを
使用することができるが、記録層の吸光度から波長60
0〜700nmのものが好ましく、また、軽量性、取扱
の容易さ、コンパクト性、コスト等の点から半導体レー
ザーが好適である。また、本発明の新規な金属キレート
化合物はプラスチックや紙などの各種素材の着色や各種
繊維の染色、光学フィルターの着色など光学記録媒体以
外の用途にも使用できる極めて有用な化合物である。
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。また、ε(分子吸光係数)
は、金属一原子に対して二分子のアゾ系化合物が配位し
たものとして算出した。 (実施例1)
5−メチル−1,2,4−チアジアゾール1.15gを
酢酸10ml、プロピオン酸5mlに溶解し、0〜5℃
で硫酸1mlを滴下し、0〜5℃で43%ニトロシル硫
酸3.55gを加えジアゾ化した。得られたジアゾ液を
メタノール30mlに3−(2,2,2−トリフルオロ
エチルスルホニルアミノ)−N,N−ジエチルアニリン
4.0g、尿素0.4g、酢酸ナトリウム4.0gを溶
解させた溶液に0〜5℃で滴下し、3時間撹拌後、一晩
放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式
(2)で示される赤褐色結晶1.38gを得た。
示されるアゾ化合物1.00gと無水酢酸ナトリウム
0.18gをテトラヒドロフラン(THF)30ml、
水15mlに溶解し、室温で酢酸ニッケル四水和物0.
34gのメタノール6ml溶液を加えた後、室温で2時
間撹拌し、水15mlを加えた。析出した結晶をろ別
し、これを水で洗浄し、乾燥して緑褐色結晶のニッケル
キレート化合物0.70gを得た。この化合物のλmax
(クロロホルム中)は582nm(ε=11.8×10
4 )であった。
クタフルオロペンタノールに溶解し、1.2wt%にし
た。これを50℃下で30分間超音波分散した後、0.
2μmのフィルターでろ過し、その液を回転数800r
pmで0.6mm厚のポリカーボネート基板にスピンコ
ートした。尚、この基板の溝幅は0.35μmであり、
(トラックピッチ0.8μm)溝深さは140nmであ
る。次にこの塗布膜を80℃のオーブンで乾燥した後、
塗布膜の上にスパッタリング法により膜厚100nmの
Au膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この反射
層の上に紫外線硬化樹脂を3μmスピンコートし、これ
に紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とした。さらに
ホットメルト接着剤をつけ、全く同様にして得られた記
録媒体同志を接着し光ディスクとした。塗布膜のλmax
は601nmであった。記録層の膜厚は約120nmで
あった。
2.6m/s、再生パワー0.7mWでCD−Rの4倍
速記録用のEFM信号を入力して記録したところ、I
top 反射率が45%であり、記録パワー5mWで変調度
60%の良好な記録特性が得られた。 (実施例2)
5−メチルイソキサゾール0.98gを酢酸10ml、
プロピオン酸5mlに溶解し、0〜5℃で硫酸1mlを
滴下し、0〜5℃で43%ニトロシル硫酸3.55gを
加えジアゾ化した。得られたジアゾ液をメタノール40
mlに2−メトキシ−5−トリフルオロメチルスルホニ
ルアミノ−N,N−ジエチルアニリントリフルオロメタ
ンスルホン酸3.91g、尿素0.4g、酢酸ナトリウ
ム4.0gを溶解させた溶液に0〜5℃で滴下し、3時
間撹拌後、一晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥
して下記構造式(4)で示される赤色結晶2.95gを
得た。
示されるアゾ化合物2.18gと無水酢酸ナトリウム
0.41gをテトラヒドロフラン(THF)80ml、
水40mlに溶解し、室温で酢酸ニッケル四水和物0.
75gのメタノール10ml溶液を加えた後、室温で2
時間撹拌し、水40mlを加えた。析出した結晶をろ別
し、これを水で洗浄し、乾燥して緑褐色結晶のニッケル
キレート化合物1.23gを得た。この化合物のλmax
(クロロホルム中)は579nm(ε=8.1×1
04 )であった。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλ
max は591nmであった。記録層の膜厚は実施例1と
ほぼ同じであった。 (c)光記録法 実施例1と同じ条件で記録したところ、記録パワー5m
WでItop 反射率50%であり、変調度55%の良好な
記録特性が得られた。 (実施例3)
4,5−ジシアノイミダゾール2.00gを水60m
l、35%塩酸10mlに溶解し、0〜5℃で亜硝酸ナ
トリウム1.14gの水溶液4.5mlを滴下し、ジア
ゾ化した。得られたジアゾ液をメタノール65mlに3
−トリフルオロメチルスルホニルアミノ−N,N−ジエ
チルアニリントリフルオロメタンスルホン酸塩5.33
g、尿素0.6g、酢酸ナトリウム6.0gを溶解させ
た溶液に0〜5℃で滴下し、3時間撹拌後、一晩放置し
た。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式(6)
で示される赤色結晶5.23gを得た。
示されるアゾ化合物3.08gと炭酸カリウム0.96
gをDMF25mlに溶解し、ヨウ化ブチル1.55g
を滴下した後、70℃に加熱した。70℃で3時間撹拌
後放冷し、水10mlを加え析出した結晶をろ別し、乾
燥して下記構造式(7)で示される赤色結晶2.37g
を得た。
示されるアゾ化合物2.23gと無水酢酸ナトリウム
0.37gをTHF72ml、水36mlに溶解し、室
温で酢酸ニッケル四水和物0.67gのメタノール9m
l溶液を加えた後、室温で2時間撹拌し、水36mlを
加えた。析出した結晶をろ別し、これを水で洗浄し、乾
燥して緑褐色結晶のニッケルキレート化合物1.91g
を得た。この化合物のλ max (クロロホルム中)は57
8nm(ε=14.4×104 )であった。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλ
max は595nmであった。記録層の膜厚は実施例1と
ほぼ同じであった。 (c)光記録法 実施例1と同じ記録条件で記録したところ、記録パワー
5.8mWでItop 反射率65%で、変調度60%の良
好な記録特性が得られた。 実施例4〜13 実施例4〜13は、実施例1〜3と同様に実施した。実
施例1〜13のニッケルキレート化合物の溶液λ
max (クロロホルム中)と塗布膜λmax を表−1に示
す。 実施例1〜3については、クロロホルム中の吸収
スペクトルと塗布膜の吸収スペクトルをそれぞれ図1〜
図6に示す。
5−メチル−1,2,4−チアジアゾール1.15gを
酢酸10ml、プロピオン酸5mlに溶解し、0〜5℃
で硫酸1mlを滴下し、0〜5℃で43%ニトロシル硫
酸3.55gを加えジアゾ化した。得られたジアゾ液を
メタノール30mlに3−プロピルスルホニルアミノ−
N,N−ジエチルアニリン3.24g、尿素0.4g、
酢酸ナトリウム4.0gを溶解させた溶液に0〜5℃で
滴下し、3時間撹拌後、一晩放置した。析出した結晶を
ろ別し、乾燥して下記構造式(9)で示される赤色結晶
1.13gを得た。
示されるアゾ化合物0.80gをメタノール100m
l、THF10mlに溶解し、室温で酢酸ニッケル四水
和物0.60gのメタノール15ml溶液を加えた後、
室温で3時間撹拌し、水80mlを加えた。析出した結
晶をろ別し、これを水で洗浄し、乾燥して緑色結晶のニ
ッケルキレート化合物0.29gを得た。この化合物の
λmax (クロロホルム中)は552nm(ε=9.8×
104 )であった。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλ
max は594nmであった。記録層の膜厚は実施例1と
ほぼ同様であった。 (c)記録法 実施例1と同じ条件で記録したところ、記録パワー5m
Wで変調度60%であったが、Itop 反射率が40%で
あり、反射率が十分ではなかった。比較例1について、
クロロホルム中の吸収スペクトルと塗布膜の吸収スペク
トルをそれぞれ図7、図8に示す。比較例1と実施例1
のそれぞれの金属キレート化合物を使用した記録媒体に
ついて、耐光性、保存安定性を比較した。耐光性(キセ
ノンフェードメーター加速テスト;40時間)、保存安
定性(85℃、85%RH;200時間)の試験を行な
い、λmax での吸収ピーク高さの残存率で測定した。実
施例1のニッケルキレート化合物が耐光性、保存安定性
共に優れていることがわかった。その結果を表−2に示
す。
2,4−triazoleの合成 Zh.Obshch.Khim Vol.53 198
4(1983)を参考にして合成した。アミノグアニジ
ン重炭酸塩25g(0.184mol)にトリフルオロ
酢酸23.1gを加え、20から25℃で30分間かき
混ぜた。このものにトルエン500mlを加え、反応に
より生ずる水とトルエンを留去しながら還流下15時間
かき混ぜた。一晩放置後、析出した結晶をろ別し、下記
構造式[10]で示される白色の結晶14gを得た。こ
の化合物の構造はマススペクトルで分子イオンピーク1
52を測定することにより確認した。
で示される化合物1.52gを酢酸7.5mlとプロピ
オン酸2.5mlの混合液に溶解させ、かきまぜながら
5℃以下に冷却する。3〜5℃でニトロシル硫酸の43
重量%硫酸溶液3.6gを加え、0〜5℃でさらに2時
間かき混ぜた。この反応液をあらかじめ用意した、2−
メトキシ−5−トリフルオロメチルスルホニルアミノ−
N,N−ジエチルアニリントリフルオロメタンスルホン
酸塩5.24g、尿素0.4g、酢酸ナトリウム4gを
メタノール40mlに分散させた混合物中に5℃以下で
約20分間で加えた。このとき氷および20%酢酸ナト
リウム水溶液を適宜加え反応液のpHが2以下とならな
いように、温度が5℃以上にならないようにした。得ら
れた反応液を5℃以下でさらに2時間かき混ぜたのち一
晩放置した。この反応液をろ過することにより下記構造
式[11]で示される赤色結晶3.62を得た。
で示されるアゾ化合物3.42gをDMF20ml中に
分散させ、かきまぜながら炭酸カリウム0.97gを加
えた。このものの中に、20〜25℃でヨウ化エチル
1.31gをDMF5ml中に溶解させたものを約3分
間で滴下した。この反応液を20〜25℃でさらに2時
間かき混ぜた後、20℃以下に冷却し水30mlを約1
0分間で滴下した。析出した結晶を濾過することにより
下記構造式[12]で示される赤色結晶3.0gを得
た。
で示されるアゾ化合物2.59gをテトラヒドロフラン
100mlに溶解させる。このものを20〜25℃でか
き混ぜながら酢酸ニッケル4水和物0.75gを10m
lのメタノールに溶解させたものを約3分間で滴下し
た。この反応液を20〜25℃でさらに3時間かきまぜ
た後、20℃以下に冷却し、水100mlを約10分間
で加え、20〜25℃でさらに2時間かき混ぜた。この
反応液を一晩放置したあと濾過し、ニッケルキレート化
合物2.0gを得た。この化合物のλmax (クロロホル
ム中)は573nm(ε=11.6×104 )であっ
た。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλma
x は586nmであった。記録層の膜厚は実施例1とほ
ぼ同じであった。
アゾ化合物3.08gと炭酸カリウム0.96gをDH
F25mlに溶解し、ヨウ化エチル1.31gを滴下し
た後、60℃に加熱した。60℃で3時間撹拌後、放冷
し、水10mlを加え析出した結晶を濾別し、乾燥して
下記構造式(13)で示される赤色結晶2.30gを得
た。
で示されるアゾ化合物2.19gと無水酢酸ナトリウム
0.38gをTHF170ml、水85mlに溶解し、
室温で酢酸ニッケル四水和物0.70gのメタノール1
0ml溶液を加えた後室温で2時間撹拌し、水85ml
を加えた。析出した結晶を濾別し、水洗浄後乾燥して濃
緑色結晶のニッケルキレート化合物1.86gを得た。
この化合物のλmax(クロロホルム中)は577nm
(ε=15.9×104 )であった。MALDI−TD
F法によりマススペクトルを測定し、分子量992.2
を確認した。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλma
x は595nmであった。記録層の膜厚は実施例1とほ
ぼ同じであった。 (c)光記録法 実施例1と同じ記録条件で記録したところ、記録パワー
5.8mWでItop 反射率60%で、変調度60%の良
好な記録特性が得られた。
アゾ化合物3.08gと炭酸カリウム0.96gをメタ
ノール70mlに溶解し、ジメチル硫酸1.06gを滴
下した後、50℃に加熱した。50℃で3時間撹拌後放
冷し、析出した結晶を濾別し、乾燥して下記構造式(1
4)で示される赤色結晶1.72gを得た。
で示されるアゾ化合物1.70gと無水酢酸ナトリウム
0.31gをTHF170ml、水85mlに加熱溶解
し、室温で酢酸ニッケル四水和物0.56gのメタノー
ル8ml溶液を加えた後、室温で2時間撹拌し、水85
mlを加えた。析出した結晶を濾別し、水洗浄後乾燥し
て濃緑色結晶のニッケルキレート化合物1.47gを得
た。この化合物のλma x (クロロホルム中)は577n
m(ε=15.7×104 )であった。
施例1と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλma
x は595nmであった。記録層の膜厚は実施例1とほ
ぼ同じであった。 (c)光記録法 実施例1と同じ記録条件で記録したところ、記録パワー
5.8mWでItop 反射率60%で、変調度60%の良
好な記録特性が得られた。
レート化合物は、いずれも600〜700nmの領域に
吸収を有しており、耐光性、保存安定性、耐熱性が良好
で、後述するように光学記録媒体の吸収物質として非常
に有用である。また、光学記録媒体以外の用途としては
各種光学フィルター、プラスチック着色剤などを挙げる
ことができる。本発明のアゾ系化合物と金属との金属キ
レート化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体
は、600〜700nmのレーザー光に対する記録再生
特性が優れ、高反射率、高密度記録が可能であり、さら
に耐光性、耐久性に優れている。
溶液中での吸収スペクトル。
収スペクトル。
溶液中での吸収スペクトル。
収スペクトル。
溶液中での吸収スペクトル。
収スペクトル。
溶液中での吸収スペクトル。
収スペクトル。
ム溶液中での吸収スペクトル。
の吸収スペクトル。
ルム溶液中での吸収スペクトル。
の吸収スペクトル。
ルム溶液中での吸収スペクトル。
の吸収スペクトル。
クトル。
Claims (12)
- 【請求項1】 下記一般式〔I〕で示されるアゾ系化合
物と金属塩とから得られる金属キレート化合物。 【化1】 (式中、A1 はそれが結合している炭素原子および窒素
原子と一緒になって5員環又は6員環の複素環を形成す
る残基を表わし、Xは水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子を表わし、Yは少なくとも2つはフ
ッ素原子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分
岐のアルキル基を表わし、R1 、R2 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、もしくは
R1 とR2とで環を形成する残基を表わす。) - 【請求項2】 該A1 がそれが結合している炭素原子お
よび窒素原子と一緒になってチアジアゾール、イソキサ
ゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、トリ
アゾール、ピリジンからなる群より選択された複素環を
形成する残基である請求項1記載の金属キレート化合
物。 - 【請求項3】 下記一般式〔II〕または〔III 〕で示さ
れるアゾ系化合物と金属塩とから得られる金属キレート
化合物。 【化2】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わす。) - 【請求項4】 下記一般式〔IV〕で示されるアゾ系化合
物と金属塩とから得られる金属キレート化合物。 【化3】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わす。) - 【請求項5】 下記一般式〔V〕で示されるアゾ系化合
物と金属塩とから得られる金属キレート化合物。 【化4】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わし、R4 、R 5 はそれぞれ
独立に水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の
直鎖または分岐のアルキル基、シアノ基、またはカルボ
ン酸エステル基を表わす。) - 【請求項6】 下記一般式〔VI〕で示されるアゾ系化合
物と金属塩とから得られる金属キレート化合物。 【化5】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わし、R4 、R 5 はそれぞれ
独立に水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の
直鎖または分岐のアルキル基、シアノ基、またはカルボ
ン酸エステル基を表わす。) - 【請求項7】 下記一般式[VII ]、[VIII]、[IX]
で示されるアゾ系化合物と金属塩とから得られる金属キ
レート化合物。 【化6】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に
水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐のアルキル基を表わし、R6 は水素原子、置換
基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖または分岐のアル
キル基、またはアルコキシ基、アルキルチオ基を表わ
す。) - 【請求項8】 下記一般式[X]で示されるアゾ系化合
物と金属塩とから得られる金属キレート化合物。 【化7】 (式中、Xは水素原子またはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基を表わし、Yは少なくとも2つはフッ素原
子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、R1 、R2 はそれぞれ独立に水素原
子、置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖または分
岐のアルキル基を表わし、R7 〜R10はそれぞれ独立に
置換基を有してもよい炭素数1〜6の直鎖または分岐の
アルキル基、または水素原子、ハロゲン原子を表わ
す。) - 【請求項9】 請求項1〜8の金属キレート化合物にお
いて、金属がNi、CoまたはCuである金属キレート
化合物。 - 【請求項10】 透明基板上に光ビームによる情報の書
き込みおよび/または読み取りが可能な記録層が設けら
れた光学記録媒体において、記録層に請求項1〜9のい
ずれか1項に記載の金属キレート化合物を含有すること
を特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項11】 記録層上に金属の反射層及び保護層を
設けることを特徴とする請求項10に記載の光学記録媒
体。 - 【請求項12】 中心波長600〜700nmのレーザ
ー光で記録再生することを特徴とする請求項10または
11に記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP33278797A JP3219037B2 (ja) | 1996-12-11 | 1997-12-03 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体 |
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JP9-150700 | 1997-06-09 | ||
JP15070097 | 1997-06-09 | ||
JP26603197 | 1997-09-30 | ||
JP9-266031 | 1997-09-30 | ||
JP33278797A JP3219037B2 (ja) | 1996-12-11 | 1997-12-03 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体 |
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JPH11166125A JPH11166125A (ja) | 1999-06-22 |
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JP33278797A Expired - Fee Related JP3219037B2 (ja) | 1996-12-11 | 1997-12-03 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体 |
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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RU2610102C1 (ru) * | 2015-10-19 | 2017-02-07 | Юлия Алексеевна Щепочкина | Сплав на основе никеля |
CN110819872B (zh) * | 2019-11-09 | 2021-08-27 | 天津理工大学 | 一种Fe-Mn-Al-Ni-Nb形状记忆合金及其制备方法 |
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US7507524B2 (en) * | 2005-09-06 | 2009-03-24 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Azo-metal chelate dye and optical recording medium |
CN101517006A (zh) | 2006-09-25 | 2009-08-26 | 三菱化学媒体株式会社 | 偶氮金属螯合色素以及光学记录介质 |
EP2085430A4 (en) | 2006-09-29 | 2009-11-11 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | AZOMETALLIC CHELATE AND OPTICAL RECORDING CARRIER |
-
1997
- 1997-12-03 JP JP33278797A patent/JP3219037B2/ja not_active Expired - Fee Related
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