JPH023119A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH023119A JPH023119A JP63145371A JP14537188A JPH023119A JP H023119 A JPH023119 A JP H023119A JP 63145371 A JP63145371 A JP 63145371A JP 14537188 A JP14537188 A JP 14537188A JP H023119 A JPH023119 A JP H023119A
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Landscapes
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光記録媒体に係り特に感度に優れ情報め消去
エネルギの少ない光記録媒体に関する。
エネルギの少ない光記録媒体に関する。
近年情報記録の高密度化、大容量化に対する要求が高ま
り、国内外でその研究開発が盛に行なわれているが、と
くにレーデを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触状
態で情報の記録、再生ができるために記録媒体の損傷も
少なく、長寿命であるなどの特徴があることから、膨大
な情報量を記録、再生する手段として有望である。
り、国内外でその研究開発が盛に行なわれているが、と
くにレーデを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触状
態で情報の記録、再生ができるために記録媒体の損傷も
少なく、長寿命であるなどの特徴があることから、膨大
な情報量を記録、再生する手段として有望である。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記型、書
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディスクであり
、追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはで
きるが、記録した情報の消去は不可能なものである。
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディスクであり
、追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはで
きるが、記録した情報の消去は不可能なものである。
これに対して書き換え型は情報の記録、再生とさらに記
録済みの情報を消去して薔き換えることが可能であり、
コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望まれ
最も期待の大きいものである。
録済みの情報を消去して薔き換えることが可能であり、
コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望まれ
最も期待の大きいものである。
書き換え型のディスクについては、光磁気方式と相変化
型の二つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材料や書き込み機構などの点でなお改良の
余地が残されている。これらのうち、相変化型は一般に
レーデ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーデ
光のパルス出力と・母ルス幅とを制御することによって
生ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質
状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの
状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行なう
ものである。
型の二つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材料や書き込み機構などの点でなお改良の
余地が残されている。これらのうち、相変化型は一般に
レーデ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーデ
光のパルス出力と・母ルス幅とを制御することによって
生ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質
状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの
状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行なう
ものである。
このような相変化型光記録媒体の媒体層材料としては非
晶質相の安定化を図るためＧｅＴｅのような高融点材料
が使われる。
晶質相の安定化を図るためＧｅＴｅのような高融点材料
が使われる。
しかしながら媒体材料として高融点材料を使用する場合
においては、情報の記録、消去に際して光エネルギを高
くすることが必要となる。特に媒体層の冷却速度を高め
るために照射光エネルギの反射層の役割も兼ねる冷却層
を設ける場合は、−層高い照射光エネルギが必要とされ
る。
においては、情報の記録、消去に際して光エネルギを高
くすることが必要となる。特に媒体層の冷却速度を高め
るために照射光エネルギの反射層の役割も兼ねる冷却層
を設ける場合は、−層高い照射光エネルギが必要とされ
る。
この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的は光の多
重反射による光吸収の膜厚依存性を利用することによシ
従来より少ない光照射エネルギで消去の可能な光記録媒
体を提供することにある。
重反射による光吸収の膜厚依存性を利用することによシ
従来より少ない光照射エネルギで消去の可能な光記録媒
体を提供することにある。
上記の目的はこの発明によれば基板上に少なくとも媒体
層、保護層を備え媒体層２に光エネルギを照射して情報
の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、消去時
におけるＪｌは射光エネルギの吸収が最大となる膜厚を
有する媒体層２と保護層３とを備えることにより達成さ
れる。
層、保護層を備え媒体層２に光エネルギを照射して情報
の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、消去時
におけるＪｌは射光エネルギの吸収が最大となる膜厚を
有する媒体層２と保護層３とを備えることにより達成さ
れる。
媒体層の光学定数は結晶質状態と非晶質状態とで異なる
。光学定数ｎ＋ｋ ｉ （ここでｎは屈折率、ｋは消衰
係数）は例えばＧｅＴｅの場合結晶質状態では８．３２
＋２．５ｉであり、非晶質状態で３．６＋０．６２ｉで
ある。消衰係数が小さくなると多重反射による干渉効果
により光吸収率、光反射率の膜厚依存性が大きくなる。
。光学定数ｎ＋ｋ ｉ （ここでｎは屈折率、ｋは消衰
係数）は例えばＧｅＴｅの場合結晶質状態では８．３２
＋２．５ｉであり、非晶質状態で３．６＋０．６２ｉで
ある。消衰係数が小さくなると多重反射による干渉効果
により光吸収率、光反射率の膜厚依存性が大きくなる。
媒体層が非晶質のとき、媒体１９４と保護層の膜厚の最
適の組合せにおいて光記録媒体の示す光吸収率が極太と
なり、光反射率が極小またはその近傍の値となる。媒体
層が結晶質のときは上記組合せにおいて、光反射率が最
大となる。
適の組合せにおいて光記録媒体の示す光吸収率が極太と
なり、光反射率が極小またはその近傍の値となる。媒体
層が結晶質のときは上記組合せにおいて、光反射率が最
大となる。
次にこの発明の実施例を図面に基いて説明する。
（実施例１）
第１図はこの発明の実施例の光記録媒体を示し、１は基
板、２は媒体層、３は保護層である。基板は例えばガラ
スである。媒体層はＧｅＴｅが用いられる。保護層は５
ＩＯＸ（１≦Ｘ≦２）である。媒体層はス・！ツタまた
は蒸着で形成される。保護層ｉｔス／セツタで形成され
る。
板、２は媒体層、３は保護層である。基板は例えばガラ
スである。媒体層はＧｅＴｅが用いられる。保護層は５
ＩＯＸ（１≦Ｘ≦２）である。媒体層はス・！ツタまた
は蒸着で形成される。保護層ｉｔス／セツタで形成され
る。
第３図に媒体層を非晶質状態とし保護層膜厚を１９０ｎ
ｍとしたときの媒体層膜厚Ｄ Ｍ （ｎ ｍ ）と光学
的性質（光吸収率、光反射率、光透過率）との関係が示
される。曲線２１Ａは光吸収率の膜厚依存性、曲線２２
Ａは光反射率の膜厚依存性、曲線２３Ａは光透過率の膜
厚依存性である。これらの関係は波長８３０ ｎｍの光
を保護層３の上から照射して得られる。光吸収率をＡ１
光反射率をＲ１光透過率をＴとするとＡ＋Ｒ＋Ｔ＝１の
関係にある。光吸収率の曲線２１Ａは媒体層膜厚７５ｎ
ｍにおいて極太を示す。光反射率の曲線２２Ａは同じ膜
厚で極小を示す。これら極大、極小は媒体層膜厚を大き
くしていったとき２番目に現れるものでおるがのちに述
べる結晶質媒体の光吸収率、光反射率の関係もありこの
ピークが用いられる。
ｍとしたときの媒体層膜厚Ｄ Ｍ （ｎ ｍ ）と光学
的性質（光吸収率、光反射率、光透過率）との関係が示
される。曲線２１Ａは光吸収率の膜厚依存性、曲線２２
Ａは光反射率の膜厚依存性、曲線２３Ａは光透過率の膜
厚依存性である。これらの関係は波長８３０ ｎｍの光
を保護層３の上から照射して得られる。光吸収率をＡ１
光反射率をＲ１光透過率をＴとするとＡ＋Ｒ＋Ｔ＝１の
関係にある。光吸収率の曲線２１Ａは媒体層膜厚７５ｎ
ｍにおいて極太を示す。光反射率の曲線２２Ａは同じ膜
厚で極小を示す。これら極大、極小は媒体層膜厚を大き
くしていったとき２番目に現れるものでおるがのちに述
べる結晶質媒体の光吸収率、光反射率の関係もありこの
ピークが用いられる。
第４図は非晶質の媒体層膜厚を７５ｎｍとしたときの保
護層膜厚り、（ｎｍ）と光学的性質との関係が示される
。曲１２１Ｂは光吸収率、曲線２２Ｂは光反射率、曲線
２３Ｂは光透過率の膜厚依存性をそれぞれす。これらの
関係は波長８３０ｎｍの光を保護層３の上から照射して
得られる。光吸収率の曲線２１Ｂは波長１９０ｎｍにお
いて極太を示す。光反射率の曲線２２Ｂも１９０ｎｍ近
傍において極小を示す。
護層膜厚り、（ｎｍ）と光学的性質との関係が示される
。曲１２１Ｂは光吸収率、曲線２２Ｂは光反射率、曲線
２３Ｂは光透過率の膜厚依存性をそれぞれす。これらの
関係は波長８３０ｎｍの光を保護層３の上から照射して
得られる。光吸収率の曲線２１Ｂは波長１９０ｎｍにお
いて極太を示す。光反射率の曲線２２Ｂも１９０ｎｍ近
傍において極小を示す。
このようにしてり、＝７５ｎｍ、 Ｄ、＝１９０ｎｍの
ときに媒体層が非晶質であるときの光記録媒体の光吸収
率は極太、光反射率は極小近傍になる。
ときに媒体層が非晶質であるときの光記録媒体の光吸収
率は極太、光反射率は極小近傍になる。
第５図は媒体層であるＧｅＴａを結晶質状態とし保護層
であるＳｉＯｘの膜厚を１９０ｎｍとしたときの媒体層
膜厚ＤＭ（ｎｍ）と光学的性質（光吸収率、光反射率、
光透過率）との関係を示す。曲線２１Ｘは吸収率の膜厚
依存性、曲線２２Ｘは反射率の膜厚依存性、曲線２３Ｘ
は透過率の膜厚依存性である。これらの関係は波長８３
０ｎｍの光を保護層３の上から照射して得られる。光吸
収率の曲線２１ＸＨＷ体ｉ膜厚７５ｎｒｎ以上において
フラットな最大値を示す。反射率の曲線２２Ｘも光吸収
率と同様な挙動を示す。光透過率の曲線２３Ｘは７５ｎ
ｍ以上の媒体層膜厚においてフラットな最小値を示すよ
うになる。
であるＳｉＯｘの膜厚を１９０ｎｍとしたときの媒体層
膜厚ＤＭ（ｎｍ）と光学的性質（光吸収率、光反射率、
光透過率）との関係を示す。曲線２１Ｘは吸収率の膜厚
依存性、曲線２２Ｘは反射率の膜厚依存性、曲線２３Ｘ
は透過率の膜厚依存性である。これらの関係は波長８３
０ｎｍの光を保護層３の上から照射して得られる。光吸
収率の曲線２１ＸＨＷ体ｉ膜厚７５ｎｒｎ以上において
フラットな最大値を示す。反射率の曲線２２Ｘも光吸収
率と同様な挙動を示す。光透過率の曲線２３Ｘは７５ｎ
ｍ以上の媒体層膜厚においてフラットな最小値を示すよ
うになる。
第６図は結晶質の媒体層膜厚を７５ｎｍとしたときの保
護層膜＃Ｄ、（ｎｍ）と光学的性質との関係である。曲
線２１Ｙは光吸収率、曲線２２Ｙは光反射率、曲線２３
Ｙは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す。これらの関
係は波長８３０ｎｍの光を保護層３の上から照射して得
られる。光学的性質はいずれも保護層膜厚変化に対して
フラットな特性を示す。このようにしてＤＭ＝７５ ｎ
ｍ、 Ｄ 、＝１９０ ｎｍのときに媒体層が結晶質で
あるときの光記録媒体の光吸収率は最大、光反射率も最
大となる。
護層膜＃Ｄ、（ｎｍ）と光学的性質との関係である。曲
線２１Ｙは光吸収率、曲線２２Ｙは光反射率、曲線２３
Ｙは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す。これらの関
係は波長８３０ｎｍの光を保護層３の上から照射して得
られる。光学的性質はいずれも保護層膜厚変化に対して
フラットな特性を示す。このようにしてＤＭ＝７５ ｎ
ｍ、 Ｄ 、＝１９０ ｎｍのときに媒体層が結晶質で
あるときの光記録媒体の光吸収率は最大、光反射率も最
大となる。
以上のようにして媒体層の膜厚りうと保護層の膜厚ＤＰ
がそれぞれ７５ｎｍ、１９０ｎｍという組合せのとき、
吸収率が極太を示すので、記録まだは消去に際して最大
の効率で光エネルギを吸収することができ、その結果光
記録媒体に照射する記録または消去用の光エネルギを低
減させることができる。
がそれぞれ７５ｎｍ、１９０ｎｍという組合せのとき、
吸収率が極太を示すので、記録まだは消去に際して最大
の効率で光エネルギを吸収することができ、その結果光
記録媒体に照射する記録または消去用の光エネルギを低
減させることができる。
例えば、媒体層と保頴層の膜厚が最適化されていないと
きは、記録時８３０ｎｍの光を１．２μｍのスポット径
にて０．２μｍ照射する場合１５ｍＷ要した照射光エネ
ルギが最適化により１３ｍＷに減少する。また消去時に
おいては最適化されていないとき１０ｍＷを要したもの
が最適化により８ ｍＷに減少する。
きは、記録時８３０ｎｍの光を１．２μｍのスポット径
にて０．２μｍ照射する場合１５ｍＷ要した照射光エネ
ルギが最適化により１３ｍＷに減少する。また消去時に
おいては最適化されていないとき１０ｍＷを要したもの
が最適化により８ ｍＷに減少する。
媒体石が非晶質状態にするときは光記録媒体の光エネル
ギ反射率は極小またはその近傍にあり、結晶質状態にあ
るときの光反射率は最大値を示すため、再生に際し光記
録媒体の信号レベルが５〜１０％良好になるという効果
が得られる。
ギ反射率は極小またはその近傍にあり、結晶質状態にあ
るときの光反射率は最大値を示すため、再生に際し光記
録媒体の信号レベルが５〜１０％良好になるという効果
が得られる。
（実施例２）
第２図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体の横式
断面図で基板１の上に媒体層２、保護層３、冷却層４が
順次積層される。基板１はポリカーゴネートやポリメチ
ルメタクリレート等の高分子材料からなる。この場合高
分子材料はガラスに比し熱伝導率が低く照射した光エネ
ルギの散逸がおそいので媒体層であるＧｅＴａの結晶質
状態から非１晶質状態、の相変化がおこりにくい。そこ
でアルミニウム等からなる冷却Ｊｆｉ ４を設は放熱を
速やかにし結晶質状態から非晶質状態への相変化を容易
にさせる。保護層３は５ｉｏｘにより形成される。
断面図で基板１の上に媒体層２、保護層３、冷却層４が
順次積層される。基板１はポリカーゴネートやポリメチ
ルメタクリレート等の高分子材料からなる。この場合高
分子材料はガラスに比し熱伝導率が低く照射した光エネ
ルギの散逸がおそいので媒体層であるＧｅＴａの結晶質
状態から非１晶質状態、の相変化がおこりにくい。そこ
でアルミニウム等からなる冷却Ｊｆｉ ４を設は放熱を
速やかにし結晶質状態から非晶質状態への相変化を容易
にさせる。保護層３は５ｉｏｘにより形成される。
第７図は−Ｆ記の構成の光記録媒体において媒体層を非
晶質状態とし保護層膜厚り、を９０ｎｍとしたときの媒
体層膜厚Ｄ Ｍ（ｎ ｍ ）と光学的性質との関係を示
す。曲線１１Ａは光吸収率、曲線１２Ａは光反射率、曲
！ｆＱ１３Ａは光透過率の膜厚依存性である。これらの
関係は波長８３０ｎｍの光を冷却層４の上から照射して
得られる。光吸収率の曲線１１Ａは媒体層膜厚７０ｎｍ
において極太を示す。光反射率の曲線１２Ａは同じ膜厚
で極小を示す。
晶質状態とし保護層膜厚り、を９０ｎｍとしたときの媒
体層膜厚Ｄ Ｍ（ｎ ｍ ）と光学的性質との関係を示
す。曲線１１Ａは光吸収率、曲線１２Ａは光反射率、曲
！ｆＱ１３Ａは光透過率の膜厚依存性である。これらの
関係は波長８３０ｎｍの光を冷却層４の上から照射して
得られる。光吸収率の曲線１１Ａは媒体層膜厚７０ｎｍ
において極太を示す。光反射率の曲線１２Ａは同じ膜厚
で極小を示す。
第８図には非晶質の媒体層膜厚を７０ｎｍとしたときの
保護層膜厚Ｄ ｐ （ｎ ｍ ）と光学的性質との関係
が示される。曲線１１Ｂは光吸収率、曲線１２Ｂは光反
射率、曲線１３Ｂは光透過率の膜厚依存性である。光吸
収率の曲線１１Ｂは波長９０ｎｍにおいて極大を示す。
保護層膜厚Ｄ ｐ （ｎ ｍ ）と光学的性質との関係
が示される。曲線１１Ｂは光吸収率、曲線１２Ｂは光反
射率、曲線１３Ｂは光透過率の膜厚依存性である。光吸
収率の曲線１１Ｂは波長９０ｎｍにおいて極大を示す。
光反射率の曲線１２Ｂも同じ膜厚で極小を示す。このよ
うにして媒体層が非晶質状態である場合に媒体層膜厚７
０ｎｒｎ、保護層膜厚９０ｎｒｎにおいて光記録媒体の
光吸収率は極太、光反射率は極小となることがわかる。
うにして媒体層が非晶質状態である場合に媒体層膜厚７
０ｎｒｎ、保護層膜厚９０ｎｒｎにおいて光記録媒体の
光吸収率は極太、光反射率は極小となることがわかる。
ｇ９図に媒体であるＧｅＴａを結晶質状態とし保護層で
わる５ｌＯｘの膜厚を９０ｎｍとしたときの媒体層膜厚
Ｄ Ｍ （ｎ ｍ ）と光学的性′Ａ！ｆとの関係が示
される。曲線１１Ｘは光吸収′率、曲線１２Ｘは光反射
率、曲線１３Ｘは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す
。光吸収率１ ］、 Ｘは６〜７ｎｍで極大に達したあ
と減少し、７０ｎｍ附近で定常値になる。光反射率１２
Ｘは極小を経たあと増太し７０ｎｍ附近で定常値になる
。
わる５ｌＯｘの膜厚を９０ｎｍとしたときの媒体層膜厚
Ｄ Ｍ （ｎ ｍ ）と光学的性′Ａ！ｆとの関係が示
される。曲線１１Ｘは光吸収′率、曲線１２Ｘは光反射
率、曲線１３Ｘは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す
。光吸収率１ ］、 Ｘは６〜７ｎｍで極大に達したあ
と減少し、７０ｎｍ附近で定常値になる。光反射率１２
Ｘは極小を経たあと増太し７０ｎｍ附近で定常値になる
。
第１０図は結晶質の媒体層膜厚を７０ｎｍとしたときの
保護層膜厚Ｄ Ｐ（ｎ ｍ ）と光学的性質との関係を
示す。曲線１１Ｙは光吸収率、曲線１２Ｙは光反射率、
曲線１３Ｙは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す。い
づれの光学的性質も殆んどフラットな特性であることが
わかる。
保護層膜厚Ｄ Ｐ（ｎ ｍ ）と光学的性質との関係を
示す。曲線１１Ｙは光吸収率、曲線１２Ｙは光反射率、
曲線１３Ｙは光透過率の膜厚依存性をそれぞれ示す。い
づれの光学的性質も殆んどフラットな特性であることが
わかる。
従って媒体層が結晶質状態でおるときは、媒体層膜厚が
７０ｎｍ、保護層膜厚９０ｎｍにおいて光記録媒体の光
吸収率は約０．５と大きく、光反射率は最大値近傍とな
ることがわかる。
７０ｎｍ、保護層膜厚９０ｎｍにおいて光記録媒体の光
吸収率は約０．５と大きく、光反射率は最大値近傍とな
ることがわかる。
以上のようにして元媒体層が冷却層４を有する場合にお
いて、媒体層膜厚を７０ｎｍ、保護層膜厚を９０ｎｍの
組合せとして最適化するときに非晶質の媒体層を有する
光記録媒体の光吸収率は極太、光反射率は極小となり、
結晶質の媒体層を有する光記録媒体の光吸収率は充分大
きな状態で、光反射率は最大値近傍になる。その結果最
適化により消去に際して最大の効率で光エネルギを吸収
することができ消去に要する光エネルギを最適化されて
いないときの１０ｍＷより８ｍＷに低減させることがで
きる。さらに最適化によって媒体質が結晶質状態（消去
）と非晶質状態（記録）との光反射率の差が大きくなり
再生に際して信号レベルが６〜１１％向上するという効
果が得られる。
いて、媒体層膜厚を７０ｎｍ、保護層膜厚を９０ｎｍの
組合せとして最適化するときに非晶質の媒体層を有する
光記録媒体の光吸収率は極太、光反射率は極小となり、
結晶質の媒体層を有する光記録媒体の光吸収率は充分大
きな状態で、光反射率は最大値近傍になる。その結果最
適化により消去に際して最大の効率で光エネルギを吸収
することができ消去に要する光エネルギを最適化されて
いないときの１０ｍＷより８ｍＷに低減させることがで
きる。さらに最適化によって媒体質が結晶質状態（消去
）と非晶質状態（記録）との光反射率の差が大きくなり
再生に際して信号レベルが６〜１１％向上するという効
果が得られる。
この発明によれば基板上に少なくとも媒体層、保１隻層
を備え媒体層に光エネルギを照射して情報の記録、再生
、消去を行う光記録媒体において、消去時における照射
光エネルギの吸収が最大となる膜厚を有する媒体層と保
護層とを備えるので少なくとも消去時における光吸収率
が極太となり、少ない照射光エネルギを用いて情報の消
去を行うことができる。さらに情報の再生時において媒
体層の結晶質状態と非晶質状態からの光反射率の差が大
きくなって信号レベルを大きくすることが可能となる。
を備え媒体層に光エネルギを照射して情報の記録、再生
、消去を行う光記録媒体において、消去時における照射
光エネルギの吸収が最大となる膜厚を有する媒体層と保
護層とを備えるので少なくとも消去時における光吸収率
が極太となり、少ない照射光エネルギを用いて情報の消
去を行うことができる。さらに情報の再生時において媒
体層の結晶質状態と非晶質状態からの光反射率の差が大
きくなって信号レベルを大きくすることが可能となる。
第１図はこの発明の実施例に係る光記録媒体の模式断面
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体の
模式断面図、第３図はこの発明の実施例に係る光記録媒
体において媒体層が非晶質であるときの媒体層膜厚と光
学的性質との関係を示す線図、第４図はこの発明の実施
例に係る光記録媒体において、媒体層が非晶質であると
きの保護層膜厚と光学的性質との関係を示す線図、第５
図はこの発明の実施例に係る光記録媒体において、媒体
層が結晶質であるときの媒体層膜厚と光学的性質との関
係を示す線図、第６図はこの発明の実施例に係る光記録
媒体において、媒体層が結晶質であるときの保護層膜厚
と光学的性質との関係を示す線図、第７図はこの発明の
他の実施例に係る光記録媒体において、媒体層が非晶質
であるときの媒体層膜厚と光学的性質との関係を示す線
図、第８図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体に
おいて、媒体層が非晶質であるときの保護層膜厚と光学
的性質との関係を示す線図、第９図はこの発明の他の実
施例に係る光記録媒体において、媒体層が結晶質である
ときの媒体層膜厚と光学的性質との関係を示す線図、第
１０図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体におい
て、媒体層が結晶質であるときの保護層膜厚と光学的性
質との関係を示す線図である。 １・・・基板、２・・・媒体層、３・・・保護層、４・
・・冷却ノ 第２図 第 図 第 図 ５ＲＩｉ ＭＬ／Ｚ ＤＭ （ｎｍ ＋第 図 イＩＩ／ｌ １Ｉ１３ＤＰ （ｎｍ ｌ第 図 第 図 第１０図
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体の
模式断面図、第３図はこの発明の実施例に係る光記録媒
体において媒体層が非晶質であるときの媒体層膜厚と光
学的性質との関係を示す線図、第４図はこの発明の実施
例に係る光記録媒体において、媒体層が非晶質であると
きの保護層膜厚と光学的性質との関係を示す線図、第５
図はこの発明の実施例に係る光記録媒体において、媒体
層が結晶質であるときの媒体層膜厚と光学的性質との関
係を示す線図、第６図はこの発明の実施例に係る光記録
媒体において、媒体層が結晶質であるときの保護層膜厚
と光学的性質との関係を示す線図、第７図はこの発明の
他の実施例に係る光記録媒体において、媒体層が非晶質
であるときの媒体層膜厚と光学的性質との関係を示す線
図、第８図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体に
おいて、媒体層が非晶質であるときの保護層膜厚と光学
的性質との関係を示す線図、第９図はこの発明の他の実
施例に係る光記録媒体において、媒体層が結晶質である
ときの媒体層膜厚と光学的性質との関係を示す線図、第
１０図はこの発明の他の実施例に係る光記録媒体におい
て、媒体層が結晶質であるときの保護層膜厚と光学的性
質との関係を示す線図である。 １・・・基板、２・・・媒体層、３・・・保護層、４・
・・冷却ノ 第２図 第 図 第 図 ５ＲＩｉ ＭＬ／Ｚ ＤＭ （ｎｍ ＋第 図 イＩＩ／ｌ １Ｉ１３ＤＰ （ｎｍ ｌ第 図 第 図 第１０図
Claims (1)
- １）基板上に少なくとも媒体層、保護層を備え媒体層に
光エネルギを照射して情報の記録、再生、消去を行う光
記録媒体において、消去時における照射光エネルギの吸
収が最大となる膜厚を有する媒体層と保護層とを備える
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145371A JPH023119A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145371A JPH023119A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023119A true JPH023119A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15383675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145371A Pending JPH023119A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129554A (en) * | 1990-04-26 | 1992-07-14 | Nippon Aluminium Mfg. Co. Ltd. | Catch-in prevention rotary valve |
| EP0683485A1 (en) | 1994-05-20 | 1995-11-22 | Nec Corporation | Phase change type optical disk |
| EP1039448A2 (en) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phase change recording with crystallization improving layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0160814B2 (ja) * | 1980-04-02 | 1989-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63145371A patent/JPH023119A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0160814B2 (ja) * | 1980-04-02 | 1989-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129554A (en) * | 1990-04-26 | 1992-07-14 | Nippon Aluminium Mfg. Co. Ltd. | Catch-in prevention rotary valve |
| EP0683485A1 (en) | 1994-05-20 | 1995-11-22 | Nec Corporation | Phase change type optical disk |
| US5521901A (en) * | 1994-05-20 | 1996-05-28 | Nec Corporation | Re-writable phase change type optical disk with suppressed recording mark distortion |
| EP1039448A2 (en) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phase change recording with crystallization improving layer |
| EP1039448A3 (en) * | 1999-03-26 | 2001-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phase change recording with crystallization improving layer |
| US6416837B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium, a method for manufacturing the same and a method for recording/reproducing information thereon |
| EP1396853A2 (en) * | 1999-03-26 | 2004-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phase change recording with crystallization improving layer |
| EP1396853A3 (en) * | 1999-03-26 | 2004-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phase change recording with crystallization improving layer |
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