JPS62250529A - 光多重記録方法 - Google Patents
光多重記録方法Info
- Publication number
- JPS62250529A JPS62250529A JP61092098A JP9209886A JPS62250529A JP S62250529 A JPS62250529 A JP S62250529A JP 61092098 A JP61092098 A JP 61092098A JP 9209886 A JP9209886 A JP 9209886A JP S62250529 A JPS62250529 A JP S62250529A
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- recording
- reflectance
- crystal
- crystals
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明による情報の記録方法に関するものである。
相変化型光ディスク媒体における記録・再生および消去
方法は、特開昭５２−５０７０２号に示されるように、
記録は記録膜全体を完全に結晶化させた後半導体レーザ
光などのビームスポットを十分収束させて短時間照射し
、急熱急冷によって記録膜を完全に非晶質状態にするこ
とにより行い、また消去は、トラック方向に長い長円ス
ポットなどを用いて除熱徐冷によって非晶質状態である
記録部分をもとの結晶状態に完全に戻すことにより行っ
ていた。従来のこの方法では、記録・消去とも完全な非
晶質状態←結晶状態の相変化を利用していた。
方法は、特開昭５２−５０７０２号に示されるように、
記録は記録膜全体を完全に結晶化させた後半導体レーザ
光などのビームスポットを十分収束させて短時間照射し
、急熱急冷によって記録膜を完全に非晶質状態にするこ
とにより行い、また消去は、トラック方向に長い長円ス
ポットなどを用いて除熱徐冷によって非晶質状態である
記録部分をもとの結晶状態に完全に戻すことにより行っ
ていた。従来のこの方法では、記録・消去とも完全な非
晶質状態←結晶状態の相変化を利用していた。
上記従来技術は、情報の書き換えを確実に行うことを目
的としている為、たとえば、完全な結晶状態での反射率
を＃ Ｑ ＩＩ、完全な非晶質状態での反射率を“１″
としてこの２つの状態を利用している。従がって同一場
所には１ビツトの情報しか記録できなかった。
的としている為、たとえば、完全な結晶状態での反射率
を＃ Ｑ ＩＩ、完全な非晶質状態での反射率を“１″
としてこの２つの状態を利用している。従がって同一場
所には１ビツトの情報しか記録できなかった。
本発明の目的は、同一場所での多重記録を行う方法を提
供することにある。
供することにある。
本発明は、記録媒体に融点または転移温度の異なる何種
類かの結晶（化合物）が集まって形成された記録膜を用
い、これに対して記録時に記録膜に与えるパワー（エネ
ルギー）を適当に選ぶことを特徴とするものである。
類かの結晶（化合物）が集まって形成された記録膜を用
い、これに対して記録時に記録膜に与えるパワー（エネ
ルギー）を適当に選ぶことを特徴とするものである。
従来は、たとえ何種類かの結晶が集まって形成された膜
を用いていたとしても、情報としては完全な結晶状態あ
るいは非晶質状態での反射率を利用していた為、１ケ所
に１ビツトの情報しか記録できなかった６本発明では、
記録時のパワー（エネルギー）を適当に選ぶことにより
、最高で結晶の種類の数だけ記録情報を多くすることが
できる。
を用いていたとしても、情報としては完全な結晶状態あ
るいは非晶質状態での反射率を利用していた為、１ケ所
に１ビツトの情報しか記録できなかった６本発明では、
記録時のパワー（エネルギー）を適当に選ぶことにより
、最高で結晶の種類の数だけ記録情報を多くすることが
できる。
これは、記録時のパワー（エネルギー）の大きさにより
、融解する結晶が異なる為である。たとえば、完全な結
晶状態での反射率をｇ Ｑ ＃＃、最も融点の低い結晶
が溶けて反射率が下がった場合の最終反射率を′１″′
、次に融点が低い結晶が溶けて反射率が下がった場合の
最終反射率を“２″・・・というように、結晶の種類の
数だけ、段階的な反射率を得ることができる。このよう
な反射率変化は同一場所で起こる為、多重記録が可能と
なった。
、融解する結晶が異なる為である。たとえば、完全な結
晶状態での反射率をｇ Ｑ ＃＃、最も融点の低い結晶
が溶けて反射率が下がった場合の最終反射率を′１″′
、次に融点が低い結晶が溶けて反射率が下がった場合の
最終反射率を“２″・・・というように、結晶の種類の
数だけ、段階的な反射率を得ることができる。このよう
な反射率変化は同一場所で起こる為、多重記録が可能と
なった。
また、融点の異なる結晶がそれぞれ１種類だけ形成され
ている膜を多層にしても、同じような多重記録が行える
。
ている膜を多層にしても、同じような多重記録が行える
。
記録膜組成によっては、非晶質化すると反射率が上昇す
る場合があるが、この場合も段階的に反射率が上昇すれ
ば本発明が適用できる。
る場合があるが、この場合も段階的に反射率が上昇すれ
ば本発明が適用できる。
以下１本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１
第１図は、記録時の記録パワー（エネルギー）とその時
の反射率との関係を示したものである。
の反射率との関係を示したものである。
本実施例では、試料は固定して同一場所での反射率変化
を調べた。まず、ガラス基板上に書き換え可能なＳ ｎ
−Ｔ ｅ −Ｓ ｅ系記録膜を１１００ｎ蒸着した。
を調べた。まず、ガラス基板上に書き換え可能なＳ ｎ
−Ｔ ｅ −Ｓ ｅ系記録膜を１１００ｎ蒸着した。
この記録膜上の保護層として５ｉ０２を１１００ｎ形成
した。この試料に半導体レーザを用いて記録を行った。
した。この試料に半導体レーザを用いて記録を行った。
第１図において、記録前の反射率（すなわち完全な結晶
状態）をａ〔％〕とする。この膜に、記録パワーをＡ（
ｍｗ／ａｉ）加えると融点が一番低い結晶■が融解して
照射部分の反射率がｂ〔％〕に変化した６次に、同一場
所に記録パワーをＢ （ｍ ｗ ／ ａｌ ）加えると
次に融点が低い結晶■が融解して反射率がＣ〔％〕に変
化した。この同一場所に記録パワーをＣ（ｍｗ／ｃｄ）
加えると最後に、結晶■が融解して反射率がｄ〔％〕に
変化した。この記録パワー〇（ｍｗ／ｃｙ＃）よりも大
きい場合には、反射率はｄ〔％〕から変化しなかった。
状態）をａ〔％〕とする。この膜に、記録パワーをＡ（
ｍｗ／ａｉ）加えると融点が一番低い結晶■が融解して
照射部分の反射率がｂ〔％〕に変化した６次に、同一場
所に記録パワーをＢ （ｍ ｗ ／ ａｌ ）加えると
次に融点が低い結晶■が融解して反射率がＣ〔％〕に変
化した。この同一場所に記録パワーをＣ（ｍｗ／ｃｄ）
加えると最後に、結晶■が融解して反射率がｄ〔％〕に
変化した。この記録パワー〇（ｍｗ／ｃｙ＃）よりも大
きい場合には、反射率はｄ〔％〕から変化しなかった。
この５ｎ−Ｔｅ−８ｅ系記録膜でできる結晶は、Ｔ ｅ
、 ５ｎＴｅ、 ５ｎＳｅの３種類であり、これが前
記の結晶ｘ、ｎ、ｍに対応している。すべての結晶が融
解する記録パワー（エネルギー）であれば膜全体の反射
率は変化しない。従来は、反射率ａ（％〕とｄ〔％〕と
の間での相変化を利用していた。このように、融点の異
った結晶で形成された膜を用いて記録パワーを適当に選
ぶことにより、同一場所での多重記録が可能となった。
、 ５ｎＴｅ、 ５ｎＳｅの３種類であり、これが前
記の結晶ｘ、ｎ、ｍに対応している。すべての結晶が融
解する記録パワー（エネルギー）であれば膜全体の反射
率は変化しない。従来は、反射率ａ（％〕とｄ〔％〕と
の間での相変化を利用していた。このように、融点の異
った結晶で形成された膜を用いて記録パワーを適当に選
ぶことにより、同一場所での多重記録が可能となった。
本実施例では１反射率がａ〔％〕からｄ〔％〕まで４種
類あり、１点に記録できる情報としては従来の１ビツト
から２ビツトへと２倍多くすることができた。消去はパ
ルス幅の広いレーザ光照射によって行うことができた。
類あり、１点に記録できる情報としては従来の１ビツト
から２ビツトへと２倍多くすることができた。消去はパ
ルス幅の広いレーザ光照射によって行うことができた。
本実施例ではレーザビームによる記録の例を述 ・べ
たが、電子線、イオン線などの他のビームを用いてもよ
い。
たが、電子線、イオン線などの他のビームを用いてもよ
い。
また、本実施例では結晶−非晶質間の相変化を利用して
てるが、転移温度の異なる複数の結晶−結晶間の相変化
を利用してもよい。
てるが、転移温度の異なる複数の結晶−結晶間の相変化
を利用してもよい。
実施例２
第２図は、他の実施例の光ディスクの断面構造図を示し
たものである。
たものである。
まず、ガラス基板１の上、記録膜をＳ、ｔ（ｈ膜と交互
に形成し、三層構造としたにの時、記録膜２は三層の中
で一番融点の低い結晶１種類だけで形成されているもの
で、本実施例では膜厚８０ｎｍのＳ ｂ −Ｔ ｅ膜と
した。（結晶は５ｂ２Ｔｅａ）記録膜３は二番目に融点
の低い結晶１種類だけで形成されているもので、膜厚４
０ｎｍのＳ ｎ −Ｔ ｅ系薄膜とした（結晶は５ｎＴ
ｅ）。記録膜４は三層の中で最も融点が高い結晶１種類
だけで形成されているもので、膜厚４０ｎｍのＳ ｎ
−Ｓ ｅ系薄膜とした（結晶は５ｎＳｅ） 、 ５ｉＯ
ｚ膜５はそれぞれ約１０ｎｍに形成した。記録は、半導
体レーザ光を絞り込みレンズ６により約１．６μｍφの
光スポットに収束し、結晶化してる膜を急熱急冷により
非晶質化することにより行った。この場合、記録時のパ
ワーを適当に変えることにより、記録膜２より順次非晶
質化することができる。本実施例では、同一場所で反射
率は４種類に変化させることができ、情報としてを従来
の１ビツトから２ビツトへと２倍多くすることができた
。
に形成し、三層構造としたにの時、記録膜２は三層の中
で一番融点の低い結晶１種類だけで形成されているもの
で、本実施例では膜厚８０ｎｍのＳ ｂ −Ｔ ｅ膜と
した。（結晶は５ｂ２Ｔｅａ）記録膜３は二番目に融点
の低い結晶１種類だけで形成されているもので、膜厚４
０ｎｍのＳ ｎ −Ｔ ｅ系薄膜とした（結晶は５ｎＴ
ｅ）。記録膜４は三層の中で最も融点が高い結晶１種類
だけで形成されているもので、膜厚４０ｎｍのＳ ｎ
−Ｓ ｅ系薄膜とした（結晶は５ｎＳｅ） 、 ５ｉＯ
ｚ膜５はそれぞれ約１０ｎｍに形成した。記録は、半導
体レーザ光を絞り込みレンズ６により約１．６μｍφの
光スポットに収束し、結晶化してる膜を急熱急冷により
非晶質化することにより行った。この場合、記録時のパ
ワーを適当に変えることにより、記録膜２より順次非晶
質化することができる。本実施例では、同一場所で反射
率は４種類に変化させることができ、情報としてを従来
の１ビツトから２ビツトへと２倍多くすることができた
。
本発明によれば、同一場所での反射率変化が段階的に得
られる為、多重記録が可能となった。
られる為、多重記録が可能となった。
第１図は本発明の一実施例の、記録時のパワー（エネル
ギー）とその時の記録膜全体の反射率を示した図である
。第２図は本発明の他実施例の、ディスク断面構造図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・５ ｂ −Ｔ ｅ膜、３
・・・５ｎ−Ｔ” ｅ系薄膜、４− Ｓ ｎ −Ｓ ｅ
系薄膜、５ ・＝ＳｉＯ１膜。 ６・・・絞り込みレンズ。 劣 １ 図 冨 ２ 図
ギー）とその時の記録膜全体の反射率を示した図である
。第２図は本発明の他実施例の、ディスク断面構造図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・５ ｂ −Ｔ ｅ膜、３
・・・５ｎ−Ｔ” ｅ系薄膜、４− Ｓ ｎ −Ｓ ｅ
系薄膜、５ ・＝ＳｉＯ１膜。 ６・・・絞り込みレンズ。 劣 １ 図 冨 ２ 図
Claims (1)
- １、原子配列変化によつて記録を行う光ディスク媒体に
情報の記録・再生および消去を行う方法において、融点
または転移温度の異なる物質を何種類か含んだ記録膜を
用い、かつ記録時のエネルギーを適当に選ぶことにより
、同一場所での反射率を多段階に変化させ、多値記録を
行うことを特徴とする光多重記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092098A JPS62250529A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 光多重記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092098A JPS62250529A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 光多重記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250529A true JPS62250529A (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=14044969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61092098A Pending JPS62250529A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 光多重記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62250529A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173432A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方法 |
| JPH01243237A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方法 |
| JPH01245441A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0214427A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
| US5136573A (en) * | 1988-06-30 | 1992-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording apparatus and method |
| JP2007287254A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Japan Atomic Energy Agency | 多層多値記録型光記録媒体 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP61092098A patent/JPS62250529A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173432A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方法 |
| JPH01243237A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方法 |
| JPH01245441A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0214427A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
| US5136573A (en) * | 1988-06-30 | 1992-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording apparatus and method |
| JP2007287254A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Japan Atomic Energy Agency | 多層多値記録型光記録媒体 |
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