JPS62137741A - 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 - Google Patents
追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62137741A JPS62137741A JP60275112A JP27511285A JPS62137741A JP S62137741 A JPS62137741 A JP S62137741A JP 60275112 A JP60275112 A JP 60275112A JP 27511285 A JP27511285 A JP 27511285A JP S62137741 A JPS62137741 A JP S62137741A
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- Japan
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- recording
- optical information
- recording film
- information recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は追記型光情報記録用ディスクに係り、より詳し
くは、レーザビーム等の高エネルギー密度光ビームを照
射することによって、記録膜に情報信号に対応するピッ
ト列を開設するようにした追記型光情報記録用ディスク
に関する。
くは、レーザビーム等の高エネルギー密度光ビームを照
射することによって、記録膜に情報信号に対応するピッ
ト列を開設するようにした追記型光情報記録用ディスク
に関する。
従来より、第２図に示すように、ディスク基板１１の凹
凸パターン形成面１２に、ヒートモード用の記録材料か
らなる記録膜１３を形成した追記型の光情報記録用ディ
スクが知られている。
凸パターン形成面１２に、ヒートモード用の記録材料か
らなる記録膜１３を形成した追記型の光情報記録用ディ
スクが知られている。
この光情報記録用ディスクは、上記ディスク基板１１の
凹凸パターン形成面１２とは反対側の面から、情報信号
によって変調されたレーザビーム等の高エネルギー密度
光ビームを照射し、上記記Ｂ膜１３を局部的に加熱、ｉ
８融、蒸発することによって、情報信号に対応した配列
のピット（透孔）列を開設するようになっている。尚、
上記のようにして情報が記録された光情報記録用ディス
クからの情報を読み出す場合は、上記ディスク基板ＩＩ
に転写されたプリグループに沿って再生用光ビームを照
射し、ピットが開設された部分と開設されていない部分
との反射光強度の差を検出することによって行われる。
凹凸パターン形成面１２とは反対側の面から、情報信号
によって変調されたレーザビーム等の高エネルギー密度
光ビームを照射し、上記記Ｂ膜１３を局部的に加熱、ｉ
８融、蒸発することによって、情報信号に対応した配列
のピット（透孔）列を開設するようになっている。尚、
上記のようにして情報が記録された光情報記録用ディス
クからの情報を読み出す場合は、上記ディスク基板ＩＩ
に転写されたプリグループに沿って再生用光ビームを照
射し、ピットが開設された部分と開設されていない部分
との反射光強度の差を検出することによって行われる。
かかる光情報記録用ディスクは、■情報の記録密度が磁
気記録媒体に比べて数１０倍も高い、■非接触で情報の
記録及び再生が行われるため、高密度記録にも拘らず固
定ディスクにする必要がなく、容易にディスクの交換を
行うことができる、（３１記録膜に透孔（ピット）を開
設することによって情報を′２！録する構造であるため
、一般に長期間の保存が可能である、等の特徴があるた
め、コンピュータ用メモリとして特に注目されている。
気記録媒体に比べて数１０倍も高い、■非接触で情報の
記録及び再生が行われるため、高密度記録にも拘らず固
定ディスクにする必要がなく、容易にディスクの交換を
行うことができる、（３１記録膜に透孔（ピット）を開
設することによって情報を′２！録する構造であるため
、一般に長期間の保存が可能である、等の特徴があるた
め、コンピュータ用メモリとして特に注目されている。
叙上のように、この種光情報記録用ディスクは、記録膜
１３に高エネルギー密度光ビームを集中することによっ
てこれを局部的に加熱溶融し、該光ビーム照射部の記＠
＠１３を蒸発せしめて、情報信号に対応した配列のピッ
ト（透孔）列を開設する。従って、この情報記録用ディ
スクの記録速度は、記録材料の融解温度、熱伝導率、光
吸収率などによって定まる記録膜１３の感度と、光ビー
ムのエネルギー密度及び照射時間の相関関係によって定
まる。
１３に高エネルギー密度光ビームを集中することによっ
てこれを局部的に加熱溶融し、該光ビーム照射部の記＠
＠１３を蒸発せしめて、情報信号に対応した配列のピッ
ト（透孔）列を開設する。従って、この情報記録用ディ
スクの記録速度は、記録材料の融解温度、熱伝導率、光
吸収率などによって定まる記録膜１３の感度と、光ビー
ムのエネルギー密度及び照射時間の相関関係によって定
まる。
然るに、現在のところ、充分に記録感度の高い記録材料
が得られていないばかりでなく、高出力の光ビーム発生
器（例えば、半導体レーザ）が非常に高価であるため、
実用的なディスクドライブには、比較的低出力（およそ
８＋＋＋Ｗ以下）の光ビーム発生器しか搭載することが
できず、光情報記録用ディスクの回転速度を遅くシ、光
ビームの照射時間を長くすることによってしか情報の記
録を実現することができない。
が得られていないばかりでなく、高出力の光ビーム発生
器（例えば、半導体レーザ）が非常に高価であるため、
実用的なディスクドライブには、比較的低出力（およそ
８＋＋＋Ｗ以下）の光ビーム発生器しか搭載することが
できず、光情報記録用ディスクの回転速度を遅くシ、光
ビームの照射時間を長くすることによってしか情報の記
録を実現することができない。
このため、従来知られている追記型光情報記録用ディス
クは、磁気ディスクに比べて、アクセス時間に関しては
１０数倍、また、情報の転送速度に関しては約２倍も長
いという問題がある。
クは、磁気ディスクに比べて、アクセス時間に関しては
１０数倍、また、情報の転送速度に関しては約２倍も長
いという問題がある。
ところで、ピットが開設されるメカニズムについては明
確には解明されていないが、およそ以下の通りであると
考えられろ。即ち、記＠膜の光ビーム照射部分が加熱さ
れて融解し１次いで、融解し、た記録材料の一部、特に
エネルギー密度の高いビームスポットの中央部と対応す
る中央部分が蒸発し、融解記録材料の表面張力が破れて
残った融解記録材料がビームスポットの周囲に引き寄せ
られ、ピットが開設される。
確には解明されていないが、およそ以下の通りであると
考えられろ。即ち、記＠膜の光ビーム照射部分が加熱さ
れて融解し１次いで、融解し、た記録材料の一部、特に
エネルギー密度の高いビームスポットの中央部と対応す
る中央部分が蒸発し、融解記録材料の表面張力が破れて
残った融解記録材料がビームスポットの周囲に引き寄せ
られ、ピットが開設される。
記録膜が融解した段階で記＠膜の蒸発または表面張力の
アンバランスを促進するような力を融解部に負荷してや
ればピットの開設時間を短縮することができろ。本発明
は、かかる知見に基づいてなされたものであって、ディ
スク基板の凹凸パターン形成面と記録材料からなる記録
膜との間に、光透過性に優れ、かつ、上記記＠膜の融解
温度以下の温度で融解する低融点高分子物質からなる下
地層を積層し、下地層が融解する際に発生する反応熱及
びガス圧の作用によって記＠膜の融解を促進するととも
に、記録膜の蒸発または表面張力のアンバランスを促進
するようにしたことを特徴とするものである。
アンバランスを促進するような力を融解部に負荷してや
ればピットの開設時間を短縮することができろ。本発明
は、かかる知見に基づいてなされたものであって、ディ
スク基板の凹凸パターン形成面と記録材料からなる記録
膜との間に、光透過性に優れ、かつ、上記記＠膜の融解
温度以下の温度で融解する低融点高分子物質からなる下
地層を積層し、下地層が融解する際に発生する反応熱及
びガス圧の作用によって記＠膜の融解を促進するととも
に、記録膜の蒸発または表面張力のアンバランスを促進
するようにしたことを特徴とするものである。
また、真空槽内にディスク基板と下地層形成用物質と記
録膜形成用物質とを収納し、予じめ設定された真空条件
の下で、下地層と記録膜を連続的に形成することによっ
て、製造工程を複雑化することなく、低融点高分子物質
製の下地層を有する追記型光情報記録用ディスクが製造
できろようにしたことを特徴とするものである。
録膜形成用物質とを収納し、予じめ設定された真空条件
の下で、下地層と記録膜を連続的に形成することによっ
て、製造工程を複雑化することなく、低融点高分子物質
製の下地層を有する追記型光情報記録用ディスクが製造
できろようにしたことを特徴とするものである。
第１図に本発明に係る追記型情報記録用ディスクの一例
を示す。この図において、ｌはディスク基板、２はディ
スク基板１の片面に形成された凹凸パターン、３は下地
層、４は記＠膜を示している。
を示す。この図において、ｌはディスク基板、２はディ
スク基板１の片面に形成された凹凸パターン、３は下地
層、４は記＠膜を示している。
ディスク基板１は、ガラスなどの無機材料のほか、ポリ
メチルアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アクリル、エポキシ
等のプラスチック材料によって形成される。
メチルアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アクリル、エポキシ
等のプラスチック材料によって形成される。
凹凸パターン２は、２Ｐ法、インジェクション法、コン
プレッション法、あるいはインジェクション−コンプレ
ッション法といった公知に属する形成手段によって、上
記ディスク基４Ｊｉｆの片面に形成される。
プレッション法、あるいはインジェクション−コンプレ
ッション法といった公知に属する形成手段によって、上
記ディスク基４Ｊｉｆの片面に形成される。
記録膜４としては、Ｓ、Ｓｅ、１°ａ、 Ｂｉ、 Ｓｎ
。
。
Ｐｂ、Ｉｎ、 Ｚｎ、 Ｍｇ、 Ａｕ、 Ｃｅ、 Ｃａ
、 Ｓｂ、 Ｒｈ。
、 Ｓｂ、 Ｒｈ。
Ｍｎ、Ａ１などから選択された１または２以上の元素か
らなるヒートモード用の記録材料が用いられる。また、
二の記録膜４の形成手段としては、スパッタリング、）
Ｋ空蒸着、イオンブレーティング、プラズマ蒸着、無電
解めっき等の薄膜形成手段が用いら九ろ。
らなるヒートモード用の記録材料が用いられる。また、
二の記録膜４の形成手段としては、スパッタリング、）
Ｋ空蒸着、イオンブレーティング、プラズマ蒸着、無電
解めっき等の薄膜形成手段が用いら九ろ。
下地層３としては、光透過性に優れ、かつ、上記記録膜
４の融解温度以下の温度で分解し・てガスを発生するＰ
：分解性高分子物質が用いられる。具体的には、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ニトロセ
ルロース、クアニンまたはこれらの変性物から選伏さ九
た１または２以上の低融点高分子物質を用いろことが特
に好ましい。
４の融解温度以下の温度で分解し・てガスを発生するＰ
：分解性高分子物質が用いられる。具体的には、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ニトロセ
ルロース、クアニンまたはこれらの変性物から選伏さ九
た１または２以上の低融点高分子物質を用いろことが特
に好ましい。
この下地ｐ！Ｊ３の形成手段としては、上記記録膜４の
場合と同様に、スパッタリング、真空蒸着、イオンブレ
ーティング、プラズマ蒸着等、公知に属する任意め：ａ
膜形成手段を用いることができる。
場合と同様に、スパッタリング、真空蒸着、イオンブレ
ーティング、プラズマ蒸着等、公知に属する任意め：ａ
膜形成手段を用いることができる。
次に１本発明に係る追記型光情報記録ｍディスクの製造
方法の一例を説明する。
方法の一例を説明する。
まず、真空槽内にディスク基板と下地層形成用物質と記
録膜形成用物質とを収納する、次いで。
録膜形成用物質とを収納する、次いで。
真空槽を所定の真空度まで真空引きし、しかる後真空槽
内に不活性ガスを供給して真空槽内のガス圧を所定の値
に調整する。次いで、上記ガス圧条件の下で、上記下地
層形成用物質をターゲットとして上記ディスク基板の片
面に下地層をスパッタリングする。次いで、上記ガス圧
条件を変更することなく、上記記録膜形成用物質をター
ゲットとして上記下地層の表面に記＠膜をスパッタリン
グする。
内に不活性ガスを供給して真空槽内のガス圧を所定の値
に調整する。次いで、上記ガス圧条件の下で、上記下地
層形成用物質をターゲットとして上記ディスク基板の片
面に下地層をスパッタリングする。次いで、上記ガス圧
条件を変更することなく、上記記録膜形成用物質をター
ゲットとして上記下地層の表面に記＠膜をスパッタリン
グする。
尚、上記製造方法はスパッタリングについて説明したが
、真空蒸着など他の薄膜形成手段を適用する場合につい
ても全く同様に行うことができる。
、真空蒸着など他の薄膜形成手段を適用する場合につい
ても全く同様に行うことができる。
以下、具体的な実施例を掲げ１本発明の詳細な説明する
。
。
第１実施例乃至第３実施例
まず、ディスク原盤上に塗布されたＵＶ樹脂をガラス板
にて展伸し、ＵＶ４１１１脂を硬化したのち該硬化済み
ＵＶ樹脂をガラス板側に転写して１片面に凹凸パターン
２が一体に形成されたディスク基板ｌを作製した。続い
て、このディスク基板１を下地層形成用物質であるポリ
カーボネート及び記録膜形成用物質であるＴ ｅ Ｓ
ｅと共に真空槽内に収納し、５Ｘ１０−’Ｐａまで真空
引きした後アルゴンガスを真空槽内に導入して真空槽内
のガス圧を５Ｘ１０”Ｐａに調整した。この状態で、上
記ポリカーボネートをターゲットとしてスパッタリング
を行い、上記ディスク基板１の凹凸パターン形成側に、
ポリカーボネート製の下地層３を形成した。引き続き、
同一の真空条件下にてＴ ｅ Ｓ ｅをターゲットとし
てスパッタリングを行い、上記下地層３の表面に３００
人の記録膜４を形成した。尚。
にて展伸し、ＵＶ４１１１脂を硬化したのち該硬化済み
ＵＶ樹脂をガラス板側に転写して１片面に凹凸パターン
２が一体に形成されたディスク基板ｌを作製した。続い
て、このディスク基板１を下地層形成用物質であるポリ
カーボネート及び記録膜形成用物質であるＴ ｅ Ｓ
ｅと共に真空槽内に収納し、５Ｘ１０−’Ｐａまで真空
引きした後アルゴンガスを真空槽内に導入して真空槽内
のガス圧を５Ｘ１０”Ｐａに調整した。この状態で、上
記ポリカーボネートをターゲットとしてスパッタリング
を行い、上記ディスク基板１の凹凸パターン形成側に、
ポリカーボネート製の下地層３を形成した。引き続き、
同一の真空条件下にてＴ ｅ Ｓ ｅをターゲットとし
てスパッタリングを行い、上記下地層３の表面に３００
人の記録膜４を形成した。尚。
第１実施例の追記型光情報記録用ディスクについては下
地層３の厚さを１００人、第２実施例の追記型光情報記
録用ディスクについては下地層３の厚さを３００人、第
３実施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地
層３の厚さを１０００人とした。
地層３の厚さを１００人、第２実施例の追記型光情報記
録用ディスクについては下地層３の厚さを３００人、第
３実施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地
層３の厚さを１０００人とした。
第４実施例乃至第６実施例
上記第１実施例乃至第３実施例と同様の真空条件Ｆで、
ニトロセルロースが７５％、ショウノウが２５％のブレ
ンド物をターゲットとしてスパンタリングを行い、上記
第１実施例と同様のディスク基板１の凹凸パターン形成
側の面に、ニトロセルロースが７５％、ショウノウが２
５％のブレンド物から成る一ド地層３を形成した。第４
実施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地層
３の厚さを１００人、第５実施例の追記型光情報記録用
ディスクについては下地層３の厚さを３００人、第６実
施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地層３
の厚さを１０００人とした。
ニトロセルロースが７５％、ショウノウが２５％のブレ
ンド物をターゲットとしてスパンタリングを行い、上記
第１実施例と同様のディスク基板１の凹凸パターン形成
側の面に、ニトロセルロースが７５％、ショウノウが２
５％のブレンド物から成る一ド地層３を形成した。第４
実施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地層
３の厚さを１００人、第５実施例の追記型光情報記録用
ディスクについては下地層３の厚さを３００人、第６実
施例の追記型光情報記録用ディスクについては下地層３
の厚さを１０００人とした。
第７実施例乃至第９実施例
上記第１実施例乃至第６実施例と同様の真空条件下で、
ポリプロピレンをターゲットとしてスパッタリングを行
い、上記第１実施例と同様のディスク基板１の凹凸パタ
ーン形成側の面に、ポリプロピレンの下地層３を形成し
た。第７実施例の追記型光情報記録用ディスクについて
は下地ｙｆｊ３の厚さを１００人、第８実施例の追記型
光情報記録用ディスクについては下地層３の厚さを３０
０人、第９実施例の追記型光情報記録用ディスクについ
ては下地層３の厚さを１０００人とした。
ポリプロピレンをターゲットとしてスパッタリングを行
い、上記第１実施例と同様のディスク基板１の凹凸パタ
ーン形成側の面に、ポリプロピレンの下地層３を形成し
た。第７実施例の追記型光情報記録用ディスクについて
は下地ｙｆｊ３の厚さを１００人、第８実施例の追記型
光情報記録用ディスクについては下地層３の厚さを３０
０人、第９実施例の追記型光情報記録用ディスクについ
ては下地層３の厚さを１０００人とした。
第１０実施例乃至第１２実施例
上記第１実施例乃至第９実施例と同様の真空条件下で、
ポリエチレンをターゲットとしてスパッタリングを行い
、上記第１実施例と同様のディスク基板ｌの凹凸パター
ン形成側の面に、ポリエチレンの下地層３を形成した。
ポリエチレンをターゲットとしてスパッタリングを行い
、上記第１実施例と同様のディスク基板ｌの凹凸パター
ン形成側の面に、ポリエチレンの下地層３を形成した。
第１０実施例の追記型光情報記録用ディスクについては
下地層３の厚さを１００人、第１１実施例の追記型光情
報記録用ディスクについては下地層３の厚さを３００人
。
下地層３の厚さを１００人、第１１実施例の追記型光情
報記録用ディスクについては下地層３の厚さを３００人
。
第１２実施例の追記型光情報記録用ディスクについては
下地層３の厚さを１０００人とした。
下地層３の厚さを１０００人とした。
尚、上記第４実施例乃至第１２実施例の追記型光情報記
録用ディスクにおける記録膜４の形成条件については、
上記第１実施例乃至第３実施例の場合と同様であるので
、説明を省略する。
録用ディスクにおける記録膜４の形成条件については、
上記第１実施例乃至第３実施例の場合と同様であるので
、説明を省略する。
下表に、上記のようにして作製された第１実施例乃至第
１２実施例の追記型光情報記録用ディスクと下地層が形
成されていない追記型光情報記録用ディスクの最小記録
レーザパワーを示す。ここで、最小記録レーザパワーと
は、ピットの形成され易さを示す指数であって、記録膜
４にピットを形成することができる最小のレーザパワー
をいう。
１２実施例の追記型光情報記録用ディスクと下地層が形
成されていない追記型光情報記録用ディスクの最小記録
レーザパワーを示す。ここで、最小記録レーザパワーと
は、ピットの形成され易さを示す指数であって、記録膜
４にピットを形成することができる最小のレーザパワー
をいう。
尚、下表においては、下地層が形成されていない追記型
光情報記録用ディスクの最小記録レーザパワーを１とし
たときの比をもって表わしている。
光情報記録用ディスクの最小記録レーザパワーを１とし
たときの比をもって表わしている。
上表から明らかなように、下地層３が形成された本発明
の追記型情報記録用ディスクは、ポリエチレン下地層を
１００人の厚さに形成したもの及び１０００人の厚さに
形成したものを除き、いずれも下地層３が形成されてい
ない従来品に対して。
の追記型情報記録用ディスクは、ポリエチレン下地層を
１００人の厚さに形成したもの及び１０００人の厚さに
形成したものを除き、いずれも下地層３が形成されてい
ない従来品に対して。
最小記録レーザパワーが小さくなっており、記録ｇ！４
にピットが形成され易くなっていることが判る。上表に
掲げた各下地層形成用物質のうちでは。
にピットが形成され易くなっていることが判る。上表に
掲げた各下地層形成用物質のうちでは。
ニトロセルロースが７５％、ショウノウが２５％のブレ
ンド物が最も優れている。また、］−地層３の厚さにつ
いては、３００人に形成した場合に最も最小記録レーザ
パワーが小さくなり、ピットが形成され易くなることが
判った。これは、下地層３の厚さが薄すぎる場合には、
融解した下地層から発生するガスの量及び反応熱が少な
いためにピットの形成を促進するのに充分なガス圧や温
度上ｎ−が得られず、一方、下地層３の厚さが厚すぎる
場合には、下地Ｍ３の熱容量及び熱拡散効率が大きくな
ってピットの形成を促進するのに充分なガス圧及び反応
熱を発生することができないためであると考えられる。
ンド物が最も優れている。また、］−地層３の厚さにつ
いては、３００人に形成した場合に最も最小記録レーザ
パワーが小さくなり、ピットが形成され易くなることが
判った。これは、下地層３の厚さが薄すぎる場合には、
融解した下地層から発生するガスの量及び反応熱が少な
いためにピットの形成を促進するのに充分なガス圧や温
度上ｎ−が得られず、一方、下地層３の厚さが厚すぎる
場合には、下地Ｍ３の熱容量及び熱拡散効率が大きくな
ってピットの形成を促進するのに充分なガス圧及び反応
熱を発生することができないためであると考えられる。
尚、上記実施例においては、ディスク基板ｌとしてガラ
ス板を用いた場合についてのみ説明したが１本発明の要
旨はこれに限定されるものではなく、高分子物質をイン
ジェクション成形したものなど、他の任意のディスク基
板を用いることができる。また、上記実施例においては
、記録膜４としてＴ ｅ Ｓ ｅを用いた場合について
のみ説明したが。
ス板を用いた場合についてのみ説明したが１本発明の要
旨はこれに限定されるものではなく、高分子物質をイン
ジェクション成形したものなど、他の任意のディスク基
板を用いることができる。また、上記実施例においては
、記録膜４としてＴ ｅ Ｓ ｅを用いた場合について
のみ説明したが。
本発明の要旨はこれに限定されるものではなく。
このほかに公知に属する任意のヒートモード用記録材料
を用いることができる。
を用いることができる。
以上説明したように１本発明によると、記＠膜が融解す
る以前に下地層が融解し、主として下地層から発生する
ガスのガス圧の作用及び発熱反応の影響によって、記録
膜にピットが形成され易くなる。従って、記録時、情報
記録用ディスクの回転速度を高速化することができ、そ
の分だけ信号再生時のアクセス速度や転送速度を向上す
ることができる。
る以前に下地層が融解し、主として下地層から発生する
ガスのガス圧の作用及び発熱反応の影響によって、記録
膜にピットが形成され易くなる。従って、記録時、情報
記録用ディスクの回転速度を高速化することができ、そ
の分だけ信号再生時のアクセス速度や転送速度を向上す
ることができる。
また、下地層の形成手段として、真空槽内に下地層形成
物質と記録膜形成物質を同時に収納し。
物質と記録膜形成物質を同時に収納し。
予じめ定められた一定の真空条件の下で下地層と記録膜
とを連続的に形成する方法を採用したので、記録膜形成
以前に予じめ下地層を他の手段で形成する場合に比べて
、格段に追記型光情報記録用ディスクの生産性を向上す
ることができる。
とを連続的に形成する方法を採用したので、記録膜形成
以前に予じめ下地層を他の手段で形成する場合に比べて
、格段に追記型光情報記録用ディスクの生産性を向上す
ることができる。
第１図は本発明に係る追記型情報記録用ディスクの断面
図、第２図は従来知られている追記型情報記録用ディス
クの一例を示す断面図である。 １：ディスク基板、２；凹凸パターン、３：下地層、４
：記録膜 〜芥：；テ÷丁
図、第２図は従来知られている追記型情報記録用ディス
クの一例を示す断面図である。 １：ディスク基板、２；凹凸パターン、３：下地層、４
：記録膜 〜芥：；テ÷丁
Claims (4)
- （１）ディスク基板の凹凸パターン形成面側に、ヒート
モード用の記録材料からなる記録膜が形成された追記型
光情報記録用ディスクにおいて、上記ディスク基板の凹
凸パターン形成面と記録膜との間に、光透過性に優れ、
かつ、上記記録膜の融解温度以下の温度で融解する低融
点高分子物質からなる下地層を積層したことを特徴とす
る追記型光情報記録用ディスク。 - （２）ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレ
ン、ニトロセルロース、グアニン、またはこれらの変性
物から選択された１または２以上の低融点高分子物質を
用いて下地層を形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の追記型光情報記録用ディスク。 - （３）真空槽内にディスク基板と下地層形成用物質と記
録膜形成用物質とを収納し、予じめ設定された真空条件
の下で、下地層と記録膜を連続的に形成するようにした
ことを特徴とする追記型光情報記録用ディスクの製造方
法。 - （４）真空槽内にディスク基板と下地層形成用物質と記
録膜形成用物質とを収納し、上記真空槽内のガス圧を所
定の値に調整したのち、まず、上記下地層形成用物質を
ターゲットとして上記ディスク基板の片面に下地層をス
パッタリング形成し、次いで、上記記録膜形成用物質を
ターゲットとして上記下地層の表面に記録膜をスパッタ
リング形成したことを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の追記型光情報記録用ディスクの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275112A JPS62137741A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 |
| KR860010251A KR870006534A (ko) | 1985-12-09 | 1986-12-02 | 광 기록매체 및 그 제조 방법 |
| DE8686116999T DE3683362D1 (de) | 1985-12-09 | 1986-12-06 | Herstellungsverfahren fuer ein optisches aufzeichnungsmedium. |
| EP19860116999 EP0227981B1 (en) | 1985-12-09 | 1986-12-06 | Production method of an optical recording medium |
| US07/246,925 US4908250A (en) | 1985-12-09 | 1988-09-19 | Optical recording medium and production method thereof |
| US07/459,243 US5073243A (en) | 1985-12-09 | 1989-12-29 | Method for producing an optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275112A JPS62137741A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137741A true JPS62137741A (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=17550895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275112A Pending JPS62137741A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62137741A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
| JPS5546988A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
| JPS57138066A (en) * | 1982-01-20 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Information recorder |
| JPS5842488A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-11 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS58166548A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
| JPS6059551A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Dainippon Printing Co Ltd | レ−ザ−記録材料 |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP60275112A patent/JPS62137741A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
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| JPS57138066A (en) * | 1982-01-20 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Information recorder |
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