JP2918234B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、レーザビーム、電子線ビーム等の光ビー
ムを照射することにより、記録層のビーム照射部分に原
子配列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行
ない、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検
出して情報を再生する情報記録媒体に関する。
ムを照射することにより、記録層のビーム照射部分に原
子配列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行
ない、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検
出して情報を再生する情報記録媒体に関する。
（従来の技術） 従来、情報の消去が可能な情報記録媒体（例えば、イ
レーサブル光ディスク）として、所謂相変化型のものが
知られている。このような情報記録媒体は、ガラス又は
プラスチック材料（ポリメチルメタクリレート樹脂、ポ
リカーボネート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。また、必要に応じて
基板と記録層との間、又は記録層の上に誘電体等からな
る保護層を備えている。記録層を形成する材料としては
Te,Se,Ge,Sb,Sn等の金属若しくは半金属、又はこれらの
合金、例えばGeTeSbS,AsTeGe,SnTeSe,SbTeSeが知られて
いる。
レーサブル光ディスク）として、所謂相変化型のものが
知られている。このような情報記録媒体は、ガラス又は
プラスチック材料（ポリメチルメタクリレート樹脂、ポ
リカーボネート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。また、必要に応じて
基板と記録層との間、又は記録層の上に誘電体等からな
る保護層を備えている。記録層を形成する材料としては
Te,Se,Ge,Sb,Sn等の金属若しくは半金属、又はこれらの
合金、例えばGeTeSbS,AsTeGe,SnTeSe,SbTeSeが知られて
いる。
このような材料で形成された記録層においては、異な
る条件の光ビームが照射されることにより、照射部分が
結晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状
態、以下結晶状態と呼ぶ）と、結晶性が低下した状態
（原子配列が乱れた状態、以下非晶質と呼ぶ）との間で
可逆的に変化する。これら二つの状態は、反射率及び透
過率等の光学的特性が異なるので、このような状態の変
化を利用して情報を記録・消去し、この変化に伴う光学
特性を検出することにより情報を再生することができ
る。
る条件の光ビームが照射されることにより、照射部分が
結晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状
態、以下結晶状態と呼ぶ）と、結晶性が低下した状態
（原子配列が乱れた状態、以下非晶質と呼ぶ）との間で
可逆的に変化する。これら二つの状態は、反射率及び透
過率等の光学的特性が異なるので、このような状態の変
化を利用して情報を記録・消去し、この変化に伴う光学
特性を検出することにより情報を再生することができ
る。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した記録層材料は、結晶化速度が
小さいため消去速度が遅いという欠点がある。また、記
録状態の安定性が低いという不具合もある。更に、再生
信号が小さく、また記録感度も低いという欠点もある。
従って、このような材料は、記録層として実用化が困難
であった。
小さいため消去速度が遅いという欠点がある。また、記
録状態の安定性が低いという不具合もある。更に、再生
信号が小さく、また記録感度も低いという欠点もある。
従って、このような材料は、記録層として実用化が困難
であった。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、消去速度が大きく、記録状態の安定性が高く、再生
信号及び記録感度が大きい情報記録媒体を提供すること
を目的とする。
て、消去速度が大きく、記録状態の安定性が高く、再生
信号及び記録感度が大きい情報記録媒体を提供すること
を目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの
照射により原子配列の変化が生じ層て情報が記録及び消
去される記録とを有する情報記録媒体であって、前記記
録層は、一般式（InXSb100-X）100-aTea（ただし、a,x
は原子％であり、40＜ａ＜46、48≦Ｘ≦52の範囲内であ
る）で表される組成の合金を主体とすることを特徴とす
る。
照射により原子配列の変化が生じ層て情報が記録及び消
去される記録とを有する情報記録媒体であって、前記記
録層は、一般式（InXSb100-X）100-aTea（ただし、a,x
は原子％であり、40＜ａ＜46、48≦Ｘ≦52の範囲内であ
る）で表される組成の合金を主体とすることを特徴とす
る。
（作用） In−Sb合金は、パルス光を吸収し、非晶質と結晶との
間で容易に変化し、これらの間で光学的特性（反射率、
透過率）の変化量が極めて大きい材料である。また、ま
た、TeがIn−Sb合金に適量添加されることにより、非晶
質状態が安定化し、結晶化速度が増加し、再生信号を一
層大きくすることができる。従って、記録層を前述の組
成範囲にすることにより、極めて特性が良好な情報記録
媒体を得ることができる。
間で容易に変化し、これらの間で光学的特性（反射率、
透過率）の変化量が極めて大きい材料である。また、ま
た、TeがIn−Sb合金に適量添加されることにより、非晶
質状態が安定化し、結晶化速度が増加し、再生信号を一
層大きくすることができる。従って、記録層を前述の組
成範囲にすることにより、極めて特性が良好な情報記録
媒体を得ることができる。
（実施例） 以下、添附図面を参照してこの発明の実施例について
説明する。第１図はこの発明の一実施例に係る情報記録
媒体を示す断面図である。基板１は透明で経時変化が少
ない材料、例えばガラス又はポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネート等の樹脂でつくられている。この
基板１の上には、情報を記録するための記録層２が形成
されている。
説明する。第１図はこの発明の一実施例に係る情報記録
媒体を示す断面図である。基板１は透明で経時変化が少
ない材料、例えばガラス又はポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネート等の樹脂でつくられている。この
基板１の上には、情報を記録するための記録層２が形成
されている。
この記録層２は、（InXSb100-X）100-aTea（ただし、
a,xは原子％であり、40＜ａ＜46、48≦Ｘ≦52の範囲内
である）で表される組成の合金を主体としている。この
ような組成の合金は、条件が異なる光ビームを照射する
ことにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化し得
る。また、再生信号が大きく、記録感度が高く、記録状
態としての非晶質状態の安定性が高いという特徴を有し
ている。更に、結晶化速度が大きいので初期化速度及び
消去速度が大きい。ここで、In及びSbの合計量に対する
In含有量が30〜60原子％であれば記録層として適用可能
であるが、十分な再生信号及び結晶化速度を得るために
は上述のように48〜52原子％にする。また、Te量は40原
子％以下だと安定性が低下し、46％以上だと結晶と非晶
質との間のコントラストが小さくなり、再生信号が小さ
くなる。従って、Teの量を上述の範囲に規定する。な
お、この記録層２は、真空蒸着又はスパッタリング等に
より形成することができる。
a,xは原子％であり、40＜ａ＜46、48≦Ｘ≦52の範囲内
である）で表される組成の合金を主体としている。この
ような組成の合金は、条件が異なる光ビームを照射する
ことにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化し得
る。また、再生信号が大きく、記録感度が高く、記録状
態としての非晶質状態の安定性が高いという特徴を有し
ている。更に、結晶化速度が大きいので初期化速度及び
消去速度が大きい。ここで、In及びSbの合計量に対する
In含有量が30〜60原子％であれば記録層として適用可能
であるが、十分な再生信号及び結晶化速度を得るために
は上述のように48〜52原子％にする。また、Te量は40原
子％以下だと安定性が低下し、46％以上だと結晶と非晶
質との間のコントラストが小さくなり、再生信号が小さ
くなる。従って、Teの量を上述の範囲に規定する。な
お、この記録層２は、真空蒸着又はスパッタリング等に
より形成することができる。
記録層２の上には有機物保護層３が形成されている。
この保護層３は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこ
りを防止するために配設されるものであり、紫外線硬化
樹脂等で構成されている。
この保護層３は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこ
りを防止するために配設されるものであり、紫外線硬化
樹脂等で構成されている。
また、第２図に示すように、記録層２の両側を無機物
保護層４、５で挟むように構成することもできる。この
場合に、保護層４、５としては、金属若しくは半金属の
酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成することがで
きる。これら保護層４、５は記録層２の経時変化を防止
するために配設される。
保護層４、５で挟むように構成することもできる。この
場合に、保護層４、５としては、金属若しくは半金属の
酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成することがで
きる。これら保護層４、５は記録層２の経時変化を防止
するために配設される。
更に、第３図に示すように、基板１上に、上述の記録
層２を構成する合金（第３図中Ａで示す）を保護層４、
５を構成する材料（第３図中Ｂで示す）中に分散させた
記録層６を設けるように構成することもできる。
層２を構成する合金（第３図中Ａで示す）を保護層４、
５を構成する材料（第３図中Ｂで示す）中に分散させた
記録層６を設けるように構成することもできる。
次に、第４図及び第５図を参照してこの発明に係る情
報記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説
明する。第４図は記録層を形成するために使用されるス
パッタリングの概略構成を示す縦断面図、第５図はその
横断面図である。図中11は真空容器を示し、この真空容
器11はその底面にガス排出ポート12及びガス導入ポート
13を有している。ガス排出ポート12は排気装置25に接続
されており、この排出装置25により真空容器11内を排気
するようになっている。ガス導入ポート13はアッルゴン
ガスボンベ14に接続されており、このボンベ14からガス
導入ポート13を介してスパッタリングガスとしてんのア
ルゴンガスが容器11内に導入される。円板状の基板15は
支持装置18により、真空容器11内の上部にその面を水平
にして支持されており、成膜時に図示しないモータによ
り回転されるようになっている。また、真空容器11内の
底部近傍には、基板15に対向するように、夫々記録層を
構成する各元素で形成されたスパッタ源19、20、21が配
設されており、各スパッタ源には図示しない高周波電源
が接続されている。これらスパッタ源19、20、21の上方
には、夫々モニタ装置22、23、24が設けられており、各
スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタし、記録層
が所定の組成になるように各スパッタ源に投入する電力
量を調節するようになっている。
報記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説
明する。第４図は記録層を形成するために使用されるス
パッタリングの概略構成を示す縦断面図、第５図はその
横断面図である。図中11は真空容器を示し、この真空容
器11はその底面にガス排出ポート12及びガス導入ポート
13を有している。ガス排出ポート12は排気装置25に接続
されており、この排出装置25により真空容器11内を排気
するようになっている。ガス導入ポート13はアッルゴン
ガスボンベ14に接続されており、このボンベ14からガス
導入ポート13を介してスパッタリングガスとしてんのア
ルゴンガスが容器11内に導入される。円板状の基板15は
支持装置18により、真空容器11内の上部にその面を水平
にして支持されており、成膜時に図示しないモータによ
り回転されるようになっている。また、真空容器11内の
底部近傍には、基板15に対向するように、夫々記録層を
構成する各元素で形成されたスパッタ源19、20、21が配
設されており、各スパッタ源には図示しない高周波電源
が接続されている。これらスパッタ源19、20、21の上方
には、夫々モニタ装置22、23、24が設けられており、各
スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタし、記録層
が所定の組成になるように各スパッタ源に投入する電力
量を調節するようになっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排
気装置25により真空容器11内を例えば10-6Torrオーダー
の高真空まで排気する。次いで、ガス導入ポート13から
アルゴンガスを導入しつつ排気装置25の排気量を調節し
て真空容器11内を所定の圧力のアルゴン雰囲気に保持す
る。この状態で基板15を回転させつつスパッタ源19、2
0、21に所定時間、所定の電力を投入してスパッタリン
グを行う。これにより、基板15に記録層が形成される。
気装置25により真空容器11内を例えば10-6Torrオーダー
の高真空まで排気する。次いで、ガス導入ポート13から
アルゴンガスを導入しつつ排気装置25の排気量を調節し
て真空容器11内を所定の圧力のアルゴン雰囲気に保持す
る。この状態で基板15を回転させつつスパッタ源19、2
0、21に所定時間、所定の電力を投入してスパッタリン
グを行う。これにより、基板15に記録層が形成される。
なお、無機質保護層を形成する場合には、スパッタ源
を保護層の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と
同様の方法で行うことができる。また、有機物保護層を
紫外線硬化樹脂で形成する場合には、スピンコート法で
紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線を照射して硬化さ
せる。
を保護層の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と
同様の方法で行うことができる。また、有機物保護層を
紫外線硬化樹脂で形成する場合には、スピンコート法で
紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線を照射して硬化さ
せる。
次に、この発明の情報記録媒体における記録層の初期
化、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明す
る。
化、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明す
る。
初期化 記録層２は成膜直後には通常非晶質であるが、情報を
記録するためには結晶である必要があるので、記録層２
に光ビームを全面照射して加熱・徐冷し、結晶化する。
記録するためには結晶である必要があるので、記録層２
に光ビームを全面照射して加熱・徐冷し、結晶化する。
記録 高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射
し、照射部分を加熱・急冷して非晶質に変化させ、記録
マークを形成する。
し、照射部分を加熱・急冷して非晶質に変化させ、記録
マークを形成する。
消去 記録層２に記録時よりも低パワーの光ビームを照射し
て記録マークを結晶に変化させ、情報を消去する。
て記録マークを結晶に変化させ、情報を消去する。
再生 情報を記録した記録層２に消去時よりも更に低パワー
の光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光
学特性、例えば反射率の差を検出して情報を再生する。
の光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光
学特性、例えば反射率の差を検出して情報を再生する。
なお、この発明に係る情報記録媒体は、結晶化速度が
大きいことから、オーバーライトが可能である。オーバ
ーライトとは、単一の光源から放射されるレーザビーム
等の光ビームを、第６図に示すように２段階のパワーレ
ベルPE（消去）及びPW（記録）の間でパワー変調して、
消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパル
スを重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新し
い情報を重ね書きすることである。
大きいことから、オーバーライトが可能である。オーバ
ーライトとは、単一の光源から放射されるレーザビーム
等の光ビームを、第６図に示すように２段階のパワーレ
ベルPE（消去）及びPW（記録）の間でパワー変調して、
消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパル
スを重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新し
い情報を重ね書きすることである。
次に、この発明に係る情報記録媒体を実際に製造して
試験した試験例について説明する。
試験した試験例について説明する。
試験例１ 真空容器内にIn,Sb,Teの各スパッタ源を設け、容器内
を８×10-6Torrまで排気した。次に、アルゴンガスを導
入し、容器内を４×10-3Torrに調節した。容器内に外径
130mm、厚み1.2mmの円板状ポリカーボネート基板を十分
に洗浄した状態で設置した。この基板を60rpmで回転さ
せつつ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ
量をモニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロ
ールしながらスパッタリングを行い、基板に膜圧が1000
Åになるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した。
を８×10-6Torrまで排気した。次に、アルゴンガスを導
入し、容器内を４×10-3Torrに調節した。容器内に外径
130mm、厚み1.2mmの円板状ポリカーボネート基板を十分
に洗浄した状態で設置した。この基板を60rpmで回転さ
せつつ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ
量をモニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロ
ールしながらスパッタリングを行い、基板に膜圧が1000
Åになるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した。
次いで、記録層の上に保護層として紫外線硬化樹脂を
スピンコータにより約10μｍオーバーコートし、紫外線
を照射して硬化させた。これにより所望組成の記録層を
有する情報記録媒体を形成した。
スピンコータにより約10μｍオーバーコートし、紫外線
を照射して硬化させた。これにより所望組成の記録層を
有する情報記録媒体を形成した。
このような方法で、記録層の組成が（In48Sb52）
100-XTeXでｘが夫々10、20、30、40原子％のサンプルを
作成した。これらを示差走査熱量計（DSC）により熱分
析した結果、第７図に示すような結果が得られた。第７
図は、横軸にTeの添加量をとり、縦軸に結晶化温度をと
って、これらの関係を示すグラフである。この図に示す
ように、Teの添加量が増加するに従って結晶化温度が増
加することが確認された。すなわち、Teの増加に伴って
記録状態としての非晶質の安定性が増加することが確認
された。
100-XTeXでｘが夫々10、20、30、40原子％のサンプルを
作成した。これらを示差走査熱量計（DSC）により熱分
析した結果、第７図に示すような結果が得られた。第７
図は、横軸にTeの添加量をとり、縦軸に結晶化温度をと
って、これらの関係を示すグラフである。この図に示す
ように、Teの添加量が増加するに従って結晶化温度が増
加することが確認された。すなわち、Teの増加に伴って
記録状態としての非晶質の安定性が増加することが確認
された。
試験例２ （In48Sb52）100-XTeXでｘが夫々10、20、30、40、60
原子％の記録層を有し、第２図に示す構造の光ディスク
サンプルを作成した。記録層の両側を挟む保護層として
厚み1000ÅのSiO2を用いた。この場合に、記録層及び有
機物保護層は試験例１と同様に作成し、SiO2保護層は試
験例１と同様な装置で、スパッタ源をSiO2にしてスパッ
タリングにより形成した。
原子％の記録層を有し、第２図に示す構造の光ディスク
サンプルを作成した。記録層の両側を挟む保護層として
厚み1000ÅのSiO2を用いた。この場合に、記録層及び有
機物保護層は試験例１と同様に作成し、SiO2保護層は試
験例１と同様な装置で、スパッタ源をSiO2にしてスパッ
タリングにより形成した。
この試験例では、これらサンプルについて実用的な試
験装置を用いて試験を行った。第８図はこの試験に用い
た装置を示す概略構成図である。光ディスクサンプル31
は、スピンドルモータ32に固定され、所定の回転数で回
転される。サンプル31の上部にはサンプル31上にレーザ
光を集光するための光学系33が配設されている。この光
学系33は、コリメータレンズ35、ビームスプリッタ36、
λ/4波長板37、及び対物レンズ38を備えており、半導体
レーザ34から出力された光は、コリメータレンズ35で平
行光となり、ビームスプリッタ36及びλ/4波長板37を通
して対物レンズ38によりサンプル31の記録層に集光照射
される。サンプル31からの反射光はビームスプリッタ36
で分けられ、検出レンズ39を通って受光器40に入り検出
信号となる。この信号は一方で対物レンズ38を駆動する
ための駆動コイル41に電流を流すサーボ系42にも供給さ
れる。これにより常にサンプルとの距離を一定に保ちつ
つサンプル31に集光スポットを結像することできる。
験装置を用いて試験を行った。第８図はこの試験に用い
た装置を示す概略構成図である。光ディスクサンプル31
は、スピンドルモータ32に固定され、所定の回転数で回
転される。サンプル31の上部にはサンプル31上にレーザ
光を集光するための光学系33が配設されている。この光
学系33は、コリメータレンズ35、ビームスプリッタ36、
λ/4波長板37、及び対物レンズ38を備えており、半導体
レーザ34から出力された光は、コリメータレンズ35で平
行光となり、ビームスプリッタ36及びλ/4波長板37を通
して対物レンズ38によりサンプル31の記録層に集光照射
される。サンプル31からの反射光はビームスプリッタ36
で分けられ、検出レンズ39を通って受光器40に入り検出
信号となる。この信号は一方で対物レンズ38を駆動する
ための駆動コイル41に電流を流すサーボ系42にも供給さ
れる。これにより常にサンプルとの距離を一定に保ちつ
つサンプル31に集光スポットを結像することできる。
このような装置を用い、前述の各サンプルについて、
700rpmで回転させながら、サンプルに6mWの連続光を１
回転分照射し、反射率が一定になるまで繰返した。その
結果、各サンプルについてこのような操作を４回繰返し
たところで反射率が一定となった。すなわち、これによ
り照射部分が結晶化した。次に、結晶化した部分にレー
ザ光のパワー及びパルス幅を変化させて記録した。その
結果、所定条件で照射部分の反射率が元の状態に戻るこ
と、すなわち非晶質に戻ることが確認された。これを第
９図に示す。第９図は、横軸にTeの添加量をとり、縦軸
に記録の際（反射率が元に戻るための）に必要な最低の
レーザ光のエネルギをとって、これらの間の関係を示す
グラフである。この図に示すように、Teの添加量が増加
するに従って、記録のために必要なエネルギが小さくて
良いことが確認された。
700rpmで回転させながら、サンプルに6mWの連続光を１
回転分照射し、反射率が一定になるまで繰返した。その
結果、各サンプルについてこのような操作を４回繰返し
たところで反射率が一定となった。すなわち、これによ
り照射部分が結晶化した。次に、結晶化した部分にレー
ザ光のパワー及びパルス幅を変化させて記録した。その
結果、所定条件で照射部分の反射率が元の状態に戻るこ
と、すなわち非晶質に戻ることが確認された。これを第
９図に示す。第９図は、横軸にTeの添加量をとり、縦軸
に記録の際（反射率が元に戻るための）に必要な最低の
レーザ光のエネルギをとって、これらの間の関係を示す
グラフである。この図に示すように、Teの添加量が増加
するに従って、記録のために必要なエネルギが小さくて
良いことが確認された。
試験例３ 記録層が（In48Sb52）100-XTeXにおいてｘが夫々10、
20、30、40、60、80原子％であり、試験例２のサンプル
と同様の層構成を有するサンプルを、試験例と同様の方
法で作成した。このサンプルを試験例２で示した装置内
に設置し、900rpmで回転させながら、所定のパワー及び
パルス幅のレーザ光を照射して信号を記録した。そし
て、この記録部分の反射率の変化量を測定した。第10図
は、横軸にTe添加量をとり、縦軸に記録部分の反射率と
初期反射との比（コントラスト比）をとって、これらの
関係を示すグラフである。このグラフで示すように、Te
の添加によりコントラスト比が増加し、特にTe添加量が
40原子％超〜46原子％未満の範囲で良好なコントラスト
比が得られることが確認された。
20、30、40、60、80原子％であり、試験例２のサンプル
と同様の層構成を有するサンプルを、試験例と同様の方
法で作成した。このサンプルを試験例２で示した装置内
に設置し、900rpmで回転させながら、所定のパワー及び
パルス幅のレーザ光を照射して信号を記録した。そし
て、この記録部分の反射率の変化量を測定した。第10図
は、横軸にTe添加量をとり、縦軸に記録部分の反射率と
初期反射との比（コントラスト比）をとって、これらの
関係を示すグラフである。このグラフで示すように、Te
の添加によりコントラスト比が増加し、特にTe添加量が
40原子％超〜46原子％未満の範囲で良好なコントラスト
比が得られることが確認された。
［発明の効果］ この発明によれば、光ビームの照射による原子配列の
変化により情報を記録・消去できるIn−Sb合金にTeを適
量添加したので、記録層における非晶質状態が安定化
し、結晶化速度が増加し、再生信号を一層大きくするこ
とができる。従って、特性が良好で十分に実用に耐え得
る情報記録媒体を得ることができる。
変化により情報を記録・消去できるIn−Sb合金にTeを適
量添加したので、記録層における非晶質状態が安定化
し、結晶化速度が増加し、再生信号を一層大きくするこ
とができる。従って、特性が良好で十分に実用に耐え得
る情報記録媒体を得ることができる。
第１図乃至第３図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第４図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第５図はその横断面図、第
６図はオーバーライトの際のレーザ光のパワーを示す
図、第７図は記録層のTe添加量と結晶化温度との関係を
示すグラフ図、第８図は記録装置の概略構成図、第９図
は記録層のTe添加量と記録のためのレーザパワーとの関
係を示すグラフ図、第10図は記録層のTe添加量とコント
ラスト比との関係を示すグラフ図である。 1;基板、２、6;記録層、３、４、5;保護層。
体を示す断面図、第４図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第５図はその横断面図、第
６図はオーバーライトの際のレーザ光のパワーを示す
図、第７図は記録層のTe添加量と結晶化温度との関係を
示すグラフ図、第８図は記録装置の概略構成図、第９図
は記録層のTe添加量と記録のためのレーザパワーとの関
係を示すグラフ図、第10図は記録層のTe添加量とコント
ラスト比との関係を示すグラフ図である。 1;基板、２、6;記録層、３、４、5;保護層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板と、光ビームの照射により原子配列の
変化が生じて情報が記録及び消去される記録層とを有す
る情報記録媒体であって、前記記録層は、一般式、（In
XSb100-X）100-aTea（ただし、a,Xは原子％であり、40
＜ａ＜46、48≦Ｘ≦52の範囲内である）で表わされる組
成の合金を主体とすることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322076A JP2918234B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
| DE3942163A DE3942163A1 (de) | 1988-12-22 | 1989-12-20 | Informationsspeichermedium |
| KR1019890019154A KR900010689A (ko) | 1988-12-22 | 1989-12-21 | 정보기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322076A JP2918234B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167786A JPH02167786A (ja) | 1990-06-28 |
| JP2918234B2 true JP2918234B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=18139650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322076A Expired - Lifetime JP2918234B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2918234B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JP2827202B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1998-11-25 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2713908B2 (ja) * | 1987-06-05 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | 情報記憶媒体 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63322076A patent/JP2918234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02167786A (ja) | 1990-06-28 |
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Legal Events
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