JPH03169681A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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JPH03169681A
JPH03169681A JP1311350A JP31135089A JPH03169681A JP H03169681 A JPH03169681 A JP H03169681A JP 1311350 A JP1311350 A JP 1311350A JP 31135089 A JP31135089 A JP 31135089A JP H03169681 A JPH03169681 A JP H03169681A
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JP
Japan
Prior art keywords
recording
recording layer
layer
information
gete
Prior art date
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Pending
Application number
JP1311350A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Kobayashi
忠 小林
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1311350A priority Critical patent/JPH03169681A/ja
Publication of JPH03169681A publication Critical patent/JPH03169681A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、レーザビーム等の光ビームを記録層に照射
し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起させ
て情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透過
率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再生
する情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体と
しては、光ディスク、光カード、光テープ、及び光ドラ
ム等がある。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題) 従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が可
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック(ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等)からなる基板と、この基板上に
形或された記録層とを備えている。この記録層を形成す
る材料としては、例えばGeTe等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の先ビーム(
例えばレーザビーム)を照射することにより、例えば結
晶と非品質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。
このような記録層としては、光ビームの照射条件によっ
て相変化が生じ易い共晶組成をを有する材料や金属間化
合物を形戊する材料が適している。
しかしながら、従来、相変化型情報記録媒体の記録層と
して用いられているGeTe等の合金は、一応上述の条
件は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特
性を保持しているとは言えない。特に、初期化、記録及
び消去を高速化することが望まれている。また、結品一
非品質問の相変化により情報を記録・消去する場合には
、通常記録部分を非品質としているが、一般に非品質は
比較的安定性が低いため、非品質状態をより安定化する
ことも要求されている。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
初期化、記録及び消去を高速で実施することができ、記
録した情報が安定である情報記録媒体を堤供することを
目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射によって照射部分が相九なる2つの相間で相変化する
記録層とをHする情報記録媒体であって、前記記録層は
、主としてGeSe2,GeTe,及びSb2 Te3
の擬三元系合金からなることを特徴とする。
(作用) GeSe2,GeTe,及びSb2 Te.の擬三元系
合金は、前述のような相変化型記録媒体の記録層として
の条件を満たす材料であり、しかも粘晶化速度が大きい
。従って、記録層を主としてGeSe2,GeTe,及
びSb,Teqの擬三元系合金で構成することにより、
初期化、記録及び消去を高速化することができる。
(実施例) 以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に説
明する。第1図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体
を示す断面図である。基板1はポリオレフィン、エボキ
シ、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレ
ート(PMMA)等のプラスチック、又はガラス等、こ
の技術分野で通常用いられる材料で形成されている。こ
の基板1の上に、保護層3、記録層2、保護層4及び保
護層5がこの順に形成されている。
保護層3及び保護層4は、記録層2を挟むように配設さ
れており、有機高分子材料、例えばPMMA,ポリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂(所m2
P樹脂〉 又はS io2、A12 0m 、AIN,
ZnSs若しくはZr02等の誘電体で形威される。こ
れら保護層3.4は記録層2が空気中の水分の影響を受
けることを未然に防止する機能、記録・消失の際にレー
ザビーム等の光ビームにより記録層2の照射部分が飛散
したり穴が形或されてしまうことを防止する機能、又は
記録層の温度をコントロールする機能等を{−rLでい
る。これら保護層3,4はスビンコート法、蒸着法、ス
パッタリング法等によって好適に形成することができる
。なお、これら保護層3.4の厚みは10λ乃至数十μ
mであることが好ましい。
保護層5は情報記録媒体取扱う際の表面での傷やほこり
等を防止するために配設されるもので、スビンコート法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保護層5
の層厚は100入乃至数十μmであることが好ましい。
なお、保護層3,4.5は設けることが好ましいが、必
ずしも設けなくてもよい。
また、第2図に示すように、保護層4と保護層5との間
に反射層6を設けてもよい。この反射層6は、再坐用の
光ビームを反射させて多重干渉により再生信号を増大さ
せる機能、及び情報の記録・消失の際に記録層2を急冷
して後述するオーバーライトを容易化する機能をHして
いる。反射層6としては、Au,AfI,Cu,Cr,
Ni −Cr等の金属又は合金を用いることができる。
上記機能を達成するために、反射層6の厚みは数十λ乃
至3000入であることが好ましい。
記録層2は、主としてGeSe2,GeTe,及びSb
2 Te,の擬三元系合金で構成されており、蒸着法、
スパッタリング法等によって好適に形戊することができ
る。なお、合金ターゲットを使用して蒸着又はスパッタ
リングする場合には、ターゲット組成と実際に形成され
る膜の組成とに差があることを考慮する必要がある。ま
た、多元同時蒸着又は多元同時スパッタリング等によっ
て成膜することもできる。記録層2の層厚は100乃至
3000入であることが好ましい。
記録層2を構成するGeSe2,GeTe,及びSb2
Te,の擬三元系合金は、照射する光ビームの条件を変
えることにより結晶と非品質との間で相変化し褥る材料
である。この合金の結晶組織はGeSe2,GeTe,
及びSb2Teiとの混合体であり、結晶粒が微細であ
る。このため、この合金は非品質化しやすく、かつ結晶
化速度が大きいという特徴をHしている。従って、この
ような合金で記録層2を形或することにより、初期化、
記録及び消去を高速化することができる。また、結晶化
温度が比較的高く、室温で非品質状態が安定である。
次に、第3図及び第4図を参照しながらこの丈施例に係
る情報記録媒体の記録層の形威方法の一例について説明
する。第3図はこの丈施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図
、第4図はその横断面図である。図中10は真空容器を
示し、この真空容器10はその底面にガス導入ポート1
1及びガス排出ポート12を有している。ガス排出ポー
ト12は排気装置13に接続されており、この排気装置
13により排出ポート12を介して真空容器10内が排
気される。また、ガス導入ボート11はアルゴンガスボ
ンベ14に接続されており、このボンベ14から真空容
器lo内にガス導入ボート11を介してスパッタリング
ガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空容器lo
内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台15がそ
の面を水平にして配設されており、その下面に基板1が
支持され、図示しないモータによって同転されるように
なっている。また、真空容器1口内の底部近傍には、基
台15に対向するように、夫々記録層を構成するGeS
e2,GeTe,及びSb2Te3で形成されたスパッ
タリング源(夕一ゲット)21,22.23が配設され
ており、各スパッタリング源には図示しない高周波電源
が接続されている。これらスパッタリング源21.22
.23の上方には、夫々モニタ装置24,25.26が
設けられており、これらモニタ装置により各スパッタリ
ング源からのスパッタリング量をモニタし、記録層が所
定の組成になるように各スパッタリング源に投入する電
力員を調節するようになっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置により真空容器10内を例えば1 0 −6T o
rrまで排気する。次いで、ガス導入ボート11を介し
て容器10内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置1
3の排気量を調節して真空容器10内を所定圧力のアル
ゴンガス雰囲気に保持する。この状態で、基板1を回転
させつつ、スパッタリング源21.22に所定時間所定
の電力を印加する。これにより、基板1に所定組成の記
録層が形成される。なお、保護層を形成する場aには、
記録層2の形或に先立ち、保護層の組成に調整されたス
パッタリング源を用いて上述したようにスパッタリング
するこにより基板1上に保護層3を形成し、その後記録
層2を形或し、更に保護層3を形成する場合と同様の条
件で記録層2の上に保護層4を形成することができる。
また、反射層6を形成する場合には、反射層6の材料で
形威されたスパッタリング源を用いて同様にスパッタリ
ングする。
次に、この発明の情報記録媒体における初期化、並びに
、情報の記録、消表及び再坐について説明する。
初期化 記録層2は或膜直後に通常非晶質であるが、情報を記録
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層2に全面照射して加熱徐冷し、記
録層2を結晶化する。
記録 高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層2に照射し、
照射部分を加熱急冷して非品質に相変化させ、記録マー
クを形成する。
消去 記録層2に形成された記録マーク部に、記録の際よりも
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消去する。
再生 情報を記録した記録層2に比較的弱い光ビームを照射し
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反11率の差を検出して情報を読取る。
なお、この発明に係る情報記録媒体は、単一ビームオー
バーライトが可能である。単一ビームオーバーライトと
は、単一の光源から放射されるレーザビームを、第5図
に示すように消去レベルPRと記録レベルPwとの間で
パワー変調して、消夫バワーレベルの光ビームに記録パ
ワーレベルのパルスを重畳させ、既に記録された情報を
消夫しながら新しい情報を重ね書きすることである。
この発明に係る情報記録媒体において、単一ビームオー
バーライトが可能な裡由は、記録層の結晶化速度が大き
いことにある。すなわち、単一ビームオーバーライトの
場合には、ビームのパワー変調のみで記録・消失を行う
ため、消去速度が大きいことが要求される。情報の消去
は、非品質から結晶への相変化に対応しているため、記
録層の結晶化速度が大きいことが要求されるのである。
なお、媒体を第2図に示す層構戒にし、保護層4、5に
断熱機能を持たせ、反射層6に急冷機能を持たせること
により、一層、単一ビームオーバーライトを容易化する
ことができる。つまり、保護層の断熱機能により消去が
行われ易くなり、反射層の急冷機能により非品質化を確
実化することができ、もって単一ビームオーバーライト
を行い易くすることができる。
さらに、記録の際の光ビームのパワー又はパルス幅等を
何段階かに変化させて照射し、記録マークの反射率を複
数段階にする多値記録を行うことも可能である。
次に、この発明の試験例について説明する。
試験例] ガラス基板上に、第3図及び第4図に示すスバッタリ,
ング装置により、(G e S e 2 ) too−
x−y(GeTe)y  (Sb2Te,)x  (た
だし、X,Yは体積%を表わす)の三元合金薄膜をX,
Yを種々変化させて形成し、X線回折により膜の構造を
確認した。その結果、この擬三元系のどの範囲において
も、この薄膜は戊膜したままの状態で非品質状態であっ
た。すなわち、この組成範囲においてはレーザビームの
照斗1条件を選択することにより非晶質状態をとり得る
ことができ、相変化型の記h層として利用し得ることが
確認された。
試験例2 ガラス基板上に、上述と同様、(GeSez)oo−x
−v  (G eTe) Y  (S b2Tes )
 xで表わされる組成の薄膜を)13威したA−Cのサ
ンプルを作製し、各薄膜の結晶化温度を把握した。これ
らサンプルの記録層の組成、及び結晶化温度を第1表に
示す。
第 1 表 この表に示すように、いずれのサンプルも結晶化温度が
100℃よりはるかに高く、室温における非品質状態の
安定性が確認された。
試験例3 第1図に示した層構成を有し、 (GeSe2 ) +oo−x−v (GeTe) v
(Sb2Tei)xで表わされる組或の記録層を有する
D−H5個のディスクサンプルを作製した。
第2表にこれらの記録層組成を示す。
第 2 表 これらサンプルのうち、サンプルF,G,Hは、夫々記
録層がS b 2 T e 3  G e T e ,
GeSe,て形成された比較例であり、サンプルD,E
はこの発明の範囲内である擬三元系合金で形成された大
施例である。
これらサンプルについて、基板側から種々のパルス幅の
波長830nIBの半導体レーザビームを一定強度で記
録層に対物レンズを用いて集光照射し、パルス幅と照射
部分の反射率嚢化との間の関係を把握した。その結果を
第6図に示す。第6図は横軸に照射するレーザビームの
パルス幅をとり、縦軸に反射率変化量をとって、これら
の関係を示すグラフである。このグラフにおいて急激に
反射率変化量が増加するところが非晶質から粘晶への相
変化に対応する。
このグラフによれば、記録層をD及びE組成、すなわち
GeSe2,GeTe,及びsb2T e 3の擬三元
系合金にしたサンプルは、結晶化のためのレーザビーム
のパルス幅が、比較例であるF−H組成よりも著しく小
さいことわかった。
すなわち、記録層をGeSe2,GeTe,及びSb2
Te3の擬三元系合金で構或することにより結晶化速度
を極めて高速化することができることが確認された。
以上の試験例により、GeSe2,GeTe,及びSb
2Te,の擬三元系合金で相嚢化型の記録層を形戊する
ことができること、並びに、この合金で形成された記録
層は非品質状態で支定であり、結晶化速度が大きいこと
が確認された。
[発明の効果] この発明によれば、記録層を主として GeSe2,GeTe,及びSb2Te3の擬三元系合
金で形成したので、非品質の安定性が高く、また結晶化
速度が大きい。従って、非晶質記録マークの安定性に優
れ、しかも初期化、記録及び消去を高速で丈施すること
かできるという極めて特性が優れた情報記録媒体を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第3図は記録層を形成するための装置
の概略構或を示す縦断面図、第4図はその横断面図、第
5図はオーバーライトの際のレーザバワーを示す図、第
6図は照射するレザビームのパルス幅と反射早変化量と
の関係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3,4.5;保護層、6;反射

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板と、光ビームの照射によって照射部分が相異なる2
    つの相間で相変化する記録層とを有する情報記録媒体で
    あって、前記記録層は、主としてGeSe_2、GeT
    e、及びSb_2Te_3の擬三元系合金からなること
    を特徴とする情報記録媒体。
JP1311350A 1989-11-30 1989-11-30 情報記録媒体 Pending JPH03169681A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1311350A JPH03169681A (ja) 1989-11-30 1989-11-30 情報記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1311350A JPH03169681A (ja) 1989-11-30 1989-11-30 情報記録媒体

Publications (1)

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JPH03169681A true JPH03169681A (ja) 1991-07-23

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ID=18016095

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JP1311350A Pending JPH03169681A (ja) 1989-11-30 1989-11-30 情報記録媒体

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JP (1) JPH03169681A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0562193A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報の記録方法
US7807497B2 (en) 2006-07-12 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0562193A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報の記録方法
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