JPH01241035A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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Publication number
JPH01241035A
JPH01241035A JP63065659A JP6565988A JPH01241035A JP H01241035 A JPH01241035 A JP H01241035A JP 63065659 A JP63065659 A JP 63065659A JP 6565988 A JP6565988 A JP 6565988A JP H01241035 A JPH01241035 A JP H01241035A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
information recording
substrate
recording layer
vessel
Prior art date
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Pending
Application number
JP63065659A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Kobayashi
忠 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63065659A priority Critical patent/JPH01241035A/ja
Publication of JPH01241035A publication Critical patent/JPH01241035A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は記録、用の光ビームの照射により記録層の原子
配列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報
の記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する情報記録媒体に関する。
(従来の技術) 従来広く開発がなされている記録、消去が可能な情報記
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化を利用
したものがある。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状!!3(以下結晶状態という)にする。
次に短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する
。するとパルス照射部の結晶性が低下した状態(以下非
晶質状態という)となり、情報が記録される。上記の結
晶状態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、
光学的特性(反射率、透過率)が変化するため、この光
学的特性の変化を検出して情報を再生することができる
。書込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を
照射して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状
態とする。
このように光ビームの照射条件によって原子配列を変化
させ、情報を記録、消去する記録層の材料としては、反
射率変化の特に大きなTe、Se。
Geなどカルコゲナイド系元素を主成分とする半導体非
晶質が提案されている。しかし半導体非晶質以外にもC
aとAgとの2元合金においてはCaの含有率が20原
子96以上8096以下の範囲で上記と同様に光ビーム
の照射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰
返し変化しうろことが見い出された。ところがこれらの
金属合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記
録材料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶
化温度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの
欠点があり、情報記録媒体として使うことができない。
(発明が解決しようとする課題) 以上詳述したようにCaとAg  (20原子%≦Ca
≦80原子%)との2元合金では、結晶化温度が低く室
温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化に
伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の材
料としては使用できなかった。
上記課題を解決するために、本発明ではCaとAgとの
2元合金にカルコゲナイド元素Te、S(3,Geを加
えることにより、結晶化温度を高めて室温における非晶
質状態を安定させ、又、相変化に伴う光学的特性の変化
量を増大させ、情報記録媒体として使いうる材料を提供
することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段と作用) 本発明の情報記録媒体は例えば第1図に示されるような
断面を有する。第1図において情報記録媒体は基板1と
この基板1上に無機物保護層3゜光記録層2.無機物保
護層3.有機物保護層4を順次備えて構成されている。
基板1はガラスやプラスチック材料(例えばポリオレフ
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメシルメタク
リレート等)からなる。
無機物保護層3は光記録層2の経時変化を防ぐために光
記録層2の両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
窒化物例えば810□、A120B、Zn Sなどの誘
電体からなる。この無機物保護層は反射光を増幅させる
機能も有する。有機物保護層4は、紫外線硬化樹脂から
なり、この情報記録媒体を取扱う場合の表面での傷や埃
を防止するために配設されている。
このような組成の記録層は多元同時スパッタ法により成
膜する。すなわち、使用されるスパッタ装置は第2図及
び第3図に示す通りである。第2図中11は真空容器で
あり、ガス排気ボート12を介して排気装置13に接続
され、ガス導入ボート14を介してアルゴンガスボンベ
15に接続されている。真空容器11内の上部には、基
板16が支持装置17に水平に支架され支持装置17に
より回転駆動できる。又、真空容器11の底部には、所
定元素で形成されたスパッタ源18.19゜20が設け
られ、各スパッタ源上部にはモニタ装置21.22.2
3が設けられている。
この装置により、記録層の成膜を行なう場0合には、ま
ず排気装置13により、真空容器11内を10−6T 
orr台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート
14よりArガスを導入し排気装置13の排気量を調節
して真空容器11内を所定の減圧下に保持する。そして
基板16を回転させつつスパッタ源18.19.20に
所定時間電力を印加する。これにより基板16に記録層
が形成される。
(実施例) 上記のような構造の情報記録媒体の実施例を具体的に以
下に述べる。
一実施例1− 第2図の真空容器11内にCaとAgとTeまたはSe
のスパッタ源を設け、容器内を5X10−’T orr
まで排気した。次にArガスを導入して5X 10−’
T orrに全体の圧力を調節した。基板として充分に
洗浄した外径130nm 、板厚1 、2avの円板状
ポリカーボネート基板を用い、この基板を6Orpmで
回転しつつモニタにより各元素のスパッタ量を検知して
各スパッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚10
00λになるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した
。Ca 4oAg boに対してTe。
Seの含有量をしだいに増加させ高感度DSC(示差走
査熱量計)で昇温速度10℃/mmで結晶化温度を測定
しTe、Seの含有量と結晶化温度の関係を調べた。結
果は第4図に示す通りである。
CaとGaの含有量に関係なく結晶化温度が充分高かっ
た。また、Geでも同様の効果かられた。
従ってCa、Ag、X (X−Te、Se、Ge)から
なる情報記録媒体はCaとAgとの組成比に関係なく結
晶化温度が十分高く、非晶質状態が安定であることがわ
かった。
一実施例2一 実施例1と同様の方法でCaとAgとX (X−T e
、 S e)の3元記録層を多元同時スパッタ法で成膜
し波長790rvの光を照射してその表面反射率を測定
した。結果は第4図に示す通りである。カルコゲナイド
元素Te、Seの含有量が増すと反射率の変化量も増大
することがわかる。CaとAgとの組成比を変えても同
様の効果が得られた。更にTe、Seの代わりにGeを
加えた場合にも同様の効果が得られた。
以上の実験結果によりCaとAgとの2元合金にカルコ
ゲナイド元素を加えることにより相変化に伴う反射率の
変化量が増大し、ひいては再生信号量も増大することが
わかった。
一実施例3− ここでは成膜された合金薄膜の非晶質状態の安全性を調
べた。
ガラス基板上にS I OO2100n 、光記録材料
100tv、S i OO2100n 、 UV硬化樹
脂層を前記のスパッタ法により形成した。成膜した記録
層の組成は(Ca 3oAg 70) 9oTe Io
n (Ca soAg so)eoTe Ion  (
Ca yoAg io) 9oTe toである◎この
記録層にまず光ビームを全面照射し、次いで短い強いパ
ルス光を照射し、X線構造回折により非晶質となってい
ることを確かめた。
つぎにこの試料を45℃、70%RHの環境に供し反射
率の変化をn1定した。基板側での表面反射率の初期値
をRo、経時での反射率の値をRとし2経時々間に対し
てR/ Roの値をプロットした(第6図) o  (
Ca ioAg 70) eoTe IO+  (ca
 soAg so) 、oTe 10+  (Cs y
oAg 30) eoTe、0いずれの組成の記録層に
ついても3力月経過しても反射率にはほとんど変化がな
いことがわかる。
又Teの代わりにSe、Geを加えた場合にも同様の効
果が得られる。
以上の実験結果よりCaとAgとからなる2元合金に、
Te、Se、Ge等のカルコゲナイド元素を加えた材料
は経時反射率が安定であり情報記録媒体として使いうる
材料であることがゎがった。
一実施例4− 本実施例では、成膜された記録層を有する情報記録媒体
を第7図に示すような実用的な試験装置に実装して再生
信号量を測定した。
半導体レーザー源34により出た光はコリメータレンズ
35を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリ
ッタ36を通過してλ/4板3板金7過し、対物レンズ
38により試料31上に集光される。試料31から反射
した光はλ/4板3板金7過し、ビームスプリッタ36
で反射される。
この反射された光は検出レンズ39により集光され、受
光器40に入って検出信号となる。
更に検出信号は、サーボ系42を通って電流に変えられ
、駆動コイル41に流れこの電流により対物レンズが駆
動され、試料31上の情報を記録した溝(案内溝)上に
正確に集光される。
実施例1に示した方法を用い、CanoAg6゜に対し
てTeの含有量をふった記録層を作成し、この記録層の
両側をSt、2 (膜厚1000人)で挟んだ媒体試料
を作成し、前述の装置に実装して再生信号量を測定した
。その結果Teの含有量が増すごとに再生信号量も増え
ることがわかった。
また、CaとAgの組成比を変えても同様の効果が得ら
れた。更に、Teのかわりに5esGeを加えた場合に
も同様の効果が得られた。
以上の実験結果から、CaとAgの2元合金にカルコゲ
ナイド元素のTe、Se、Geを加えるとより再生信号
量の大きな情報記録媒体が得られることがわかった。
[発明の効果゛] 以上詳述したように結晶状態と非晶質状態との相変化を
可逆的に起こすCaとAgとの2元合金に更にカルコゲ
ナイド元素Te、Se、Geを加えると結晶化温度が上
昇し、記録状態が安定で相変化に伴なう反射率変化が増
大し、再生信号量の大きな情報記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の情報記録媒体の断面構造図、第2図
は、スパッタ装置の側面図、 第3図は、スパッタ装置の底面図、 第4図は、カルコゲナイド元素の添加量と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第5図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第6図は、Ca、Ag、Teの3元記録層の経時反射率
変化量の相関を示すグラフである。 第7図は実用的な試験装置の概略図である。 1・・・基板 2・・・記録層 3・・・無機物保護層 4・・・有機物保護層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせて情報
    を記録しうる記録層がCaとAgとX(XはSe、Te
    、Geの中から選ばれた元素)とを含有する合金薄膜か
    らなることを特徴とする情報記録媒体。
JP63065659A 1988-03-22 1988-03-22 情報記録媒体 Pending JPH01241035A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63065659A JPH01241035A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 情報記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63065659A JPH01241035A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 情報記録媒体

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JPH01241035A true JPH01241035A (ja) 1989-09-26

Family

ID=13293345

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JP63065659A Pending JPH01241035A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 情報記録媒体

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7049009B2 (en) * 2002-08-29 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7049009B2 (en) * 2002-08-29 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition
KR100782244B1 (ko) * 2002-08-29 2007-12-05 마이크론 테크놀로지, 인크 스퍼터 증착의 실버 셀레나이드 막 화학양론 및 형상 제어
US9552986B2 (en) 2002-08-29 2017-01-24 Micron Technology, Inc. Forming a memory device using sputtering to deposit silver-selenide film

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