JPH1036693A - 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 - Google Patents
金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体Info
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- JPH1036693A JPH1036693A JP8187794A JP18779496A JPH1036693A JP H1036693 A JPH1036693 A JP H1036693A JP 8187794 A JP8187794 A JP 8187794A JP 18779496 A JP18779496 A JP 18779496A JP H1036693 A JPH1036693 A JP H1036693A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学記録媒体に好適な新規色素化合物を提供
する。 【解決手段】 下記一般式〔Ｉ〕で示されるモノアゾ化
合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成する金属キレー
ト化合物。 【化１】 （式中Ａはチアジアゾール、イソオキサゾール環を形成
する残基、Ｅは−ＮＹ1Ｙ2 （Ｙ1 ，Ｙ2 はアルキル基
など、Ｘ1 ，Ｘ2 は水素原子、アルキル基など、Ｚはベ
ンゼン環，アルキル基など）
する。 【解決手段】 下記一般式〔Ｉ〕で示されるモノアゾ化
合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成する金属キレー
ト化合物。 【化１】 （式中Ａはチアジアゾール、イソオキサゾール環を形成
する残基、Ｅは−ＮＹ1Ｙ2 （Ｙ1 ，Ｙ2 はアルキル基
など、Ｘ1 ，Ｘ2 は水素原子、アルキル基など、Ｚはベ
ンゼン環，アルキル基など）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】レーザー特に半導体レーザー
を用いた光学記録は、高密度の情報の記録保存および再
生を可能とするため近年特に開発が望まれている技術で
ある。本発明は新規な金属キレート化合物および該金属
キレート化合物を使用する光学記録媒体に関するもので
ある。
を用いた光学記録は、高密度の情報の記録保存および再
生を可能とするため近年特に開発が望まれている技術で
ある。本発明は新規な金属キレート化合物および該金属
キレート化合物を使用する光学記録媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】光学記録としては光ディスクが実用化さ
れている。一般に光ディスクは円形の基体に設けられた
薄い記録層に、１μ程度に集束したレーザー光を照射
し、高密度の情報記録を行なうものである。記録は照射
されたレーザーのエネルギーの吸収により、その箇所
に、記録層の、分解、蒸発、融解、熱変形、熱転移等の
熱的変化を起こし、それにより起きた光学特性（屈折
率、反射率、透過率）の変化により行なわれる。
れている。一般に光ディスクは円形の基体に設けられた
薄い記録層に、１μ程度に集束したレーザー光を照射
し、高密度の情報記録を行なうものである。記録は照射
されたレーザーのエネルギーの吸収により、その箇所
に、記録層の、分解、蒸発、融解、熱変形、熱転移等の
熱的変化を起こし、それにより起きた光学特性（屈折
率、反射率、透過率）の変化により行なわれる。
【０００３】再生は、レーザー光により、変化が起きて
いる部分と起きていない部分との反射率の差を読み取る
ことにより行なわれる。従って、記録及び再生を効率良
く正確に行なうために、光学記録体の記録媒体には、記
録時にレーザー光の反射率及び吸収効率が高く、再生時
には光学特性の変化が起きた部分と起きていない部分の
反射率の差が十分大きいことが要求される。このような
要求を満たす記録材料としては、種々の無機媒体や有機
媒体が提案されている。
いる部分と起きていない部分との反射率の差を読み取る
ことにより行なわれる。従って、記録及び再生を効率良
く正確に行なうために、光学記録体の記録媒体には、記
録時にレーザー光の反射率及び吸収効率が高く、再生時
には光学特性の変化が起きた部分と起きていない部分の
反射率の差が十分大きいことが要求される。このような
要求を満たす記録材料としては、種々の無機媒体や有機
媒体が提案されている。
【０００４】無機材料としてＳｅ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｎ，
Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇなどの元素、その
酸化物、他の元素との混合物や化合物の薄膜などがあ
り、一部は実用化されている。また、有機材料として
は、レーザー光を吸収しかつ反射率の高い色素が提案さ
れており、例えばシアニン系色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、フタロシアニン系色素等があ
げられる。有機色素を用いた光学記録媒体としてはＣＤ
−Ｒ（記録可能なコンパクトディスク）として反射率の
高い金属層を有機色素層の上に積層したものが商品化さ
れ広く用いられている。
Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇなどの元素、その
酸化物、他の元素との混合物や化合物の薄膜などがあ
り、一部は実用化されている。また、有機材料として
は、レーザー光を吸収しかつ反射率の高い色素が提案さ
れており、例えばシアニン系色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、フタロシアニン系色素等があ
げられる。有機色素を用いた光学記録媒体としてはＣＤ
−Ｒ（記録可能なコンパクトディスク）として反射率の
高い金属層を有機色素層の上に積層したものが商品化さ
れ広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機化合物を使
用した光学記録媒体のうち、シアニン系色素、スクアリ
ウム系色素を使用したものは耐光性が劣る。また、ナフ
トキノン系色素を使用したものは、記録層の結晶化が起
きやすく、フタロシアニン系色素を使用したものは、反
射率が低いという欠点を有している。アゾ化合物を使用
した光学記録媒体も種々提案されてきたが、従来のもの
は記録層の結晶化がおこりやすい、耐光性が悪いなどの
欠点を有している。
用した光学記録媒体のうち、シアニン系色素、スクアリ
ウム系色素を使用したものは耐光性が劣る。また、ナフ
トキノン系色素を使用したものは、記録層の結晶化が起
きやすく、フタロシアニン系色素を使用したものは、反
射率が低いという欠点を有している。アゾ化合物を使用
した光学記録媒体も種々提案されてきたが、従来のもの
は記録層の結晶化がおこりやすい、耐光性が悪いなどの
欠点を有している。
【０００６】また近年、従来の７８０ｎｍ，８３０ｎｍ
よりも短い６８０ｎｍ，６５０ｎｍ，６３５ｎｍなどの
波長に発信波長を有する半導体レーザーが開発され、光
学記録にも使用できるようになった。これらの短波長半
導体レーザーを光源として用いる光学記録媒体ではレー
ザーのビーム径をより微小なものとすることによりより
高密度の記録が可能となるが現在ＣＤ−Ｒとして使用さ
れているディスクは６８０ｎｍ，６５０ｎｍ，６３５ｎ
ｍなどの波長で使用すると反射率が低く記録再生ができ
ないという問題を有している。
よりも短い６８０ｎｍ，６５０ｎｍ，６３５ｎｍなどの
波長に発信波長を有する半導体レーザーが開発され、光
学記録にも使用できるようになった。これらの短波長半
導体レーザーを光源として用いる光学記録媒体ではレー
ザーのビーム径をより微小なものとすることによりより
高密度の記録が可能となるが現在ＣＤ−Ｒとして使用さ
れているディスクは６８０ｎｍ，６５０ｎｍ，６３５ｎ
ｍなどの波長で使用すると反射率が低く記録再生ができ
ないという問題を有している。
【０００７】本発明者らは先に特開平３−２６８９９４
号公報において耐光性と耐久性に優れた新規なアゾキレ
ート化合物を使用した光学記録体を提案したが、本発明
は短波長の半導体レーザーを使用し、特に金属反射層を
有する光学記録媒体として記録再生特性の良好なものを
得るためにさらに改良を重ねたものである。
号公報において耐光性と耐久性に優れた新規なアゾキレ
ート化合物を使用した光学記録体を提案したが、本発明
は短波長の半導体レーザーを使用し、特に金属反射層を
有する光学記録媒体として記録再生特性の良好なものを
得るためにさらに改良を重ねたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる目
的を達成すべく鋭意検討を進めた結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は一般式〔Ｉ〕
的を達成すべく鋭意検討を進めた結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は一般式〔Ｉ〕
【０００９】
【化５】
【００１０】（式中Ａはそれが結合している炭素原子、
窒素原子と一緒になってチアジアゾール、イソオキサゾ
ール環を形成する残基を表わし、Ｚ1 は置換基を有して
いてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよい炭素
数１から６のアルキル基もしくは分岐アルキル基を表わ
し、Ｘ1 ，Ｘ2 は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子を表わし、ＥはＮＹ1 Ｙ2 （Ｙ1 ，Ｙ
2 はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル
基を表わし、Ｙ1 とＹ2 とで環を形成していてもよ
い。）で示されるモノアゾ化合物とＮｉ，ＣｏまたはＣ
ｕとから形成される金属キレート化合物および該化合物
を記録層に含有することを特徴とする光学記録媒体をそ
の要旨とするものである。
窒素原子と一緒になってチアジアゾール、イソオキサゾ
ール環を形成する残基を表わし、Ｚ1 は置換基を有して
いてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよい炭素
数１から６のアルキル基もしくは分岐アルキル基を表わ
し、Ｘ1 ，Ｘ2 は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子を表わし、ＥはＮＹ1 Ｙ2 （Ｙ1 ，Ｙ
2 はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル
基を表わし、Ｙ1 とＹ2 とで環を形成していてもよ
い。）で示されるモノアゾ化合物とＮｉ，ＣｏまたはＣ
ｕとから形成される金属キレート化合物および該化合物
を記録層に含有することを特徴とする光学記録媒体をそ
の要旨とするものである。
【００１１】以下本発明を詳細に説明する。本発明にお
ける金属キレート化合物としては前記一般式〔Ｉ〕にお
いてＡはそれが結合している炭素原子および窒素原子と
一緒になってチアジアゾールまたはイソオキサゾール環
を形成する残基を示す。具体的には一般式〔Ｉ〕におけ
る
ける金属キレート化合物としては前記一般式〔Ｉ〕にお
いてＡはそれが結合している炭素原子および窒素原子と
一緒になってチアジアゾールまたはイソオキサゾール環
を形成する残基を示す。具体的には一般式〔Ｉ〕におけ
る
【００１２】
【化６】
【００１３】としては下記のものが例示できる。
【００１４】
【化７】
【００１５】式中、Ｂ′1 〜Ｂ′3 は水素原子、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、
ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素
数１から６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオル
基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバ
レリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイ
ル基等の炭素数１〜６のアルキルカルボニル基；ビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル
基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素
数３〜６の環状アルケニル基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル
基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオ
キシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；
シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０の
アルキルアミノ基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数
３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ
基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６の
アルキルスルホニル基；置換基を有していてもよい炭素
数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭
素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ1 ＝Ｃ
（ＣＮ）Ｒ2 （Ｒ1 は水素原子またはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６のアルキル基
を表わし、Ｒ2 はシアノ基またはメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｎ−
ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコ
キシ基を表わす。）；
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、
ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素
数１から６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオル
基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバ
レリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイ
ル基等の炭素数１〜６のアルキルカルボニル基；ビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル
基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素
数３〜６の環状アルケニル基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル
基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオ
キシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；
シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０の
アルキルアミノ基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数
３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ
基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６の
アルキルスルホニル基；置換基を有していてもよい炭素
数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭
素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ1 ＝Ｃ
（ＣＮ）Ｒ2 （Ｒ1 は水素原子またはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６のアルキル基
を表わし、Ｒ2 はシアノ基またはメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｎ−
ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコ
キシ基を表わす。）；
【００１６】
【化８】
【００１７】（Ｒ3 〜Ｒ5 はそれぞれ独立して水素原
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの
炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシ
ルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わ
す。）；
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの
炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシ
ルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を表わ
す。）；
【００１８】
【化９】
【００１９】（Ｒ6 〜Ｒ8 はそれぞれ独立して水素原
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基など
の炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を
表わし、ＬはＳＣＨ2 、ＳＯ2 を表わす。）；トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、
パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオ
ロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のフルオロアルキ
ル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフル
オロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等炭素数１から６のフルオ
ロアルコキシ基；トリフルオロメチルチオ基、トリフル
オロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプ
タフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソ
プロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ
−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、
パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素数１から６の
フルオロアルキルチオ基等を表わす。
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基など
の炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を
表わし、ＬはＳＣＨ2 、ＳＯ2 を表わす。）；トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、
パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオ
ロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のフルオロアルキ
ル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキ
シ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフル
オロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等炭素数１から６のフルオ
ロアルコキシ基；トリフルオロメチルチオ基、トリフル
オロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプ
タフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソ
プロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ
−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、
パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素数１から６の
フルオロアルキルチオ基等を表わす。
【００２０】また、前記一般式〔Ｉ〕においてＸ1 ，Ｘ
2 の例としては水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、イソプロポキシ基をあげることができ
る。
2 の例としては水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、イソプロポキシ基をあげることができ
る。
【００２１】また、前記一般式〔Ｉ〕におけるＥはＮＹ
1 Ｙ2 である。ここでＹ1 およびＹ 2 はそれぞれ独立し
て水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ド
デシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０の直
鎖または分岐のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０
の直鎖または分岐のアルキル基、より好ましくは炭素数
１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を表わす。かかる
炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基はメトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキ
シ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、
ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ
基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポ
キシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシオトキ
シ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、
エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシ
ブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ
基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエ
トキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエト
キシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキ
シメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、
エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３〜１５のアル
コキシアルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２の
アリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリル
オキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリ
ールオキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テ
トラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチ
ルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ
基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスル
ホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチル
スルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニル
オキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカ
ルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、
ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカル
ボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボ
ニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオ
キシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イ
ソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。
1 Ｙ2 である。ここでＹ1 およびＹ 2 はそれぞれ独立し
て水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ド
デシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０の直
鎖または分岐のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０
の直鎖または分岐のアルキル基、より好ましくは炭素数
１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を表わす。かかる
炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基はメトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキ
シ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、
ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ
基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポ
キシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシオトキ
シ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、
エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシ
ブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ
基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエ
トキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエト
キシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキ
シメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、
エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３〜１５のアル
コキシアルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２の
アリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリル
オキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリ
ールオキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テ
トラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチ
ルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ
基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスル
ホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチル
スルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニル
オキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカ
ルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、
ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカル
ボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボ
ニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオ
キシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イ
ソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。
【００２２】また、一般式〔Ｉ〕におけるＺ1 はメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状のアルキル基；
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１から６の
直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
炭素数３から６の環状のアルキル基；
【００２３】
【化１０】
【００２４】（Ｒ9 〜Ｒ11はそれぞれ独立して水素原
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基など
の炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を
表わす。）を表わす。前記モノアゾ化合物のうち、下記
一般式〔II〕〜〔IV〕で表わされるものがより好まし
い。
子、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基など
の炭素数１から６の直鎖または分岐のアルキル基；シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等の炭素数３から６の環状のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基等の炭素数１から６のアルコキシ基を
表わす。）を表わす。前記モノアゾ化合物のうち、下記
一般式〔II〕〜〔IV〕で表わされるものがより好まし
い。
【００２５】
【化１１】
【００２６】（式中、Ｂ1 〜Ｂ3 は水素原子、置換基を
有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、分岐アル
キル基、アルコキシル基もしくはチオアルコキシル基ま
たは炭素数３〜６の環状アルキル基を表わし、Ｄ1 〜Ｄ
3 は水素原子、メトキシ基を表わし、Ｙ3 〜Ｙ8 はそれ
ぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を表わ
し、Ｚ2 〜Ｚ4 は置換基を有していてもよい炭素数１〜
６のアルキル基を表わす。） 一般式〔II〕において特に好ましいアゾ化合物と金属と
の金属キレート化合物の例としては、下記のものが挙げ
られる。
有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、分岐アル
キル基、アルコキシル基もしくはチオアルコキシル基ま
たは炭素数３〜６の環状アルキル基を表わし、Ｄ1 〜Ｄ
3 は水素原子、メトキシ基を表わし、Ｙ3 〜Ｙ8 はそれ
ぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を表わ
し、Ｚ2 〜Ｚ4 は置換基を有していてもよい炭素数１〜
６のアルキル基を表わす。） 一般式〔II〕において特に好ましいアゾ化合物と金属と
の金属キレート化合物の例としては、下記のものが挙げ
られる。
【００２７】
【化１２】
【００２８】
【化１３】
【００２９】一般式〔III 〕において特に好ましいアゾ
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては、下
記のものが挙げられる。
化合物と金属との金属キレート化合物の例としては、下
記のものが挙げられる。
【００３０】
【化１４】
【００３１】
【化１５】
【００３２】
【化１６】
【００３３】一般式〔IV〕において特に好ましいアゾ化
合物と金属との金属キレート化合物の例としては、下記
のものが挙げられる。
合物と金属との金属キレート化合物の例としては、下記
のものが挙げられる。
【００３４】
【化１７】
【００３５】
【化１８】
【００３６】ここで用いられる金属としては各種溶媒へ
の溶解度や安定性の点から、Ｎｉが最も好ましい。本発
明の金属キレート化合物は、一般式〔Ｖ〕
の溶解度や安定性の点から、Ｎｉが最も好ましい。本発
明の金属キレート化合物は、一般式〔Ｖ〕
【００３７】
【化１９】
【００３８】（式中Ａは前記と同じ）で示されるアミノ
化合物を公知の方法によりジアゾ化し、一般式〔VI〕
化合物を公知の方法によりジアゾ化し、一般式〔VI〕
【００３９】
【化２０】
【００４０】（式中Ｚ1 ，Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｅは前記と同
じ）で示されるカップリング成分と反応させることによ
り合成されるアゾ化合物にメチルアルコール、テトラヒ
ドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物の
メタノール溶液や水溶液を加えることにより得られる。
本発明の光学記録体は、基本的には基板と記録層とから
構成されていたが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を、また記録層上に反射層及び／または保護層を設け
ることができる。
じ）で示されるカップリング成分と反応させることによ
り合成されるアゾ化合物にメチルアルコール、テトラヒ
ドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物の
メタノール溶液や水溶液を加えることにより得られる。
本発明の光学記録体は、基本的には基板と記録層とから
構成されていたが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を、また記録層上に反射層及び／または保護層を設け
ることができる。
【００４１】本発明における基板としては、使用するレ
ーザー光に対して透明又は不透明のいずれであってもよ
い。基板の材質としては、ガラス、プラスチック、紙、
板状もしくは箔状の金属等、一般にこの種の記録体に用
いられる支持体が使用できるが、種々の点からみて特に
プラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂等があげられる。本発明
の光学記録体における情報記録層である光吸収物質を含
有する記録層の厚さは、１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは
５０ｎｍ〜３μｍである。
ーザー光に対して透明又は不透明のいずれであってもよ
い。基板の材質としては、ガラス、プラスチック、紙、
板状もしくは箔状の金属等、一般にこの種の記録体に用
いられる支持体が使用できるが、種々の点からみて特に
プラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂等があげられる。本発明
の光学記録体における情報記録層である光吸収物質を含
有する記録層の厚さは、１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは
５０ｎｍ〜３μｍである。
【００４２】本発明において、かかる記録層を基板面上
に成膜する方法としては塗布による方法が好ましい。塗
布にする成膜方法としては、前示一般式〔Ｉ〕で示され
るモノアゾ化合物とＮｉ，Ｃｕ，Ｃｏとから形成される
金属キレート化合物、溶媒又は溶媒とバインダーの混合
物中に溶解または分散させたものを、スピンコートする
方法、スプレー塗布する方法があげられ、かかる場合の
バタインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース樹脂等が挙げる
ことができる。その際、樹脂に対する光吸収物質の比率
は１０重量％以上が望ましい。また、かかる場合の溶媒
としては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケト
ン、メチルセロソルブ、エチルアルコール、テトラヒド
ロフラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のも
のを用いることができる。なお、基板として、射出成型
により製造されたポリカーボネート樹脂基板やメタクリ
ル樹脂基板を用いる場合には、上記の溶媒としては、エ
チルセロソルブ、エチルアルコール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール、ヘキサオロプ
ロパノール等が好ましい。
に成膜する方法としては塗布による方法が好ましい。塗
布にする成膜方法としては、前示一般式〔Ｉ〕で示され
るモノアゾ化合物とＮｉ，Ｃｕ，Ｃｏとから形成される
金属キレート化合物、溶媒又は溶媒とバインダーの混合
物中に溶解または分散させたものを、スピンコートする
方法、スプレー塗布する方法があげられ、かかる場合の
バタインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース樹脂等が挙げる
ことができる。その際、樹脂に対する光吸収物質の比率
は１０重量％以上が望ましい。また、かかる場合の溶媒
としては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケト
ン、メチルセロソルブ、エチルアルコール、テトラヒド
ロフラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のも
のを用いることができる。なお、基板として、射出成型
により製造されたポリカーボネート樹脂基板やメタクリ
ル樹脂基板を用いる場合には、上記の溶媒としては、エ
チルセロソルブ、エチルアルコール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール、ヘキサオロプ
ロパノール等が好ましい。
【００４３】記録層に金属反射層を設けると記録媒体の
反射率が高くなり記録、再生が容易となるので好まし
い。反射層は高屈折率の各種の金属、金属化合物および
それらの混合物を使用することができ、金および銀が屈
折率が高いと言う点で特に好ましい。本発明の光学記録
体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面だけに
設けてもよい。また、基板上に記録層を設けた２枚の媒
体を貼り合わせたものでもよい。
反射率が高くなり記録、再生が容易となるので好まし
い。反射層は高屈折率の各種の金属、金属化合物および
それらの混合物を使用することができ、金および銀が屈
折率が高いと言う点で特に好ましい。本発明の光学記録
体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面だけに
設けてもよい。また、基板上に記録層を設けた２枚の媒
体を貼り合わせたものでもよい。
【００４４】上記のようにして得られた光学記録体への
記録は、基板の両面または片面に設けられた記録層に１
μｍ程度に収束したレーザー光、好ましくは半導体レー
ザーの光を照射することにより行なう。レーザー光の照
射された部分には、レーザーエネルギーの吸収による、
分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録
された情報の再生はレーザー光により、熱的変形が起き
ている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取る
事により行なう。光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、
アルゴンレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザー
を用いることができるが、価格、大きさの点で、半導体
レーザーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中
心波長６８０ｎｍ、中心波長６５０ｎｍ、中心波長６３
５ｎｍ、そして６３５ｎｍより短波長のレーザーを使用
することができる。
記録は、基板の両面または片面に設けられた記録層に１
μｍ程度に収束したレーザー光、好ましくは半導体レー
ザーの光を照射することにより行なう。レーザー光の照
射された部分には、レーザーエネルギーの吸収による、
分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録
された情報の再生はレーザー光により、熱的変形が起き
ている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取る
事により行なう。光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、
アルゴンレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザー
を用いることができるが、価格、大きさの点で、半導体
レーザーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中
心波長６８０ｎｍ、中心波長６５０ｎｍ、中心波長６３
５ｎｍ、そして６３５ｎｍより短波長のレーザーを使用
することができる。
【００４５】また本発明の新規な金属キレート化合物は
プラスチックや紙など各種の素材の着色や各種の繊維の
染色、光学フィルターの着色など光学記録体以外の用途
にも使用できる極めて有用な化合物である。
プラスチックや紙など各種の素材の着色や各種の繊維の
染色、光学フィルターの着色など光学記録体以外の用途
にも使用できる極めて有用な化合物である。
【００４６】
【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。また、ε（分子吸光係数）
は、金属１原子に対して２分子のアゾ化合物が配位した
ものとして算出した。 実施例１ （ａ）金属キレート化合物製造例
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。また、ε（分子吸光係数）
は、金属１原子に対して２分子のアゾ化合物が配位した
ものとして算出した。 実施例１ （ａ）金属キレート化合物製造例
【００４７】
【化２１】
【００４８】上記構造式（１）で示される３−アミノ−
５−メチルイソキサゾール０．９８ｇを酢酸７．５ｍｌ
とプロピオン酸２．５ｍｌの混合物中に溶解させ、リン
酸９ｇを加え、０〜５℃で４３％ニトロシル硫酸３．５
ｇを滴下してジアゾ化した。得られたジアゾ液を３−ジ
エチルアミノ−ｎ−プロパンスルホニルアニリド３．２
４ｇをメタノール１００ｍｌ中に溶解させ、尿素０．６
ｇおよび酢酸ナトリウム１０ｇを加えた溶液中に０〜５
℃で滴下した。滴下の時にｐＨが５を下回らないように
酢酸ナトリウムの２０％水溶液を適宜加えた。５℃以下
でさらに２時間攪拌したのち一晩放置した。析出した結
晶をろ別、水洗、乾燥し、黄色の結晶３．４６ｇを得
た。このものをメタノール５０ｍｌ中に分散させ１５分
間攪拌したのち結晶をろ別、乾燥し、下記構造式（２）
で示される黄色の化合物２．４３ｇを得た。
５−メチルイソキサゾール０．９８ｇを酢酸７．５ｍｌ
とプロピオン酸２．５ｍｌの混合物中に溶解させ、リン
酸９ｇを加え、０〜５℃で４３％ニトロシル硫酸３．５
ｇを滴下してジアゾ化した。得られたジアゾ液を３−ジ
エチルアミノ−ｎ−プロパンスルホニルアニリド３．２
４ｇをメタノール１００ｍｌ中に溶解させ、尿素０．６
ｇおよび酢酸ナトリウム１０ｇを加えた溶液中に０〜５
℃で滴下した。滴下の時にｐＨが５を下回らないように
酢酸ナトリウムの２０％水溶液を適宜加えた。５℃以下
でさらに２時間攪拌したのち一晩放置した。析出した結
晶をろ別、水洗、乾燥し、黄色の結晶３．４６ｇを得
た。このものをメタノール５０ｍｌ中に分散させ１５分
間攪拌したのち結晶をろ別、乾燥し、下記構造式（２）
で示される黄色の化合物２．４３ｇを得た。
【００４９】
【化２２】
【００５０】前記のようにして得られた構造式（２）で
示されるアゾ化合物２．４ｇをテトラヒドロフラン４０
ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル４
水和物１．２ｇをメタノール２０ｍｌ中に溶解させたも
のを加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、析出した結晶
をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥し、赤紫色光沢のあ
る結晶のニッケルキレート化合物１．９２ｇを得た。こ
の化合物のλmax （クロロホルム中）は５２３ｎｍ（ε
６．６×１０4 ）であった。 （ｂ）記録媒体作成例 前記のようにして得られた本発明のニッケルキレート化
合物を１．２ｗｔ％となるようにオクタフルオロペンタ
ノール中に分散させ、このものを超音波洗浄機に５０℃
で、３０分間かけて溶解させ、０．２μｍのフィルター
でろ過した。得られた溶液をポリカーボネート基板上に
回転数８００ｒｐｍでスピンコートした。
示されるアゾ化合物２．４ｇをテトラヒドロフラン４０
ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル４
水和物１．２ｇをメタノール２０ｍｌ中に溶解させたも
のを加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、析出した結晶
をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥し、赤紫色光沢のあ
る結晶のニッケルキレート化合物１．９２ｇを得た。こ
の化合物のλmax （クロロホルム中）は５２３ｎｍ（ε
６．６×１０4 ）であった。 （ｂ）記録媒体作成例 前記のようにして得られた本発明のニッケルキレート化
合物を１．２ｗｔ％となるようにオクタフルオロペンタ
ノール中に分散させ、このものを超音波洗浄機に５０℃
で、３０分間かけて溶解させ、０．２μｍのフィルター
でろ過した。得られた溶液をポリカーボネート基板上に
回転数８００ｒｐｍでスピンコートした。
【００５１】得られた色素薄膜の膜厚は約２００ｎｍで
あった。次にこの塗布膜を８０℃のオーブンで乾燥した
後、塗布膜の上にスパッタリング方により膜厚１００ｎ
ｍのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この
反射層の上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これに
紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とした。塗布膜の
λmax は５６３ｎｍであった。
あった。次にこの塗布膜を８０℃のオーブンで乾燥した
後、塗布膜の上にスパッタリング方により膜厚１００ｎ
ｍのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この
反射層の上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これに
紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とした。塗布膜の
λmax は５６３ｎｍであった。
【００５２】（ｃ）光学記録例 上記記録を中心波長６４０ｎｍの半導体レーザー光を用
いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
３０％、記録パワー９．５ｍＷで、Ｃ／Ｎ比５６ｄＢの
良好な記録特定が得られた。尚、ディスク反射率は約５
５％であった。図１に金属キレート化合物の溶液吸収ス
ペクトル（クロロホルム中）を、図２に塗布膜の吸収ス
ペクトルを示す。
いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
３０％、記録パワー９．５ｍＷで、Ｃ／Ｎ比５６ｄＢの
良好な記録特定が得られた。尚、ディスク反射率は約５
５％であった。図１に金属キレート化合物の溶液吸収ス
ペクトル（クロロホルム中）を、図２に塗布膜の吸収ス
ペクトルを示す。
【００５３】実施例２ （ａ）金属キレート化合物製造例
【００５４】
【化２３】
【００５５】上記構造式（３）で示される２−アミノ−
５−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，４−チアジアゾール
３．１４ｇを酢酸２０ｍｌとプロピオン酸１０ｍｌの混
合物中に溶解させ、０〜５℃で硫酸２ｍｌを滴下し、０
〜５℃で４３％ニトロシル硫酸７．０９ｇを加えてジア
ゾ化した。得られたジアゾ液を３−ジエチルアミノ−４
−メトキシ−ｎ−プロパンスルホニルアニリド６．６ｇ
をメタノール１００ｍｌ中に溶解させ、尿素０．８ｇお
よび酢酸ナトリウム８ｇを加えた溶液中に０〜５℃で滴
下した。滴下の時にｐＨが５を下回らないように酢酸ナ
トリウムの２０％水溶液を適宜加えた。５℃以下でさら
に２時間攪拌したのち一晩放置した。析出した結晶をろ
別、水洗、乾燥し、下記構造式（４）で示される黄赤色
の結晶４．５０ｇを得た。
５−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，４−チアジアゾール
３．１４ｇを酢酸２０ｍｌとプロピオン酸１０ｍｌの混
合物中に溶解させ、０〜５℃で硫酸２ｍｌを滴下し、０
〜５℃で４３％ニトロシル硫酸７．０９ｇを加えてジア
ゾ化した。得られたジアゾ液を３−ジエチルアミノ−４
−メトキシ−ｎ−プロパンスルホニルアニリド６．６ｇ
をメタノール１００ｍｌ中に溶解させ、尿素０．８ｇお
よび酢酸ナトリウム８ｇを加えた溶液中に０〜５℃で滴
下した。滴下の時にｐＨが５を下回らないように酢酸ナ
トリウムの２０％水溶液を適宜加えた。５℃以下でさら
に２時間攪拌したのち一晩放置した。析出した結晶をろ
別、水洗、乾燥し、下記構造式（４）で示される黄赤色
の結晶４．５０ｇを得た。
【００５６】
【化２４】
【００５７】前記のようにして得られた構造式（４）で
示されるアゾ化合物２．２７ｇをテトラヒドロフラン４
０ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル
４水和物１．１ｇをメタノール２０ｍｌ中に溶解させた
ものを加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、析出した結
晶をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥し、赤色光沢のあ
る結晶のニッケルキレート化合物１．７ｇを得た。この
化合物のλmax （クロロホルム中）は５６２ｎｍ（ε
６．１×１０4 ）であった。
示されるアゾ化合物２．２７ｇをテトラヒドロフラン４
０ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル
４水和物１．１ｇをメタノール２０ｍｌ中に溶解させた
ものを加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、析出した結
晶をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥し、赤色光沢のあ
る結晶のニッケルキレート化合物１．７ｇを得た。この
化合物のλmax （クロロホルム中）は５６２ｎｍ（ε
６．１×１０4 ）であった。
【００５８】（ｂ）記録媒体作成例 前記のようにして得られたニッケルキレート化合物を用
いた記録媒体を実施例１とほぼ同様の条件で作成した。
得られた塗布膜の吸収極大は６３４ｎｍであり、膜厚は
約１００ｎｍであった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体への光学記録を中心波長６８０ｎｍの半
導体レーザー光を用いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数
３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％、記録パワー８．３ｍＷで、
行なったところＣ／Ｎ比５０ｄＢの良好な記録特性が得
られた。尚、ディスク反射率は約５０％であった。
いた記録媒体を実施例１とほぼ同様の条件で作成した。
得られた塗布膜の吸収極大は６３４ｎｍであり、膜厚は
約１００ｎｍであった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体への光学記録を中心波長６８０ｎｍの半
導体レーザー光を用いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数
３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％、記録パワー８．３ｍＷで、
行なったところＣ／Ｎ比５０ｄＢの良好な記録特性が得
られた。尚、ディスク反射率は約５０％であった。
【００５９】実施例３ （ａ）金属キレート化合物製造例
【００６０】
【化２５】
【００６１】公知の方法によりＳ−エチルチオ尿素の臭
化水素酸塩より合成した上記構造式（５）で示される５
−アミノ−３−エチルチオ−１，２，４−チアジアゾー
ル１．６１ｇを酢酸７．５ｍｌとプロピオン酸２．５ｍ
ｌの混合物中に溶解させリン酸９ｇを加え、０〜５℃で
４３％ニトロシル硫酸３．５ｇを滴下しジアゾ化した。
得られたジアゾ液を３−ジエチルアミノ−ｎ−プロパン
スルホニルアニリド３．２４ｇをメタノール１００ｍｌ
中に溶解させ、尿素０．６ｇおよび酢酸ナトリウム１０
ｇを加えた溶液中に０〜５℃で滴下した。滴下の時にｐ
Ｈが５を下回らないように酢酸ナトリウムの２０％水溶
液を適宜加えた。５℃以下でさらに２時間攪拌したのち
一晩放置した。析出した結晶をろ別、水洗、乾燥し、下
記構造式（６）で示される黄赤色の化合物１．９６ｇを
得た。
化水素酸塩より合成した上記構造式（５）で示される５
−アミノ−３−エチルチオ−１，２，４−チアジアゾー
ル１．６１ｇを酢酸７．５ｍｌとプロピオン酸２．５ｍ
ｌの混合物中に溶解させリン酸９ｇを加え、０〜５℃で
４３％ニトロシル硫酸３．５ｇを滴下しジアゾ化した。
得られたジアゾ液を３−ジエチルアミノ−ｎ−プロパン
スルホニルアニリド３．２４ｇをメタノール１００ｍｌ
中に溶解させ、尿素０．６ｇおよび酢酸ナトリウム１０
ｇを加えた溶液中に０〜５℃で滴下した。滴下の時にｐ
Ｈが５を下回らないように酢酸ナトリウムの２０％水溶
液を適宜加えた。５℃以下でさらに２時間攪拌したのち
一晩放置した。析出した結晶をろ別、水洗、乾燥し、下
記構造式（６）で示される黄赤色の化合物１．９６ｇを
得た。
【００６２】
【化２６】
【００６３】前記のようにして得られた構造式（６）で
示されるアゾ化合物１．１ｇをテトラヒドロフラン１０
ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル４
水和物０．５ｇをメタノール５ｍｌ中に溶解させたもの
を加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、水５ｍｌをくわ
えた。析出した結晶をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥
し、赤色光沢のある結晶のニッケルキレート化合物０．
７５ｇを得た。この化合物のλmax （クロロホルム中）
は５４６ｎｍ（ε６．２×１０4 ）であった。
示されるアゾ化合物１．１ｇをテトラヒドロフラン１０
ｍｌに溶解させ、２５℃で攪拌しながら酢酸ニッケル４
水和物０．５ｇをメタノール５ｍｌ中に溶解させたもの
を加え、２５℃でさらに２時間攪拌し、水５ｍｌをくわ
えた。析出した結晶をろ別し、メタノールで洗浄、乾燥
し、赤色光沢のある結晶のニッケルキレート化合物０．
７５ｇを得た。この化合物のλmax （クロロホルム中）
は５４６ｎｍ（ε６．２×１０4 ）であった。
【００６４】（ｂ）記録媒体作成例 前記のようにして得られたニッケルキレート化合物を用
いた記録媒体を実施例１とほぼ同様の条件で作成した。
得られた塗布膜の吸収極大は５９３ｎｍであり、膜厚は
約２００ｎｍであった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体への光学記録を中心波長６５０ｎｍの半
導体レーザー光を用いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数
３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％、記録パワー９．３ｍＷで行
なったところＣ／Ｎ比４６ｄＢの良好な記録特性が得ら
れた。尚、ディスク反射率は約６０％であった。
いた記録媒体を実施例１とほぼ同様の条件で作成した。
得られた塗布膜の吸収極大は５９３ｎｍであり、膜厚は
約２００ｎｍであった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体への光学記録を中心波長６５０ｎｍの半
導体レーザー光を用いて、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数
３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％、記録パワー９．３ｍＷで行
なったところＣ／Ｎ比４６ｄＢの良好な記録特性が得ら
れた。尚、ディスク反射率は約６０％であった。
【００６５】実施例４〜１０ 実施例１〜３とほぼ同等の条件で実施例４〜１０の化合
物を合成し基板上に塗布した。クロロホルム溶液中の吸
収λmax と塗布膜での吸収λmax の値を実施例１〜３の
値とともに次表に示す。
物を合成し基板上に塗布した。クロロホルム溶液中の吸
収λmax と塗布膜での吸収λmax の値を実施例１〜３の
値とともに次表に示す。
【００６６】
【表１】
【００６７】
【表２】
【００６８】比較例１ （ａ）金属キレート化合物製造例 ２−アミノ−６−メチルベンゾチアゾール３．１２ｇ
（０．０２モル）を９８％硫酸１０ｍｌ中に分散させ、
５〜１０℃でかきまぜながら氷酢酸１０ｍｌを加える。
さらに５℃以下に冷却し、亜硫酸ナトリウム１．６８ｇ
と９８％硫酸９．５ｍｌとから調整したニトロシル硫酸
を加え、３０分かきまぜる。次に水２５ｍｌを５℃以下
で徐々に滴下し、０〜５℃で１時間かきまぜる。この反
応液を３−ジエチルアミノ−ｎ−プロパンスルホニルア
ニリド５．４０ｇ（０．０２モル）をメタノール２００
ｍｌ中に分散させた液の中に、０〜５℃で濃アンモニア
水（２８％）７０ｍｌと同時にかくはんしながら滴下す
る。さらに５℃以下で３時間かくはん後、反応液を濾
過、水洗し、下記構造式（７）で示される赤色結晶７．
５２ｇを得た。
（０．０２モル）を９８％硫酸１０ｍｌ中に分散させ、
５〜１０℃でかきまぜながら氷酢酸１０ｍｌを加える。
さらに５℃以下に冷却し、亜硫酸ナトリウム１．６８ｇ
と９８％硫酸９．５ｍｌとから調整したニトロシル硫酸
を加え、３０分かきまぜる。次に水２５ｍｌを５℃以下
で徐々に滴下し、０〜５℃で１時間かきまぜる。この反
応液を３−ジエチルアミノ−ｎ−プロパンスルホニルア
ニリド５．４０ｇ（０．０２モル）をメタノール２００
ｍｌ中に分散させた液の中に、０〜５℃で濃アンモニア
水（２８％）７０ｍｌと同時にかくはんしながら滴下す
る。さらに５℃以下で３時間かくはん後、反応液を濾
過、水洗し、下記構造式（７）で示される赤色結晶７．
５２ｇを得た。
【００６９】
【化２７】
【００７０】この化合物０．８９ｇ（０．００２モル）
をテトラヒドロフラン１００ｍｌ中に溶解させろ過し、
得られたろ液にホウフッ化ニッケル４０％水溶液３．３
ｇを滴下した。得られた青色の反応液をホウフッ化ナト
リウム３３％水溶液１５０ｇ中に滴下し、水２００ｍｌ
を加えた。生成した結晶を濾別乾燥し、青色のＮｉ錯体
０．５２ｇを得た。
をテトラヒドロフラン１００ｍｌ中に溶解させろ過し、
得られたろ液にホウフッ化ニッケル４０％水溶液３．３
ｇを滴下した。得られた青色の反応液をホウフッ化ナト
リウム３３％水溶液１５０ｇ中に滴下し、水２００ｍｌ
を加えた。生成した結晶を濾別乾燥し、青色のＮｉ錯体
０．５２ｇを得た。
【００７１】（ｂ）記録媒体作成例 前記のようにして作成したＮｉ錯体を用いた記録媒体を
実施例１とほぼ同様な条件で作成した。成膜された薄膜
の最大吸収波長は６００ｎｍであり、膜厚は２００ｎｍ
であった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体へ実施例１と同様に６８０ｎｍ，６５０
ｎｍ，６３５ｎｍの各種半導体レーザーを用いて光学記
録を試みたが、いずれも反射率が１５％未満と低く記録
再生は困難であった。
実施例１とほぼ同様な条件で作成した。成膜された薄膜
の最大吸収波長は６００ｎｍであり、膜厚は２００ｎｍ
であった。 （ｃ）光学記録例 上記の記録媒体へ実施例１と同様に６８０ｎｍ，６５０
ｎｍ，６３５ｎｍの各種半導体レーザーを用いて光学記
録を試みたが、いずれも反射率が１５％未満と低く記録
再生は困難であった。
【００７２】本発明の新規な金属キレート化合物は、い
ずれも５００〜７００ｎｍの領域に吸収を有しており、
耐光性，保存安定性，耐熱性が良好で、後述するように
光学記録媒体の吸収物質として非常に有用である。ま
た、光学記録媒体以外の用途としては各種光学フィルタ
ー，プラスチック着色剤などを挙げることができる。本
発明の金属キレート化合物を含有することを特徴とする
光学記録媒体は、中心波長５００〜７００ｎｍのレーザ
ー光に対する記録再生特性が優れ、高密度記録が可能で
あり、耐光性，耐久性が良好である。
ずれも５００〜７００ｎｍの領域に吸収を有しており、
耐光性，保存安定性，耐熱性が良好で、後述するように
光学記録媒体の吸収物質として非常に有用である。ま
た、光学記録媒体以外の用途としては各種光学フィルタ
ー，プラスチック着色剤などを挙げることができる。本
発明の金属キレート化合物を含有することを特徴とする
光学記録媒体は、中心波長５００〜７００ｎｍのレーザ
ー光に対する記録再生特性が優れ、高密度記録が可能で
あり、耐光性，耐久性が良好である。
【００７３】
【図１】実施例１で作成した金属キレート化合物のクロ
ロホルム中での可視光吸収スペクトル。
ロホルム中での可視光吸収スペクトル。
【図２】実施例１で作成した金属キレート化合物の塗布
膜での可視光吸収スペクトル。
膜での可視光吸収スペクトル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 285/08 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ 285/135 Ｃ０７Ｄ 285/12 Ｅ (72)発明者 鈴木 夕起 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕で示されるモノアゾ化
合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成される金属キレ
ート化合物。 【化１】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子、窒素原子と
一緒になってチアジアゾール、イソオキサゾール環を形
成する残基を表わし、Ｚ1 は置換基を有していてもよい
ベンゼン環、置換基を有していてもよい炭素数１から６
のアルキル基もしくは分岐アルキル基を表わし、Ｘ1 ，
Ｘ2 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子を表わし、ＥはＮＹ1 Ｙ2 （Ｙ1 ，Ｙ2 はそれぞれ
独立に置換基を有していてもよいアルキル基を表わし、
Ｙ1 とＹ2 とで環を形成していてもよい。）を表わ
す。） - 【請求項２】 下記一般式〔II〕で示されるモノアゾ化
合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成される金属キレ
ート化合物。 【化２】 （式中、Ｂ1 は水素原子、置換基を有していてもよい炭
素数１から６のアルキル基、分岐アルキル基、アルコキ
シル基もしくはチオアルコキシル基または炭素数３から
６の環状アルキル基を表わし、Ｄ1 は水素原子、メトキ
シ基を表わし、Ｙ 3 ，Ｙ4 はそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいアルキル基を表わし、Ｚ2は炭素数１か
ら６のアルキル基、分岐アルキル基を表わす。 - 【請求項３】 下記一般式〔III 〕で示されるモノアゾ
化合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成される金属キ
レート化合物。 【化３】 （式中、Ｂ2 は水素原子、置換基を有していてもよい炭
素数１から６のアルキル基、分岐アルキル基、アルコキ
シル基もしくはチオアルコキシル基または炭素数３から
６の環状アルキル基を表わし、Ｄ2 は水素原子、メトキ
シ基を表わし、Ｙ 5 ，Ｙ6 はそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいアルキル基を表わし、Ｚ3は置換基を有
していてもよい炭素数１から６のアルキル基を表わ
す。） - 【請求項４】 下記一般式〔IV〕で示されるモノアゾ化
合物とＮｉ，ＣｏまたはＣｕとから形成される金属キレ
ート化合物。 【化４】 （式中、Ｂ3 は水素原子、置換基を有していてもよい炭
素数１から６のアルキル基、分岐アルキル基、アルコキ
シル基もしくはチオアルコキシル基または炭素数３から
６の環状アルキル基を表わし、Ｄ3 は水素原子、メトキ
シ基を表わし、Ｙ 7 ，Ｙ8 はそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいアルキル基を表わし、Ｚ4は置換基を有
していてもよい炭素数１から６のアルキル基を表わ
す。） - 【請求項５】 金属原子がＮｉである請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の金属キレート化合物。 - 【請求項６】 基板上に光ビームによる情報の書き込み
および／または読み取りが可能な記録層が設けられた光
学記録媒体において、該記録層に請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の金属キレート化合物を含有することを特
徴とする光学記録媒体。 - 【請求項７】 記録層上に金属の反射層および保護層を
設けることを特徴とする請求項６に記載の光学記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18779496A JP3680428B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18779496A JP3680428B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036693A true JPH1036693A (ja) | 1998-02-10 |
| JP3680428B2 JP3680428B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=16212351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18779496A Expired - Fee Related JP3680428B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3680428B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| WO2004013234A3 (de) * | 2002-07-26 | 2004-05-27 | Bayer Chemicals Ag | Metallkomplexe als lichtabsorbierende verbindungen in der informationsschicht von optischen datenträgern |
| WO2004072185A1 (de) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Lanxess Deutschland Gmbh | Azometallfarbstoffe sowie optischer datenträger enthaltend in der informationsschicht solche einen azometallfarbstoff als lichtabsorbierende verbindung |
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