JPH02128330A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH02128330A JPH02128330A JP63281578A JP28157888A JPH02128330A JP H02128330 A JPH02128330 A JP H02128330A JP 63281578 A JP63281578 A JP 63281578A JP 28157888 A JP28157888 A JP 28157888A JP H02128330 A JPH02128330 A JP H02128330A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高い感度を有し、記録情報の長期信転性に優れ
た、書き換え可能な光ディスクの光記録媒体に関する。
た、書き換え可能な光ディスクの光記録媒体に関する。
近年情報記録の高密度化、大容量化に対する要求が高ま
り、国内外でその研究開発が盛んに行なわれているが、
とくにレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の
磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度
を有−し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接
触状態で情報の記録。
り、国内外でその研究開発が盛んに行なわれているが、
とくにレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の
磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度
を有−し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接
触状態で情報の記録。
再生ができるために記録媒体の損傷も少なく、長寿命で
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記型、書
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生用ディスクであり、
追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはでき
るが、記録した情報の消去は不可能なものである。これ
に対して書き換え型は情報の記録、再生とさらに記録済
みの情報を消去して書き換えることが可能であり、コン
ピュータ用のデータファイルとしての利用が望まれ、最
も期待の大きいものである。
き換え型の３種類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生用ディスクであり、
追記型は必要に応じて情報を記録し再生することはでき
るが、記録した情報の消去は不可能なものである。これ
に対して書き換え型は情報の記録、再生とさらに記録済
みの情報を消去して書き換えることが可能であり、コン
ピュータ用のデータファイルとしての利用が望まれ、最
も期待の大きいものである。
書き換え型のディスクについては、光磁気方式と相変態
方式の二つの記録方式の開発が進められているが、いず
れの方式も記録材料や書き込み機構などの点でなお改良
の余地が残されている１、これらのうち、相変態方式は
一般にレーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、
レーザ光のパルス出力とパルス幅とを制御することによ
って生ずる記録材料の相変態、すなわち結晶状態から非
晶質状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞ
れの状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行
なうものである。
方式の二つの記録方式の開発が進められているが、いず
れの方式も記録材料や書き込み機構などの点でなお改良
の余地が残されている１、これらのうち、相変態方式は
一般にレーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、
レーザ光のパルス出力とパルス幅とを制御することによ
って生ずる記録材料の相変態、すなわち結晶状態から非
晶質状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞ
れの状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行
なうものである。
この光変態方弐の光記録媒体の要部構成断面図を第３図
に示す、第３図においてこの光記録媒体は例えばポリカ
ーボネートなどの基板１の表面にスパッタなどによりＳ
ｔＯの下地誘電体層２を形成し、その上にＧｅＴｅなど
の記録層３を設け、さらにその上に上地誘電体層４を順
次堆積した構造をもっている。
に示す、第３図においてこの光記録媒体は例えばポリカ
ーボネートなどの基板１の表面にスパッタなどによりＳ
ｔＯの下地誘電体層２を形成し、その上にＧｅＴｅなど
の記録層３を設け、さらにその上に上地誘電体層４を順
次堆積した構造をもっている。
そしてこの相変態方式の書き換え型のディスクの記録及
び消去の方法として従来いくつか提案されているが、例
えば、記録時には円形スポットのレーザビームを使用し
、消去時には楕円形のレーザビームを使用し、レーザの
照射時間を変えて記録及び消去を行う方法があるが光学
系が複雑になるという欠点があった。そこで例えばＧｅ
Ｔｅを主成分として必要に応じて添加元素を含有した材
料のように高融点を有するとともにレーザ光を照射した
ときに非晶質状態から結晶状態に遷移する時間の短い材
料を記録層とした場合には記録時と同様の円形スポット
のレーザビームを記録時よりは低いパワーにして照射す
ると記録の消去が可能な所謂ワンビームオーバライドが
ある。しかし、この方法では新たに書き換えても非記録
部と記録スポット部とでは同じようにレーザを照射して
も光エネルギの吸収率が異なるために、新たに記録スポ
ット部または非記録部になった部分は以前の状態の影響
を受けるために消え残るという現象が生ずる。
び消去の方法として従来いくつか提案されているが、例
えば、記録時には円形スポットのレーザビームを使用し
、消去時には楕円形のレーザビームを使用し、レーザの
照射時間を変えて記録及び消去を行う方法があるが光学
系が複雑になるという欠点があった。そこで例えばＧｅ
Ｔｅを主成分として必要に応じて添加元素を含有した材
料のように高融点を有するとともにレーザ光を照射した
ときに非晶質状態から結晶状態に遷移する時間の短い材
料を記録層とした場合には記録時と同様の円形スポット
のレーザビームを記録時よりは低いパワーにして照射す
ると記録の消去が可能な所謂ワンビームオーバライドが
ある。しかし、この方法では新たに書き換えても非記録
部と記録スポット部とでは同じようにレーザを照射して
も光エネルギの吸収率が異なるために、新たに記録スポ
ット部または非記録部になった部分は以前の状態の影響
を受けるために消え残るという現象が生ずる。
このように古い情報を消しながら書き込むというワンビ
ームオーバライドを実施しようとする場合には記録スポ
ット部と非記録部とではレーザビームを照射したときの
光エネルギの吸収率が異なるために古い情報が消え残る
というのが従来の光記録媒体の欠点となっている。
ームオーバライドを実施しようとする場合には記録スポ
ット部と非記録部とではレーザビームを照射したときの
光エネルギの吸収率が異なるために古い情報が消え残る
というのが従来の光記録媒体の欠点となっている。
本発明の目的は照射した光エネルギを高い効率で吸収で
きるようにするだけでなく、非記録あるいは記録の状態
にかかわらず記録層のすべての箇所で同じ吸収率を実現
してワンビームオーバライド時の消え残りを生ずること
のない光記録媒体を提供することにある。
きるようにするだけでなく、非記録あるいは記録の状態
にかかわらず記録層のすべての箇所で同じ吸収率を実現
してワンビームオーバライド時の消え残りを生ずること
のない光記録媒体を提供することにある。
本発明は上記ｌ［！ＪＩを解決するために光の多重反射
を考慮に入れて記録層が記録スボント部に相当する非晶
質状態のときの吸収率を＾ａｍｏｒとし、記録層が非記
録部に相当する結晶状態のときの吸収率をＡｃｒｙｓと
したときに、 Ａｃｒｙｓ となるように記録層および誘電体層の膜厚を規定したも
のである。
を考慮に入れて記録層が記録スボント部に相当する非晶
質状態のときの吸収率を＾ａｍｏｒとし、記録層が非記
録部に相当する結晶状態のときの吸収率をＡｃｒｙｓと
したときに、 Ａｃｒｙｓ となるように記録層および誘電体層の膜厚を規定したも
のである。
（作用〕
上記のようにした本発明の光記録媒体は記録スポット部
と非記録部にレーザ光を照射したときに光エネルギの吸
収率が同じなので熱履歴が同じになり、ワンビームオー
バライドを実施しても以前の記録が消え残るということ
はない。
と非記録部にレーザ光を照射したときに光エネルギの吸
収率が同じなので熱履歴が同じになり、ワンビームオー
バライドを実施しても以前の記録が消え残るということ
はない。
再び第３図を参照し、基板ｌとしてポリカーボネート
（複素屈折率ｉｉ −１，５８）、下地誘電体層２およ
び上地誘電体層４として５ｉＯ（ｉ＞ ＝ １．８２−
０．００５＋）記録層３としてＧｏＴｏ （結晶状Ｂ
： Ｆｌ −４，２３−３，８８り。
（複素屈折率ｉｉ −１，５８）、下地誘電体層２およ
び上地誘電体層４として５ｉＯ（ｉ＞ ＝ １．８２−
０．００５＋）記録層３としてＧｏＴｏ （結晶状Ｂ
： Ｆｌ −４，２３−３，８８り。
非晶質状Ｂ ： ｉ’ｉ −３，８７−０，５３４１）
を材料として使用したときの実施例について述べる。第
３図において下地の誘電体層２の厚さを１０Ｏｎ−に固
定したときに、上地の誘電体Ｎ４と記録層３の厚さを変
えたときの吸収率１反射率のコントラスト及び吸収率の
コントラストをこれらの値で区分すると第１図のように
なる。第１図では非晶質状態での吸収率へａｍｏｒと結
晶状態での吸収率Ａｃｒｙｓが０．５以上の領域と下記
１１１式で定義した反射率コントラス）ＣＩが０．５以
上と０．６ 以上の領域と（２）式で定義 した吸収率コントラストＣ６が０．１以下と０．０５以
下の領域を示し１である。
を材料として使用したときの実施例について述べる。第
３図において下地の誘電体層２の厚さを１０Ｏｎ−に固
定したときに、上地の誘電体Ｎ４と記録層３の厚さを変
えたときの吸収率１反射率のコントラスト及び吸収率の
コントラストをこれらの値で区分すると第１図のように
なる。第１図では非晶質状態での吸収率へａｍｏｒと結
晶状態での吸収率Ａｃｒｙｓが０．５以上の領域と下記
１１１式で定義した反射率コントラス）ＣＩが０．５以
上と０．６ 以上の領域と（２）式で定義 した吸収率コントラストＣ６が０．１以下と０．０５以
下の領域を示し１である。
ｃｒｙｓ
ここで、Ｃ５：反射率コントラスト
Ｒａｍｏｒ ：非晶質状態での反射率Ｒｃｒｙｓ
：結晶状態での反射率 ｃｒｙｓ ＣＡ ：吸収率コントラスト Ａａ糟ｏｒ ：非晶質状態での吸収率Ａｃｒｙｓ
：結晶状態での吸収率 第１図中黒丸で示した３つの点５，６．７はいずれも結
晶状態と非晶質状態での吸収率が０．５以上１反射率コ
ントラストも０．６以上と高く、光エネルギの吸収効率
が高く、低パワーで書込及び消去ができ、かつ高いＣ／
Ｎが期待できる膜厚構成を有する。
：結晶状態での反射率 ｃｒｙｓ ＣＡ ：吸収率コントラスト Ａａ糟ｏｒ ：非晶質状態での吸収率Ａｃｒｙｓ
：結晶状態での吸収率 第１図中黒丸で示した３つの点５，６．７はいずれも結
晶状態と非晶質状態での吸収率が０．５以上１反射率コ
ントラストも０．６以上と高く、光エネルギの吸収効率
が高く、低パワーで書込及び消去ができ、かつ高いＣ／
Ｎが期待できる膜厚構成を有する。
ただしこの３つの点で異なるのは吸収率コン−ナラスト
で黒丸５の点ではＣＡ ＜０．０５で、黒丸６の点では
０．０５＜ ＣＡ＜０．１で、黒丸７の点ではＣＡ〉０
．１である。そこでポリカーボネート基板１上に下地の
誘電体層２としてＳｉＯを１１００ｎコーテイングした
後、次のように３つの条件で記ｆｉｌ’Ｗ３としてＧｅ
Ｔｅと上地の誘電体層４としてＳｉＯをコーティングし
、ディスクを作成した。
で黒丸５の点ではＣＡ ＜０．０５で、黒丸６の点では
０．０５＜ ＣＡ＜０．１で、黒丸７の点ではＣＡ〉０
．１である。そこでポリカーボネート基板１上に下地の
誘電体層２としてＳｉＯを１１００ｎコーテイングした
後、次のように３つの条件で記ｆｉｌ’Ｗ３としてＧｅ
Ｔｅと上地の誘電体層４としてＳｉＯをコーティングし
、ディスクを作成した。
記録層（ｎ−） 上地誘電体層（ｎ−）黒丸５の点
１３０ １５０ 黒丸６の点 １３０ １８０ 黒丸７の点 １３０ １５０ そしてこれらのディスクを周速８ ｖｇ／ｓで書込みパ
ワー１５ｍＷ、消去パワー１１１で２ ＭＨｚでスパッ
タのままの状態のディスクに書込みを実施した後、更に
１ 、５ＭＨｚでワンビームオーバライドを実施した結
果を第２図に示す、第２図はそのときの吸収率コントラ
ストＣＡの値とＣ／Ｎ比の関係を、これら３種のディス
クから求めた線図である。その結果吸収率コントラスト
が低い程オーバライド以前のデータＳ鼻−存率が低く、
特に吸収率コントラストが０．０５以下では残存率が２
ｄＢとほぼ完全に消すことが可能となった。すなわち第
１図の点５の属する領域のものは消え残りがないと言え
る。
１３０ １５０ 黒丸６の点 １３０ １８０ 黒丸７の点 １３０ １５０ そしてこれらのディスクを周速８ ｖｇ／ｓで書込みパ
ワー１５ｍＷ、消去パワー１１１で２ ＭＨｚでスパッ
タのままの状態のディスクに書込みを実施した後、更に
１ 、５ＭＨｚでワンビームオーバライドを実施した結
果を第２図に示す、第２図はそのときの吸収率コントラ
ストＣＡの値とＣ／Ｎ比の関係を、これら３種のディス
クから求めた線図である。その結果吸収率コントラスト
が低い程オーバライド以前のデータＳ鼻−存率が低く、
特に吸収率コントラストが０．０５以下では残存率が２
ｄＢとほぼ完全に消すことが可能となった。すなわち第
１図の点５の属する領域のものは消え残りがないと言え
る。
以上述べたようにこの発明によれば、光の多重反射を考
慮に入れて吸収率コントラストが０．０５以下になるよ
うに誘電体層及び記録層の膜厚構成を設計して作成した
ディスクをワンビームオーバライドを実施しても消え残
りのほとんどない光記録媒体が得られる。
慮に入れて吸収率コントラストが０．０５以下になるよ
うに誘電体層及び記録層の膜厚構成を設計して作成した
ディスクをワンビームオーバライドを実施しても消え残
りのほとんどない光記録媒体が得られる。
第１図は光記録媒体の吸収率１反射率コントラスト、吸
収率コントラストの膜厚依存性を表わす線図、第２図は
吸収率コントラストを変えたときの書き込み後のＣ／Ｎ
とオーバライド後のＣ／Ｎの関係を示した線図、第３図
は光記録媒体の要部構成を示した断面図である。 １：基板、２：下地誘電体層、３：記録層、４：上地誘
電体層、５：吸収率コントラストが０．０５以下の点、
６：＠収率コントラストが０．０５以上０．１ 以下の点、 ７ ： 吸収率コン トラス トが０．１ 以上の点。
収率コントラストの膜厚依存性を表わす線図、第２図は
吸収率コントラストを変えたときの書き込み後のＣ／Ｎ
とオーバライド後のＣ／Ｎの関係を示した線図、第３図
は光記録媒体の要部構成を示した断面図である。 １：基板、２：下地誘電体層、３：記録層、４：上地誘
電体層、５：吸収率コントラストが０．０５以下の点、
６：＠収率コントラストが０．０５以上０．１ 以下の点、 ７ ： 吸収率コン トラス トが０．１ 以上の点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に下地誘電体層、記録層、上地誘電体層をこ
の順に積層し、レーザ光を照射して前記記録層に可逆的
相変態を起こさせることにより情報の記録、再生、消去
を行ない、前記下地誘電体層の厚さが１００ｎｍ、前記
記録層の非晶質状態の吸収率（Ａａｍｏｒ）＞０．５、
結晶状態の吸収率（Ａｃｒｙｓ）＞０．５なる光記録媒
体であって、前記上地誘電体層と記録層が互に下記条件
を満足する厚さを有することを特徴とする光記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281578A JPH02128330A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281578A JPH02128330A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128330A true JPH02128330A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17641121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281578A Pending JPH02128330A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02128330A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109113A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Nec Corp | 相変化型光デイスク |
| JPH07320298A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
| US5631895A (en) * | 1994-10-18 | 1997-05-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
| WO1999054875A2 (en) * | 1998-04-20 | 1999-10-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritable optical information medium |
| WO2002049025A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149238A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH0296940A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Hitachi Ltd | 相変化光情報記録担体とそれを用いる相変化光情報記録方式 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63281578A patent/JPH02128330A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149238A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH0296940A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Hitachi Ltd | 相変化光情報記録担体とそれを用いる相変化光情報記録方式 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109113A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Nec Corp | 相変化型光デイスク |
| JPH07320298A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
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| WO1999054875A2 (en) * | 1998-04-20 | 1999-10-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritable optical information medium |
| WO1999054875A3 (en) * | 1998-04-20 | 1999-12-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rewritable optical information medium |
| WO2002049025A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
| EA005347B1 (ru) * | 2000-12-15 | 2005-02-24 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Оптический носитель информации и его использование |
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