JPS5959492A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS5959492A JPS5959492A JP57169721A JP16972182A JPS5959492A JP S5959492 A JPS5959492 A JP S5959492A JP 57169721 A JP57169721 A JP 57169721A JP 16972182 A JP16972182 A JP 16972182A JP S5959492 A JPS5959492 A JP S5959492A
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光等のエネルギー線を照射することに
よって記録層のエネルギー線照射部が溶融等により変形
または除去されることによって生じる反射率もしくは透
過率の変化を利用して光学的に情報の記録、再生を行う
のに適した記録媒体に関するものである。
よって記録層のエネルギー線照射部が溶融等により変形
または除去されることによって生じる反射率もしくは透
過率の変化を利用して光学的に情報の記録、再生を行う
のに適した記録媒体に関するものである。
光ディスク等の光記録媒体に要求される性質としては、
記録光源に用いるレーザの波長領域での記録感度が高い
こと、再生信号のSN比が高いこと、保存安定性にすぐ
れていること、及び毒性が低いことが挙げられる。
記録光源に用いるレーザの波長領域での記録感度が高い
こと、再生信号のSN比が高いこと、保存安定性にすぐ
れていること、及び毒性が低いことが挙げられる。
レーザ光照射部の温度上昇により記録層が融解し、ピッ
トを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体に於て、
記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収率が高
いこと、融点、比熱および熱伝導率が低いことが必要で
、また記録層の厚さは薄いことが望ましい。再生信号の
SN比を高くするためには、ピットの形状、大きさが揃
っていて、ピット周辺に乱れが無いこと、及び再生に反
射光を使用する場合には、記録部と未記録部との反射率
の差が大きいことが要求される。また保存安定性にすぐ
れた記録媒体を得るためには、記録層の酸化安定性及び
耐湿性が高いことが要求される。
トを形成するいわゆるヒートモード型記録媒体に於て、
記録感度を高くするためには、記録層の分光吸収率が高
いこと、融点、比熱および熱伝導率が低いことが必要で
、また記録層の厚さは薄いことが望ましい。再生信号の
SN比を高くするためには、ピットの形状、大きさが揃
っていて、ピット周辺に乱れが無いこと、及び再生に反
射光を使用する場合には、記録部と未記録部との反射率
の差が大きいことが要求される。また保存安定性にすぐ
れた記録媒体を得るためには、記録層の酸化安定性及び
耐湿性が高いことが要求される。
レーザ用記録媒体として現在最もすぐれているとされて
いるのは、ガラスまたはプラスチック基板上に記録層と
してテルルまたはテルル−砒素合金等のテルル合金薄膜
を形成したものである。テルル及びテルル合金薄膜は、
可視−近赤外の波長領域で光の吸収率が高く、低熱伝導
率、低融点であるため記録感度が高く、またピットの形
状、大きさも揃い易く且つ、可視−近赤外の波長領域で
適当な反射率を有しているため、反射光によってSN比
の高い再生信号が得られるなど、ヒートモード型レーザ
記録媒体に極めて適した性質を持っている。しかしテル
ル薄膜及びテルル−砒素合金薄膜には、酸化安定性が低
いこと及び毒性が高い等の欠点がある。酸化安定性の改
良にはテルルまたはテルル−砒素合金にセレンを添加し
たり、テルル低酸化物を用いる等の方法が試みられてい
るが、現在迄充分なものは得られておらず、また毒性に
関しては効果的な対策は見出されていない。
いるのは、ガラスまたはプラスチック基板上に記録層と
してテルルまたはテルル−砒素合金等のテルル合金薄膜
を形成したものである。テルル及びテルル合金薄膜は、
可視−近赤外の波長領域で光の吸収率が高く、低熱伝導
率、低融点であるため記録感度が高く、またピットの形
状、大きさも揃い易く且つ、可視−近赤外の波長領域で
適当な反射率を有しているため、反射光によってSN比
の高い再生信号が得られるなど、ヒートモード型レーザ
記録媒体に極めて適した性質を持っている。しかしテル
ル薄膜及びテルル−砒素合金薄膜には、酸化安定性が低
いこと及び毒性が高い等の欠点がある。酸化安定性の改
良にはテルルまたはテルル−砒素合金にセレンを添加し
たり、テルル低酸化物を用いる等の方法が試みられてい
るが、現在迄充分なものは得られておらず、また毒性に
関しては効果的な対策は見出されていない。
毒性の点では、テルル系記録媒体に比較して有利なもの
にガラスまたはプラスチック基板上、もしくは基板上に
設けたアルミニウム等の反射層の上に色素または色素を
ポリマーに分散した層を形成した記録媒体がある。しか
し一般に色素の吸収波長は、赤色光より短波長側にあり
、今後記録用光源の主流となると予想されている半導体
レーザの発振波長域である750nm〜850nmの領
域で大きな吸収を示す安定な色素が得られないため、半
導体レーザを記録用光源とする色素系記録媒体で実用的
なものは得られていない。
にガラスまたはプラスチック基板上、もしくは基板上に
設けたアルミニウム等の反射層の上に色素または色素を
ポリマーに分散した層を形成した記録媒体がある。しか
し一般に色素の吸収波長は、赤色光より短波長側にあり
、今後記録用光源の主流となると予想されている半導体
レーザの発振波長域である750nm〜850nmの領
域で大きな吸収を示す安定な色素が得られないため、半
導体レーザを記録用光源とする色素系記録媒体で実用的
なものは得られていない。
本発明者等は、酸化安定性及び耐水性にすぐれた特定の
低融点金属の微粒子が、化学的安定性にすぐれた特定の
金属酸化物中に分散した金属−酸化物複合体の薄膜が低
エネルギー固体表面に形成された場合、高感度でピット
の大きさ、形状が揃っており、形状に乱れがなく、且つ
安定でしかも毒性の無い光記録媒体となることを見出し
本発明に到達した。
低融点金属の微粒子が、化学的安定性にすぐれた特定の
金属酸化物中に分散した金属−酸化物複合体の薄膜が低
エネルギー固体表面に形成された場合、高感度でピット
の大きさ、形状が揃っており、形状に乱れがなく、且つ
安定でしかも毒性の無い光記録媒体となることを見出し
本発明に到達した。
本発明の要旨とするところは、表面張力が40ダインc
m−1以下の固体表面に、錫またはインジウムの酸化物
中に錫またはインジウムの微粒子を分散させた薄膜層を
設けたことを特徴とする光記録媒体の機構と構成にある
。
m−1以下の固体表面に、錫またはインジウムの酸化物
中に錫またはインジウムの微粒子を分散させた薄膜層を
設けたことを特徴とする光記録媒体の機構と構成にある
。
本発明の光記録媒体に於ては第1図に示す如く、基板上
に表面張力が40ダインcm−1以下の固体層(以下低
表面張力固体層と呼ぶ)が設けられており、該固体層の
表面に錫中に分散した薄膜(以下金属−酸化物複合薄膜
と呼ぶ)が形成されている。基板側もしくは、基板と反
対側から入射したエネルギー線は金属−酸化物複合薄膜
に吸収され、発生した熱により金属−酸化物複合薄膜が
融解し、ピットを形成することによって生ずる、媒体の
エネルギーが照射された部分の光の反射率もしくは透過
率の変化を利用して記録、再生が行われる。
に表面張力が40ダインcm−1以下の固体層(以下低
表面張力固体層と呼ぶ)が設けられており、該固体層の
表面に錫中に分散した薄膜(以下金属−酸化物複合薄膜
と呼ぶ)が形成されている。基板側もしくは、基板と反
対側から入射したエネルギー線は金属−酸化物複合薄膜
に吸収され、発生した熱により金属−酸化物複合薄膜が
融解し、ピットを形成することによって生ずる、媒体の
エネルギーが照射された部分の光の反射率もしくは透過
率の変化を利用して記録、再生が行われる。
本発明の光記録媒体に用いられる金属−酸化物複合薄膜
に於ける金属は、錫、インジウムおよびこれら金属以外
に錫−インジウム合金、錫またはインジウムを主成分と
する合金が挙げられる。これら金属は単独で用いてもま
た2種以上を組み合せて用いても良い。錫およびインジ
ウムの特徴は半導体レーザの発振波長域での反射率が高
い、低融点、低毒性、及び空気中での安定性が高い等で
あるので、錫またはインジウムを主成分とする合金を用
いる場合は、上記特長が失われないように注意する必要
がある。望ましい合金の例としては、錫−銅、錫−銀、
錫−金、錫−亜鉛、錫−アルミニウム、錫−鉛、錫−ビ
スマス、インジウム−銅、インジウム−銀、インジウム
−金、インジウム−鉛、インジウム−ビスマス等が挙げ
られる。
に於ける金属は、錫、インジウムおよびこれら金属以外
に錫−インジウム合金、錫またはインジウムを主成分と
する合金が挙げられる。これら金属は単独で用いてもま
た2種以上を組み合せて用いても良い。錫およびインジ
ウムの特徴は半導体レーザの発振波長域での反射率が高
い、低融点、低毒性、及び空気中での安定性が高い等で
あるので、錫またはインジウムを主成分とする合金を用
いる場合は、上記特長が失われないように注意する必要
がある。望ましい合金の例としては、錫−銅、錫−銀、
錫−金、錫−亜鉛、錫−アルミニウム、錫−鉛、錫−ビ
スマス、インジウム−銅、インジウム−銀、インジウム
−金、インジウム−鉛、インジウム−ビスマス等が挙げ
られる。
本発明の光記録媒体に用いられる金属−酸化物複合薄膜
に於ける酸化物は、錫またはインジウム酸化物であり、
化学式でSnO2、及びIn2O3と表されるものであ
るが、SnO2−x、In2O3−x等の低酸化物や、
SnMyO2、In2N2O3等のSnO2及びIn2
O3に異種金属がドーピングされたものでも良い。ここ
でx、zは0.5以下、yは0.25以下の正の数、M
はアンチモン、インジウム、Nは錫、ゲルマニウム、鉛
、亜鉛等の金属を示す。錫またはインジウム酸化物の特
徴は、低毒性で融点または熱分解温度が低く、また水に
対する溶解度が極めて小さい点にある。
に於ける酸化物は、錫またはインジウム酸化物であり、
化学式でSnO2、及びIn2O3と表されるものであ
るが、SnO2−x、In2O3−x等の低酸化物や、
SnMyO2、In2N2O3等のSnO2及びIn2
O3に異種金属がドーピングされたものでも良い。ここ
でx、zは0.5以下、yは0.25以下の正の数、M
はアンチモン、インジウム、Nは錫、ゲルマニウム、鉛
、亜鉛等の金属を示す。錫またはインジウム酸化物の特
徴は、低毒性で融点または熱分解温度が低く、また水に
対する溶解度が極めて小さい点にある。
従ってこれら酸化物及び前記金属からなる金属−酸化物
複合薄膜を使用した本発明の光記録媒体は、高感度であ
ると同時に、低毒性で高温多湿の環境下に於ても極めて
安定である。
複合薄膜を使用した本発明の光記録媒体は、高感度であ
ると同時に、低毒性で高温多湿の環境下に於ても極めて
安定である。
金属−酸化物複合薄膜のエネルギー吸収率は、用いるエ
ネルギー線の波長に於て10%以上であることが望まし
い。
ネルギー線の波長に於て10%以上であることが望まし
い。
吸収率が10%以下であると高感度の記録媒体を得るこ
とが難しい。また反射光による再生を行う形式の記録媒
体の場合は、金属−酸化物複合薄膜の反射率が10%以
上であることが望ましい。但し、反射型光ディスク以外
に使用する場合には、反射率が10%以下であっても良
い。また吸収率が10%以下のものでも記録に高エネル
ギーを使用する場合に利用できる。
とが難しい。また反射光による再生を行う形式の記録媒
体の場合は、金属−酸化物複合薄膜の反射率が10%以
上であることが望ましい。但し、反射型光ディスク以外
に使用する場合には、反射率が10%以下であっても良
い。また吸収率が10%以下のものでも記録に高エネル
ギーを使用する場合に利用できる。
金属−酸化物複合薄膜に於ける金属の充填率は0.2以
上、0.9以下であることが必要である。充填率が0.
2以下であると、エネルギー吸収率を高くするためには
薄膜の厚さを大きくしなければならず、このため、記録
媒体のエネルギー照射部のエネルギー密度が小さくなり
、またエネルギー照射による薄膜が溶融流動化する温度
も高くなり、記録感度が低下する。充填率が0.9以上
となると、薄膜中の金属粒子間の接触が始まり、金属粒
子が大きくなり、記録ピットの大きさ、形状が不揃いに
なり、再生信号のSN比が低下し、また熱伝導率も大き
くなるため記録感度が低下する。
上、0.9以下であることが必要である。充填率が0.
2以下であると、エネルギー吸収率を高くするためには
薄膜の厚さを大きくしなければならず、このため、記録
媒体のエネルギー照射部のエネルギー密度が小さくなり
、またエネルギー照射による薄膜が溶融流動化する温度
も高くなり、記録感度が低下する。充填率が0.9以上
となると、薄膜中の金属粒子間の接触が始まり、金属粒
子が大きくなり、記録ピットの大きさ、形状が不揃いに
なり、再生信号のSN比が低下し、また熱伝導率も大き
くなるため記録感度が低下する。
特に本発明の光記録媒体を反射光を利用して再生を行う
光ディスク等に使用する場合には、薄膜の光反射率を高
くする必要があり、このためには金属粒子の充填率が0
.3以上、0.9以下の範囲であることが望ましい。
光ディスク等に使用する場合には、薄膜の光反射率を高
くする必要があり、このためには金属粒子の充填率が0
.3以上、0.9以下の範囲であることが望ましい。
本発明の記録媒体に於ける金属−複合体薄膜の厚さは、
2000Å以下が望ましい。膜厚が2000Å以上では
、記録媒体のエネルギー照射部の体積が大きいため、吸
収されるエネルギーの密度が低下し、記録媒体の感度が
低下し、またピット周辺の形状が乱れ、再生信号のSN
比に悪影響を及ぼす。また本発明の光記録媒体を反射型
光ディスクに使用する場合には、膜厚は50Å以上であ
ることが望ましい。
2000Å以下が望ましい。膜厚が2000Å以上では
、記録媒体のエネルギー照射部の体積が大きいため、吸
収されるエネルギーの密度が低下し、記録媒体の感度が
低下し、またピット周辺の形状が乱れ、再生信号のSN
比に悪影響を及ぼす。また本発明の光記録媒体を反射型
光ディスクに使用する場合には、膜厚は50Å以上であ
ることが望ましい。
膜厚が50Å以下であると光反射率を高くすることが難
しく、再生信号のSN比を高くすることがてきない。本
発明の光記録媒体を反射型光ディスクに使用する場合、
金属−酸化物薄膜のより好ましい膜厚の範囲は100Å
以上1000Å以下である。
しく、再生信号のSN比を高くすることがてきない。本
発明の光記録媒体を反射型光ディスクに使用する場合、
金属−酸化物薄膜のより好ましい膜厚の範囲は100Å
以上1000Å以下である。
本発明の光記録媒体に用いられる低表面張力固体層とは
、常温で固体で、この固体の臨界表面張力が40ダイン
cm−1以下の物質であれば良い。臨界表面張力が40
ダインcm−1以上であると、エネルギー線照射により
溶融流動化した金属−酸化物薄膜の除去によるビット形
成がスムーズに進行せず、感度が低下すると同時に、特
にピットの形状が不揃いになり、またピットの周辺の形
状の乱れが起り、再生信号のSN比が低下する。低表面
張力固体層は、無機物であっても有機物であっても良い
が、この固体層は、金属−酸化物複合薄膜と接している
ため、エネルギー線の照射により、薄膜層に発生した熱
が拡散しにくいことが要求され、固体層の熱伝導率は低
いことが望ましい。以上の観点から低表面張力固体層と
して適しているものには、有機高分子量物がある。低表
面張力固体層として望ましい物質の具体例としては、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン
、ポリクロロトリフルオロエチレン等の含フッ素高分子
化合物、ポリジメチルシロキサン等の含ケイ素高分子化
合物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレ
ン等のポリオレフィン系高分子化合物、ポリスチレン、
ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸メチル等及び
これらを主成分とする共重合体及び固形パラフィン、ゼ
ラチンが挙げられる。尚、ポリアミド、ポリエチレンテ
レフタレート等は臨界表面張力が40ダインcm−1以
上あり、本発明の光記録媒体に於ける低表面張力固体層
として用いることはできない。また高分子化合物は、そ
れ自体機械的性質に優れているため、前記高分子化合物
のシート又は、フィルムを低表面張力固体層として、こ
の上に金属−酸化物複合薄膜を形成させると、他に基板
等を必要とせずに本発明の記録媒体が得られる。特にエ
ネルギー線を固体層側から入射させる場合には、固体層
が透明であることが必要である。この目的に用いられる
高分子化合物の例としては、メタクリル酸メチル、スチ
レンの重合体及びこれを等を主成分とする非重合体が挙
げられる。
、常温で固体で、この固体の臨界表面張力が40ダイン
cm−1以下の物質であれば良い。臨界表面張力が40
ダインcm−1以上であると、エネルギー線照射により
溶融流動化した金属−酸化物薄膜の除去によるビット形
成がスムーズに進行せず、感度が低下すると同時に、特
にピットの形状が不揃いになり、またピットの周辺の形
状の乱れが起り、再生信号のSN比が低下する。低表面
張力固体層は、無機物であっても有機物であっても良い
が、この固体層は、金属−酸化物複合薄膜と接している
ため、エネルギー線の照射により、薄膜層に発生した熱
が拡散しにくいことが要求され、固体層の熱伝導率は低
いことが望ましい。以上の観点から低表面張力固体層と
して適しているものには、有機高分子量物がある。低表
面張力固体層として望ましい物質の具体例としては、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン
、ポリクロロトリフルオロエチレン等の含フッ素高分子
化合物、ポリジメチルシロキサン等の含ケイ素高分子化
合物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレ
ン等のポリオレフィン系高分子化合物、ポリスチレン、
ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸メチル等及び
これらを主成分とする共重合体及び固形パラフィン、ゼ
ラチンが挙げられる。尚、ポリアミド、ポリエチレンテ
レフタレート等は臨界表面張力が40ダインcm−1以
上あり、本発明の光記録媒体に於ける低表面張力固体層
として用いることはできない。また高分子化合物は、そ
れ自体機械的性質に優れているため、前記高分子化合物
のシート又は、フィルムを低表面張力固体層として、こ
の上に金属−酸化物複合薄膜を形成させると、他に基板
等を必要とせずに本発明の記録媒体が得られる。特にエ
ネルギー線を固体層側から入射させる場合には、固体層
が透明であることが必要である。この目的に用いられる
高分子化合物の例としては、メタクリル酸メチル、スチ
レンの重合体及びこれを等を主成分とする非重合体が挙
げられる。
本発明の光記録媒体の1つの実施態様は、基板上に低表
面張力固体層を設け、この固体層の表面に金属−酸化物
複合薄膜を形成したものである。基板としては、ガラス
板あるいはポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド及
びエポキシ樹脂ジアリルフタレート重合体、ジエチルレ
ンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリイミ
ド等の熱可塑性、又は熱硬化性樹脂のシート又はフィル
ムが用いられる。特に記録光、再生光を基板を通して照
射する形成の光ディスクでは、基板にはガラス板又はメ
タクリル酸メチルスチレン、塩化ビニル、ジエチレング
リコールビスアリルカーボネートの重合体及びこれ等を
主成分とする共重合体ポリカーボネート、エポキシ樹脂
等の透明プラスチックのシートを用いる必要がある。
面張力固体層を設け、この固体層の表面に金属−酸化物
複合薄膜を形成したものである。基板としては、ガラス
板あるいはポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド及
びエポキシ樹脂ジアリルフタレート重合体、ジエチルレ
ンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリイミ
ド等の熱可塑性、又は熱硬化性樹脂のシート又はフィル
ムが用いられる。特に記録光、再生光を基板を通して照
射する形成の光ディスクでは、基板にはガラス板又はメ
タクリル酸メチルスチレン、塩化ビニル、ジエチレング
リコールビスアリルカーボネートの重合体及びこれ等を
主成分とする共重合体ポリカーボネート、エポキシ樹脂
等の透明プラスチックのシートを用いる必要がある。
本発明の記録媒体の囮構成の例を第1図及び第2図に消
す。以下本発明の記録媒体の製造方法を層構成の例図を
用いて説明する。
す。以下本発明の記録媒体の製造方法を層構成の例図を
用いて説明する。
第1図の構成の記録媒体は基板3の上に、低表面張力固
体層2をコートした後に、金属−酸化物複合薄膜1を形
成させることによって得られる。基板に固体層2をコー
トするためには、固体層に用いる材料を溶剤に溶解する
か、エマルジョン化したものを、スピンコート、ロール
コート、浸漬塗布等の方法を用いるか、物理蒸着、プラ
ズマ重合等の方法を用いる。固体層2の厚さは100Å
以上であれば良い。固体層の厚さが100Å以下である
と、低表面張力固体層の機能が充分発揮されず、ピット
の大きさ、形状の乱れによる再生信号のSN比の低下、
及び感度の低下が起る。
体層2をコートした後に、金属−酸化物複合薄膜1を形
成させることによって得られる。基板に固体層2をコー
トするためには、固体層に用いる材料を溶剤に溶解する
か、エマルジョン化したものを、スピンコート、ロール
コート、浸漬塗布等の方法を用いるか、物理蒸着、プラ
ズマ重合等の方法を用いる。固体層2の厚さは100Å
以上であれば良い。固体層の厚さが100Å以下である
と、低表面張力固体層の機能が充分発揮されず、ピット
の大きさ、形状の乱れによる再生信号のSN比の低下、
及び感度の低下が起る。
固体層2をコーティング後、固体層上に複合簿膜1を形
成させるが、そのためには真空蒸着法、イオン化蒸着法
、イオンプレーティング法、スパッタ法等を利用する。
成させるが、そのためには真空蒸着法、イオン化蒸着法
、イオンプレーティング法、スパッタ法等を利用する。
具体的には、金属と酸化物とを別々のルツボに入れ、1
×10−3mmHg以下の真空度において同時に蒸発さ
せ、蒸着を行う。又上記真空蒸着工程で蒸発粒子をイオ
ン化し、固体層2の表面に衝突させるイオン化蒸着法、
またイオン化と同時に基板側に直流電圧を印加してイオ
ン化粒子を加速させるイオンプレーティング法を用いる
こともできる。
×10−3mmHg以下の真空度において同時に蒸発さ
せ、蒸着を行う。又上記真空蒸着工程で蒸発粒子をイオ
ン化し、固体層2の表面に衝突させるイオン化蒸着法、
またイオン化と同時に基板側に直流電圧を印加してイオ
ン化粒子を加速させるイオンプレーティング法を用いる
こともできる。
また金属のターゲットと酸化物のターゲットを用いて同
時スパッタを行うことによって薄膜を形成させることも
できる。いずれの場合も薄膜形成時には、各蒸発源、タ
ーゲットの比較的近傍に水晶膜厚センサ等のセンサヘッ
ドを設置し、金属及び酸化物の蒸着速度、スパッタリン
グ速度を別々に検知、制御することにすり、所定の金属
充填率及び膜厚の複合薄膜を得る。第2図の構成の記録
媒体は、低表面張力固体層と基板との両方の機能を兼ね
備えた高分子化合物のシート又はフィルム4の上に直接
複合薄膜1を形成させることによって得られる。第1図
及び第2図の構成の記録媒体において、基板3またはシ
ート4を透明なものとしたときには、記録光及び再生光
を図の上方から入射させても、下方から入射させても良
い。本発明の記録媒体に於ける金属−酸化物複合薄膜は
、通常の環境下では極めて安定であり、特に保護層を設
ける必要は無いが、機械的衝撃等に対する保護を目的と
して保護層を、複合薄膜1の上に設けることが可能であ
る。保護層としては、Si02、Al2O3、TiO2
等の無機材料及び有機高分子材料が用いられる。
時スパッタを行うことによって薄膜を形成させることも
できる。いずれの場合も薄膜形成時には、各蒸発源、タ
ーゲットの比較的近傍に水晶膜厚センサ等のセンサヘッ
ドを設置し、金属及び酸化物の蒸着速度、スパッタリン
グ速度を別々に検知、制御することにすり、所定の金属
充填率及び膜厚の複合薄膜を得る。第2図の構成の記録
媒体は、低表面張力固体層と基板との両方の機能を兼ね
備えた高分子化合物のシート又はフィルム4の上に直接
複合薄膜1を形成させることによって得られる。第1図
及び第2図の構成の記録媒体において、基板3またはシ
ート4を透明なものとしたときには、記録光及び再生光
を図の上方から入射させても、下方から入射させても良
い。本発明の記録媒体に於ける金属−酸化物複合薄膜は
、通常の環境下では極めて安定であり、特に保護層を設
ける必要は無いが、機械的衝撃等に対する保護を目的と
して保護層を、複合薄膜1の上に設けることが可能であ
る。保護層としては、Si02、Al2O3、TiO2
等の無機材料及び有機高分子材料が用いられる。
以上の如くして得られる本発明の光記録媒体は毒性が無
く、高感度であり、安定性もすぐれていると同時に、特
に記録部に形成されるピットの大きさ、形状が揃ってお
り、ビット周辺部の形状の乱れが小さいため、再生信号
のSN比が高い点に特徴がある。本発明の光記録媒体が
上記の如くすぐれた特徴を示す理由は、現時点では必ず
しも明確で無いが以下の様に推定することができる。本
発明光記録媒体に於ける金属−酸化物複合薄膜では、金
属、酸化物共に光の波長またはそれ以下の単位の粒子で
形成されており、また金属の極めて低いためバルクの酸
化物に比較して極めて低い温度で複合薄膜は流動化する
。この流動化した複合体は、錫またはインジウムの単独
の溶融体に比較して、大きな表面エネルギーを有してい
ることが予想されるため、流動化した複合体とこれに接
触する低表面張力固体層との表面エネルギーの差が大き
くなり、ビット形成のための、流動化した複合の移動が
スムーズに起る。この流動化した複合体の移動は、滑動
化した部分とその周囲の固相の境界との表面エネルギー
の差によって起ると考えられているが(特開昭55−1
32536号参照)、本発明の光記録媒体に於ける金属
−酸化物複合薄膜に於ては、金属の粒子が極めて小さい
ため、錫またはインジウムそれぞれ単独の薄膜で見られ
る結晶粒界の影響がなくなり、エネルギー線の照射によ
り流動化した部分とその周囲の固相との境界の表面エネ
ルギーの分布が極めて均一になる。この結果、低い照射
エネルギーで形状、大きさの揃った周辺部の乱れの小さ
いビットが形成されるものと考えられる。
く、高感度であり、安定性もすぐれていると同時に、特
に記録部に形成されるピットの大きさ、形状が揃ってお
り、ビット周辺部の形状の乱れが小さいため、再生信号
のSN比が高い点に特徴がある。本発明の光記録媒体が
上記の如くすぐれた特徴を示す理由は、現時点では必ず
しも明確で無いが以下の様に推定することができる。本
発明光記録媒体に於ける金属−酸化物複合薄膜では、金
属、酸化物共に光の波長またはそれ以下の単位の粒子で
形成されており、また金属の極めて低いためバルクの酸
化物に比較して極めて低い温度で複合薄膜は流動化する
。この流動化した複合体は、錫またはインジウムの単独
の溶融体に比較して、大きな表面エネルギーを有してい
ることが予想されるため、流動化した複合体とこれに接
触する低表面張力固体層との表面エネルギーの差が大き
くなり、ビット形成のための、流動化した複合の移動が
スムーズに起る。この流動化した複合体の移動は、滑動
化した部分とその周囲の固相の境界との表面エネルギー
の差によって起ると考えられているが(特開昭55−1
32536号参照)、本発明の光記録媒体に於ける金属
−酸化物複合薄膜に於ては、金属の粒子が極めて小さい
ため、錫またはインジウムそれぞれ単独の薄膜で見られ
る結晶粒界の影響がなくなり、エネルギー線の照射によ
り流動化した部分とその周囲の固相との境界の表面エネ
ルギーの分布が極めて均一になる。この結果、低い照射
エネルギーで形状、大きさの揃った周辺部の乱れの小さ
いビットが形成されるものと考えられる。
更に本発明の光記録媒体に於ける金属−酸化物複合薄膜
では、金属粒子が互いに孤立しているため、熱伝導率が
低くなり、記録媒体の感度が高くなり、また、金属の充
填率を適切に選択することにより、最適な分光吸収率、
分光反射率の記録媒体が得られる。また複合薄膜に於け
る金属じは、錫またはインジウム、酸化物には、錫酸化
物または、インジウム酸化物といずれも空気中及び水中
で極めて安定で、且つ毒性の少ない材料を使用している
ため、本発明の光記録媒体は、低毒性で保存安定性もす
ぐれている。
では、金属粒子が互いに孤立しているため、熱伝導率が
低くなり、記録媒体の感度が高くなり、また、金属の充
填率を適切に選択することにより、最適な分光吸収率、
分光反射率の記録媒体が得られる。また複合薄膜に於け
る金属じは、錫またはインジウム、酸化物には、錫酸化
物または、インジウム酸化物といずれも空気中及び水中
で極めて安定で、且つ毒性の少ない材料を使用している
ため、本発明の光記録媒体は、低毒性で保存安定性もす
ぐれている。
以下、本発明の詳細を実施例を用いて示すが、本発明は
これ等の例に限定されるものではない。
これ等の例に限定されるものではない。
実施例1
厚さ1.2mm、外径300mm、内径35mmのポリ
メタクリル酸メチルのディスク状の基板上に、スピンナ
ーを用いてポリスチレン(ディックスチレンCR−35
00)の15%キシレン溶液を塗布し、乾燥を行い、厚
さ1μmのポリスチレン層を形成した。得られたポリス
チレン層(臨界表面張力33ダインcm−1)を有する
ポリメタクリル酸メチル基板を真空蒸着装置のチャンバ
ーに取り付け、蒸着装置の二つのルツボにそれぞれ錫(
フルウチ化学製、20φ×10mmt、純度99.99
%)及び酸化第二錫、フルウチ化学製、18φ×5mm
t、純度99.99%)を入れ、真空度1×10−5m
mHgに於て、錫及び酸化第二錫にそれぞれ別の電子銃
より電子線を照射し、錫及び酸化第二錫の蒸発速度を調
節しながら蒸着を行い、膜厚300〜320Åで錫の充
填率が表1に示す値の金属−酸化物複合薄膜を有する、
第1図に示す構成の光記録媒体を得た。錫微粒子の粒経
は200Å前後であった。
メタクリル酸メチルのディスク状の基板上に、スピンナ
ーを用いてポリスチレン(ディックスチレンCR−35
00)の15%キシレン溶液を塗布し、乾燥を行い、厚
さ1μmのポリスチレン層を形成した。得られたポリス
チレン層(臨界表面張力33ダインcm−1)を有する
ポリメタクリル酸メチル基板を真空蒸着装置のチャンバ
ーに取り付け、蒸着装置の二つのルツボにそれぞれ錫(
フルウチ化学製、20φ×10mmt、純度99.99
%)及び酸化第二錫、フルウチ化学製、18φ×5mm
t、純度99.99%)を入れ、真空度1×10−5m
mHgに於て、錫及び酸化第二錫にそれぞれ別の電子銃
より電子線を照射し、錫及び酸化第二錫の蒸発速度を調
節しながら蒸着を行い、膜厚300〜320Åで錫の充
填率が表1に示す値の金属−酸化物複合薄膜を有する、
第1図に示す構成の光記録媒体を得た。錫微粒子の粒経
は200Å前後であった。
次いで上記にして製作した試料について半導体レーザ(
日立製作所製HLP−1600、発振波長830nm)
光を、コリメーターレンズ、集光レンズを通して、基板
を通して記録層すなわち錫−酸化第二錫複合薄膜にビー
ム径1μmまで集光して照射し、ディスクを毎分600
回転の回転速度で回転させながら、250nsecのパ
ルス中に変調したレーザ光を照射して記録を行った。短
径がほぼ1μmのビットを形成するのに必要なディスク
面上におけるレーザ光強度を記録閾値として表1に示す
。またビットの大きさ、形状について顕微鏡で観察した
結果についても表1に示す。
日立製作所製HLP−1600、発振波長830nm)
光を、コリメーターレンズ、集光レンズを通して、基板
を通して記録層すなわち錫−酸化第二錫複合薄膜にビー
ム径1μmまで集光して照射し、ディスクを毎分600
回転の回転速度で回転させながら、250nsecのパ
ルス中に変調したレーザ光を照射して記録を行った。短
径がほぼ1μmのビットを形成するのに必要なディスク
面上におけるレーザ光強度を記録閾値として表1に示す
。またビットの大きさ、形状について顕微鏡で観察した
結果についても表1に示す。
表1に示す如く錫の充填率が0.1以下の試料番号7及
び8では、記録感度が著しく低いにもかかわらず、本発
明の光記録媒体である試料番号2〜6では、パルス巾5
00nsec、レーザ光出力12mW以下で記録可能で
ある。また錫単独の薄膜で成り立っている試料番号1は
、ビットの大きさ、形状が不揃いである。第3図に試料
番号4、第4図に試料番号1の試料に形成されたビット
の顕微鏡写真(倍率1000倍)を示す。
び8では、記録感度が著しく低いにもかかわらず、本発
明の光記録媒体である試料番号2〜6では、パルス巾5
00nsec、レーザ光出力12mW以下で記録可能で
ある。また錫単独の薄膜で成り立っている試料番号1は
、ビットの大きさ、形状が不揃いである。第3図に試料
番号4、第4図に試料番号1の試料に形成されたビット
の顕微鏡写真(倍率1000倍)を示す。
実施例2
厚さ1.5mm、外径150mm、内径35mmのガラ
ス板に、ジメチルシロキサン系重合体のトルエン溶液(
信越シリコーン製KR251)、ポリテトラフルオロエ
チレンのエマルジョン(東洋ドライループ(株)製ドラ
イループ#101A)、パラフィン(和光純薬製、融点
69〜73℃)のキシレン溶液、ポリメタクリル酸メチ
ル(三菱レイヨン製アクリコン)のメチルエチルケトン
溶液をそれぞれスピンナーを用いて塗布し、乾燥もしく
は熱処理を行い、得られた低表面張力固体層を有するガ
ラス基板を蒸着装置のチャンバーに取り付け、表2−1
に示す金属−酸化物複合薄膜を有する試料番号9から1
2の光記録媒体を得た。尚、比較のために、ガラス基板
表面に直接金属−酸化物複合薄膜を形成させた試料番号
13のものも製作した。
ス板に、ジメチルシロキサン系重合体のトルエン溶液(
信越シリコーン製KR251)、ポリテトラフルオロエ
チレンのエマルジョン(東洋ドライループ(株)製ドラ
イループ#101A)、パラフィン(和光純薬製、融点
69〜73℃)のキシレン溶液、ポリメタクリル酸メチ
ル(三菱レイヨン製アクリコン)のメチルエチルケトン
溶液をそれぞれスピンナーを用いて塗布し、乾燥もしく
は熱処理を行い、得られた低表面張力固体層を有するガ
ラス基板を蒸着装置のチャンバーに取り付け、表2−1
に示す金属−酸化物複合薄膜を有する試料番号9から1
2の光記録媒体を得た。尚、比較のために、ガラス基板
表面に直接金属−酸化物複合薄膜を形成させた試料番号
13のものも製作した。
上記試料についてパルス巾250nsecで、レーザ光
を基板を通さず、複合薄膜側から入射させる以外は実施
例1と同様の条件で記録を行った結果を表2−2に示す
。尚、試料番号13の試料のみパルス巾500nsec
で記録を行った。
を基板を通さず、複合薄膜側から入射させる以外は実施
例1と同様の条件で記録を行った結果を表2−2に示す
。尚、試料番号13の試料のみパルス巾500nsec
で記録を行った。
表2−2に示す様に、ガラス基板に低表面張力固体層を
形成した試料では、記録感度が高くビットの形状も良好
であるが、ガラス基板表面に直接錫−酢化第二錫複合薄
膜を形成させた試料番号13では、試料番号9〜12に
比較して、感度も低くビットの大きさ、形状に乱れが大
きい。
形成した試料では、記録感度が高くビットの形状も良好
であるが、ガラス基板表面に直接錫−酢化第二錫複合薄
膜を形成させた試料番号13では、試料番号9〜12に
比較して、感度も低くビットの大きさ、形状に乱れが大
きい。
実施例3
厚さ1.2mm、外径300mm、内径35mmのポリ
メタクリル酸メチルのディスク状基板(臨界表面張力3
9ダインcm−1)を真空蒸着装置のチャンバーに取り
付け、蒸着装置の二つのルツボにそれぞれ、錫−インジ
ウム合金〔フルウチ化学製錫(90%)−インジウム(
10%)合金ショット、純度99.99%〕及び酸化第
二錫(フルウチ化学製、18φ×5mmt、純度99.
99%)を入れ、実施例1と同様の条件で蒸着を行い、
錫−インジウム合金の充填率が0.6、膜厚300Åの
金属−酸化物複合薄膜を有する第2図に示す構成の光記
録媒体を得た。
メタクリル酸メチルのディスク状基板(臨界表面張力3
9ダインcm−1)を真空蒸着装置のチャンバーに取り
付け、蒸着装置の二つのルツボにそれぞれ、錫−インジ
ウム合金〔フルウチ化学製錫(90%)−インジウム(
10%)合金ショット、純度99.99%〕及び酸化第
二錫(フルウチ化学製、18φ×5mmt、純度99.
99%)を入れ、実施例1と同様の条件で蒸着を行い、
錫−インジウム合金の充填率が0.6、膜厚300Åの
金属−酸化物複合薄膜を有する第2図に示す構成の光記
録媒体を得た。
得られた光記録媒体について、実施例1と同様の方法を
用いて、ディスク回転数毎分600回転、パルス巾50
0nsecの条件で記録を行ったところ、記録閾値5m
Wであった。また、1MHzの基準信号を用いてスペク
トラムアナライザーで測定したCN比は43dBであっ
た。
用いて、ディスク回転数毎分600回転、パルス巾50
0nsecの条件で記録を行ったところ、記録閾値5m
Wであった。また、1MHzの基準信号を用いてスペク
トラムアナライザーで測定したCN比は43dBであっ
た。
上記の様にして記録を行った記録済のディスク状記録媒
体を60℃、95%RHの恒温恒湿槽で90日間耐湿熱
性試験を行ったところ、再生信号のCN比に変化は認め
られなかった。
体を60℃、95%RHの恒温恒湿槽で90日間耐湿熱
性試験を行ったところ、再生信号のCN比に変化は認め
られなかった。
実施例4
厚さ1.2mm、外径300mm、内径35mmのポリ
メタクリル酸メチルのディスク状基板を、真空蒸着装置
のチャンバーに取り付け、真空度1×10−6mmHg
に於て、ポリエチレン(三洋化成工業製、サンワックス
)を500Åの厚さに蒸着し、低表面張力固体層(臨界
表面張力32ダインcm−1)を形成させた後、この表
面に引続き同一チャンバー内で実施例3と同様の方法を
用いて、錫−インジウム合金の充填率0.65、膜厚3
20Åの錫・インジウム合金−酸化第二錫複合薄膜を形
成させた。
メタクリル酸メチルのディスク状基板を、真空蒸着装置
のチャンバーに取り付け、真空度1×10−6mmHg
に於て、ポリエチレン(三洋化成工業製、サンワックス
)を500Åの厚さに蒸着し、低表面張力固体層(臨界
表面張力32ダインcm−1)を形成させた後、この表
面に引続き同一チャンバー内で実施例3と同様の方法を
用いて、錫−インジウム合金の充填率0.65、膜厚3
20Åの錫・インジウム合金−酸化第二錫複合薄膜を形
成させた。
上記の様にして得られた光記録媒体について、実施例3
と同一条件で測定した記録閾値は4mW、CN比は47
dBであった。
と同一条件で測定した記録閾値は4mW、CN比は47
dBであった。
比較例
厚さ250μm,直径150mm、内径35mmのポリ
エチレンテレフタレートシート(東レ製ルミラー#25
0、臨界表面張力43ダインcm−1)を厚さ1.5m
m、直径150mm、内径35mmのガラス板に表面が
平滑になるように貼りつけた後、真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例3と同様の条件で蒸着を行い、
錫・インジウム合金の充填率が0.65、膜厚が310
Åの錫・インジウム合金−酸化第二錫複合薄膜をポリエ
チレンテレフタレートシート上に形成させた上記の様に
して得られた試料について、レーザ光を基板を通さずに
、金属−酸化物複合薄膜側から入射させる以下は実施例
3と同一条件で測定した記録閾値は6mW、CN比30
dBであった。またビットの大きさ形式が不揃いで周辺
部に乱れがあり、光記録媒体として不適当であることが
判った。
エチレンテレフタレートシート(東レ製ルミラー#25
0、臨界表面張力43ダインcm−1)を厚さ1.5m
m、直径150mm、内径35mmのガラス板に表面が
平滑になるように貼りつけた後、真空蒸着装置のチャン
バーに取り付け、実施例3と同様の条件で蒸着を行い、
錫・インジウム合金の充填率が0.65、膜厚が310
Åの錫・インジウム合金−酸化第二錫複合薄膜をポリエ
チレンテレフタレートシート上に形成させた上記の様に
して得られた試料について、レーザ光を基板を通さずに
、金属−酸化物複合薄膜側から入射させる以下は実施例
3と同一条件で測定した記録閾値は6mW、CN比30
dBであった。またビットの大きさ形式が不揃いで周辺
部に乱れがあり、光記録媒体として不適当であることが
判った。
第1図、第2図は本発明の光記録媒体の断面図である。
第1図、第2図において、1は金属−酸化物複合薄膜、
2及び4は低表面張力固体層を示す。 第3図は、実施例1の試料番号4の本発明の光記録媒体
に形成されたビットの顕微鏡写真(倍率1000倍)、
第4図は、実施例1で比較のために示した錫薄膜からな
る試料番号1に形成されたビットの顕微鏡写真である(
倍率1000倍)。 特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社第り図 〈−5 第2図
2及び4は低表面張力固体層を示す。 第3図は、実施例1の試料番号4の本発明の光記録媒体
に形成されたビットの顕微鏡写真(倍率1000倍)、
第4図は、実施例1で比較のために示した錫薄膜からな
る試料番号1に形成されたビットの顕微鏡写真である(
倍率1000倍)。 特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社第り図 〈−5 第2図
Claims (1)
- 表面張力が40ダインcm−1以下の固体表面に錫また
はインジウムの酸化物中に充填率0.2乃至0.9の割
合で錫またはインジウムの微粒子を分散させた薄膜層を
設けたことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169721A JPS5959492A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169721A JPS5959492A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5959492A true JPS5959492A (ja) | 1984-04-05 |
JPH0324356B2 JPH0324356B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=15891620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57169721A Granted JPS5959492A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5959492A (ja) |
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---|---|---|---|---|
JPS6210788A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | ロ−レルバンクマシン株式会社 | 紙幣振り分け放出機 |
WO1999017285A1 (en) * | 1997-09-29 | 1999-04-08 | The Dow Chemical Company | Improved adhesion of amorphous saturated hydrocarbon thermoplastic substrates |
EP1626395A2 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-15 | Lintec Corporation | Coating composition, coating film, method of manufacturing coating film, and optical recording medium |
Families Citing this family (1)
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JPS55132536A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-15 | Philips Nv | Optical recorder for information |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57169721A patent/JPS5959492A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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