JPS6190341A - 光デイスク - Google Patents
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- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモート
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発させ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層薄膜５を形成し、レーザビームをスポット照射した
とき温度が上昇した下地層６から気泡を発生させ、上の
薄膜７にふくらみ８として記録するタイプである。また
、第１０図に示すタイプは、基板９上に温度変化で組織
の変化する薄膜１０を形成し、レーザビームのスポット
照射で薄膜１０の局部１１をたとえば反射率のことなる
組織に変化させることで記録するタイプである。そして
、これらタイプの記録部（３，８，１１＞はいずれも無
記録部に対して光の透過または反射の特性に違いを生じ
ることから、レーザビームを用い記録部（３゜８．１１
）の有無を検出することで記録情報は読。 み出される。しかしながら、これらタイプの記録形態の
うち、第８図および第９図に示すタイプは記録部（３，
８）に不可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であ
るが消去はできない。また、第１０図に示すタイプは記
録膜の材料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料
を用いれば記録と消去が可能になる。その１例として光
磁気記録膜がある。 一方、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定な
結晶層と非晶質層の２つの状態を取り得ることは良く知
られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ
ｋが異なることは Ｊ、５ＴＯＵＫＥが Ｊ、 ｏｆ、
Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌｉｄ ４
１１９７０に詳しく報告している。この半導体の結晶層
と非晶質層との２状態をレーザビームによる熱処理で可
逆的に変化させて光メモリとする着想は Ｓ、Ｒ，０Ｖ
ＳＩ−（ＩＮＳＫＹ等によって Ｍｅｔｓｌ
ｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
２ ６４１１９７１ 誌に提示されている。しかしな
がら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不安定で耐
久性に乏しく実用化されるには至らなかった。すなわら
、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、１ｎ３ｂ等の半導体は溶融状態ま
で加熱して高速に冷却すると非晶質となり、より低い温
度に加熱してゆっくり冷却すると結晶質となる特性を持
っており、この非晶質層と結晶質層はぞれぞれｎ’−ｉ
ｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で特徴付けられる異なっ
た光学的性質をもって安定に存在するが、これらの半導
体はＲＭ％にすると化学的安定性に乏しく、大気中では
次第に腐食して劣化するのでメモリ用光ディスクの記録
膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半導体を化合物にしたり耐久性のある保
護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせる試みが発表さ
れているが、それら従来の技術には次のような欠点があ
った。 公知例Ｉ Ｔｅの低酸化物膜の加熱による層変化を用
いた非消去形光ディスク（特公昭５５−３７２５号、Ｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
２８２４１９８２）・・・・・・この例では、Ｔｅの
低酸化物Ｔｅ０ｘ（０＜Ｘ＜２）の薄膜を層変化する記
録膜と記述しているが、光学特性の可逆的変化について
は言及していない。 公知例２ ＴｅＯｘ （Ｘ＝１．１ ）薄膜ノ可逆的
層変化による消去可能な光ディスク（日本学術（１興会
薄膜第１３１委員会 第１１６回研究会資料１９８３
）・・・・・・この例では、Ｔｅに微量不純物としてＧ
ｅとＳｎを添加したものとＴｅＯ２の同時蒸発により分
解生成物としてＴｅＯ薄膜を蒸着している。このように
成膜工程中に高温で不安定なＴｅＯ２の分解過程を含む
膜では品質の制御が困難であるという欠点がある。さら
に、ＴｅＯは、上記Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ ２８２４１９８２に記載されて
いるように、記録前の膜の反射率が１５％程度と低いこ
と、および記録による反射率変化も約１２％と小さいた
め、この膜による光ディスクは信号検出用光ピツクアッ
プのフォーカシングやトラッキングの動作が難しい上に
読み出し信号も小さいという欠点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 Ｅ、Ｂｅ１１等 Ａｌ１Ｄ１．ＰＭＳ、Ｌ−ｅｔｔ３８
９２０１９８１・・・・・・この例では、熱的に光学
定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体の薄膜を、その耐食
性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの蒸発を防ぐ
ため、５ｉ０２摸で挟んだ３層構造としている。この構
造では、各膜厚を正しく制御しなければならず、成膜工
程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 〔発明の概要〕 この発明は、上記目的を達成するために、基体上に薄膜
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを
照射することにより上記’？Ｊ １ｍに局所的に光学特
性の変化を生じさせ、これにより情報の記録を行なうこ
とが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビーム
による熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する
、すなわち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導
体を化学的に特に高温で安定な誘電体中に混合してなる
単一の混合膜と金属膜とを積層した多Ｒ構造とし、光ビ
ームの照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因す
る反射率変化を干渉効果により増大させるようにしたも
のである。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
基体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（薄膜
）２２、この記録膜２２上に形成される高い反射重石す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
がるかないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録膜２２は、第２図に
示すように、レーザビームしによる熱的エネルギーの賦
与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわち、
安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導体（
複素屈折率ｎ−１ｋ＞２４・・・を、化学的に特に高温
で安定な誘電体（屈折率ｒｌ ）２５中に、体積比で４
０〜８０％分散混合してなる単一の混合膜で構成されて
おり、また実効的な光学厚さがレーザビームＬの波長の
１／２以下とされている。なお、２６はレーザビームＬ
を記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射振幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下する。 −例として１ｎ３ｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録口９２２を高温・多湿の耐久性加速試験の
雰囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示したのが
第３図である。この結果、記録膜２２としては、体積含
有率ｑをＯ１４からＯ１８の間で作ることが、優れた耐
久性と十分な反射率の両特性を併せ持つ膜を（ワるため
の条件であることが分る。このような混合膜としたため
に１ｑられるもう１つの効果は、体積含有率ｑを減少さ
せると記録膜２２の吸収計数が、用いた半導体２４・・
・の値より減少するために、膜の画境界で反射し ′
た光の干渉効果が増大することである。この結果、１ｎ
３ｂとＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８３μｍにお
ける反射率が現わす膜厚依存性を示した第４図から明ら
かに見られる。この結果、吸収計数の大きな半導体も誘
電体との記録膜とすると、光の干渉膜として十分に作用
することを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化し；
−とき、体積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果に
より十分に大きい合成反射率Ｒの変化量を得ることがで
きる。−例として、阜仮２１に先ず体積含有率ｑを６０
％としたｌ ｎ３ｂとＰｂＯとの混合ＩＩＱとしての記
録膜２２を成膜し、ついでＣｕ膜としての金属膜２７を
０１０５μｍ以上に幌づけした２層膜構造の光ディスク
２０を製作する。そして、この光ディスク２０に対して
レーザど−ムで記録を行った時、記録膜２２上の相変化
による波長０１８３μｍの読出しレーザビームに対する
反射率変化量の膜厚依存性を第５図に実線で示す。同図
で反射率変化量の＋は明るくなる場合、−は暗くなる場
合を示す。図から記録膜２２の厚さを０１０５５μｍに
製作した光ディスク２０では、記録したとき未記録時よ
り５０％以上（２４％〜７７％）もの反射率変化量の冑
られることが分る。なお、第５図に点線で示した曲線は
体積含有率ｑが１、すなわち１ｎ３ｂだけで記録膜を形
成した場合である。両回線の比較から、この発明の２層
記録膜を有する光ディスク２０は、ＩｎＳｂをＰｂＯと
の含有学を６０％と低くしたにも係わらず、積層膜とし
たことで干渉効果により１００％のＩｎＳｂの膜と同稈
度の大きな反射率変化量すなわち記録情報の再生信号レ
ベルか得られることか分る。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の層変化を可能にする化学的に安定な誘電体２５中に分
散させるように同時スパッタで成膜する構造としたので
、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微粒子は
結晶層と非晶質層とのいずれの状態にも容易に遷移する
ことができるとともに、記録膜２２として重要な耐久性
も著しく向上することができる。また、上記金属膜２７
もスパッタで成膜する構造としたので、簡単に生成する
ことかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームしによ
り短時間でだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザビームしのパワーに比例した
温度θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ８−θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがっ
て、照射部内の半導体２４・・・は、レーザご−ムＬを
強くして短時間加熱したときは高速に、レーザビームＬ
を弱くして長い時間加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、し〜ザビームしの賦与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を複素屈折率の異なる非晶質層あるいは結晶層のい
ずれかの所望する状態にすることができる。その結果、
記録膜２２の照射部をそこの複素屈折率で決まる反射率
Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したりす
ることができる。 また、記録膜２２の実効的な光学厚さをレーザビームＬ
の波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより薄い厚
さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時もすなわ
ち消去時も、記録後も共に比較的高い反射率を床布する
ことになり、情報信号はもとよりフォーカシング信号や
トラッキング信号も大きくとることができる。 すなわち、たとえば、微粒子の半導体２４・・・にＩｎ
Ｓｂ、誘電体２５にＰｂＯを用い、全記録膜２２中に占
めるＩｎＳｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎＳ
ｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した記
録膜２２の記録部（非晶質層）と消去部（結晶層）のレ
ーザダイオード光の波長０１８３μｍに対する反射率Ｒ
および反射率変化量ΔＲの膜厚依存性は、第５図に示す
ようになり、同じ膜厚の記録膜２２であっても（その膜
厚による記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化量
ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効果で
大きく変化する。したがって、この例では、記録膜２２
の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記録部すな
わち消去部および記録部のいずれの反射率も大きく、し
かも反射率変化量も大きくでき、これにより、大きな読
取り信号が１ｑられるとともに、信号検出用光ピツクア
ップのフォーカシングやトラッキングのサーボ動作を容
易にすることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半りリ体２４・・・としてｌ ｎ３ｂ、誘電体２５
としてＰｂＯを用いたが、この他に、半導体２４ ・・
・とじてのＧｅには、Ｂ２０３．５ｂ２０３ 、ＰｂＯ
１Ｓ ｉｏ２．Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦ＋
、ＬｉＦ、ＰｂＦｚ、ＭＧＦ２、ＢａＦ２．ＣａＦ２等
の弗化物、半導体２４・・・とじてのＴｅおよび１ｎ３
ｂには、Ｂ２０３ 、Ｓｂ２０３ 、Ｐｂ０Ｗ（７）酸
化物ｅヨＣＦＢ ｉ Ｐ３、Ｌ ｉＦ、’ＰｂＦ２等の
弗化物中の１種または２種以上を主成分として含む誘電
体２５が選出される。また、全記録１１１２２中に占め
るＩｎＳｂの体積充填率を６０％としたが、半導体２４
・・・の微粒子の体積充填率は、小さいと記録膜２２と
しての必要な反射率変化が小さく、大きいとメモリ用光
ディスクとして必要な耐久性が低下することから、４０
〜８０％が適していることが実験により確認されている
。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の組合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜とする
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に提供することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中にＦＩＩ損しても、また破棄しても、半導体粉
がむき出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金属膜との２肋膜構造
で説明したが、これに限らず、たとえば第６図に示すよ
うに、基板２１と記録膜２２の間に半透明な金属膜２８
をスパッタで形成した３層膜構造とするようにしても良
い。たとえば、金属膜２７が０，０１μｍのＣｕ膜とし
、半透明の金属膜２８を０１０５μｍ以上のＣｕ膜とし
、体積充填率ｑを６０％としたＩｎＳｂとＰｂＯの混合
膜としての記録膜２２の厚さを変えたメモリ用の光ディ
スクで得られた特性例を第７図に示す。すなわち、この
構造にすると、光の多重反射の干渉効果で、記録膜２２
の厚さを０１０７μｍにしたとき、記録による反射率変
化量は８０％以上にも達することが示されている。この
ような反射率変化量は、レーザビームで記録情報を読出
すとき、あたかも高反射の点の有無に対応するような理
想に近い大きさの再生信号を与えるものである。 〔発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを照
射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化を
生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能な
光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる熱的
エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆的に変化す
る半導体゛を化学的に安定な誘電体中に混合してなる混
合膜としたから、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを１ｑることが
でき、さらに、刃作が簡単で品質が揃えられるとともに
安価で安全無害である等の優れた効果を奏する。
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発させ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層薄膜５を形成し、レーザビームをスポット照射した
とき温度が上昇した下地層６から気泡を発生させ、上の
薄膜７にふくらみ８として記録するタイプである。また
、第１０図に示すタイプは、基板９上に温度変化で組織
の変化する薄膜１０を形成し、レーザビームのスポット
照射で薄膜１０の局部１１をたとえば反射率のことなる
組織に変化させることで記録するタイプである。そして
、これらタイプの記録部（３，８，１１＞はいずれも無
記録部に対して光の透過または反射の特性に違いを生じ
ることから、レーザビームを用い記録部（３゜８．１１
）の有無を検出することで記録情報は読。 み出される。しかしながら、これらタイプの記録形態の
うち、第８図および第９図に示すタイプは記録部（３，
８）に不可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であ
るが消去はできない。また、第１０図に示すタイプは記
録膜の材料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料
を用いれば記録と消去が可能になる。その１例として光
磁気記録膜がある。 一方、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定な
結晶層と非晶質層の２つの状態を取り得ることは良く知
られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ
ｋが異なることは Ｊ、５ＴＯＵＫＥが Ｊ、 ｏｆ、
Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌｉｄ ４
１１９７０に詳しく報告している。この半導体の結晶層
と非晶質層との２状態をレーザビームによる熱処理で可
逆的に変化させて光メモリとする着想は Ｓ、Ｒ，０Ｖ
ＳＩ−（ＩＮＳＫＹ等によって Ｍｅｔｓｌ
ｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
２ ６４１１９７１ 誌に提示されている。しかしな
がら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不安定で耐
久性に乏しく実用化されるには至らなかった。すなわら
、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、１ｎ３ｂ等の半導体は溶融状態ま
で加熱して高速に冷却すると非晶質となり、より低い温
度に加熱してゆっくり冷却すると結晶質となる特性を持
っており、この非晶質層と結晶質層はぞれぞれｎ’−ｉ
ｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で特徴付けられる異なっ
た光学的性質をもって安定に存在するが、これらの半導
体はＲＭ％にすると化学的安定性に乏しく、大気中では
次第に腐食して劣化するのでメモリ用光ディスクの記録
膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半導体を化合物にしたり耐久性のある保
護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせる試みが発表さ
れているが、それら従来の技術には次のような欠点があ
った。 公知例Ｉ Ｔｅの低酸化物膜の加熱による層変化を用
いた非消去形光ディスク（特公昭５５−３７２５号、Ｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
２８２４１９８２）・・・・・・この例では、Ｔｅの
低酸化物Ｔｅ０ｘ（０＜Ｘ＜２）の薄膜を層変化する記
録膜と記述しているが、光学特性の可逆的変化について
は言及していない。 公知例２ ＴｅＯｘ （Ｘ＝１．１ ）薄膜ノ可逆的
層変化による消去可能な光ディスク（日本学術（１興会
薄膜第１３１委員会 第１１６回研究会資料１９８３
）・・・・・・この例では、Ｔｅに微量不純物としてＧ
ｅとＳｎを添加したものとＴｅＯ２の同時蒸発により分
解生成物としてＴｅＯ薄膜を蒸着している。このように
成膜工程中に高温で不安定なＴｅＯ２の分解過程を含む
膜では品質の制御が困難であるという欠点がある。さら
に、ＴｅＯは、上記Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ ２８２４１９８２に記載されて
いるように、記録前の膜の反射率が１５％程度と低いこ
と、および記録による反射率変化も約１２％と小さいた
め、この膜による光ディスクは信号検出用光ピツクアッ
プのフォーカシングやトラッキングの動作が難しい上に
読み出し信号も小さいという欠点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 Ｅ、Ｂｅ１１等 Ａｌ１Ｄ１．ＰＭＳ、Ｌ−ｅｔｔ３８
９２０１９８１・・・・・・この例では、熱的に光学
定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体の薄膜を、その耐食
性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの蒸発を防ぐ
ため、５ｉ０２摸で挟んだ３層構造としている。この構
造では、各膜厚を正しく制御しなければならず、成膜工
程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 〔発明の概要〕 この発明は、上記目的を達成するために、基体上に薄膜
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを
照射することにより上記’？Ｊ １ｍに局所的に光学特
性の変化を生じさせ、これにより情報の記録を行なうこ
とが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビーム
による熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する
、すなわち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導
体を化学的に特に高温で安定な誘電体中に混合してなる
単一の混合膜と金属膜とを積層した多Ｒ構造とし、光ビ
ームの照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因す
る反射率変化を干渉効果により増大させるようにしたも
のである。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
基体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（薄膜
）２２、この記録膜２２上に形成される高い反射重石す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
がるかないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録膜２２は、第２図に
示すように、レーザビームしによる熱的エネルギーの賦
与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわち、
安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導体（
複素屈折率ｎ−１ｋ＞２４・・・を、化学的に特に高温
で安定な誘電体（屈折率ｒｌ ）２５中に、体積比で４
０〜８０％分散混合してなる単一の混合膜で構成されて
おり、また実効的な光学厚さがレーザビームＬの波長の
１／２以下とされている。なお、２６はレーザビームＬ
を記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射振幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下する。 −例として１ｎ３ｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録口９２２を高温・多湿の耐久性加速試験の
雰囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示したのが
第３図である。この結果、記録膜２２としては、体積含
有率ｑをＯ１４からＯ１８の間で作ることが、優れた耐
久性と十分な反射率の両特性を併せ持つ膜を（ワるため
の条件であることが分る。このような混合膜としたため
に１ｑられるもう１つの効果は、体積含有率ｑを減少さ
せると記録膜２２の吸収計数が、用いた半導体２４・・
・の値より減少するために、膜の画境界で反射し ′
た光の干渉効果が増大することである。この結果、１ｎ
３ｂとＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８３μｍにお
ける反射率が現わす膜厚依存性を示した第４図から明ら
かに見られる。この結果、吸収計数の大きな半導体も誘
電体との記録膜とすると、光の干渉膜として十分に作用
することを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化し；
−とき、体積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果に
より十分に大きい合成反射率Ｒの変化量を得ることがで
きる。−例として、阜仮２１に先ず体積含有率ｑを６０
％としたｌ ｎ３ｂとＰｂＯとの混合ＩＩＱとしての記
録膜２２を成膜し、ついでＣｕ膜としての金属膜２７を
０１０５μｍ以上に幌づけした２層膜構造の光ディスク
２０を製作する。そして、この光ディスク２０に対して
レーザど−ムで記録を行った時、記録膜２２上の相変化
による波長０１８３μｍの読出しレーザビームに対する
反射率変化量の膜厚依存性を第５図に実線で示す。同図
で反射率変化量の＋は明るくなる場合、−は暗くなる場
合を示す。図から記録膜２２の厚さを０１０５５μｍに
製作した光ディスク２０では、記録したとき未記録時よ
り５０％以上（２４％〜７７％）もの反射率変化量の冑
られることが分る。なお、第５図に点線で示した曲線は
体積含有率ｑが１、すなわち１ｎ３ｂだけで記録膜を形
成した場合である。両回線の比較から、この発明の２層
記録膜を有する光ディスク２０は、ＩｎＳｂをＰｂＯと
の含有学を６０％と低くしたにも係わらず、積層膜とし
たことで干渉効果により１００％のＩｎＳｂの膜と同稈
度の大きな反射率変化量すなわち記録情報の再生信号レ
ベルか得られることか分る。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の層変化を可能にする化学的に安定な誘電体２５中に分
散させるように同時スパッタで成膜する構造としたので
、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微粒子は
結晶層と非晶質層とのいずれの状態にも容易に遷移する
ことができるとともに、記録膜２２として重要な耐久性
も著しく向上することができる。また、上記金属膜２７
もスパッタで成膜する構造としたので、簡単に生成する
ことかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームしによ
り短時間でだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザビームしのパワーに比例した
温度θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ８−θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがっ
て、照射部内の半導体２４・・・は、レーザご−ムＬを
強くして短時間加熱したときは高速に、レーザビームＬ
を弱くして長い時間加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、し〜ザビームしの賦与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を複素屈折率の異なる非晶質層あるいは結晶層のい
ずれかの所望する状態にすることができる。その結果、
記録膜２２の照射部をそこの複素屈折率で決まる反射率
Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したりす
ることができる。 また、記録膜２２の実効的な光学厚さをレーザビームＬ
の波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより薄い厚
さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時もすなわ
ち消去時も、記録後も共に比較的高い反射率を床布する
ことになり、情報信号はもとよりフォーカシング信号や
トラッキング信号も大きくとることができる。 すなわち、たとえば、微粒子の半導体２４・・・にＩｎ
Ｓｂ、誘電体２５にＰｂＯを用い、全記録膜２２中に占
めるＩｎＳｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎＳ
ｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した記
録膜２２の記録部（非晶質層）と消去部（結晶層）のレ
ーザダイオード光の波長０１８３μｍに対する反射率Ｒ
および反射率変化量ΔＲの膜厚依存性は、第５図に示す
ようになり、同じ膜厚の記録膜２２であっても（その膜
厚による記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化量
ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効果で
大きく変化する。したがって、この例では、記録膜２２
の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記録部すな
わち消去部および記録部のいずれの反射率も大きく、し
かも反射率変化量も大きくでき、これにより、大きな読
取り信号が１ｑられるとともに、信号検出用光ピツクア
ップのフォーカシングやトラッキングのサーボ動作を容
易にすることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半りリ体２４・・・としてｌ ｎ３ｂ、誘電体２５
としてＰｂＯを用いたが、この他に、半導体２４ ・・
・とじてのＧｅには、Ｂ２０３．５ｂ２０３ 、ＰｂＯ
１Ｓ ｉｏ２．Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦ＋
、ＬｉＦ、ＰｂＦｚ、ＭＧＦ２、ＢａＦ２．ＣａＦ２等
の弗化物、半導体２４・・・とじてのＴｅおよび１ｎ３
ｂには、Ｂ２０３ 、Ｓｂ２０３ 、Ｐｂ０Ｗ（７）酸
化物ｅヨＣＦＢ ｉ Ｐ３、Ｌ ｉＦ、’ＰｂＦ２等の
弗化物中の１種または２種以上を主成分として含む誘電
体２５が選出される。また、全記録１１１２２中に占め
るＩｎＳｂの体積充填率を６０％としたが、半導体２４
・・・の微粒子の体積充填率は、小さいと記録膜２２と
しての必要な反射率変化が小さく、大きいとメモリ用光
ディスクとして必要な耐久性が低下することから、４０
〜８０％が適していることが実験により確認されている
。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の組合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜とする
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に提供することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中にＦＩＩ損しても、また破棄しても、半導体粉
がむき出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金属膜との２肋膜構造
で説明したが、これに限らず、たとえば第６図に示すよ
うに、基板２１と記録膜２２の間に半透明な金属膜２８
をスパッタで形成した３層膜構造とするようにしても良
い。たとえば、金属膜２７が０，０１μｍのＣｕ膜とし
、半透明の金属膜２８を０１０５μｍ以上のＣｕ膜とし
、体積充填率ｑを６０％としたＩｎＳｂとＰｂＯの混合
膜としての記録膜２２の厚さを変えたメモリ用の光ディ
スクで得られた特性例を第７図に示す。すなわち、この
構造にすると、光の多重反射の干渉効果で、記録膜２２
の厚さを０１０７μｍにしたとき、記録による反射率変
化量は８０％以上にも達することが示されている。この
ような反射率変化量は、レーザビームで記録情報を読出
すとき、あたかも高反射の点の有無に対応するような理
想に近い大きさの再生信号を与えるものである。 〔発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを照
射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化を
生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能な
光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる熱的
エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆的に変化す
る半導体゛を化学的に安定な誘電体中に混合してなる混
合膜としたから、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを１ｑることが
でき、さらに、刃作が簡単で品質が揃えられるとともに
安価で安全無害である等の優れた効果を奏する。
第１図〜第５図はこの発明の一実施例を示すもので、第
１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３図は記録膜の
反射率と暴露時間との関係を示す図、第４図は記録膜の
反射量と膜厚との関係を示す図、第５図は記録膜の反射
率変化量と膜厚との関係を示す図であり、第６図は他の
実施例の構成を説明するための断面図、第７図は第６図
における記録膜の反射率変化Ｍと膜厚との関係を示す図
であり、第８図〜第１０図はそれぞれ異なる従来例を示
す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録膜）、
２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・半透
明金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第１図 第３図 雰時闇（Ｂ） 第５図 ｊＩｓ 図 第９ 囚 第１０図 手続補正書 昭和 病０．’、２０□ 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件の表示 特願昭５９−２１１９６４号 ２・発明の名称 光ディスク ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 （ほか１名） ４、代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）明細書全文を別紙のとお、り訂正する。 （２）図面の第２図を別紙のとおり訂正する。 明 細 書 １、発明の名称 光ディスク ２、特許請求の範囲 （１）基体上に薄膜を設け、このａｌｌｌｌに記録すべ
き情報を有する光ビームを照射することにより上記薄膜
に局所的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情報
の記録を行なうことが可能な光ディスクに６いて、上記
薄膜は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与により光
学定数が変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混
合してなる混合膜と金属膜とを多層に構成したことを特
徴とする光ディスク。 （２）前記薄膜が、混合膜を金属膜上に重ねた二層構造
とし、光ビームが上記混合膜側から照射される構成とし
たことを特徴とする特許請求の和囲第１項記載の光ディ
スク。 （３）前記薄膜が、半透明金属膜、混合膜および金属膜
を重ねた三層構造とし、光ビームが上記半透明金属膜側
から照射される構成としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光ディスク。 （４）前記混合膜が、半導体を誘電体中に体積比で４０
％以上含む構成としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （５）前記混合膜が、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の１／２以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （６）前記混合膜が、半導体として、Ｇｅ’、Ｔｅおよ
びｒｎｓｂのいずれかを主成分とする材料を用い、誘電
体として、Ｂ２０３．５ｂ２０３゜Ｂ １２０３ 、Ｐ
ｂＯ，Ｓ ｉｏ２．Ｔａ２０Ｓ等の酸化物およびＢｉＦ
ｉ 、ＬｉＦ、ＰｂＦ２゜ＭＱＦ２ 、ＢａＦ２．Ｃａ
Ｆ２等の弗化物の１種または２種以上を主成分とする材
料を用いて構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光ディスク。 （７）前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ Ｉまたは
それ−らを主成分とする高反射金属材料を用いて構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディ
スク。 （８）前記半透明金属膜が、ＡＵ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌま
たはそれらを主成分とする合金材料を用い、厚さ０１０
３μｍ以下に成膜した構成としたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の光ディスク。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモード
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発さけ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層源ｌｌ１５を形成し、レーザビームをスポット照射
したとき！１Ｙが上昇した下地層６から気泡を発生させ
、上の簿膜７にふくらみ８として記録するタイプである
。また、第１０図に示すタイプは、基板９上に温度変化
で組織の変化する薄膜１０を形成し、レーザビームのス
ポット照射で７ｓ膜１０の局部１１をたとえば反射率の
ことなる組織に変化させることで記録するタイプである
。そして、これらタイプの記録部（３，８，１１）はい
ずれも無記録部に対して光の透過または反射の特性に違
いを生じることから、レーザビームを用い記録部（３゜
８．１１）の有無を検出することで記録情報は読み出さ
れる。しかしながら、これらタイプの記録形態のうち、
第８図および第９図に示すタイプは記録部（３，８）に
不可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であるが消
去はできない。また、第１０図に示すタイプは記録膜の
材料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料を用い
れば記録と消去が可能になる。その１例として光磁気記
録膜がある。 一方、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定な
結晶相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く知
られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ
ｋが異なることは Ｊ。 ５ＴＣＩＩＫＥが Ｊ、 ｏｆ、 Ｎ ｏｎ−Ｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅＳｏｌｉｄ ４１１９７０に詳しく報告
している。この半導体の結晶相と非晶質相との２状態を
レーザビームによる熱処理で可逆的に変化させて光メモ
リとする着想は Ｓ、Ｒ，０ＶＳＨＩＮＳＫＹ等によっ
て Ｍｅｔｓｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔ
ｉｏｎｓ ２６４１１９７１ 誌に提示されている。 しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不
安定で耐久性に乏しく実用化されるには至らなかった。 すなわち、Ｂ９、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等（７） 半導
体ＬＬ 溶融状態まで加熱して高速に冷却すると非晶質
となり、より低い温度に加熱してゆっくり冷却すると結
晶質となる特性を持っており、この非晶質相と結晶質相
はぞれぞれｎ’ −ｉｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で
特徴付けられる異なった光学的性質をもって安定に存在
するが、これらの半導体は薄膜にすると化学的安定性に
乏しく、大気中では次第に＠食して劣化するのでメモリ
用光ディスクの記録膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半導体を化合物にしたり耐久性のある保
護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせる試みが発表さ
れているが、それら従来の技術には次のような欠点があ
った。 公知例Ｉ Ｔｅの低酸化物膜の加熱による相変化を用
いた非消去形光ディスク（特公昭５４−３７２５号、Ｎ
ａ口ｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
２８１０１６１９８２）・・・・・・この例では、Ｔｅ
の低酸化物Ｔｅ０Ｘ（Ｑ＜ｘ＜２）の薄膜を相変化する
記録膜と記述しているが、光学特性の可逆的変化につい
ては言及していない。 公知例２ ７ｅＯｘ （ｘ＝１．１ ）１膜ノ可逆的相
変化による消去可能な光ディスク（日本学術振興会 薄
膜第１３１委員会 第１１６回研究会資料１９８３ ）
・・・・・・この例では、Ｔｅに微量不純物としてＱｅ
とＳｎを添加したものとＴｅＯ２の同時蒸発により分解
生成物としてＴｅＯ薄膜を蒸着している。このように成
膜工程中に高温で不安定なＴｅＯ２の分解過程を含む膜
では品質の制御が困難であるという欠点がある。さらに
、丁ｅＯは、上記Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅ（ｌｏｒｔ ２８１０１６１９８２に記載さ
れているように、記録前の膜の反射率が１５％程度と低
いこと、および記録による反射率変化も約１２％と小さ
いため、この膜による光ディスクは信号検出用光ピツク
アップのフォーカシングやトラッキングの動作が難しい
上に読み出し信号も小さいという欠点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 ［：、３ｅｌ１等Ａｌ）ｌ）１．ＰｈｙＳ、Ｌｅｔｔ３
８ ９２０１９８１・・・・・・この例では、熱的に光
学定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体の薄膜を、その耐
食性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの蒸発を防
ぐため、５ｉｎ２膜で挟んだ３層構造としている。 この構造では、各膜厚を正しく制御しなければならず、
成膜工程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 〔発明の概要〕 この発明は、上記目的を達成するために、基体上に薄膜
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを
照射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化
を生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能
な光ディスクにおいて、上記７？膜は、光ビームによる
熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、すな
わち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導体を化
学的に特に高温で安定な誘電体中に混合してなる単一の
混合膜と金属膜とを＠層した多層構造とし、光ビームの
照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因する反射
率変化を干渉効果により増大させるユうにしたものであ
る。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
長体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（簿膜
）２２、この記録１２２上に形成される高い反射重荷す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
が着かないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録ｌｌ１２２は、第２
図に示すように、レーザビームＬによる熱的エネルギー
の賦与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわ
ち、安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導
体（複素屈折率ｎ−１ｋ）２４・・・を、化学的に特に
高温で安定な誘電体（屈折率ｎｏ ）２５中に、体積比
で４０％以上分散混合してなる単一の混合膜で構成され
ており、また実効的な光学厚さがレーザビーム［の波長
の１７２以下とされている。なお、２６はレーザビーム
Ｌを記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射撮幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下する。 −例としてＩｎＳｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録膜２２を高温・多湿の耐久性加速試験の雰
囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示したのが第
３図である。この結果、記録［１２２としては、体積含
有率ｑをＯ１４からＯ１８の藺で作ることが、浸れた耐
久性と十分な反射率の両特性を併せ持つ膜を得るための
条件であることが分る。このような混合膜としたために
１ｑられるもう１つの効果は、体積含有率ｑを減少させ
ると記録膜２２の吸収係数が、用いた半導体２４・・・
の値より減少するために、膜の画境界で反射した光の干
渉効果が増大することである。この効果は、ＩｎＳｂと
ＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８３μｍにおける反
射率が現わす膜厚依存性を示した第４図から明らかに見
られる。この結果、吸収係数の大きな半導体も誘電体と
の混合膜とすると、光の干渉膜として十分に作用するこ
とを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化した
とき、体積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果によ
り十分に大きい合成反射率Ｒの変化量を１ｑることがで
きる。−例として、基板２１に先ず体積含有率ｑを６０
％としたＩｎＳｂとＰｂＯとの混合膜からなる記録膜２
２を成膜しライで金属Ｉｔ！Ｊ２７としてＣｕ膜を０．
０５μｍ以上に膜づけした２層膜構造の光ディスク２０
を製作する。そして、この光ディスク２０に対してレー
ザビームで記録を行った時、記録膜２２の相変化による
波長０１８３μｍの読出しレーザビームに対する反射率
変化量の膜厚依存性を第５図に実線で示す。同図で反射
率変化量の＋は明るくなる場合、−は暗くなる場合を示
す。図から記録膜２２の厚さを０．０５５μｍに製作し
た光ディスク２０では、記録したとき未記録時より５０
％以上（２４％→７７％）もの反射率変化量の得られる
ことが分る。なお、第５図に点線で示した曲線は体積含
有率ｑが１、すなわちｌ ｎｓｂだけで記録膜を形成し
た場合である。両回線の比較から、この発明の２層記録
膜を有する光ディスク２０は、ＩｎＳｂをＰｂＯとの含
有ピを６０％と低くしたにも係わらず、８Ｉ層膜とした
こと、で干渉効果により１００％のｔｎｓｂの膜と同程
廓の大きな反射率変化量すなわち記録情報の再生信号レ
ベルが得られることが分る。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の相変化を可能にする化学的に安定な誘電体２５中に分
散させるように同時スパッタで成膜する構造としたので
、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微粒子は
結晶相と非晶質相とのいずれの状態にも容易に遷移する
ことができるとともに、゛記録膜２２として重要な耐久
性も著しく向上することができる。また、上記金属膜２
７もスパッタで成膜する構造としたので、簡単に生成す
ることかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームしによ
り短時間τだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザビームＬのパワーに比例した
温度θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ＝θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがって
、照射部内の半導体２４・・・は、レーザビームＬを強
くして短時間加熱したときは高速に、レーザビームＬを
弱くして長い時間で加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、レーザビームＬの賦与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を複素屈折率の異なる非晶質相あるいは結晶相のい
ずれかの所望する状態にすることができる。その結果、
記録１１２２の照射部をそこの複素屈折率で決まる反射
率Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したり
することができる。 また、記録膜２２の実効的な光学厚さをレーザビームＬ
の波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより薄い厚
さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時も消去時
も、すなわち消去後も記録後も共に比較的高い反射率を
保有することになり、情報信号はもとよりフォーカシン
グ信号やトラッキング信号も大きくとることができる。 すなわち、たとえば、微粒子の半導体２４・・・にＩｎ
Ｓｂ、誘電体２５にＰｂｏを用い、全記録膜２２中に占
めるＩｎＳｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎＳ
ｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した記
録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結晶相）のレ
ーザダイオード光の波長０，８３μｍに対する反射率Ｒ
および反射率変化量ΔＲの膜厚依存性は、第５図に示す
ようになり、同じ組成・の記録膜２２であっても、その
膜厚により記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化
量ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効果
で大きく変化する。したがって、この例では、記録膜２
２の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記録部す
なわち消去部および記録部のいずれの反射率も大きく、
しかも反射率変化量も大きくでき、これにより、大きな
読取り信号が得られるとともに、信号検出用光ピツクア
ップのフォーカシングやトラッキングのサーボ動作を容
易にすることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半導体２４・・・とじて１ｎ３ｂ、誘電体２５とし
てＰｂＯを用いたが、この曲に、半導体２４−＝−とじ
てのＧｅには、Ｂ２Ｏ３，５ｂ２０３ 、ＰｂＯ，Ｓ
ｉ ０２ 、Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦ３、Ｌ
ｉＦ、ＰｂＦ２、ＭｇＦ２、ＢａＦ２、ＣａＦ２等の弗
化物、半導体２４・・・とじてのＴｅおよび［ｎＳｂに
は、８２０３ 、Ｓｂ２０３ 、ＰｂＯ等の酸化物およ
びＢｉＦ３、ＬｉＦ、ＰｂＦ２等の弗化物中の１種また
は２ ｆ！ｒ＋以上を主成分として含む誘電体２５が選
出される。また、全記録膜２２中に占めるＩ ｎｓｂの
体積充填率を６０％としたが、半導体２４・・・の微粒
子の体積充填率は、小さいと記録膜２２としての必要な
反射率変化が小さく、大きいとメモリ用光ディスクとし
て必要な耐久性が低下することから、４０〜８０％が適
していることが実験により確認されている。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の組合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜とする
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に提供することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中に破損しても、また破棄しても、半導体粉がむ
き出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金属膜との２層膜構造
で説明したが、これに限らず、たとえば第６図に示すよ
うに、基板２１と記録膜２２の間に半透明な金属ｎ２８
をスパッタで形成した３層膜構造とするようにしても良
い。たとえば、金属膜２７が０５０５μｍ以上のＣＵ膜
とし、半透明の金１ｉ１１１！２８を０１０１μｍのＣ
Ｕ膜とし、体積充填率ｑを６０％としたＩｎＳｂとＰｂ
Ｏの混合膜からなる記録膜２２の厚さを変えたメモリ用
の光ディスクで得られた特性例を第７図に示す。すなわ
ち、この構造にすると、光の多重反射の干渉効果で、記
録膜２２の厚さを０，０７μｍにしたとき、記録による
反射率変化量は８０％以上にも達することが示されてい
る。このような反射率変化量は、レーザビームで記録情
報を読出すとき、あたかも高反射の点の有無に対応する
ような理想に近い大きさの再生信号を与えるものである
。 〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを照
射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化を
生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能な
光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる熱的
エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆的に変化す
る半導体を化学的に安定な誘電体中に混合してなる混合
膜と金属膜とを積層したため、耐久性に優れ長期に亘っ
て記録と消去が可能であり、しかも、高い信号レベルを
１りることができ、さらに、製作が簡単で品質が揃えら
れるとともに安価で安全無害である等の浸れた効果を奏
する。 ４、図面の簡単な説明 第１図〜第５図はこの発明の一実施例を示すもので、第
１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３図は記録膜の
反射率と暴露時間との関係を示す図、第４図は記録膜の
反ｔＩＡ争と膜厚との関係を示す図、第５図は記録膜の
反射率変化量と膜厚との関係を示す図であり、第６図は
他の実施例の構成を説明するための断面図、第７図は第
６図における記録膜の反射率変化量と膜厚との関係を示
す図であり、第８図〜第１０図はそれぞれ異なる従来例
を示す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録Ｍｌ
）、２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・
金属膜、２８・・・半透明金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 手続補正書 ｒｇ３Ｈ＋ ”Ｊ”Ｆ−１ｓ １デ許庁長官 志 賀 学 殿■、事件の表示 特願昭５９−２１１９６４号 ：２３発明の名称 光ディスク ３、補正をする者 事件との関係 ・特許出肋入 （３０７）株式会社 東芝 （ほか１名） ４代理人 明 ｉ 書 １、発明の名称 光ディスク ２、特許請求の範囲 （１）基体上に１膜を設け、この薄膜に記録すべき情報
を有する光ビームを照射することにより上記薄膜に局所
的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情報の記録
を行なうことが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は
、光ビームによる外的エネルギーの賦与により光学定数
が変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混合して
なる混合膜と金属膜とを多層に構成したことを特徴とす
る光ディスク。 （２）前記薄膜が、混合膜を金属膜上に徂ねた二階構造
とし、光ビームが上記混合膜側から照１８される構成と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デ
ィスク。 （３）前記河原が、半透明金属膜、混合膜および金属膜
を重ねた三層構造とし、光ビームが上記半透明金属腹側
から照射される構成としたことを特徴とづる特許請求の
範囲第１ ｒ（４記載の光デｒスク。 （４）前記混合膜が、半２９体を誘電体中に体積比で４
０％以上含む構成としたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光ディスク。 （５）前記混合膜が、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の１／２以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （６）前記混合膜が、半導体として、Ｇｅ、Ｔｅおよび
１ｎ３ｂのいずれかを主成分とする材料を用い、誘電体
として、Ｂ２０ｓ 、５ｂ２０３゜Ｂｉ２Ｏ３，ＰｂＯ
，ＳｉＯ２，Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦｇ、Ｌ
ｉＦ、ＰｂＦ２゜Ｍ（］Ｆ２ 、ＢａＦ２’、ＣａＦ２
等の弗化物の１種または２種以上を主成分とする材料を
用いて構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光ディスク。 （７）前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、ＣＩＪ、Ａｌまたは
それらを主成分とする高反射金属材料を用いて構成した
ごとを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディス
ク。 （ε３）前記半透明金属膜が、ＡＵ、Ａｇ、 Ｃｕ、Ａ
ｌまたはそれらを主成分とする会合材料を用い、厚さ０
．０３μｍ以下に成膜した構成としたことを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の光ディスク。 ３、発明の詳細な説明 （発明の技術分野〕 この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモード
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 往来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発させ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層薄膜５を形成し、レーザビームをスポット照射した
とき温度が上昇した下地層６から気泡を発生させ上の薄
膜７にふくらみ８として記録するタイプである。また、
第１０図に小ψタイプは、基！？ｚ ９上に温度変化で
組織の変化する薄ｇ１１０を形成し、レーザビームのス
ポット照射で薄膜１０の局部１１をたとえば反射率のこ
となる組織に変化させることで記録するタイプである。 そして、これらタイプの記録部（３，８，１１１はいず
れも無記録部に対して光の透過または反射の特性に違い
を生じることから、レーザビームを用い記録部（３゜８
．１１）の有無を検出することで記録情報は読み出され
る。しかしながら、これらタイプの記録形態のうち、第
８図および第９図に示すタイプは記録部（３，８）に不
可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であるが消去
はできない。また、第１０図に示すタイプは記録部の材
料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料を用いれ
ば記録と消去が可能になる。その１例として光磁気記録
膜がある。 一方、３ｅ、Ｑｅ、 Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定
な結晶相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く
知られており、それぞれの状態での複７ｊ ’ｄＪ折率
Ｎ＝ｎ−ｉｋが異なルコとハＪ、５ＴＯＵＫＥが Ｊ、
ｏｆ、 Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌ
ｉｄ ｖｏｌ ４１１９７０に詳しく報告している。こ
の半導体の結晶相と非晶質相との２状態をレーザど一ム
による熱処理で可逆的に変化させて光メモリとする着想
は Ｓ、Ｒ，０ＶＳＨ，Ｉ Ｎ５ＫＹＷによって １Ｖ
ＩｅｊＳｌｌｕｒＯｉＣａｌ ＴｒａｎＳａＣｊ！Ｏ
ｎＳ ＶＯ１２６４１１９７１誌に提示されている。 しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不
安定で耐久性に乏しく実用化されるには至らなかった。 すなわち、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は溶
融状態まで加熱して高速に冷却すると非晶質となり、よ
り低い温度に加熱してゆっくり冷却すると結晶質となる
特性を持っており、この非晶質相と結晶質相はぞれぞれ
ｎ’−ｉｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で特徴付けられ
る異なった光学的性質をもって安定に存在するが、これ
らの半導体は薄［９にすると化学的安定性に乏しく、大
気中では次第に腐食して劣化するのでメモリ用光ディス
クの記録膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半Ｉり体を化合物にし！こり耐久１′［
のある保護膜の間に挟んだりして耐久↑１を１．！ｉ
１．：ぜる試みが発表されているが、それら従来の技（
ｆｉには次のような欠点があった。 公知例１ Ｔｅの低ｌｌ〕化物膜の加熱による１０変
化を用いた非消去形光ディスク（特公昭５４−３７２５
号、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ 、Ｒｅ
ｐＯｒｔ ｖｏｌ ２８１０１６１９８２ ）・・・
・・・この例では、Ｔｅの低酸化物ＴｅＯｘ （０＜ｘ
＜２）の薄膜を相変化する記録膜と記述しているが、光
学特性の可逆的変化については言及していない。 公知例２ Ｔ ｅ Ｏｘ （ｘ ＝ １．１ ） ’
ＩＪＨ（Ｄ可逆的相変化による消去可能な光ディスク（
日本学１ｆｊ ＩＪｉｘ興会 薄膜第１３１委Ｈ会 第
１１６回研究会資料１９８３ ）・・・・・・この例で
は、ＴｅにＷｉ屯不純物としてＧｅとＳｎを添加したも
のとＴｅＯ２の同時蒸発により分解生成物としてＴｅａ
、、薄膜を蒸着している。このように成膜工程中に高温
で不安定なＴｅａ２の分解過程を含む膜では品質の制御
が困ｆｆｆであるという欠点がある。さらに、Ｔ ｅ
Ｏ＋、１は、上記ＮａｒｉＯｎａｌ Ｔｅｃｌ＋ｎ１ｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ ｖｏｌ ２８１０１６１９８２
に記載されているように、記録前の１２の反射率が
１５％程度と低いこと、および記録による反射率変化も
約１２％と小さいため、この膜による光ディスクは信号
検出用光ピツクアップのフォーカシングやトラッキング
の動作がｆｌ Ｌい上に読み出し信号も小さいという欠
点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 Ｅ、Ｂｅ１１等 Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ ｖｏ
ｌ ３８ ９２０１９８１・・・・・・この例では、熱
的に光学定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体のＩＩＩを
、その耐食性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの
蒸発を防ぐため、Ｓ ｉ ０２ ＩＩＩで挟んだ３１Ｆ
！構造としている。 この構造では、各摸厚を正しく制御しなければならず、
成膜工程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 （発明のＣ１要） この発明は、上記目的を達成するために、基体上に？Ｊ
膜を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビーム
を照射することにより上記簿膜に局所的に光学特性の変
化を生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可
能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる
熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、すな
わち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導体を化
学的に特に高温で安定な［体中に混合してなる単一の混
合膜と金ＦＡ膜とを積層した多！！！ｌ構造とし、光ビ
ームの照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因す
る反射率変化を干渉効果により増大させるようにしたも
のである。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
基体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（薄膜
）２２、この記録膜２２上に形成される高い反射重荷す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
が着かないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録膜２２は、第２図に
示すように、レーザビームＬによる熱的エネルギーの賦
与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわち、
安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導体（
複素屈折率ｎ−１ｋ）２４・・・を、化学的に特に高温
で安定な誘電体（屈折率ｎｏ ）２５中に、体積比で４
０％以上分散混合してなる単一の混合膜で構成されてお
り、また実効的な光学厚さがレーザビームＬの波長の１
／２以下とされている。なお、２６はレーザビームＬを
記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射撮幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下フる。 −例として［ｎＳｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録１！ｌ ２２を高温・多湿の耐久性１１０
速試験の雰囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示
したのが第３図である。この結果、記録１１Ｇ！ ２２
としては、体積含有率ｑを０，４からＯ１８の間で作る
ことが、優れた耐久性と十分な反射率の両特性を併せ持
つ膜を得るための条件であることが分る。このような混
合膜としたために１７られるもう１つの効果は、体積含
有率ｑを減少させると記録膜２２の吸収係数が、用いた
半導体２４・・・の値より減少するために、膜の両境界
で反射した光の干渉効果が増大することである。この効
果は、１ｎＳｂとＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８
３μｍにおける反射率が現わす膜厚依存性を示した第４
０から明らかに見られる。この結果、吸収係数の大きな
半導体も誘電体との混合膜とすると、光の干渉膜として
十分に作用することを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化した
とき、ｊ本積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果に
より十分に大ぎい合成反射率Ｒの変化量を１りることが
できる。−例として、括（反２１に先ず体積含有率ｑを
６０％としたｌ ｎＳｂとＰｂＯとの混合膜からなる記
録１１！ｌ ２２を成膜し、ついで金ＦＸＩＩａ２７と
してＣＵ膜をｏ、０５μｍ以上に膜づけした２層膜構造
の光ディスク２ｏを製作する。そして、この光ディスク
２０に対してレーザビームで記録を行った時、記録Ｉｔ
！ ２２の相変化による波長０１８３μｍの読出しレー
ザビームに対する反射率変化量の膜厚依存性を第５図に
実線で示す。同図で反射率変化（６）の＋は明るくなる
場合、−は暗くなる場合を−示す。図から記録膜２２の
厚さを０．０５５μｍに製作した光ディスク２０では、
記録したとき未記録時より５０％以上（２４％→７７％
）もの反射率変化量の１９られることが分る。なお、第
５図に点線で示した曲線は体積含有率ｑが１、すなわち
１ｎｓｂだけで記録膜を形成した場合である。両曲線の
比較から、この発明の２層記録設を有する光ディスク２
０は、１ｎ３ｂをＰｂＯとの含有量を６０％と低くした
にも係わらず、積層膜としたことで干渉効果により１０
０％のＩｎＳｂの膜と同程度の大きな反射率変化ｍすな
わち記録情報の再生信号レベルが（９られることか分る
。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の相変化を可能にする化学的に安定なＥＲＭ体２体中５
中散させるように同時スパッタで成膜する＋ｌＩ造とし
たので、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微
粒子は結晶相と非晶Ｆｔ相とのいずれの状態にも容易に
遷移することができるとともに、記録Ｉｌｌ ２２とし
て重要な耐久性も著しく向上することができる。また、
上記金属膜２７もスパッタで成膜する構造としたので、
簡単に生成することかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームＬによ
り短時間でだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザど一ムＬのバソーに比例した
温瓜θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ＝θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがって
、照射部内の半導体２４・・・は、レーザビームＬを強
くして短時間加すしたときは高速に、レーザビームＬを
弱くして良い時間で加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、レーザビームＬの関与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を？！素屈折率の異なる非晶質相あるいは結晶相の
いずれかの所望する状態にすることができる。その結果
、記録膜２２の照射部をそこの復素屈折率で決まる反ｍ
率Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したり
することができる。 また、記録Ｉｌｌ ２２の実効的な光学厚さをレーザビ
ームＬの波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより
薄い厚さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時も
消去時も、すなわち消去後も記録後も共に比較的高い反
射率を保有することになり、情報イ言号はムどよりノイ
ーカシング信丁）ヤトシソキングイ３弓も人さくとるこ
とができる。 すなわち、たとえば、微粉子の半導体２４・・・にＩｎ
５ｔ）、ＫＭ体２５にｐｂｏを用い、全記録膜２２中に
占める１ｎ３ｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎ
ＳｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した
記録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結晶相）の
レーザダイオード光の波長０１８３μｍに対する反射率
Ｒおよび反射率変化ｍΔＲ″の膜厚依存性は、第５図に
示すようになり、同じ組成の記録膜２２てあっても、そ
の膜厚により記録部と消去時の反射率Ｒおよび反射率変
化間ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効
果で大きく変化する。したがって、この例では、記録ｉ
ｔ！２２の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記
録部すなわち消去部および記録部のいずれの反射率も大
きく、しかも反射率変化量も大きくでき、これにより、
大きな読取り信号が１ｑられるとともに、信号検出用光
ピツクアップのフォーカシングや１−ラッキングのサー
ボ動作を容易にすることができる。なあ、口の例では、
記録膜２２は、半導体２４・・・としてｌ ｎＳｂ、誘
電体２５どしてＰｂＯを用いたが、この他に、半々体２
４ ・−・とじてのＧｅには、Ｂ２０３．５ｂ２０３
、ＰｂＯ，Ｓ ｉ ０２ 、Ｔａ２０５等の６９化１℃
およびＢｉＦヨ、Ｌ ｉＦ、ＰｂＦ２．〜１０Ｆ２、Ｂ
ａＦ２．ＣａＦ２等の弗化物、半導体２４・・・とじて
のＴｅおよびＴｎＳｂには、Ｂ２０ｑ、５ｂ２０３ 、
ＰｂＯ等の酸化物およびＢｉＦヨ、１ ｉ Ｆ、ＰｂＦ
２等の弗化物中の１ ｆ！または２Ｖ！以上を主成分と
して含む誘電体２５が選出される。 また、全記録暎２２中に占める１ｎ３ｂの体積元値率を
６０％としたが、半導体２４・・・の微粉子の体梢充ｉ
ｆ４率は、小さいと記録膜２２としての必要な反射率変
化が小さく、大きいとメモリ用光ディスクとして必要な
耐久性が低下することから、４０〜８０％が適している
ことが実験により１ｆｌＦ＆されている。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の相合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜と覆る
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に１！！洪することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中に破損しても、また破棄しても、半導体粉がむ
き出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金ｆＡ ！ｌ！との２
層膜構造で説明したが、これに限らず、たとえば第６図
に示すように、基板２１と記録ＩＩ！Ｊ２２の間に半透
明な金属１１’１２８をスパッタで形成した３層膜構造
とするようにしても良い。たとえば、金属１１９２７が
０．０５μｍ以上のＣｕ膜とし、半透明の金属膜２８を
０．０１μｍのＣｕ膜とし、体積充填率ｑを６０９６と
したＩｎＳｂとｐｂｏの混合膜からなる記録膜２２の厚
さを変えたメモリ用の光ディスクで得られた特性例を第
７図に示す。すなわら、この構造にすると、光の多重反
射の干渉効果で、記録膜２２のＹ９さを０１０７μｍに
したどさ、記録による反則串変化吊は８０９６以上にも
達することが示されている。このような反射零度化生は
、レーザビームで記録情報を読出すとき、あたかも高反
射の点の有無に対応するような理想に近い大きさの再生
信号を与えるものである。 〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、このＭｆｉｆｆに記録すべき情報を有する光ビー
ムを照射することにより上記ｉｉＷ股に局所的に光学特
性の変化を生じさせ、これにより↑ｎ報の記録を行なう
ことが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビー
ムによる熱的エネルギーの賦与方法により光学定数が可
逆的に変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混合
してなる混合膜と金属膜とを積層したため、耐久性に擾
れ長１’ｌｌｊに亘って記録と消去が可能であり、しか
も、高い信号レベルを）りることかでき、さらに、製作
が簡単で品質が揃えられるとともに安価で安全無害であ
る等の優れた効果を奏する。
１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３図は記録膜の
反射率と暴露時間との関係を示す図、第４図は記録膜の
反射量と膜厚との関係を示す図、第５図は記録膜の反射
率変化量と膜厚との関係を示す図であり、第６図は他の
実施例の構成を説明するための断面図、第７図は第６図
における記録膜の反射率変化Ｍと膜厚との関係を示す図
であり、第８図〜第１０図はそれぞれ異なる従来例を示
す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録膜）、
２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・半透
明金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第１図 第３図 雰時闇（Ｂ） 第５図 ｊＩｓ 図 第９ 囚 第１０図 手続補正書 昭和 病０．’、２０□ 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件の表示 特願昭５９−２１１９６４号 ２・発明の名称 光ディスク ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 （ほか１名） ４、代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）明細書全文を別紙のとお、り訂正する。 （２）図面の第２図を別紙のとおり訂正する。 明 細 書 １、発明の名称 光ディスク ２、特許請求の範囲 （１）基体上に薄膜を設け、このａｌｌｌｌに記録すべ
き情報を有する光ビームを照射することにより上記薄膜
に局所的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情報
の記録を行なうことが可能な光ディスクに６いて、上記
薄膜は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与により光
学定数が変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混
合してなる混合膜と金属膜とを多層に構成したことを特
徴とする光ディスク。 （２）前記薄膜が、混合膜を金属膜上に重ねた二層構造
とし、光ビームが上記混合膜側から照射される構成とし
たことを特徴とする特許請求の和囲第１項記載の光ディ
スク。 （３）前記薄膜が、半透明金属膜、混合膜および金属膜
を重ねた三層構造とし、光ビームが上記半透明金属膜側
から照射される構成としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光ディスク。 （４）前記混合膜が、半導体を誘電体中に体積比で４０
％以上含む構成としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （５）前記混合膜が、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の１／２以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （６）前記混合膜が、半導体として、Ｇｅ’、Ｔｅおよ
びｒｎｓｂのいずれかを主成分とする材料を用い、誘電
体として、Ｂ２０３．５ｂ２０３゜Ｂ １２０３ 、Ｐ
ｂＯ，Ｓ ｉｏ２．Ｔａ２０Ｓ等の酸化物およびＢｉＦ
ｉ 、ＬｉＦ、ＰｂＦ２゜ＭＱＦ２ 、ＢａＦ２．Ｃａ
Ｆ２等の弗化物の１種または２種以上を主成分とする材
料を用いて構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光ディスク。 （７）前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ Ｉまたは
それ−らを主成分とする高反射金属材料を用いて構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディ
スク。 （８）前記半透明金属膜が、ＡＵ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌま
たはそれらを主成分とする合金材料を用い、厚さ０１０
３μｍ以下に成膜した構成としたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の光ディスク。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモード
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発さけ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層源ｌｌ１５を形成し、レーザビームをスポット照射
したとき！１Ｙが上昇した下地層６から気泡を発生させ
、上の簿膜７にふくらみ８として記録するタイプである
。また、第１０図に示すタイプは、基板９上に温度変化
で組織の変化する薄膜１０を形成し、レーザビームのス
ポット照射で７ｓ膜１０の局部１１をたとえば反射率の
ことなる組織に変化させることで記録するタイプである
。そして、これらタイプの記録部（３，８，１１）はい
ずれも無記録部に対して光の透過または反射の特性に違
いを生じることから、レーザビームを用い記録部（３゜
８．１１）の有無を検出することで記録情報は読み出さ
れる。しかしながら、これらタイプの記録形態のうち、
第８図および第９図に示すタイプは記録部（３，８）に
不可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であるが消
去はできない。また、第１０図に示すタイプは記録膜の
材料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料を用い
れば記録と消去が可能になる。その１例として光磁気記
録膜がある。 一方、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定な
結晶相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く知
られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ
ｋが異なることは Ｊ。 ５ＴＣＩＩＫＥが Ｊ、 ｏｆ、 Ｎ ｏｎ−Ｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅＳｏｌｉｄ ４１１９７０に詳しく報告
している。この半導体の結晶相と非晶質相との２状態を
レーザビームによる熱処理で可逆的に変化させて光メモ
リとする着想は Ｓ、Ｒ，０ＶＳＨＩＮＳＫＹ等によっ
て Ｍｅｔｓｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔ
ｉｏｎｓ ２６４１１９７１ 誌に提示されている。 しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不
安定で耐久性に乏しく実用化されるには至らなかった。 すなわち、Ｂ９、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等（７） 半導
体ＬＬ 溶融状態まで加熱して高速に冷却すると非晶質
となり、より低い温度に加熱してゆっくり冷却すると結
晶質となる特性を持っており、この非晶質相と結晶質相
はぞれぞれｎ’ −ｉｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で
特徴付けられる異なった光学的性質をもって安定に存在
するが、これらの半導体は薄膜にすると化学的安定性に
乏しく、大気中では次第に＠食して劣化するのでメモリ
用光ディスクの記録膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半導体を化合物にしたり耐久性のある保
護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせる試みが発表さ
れているが、それら従来の技術には次のような欠点があ
った。 公知例Ｉ Ｔｅの低酸化物膜の加熱による相変化を用
いた非消去形光ディスク（特公昭５４−３７２５号、Ｎ
ａ口ｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
２８１０１６１９８２）・・・・・・この例では、Ｔｅ
の低酸化物Ｔｅ０Ｘ（Ｑ＜ｘ＜２）の薄膜を相変化する
記録膜と記述しているが、光学特性の可逆的変化につい
ては言及していない。 公知例２ ７ｅＯｘ （ｘ＝１．１ ）１膜ノ可逆的相
変化による消去可能な光ディスク（日本学術振興会 薄
膜第１３１委員会 第１１６回研究会資料１９８３ ）
・・・・・・この例では、Ｔｅに微量不純物としてＱｅ
とＳｎを添加したものとＴｅＯ２の同時蒸発により分解
生成物としてＴｅＯ薄膜を蒸着している。このように成
膜工程中に高温で不安定なＴｅＯ２の分解過程を含む膜
では品質の制御が困難であるという欠点がある。さらに
、丁ｅＯは、上記Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅ（ｌｏｒｔ ２８１０１６１９８２に記載さ
れているように、記録前の膜の反射率が１５％程度と低
いこと、および記録による反射率変化も約１２％と小さ
いため、この膜による光ディスクは信号検出用光ピツク
アップのフォーカシングやトラッキングの動作が難しい
上に読み出し信号も小さいという欠点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 ［：、３ｅｌ１等Ａｌ）ｌ）１．ＰｈｙＳ、Ｌｅｔｔ３
８ ９２０１９８１・・・・・・この例では、熱的に光
学定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体の薄膜を、その耐
食性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの蒸発を防
ぐため、５ｉｎ２膜で挟んだ３層構造としている。 この構造では、各膜厚を正しく制御しなければならず、
成膜工程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 〔発明の概要〕 この発明は、上記目的を達成するために、基体上に薄膜
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを
照射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化
を生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能
な光ディスクにおいて、上記７？膜は、光ビームによる
熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、すな
わち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導体を化
学的に特に高温で安定な誘電体中に混合してなる単一の
混合膜と金属膜とを＠層した多層構造とし、光ビームの
照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因する反射
率変化を干渉効果により増大させるユうにしたものであ
る。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
長体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（簿膜
）２２、この記録１２２上に形成される高い反射重荷す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
が着かないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録ｌｌ１２２は、第２
図に示すように、レーザビームＬによる熱的エネルギー
の賦与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわ
ち、安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導
体（複素屈折率ｎ−１ｋ）２４・・・を、化学的に特に
高温で安定な誘電体（屈折率ｎｏ ）２５中に、体積比
で４０％以上分散混合してなる単一の混合膜で構成され
ており、また実効的な光学厚さがレーザビーム［の波長
の１７２以下とされている。なお、２６はレーザビーム
Ｌを記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射撮幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下する。 −例としてＩｎＳｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録膜２２を高温・多湿の耐久性加速試験の雰
囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示したのが第
３図である。この結果、記録［１２２としては、体積含
有率ｑをＯ１４からＯ１８の藺で作ることが、浸れた耐
久性と十分な反射率の両特性を併せ持つ膜を得るための
条件であることが分る。このような混合膜としたために
１ｑられるもう１つの効果は、体積含有率ｑを減少させ
ると記録膜２２の吸収係数が、用いた半導体２４・・・
の値より減少するために、膜の画境界で反射した光の干
渉効果が増大することである。この効果は、ＩｎＳｂと
ＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８３μｍにおける反
射率が現わす膜厚依存性を示した第４図から明らかに見
られる。この結果、吸収係数の大きな半導体も誘電体と
の混合膜とすると、光の干渉膜として十分に作用するこ
とを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化した
とき、体積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果によ
り十分に大きい合成反射率Ｒの変化量を１ｑることがで
きる。−例として、基板２１に先ず体積含有率ｑを６０
％としたＩｎＳｂとＰｂＯとの混合膜からなる記録膜２
２を成膜しライで金属Ｉｔ！Ｊ２７としてＣｕ膜を０．
０５μｍ以上に膜づけした２層膜構造の光ディスク２０
を製作する。そして、この光ディスク２０に対してレー
ザビームで記録を行った時、記録膜２２の相変化による
波長０１８３μｍの読出しレーザビームに対する反射率
変化量の膜厚依存性を第５図に実線で示す。同図で反射
率変化量の＋は明るくなる場合、−は暗くなる場合を示
す。図から記録膜２２の厚さを０．０５５μｍに製作し
た光ディスク２０では、記録したとき未記録時より５０
％以上（２４％→７７％）もの反射率変化量の得られる
ことが分る。なお、第５図に点線で示した曲線は体積含
有率ｑが１、すなわちｌ ｎｓｂだけで記録膜を形成し
た場合である。両回線の比較から、この発明の２層記録
膜を有する光ディスク２０は、ＩｎＳｂをＰｂＯとの含
有ピを６０％と低くしたにも係わらず、８Ｉ層膜とした
こと、で干渉効果により１００％のｔｎｓｂの膜と同程
廓の大きな反射率変化量すなわち記録情報の再生信号レ
ベルが得られることが分る。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の相変化を可能にする化学的に安定な誘電体２５中に分
散させるように同時スパッタで成膜する構造としたので
、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微粒子は
結晶相と非晶質相とのいずれの状態にも容易に遷移する
ことができるとともに、゛記録膜２２として重要な耐久
性も著しく向上することができる。また、上記金属膜２
７もスパッタで成膜する構造としたので、簡単に生成す
ることかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームしによ
り短時間τだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザビームＬのパワーに比例した
温度θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ＝θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがって
、照射部内の半導体２４・・・は、レーザビームＬを強
くして短時間加熱したときは高速に、レーザビームＬを
弱くして長い時間で加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、レーザビームＬの賦与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を複素屈折率の異なる非晶質相あるいは結晶相のい
ずれかの所望する状態にすることができる。その結果、
記録１１２２の照射部をそこの複素屈折率で決まる反射
率Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したり
することができる。 また、記録膜２２の実効的な光学厚さをレーザビームＬ
の波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより薄い厚
さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時も消去時
も、すなわち消去後も記録後も共に比較的高い反射率を
保有することになり、情報信号はもとよりフォーカシン
グ信号やトラッキング信号も大きくとることができる。 すなわち、たとえば、微粒子の半導体２４・・・にＩｎ
Ｓｂ、誘電体２５にＰｂｏを用い、全記録膜２２中に占
めるＩｎＳｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎＳ
ｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した記
録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結晶相）のレ
ーザダイオード光の波長０，８３μｍに対する反射率Ｒ
および反射率変化量ΔＲの膜厚依存性は、第５図に示す
ようになり、同じ組成・の記録膜２２であっても、その
膜厚により記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化
量ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効果
で大きく変化する。したがって、この例では、記録膜２
２の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記録部す
なわち消去部および記録部のいずれの反射率も大きく、
しかも反射率変化量も大きくでき、これにより、大きな
読取り信号が得られるとともに、信号検出用光ピツクア
ップのフォーカシングやトラッキングのサーボ動作を容
易にすることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半導体２４・・・とじて１ｎ３ｂ、誘電体２５とし
てＰｂＯを用いたが、この曲に、半導体２４−＝−とじ
てのＧｅには、Ｂ２Ｏ３，５ｂ２０３ 、ＰｂＯ，Ｓ
ｉ ０２ 、Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦ３、Ｌ
ｉＦ、ＰｂＦ２、ＭｇＦ２、ＢａＦ２、ＣａＦ２等の弗
化物、半導体２４・・・とじてのＴｅおよび［ｎＳｂに
は、８２０３ 、Ｓｂ２０３ 、ＰｂＯ等の酸化物およ
びＢｉＦ３、ＬｉＦ、ＰｂＦ２等の弗化物中の１種また
は２ ｆ！ｒ＋以上を主成分として含む誘電体２５が選
出される。また、全記録膜２２中に占めるＩ ｎｓｂの
体積充填率を６０％としたが、半導体２４・・・の微粒
子の体積充填率は、小さいと記録膜２２としての必要な
反射率変化が小さく、大きいとメモリ用光ディスクとし
て必要な耐久性が低下することから、４０〜８０％が適
していることが実験により確認されている。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の組合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜とする
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に提供することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中に破損しても、また破棄しても、半導体粉がむ
き出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金属膜との２層膜構造
で説明したが、これに限らず、たとえば第６図に示すよ
うに、基板２１と記録膜２２の間に半透明な金属ｎ２８
をスパッタで形成した３層膜構造とするようにしても良
い。たとえば、金属膜２７が０５０５μｍ以上のＣＵ膜
とし、半透明の金１ｉ１１１！２８を０１０１μｍのＣ
Ｕ膜とし、体積充填率ｑを６０％としたＩｎＳｂとＰｂ
Ｏの混合膜からなる記録膜２２の厚さを変えたメモリ用
の光ディスクで得られた特性例を第７図に示す。すなわ
ち、この構造にすると、光の多重反射の干渉効果で、記
録膜２２の厚さを０，０７μｍにしたとき、記録による
反射率変化量は８０％以上にも達することが示されてい
る。このような反射率変化量は、レーザビームで記録情
報を読出すとき、あたかも高反射の点の有無に対応する
ような理想に近い大きさの再生信号を与えるものである
。 〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビームを照
射することにより上記薄膜に局所的に光学特性の変化を
生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可能な
光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる熱的
エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆的に変化す
る半導体を化学的に安定な誘電体中に混合してなる混合
膜と金属膜とを積層したため、耐久性に優れ長期に亘っ
て記録と消去が可能であり、しかも、高い信号レベルを
１りることができ、さらに、製作が簡単で品質が揃えら
れるとともに安価で安全無害である等の浸れた効果を奏
する。 ４、図面の簡単な説明 第１図〜第５図はこの発明の一実施例を示すもので、第
１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３図は記録膜の
反射率と暴露時間との関係を示す図、第４図は記録膜の
反ｔＩＡ争と膜厚との関係を示す図、第５図は記録膜の
反射率変化量と膜厚との関係を示す図であり、第６図は
他の実施例の構成を説明するための断面図、第７図は第
６図における記録膜の反射率変化量と膜厚との関係を示
す図であり、第８図〜第１０図はそれぞれ異なる従来例
を示す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録Ｍｌ
）、２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・
金属膜、２８・・・半透明金属膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 手続補正書 ｒｇ３Ｈ＋ ”Ｊ”Ｆ−１ｓ １デ許庁長官 志 賀 学 殿■、事件の表示 特願昭５９−２１１９６４号 ：２３発明の名称 光ディスク ３、補正をする者 事件との関係 ・特許出肋入 （３０７）株式会社 東芝 （ほか１名） ４代理人 明 ｉ 書 １、発明の名称 光ディスク ２、特許請求の範囲 （１）基体上に１膜を設け、この薄膜に記録すべき情報
を有する光ビームを照射することにより上記薄膜に局所
的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情報の記録
を行なうことが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は
、光ビームによる外的エネルギーの賦与により光学定数
が変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混合して
なる混合膜と金属膜とを多層に構成したことを特徴とす
る光ディスク。 （２）前記薄膜が、混合膜を金属膜上に徂ねた二階構造
とし、光ビームが上記混合膜側から照１８される構成と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デ
ィスク。 （３）前記河原が、半透明金属膜、混合膜および金属膜
を重ねた三層構造とし、光ビームが上記半透明金属腹側
から照射される構成としたことを特徴とづる特許請求の
範囲第１ ｒ（４記載の光デｒスク。 （４）前記混合膜が、半２９体を誘電体中に体積比で４
０％以上含む構成としたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光ディスク。 （５）前記混合膜が、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の１／２以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 （６）前記混合膜が、半導体として、Ｇｅ、Ｔｅおよび
１ｎ３ｂのいずれかを主成分とする材料を用い、誘電体
として、Ｂ２０ｓ 、５ｂ２０３゜Ｂｉ２Ｏ３，ＰｂＯ
，ＳｉＯ２，Ｔａ２０５等の酸化物およびＢｉＦｇ、Ｌ
ｉＦ、ＰｂＦ２゜Ｍ（］Ｆ２ 、ＢａＦ２’、ＣａＦ２
等の弗化物の１種または２種以上を主成分とする材料を
用いて構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光ディスク。 （７）前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、ＣＩＪ、Ａｌまたは
それらを主成分とする高反射金属材料を用いて構成した
ごとを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディス
ク。 （ε３）前記半透明金属膜が、ＡＵ、Ａｇ、 Ｃｕ、Ａ
ｌまたはそれらを主成分とする会合材料を用い、厚さ０
．０３μｍ以下に成膜した構成としたことを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の光ディスク。 ３、発明の詳細な説明 （発明の技術分野〕 この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモード
記録が行える光ディスクに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 往来用いられているメモリ用光ディスクの記録形態は第
８図〜第１０図に示す３種のタイプに分類される。第８
図に示すタイプは、基板１上に形成した低融点材料の薄
膜２にレーザビームをスポット照射してその局部を融解
・蒸発させ微小な穴３として記録するものである。また
、第９図に示すタイプは、基板４上に２層以上からなる
多層薄膜５を形成し、レーザビームをスポット照射した
とき温度が上昇した下地層６から気泡を発生させ上の薄
膜７にふくらみ８として記録するタイプである。また、
第１０図に小ψタイプは、基！？ｚ ９上に温度変化で
組織の変化する薄ｇ１１０を形成し、レーザビームのス
ポット照射で薄膜１０の局部１１をたとえば反射率のこ
となる組織に変化させることで記録するタイプである。 そして、これらタイプの記録部（３，８，１１１はいず
れも無記録部に対して光の透過または反射の特性に違い
を生じることから、レーザビームを用い記録部（３゜８
．１１）の有無を検出することで記録情報は読み出され
る。しかしながら、これらタイプの記録形態のうち、第
８図および第９図に示すタイプは記録部（３，８）に不
可逆的な変化を与えるもので、記録は可能であるが消去
はできない。また、第１０図に示すタイプは記録部の材
料として熱的に光学特性が可逆的変化する材料を用いれ
ば記録と消去が可能になる。その１例として光磁気記録
膜がある。 一方、３ｅ、Ｑｅ、 Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は安定
な結晶相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く
知られており、それぞれの状態での複７ｊ ’ｄＪ折率
Ｎ＝ｎ−ｉｋが異なルコとハＪ、５ＴＯＵＫＥが Ｊ、
ｏｆ、 Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌ
ｉｄ ｖｏｌ ４１１９７０に詳しく報告している。こ
の半導体の結晶相と非晶質相との２状態をレーザど一ム
による熱処理で可逆的に変化させて光メモリとする着想
は Ｓ、Ｒ，０ＶＳＨ，Ｉ Ｎ５ＫＹＷによって １Ｖ
ＩｅｊＳｌｌｕｒＯｉＣａｌ ＴｒａｎＳａＣｊ！Ｏ
ｎＳ ＶＯ１２６４１１９７１誌に提示されている。 しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は化学的に不
安定で耐久性に乏しく実用化されるには至らなかった。 すなわち、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＩｎＳｂ等の半導体は溶
融状態まで加熱して高速に冷却すると非晶質となり、よ
り低い温度に加熱してゆっくり冷却すると結晶質となる
特性を持っており、この非晶質相と結晶質相はぞれぞれ
ｎ’−ｉｋ’ とｎ−１ｋの複素屈折率で特徴付けられ
る異なった光学的性質をもって安定に存在するが、これ
らの半導体は薄［９にすると化学的安定性に乏しく、大
気中では次第に腐食して劣化するのでメモリ用光ディス
クの記録膜としては実用的ではなかった。 その後、これら半Ｉり体を化合物にし！こり耐久１′［
のある保護膜の間に挟んだりして耐久↑１を１．！ｉ
１．：ぜる試みが発表されているが、それら従来の技（
ｆｉには次のような欠点があった。 公知例１ Ｔｅの低ｌｌ〕化物膜の加熱による１０変
化を用いた非消去形光ディスク（特公昭５４−３７２５
号、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ 、Ｒｅ
ｐＯｒｔ ｖｏｌ ２８１０１６１９８２ ）・・・
・・・この例では、Ｔｅの低酸化物ＴｅＯｘ （０＜ｘ
＜２）の薄膜を相変化する記録膜と記述しているが、光
学特性の可逆的変化については言及していない。 公知例２ Ｔ ｅ Ｏｘ （ｘ ＝ １．１ ） ’
ＩＪＨ（Ｄ可逆的相変化による消去可能な光ディスク（
日本学１ｆｊ ＩＪｉｘ興会 薄膜第１３１委Ｈ会 第
１１６回研究会資料１９８３ ）・・・・・・この例で
は、ＴｅにＷｉ屯不純物としてＧｅとＳｎを添加したも
のとＴｅＯ２の同時蒸発により分解生成物としてＴｅａ
、、薄膜を蒸着している。このように成膜工程中に高温
で不安定なＴｅａ２の分解過程を含む膜では品質の制御
が困ｆｆｆであるという欠点がある。さらに、Ｔ ｅ
Ｏ＋、１は、上記ＮａｒｉＯｎａｌ Ｔｅｃｌ＋ｎ１ｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ ｖｏｌ ２８１０１６１９８２
に記載されているように、記録前の１２の反射率が
１５％程度と低いこと、および記録による反射率変化も
約１２％と小さいため、この膜による光ディスクは信号
検出用光ピツクアップのフォーカシングやトラッキング
の動作がｆｌ Ｌい上に読み出し信号も小さいという欠
点もある。 公知例３ 記録・消去可能な光ディスク（Ａ。 Ｅ、Ｂｅ１１等 Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ ｖｏ
ｌ ３８ ９２０１９８１・・・・・・この例では、熱
的に光学定数の可逆的変化の大きいＴｅ単体のＩＩＩを
、その耐食性を保護するためと、加熱時におけるＴｅの
蒸発を防ぐため、Ｓ ｉ ０２ ＩＩＩで挟んだ３１Ｆ
！構造としている。 この構造では、各摸厚を正しく制御しなければならず、
成膜工程が複雑になる欠点があった。 ［発明の目的］ この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、耐久性に優れ長期に亘って記録と消去
が可能であり、しかも、高い信号レベルを得ることがで
き、さらに、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安
価で安全無害である光ディスクを提供することにある。 （発明のＣ１要） この発明は、上記目的を達成するために、基体上に？Ｊ
膜を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビーム
を照射することにより上記簿膜に局所的に光学特性の変
化を生じさせ、これにより情報の記録を行なうことが可
能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビームによる
熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、すな
わち、安定な２つの異なる光学状態を呈する半導体を化
学的に特に高温で安定な［体中に混合してなる単一の混
合膜と金ＦＡ膜とを積層した多！！！ｌ構造とし、光ビ
ームの照射で半導体に生じる複素屈折率の変化に起因す
る反射率変化を干渉効果により増大させるようにしたも
のである。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図から第５図を
参照しつつ説明する。 第１図はこの発明の光ディスク２０の構成を示すもので
ある。この光ディスク２０はガラスで形成される基板（
基体）２１、この基板２１上に形成される記録膜（薄膜
）２２、この記録膜２２上に形成される高い反射重荷す
る金属膜２７、およびその金属膜２７上に形成され、傷
が着かないようにその表面を保護する保護膜２３によっ
て多層に構成されている。上記記録膜２２は、第２図に
示すように、レーザビームＬによる熱的エネルギーの賦
与方法により光学定数が可逆的に変化する、すなわち、
安定な２つの異なる光学状態を呈する微粒子の半導体（
複素屈折率ｎ−１ｋ）２４・・・を、化学的に特に高温
で安定な誘電体（屈折率ｎｏ ）２５中に、体積比で４
０％以上分散混合してなる単一の混合膜で構成されてお
り、また実効的な光学厚さがレーザビームＬの波長の１
／２以下とされている。なお、２６はレーザビームＬを
記録膜２２上に集光するための対物レンズである。 このように構成した記録膜２２は、その中に占める半導
体２４・・・の体積含有率ｑを減少させると膜の耐久性
は向上するが、画境界面での反射撮幅は低下し、結果と
して合成反射率Ｒが低下フる。 −例として［ｎＳｂとＰｂＯで作った十分に厚い（１μ
ｍ以上）記録１！ｌ ２２を高温・多湿の耐久性１１０
速試験の雰囲気に暴露したときの反射率の経時変化を示
したのが第３図である。この結果、記録１１Ｇ！ ２２
としては、体積含有率ｑを０，４からＯ１８の間で作る
ことが、優れた耐久性と十分な反射率の両特性を併せ持
つ膜を得るための条件であることが分る。このような混
合膜としたために１７られるもう１つの効果は、体積含
有率ｑを減少させると記録膜２２の吸収係数が、用いた
半導体２４・・・の値より減少するために、膜の両境界
で反射した光の干渉効果が増大することである。この効
果は、１ｎＳｂとＰｂＯとで作った混合膜の波長０１８
３μｍにおける反射率が現わす膜厚依存性を示した第４
０から明らかに見られる。この結果、吸収係数の大きな
半導体も誘電体との混合膜とすると、光の干渉膜として
十分に作用することを示すものである。 したがって、上記したように構成すると、記録膜２２中
の半導体２４・・・がレーザビームの照射で相変化した
とき、ｊ本積含有率ｑが１００％でなくても干渉効果に
より十分に大ぎい合成反射率Ｒの変化量を１りることが
できる。−例として、括（反２１に先ず体積含有率ｑを
６０％としたｌ ｎＳｂとＰｂＯとの混合膜からなる記
録１１！ｌ ２２を成膜し、ついで金ＦＸＩＩａ２７と
してＣＵ膜をｏ、０５μｍ以上に膜づけした２層膜構造
の光ディスク２ｏを製作する。そして、この光ディスク
２０に対してレーザビームで記録を行った時、記録Ｉｔ
！ ２２の相変化による波長０１８３μｍの読出しレー
ザビームに対する反射率変化量の膜厚依存性を第５図に
実線で示す。同図で反射率変化（６）の＋は明るくなる
場合、−は暗くなる場合を−示す。図から記録膜２２の
厚さを０．０５５μｍに製作した光ディスク２０では、
記録したとき未記録時より５０％以上（２４％→７７％
）もの反射率変化量の１９られることが分る。なお、第
５図に点線で示した曲線は体積含有率ｑが１、すなわち
１ｎｓｂだけで記録膜を形成した場合である。両曲線の
比較から、この発明の２層記録設を有する光ディスク２
０は、１ｎ３ｂをＰｂＯとの含有量を６０％と低くした
にも係わらず、積層膜としたことで干渉効果により１０
０％のＩｎＳｂの膜と同程度の大きな反射率変化ｍすな
わち記録情報の再生信号レベルが（９られることか分る
。 このような構成によれば記録膜２２は、化学的に不安定
で耐久性に乏しい半導体２４・・・を微粒子として、そ
の相変化を可能にする化学的に安定なＥＲＭ体２体中５
中散させるように同時スパッタで成膜する＋ｌＩ造とし
たので、記録膜２２中に分散した半導体２４・・・の微
粒子は結晶相と非晶Ｆｔ相とのいずれの状態にも容易に
遷移することができるとともに、記録Ｉｌｌ ２２とし
て重要な耐久性も著しく向上することができる。また、
上記金属膜２７もスパッタで成膜する構造としたので、
簡単に生成することかできる。 また、上記の記録膜２２を局所的にレーザビームＬによ
り短時間でだけ照射すると、その中に含まれる微粒子の
半導体２４・・・はレーザど一ムＬのバソーに比例した
温瓜θまで加熱される。照射が終わると高温になった半
導体２４・・・は周囲の誘電体２５への熱の流出により
Ｃ＝θ／２τの冷却速度で温度が低下する。したがって
、照射部内の半導体２４・・・は、レーザビームＬを強
くして短時間加すしたときは高速に、レーザビームＬを
弱くして良い時間で加熱したときはゆっくりと冷却され
る。すなわち、レーザビームＬの関与方法を選択するこ
とにより、記録膜２２の照射部に含まれる半導体２４・
・・を？！素屈折率の異なる非晶質相あるいは結晶相の
いずれかの所望する状態にすることができる。その結果
、記録膜２２の照射部をそこの復素屈折率で決まる反ｍ
率Ｒに変換すること、換言すれば記録したり消去したり
することができる。 また、記録Ｉｌｌ ２２の実効的な光学厚さをレーザビ
ームＬの波長の１／２（第１の反射率極小が生じるより
薄い厚さ）とすることにより、記録膜２２は、記録時も
消去時も、すなわち消去後も記録後も共に比較的高い反
射率を保有することになり、情報イ言号はムどよりノイ
ーカシング信丁）ヤトシソキングイ３弓も人さくとるこ
とができる。 すなわち、たとえば、微粉子の半導体２４・・・にＩｎ
５ｔ）、ＫＭ体２５にｐｂｏを用い、全記録膜２２中に
占める１ｎ３ｂの体積充填率が６０％になるようにＩｎ
ＳｂとＰｂＯを同時にスパッタして基板２１に成膜した
記録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結晶相）の
レーザダイオード光の波長０１８３μｍに対する反射率
Ｒおよび反射率変化ｍΔＲ″の膜厚依存性は、第５図に
示すようになり、同じ組成の記録膜２２てあっても、そ
の膜厚により記録部と消去時の反射率Ｒおよび反射率変
化間ΔＲは記録膜２２の両表面における反射光の干渉効
果で大きく変化する。したがって、この例では、記録ｉ
ｔ！２２の膜厚を０．０５μｍにすることにより、未記
録部すなわち消去部および記録部のいずれの反射率も大
きく、しかも反射率変化量も大きくでき、これにより、
大きな読取り信号が１ｑられるとともに、信号検出用光
ピツクアップのフォーカシングや１−ラッキングのサー
ボ動作を容易にすることができる。なあ、口の例では、
記録膜２２は、半導体２４・・・としてｌ ｎＳｂ、誘
電体２５どしてＰｂＯを用いたが、この他に、半々体２
４ ・−・とじてのＧｅには、Ｂ２０３．５ｂ２０３
、ＰｂＯ，Ｓ ｉ ０２ 、Ｔａ２０５等の６９化１℃
およびＢｉＦヨ、Ｌ ｉＦ、ＰｂＦ２．〜１０Ｆ２、Ｂ
ａＦ２．ＣａＦ２等の弗化物、半導体２４・・・とじて
のＴｅおよびＴｎＳｂには、Ｂ２０ｑ、５ｂ２０３ 、
ＰｂＯ等の酸化物およびＢｉＦヨ、１ ｉ Ｆ、ＰｂＦ
２等の弗化物中の１ ｆ！または２Ｖ！以上を主成分と
して含む誘電体２５が選出される。 また、全記録暎２２中に占める１ｎ３ｂの体積元値率を
６０％としたが、半導体２４・・・の微粉子の体梢充ｉ
ｆ４率は、小さいと記録膜２２としての必要な反射率変
化が小さく、大きいとメモリ用光ディスクとして必要な
耐久性が低下することから、４０〜８０％が適している
ことが実験により１ｆｌＦ＆されている。 さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料の相合わ
せを選定したため、同時に成膜を行なって混合膜と覆る
ことが容易であり、しかも、各層がスパッタで形成され
るため製作が簡単であり、品質の揃ったメモリ用光ディ
スクを安価に１！！洪することができる。 さらに、上記構造の記録膜２２では、ディスクとして取
り扱い中に破損しても、また破棄しても、半導体粉がむ
き出しで飛散することがなく安全無害である。 なお、前記実施例では、記録膜と金ｆＡ ！ｌ！との２
層膜構造で説明したが、これに限らず、たとえば第６図
に示すように、基板２１と記録ＩＩ！Ｊ２２の間に半透
明な金属１１’１２８をスパッタで形成した３層膜構造
とするようにしても良い。たとえば、金属１１９２７が
０．０５μｍ以上のＣｕ膜とし、半透明の金属膜２８を
０．０１μｍのＣｕ膜とし、体積充填率ｑを６０９６と
したＩｎＳｂとｐｂｏの混合膜からなる記録膜２２の厚
さを変えたメモリ用の光ディスクで得られた特性例を第
７図に示す。すなわら、この構造にすると、光の多重反
射の干渉効果で、記録膜２２のＹ９さを０１０７μｍに
したどさ、記録による反則串変化吊は８０９６以上にも
達することが示されている。このような反射零度化生は
、レーザビームで記録情報を読出すとき、あたかも高反
射の点の有無に対応するような理想に近い大きさの再生
信号を与えるものである。 〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明によれば、基体上に薄膜を
設け、このＭｆｉｆｆに記録すべき情報を有する光ビー
ムを照射することにより上記ｉｉＷ股に局所的に光学特
性の変化を生じさせ、これにより↑ｎ報の記録を行なう
ことが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は、光ビー
ムによる熱的エネルギーの賦与方法により光学定数が可
逆的に変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混合
してなる混合膜と金属膜とを積層したため、耐久性に擾
れ長１’ｌｌｊに亘って記録と消去が可能であり、しか
も、高い信号レベルを）りることかでき、さらに、製作
が簡単で品質が揃えられるとともに安価で安全無害であ
る等の優れた効果を奏する。
’Ａ ’Ｉ図〜第５図はこの５と明の一実Ｉ！！１り１
を小りしので、第１図は断面図、第２図（よ拡大ｔｌＪ
ｉ面図、）〕３図は記録膜の反則率とり置時間との関係
を示す図、第４図は記録膜の反射量と１！厚との関係を
示す図、第５図は記録１９の反射率変化量と膜厚との関
係を示す図であり、第６図は他の実施例の構成を説明す
るための断面図、第７図は第６図における記録膜の反射
率変化甲と膜厚との関係を示す図であり、第８図〜第１
０図はそれぞれ異なる従来例を示す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録膜）、
２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・金懇
膜、２８・・・半透明金属膜。
を小りしので、第１図は断面図、第２図（よ拡大ｔｌＪ
ｉ面図、）〕３図は記録膜の反則率とり置時間との関係
を示す図、第４図は記録膜の反射量と１！厚との関係を
示す図、第５図は記録１９の反射率変化量と膜厚との関
係を示す図であり、第６図は他の実施例の構成を説明す
るための断面図、第７図は第６図における記録膜の反射
率変化甲と膜厚との関係を示す図であり、第８図〜第１
０図はそれぞれ異なる従来例を示す断面図である。 ２１・・・基体（基板）、２２・・・薄膜（記録膜）、
２４・・・半導体、２５・・・誘電体、２７・・・金懇
膜、２８・・・半透明金属膜。
Claims (8)
- （１）基体上に薄膜を設け、この薄膜に記録すべき情報
を有する光ビームを照射することにより上記薄膜に局所
的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情報の記録
を行なうことが可能な光ディスクにおいて、上記薄膜は
、光ビームによる熱的エネルギーの賦与により光学定数
が変化する半導体を化学的に安定な誘電体中に混合して
なる混合膜と金属膜とを多層に構成したことを特徴とす
る光ディスク。 - （２）前記薄膜が、混合膜を金属膜上に重ねた二層構造
とし、光ビームが上記混合膜側から照射される構成とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディ
スク。 - （３）前記薄膜が、半透明金属膜、混合膜および金属膜
を重ねた三層構造とし、光ビームが上記半透明金属膜側
から照射される構成としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光ディスク。 - （４）前記混合膜が、半導体を誘電体中に体積比で４０
〜８０％含む構成としたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光ディスク。 - （５）前記混合膜が、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の１／２以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 - （６）前記混合膜が、半導体として、Ｇｅ、Ｔｅおよび
ＩｎＳｂのいずれかの材料を用い、誘電体として、Ｂ＿
２Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＰｂＯ、
ＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５等の酸化物およびＢｉＦ＿
３、ＬｉＦ、ＰｂＦ＿２、ＭｇＦ＿２、ＢａＦ＿２、Ｃ
ａＦ＿２等の弗化物の１種または２種以上を主成分とす
る材料を用いて構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光ディスク。 - （７）前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはそ
れらを主成分とする高反射金属材料を用いて構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク
。 - （８）前記半透明金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌま
たはそれらを主成分とする合金材料を用い、厚さ０、０
３μｍ以下に成膜した構成としたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の光ディスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211964A JPS6190341A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 光デイスク |
| KR1019850005874A KR890004230B1 (ko) | 1984-08-24 | 1985-08-14 | 광(光) 디스크 메모리 |
| DE8585305854T DE3580429D1 (de) | 1984-08-24 | 1985-08-16 | Optischer speicher. |
| EP85305854A EP0173523B1 (en) | 1984-08-24 | 1985-08-16 | Optical memory |
| US07/339,656 US4969141A (en) | 1984-08-24 | 1989-04-18 | Optical memory for storing and retrieving information by light exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211964A JPS6190341A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 光デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190341A true JPS6190341A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0375940B2 JPH0375940B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=16614618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211964A Granted JPS6190341A (ja) | 1984-08-24 | 1984-10-09 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5615206A (en) * | 1992-08-05 | 1997-03-25 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
| CN1054227C (zh) * | 1994-10-31 | 2000-07-05 | 北京航空航天大学 | 记录媒体及其记录和擦除方法 |
| KR20020074685A (ko) * | 2001-03-21 | 2002-10-04 | 한국전자통신연구원 | 반도체 결정의 발광을 이용한 광정보 저장매체와 광자흡수를 이용한 광정보 저장 및 검색 장치와 그 방법 |
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| JPS52132850A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-07 | Hitachi Ltd | Light recording apparatus |
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| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
| JPS5928478A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 酵母の形質転換法 |
| JPS59104996A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Canon Inc | 光記録方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211964A patent/JPS6190341A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375940B2 (ja) | 1991-12-03 |
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