JP2680388B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
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- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、レーザビーム等の光ビームを記録層に照
射し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起さ
せて情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透
過率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再
生する情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体
としては、光ディスク又は光カード等がある。
射し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起さ
せて情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透
過率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再
生する情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体
としては、光ディスク又は光カード等がある。
（従来の技術及びその課題） 従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が
可能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知ら
れている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラ
ス又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上
に形成された記録層とを備えている。この記録層を形成
する材料としては、例えばGeTe等のカルコゲナイド系合
金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（例
えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結晶
と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変化
を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に伴
う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して情
報を読取ることができる。
可能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知ら
れている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラ
ス又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上
に形成された記録層とを備えている。この記録層を形成
する材料としては、例えばGeTe等のカルコゲナイド系合
金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（例
えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結晶
と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変化
を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に伴
う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して情
報を読取ることができる。
このような記録層としては、光ビームの照射条件によ
って相変化が生じ易い共晶組成を有する材料や金属間化
合物を形成する材料が適している。
って相変化が生じ易い共晶組成を有する材料や金属間化
合物を形成する材料が適している。
しかしながら、従来、相変化型情報記録媒体の記録層
として用いられているGeTe等の合金は、一応上述の条件
は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特性
を保持しているとは言えない。特に、初期化、記録及び
消去を高速化することが望まれている。また、結晶−非
晶質間の相変化により情報を記録・消去する場合には、
通常記録部分が非晶質になるが、一般に非晶質は比較的
安定性が低いため、非晶質状態をより安定化することも
要求されている。更に、記録感度を一層高めることも要
求される。
として用いられているGeTe等の合金は、一応上述の条件
は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特性
を保持しているとは言えない。特に、初期化、記録及び
消去を高速化することが望まれている。また、結晶−非
晶質間の相変化により情報を記録・消去する場合には、
通常記録部分が非晶質になるが、一般に非晶質は比較的
安定性が低いため、非晶質状態をより安定化することも
要求されている。更に、記録感度を一層高めることも要
求される。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、初期化、記録及び消去を高速化することができ、記
録した情報が安定であり、記録感度が高い情報記録媒体
を提供することを目的とする。
て、初期化、記録及び消去を高速化することができ、記
録した情報が安定であり、記録感度が高い情報記録媒体
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段］ この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの
照射によって照射部分が平衡相と非平衡相との間で相変
化する記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記
録層は、一般式InxSbyTezで表わされ、ｘ、ｙ、ｚが原
子％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100であり、夫々40≦ｘ≦60、２≦
ｙ≦27、23≦ｚ≦47の範囲に含まれる金属間化合物に、
Se,As,P,S,Ge,Si,B,C,N及びArからなる群から選択され
る少なくとも１種の元素Ｍを添加した一般式（InxSbyTe
z）100−αＭα（０＜Ｍ≦20）で表わされる組成の合金
で形成されていることを特徴とする。
照射によって照射部分が平衡相と非平衡相との間で相変
化する記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記
録層は、一般式InxSbyTezで表わされ、ｘ、ｙ、ｚが原
子％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100であり、夫々40≦ｘ≦60、２≦
ｙ≦27、23≦ｚ≦47の範囲に含まれる金属間化合物に、
Se,As,P,S,Ge,Si,B,C,N及びArからなる群から選択され
る少なくとも１種の元素Ｍを添加した一般式（InxSbyTe
z）100−αＭα（０＜Ｍ≦20）で表わされる組成の合金
で形成されていることを特徴とする。
（作用） In−Sb−Te系においてIn3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn4Sb
Te3の組成を有する金属間化合物は、非晶質化しやすい
という利点を有しているので、この組成又はこの近傍組
成にＭを添加した上述の組成の合金は、前述のような相
変化型記録媒体の記録層としての条件を満たす材料であ
る。また、上述のＭで示される元素は、20原子％よりも
低い範囲で含有させることにより融点が低下するので、
記録感度が向上する。また、結晶化速度が比較的大きい
ので初期化多び消去を高速化することができる。また、
Ｍ元素の存在により一層非晶質化しやすくなり非晶質状
態を安定化させることができる。更に、この組成の記録
層は、非晶質化しやすいことに加え、結晶化速度が比較
的大きいの、初期化、記録及び消去を高速化することが
できる。
Te3の組成を有する金属間化合物は、非晶質化しやすい
という利点を有しているので、この組成又はこの近傍組
成にＭを添加した上述の組成の合金は、前述のような相
変化型記録媒体の記録層としての条件を満たす材料であ
る。また、上述のＭで示される元素は、20原子％よりも
低い範囲で含有させることにより融点が低下するので、
記録感度が向上する。また、結晶化速度が比較的大きい
ので初期化多び消去を高速化することができる。また、
Ｍ元素の存在により一層非晶質化しやすくなり非晶質状
態を安定化させることができる。更に、この組成の記録
層は、非晶質化しやすいことに加え、結晶化速度が比較
的大きいの、初期化、記録及び消去を高速化することが
できる。
（実施例） 以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に
説明する。第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図である。基板１はポリオレフィン、エポ
キシ、ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリレ
ート（PMMA）等のプラスチック、又はガラス等、この技
術分野で通常用いられる材料で形成されている。この基
板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４及び保護層
５がこの順に形成されている。
説明する。第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図である。基板１はポリオレフィン、エポ
キシ、ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリレ
ート（PMMA）等のプラスチック、又はガラス等、この技
術分野で通常用いられる材料で形成されている。この基
板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４及び保護層
５がこの順に形成されている。
保護層３及び保護層４は、記録層２を挟むように配設
されており、有機高分子材料、例えばPMMA、ポリスチレ
ン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂2P樹
脂）、又はSiO2、Al2O3、AlN、ZnS、若しくはZrO2等の
誘導体で形成される。これら保護層3,4は記憶層２が空
気中の水分の影響を受けることを未然に防止する作用、
及び記録・消去の際にレーザビーム等の光ビームにより
記録層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまう
ことを防止する作用を有している。これら保護層3,4は
スピンコート法、蒸着法、スパッタリング法等によって
好適に形成することができる。なお、これら保護層3,4
の厚みは10Å乃至数十μｍであることが好ましい。
されており、有機高分子材料、例えばPMMA、ポリスチレ
ン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂2P樹
脂）、又はSiO2、Al2O3、AlN、ZnS、若しくはZrO2等の
誘導体で形成される。これら保護層3,4は記憶層２が空
気中の水分の影響を受けることを未然に防止する作用、
及び記録・消去の際にレーザビーム等の光ビームにより
記録層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまう
ことを防止する作用を有している。これら保護層3,4は
スピンコート法、蒸着法、スパッタリング法等によって
好適に形成することができる。なお、これら保護層3,4
の厚みは10Å乃至数十μｍであることが好ましい。
保護層５は情報記録媒体取扱う際の表面での傷やほこ
り等を防止するために配設されるもので、スピンコート
法等により紫外線硬貨樹脂を塗布し、これに紫外線を照
射して硬化させること等により形成される。この保護層
５の層厚は100Å乃至数十μｍであることが好ましい。
なお、保護層3,4,5は設けることが好ましいが、必ずし
も設けなくてもよい。
り等を防止するために配設されるもので、スピンコート
法等により紫外線硬貨樹脂を塗布し、これに紫外線を照
射して硬化させること等により形成される。この保護層
５の層厚は100Å乃至数十μｍであることが好ましい。
なお、保護層3,4,5は設けることが好ましいが、必ずし
も設けなくてもよい。
記録層２は、（InxSbyTez）100−αＭαただし、x,y,
z,αは原子％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100であり、夫々40≦ｘ≦6
0、２≦ｙ≦27、23≦ｚ≦47、０＜α≦20の範囲内にあ
り、ＭはSe,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArからなる群から
選択される少なくとも１種の元素である）で表される組
成の合金で形成されており、蒸着法、スパッタリング法
等によって好適に形成することができる。なお、合金タ
ーゲットを使用して蒸着又はスパッタリングする場合に
は、ターゲット組成と実際に形成される膜の組成とに差
があることを考慮する必要がある。また、多元同時蒸着
又は多元同時スパッタリング等によって成膜することも
できる。記録層２の層厚は100乃至3000Åであることが
好ましい。
z,αは原子％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100であり、夫々40≦ｘ≦6
0、２≦ｙ≦27、23≦ｚ≦47、０＜α≦20の範囲内にあ
り、ＭはSe,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArからなる群から
選択される少なくとも１種の元素である）で表される組
成の合金で形成されており、蒸着法、スパッタリング法
等によって好適に形成することができる。なお、合金タ
ーゲットを使用して蒸着又はスパッタリングする場合に
は、ターゲット組成と実際に形成される膜の組成とに差
があることを考慮する必要がある。また、多元同時蒸着
又は多元同時スパッタリング等によって成膜することも
できる。記録層２の層厚は100乃至3000Åであることが
好ましい。
記録層２を構成する（InxSbyTez）100−αＭα、照射
する光ビームの条件を変えることにより平衡相と非平衡
相（非晶質相、準安定結晶相等）との間で相変化し得る
材料であり、In,Sb,及びTeが非晶質化しやすい金属間化
合物In3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn3SbTe3の近傍組成であ
ることから非平衡相としての非晶質状態の安定性が優れ
ている。また、結晶化速度が大きく、非晶質化しやすい
ことから初期化、記録及び消去速度が大きい。更に、Ｍ
元素の存在により融点が低下するから記録感度が高い。
する光ビームの条件を変えることにより平衡相と非平衡
相（非晶質相、準安定結晶相等）との間で相変化し得る
材料であり、In,Sb,及びTeが非晶質化しやすい金属間化
合物In3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn3SbTe3の近傍組成であ
ることから非平衡相としての非晶質状態の安定性が優れ
ている。また、結晶化速度が大きく、非晶質化しやすい
ことから初期化、記録及び消去速度が大きい。更に、Ｍ
元素の存在により融点が低下するから記録感度が高い。
次に、第２図及び第３図を参照しながらこの実施例に
係る情報記録媒体の記録層の形成方法の一例について説
明する。第２図はこの実施例の記録層を形成するために
用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面
図、第３図はその横断面図である。図中10は真空容器を
示し、この真空容器10はその底面にガス導入ポート11及
びガス排出ポート12を有している。ガス排出ポート12は
排気装置13に接続されており、この排気装置13により排
出ポート12を介して真空容器10内が排気される。また、
ガス導入ポート11はアルゴンガスボンベ14に接続されて
おり、このボンベ14から真空容器10内にガス導入ポート
11を介してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが
導入される。真空容器10内の上部には、基板支持用の円
板状の回転基台15がその面を水平にして配設されてお
り、その下面に基板１が支持され、図示しないモータに
よって回転されるようになっている。また、真空容器10
内の底部近傍には、基台15に対向するように、夫々記録
層の構成する所定元素で形成されたスパッタリング源2
1,22,23が配設されており、各スパッタリング源には図
示しない高周波電源が接続されている。これらスパッタ
リング源21,22,23の上方には、夫々モニタ装置24,25,26
が設けられており、これらモニタ装置により各スパッタ
リング源からのスパッタリング量をモニタし、記録層が
所定の組成になるように各スパッタリング源に投入する
電力量を調節するようになっている。
係る情報記録媒体の記録層の形成方法の一例について説
明する。第２図はこの実施例の記録層を形成するために
用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面
図、第３図はその横断面図である。図中10は真空容器を
示し、この真空容器10はその底面にガス導入ポート11及
びガス排出ポート12を有している。ガス排出ポート12は
排気装置13に接続されており、この排気装置13により排
出ポート12を介して真空容器10内が排気される。また、
ガス導入ポート11はアルゴンガスボンベ14に接続されて
おり、このボンベ14から真空容器10内にガス導入ポート
11を介してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが
導入される。真空容器10内の上部には、基板支持用の円
板状の回転基台15がその面を水平にして配設されてお
り、その下面に基板１が支持され、図示しないモータに
よって回転されるようになっている。また、真空容器10
内の底部近傍には、基台15に対向するように、夫々記録
層の構成する所定元素で形成されたスパッタリング源2
1,22,23が配設されており、各スパッタリング源には図
示しない高周波電源が接続されている。これらスパッタ
リング源21,22,23の上方には、夫々モニタ装置24,25,26
が設けられており、これらモニタ装置により各スパッタ
リング源からのスパッタリング量をモニタし、記録層が
所定の組成になるように各スパッタリング源に投入する
電力量を調節するようになっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排
気装置により真空容器10内を例えば10-6Torrまで排気す
る。次いで、ガス導入ポート11を介して容器10内にアル
ゴンガスを導入しつつ、排気装置13の排気量を調節して
真空容器10内を所定圧力のアルゴンガス雰囲気に保持す
る。この状態で、基板１を回転させつつ、スパッタリン
グ源21,22,23に所定時間所定の電力を印加する。これに
より、基板１に所定組成の記録層が形成される。なお、
保護層を形成する場合には、記録層２の形成に先立ち、
保護層の組成に調整されたスパッタリング源を用いて上
述したようにスパッタリングすることにより基板１上に
保護層３を形成し、その後記録層２を形成し、更に保護
層３を形成する場合と同様の条件で記録層２の上に保護
層４を形成することができる。
気装置により真空容器10内を例えば10-6Torrまで排気す
る。次いで、ガス導入ポート11を介して容器10内にアル
ゴンガスを導入しつつ、排気装置13の排気量を調節して
真空容器10内を所定圧力のアルゴンガス雰囲気に保持す
る。この状態で、基板１を回転させつつ、スパッタリン
グ源21,22,23に所定時間所定の電力を印加する。これに
より、基板１に所定組成の記録層が形成される。なお、
保護層を形成する場合には、記録層２の形成に先立ち、
保護層の組成に調整されたスパッタリング源を用いて上
述したようにスパッタリングすることにより基板１上に
保護層３を形成し、その後記録層２を形成し、更に保護
層３を形成する場合と同様の条件で記録層２の上に保護
層４を形成することができる。
なお、添加元素ＭをＮ又はArにする場合には、スパッ
タリングガスを用いて添加する。すなわち、Ｎを添加す
る場合には、Ｎガス中、又はＮガスとArガスとの混合ガ
ス中でスパッタリングし、Arを添加する場合には、Arガ
ス中でガス流量等の条件を所定の条件に設定してスパッ
タリングする。
タリングガスを用いて添加する。すなわち、Ｎを添加す
る場合には、Ｎガス中、又はＮガスとArガスとの混合ガ
ス中でスパッタリングし、Arを添加する場合には、Arガ
ス中でガス流量等の条件を所定の条件に設定してスパッ
タリングする。
次に、この発明の情報記録媒体における初期化、並び
に、情報の記録、消去及び再生について説明する。
に、情報の記録、消去及び再生について説明する。
初期化 記録層２は成膜直後に通常非晶質であるが、情報を記
録するためには結晶である必要があるので、レーザビー
ム等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、
記録層２を結晶化する。
録するためには結晶である必要があるので、レーザビー
ム等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、
記録層２を結晶化する。
記録 高出力でパルス幅が短い高ビームを記録層２に照射
し、照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録
マークを形成する。
し、照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録
マークを形成する。
消去 記録層２に形成された記録マーク部に、記録の際より
も低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マー
ク部を結晶に相変化させ、情報を消去する。
も低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マー
ク部を結晶に相変化させ、情報を消去する。
再生 情報を記録した記録層２に比較的弱い光ビームを照射
し、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例え
ば反射率の差を検出して情報を読取る。
し、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例え
ば反射率の差を検出して情報を読取る。
なお、この発明に係る情報記録媒体は、結晶化速度が
大きいことからオーバーライトが可能である。オーバー
ライトとは、単一の光源から放射されるレーザビーム等
の光ビームを、第４図に示すように２段階のパワーレベ
ルPE（消去）及びPW（記録）の間でパワー変調して、消
去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパルス
を重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新しい
情報を重ね書きすることである。
大きいことからオーバーライトが可能である。オーバー
ライトとは、単一の光源から放射されるレーザビーム等
の光ビームを、第４図に示すように２段階のパワーレベ
ルPE（消去）及びPW（記録）の間でパワー変調して、消
去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパルス
を重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新しい
情報を重ね書きすることである。
次に、この発明の試験例について説明する。
試験例１ 耐熱ガラス基板上に、第２図及び第３図に示すスパッ
タリング装置により、種々の組成のInxSbyTez合金薄膜
を形成し、Ｘ線回折によりこれら薄膜の構造を確認し
た。第５図の３元系組成図において斜線で示す範囲、す
なわち40≦ｘ≦60、２≦ｙ≦27、23≦ｚ≦47の組成範囲
で確認した結果、いずれも成膜直後に非晶質であった。
この組成範囲において、非晶質化しやすい金属間化合物
としてIn3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn4SbTe3が知られてい
るが、上述のように、これら金属間化合物の近傍組成に
おいても非晶質状態をとり得ることができ、レーザビー
ムの照射条件を選択することにより記録・消去する相変
化型の記録層として利用し得ることが確認された。
タリング装置により、種々の組成のInxSbyTez合金薄膜
を形成し、Ｘ線回折によりこれら薄膜の構造を確認し
た。第５図の３元系組成図において斜線で示す範囲、す
なわち40≦ｘ≦60、２≦ｙ≦27、23≦ｚ≦47の組成範囲
で確認した結果、いずれも成膜直後に非晶質であった。
この組成範囲において、非晶質化しやすい金属間化合物
としてIn3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn4SbTe3が知られてい
るが、上述のように、これら金属間化合物の近傍組成に
おいても非晶質状態をとり得ることができ、レーザビー
ムの照射条件を選択することにより記録・消去する相変
化型の記録層として利用し得ることが確認された。
試験例２ 試験例１の組成範囲のInxSbyTezに対して、Se,As,P,
S,Ge,Si,B,C,N,Ar,Bi,Pb,及びSnを各々添加したサンプ
ルを作成し、各サンプルについて結晶化温度を測定し
た。その結果、Se,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArを夫々添
加したサンプルにおいて結晶化温度が上昇し、Bi,Pb,及
びSnを夫々添加したサンプルにおいて結晶化温度が低下
した。
S,Ge,Si,B,C,N,Ar,Bi,Pb,及びSnを各々添加したサンプ
ルを作成し、各サンプルについて結晶化温度を測定し
た。その結果、Se,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArを夫々添
加したサンプルにおいて結晶化温度が上昇し、Bi,Pb,及
びSnを夫々添加したサンプルにおいて結晶化温度が低下
した。
このことから、InxSbyTezにSe,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,
及びArを添加することにより非晶質状態が安定であるこ
とが確認された。
及びArを添加することにより非晶質状態が安定であるこ
とが確認された。
また、InxSbyTezにSe,As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArを
添加したサンプルの融点を測定した結果、InxSbyTezよ
りも融点が低下した。このことから、これら元素の添加
により記録感度が向上することが判明した。
添加したサンプルの融点を測定した結果、InxSbyTezよ
りも融点が低下した。このことから、これら元素の添加
により記録感度が向上することが判明した。
試験例３ 試験例２で作成したサンプルに対し、照射条件を変え
ながら基板側からレーザビームを照射し、結晶化速度を
調べた。第６図にSeを夫々5,10,20,30原子％添加したサ
ンプルにおける結果について示す。第６図は横軸に照射
するレーザビームのパルス幅をとり、縦軸に反射率変化
量をとって、これらの関係を示すグラフである。このグ
ラフにおいて、反射率の変化が非晶質と結晶との間の相
変化に対応する。なお、第６図は照射するレーザビーム
のパワーが7mWの場合である。この第６図に示すよう
に、Seが無添加の場合が最も結晶化速度が大きく、Sn添
加量が増加するに従って低下し、添加量が30原子％では
結晶化速度が１μmsecとなった。これは、Seの添加によ
り非晶質状態が安定化したことに起因している。しか
し、Seの添加量が少ない範囲では、十分な結晶化速度を
維持していることもわかる。実用性を考えると結晶化速
度が１μmsec以下が望ましいので、Seの添加量としては
20原子％以下が適当である。
ながら基板側からレーザビームを照射し、結晶化速度を
調べた。第６図にSeを夫々5,10,20,30原子％添加したサ
ンプルにおける結果について示す。第６図は横軸に照射
するレーザビームのパルス幅をとり、縦軸に反射率変化
量をとって、これらの関係を示すグラフである。このグ
ラフにおいて、反射率の変化が非晶質と結晶との間の相
変化に対応する。なお、第６図は照射するレーザビーム
のパワーが7mWの場合である。この第６図に示すよう
に、Seが無添加の場合が最も結晶化速度が大きく、Sn添
加量が増加するに従って低下し、添加量が30原子％では
結晶化速度が１μmsecとなった。これは、Seの添加によ
り非晶質状態が安定化したことに起因している。しか
し、Seの添加量が少ない範囲では、十分な結晶化速度を
維持していることもわかる。実用性を考えると結晶化速
度が１μmsec以下が望ましいので、Seの添加量としては
20原子％以下が適当である。
Seの代りに、As,P,S,Ge,Si,B,C,N,及びArを夫々添加
した合金を形成したサンプルについて同様の試験を行な
った結果、同様な結果が得られ、これらについても実用
上添加量が20％以下が適当であることが確認された。
した合金を形成したサンプルについて同様の試験を行な
った結果、同様な結果が得られ、これらについても実用
上添加量が20％以下が適当であることが確認された。
なお、これら添加元素は、いくつか組合わせて添加し
ても同様の効果を得ることができた。この場合に、トー
タルの添加量が２原子％を超えると結晶化温度が低下す
ることが確認された。
ても同様の効果を得ることができた。この場合に、トー
タルの添加量が２原子％を超えると結晶化温度が低下す
ることが確認された。
以上の結果から、上述の範囲の（InxSbyTez）100−α
Ｍα合金を相変化型の記録層として使用することが可能
なこと、このような記録層はＭ元素の添加に伴って非晶
質状態の安定性が増加すること、及び結晶化速度が１μ
msec以下と高速であることが確認された。
Ｍα合金を相変化型の記録層として使用することが可能
なこと、このような記録層はＭ元素の添加に伴って非晶
質状態の安定性が増加すること、及び結晶化速度が１μ
msec以下と高速であることが確認された。
なお、この実施例においては基板として平板状のもの
を使用した例について示したが、これに限らず、テープ
状、又はドラム状等種々の形態をとることが可能であ
る。
を使用した例について示したが、これに限らず、テープ
状、又はドラム状等種々の形態をとることが可能であ
る。
［発明の効果］ この発明によれば、記録層が非晶質化しやすい金属間
化合物In3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn4SbTe3及びその近傍
組成を基本にしているので、非平衡相である非晶質状態
の記録マークの安定性に優れ、また初期化、記録及び消
去を高速で実施することができる。また、Ｍ元素の添加
により記録層の融点を低下することができるので記録感
度を高くすることができる。
化合物In3SbTe2,In10Sb3Te7及びIn4SbTe3及びその近傍
組成を基本にしているので、非平衡相である非晶質状態
の記録マークの安定性に優れ、また初期化、記録及び消
去を高速で実施することができる。また、Ｍ元素の添加
により記録層の融点を低下することができるので記録感
度を高くすることができる。
第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図、第２図は記録層を形成するための装置の概略構成
を示す縦断面図、第３図はその横断面図、第４図はオー
バーライトの際のレーザビームのパワーを示す図、第５
図はこの発明に係る情報記録媒体の記録層の基本となる
In−Sb−Te3元合金の組成範囲を示す組成図、第６図は
照射するレーザビームのパルス幅と反射率変化量との関
係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3,4,5;保護層。
面図、第２図は記録層を形成するための装置の概略構成
を示す縦断面図、第３図はその横断面図、第４図はオー
バーライトの際のレーザビームのパワーを示す図、第５
図はこの発明に係る情報記録媒体の記録層の基本となる
In−Sb−Te3元合金の組成範囲を示す組成図、第６図は
照射するレーザビームのパルス幅と反射率変化量との関
係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3,4,5;保護層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板と、光ビームの照射によって照射部分
が平衡相と非平衡相との間で相変化する記録層とを有す
る情報記録媒体であって、前記記録層は、一般式 InxSbyTez で表わされ、ｘ、ｙ、ｚが原子％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100で
あり、夫々40≦ｘ≦60、２≦ｙ≦27、23≦ｚ≦47の範囲
に含まれる金属間化合物に、Se,As,P,S,Ge,Si,B,C,N及
びArからなる群から選択される少なくとも１種の元素Ｍ
を添加した下記一般式で表わされる組成の合金で形成さ
れていることを特徴とする情報記録媒体。 （InxSbyTez）100−αＭα ただし、Ｍは、０＜Ｍ≦20の範囲である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322073A JP2680388B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322073A JP2680388B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167783A JPH02167783A (ja) | 1990-06-28 |
| JP2680388B2 true JP2680388B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=18139615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322073A Expired - Lifetime JP2680388B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680388B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JP2679995B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 情報記録用薄膜 |
| JP2776847B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1998-07-16 | 株式会社日立製作所 | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63322073A patent/JP2680388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02167783A (ja) | 1990-06-28 |
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Legal Events
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