JPH01245441A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH01245441A JPH01245441A JP63074113A JP7411388A JPH01245441A JP H01245441 A JPH01245441 A JP H01245441A JP 63074113 A JP63074113 A JP 63074113A JP 7411388 A JP7411388 A JP 7411388A JP H01245441 A JPH01245441 A JP H01245441A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光記録媒体に係り、特にデータ転送速度のは
やい光記録媒体に関する。
やい光記録媒体に関する。
近年情報記録の高密度化、大容量化に対する要求が高ま
り、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、と
くにレーザを光源として用いる光記録媒体としての光デ
ィスクは、従来の磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１
００倍の記録密度を有し、しかも記録、再生ヘッドと記
録媒体とが非接触状態で情報の記録、再生ができるため
に記録媒体の損傷も少なく、長寿命であるなどの特徴が
あることから、膨大な情報量を記録、再生する手段とし
て高密度、大容量の記録方式である光ディスクが存望で
ある。
り、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、と
くにレーザを光源として用いる光記録媒体としての光デ
ィスクは、従来の磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１
００倍の記録密度を有し、しかも記録、再生ヘッドと記
録媒体とが非接触状態で情報の記録、再生ができるため
に記録媒体の損傷も少なく、長寿命であるなどの特徴が
あることから、膨大な情報量を記録、再生する手段とし
て高密度、大容量の記録方式である光ディスクが存望で
ある。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記型、書
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディスクであり
、追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはで
きるが、記録した情報の消去は不可能なものである。こ
れに対して書き換え型は情報の記録、再生とさらに記録
済みの情報を消去して書き換えることが可能であり、コ
ンピｊ−タ用のデータファイルとしての利用が望まれ最
も期待の大きいものである。
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディスクであり
、追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはで
きるが、記録した情報の消去は不可能なものである。こ
れに対して書き換え型は情報の記録、再生とさらに記録
済みの情報を消去して書き換えることが可能であり、コ
ンピｊ−タ用のデータファイルとしての利用が望まれ最
も期待の大きいものである。
このような光記録媒体においては情報の記録は基板上に
積層された媒体層において行われる。
積層された媒体層において行われる。
ところが光記録媒体においては情報の記録は、媒体層の
溶融とか相変化等によって行われるが、この際に媒体層
の昇温に必要とされるレーザ照射エネルギや媒体層の相
変化速度あるいはディスク基板の機械的強度等の関係か
ら情報記録時に光デイスク回転数が制限され、そのため
に情報の転送速度がおそいという問題を生ずる。例えば
現状の追記型光ディスクの場合転送速度は約０゜７ＭＢ
（メガビット） ／ｓｅｃであり、磁気ディスクの３
．５ＭＢ／ｓｅｃよりも低い値となっている。
溶融とか相変化等によって行われるが、この際に媒体層
の昇温に必要とされるレーザ照射エネルギや媒体層の相
変化速度あるいはディスク基板の機械的強度等の関係か
ら情報記録時に光デイスク回転数が制限され、そのため
に情報の転送速度がおそいという問題を生ずる。例えば
現状の追記型光ディスクの場合転送速度は約０゜７ＭＢ
（メガビット） ／ｓｅｃであり、磁気ディスクの３
．５ＭＢ／ｓｅｃよりも低い値となっている。
この発明は上記の点に諾みてなされその目的は光ディス
クの回転数は現在と同等としながら媒体層の記録点あた
りの情報量を増加させることにより情報の転送速度のは
やめた光記録媒体を提供することにある。
クの回転数は現在と同等としながら媒体層の記録点あた
りの情報量を増加させることにより情報の転送速度のは
やめた光記録媒体を提供することにある。
上記の目的はこの発明によれば
１）基板上の媒体層に情報を記録し光反射率の差により
情報の再生を行う光記録媒体において、元素分布の不均
一な状ａｎＡと元素分布が均一でかつ結晶質の状態１２
Ｂと元素分布が均一でかつ非晶質の状態１２Ｃの３つの
状態を用いて３進法の情報記録を行う媒体層を備えるこ
と、 ２）非晶質の状＝ｔｓ Ｄと、結晶質の状態１５Ａと、
非晶質と結晶質の中間状１ｔ５ｓ、１５ｃとからなるｎ
個の状態を用いてｎ進法の情報記録を行う媒体層を備え
ること、 ３）異なる空間的大きさのｎ個のマーク１７Ａ、１７Ｂ
。
情報の再生を行う光記録媒体において、元素分布の不均
一な状ａｎＡと元素分布が均一でかつ結晶質の状態１２
Ｂと元素分布が均一でかつ非晶質の状態１２Ｃの３つの
状態を用いて３進法の情報記録を行う媒体層を備えるこ
と、 ２）非晶質の状＝ｔｓ Ｄと、結晶質の状態１５Ａと、
非晶質と結晶質の中間状１ｔ５ｓ、１５ｃとからなるｎ
個の状態を用いてｎ進法の情報記録を行う媒体層を備え
ること、 ３）異なる空間的大きさのｎ個のマーク１７Ａ、１７Ｂ
。
１７ｃ、１７Ｄ、１７Ｅを用いてｎ進法の情報記録を行
う媒体層を備えること、 により達成される。
う媒体層を備えること、 により達成される。
情報の記録は媒体層の記録点においてなされる。
記録点につき、元素分布の不均一な状態と均一な状態の
光反射率は異なる。また結晶質の状態と非晶質の状態と
は光反射率が異なる。記録点が空間的なマークであると
きマークの大きさにより反射率が異なる。情報の再生（
読み出し）は弱いレーザ光を記録点に照射してその光反
射率の大小を判別して行うことができる。
光反射率は異なる。また結晶質の状態と非晶質の状態と
は光反射率が異なる。記録点が空間的なマークであると
きマークの大きさにより反射率が異なる。情報の再生（
読み出し）は弱いレーザ光を記録点に照射してその光反
射率の大小を判別して行うことができる。
記録点の情報量がｎ個あると、ｎ進法の情報記録となる
。媒体層内の記録点の密度が同じである限り、光記録媒
体あたりの全情報量は記録点あたりの情報量に従って増
大する。このときは光ディスクの回転数が同じであって
も、単位時間あたりの情報転送速度は大きくなる。
。媒体層内の記録点の密度が同じである限り、光記録媒
体あたりの全情報量は記録点あたりの情報量に従って増
大する。このときは光ディスクの回転数が同じであって
も、単位時間あたりの情報転送速度は大きくなる。
次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。ポリ
カーボネート製の光デイスク基板にＩｎｓ保護膜、 Ｉ
ｎＴｅ媒体層、 Ｚｎ保護膜を積層した。このうちＺｎ
Ｓ保護膜はＲＦマグネトロンスパッタによりまたＩｎＴ
ｅは真空蒸着により成膜した。各層の膜厚はそれぞれ０
．２．０． Ｉ、 ０．２ μｍとした。Ｉ ｎＴｅ媒
体層では、真空蒸着で成膜する際、ＩｎとＴｅの蒸気圧
の違いにより膜厚方向の分布が不均一となる。
カーボネート製の光デイスク基板にＩｎｓ保護膜、 Ｉ
ｎＴｅ媒体層、 Ｚｎ保護膜を積層した。このうちＺｎ
Ｓ保護膜はＲＦマグネトロンスパッタによりまたＩｎＴ
ｅは真空蒸着により成膜した。各層の膜厚はそれぞれ０
．２．０． Ｉ、 ０．２ μｍとした。Ｉ ｎＴｅ媒
体層では、真空蒸着で成膜する際、ＩｎとＴｅの蒸気圧
の違いにより膜厚方向の分布が不均一となる。
第１図には蒸発源温度を９５Ｏｆ：とじたときのＩｎＴ
ｅ媒体層の膜厚方向のＴｅの分布が曲線１１に示される
。Ｔｅに比しＩｎの蒸気圧が小さく蒸着に際してはＴｅ
が先行し、基板側でＴｅ濃度が高くなる。ｉｎの分布は
図示しないがＴｅの分布の逆になる。膜全体としてはＩ
ｎとＴｅのモル数はほぼ等しくなっている。
ｅ媒体層の膜厚方向のＴｅの分布が曲線１１に示される
。Ｔｅに比しＩｎの蒸気圧が小さく蒸着に際してはＴｅ
が先行し、基板側でＴｅ濃度が高くなる。ｉｎの分布は
図示しないがＴｅの分布の逆になる。膜全体としてはＩ
ｎとＴｅのモル数はほぼ等しくなっている。
得られた光ディスクの波長８３ＱｎＩｒＩのレーザ光に
対する光反射率は約２５％である。
対する光反射率は約２５％である。
第２図に上記の光ディスクを５ｍ／ｓｅｃの一定周速で
回転させながら、直径１μｍで波長８３０ｒ！ｍの記録
用レーザ光を照射したときの光デイスク面でのレーザパ
ワ（ｍＷ）と得られた媒体層の光反射率（％）との関係
が示される。光反射率は再生用レーザ光に対するもので
ある。光反射率はレーザパワに応じて３状態１１Ａ（レ
ーザ８フ０ル３ｍＷ、光反射率２５％）、１２Ｂ＜レー
ザパフ３−６ ％） 、 １２ｃ （レーザパフ６〜ＩＯｍＷ，光反射
率８％）に分かれる。状態１１Ａは照射レーザパワが小
さいのでＩｎＴｅ媒体層には元素の拡散が殆どおこらず
蒸着て生成したものとほぼ同一の状態にとどまっている
ものである。状％？１２Ｂではレーザパワが大きくなっ
たために昇温しで元素の拡散がおこり元素分布がほぼ均
一化するとともに、ＩｎＴｅ媒体層の結晶化がおこる。
回転させながら、直径１μｍで波長８３０ｒ！ｍの記録
用レーザ光を照射したときの光デイスク面でのレーザパ
ワ（ｍＷ）と得られた媒体層の光反射率（％）との関係
が示される。光反射率は再生用レーザ光に対するもので
ある。光反射率はレーザパワに応じて３状態１１Ａ（レ
ーザ８フ０ル３ｍＷ、光反射率２５％）、１２Ｂ＜レー
ザパフ３−６ ％） 、 １２ｃ （レーザパフ６〜ＩＯｍＷ，光反射
率８％）に分かれる。状態１１Ａは照射レーザパワが小
さいのでＩｎＴｅ媒体層には元素の拡散が殆どおこらず
蒸着て生成したものとほぼ同一の状態にとどまっている
ものである。状％？１２Ｂではレーザパワが大きくなっ
たために昇温しで元素の拡散がおこり元素分布がほぼ均
一化するとともに、ＩｎＴｅ媒体層の結晶化がおこる。
元素１分布が第１図の曲線１２に示される。状態１２Ｃ
においては状態１２Ｂより加熱が進み、媒体層が溶融し
その後急冷されて非晶質となったものである。
においては状態１２Ｂより加熱が進み、媒体層が溶融し
その後急冷されて非晶質となったものである。
第３図はガラス平板上に前述の光ディスクき同様にして
ＺｎＳ保護膜、 ＩｎＴｅ媒体層、 Ｚｎ保護膜を積層
した試料につき加熱処理を行った場合の加熱温度と光反
射率との関係を示す。状態１４Ａ、１４Ｂ。
ＺｎＳ保護膜、 ＩｎＴｅ媒体層、 Ｚｎ保護膜を積層
した試料につき加熱処理を行った場合の加熱温度と光反
射率との関係を示す。状態１４Ａ、１４Ｂ。
１４Ｃが得られるがそれぞれにつき元素分布、結晶状態
を調べた。状態１４Δは元素分布不均一、状明１４Ｂは
元素分布均一でかつ非晶質、状態１４Ｃは元素分布均一
でかつ結晶質であることがわかる。この事実により第２
図の結果が裏付けられる。
を調べた。状態１４Δは元素分布不均一、状明１４Ｂは
元素分布均一でかつ非晶質、状態１４Ｃは元素分布均一
でかつ結晶質であることがわかる。この事実により第２
図の結果が裏付けられる。
このようにして記録用レーザパワとして例えば０．４．
８ｍＷを選ぶと光反射率はそれぞれ２５％（状態１１Ａ
）、１５％（状態１２Ｂ）、８％（状＠１２Ｃ）が得ら
れる。
８ｍＷを選ぶと光反射率はそれぞれ２５％（状態１１Ａ
）、１５％（状態１２Ｂ）、８％（状＠１２Ｃ）が得ら
れる。
通常の情報処理は２進法で行われているが、上記のよう
に記録レベルを状態１１Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの３段階設
定した場合には３進法により記録する事ができる。即ち
、第７図に示すように、外部情報＃Ｉ３１よりの２進法
の情報を、信号変換器３２により３進法に変換し光デイ
スク記録用レーザ駆動装置３３へ転送する。データ読み
出し時には光ディスク読み取り装置３４からの３進法の
信号を信号変換器３５により２進法に変換し外部データ
処理装置３６へ転送する。この信号変換操作は電子回路
で行われ機械的動作を含まないので、変換速度は十分に
大きく、これにより転送速度が制限される事はない。
に記録レベルを状態１１Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの３段階設
定した場合には３進法により記録する事ができる。即ち
、第７図に示すように、外部情報＃Ｉ３１よりの２進法
の情報を、信号変換器３２により３進法に変換し光デイ
スク記録用レーザ駆動装置３３へ転送する。データ読み
出し時には光ディスク読み取り装置３４からの３進法の
信号を信号変換器３５により２進法に変換し外部データ
処理装置３６へ転送する。この信号変換操作は電子回路
で行われ機械的動作を含まないので、変換速度は十分に
大きく、これにより転送速度が制限される事はない。
上記のように、３つの記録レベルを設定した場合には、
単一記録点での記録情報は３進法で〔０゜１．２〕とな
るが、これは２進法で〔００，０１，１０）となり、従
来のＣＯｏ、 ０１〕の場合の１．５倍の情報量となる
。従って、この方式を用いる事により、データの転送速
度、光ディスクの記録容量とも従来の１．５倍とする事
ができる。
単一記録点での記録情報は３進法で〔０゜１．２〕とな
るが、これは２進法で〔００，０１，１０）となり、従
来のＣＯｏ、 ０１〕の場合の１．５倍の情報量となる
。従って、この方式を用いる事により、データの転送速
度、光ディスクの記録容量とも従来の１．５倍とする事
ができる。
第４図はポリカーボネート製の光デイスク基板にＺｎＳ
保護膜、 ＧｅＴｅ媒体層、 ＺｎＳ保護膜を順次積層
した光記録媒体についての記録用レーザパワと光反射率
との関係を示す線図である。この光記録媒体の各層はそ
れぞれＲＦマグネトロンスパッタにより成膜される。各
層の膜厚はそれぞれ０．２．０．１゜０２μｍである。
保護膜、 ＧｅＴｅ媒体層、 ＺｎＳ保護膜を順次積層
した光記録媒体についての記録用レーザパワと光反射率
との関係を示す線図である。この光記録媒体の各層はそ
れぞれＲＦマグネトロンスパッタにより成膜される。各
層の膜厚はそれぞれ０．２．０．１゜０２μｍである。
ＧｅＴｅ媒体層は成膜直後は非晶質であり、再生用レー
ザ光に対する光反射率は２５％である。この光ディスク
に第２図の場合と同様にして５ｍ／ｓｅｃの一定周速で
回転させながら波長８３０ｎｍの記録用レーデ光を１μ
ｍの直径に集光して照射する。この際記録用レーザ光の
光デイスク面でのパワが所定値に設定され情報の記録が
行われる。
ザ光に対する光反射率は２５％である。この光ディスク
に第２図の場合と同様にして５ｍ／ｓｅｃの一定周速で
回転させながら波長８３０ｎｍの記録用レーデ光を１μ
ｍの直径に集光して照射する。この際記録用レーザ光の
光デイスク面でのパワが所定値に設定され情報の記録が
行われる。
情報記録された媒体層は再生用レーザ光を用いてその光
反射率が測定される。第４図によれば記録用レーザパワ
が２〜７ｍＷの範囲ではパワの上昇と共に光反射率が増
加し７〜８ｍＷにおいてピーク値の５２％を示す。３ｍ
Ｗをこえると光反射率は逆に低下する。これはレーザパ
ワの増加により媒体層の結晶化が進むが３ｍＷをこすと
媒体層の溶融がおこり非晶質化したものである。記録用
レーザパワとして０．４，６．８ｍＷを選ぶと、光反射
率はそれぞれ２５％（状態１５Ｄ）、３５％（状態１５
Ｃ）、４５％（状態１５Ｂ）、５２％（状！！１５ Ａ
’）となる。このうち状態１５Ｄは非晶質であり、状
態１５Ａは結晶質である。状態１５Ｂ、１５Ｃは非晶質
と結晶質の中間にある。状態１５Ａ、１５Ｂ、＋５ｃ：
、！５Ｄを用いて４進法の情報記録がなされる。２進法
との変換は先に第７図で説明した方法と同様にして行わ
れる。このような４進法の情報記録を行うと２進法の記
録に比して情報転送速度、光デイスク記憶容量とも２倍
となる。上述の例では光反射率が２５〜５２％の間を４
分割しているが、ＩＯ分割することも可能である。ｌＯ
分割しても各光反射率は十分再生可能であり、５ｍ／ｓ
ｅｃにおける記録、再生によりＳＮ比５１ｄＢが得られ
る。この場合は情報転送速度は従来の５倍となる。さら
に光反射率２５〜５２％の間を分割することなくアナロ
グ情報を光反射率にそのまま対応させると１記録点てア
ナログ情報を記録することが可能となる。このようにす
ると記録点における情報量は飛躍的に増大する。
リ第５図はポリカーボネート製の光デイスク基
板にＺｎＳ保護膜とＴｅ−３ｅ媒体層を積層した光記録
媒体についての記録用レーザパワ（ｍＷ）とビット孔径
（μｍ）との関係、およびピット孔径（μｍ）と光反射
率（％）との関係を示す線図である。この光記録媒体の
各層はＲＦマグネトロンスパッタにより成膜される。膜
厚はそれぞれ０．．２．０．１ Ａｔｍである。この光
ディスクに第２図の場合と同様にして５ｍ／ｓｅｃの一
定周速で回転させながら波長８３０ｎｍの記録用レーザ
光が１μｍの直径に集光して照射される。このとき記録
用レーザ光の光デイスク面でのパワが所定値に設定され
情報の記録が行われる。
反射率が測定される。第４図によれば記録用レーザパワ
が２〜７ｍＷの範囲ではパワの上昇と共に光反射率が増
加し７〜８ｍＷにおいてピーク値の５２％を示す。３ｍ
Ｗをこえると光反射率は逆に低下する。これはレーザパ
ワの増加により媒体層の結晶化が進むが３ｍＷをこすと
媒体層の溶融がおこり非晶質化したものである。記録用
レーザパワとして０．４，６．８ｍＷを選ぶと、光反射
率はそれぞれ２５％（状態１５Ｄ）、３５％（状態１５
Ｃ）、４５％（状態１５Ｂ）、５２％（状！！１５ Ａ
’）となる。このうち状態１５Ｄは非晶質であり、状
態１５Ａは結晶質である。状態１５Ｂ、１５Ｃは非晶質
と結晶質の中間にある。状態１５Ａ、１５Ｂ、＋５ｃ：
、！５Ｄを用いて４進法の情報記録がなされる。２進法
との変換は先に第７図で説明した方法と同様にして行わ
れる。このような４進法の情報記録を行うと２進法の記
録に比して情報転送速度、光デイスク記憶容量とも２倍
となる。上述の例では光反射率が２５〜５２％の間を４
分割しているが、ＩＯ分割することも可能である。ｌＯ
分割しても各光反射率は十分再生可能であり、５ｍ／ｓ
ｅｃにおける記録、再生によりＳＮ比５１ｄＢが得られ
る。この場合は情報転送速度は従来の５倍となる。さら
に光反射率２５〜５２％の間を分割することなくアナロ
グ情報を光反射率にそのまま対応させると１記録点てア
ナログ情報を記録することが可能となる。このようにす
ると記録点における情報量は飛躍的に増大する。
リ第５図はポリカーボネート製の光デイスク基
板にＺｎＳ保護膜とＴｅ−３ｅ媒体層を積層した光記録
媒体についての記録用レーザパワ（ｍＷ）とビット孔径
（μｍ）との関係、およびピット孔径（μｍ）と光反射
率（％）との関係を示す線図である。この光記録媒体の
各層はＲＦマグネトロンスパッタにより成膜される。膜
厚はそれぞれ０．．２．０．１ Ａｔｍである。この光
ディスクに第２図の場合と同様にして５ｍ／ｓｅｃの一
定周速で回転させながら波長８３０ｎｍの記録用レーザ
光が１μｍの直径に集光して照射される。このとき記録
用レーザ光の光デイスク面でのパワが所定値に設定され
情報の記録が行われる。
情報の記録は第６図の２０で示されるピットによって行
われる。レーザ光のスポットが１９で示される。
われる。レーザ光のスポットが１９で示される。
各ピットの孔径が測定されると同時に、各ピットからの
光反射率が再生用レーザ光（スポラＨμｍ）を用いて測
定される。第５図の曲線１６は記録用レーザパワとピッ
ト孔径との関係を示す。記録用レーザパワが４ｍＷ以下
ではピットは形成されない。
光反射率が再生用レーザ光（スポラＨμｍ）を用いて測
定される。第５図の曲線１６は記録用レーザパワとピッ
ト孔径との関係を示す。記録用レーザパワが４ｍＷ以下
ではピットは形成されない。
７ｍＷ以上ではレーデ光のビーム径に制限されてピット
の孔径は１μｍをこえることができない。記録用レーザ
パワが４ｍＷと７１Ｔ１ｗの範囲にあるときは０〜１μ
ｍの孔径のピットが形成される。曲線１７はピット孔径
と光反射率との関係を示す。１７Δ。
の孔径は１μｍをこえることができない。記録用レーザ
パワが４ｍＷと７１Ｔ１ｗの範囲にあるときは０〜１μ
ｍの孔径のピットが形成される。曲線１７はピット孔径
と光反射率との関係を示す。１７Δ。
１７Ｂ、１７Ｃ，１７Ｄ、１７Ｅは曲線１７上にあり、
５段階の孔径のピット（０，０，２５，０，５，０゜８
．１．０μｍ）を示す。曲線１６と曲線１７の間の点線
１８は記録用レーザパワと光反射率とを関係づける。再
生用レーザ光がピットに照射されるとレーザ光はピット
の内部と周縁部とから反射されるが内部と周縁部との光
反射率とは異なるのでピｙ）孔径により光反射率は異な
るようになる。上記のような５段階の孔径のピットを用
いると５進法の情報記録を行うことができる。
５段階の孔径のピット（０，０，２５，０，５，０゜８
．１．０μｍ）を示す。曲線１６と曲線１７の間の点線
１８は記録用レーザパワと光反射率とを関係づける。再
生用レーザ光がピットに照射されるとレーザ光はピット
の内部と周縁部とから反射されるが内部と周縁部との光
反射率とは異なるのでピｙ）孔径により光反射率は異な
るようになる。上記のような５段階の孔径のピットを用
いると５進法の情報記録を行うことができる。
ビット形成による情報記録は第４図の結晶状態の変化を
利用する場合と同様にアナログ情報を記録することがで
きる。
利用する場合と同様にアナログ情報を記録することがで
きる。
この発明によれば
■）基板上の媒体層に情報を記録し光反射率の差により
情報の再生を行う光記録媒体において、元素分布の不均
一な状態と元素分布が均一でかつ結晶質の状態と元素分
布が均一でかつ非晶質の状態の３つの状態を用いて３進
法の情報記録を行う媒体層を備え、 ２）非晶質の状態と、結晶質の状態と、非晶質と結晶質
の中間状態とからなるｎ個の状態を用いてｎ進法の情報
記録を行う媒体層を備え、 ３）異なる空間的大きさのｎ個のマークを用いてｎ進法
の情報記録を行う媒体層を備えるので次のような効果が
得られる。
情報の再生を行う光記録媒体において、元素分布の不均
一な状態と元素分布が均一でかつ結晶質の状態と元素分
布が均一でかつ非晶質の状態の３つの状態を用いて３進
法の情報記録を行う媒体層を備え、 ２）非晶質の状態と、結晶質の状態と、非晶質と結晶質
の中間状態とからなるｎ個の状態を用いてｎ進法の情報
記録を行う媒体層を備え、 ３）異なる空間的大きさのｎ個のマークを用いてｎ進法
の情報記録を行う媒体層を備えるので次のような効果が
得られる。
元素分布の不均一な状態と元素分布が均一でかつ結晶質
の状態と、元素分布が均一でかつ非晶質の状態はそれぞ
れ光反射率を異にするため３進法の情報記録を行うこと
ができる。また非晶質の状態と結晶質の状態と非晶質と
結晶質の中間状態表はそれぞれ光反射率を異にするため
これらのＩｇがｎ個あるときｎ進法の情報記録を行うこ
とができる。さらにまた媒体膜に形成された空間的なマ
ークに応じて光反射率が異なるので異なる空間的な大き
さのマークをｎ個用い、ｎ進法の情報記録を行うことが
できる。このようにしてＩ記録点における情報量を２進
法に変えてｎ進法（ｎ≧３）とすることにより情報転送
速度を従来のものより大きくすることができる。
の状態と、元素分布が均一でかつ非晶質の状態はそれぞ
れ光反射率を異にするため３進法の情報記録を行うこと
ができる。また非晶質の状態と結晶質の状態と非晶質と
結晶質の中間状態表はそれぞれ光反射率を異にするため
これらのＩｇがｎ個あるときｎ進法の情報記録を行うこ
とができる。さらにまた媒体膜に形成された空間的なマ
ークに応じて光反射率が異なるので異なる空間的な大き
さのマークをｎ個用い、ｎ進法の情報記録を行うことが
できる。このようにしてＩ記録点における情報量を２進
法に変えてｎ進法（ｎ≧３）とすることにより情報転送
速度を従来のものより大きくすることができる。
第１図はこの発明の実施例に係る基板に２ｎＳ保護膜と
ＩｎＴｅ媒体層とＺｎ保護膜を積層した光記録媒体の媒
体層におけるＴｅの元素分布を示す線図、第２図はこの
発明の実施例に係る基板にＺｎＳ保護膜と１ｎＴｅ媒体
層とＺｎ保護膜を積層した光記録媒体の記録用レーザパ
ワと光反射率との関係を示す線図。 第３図はガラス平板上にＺｎＳ保護膜とＩｎＴｅ媒体層
とＺｎ保護膜を積層した試料に対する加熱温度と光反射
率との関係を示す線図、第４図はポリカーボネート基板
にＺ ｎ Ｓ保護膜、 ＧｅＴｅ媒体層、 ＺｎＳ保護
膜を順次積層した光記録媒体の記録用レーザパワと光反
射率との関係を示す線図、第５図はポリカーボネート基
板にＺｎＳ保護膜、 Ｔｅ−３ｅ媒体層を積層した光記
録媒体についての記録用レーザパワとビノト孔径と光反
射率の相互の関係を示す線図、第６布が均一でかつ結晶
質の状態、１２Ｃ元素分布が均一でかつ非晶質の状態、
１５Ａ 結晶質の状態、１５Ｂ、１５Ｃ非晶質と結晶
質の中間状態、１５Ｄ非晶質の状態、１７Ａ、１７Ｂ、
１７Ｃ，１７Ｄ、１７Ｅ第１図 第２図 加熱温度（°Ｃ） 第３図 記録用レーザパワ（ｍＷ） 第４図 光反射率（’／４） 記録用レーザパワ＜ｍＷ）第
図 只 第 ６ 図
ＩｎＴｅ媒体層とＺｎ保護膜を積層した光記録媒体の媒
体層におけるＴｅの元素分布を示す線図、第２図はこの
発明の実施例に係る基板にＺｎＳ保護膜と１ｎＴｅ媒体
層とＺｎ保護膜を積層した光記録媒体の記録用レーザパ
ワと光反射率との関係を示す線図。 第３図はガラス平板上にＺｎＳ保護膜とＩｎＴｅ媒体層
とＺｎ保護膜を積層した試料に対する加熱温度と光反射
率との関係を示す線図、第４図はポリカーボネート基板
にＺ ｎ Ｓ保護膜、 ＧｅＴｅ媒体層、 ＺｎＳ保護
膜を順次積層した光記録媒体の記録用レーザパワと光反
射率との関係を示す線図、第５図はポリカーボネート基
板にＺｎＳ保護膜、 Ｔｅ−３ｅ媒体層を積層した光記
録媒体についての記録用レーザパワとビノト孔径と光反
射率の相互の関係を示す線図、第６布が均一でかつ結晶
質の状態、１２Ｃ元素分布が均一でかつ非晶質の状態、
１５Ａ 結晶質の状態、１５Ｂ、１５Ｃ非晶質と結晶
質の中間状態、１５Ｄ非晶質の状態、１７Ａ、１７Ｂ、
１７Ｃ，１７Ｄ、１７Ｅ第１図 第２図 加熱温度（°Ｃ） 第３図 記録用レーザパワ（ｍＷ） 第４図 光反射率（’／４） 記録用レーザパワ＜ｍＷ）第
図 只 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上の媒体層に情報を記録し光反射率の差により
情報の再生を行う光記録媒体において、元素分布の不均
一な状態と元素分布が均一でかつ結晶質の状態と元素分
布が均一でかつ非晶質の状態の３つの状態を用いて３進
法の情報記録を行う媒体層を備えることを特徴とする光
記録媒体。 ２）非晶質の状態と、結晶質の状態と、非晶質と結晶質
の中間状態とからなるｎ個の状態を用いてｎ進法の情報
記録を行う媒体層を備えることを特徴とする光記録媒体
。 ３）異なる空間的大きさのｎ個のマークを用いてｎ進法
の情報記録を行う媒体層を備えることを特徴とする光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074113A JPH01245441A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074113A JPH01245441A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245441A true JPH01245441A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13537821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074113A Pending JPH01245441A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025308A1 (fr) * | 1998-10-26 | 2000-05-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procede d'enregistrement / reproduction a plusieurs valeurs et support d'enregistrement a plusieurs valeurs et variation de phase |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613324A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録方法 |
| JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074113A patent/JPH01245441A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613324A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録方法 |
| JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025308A1 (fr) * | 1998-10-26 | 2000-05-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procede d'enregistrement / reproduction a plusieurs valeurs et support d'enregistrement a plusieurs valeurs et variation de phase |
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