JPH0157680B2 - - Google Patents
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- JPH0157680B2 JPH0157680B2 JP57215898A JP21589882A JPH0157680B2 JP H0157680 B2 JPH0157680 B2 JP H0157680B2 JP 57215898 A JP57215898 A JP 57215898A JP 21589882 A JP21589882 A JP 21589882A JP H0157680 B2 JPH0157680 B2 JP H0157680B2
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ等により情報を高密度に記録
し、これを再生する光学記録媒体に関し、詳しく
は可視および近赤外域の波長を有し、且つ、低エ
ネルギーのレーザ等により高密度の光学記録およ
び再生が可能な光学記録媒体に関するものであ
る。
し、これを再生する光学記録媒体に関し、詳しく
は可視および近赤外域の波長を有し、且つ、低エ
ネルギーのレーザ等により高密度の光学記録およ
び再生が可能な光学記録媒体に関するものであ
る。
一般に、光デイスクは、基体の上に設けた薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μ）ピツトをらせん状又は円形のト
ラツク形態にして高密度情報を記憶することがで
きる。この様なデイスクに情報を書込むには、レ
ーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピツトを形
成し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネ
ルギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形
成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、
レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所
に蒸発又は変形により小さな凹部（ピツト）を形
成できる。また、別のヒートモード記録方式で
は、照射されたレーザ・エネルギーの吸収によ
り、その個所に光学的に検出可能な化学変化によ
つて生じる酸化度差、反射率差あるいは濃度差を
有するピツトを形成できる。
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μ）ピツトをらせん状又は円形のト
ラツク形態にして高密度情報を記憶することがで
きる。この様なデイスクに情報を書込むには、レ
ーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピツトを形
成し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネ
ルギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形
成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、
レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所
に蒸発又は変形により小さな凹部（ピツト）を形
成できる。また、別のヒートモード記録方式で
は、照射されたレーザ・エネルギーの吸収によ
り、その個所に光学的に検出可能な化学変化によ
つて生じる酸化度差、反射率差あるいは濃度差を
有するピツトを形成できる。
この光学記録媒体に記録された情報は、レーザ
をトラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された
部分とピツトが形成されていない部分の光学的変
化を読み取ることによつて検出される。
をトラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された
部分とピツトが形成されていない部分の光学的変
化を読み取ることによつて検出される。
この様な記録−再生に用いる記録媒体として
は、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナ
イト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用い
たものや染料（色素）を含有させたプラスチツク
被膜などの有機物質を用いたものが知られてい
る。
は、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナ
イト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用い
たものや染料（色素）を含有させたプラスチツク
被膜などの有機物質を用いたものが知られてい
る。
しかし、これまでの前述の如き化学変化によつ
てピツトを形成する方式の方法では、感度が不十
分で、しかも、ピツト形成部とピツト未形成部の
光学上のコントラストが小さく、高いＳ／Ｎ比を
有する情報記録が得られない欠点を有しており、
さらに、記録された記録媒体は長期間に亘つた保
存において安定性に欠く等の欠点を有している。
一方、孔を形成する方法では、高感度と高Ｓ／Ｎ
比を得ることができる反面、空気中に露出したレ
ーザ感応層の表面が水分や酸化性雰囲気を有する
環境下において、酸化されて安定性に欠くという
欠点を有している。かかる欠点に対して、従来法
ではレーザ感応層の上及び（又は）下側に保護層
を設けることが提案されてはいるが、この様な保
護層が逆に感度とＳ／Ｎ比を低下させる原因とな
つている。
てピツトを形成する方式の方法では、感度が不十
分で、しかも、ピツト形成部とピツト未形成部の
光学上のコントラストが小さく、高いＳ／Ｎ比を
有する情報記録が得られない欠点を有しており、
さらに、記録された記録媒体は長期間に亘つた保
存において安定性に欠く等の欠点を有している。
一方、孔を形成する方法では、高感度と高Ｓ／Ｎ
比を得ることができる反面、空気中に露出したレ
ーザ感応層の表面が水分や酸化性雰囲気を有する
環境下において、酸化されて安定性に欠くという
欠点を有している。かかる欠点に対して、従来法
ではレーザ感応層の上及び（又は）下側に保護層
を設けることが提案されてはいるが、この様な保
護層が逆に感度とＳ／Ｎ比を低下させる原因とな
つている。
従つて、本発明の目的は、前述の欠点を解消し
た新規な光記録方法を提供することにある。
た新規な光記録方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、感度および記録に伴う光
学特性の変化を向上させた光記録方法を提供する
ことにある。
学特性の変化を向上させた光記録方法を提供する
ことにある。
又、本発明の別の目的は、記録後の経時におい
て、安定した記録を保持できる光記録方法を提供
することにある。
て、安定した記録を保持できる光記録方法を提供
することにある。
本発明のかかる目的は、電磁放射線を吸収して
光学変化を生じる物質がフツ素化合物のマトリツ
クス中に20〜70モル％の範囲で含有される電磁放
射線感応層に電磁放射線を照射して該電磁放射線
感応層の反射率を上昇させることによつて情報を
記録することを特徴とする光記録方法によつて達
成される。
光学変化を生じる物質がフツ素化合物のマトリツ
クス中に20〜70モル％の範囲で含有される電磁放
射線感応層に電磁放射線を照射して該電磁放射線
感応層の反射率を上昇させることによつて情報を
記録することを特徴とする光記録方法によつて達
成される。
本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収し
て熱作用を受け、かかる熱作用によつて光学変化
を生じる物質、例えば、Te（テルル）、Pb（鉛）、
Au（金）、Sn（錫）、As（ヒ素）、Bi（ビスマス）、In
（インジウム）やカーボンブラツクなどの物質と
フツ素化合物、例えば、BiF3（フツ化ビスマス）、
MgF2（フツ化マグネシウム）、PbF2（フツ化鉛）、
LiF（フツ化リチウム）、CeF3（フツ化セリウム）、
AgF（フツ化銀）、CaF2（フツ化カルシウム）、
CrF2（２フツ化クロム）やCrF3（３フツ化クロム）
などのフツ化金属あるいはポリフツ化炭素などの
フツ素炭化物をそれぞれ別個の蒸着用ボート、蒸
着用るつぼあるいはエレクトロンビーム蒸着用る
つぼに配置してから基板上に混合蒸着又は混合ス
パツタリングさせることにより、電磁放射線感応
層を形成することによつて得ることができる。
又、前述のフツ素化合物と金属との混合ペレツト
を用いた抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着
方式、スパツタリング方式など公知の薄膜形成方
式を用いても電磁放射線感応層を形成することが
できる。これらの方式のうち、真空蒸着法は、簡
単な操作で再現性が良好なことから好ましい方式
の１つであり、この際、５×10-5Torr以下の真
空度で行なうことが望ましい。又、この際の蒸着
速度は、0.1〜50Å/sec、好ましくは１〜40Å/se
ｃである。
て熱作用を受け、かかる熱作用によつて光学変化
を生じる物質、例えば、Te（テルル）、Pb（鉛）、
Au（金）、Sn（錫）、As（ヒ素）、Bi（ビスマス）、In
（インジウム）やカーボンブラツクなどの物質と
フツ素化合物、例えば、BiF3（フツ化ビスマス）、
MgF2（フツ化マグネシウム）、PbF2（フツ化鉛）、
LiF（フツ化リチウム）、CeF3（フツ化セリウム）、
AgF（フツ化銀）、CaF2（フツ化カルシウム）、
CrF2（２フツ化クロム）やCrF3（３フツ化クロム）
などのフツ化金属あるいはポリフツ化炭素などの
フツ素炭化物をそれぞれ別個の蒸着用ボート、蒸
着用るつぼあるいはエレクトロンビーム蒸着用る
つぼに配置してから基板上に混合蒸着又は混合ス
パツタリングさせることにより、電磁放射線感応
層を形成することによつて得ることができる。
又、前述のフツ素化合物と金属との混合ペレツト
を用いた抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着
方式、スパツタリング方式など公知の薄膜形成方
式を用いても電磁放射線感応層を形成することが
できる。これらの方式のうち、真空蒸着法は、簡
単な操作で再現性が良好なことから好ましい方式
の１つであり、この際、５×10-5Torr以下の真
空度で行なうことが望ましい。又、この際の蒸着
速度は、0.1〜50Å/sec、好ましくは１〜40Å/se
ｃである。
本発明の電磁放射線感応層は、前述の電磁放射
線を吸収して光学変化を生じる物質を20〜70モル
％の範囲で含有しているとが好ましく、又、その
膜厚は300Å〜5000Åとすることが適している。
線を吸収して光学変化を生じる物質を20〜70モル
％の範囲で含有しているとが好ましく、又、その
膜厚は300Å〜5000Åとすることが適している。
本発明の光学記録媒体は、支持体として用いる
基体の上に、前述の電磁放射線感応層を形成する
ことによつて得られるが、各種補助層を設けるこ
とができる。例えば基体の表面に熱定数を調整す
る目的で、無機あるいは有機物質からなる表面被
膜を有する基板を用いることができる。又、電磁
放射線感応層の上に透明な材質からなる保護層を
設けることができ、この保護層は機械的損傷の防
止に対して有効となる上に、適当な厚さで形成す
ることにより、反射防止膜とすることができるの
で、感度の向上にも有効である。又、電磁放射線
感応層と基体の間に反射層を設けることができ
る。この反射層は、アルミニウム、銀、クロムな
どの反射性金属の蒸着層又はラミネート層とする
ことができる。
基体の上に、前述の電磁放射線感応層を形成する
ことによつて得られるが、各種補助層を設けるこ
とができる。例えば基体の表面に熱定数を調整す
る目的で、無機あるいは有機物質からなる表面被
膜を有する基板を用いることができる。又、電磁
放射線感応層の上に透明な材質からなる保護層を
設けることができ、この保護層は機械的損傷の防
止に対して有効となる上に、適当な厚さで形成す
ることにより、反射防止膜とすることができるの
で、感度の向上にも有効である。又、電磁放射線
感応層と基体の間に反射層を設けることができ
る。この反射層は、アルミニウム、銀、クロムな
どの反射性金属の蒸着層又はラミネート層とする
ことができる。
又、本発明の光学記録媒体には、特願昭57−
72374号明細書に記載のトラツク案内溝や番地指
定溝などの機能をもつプレグループを形成するこ
とができる。
72374号明細書に記載のトラツク案内溝や番地指
定溝などの機能をもつプレグループを形成するこ
とができる。
本発明の好ましい具体例では、フツ化ビスマス
BiFx1（０＜x1３）又はフツ化鉛PbFx2（０＜x2
２）からなるマトリツクス中に、Te（テルル）、
Pb（鉛）、AU（金）、Sn（錫）およびAs（ヒ素）か
らなる金属群から選択された少なくとも１種の金
属を含有させた被膜を電磁放射線感応層として用
いることができる。この際、前述の金属類は、フ
ツ化ビスマス又はフツ化鉛からなるマトリツクス
中に20〜70モル％の範囲で含有していることが好
ましく、この被膜に電磁放射線、例えばガリウム
−ヒ素−アルミニウム半導体レーザ（発振波長：
820nm）、アルゴンガスレーザ（発振波長：
488nm、515nm）、ヘリウム−ネオンガスレーザ
（発振波長：632.8）その他、可視領域から赤外領
域に発振波長を有するレーザやキセノンフラツシ
ユランプなどの各種短パルス発光ランプあるいは
赤外線ランプ光やヒータを照射あるいは接触させ
ることによつてピツトを形成することができる。
このピツト形成部は、ピツト未形成部の反射率と
異なつており、従つて、例えば電磁放射線をトラ
ツクに沿つて走査することによつてピツトを形成
し、このピツト形成部とピツト未形成部に前述の
トラツクに沿つて低出力レーザを走査し、その反
射率差をフオトデイテクターによつて読み取るこ
とができる。
BiFx1（０＜x1３）又はフツ化鉛PbFx2（０＜x2
２）からなるマトリツクス中に、Te（テルル）、
Pb（鉛）、AU（金）、Sn（錫）およびAs（ヒ素）か
らなる金属群から選択された少なくとも１種の金
属を含有させた被膜を電磁放射線感応層として用
いることができる。この際、前述の金属類は、フ
ツ化ビスマス又はフツ化鉛からなるマトリツクス
中に20〜70モル％の範囲で含有していることが好
ましく、この被膜に電磁放射線、例えばガリウム
−ヒ素−アルミニウム半導体レーザ（発振波長：
820nm）、アルゴンガスレーザ（発振波長：
488nm、515nm）、ヘリウム−ネオンガスレーザ
（発振波長：632.8）その他、可視領域から赤外領
域に発振波長を有するレーザやキセノンフラツシ
ユランプなどの各種短パルス発光ランプあるいは
赤外線ランプ光やヒータを照射あるいは接触させ
ることによつてピツトを形成することができる。
このピツト形成部は、ピツト未形成部の反射率と
異なつており、従つて、例えば電磁放射線をトラ
ツクに沿つて走査することによつてピツトを形成
し、このピツト形成部とピツト未形成部に前述の
トラツクに沿つて低出力レーザを走査し、その反
射率差をフオトデイテクターによつて読み取るこ
とができる。
本発明の光学記録媒体を構成するには、支持体
として用いられる基板は、基板側から情報記録光
（電磁放射線）を入射させて記録する場合には透
明であることが好ましい。記録媒体に情報を記録
するための光源として、前述した様に半導体レー
ザー、アルゴンガスレーザー、ヘリウム−ネオン
ガスレーザー、その他可視領域から赤外領域に発
振波長をもつレーザーや、キセノンフラツシユラ
ンプなどの各種短パルス発光ランプなども用いる
ことができるので、透明基板としては、所望の光
源の光波特性に適した透明性を有する材質のもの
が感度の向上をはかるうえで好ましい。この際、
入射光の約90％以上の透過率を一応の透明性の目
安とすることができる。
として用いられる基板は、基板側から情報記録光
（電磁放射線）を入射させて記録する場合には透
明であることが好ましい。記録媒体に情報を記録
するための光源として、前述した様に半導体レー
ザー、アルゴンガスレーザー、ヘリウム−ネオン
ガスレーザー、その他可視領域から赤外領域に発
振波長をもつレーザーや、キセノンフラツシユラ
ンプなどの各種短パルス発光ランプなども用いる
ことができるので、透明基板としては、所望の光
源の光波特性に適した透明性を有する材質のもの
が感度の向上をはかるうえで好ましい。この際、
入射光の約90％以上の透過率を一応の透明性の目
安とすることができる。
上記の光源のいずれに対しても十分な透過率を
もつ透明基板としては、ガラスなどの無機材料
や、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマ
ー、あるいは、これらの変成ポリマー、コポリマ
ー、ブレンドポリマーなどのポリマー類からなる
フイルム又はシートをあげることができる。ビデ
オデイスクなどのように基板自体の表面平滑性が
信号のＳ／Ｎ比に大きく影響する場合には、別の
基板上に前述のポリマー類をスピンナーコートな
どで均一に塗布した基板を用いることが好まし
い。特に好ましく用いられる透明基板としては、
ポリエステル又はポリメチルメタクリレートから
なるフイルム及びシートをあげることができる。
もつ透明基板としては、ガラスなどの無機材料
や、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマ
ー、あるいは、これらの変成ポリマー、コポリマ
ー、ブレンドポリマーなどのポリマー類からなる
フイルム又はシートをあげることができる。ビデ
オデイスクなどのように基板自体の表面平滑性が
信号のＳ／Ｎ比に大きく影響する場合には、別の
基板上に前述のポリマー類をスピンナーコートな
どで均一に塗布した基板を用いることが好まし
い。特に好ましく用いられる透明基板としては、
ポリエステル又はポリメチルメタクリレートから
なるフイルム及びシートをあげることができる。
一方、基板の反対側から情報記録光を入射させ
て記録する場合には、前述の透明基板の外に、無
機材料又はポリマー類に色素（染料）、顔料、強
化剤などを添加したフイルムやシートあるいはア
ルミニウム合金などの金属板を基板として用いる
ことができる。
て記録する場合には、前述の透明基板の外に、無
機材料又はポリマー類に色素（染料）、顔料、強
化剤などを添加したフイルムやシートあるいはア
ルミニウム合金などの金属板を基板として用いる
ことができる。
本発明によれば、従来のレーザ光照射により記
録面に孔を形成する方式で用いる記録媒体あるい
は記録面に反射率、透過率などの光学特性を変化
させたピツトを形成する方式で用いる記録媒体に
較べ、次に示す効果を有している。
録面に孔を形成する方式で用いる記録媒体あるい
は記録面に反射率、透過率などの光学特性を変化
させたピツトを形成する方式で用いる記録媒体に
較べ、次に示す効果を有している。
(1) 高感度である。レーザ感応薄膜の記録レーザ
光に対する吸収効率が大きく、エネルギー密度
50mJ/cm2以下のヘリウム−ネオンガスレーザー
光あるいは半導体レーザー光の照射により記録
が行える。
光に対する吸収効率が大きく、エネルギー密度
50mJ/cm2以下のヘリウム−ネオンガスレーザー
光あるいは半導体レーザー光の照射により記録
が行える。
(2) 再生効率が高い。ヘリウム−ネオンガスレー
ザー光、半導体レーザー光等で記録された情報
を再生する場合に、初期未記録部と記録部の透
過率の差ΔTを25％以上、反射率の差ΔRを15
％以上とすることができる。
ザー光、半導体レーザー光等で記録された情報
を再生する場合に、初期未記録部と記録部の透
過率の差ΔTを25％以上、反射率の差ΔRを15
％以上とすることができる。
以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。なお、実施例中に記載の「充填率」とは電磁
放射線感応層中の添加金属の体積含有率を意味す
る。
る。なお、実施例中に記載の「充填率」とは電磁
放射線感応層中の添加金属の体積含有率を意味す
る。
実施例 １
キヤスト法によつて作製した表面平滑性のよい
ポリメチルメタクリレートの直径30cmのデイスク
状基板を真空蒸着機槽内にセツトした。デイスク
は装置内の中央付近で回転できる様になつてい
る。又、装置内には、回転の中心軸を中心として
３つの加熱蒸着用ボートと、５つのるつぼを持つ
電子ビーム蒸着装置を備えている。この２つのボ
ートにそれぞれ、フツ化ビスマス（BiF3）とTe
（テルル）を入れた。槽内を２×10-5Torrの真空
度にした後、基板回転速度を50rpmとした後、フ
ツ化ビスマスとテルルの充填率が50％づつになる
様に、厚さ1000Åの被膜となるまで蒸着を行つ
た。この際の蒸着速度は１Å/secであつた。
ポリメチルメタクリレートの直径30cmのデイスク
状基板を真空蒸着機槽内にセツトした。デイスク
は装置内の中央付近で回転できる様になつてい
る。又、装置内には、回転の中心軸を中心として
３つの加熱蒸着用ボートと、５つのるつぼを持つ
電子ビーム蒸着装置を備えている。この２つのボ
ートにそれぞれ、フツ化ビスマス（BiF3）とTe
（テルル）を入れた。槽内を２×10-5Torrの真空
度にした後、基板回転速度を50rpmとした後、フ
ツ化ビスマスとテルルの充填率が50％づつになる
様に、厚さ1000Åの被膜となるまで蒸着を行つ
た。この際の蒸着速度は１Å/secであつた。
こうして作成した記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで1000rpm
の回転速度で回転させながら、光学レンズを通し
てスポツトサイズ1.0μに集光した光源出力15mW
および4MHzのパルス幅に変調したガリウム−ヒ
素−アルミニウム半導体レーザ（発振波長：
820nm）をフツ化ビスマス−テルル層にトラツク
状で走査して記録を行なつた。
に取り付け、ターンテーブルをモータで1000rpm
の回転速度で回転させながら、光学レンズを通し
てスポツトサイズ1.0μに集光した光源出力15mW
および4MHzのパルス幅に変調したガリウム−ヒ
素−アルミニウム半導体レーザ（発振波長：
820nm）をフツ化ビスマス−テルル層にトラツク
状で走査して記録を行なつた。
この記録された記録媒体の表面を光学顕微鏡で
観察したところ、短径約1μの楕円形状のピツト
形成部がピツト未形成部に較べ明るい、すなわち
反射率が高いものとして判別できた。
観察したところ、短径約1μの楕円形状のピツト
形成部がピツト未形成部に較べ明るい、すなわち
反射率が高いものとして判別できた。
また、前述と同様の記録媒体を真空下で200℃
の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定し
たところ、第１図に明らかにした様な光学変化を
生じていることが判明した。尚、図中１は加熱前
の透過率（％）、２は加熱後の透過率（％）を示
している。
の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定し
たところ、第１図に明らかにした様な光学変化を
生じていることが判明した。尚、図中１は加熱前
の透過率（％）、２は加熱後の透過率（％）を示
している。
また、記録後の経時における耐久安定性を測定
するために、前述の記録された記録媒体を温度35
℃および相対湿度90％の強制環境下に96時間放置
した後、記録された記録媒体の表面を前述と同様
に走査顕微鏡で観察したが、耐久テスト前に観察
した時と同様の高い反射率を有するピツトが認め
られた。また、この記録され、且つ、耐久テスト
された記録媒体に低出力のガリウム−ヒ素−アル
ミニウム半導体レーザを入射し、反射光の検知を
行行なつたところ、十分に高いＳ／Ｎ比を有する
波形が得られた。また本発明の記録媒体に従来の
孔あきピツトを形成するときには半導体レーザー
の光源出力は25mW以上必要であつた。
するために、前述の記録された記録媒体を温度35
℃および相対湿度90％の強制環境下に96時間放置
した後、記録された記録媒体の表面を前述と同様
に走査顕微鏡で観察したが、耐久テスト前に観察
した時と同様の高い反射率を有するピツトが認め
られた。また、この記録され、且つ、耐久テスト
された記録媒体に低出力のガリウム−ヒ素−アル
ミニウム半導体レーザを入射し、反射光の検知を
行行なつたところ、十分に高いＳ／Ｎ比を有する
波形が得られた。また本発明の記録媒体に従来の
孔あきピツトを形成するときには半導体レーザー
の光源出力は25mW以上必要であつた。
実施例 ２
前述の実施例１に記載の光学記録媒体を作成し
た時に用いたTe（テルル）に代えてIn（インジウ
ム）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で光
学記録媒体を作成した。
た時に用いたTe（テルル）に代えてIn（インジウ
ム）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で光
学記録媒体を作成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に200
℃の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定
した。この結果を第２図に示す。図中、３は加熱
前の透過率（％）、４は加熱後の透過率（％）で
ある。
℃の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定
した。この結果を第２図に示す。図中、３は加熱
前の透過率（％）、４は加熱後の透過率（％）で
ある。
又、本例で作成した記録媒体に実施例１と同様
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
実施例 ３
前述の実施例１に記載の光学記録媒体を作成し
た時に用いたTe（テルル）に代えてSn（錫）を用
いたほかは、実施例１と同様の方法で光学記録媒
体を作成した。
た時に用いたTe（テルル）に代えてSn（錫）を用
いたほかは、実施例１と同様の方法で光学記録媒
体を作成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に200
℃の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定
した。この結果を第３図に示す。図中、５は加熱
前の透過率（％）、６は加熱後の透過率（％）で
ある。
℃の温度で20分間加熱した時の透過率変化を測定
した。この結果を第３図に示す。図中、５は加熱
前の透過率（％）、６は加熱後の透過率（％）で
ある。
又、本例で作成した記録媒体に実施例１と同様
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
実施例 ４
前述の実施例１に記載の光学記録媒体を作成し
た時に用いたTe（テルル）に代えてAu（金）を用
いたほかは、実施例１と同様の方法で光学記録媒
体を作成した。
た時に用いたTe（テルル）に代えてAu（金）を用
いたほかは、実施例１と同様の方法で光学記録媒
体を作成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に300
℃の温度で15分間加熱した時の反射率変化を測定
した。この結果を第４図に示す。図中、７は加熱
前の反射率（％）、８は加熱後の反射率（％）で
ある。
℃の温度で15分間加熱した時の反射率変化を測定
した。この結果を第４図に示す。図中、７は加熱
前の反射率（％）、８は加熱後の反射率（％）で
ある。
又、本例で作成した記録媒体に実施例１と同様
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察
したところ、高い反射率をもつピツトが認められ
た。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定を
実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性と
Ｓ／Ｎ比については、何れも十分なものであるこ
とが判明した。
実施例 ５
前述の実施例１に記載の光学記録媒体を作成し
た時に用いたBiF3（フツ化ビスマス）に代えて
PbF2（フツ化鉛）を用いたほかは、実施例１と同
様の方法で光学記録媒体を作成した。
た時に用いたBiF3（フツ化ビスマス）に代えて
PbF2（フツ化鉛）を用いたほかは、実施例１と同
様の方法で光学記録媒体を作成した。
この様にして作成した記録媒体に実施例１と同
様の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観
察したところ、高い反射率をもつピツトが認めら
れた。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定
を実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性
とＳ／Ｎ比については、何れも十分なものである
ことが判明した。
様の方法でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観
察したところ、高い反射率をもつピツトが認めら
れた。さらに、耐久安定性およびＳ／Ｎ比の測定
を実施例１と同様に測定したところ、耐久安定性
とＳ／Ｎ比については、何れも十分なものである
ことが判明した。
第１図乃至第４図は、本発明の光学記録媒体が
熱作用を受けた時の光学特性変化を示す説明図で
ある。
熱作用を受けた時の光学特性変化を示す説明図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電磁放射線を吸収して光学変化を生じる物質
がフツ素化合物のマトリツクス中に20〜70モル％
の範囲で含有される電磁放射線感応層に電磁放射
線を照射して該電磁放射線感応層の反射率を上昇
させることによつて情報を記録することを特徴と
する光記録方法。 ２ 前記フツ素化合物がBiF3、MgF2、PbF2、
LiF、CeF3、AgF、CaF2、CrF2、CrF3およびフ
ツ化炭素からなる群から選択された少なくとも１
種の化合物である特許請求の範囲第１項記載の光
記録方法。 ３ 前記フツ素化合物がBiFx1（０＜x1３）で
ある特許請求の範囲第２項記載の光記録方法。 ４ 前記フツ素化合物がPbFx2（０＜x2２）で
ある特許請求の範囲第２項記載の光記録方法。 ５ 前記電磁放射線を吸収して光学変化を生じる
物質が熱作用により光学変化を生じる物質である
特許請求の範囲第１項記載の光記録方法。 ６ 前記電磁放射線を吸収して光学変化を生じる
物質がTe、Pb、Au、Sn、As、Bi、Inおよび炭
素からなる群から選択された、少なくとも１種の
物質である特許請求の範囲第５項記載の光記録方
法。 ７ 前記電磁放射線が半導体レーザ、アルゴンガ
スレーザ又はヘリウム−ネオンガスレーザである
特許請求の範囲第１項記載の光記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215898A JPS59104996A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 光記録方法 |
| US07/080,193 US4816840A (en) | 1982-12-08 | 1987-07-31 | Optical recording medium and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215898A JPS59104996A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 光記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104996A JPS59104996A (ja) | 1984-06-18 |
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Also Published As
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