JPH01243237A - 情報記録方法 - Google Patents
情報記録方法Info
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- JPH01243237A JPH01243237A JP63071514A JP7151488A JPH01243237A JP H01243237 A JPH01243237 A JP H01243237A JP 63071514 A JP63071514 A JP 63071514A JP 7151488 A JP7151488 A JP 7151488A JP H01243237 A JPH01243237 A JP H01243237A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- -1 polymethylene Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthine Chemical compound O=C1NC(=O)NC2=C1NC=N2 LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000025 natural resin Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、レーザー光を用いる情報記録方法に関するも
のである。
のである。
従来、光ディスクの記録層として有機色素及び金属系の
ものが知られているがそれぞれ単独の記録層でビーム系
を変えることなく記録密度を平面内で増大させることは
困難である。また最近になって記録層を媒体の厚さ方向
に重ねて記録容量を増大させる方式が提案されているが
、この場合4層上の積Jlを必要とするためビームスポ
ットの焦点深度の差で各吸収層の間隔を充分にとらない
とクロス1−一夕を生じる。また、焦点深度が深いこと
からビームスポットの位置制御が困難である。
ものが知られているがそれぞれ単独の記録層でビーム系
を変えることなく記録密度を平面内で増大させることは
困難である。また最近になって記録層を媒体の厚さ方向
に重ねて記録容量を増大させる方式が提案されているが
、この場合4層上の積Jlを必要とするためビームスポ
ットの焦点深度の差で各吸収層の間隔を充分にとらない
とクロス1−一夕を生じる。また、焦点深度が深いこと
からビームスポットの位置制御が困難である。
さらに、特性の類似した記録層を積層させる場合レーザ
ーパワーの制御が困難である上に、解像度が劣るという
問題がある。
ーパワーの制御が困難である上に、解像度が劣るという
問題がある。
本発明は、従来技術に見られる前記の如き欠点のない新
しい高密度情報記録方法を提供することを目的とする。
しい高密度情報記録方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、第1の発明として、基板上に高反射性
の第1記録層と、該第1記録層よりも低い反射率を有す
る第2記録層を基板面から」二層に向けてその順に積層
させた構造を有する記録媒体に対し、該基板側からレー
ザー光を照射することからなり、該レーザー光吸収量を
調節して該第1記録層のみにピットを形成する第1信号
レベルによる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該
第1記録1台と第2記録層の両者にピッ1〜を形成する
第2信号レベルによる記録を行うことを特徴とする情報
記録方法が提供される。また、第2の発明として、基板
上に高反射性の第1記録層と、該第1記録層よりも低い
反射率詮有する第2記録層を上層から基板面に向けてそ
の順に積1f!jさせた構造を有する記録媒体に対し、
該記録層側からレーザー光を照射することからなり、レ
ーザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピッ1へ
を形成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー光
吸収量を調節して該第1記録層と該第2記録層の両者に
ピット□を形成する第2信号レベルによる記録を行うこ
とを特徴とする情報記録方法が提供される。
の第1記録層と、該第1記録層よりも低い反射率を有す
る第2記録層を基板面から」二層に向けてその順に積層
させた構造を有する記録媒体に対し、該基板側からレー
ザー光を照射することからなり、該レーザー光吸収量を
調節して該第1記録層のみにピットを形成する第1信号
レベルによる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該
第1記録1台と第2記録層の両者にピッ1〜を形成する
第2信号レベルによる記録を行うことを特徴とする情報
記録方法が提供される。また、第2の発明として、基板
上に高反射性の第1記録層と、該第1記録層よりも低い
反射率詮有する第2記録層を上層から基板面に向けてそ
の順に積1f!jさせた構造を有する記録媒体に対し、
該記録層側からレーザー光を照射することからなり、レ
ーザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピッ1へ
を形成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー光
吸収量を調節して該第1記録層と該第2記録層の両者に
ピット□を形成する第2信号レベルによる記録を行うこ
とを特徴とする情報記録方法が提供される。
本発明で使用される光情報記録媒体は、基本的には基板
上に第1記録層及び第2記録層を設けることにより構成
されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下引き層
をあるいは記録層の上に保護層を設けることができる。
上に第1記録層及び第2記録層を設けることにより構成
されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下引き層
をあるいは記録層の上に保護層を設けることができる。
また、このようにして構成された一対の記録媒体を記録
層を内側にして □他の基板と空間を介して密封したエ
アーサンドインチ構造にしてもよくあるいは保護JeJ
を介して接着した密着サンドイッチ(貼合せ構造)にし
てもよい。
層を内側にして □他の基板と空間を介して密封したエ
アーサンドインチ構造にしてもよくあるいは保護JeJ
を介して接着した密着サンドイッチ(貼合せ構造)にし
てもよい。
次に、本発明で使用される光情報記録媒体を構成する材
料および各JP7の必要特性について具体的に説明する
。
料および各JP7の必要特性について具体的に説明する
。
(1)基板
基板としては例えばアクリル樹脂(PMMA)、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂などのプラス
チック、ガラス、セラミックなどが用いられる。基板の
必要特性としては基板側より記録再生を行う場合のみ使
用レーザー光に対して透明でなければならず、記録層側
から行う場合は透明である必要はない。なお、基板の表
面にはアドレス信号などのプレフォーマットや案内溝の
プレグルーブが形成されていてもよい。
ーボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂などのプラス
チック、ガラス、セラミックなどが用いられる。基板の
必要特性としては基板側より記録再生を行う場合のみ使
用レーザー光に対して透明でなければならず、記録層側
から行う場合は透明である必要はない。なお、基板の表
面にはアドレス信号などのプレフォーマットや案内溝の
プレグルーブが形成されていてもよい。
(2)第1記録層
第1記録層としては例えば金属、半金属またはその化合
物からなる金属系記録層が用いられる。
物からなる金属系記録層が用いられる。
金属の例としてTe系金属、Se、 Bi、 Sb、
Sn、 Pb、^g、 Cuなどがあげられる。また、
これらの金属、半金属またはその化合物はそれぞれ単独
で用いてもよいし2種以上組合せて合金としてもよくあ
るいは2種以上の積層としてもよい。金属系記録層は主
として蒸着によって形成され、その膜厚は100人〜1
0μmである。
Sn、 Pb、^g、 Cuなどがあげられる。また、
これらの金属、半金属またはその化合物はそれぞれ単独
で用いてもよいし2種以上組合せて合金としてもよくあ
るいは2種以上の積層としてもよい。金属系記録層は主
として蒸着によって形成され、その膜厚は100人〜1
0μmである。
(3)第2記録層
有機系色素記録ノーが用いられる。記録層の主成分とし
てポリメチン系、フタロシアニン系、≠トラヒドロコリ
ン系、ジオキザシン系、1〜リフエツチアジン系、フエ
ナン支しン系、アン1−ラキノン(インダンスレン)系
、キサンチン系、1〜リフエニルメタン系、アズレン系
などの色素が用いられるが、記録特性および安定性向上
のために前記色素を2種以上組合せても積層させてもよ
い。また、記録層はその他に高分子材料、保存安定剤(
例えば、金属錯体、フェノール系化合物など)、分散剤
、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤などを含有してい
てもよい。
てポリメチン系、フタロシアニン系、≠トラヒドロコリ
ン系、ジオキザシン系、1〜リフエツチアジン系、フエ
ナン支しン系、アン1−ラキノン(インダンスレン)系
、キサンチン系、1〜リフエニルメタン系、アズレン系
などの色素が用いられるが、記録特性および安定性向上
のために前記色素を2種以上組合せても積層させてもよ
い。また、記録層はその他に高分子材料、保存安定剤(
例えば、金属錯体、フェノール系化合物など)、分散剤
、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤などを含有してい
てもよい。
記録層の形成は蒸着、スパッタリング、CVDまたは溶
液塗布などの通常の手段によって行なうことができる。
液塗布などの通常の手段によって行なうことができる。
溶液塗布による場合には有機溶媒例えばアルコール類、
ケトン類、アミド類、エーテル類、スルホキシド類、エ
ステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族顔中に
上記色素を溶解してスプレー、スピナー、デイツプ、ブ
レード、ローラーなどの慣用のコーティング法によって
行なわれる。記録層の膜厚は100人〜10μm、好ま
しくは200人〜2μmである。
ケトン類、アミド類、エーテル類、スルホキシド類、エ
ステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族顔中に
上記色素を溶解してスプレー、スピナー、デイツプ、ブ
レード、ローラーなどの慣用のコーティング法によって
行なわれる。記録層の膜厚は100人〜10μm、好ま
しくは200人〜2μmである。
(4)下引き層
下引き層は(a)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
プレグルーブの形成などを目的として使用される。(a
)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹脂
、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分
子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及び
シランカップリング剤などを用いることができ、(b)
及び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に無機
化合物例えば、5iOz、MgF2、Sin、 Tie
、、ZnO,TiN、 SiNなど、金属または半金属
例えばZn、 Cu、S、 Ni、 Cr、 Ge、S
e、 Au、 Ag、AQなどを用いることができる。
のバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
プレグルーブの形成などを目的として使用される。(a
)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹脂
、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分
子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及び
シランカップリング剤などを用いることができ、(b)
及び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に無機
化合物例えば、5iOz、MgF2、Sin、 Tie
、、ZnO,TiN、 SiNなど、金属または半金属
例えばZn、 Cu、S、 Ni、 Cr、 Ge、S
e、 Au、 Ag、AQなどを用いることができる。
また、(d)の目的に対しては金属、例えば、八Ω、A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン系
色素、キサンチン系色素等を用いることができ、(e)
及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化
樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層
の膜厚は0.1〜30μm、好ましくは0.2〜10μ
mが適当である。
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン系
色素、キサンチン系色素等を用いることができ、(e)
及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化
樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層
の膜厚は0.1〜30μm、好ましくは0.2〜10μ
mが適当である。
(5) 保護ノC1
保護層は記録1j’Jをキズ、ホコリ、汚れなどから保
護すること、記録JPNの保存安定性および反射率の向
上を目的として設けられ、その材料としては下引)Lグ
と同じ月料を使用することができる。保護層の膜厚は0
.05μm以」二好ましくは5戸以下が適当である。
護すること、記録JPNの保存安定性および反射率の向
上を目的として設けられ、その材料としては下引)Lグ
と同じ月料を使用することができる。保護層の膜厚は0
.05μm以」二好ましくは5戸以下が適当である。
なお、下引層と保護層中には安定剤、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有され
ていてもよい。
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有され
ていてもよい。
欣に、本発明を図面に参照して説明する。
第1図及び第2図は、本発明による記録媒体に対する情
報記録原理説明図であり、第1図は基板側から記録する
場合及び第2Mは記録層側から記録する場合についての
説明図である。
報記録原理説明図であり、第1図は基板側から記録する
場合及び第2Mは記録層側から記録する場合についての
説明図である。
本発明で用いる記録媒体においては、第1図の場合、基
板1の上面には、高反射性の第1記録層2、第1記録層
2よりも低い反射率を有する第2記録N3を基板面から
上層に向けてその順にM層した構造を有する。第2図に
示した記録媒体においては、高反射性の第1記録層2、
第1記録層2よりも低い反射率を有する第2記録層3を
上層から基板面に向けてその順に積層した構造を有する
。これら記録媒体の記録層の」二には第2図に示すよう
に記録層4を設けてもよい。
板1の上面には、高反射性の第1記録層2、第1記録層
2よりも低い反射率を有する第2記録N3を基板面から
上層に向けてその順にM層した構造を有する。第2図に
示した記録媒体においては、高反射性の第1記録層2、
第1記録層2よりも低い反射率を有する第2記録層3を
上層から基板面に向けてその順に積層した構造を有する
。これら記録媒体の記録層の」二には第2図に示すよう
に記録層4を設けてもよい。
このような構造の記録媒体においては、未記録部からは
、第1記録層2による反射光が得られ、第1記録J鐸2
のみにピットを形成した第1記録部からは、第2記録層
3による第1記録層2の反射光(未記録の場合の反射光
)よりも低い反射率の反射光が得られ、第1記録層2及
び第2記録層3の両方にピッ1−を形成した第1及び第
2記録部からは、さらに反射率の低い反射光が得られる
。このように本発明を用いることにより記録密度は約2
倍となる。第3図に、記録媒体における未記録部(A)
、第1記録部(B)、第1及び第2記録部(C)のそれ
ぞれから得られる反射率の1例をグラフとして示す。
、第1記録層2による反射光が得られ、第1記録J鐸2
のみにピットを形成した第1記録部からは、第2記録層
3による第1記録層2の反射光(未記録の場合の反射光
)よりも低い反射率の反射光が得られ、第1記録層2及
び第2記録層3の両方にピッ1−を形成した第1及び第
2記録部からは、さらに反射率の低い反射光が得られる
。このように本発明を用いることにより記録密度は約2
倍となる。第3図に、記録媒体における未記録部(A)
、第1記録部(B)、第1及び第2記録部(C)のそれ
ぞれから得られる反射率の1例をグラフとして示す。
このグラフかられかるように、本発明の場合、ビーム径
を変えることなく、記録媒体への記録及び再生を行うこ
とができる。
を変えることなく、記録媒体への記録及び再生を行うこ
とができる。
本発明により記録を行う場合、記録すべき情報に応じて
、記録層によるレーザー光の吸収量を調節する。即ち、
本発明では、使用するレーザー光の照射時間及びパワー
を調節して第1記録N2のみにピットを形成する第1信
号レベルのレーザー光と、第1記録層2と第2記録N3
の両者にピットを形成する第2信号レベルのレーザー光
を形成し、これら2種の信号レベルのレーザー光によっ
て記録を行う。この場合、レーザービームの径を変える
必要はないが、必要に応じ、レーザービームの径を変化
させることも可能である。
、記録層によるレーザー光の吸収量を調節する。即ち、
本発明では、使用するレーザー光の照射時間及びパワー
を調節して第1記録N2のみにピットを形成する第1信
号レベルのレーザー光と、第1記録層2と第2記録N3
の両者にピットを形成する第2信号レベルのレーザー光
を形成し、これら2種の信号レベルのレーザー光によっ
て記録を行う。この場合、レーザービームの径を変える
必要はないが、必要に応じ、レーザービームの径を変化
させることも可能である。
本発明で用いる記録媒体の各記録層における反射強度の
割合は、第1記録層2を第2記録層3の1.5〜3倍と
するのがよい。
割合は、第1記録層2を第2記録層3の1.5〜3倍と
するのがよい。
本発明の記録方法によれば、ビーム径を変えることなく
、2種の信号レベルによる記録を行うことができ、かつ
それに応した信号レベルの反射光を得ることができる。
、2種の信号レベルによる記録を行うことができ、かつ
それに応した信号レベルの反射光を得ることができる。
従って、本発明によれば、ピット寸法を変化させて記録
する従来の光情報記録媒体の約2倍の記録密度を得るこ
とができる。
する従来の光情報記録媒体の約2倍の記録密度を得るこ
とができる。
しかも、本発明では、その記録原理から見て、クロスト
ークが少なく、解像力の高い情報記録を行うことができ
る。
ークが少なく、解像力の高い情報記録を行うことができ
る。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例1
ポリカーボネート基板上に18を真空蒸着し、膜厚60
0人とし、これを第1記録層とした。次に銅フタロシア
ニンを真空蒸着し、膜厚800人としこれを第2記録層
とした。
0人とし、これを第1記録層とした。次に銅フタロシア
ニンを真空蒸着し、膜厚800人としこれを第2記録層
とした。
実施例2
ポリメチルメタクリレート基板」二にフォトポリマー樹
脂を転写し、その上に、下記に示すシアニン色素を1,
2ジクロロエタンに溶解し、スピンコードを行い膜厚を
700人とし、これを第2記録層とした。さらにこの上
にTe/Se (9/ ]、 )を真空蒸着し膜厚を5
00Aとし、これを第1記録層とした。
脂を転写し、その上に、下記に示すシアニン色素を1,
2ジクロロエタンに溶解し、スピンコードを行い膜厚を
700人とし、これを第2記録層とした。さらにこの上
にTe/Se (9/ ]、 )を真空蒸着し膜厚を5
00Aとし、これを第1記録層とした。
実施例3
ポリカーボネート基板上にTeを真空蒸着し、膜厚を4
00人とし、これを第1記録層とした。次に実施例2で
示したシアニン色素をメタノール/1,2ジクロロエタ
ン(8/2)溶液に溶解し、これを第1記録層上にスピ
ンコードし第2記録層とした。
00人とし、これを第1記録層とした。次に実施例2で
示したシアニン色素をメタノール/1,2ジクロロエタ
ン(8/2)溶液に溶解し、これを第1記録層上にスピ
ンコードし第2記録層とした。
次に、実施例1及び3で得た記録媒体を基板側から波長
790nmの半導体レーザー光を用いて、記録周波数0
.5MHz、線速]=5m/secで第1記録層のみを
記録し、その記録部の反射率を測定したところ、実施例
1の記録媒体では14.5%、実施例3の記録媒体では
16%であった。また、未記録部の反射率は、11一 実施例1の場合では49%、実施例2の場合では44%
であった。同様にして第1記録層と第2記録層の両方を
記録し、その記録部の反射率を測定したところ、その反
射率は、実施例1では7.5%、実施例3では6%であ
った。
790nmの半導体レーザー光を用いて、記録周波数0
.5MHz、線速]=5m/secで第1記録層のみを
記録し、その記録部の反射率を測定したところ、実施例
1の記録媒体では14.5%、実施例3の記録媒体では
16%であった。また、未記録部の反射率は、11一 実施例1の場合では49%、実施例2の場合では44%
であった。同様にして第1記録層と第2記録層の両方を
記録し、その記録部の反射率を測定したところ、その反
射率は、実施例1では7.5%、実施例3では6%であ
った。
一方、実施例2で得た記録媒体を、記録層側から前記と
全く同様にして記録し、その記録部の反射率を測定した
ところ、第1記録層のみの記録部では15%、第1記録
層及び第2記録層の両方を記録した記録部の反射率は6
%であった。
全く同様にして記録し、その記録部の反射率を測定した
ところ、第1記録層のみの記録部では15%、第1記録
層及び第2記録層の両方を記録した記録部の反射率は6
%であった。
第1図及び第2図は、本発明の記録方法の説明図であり
、第1図は基板側から記録する場合、第2図は記録層側
から記録する場合の説明図である。 第3図は、本発明により記録された記録媒体における未
記録部(A)、第1記録層のみの記録部(B)及び第1
記録層及び第2記録層の両方の記録部(C)のそれぞれ
に対する反射率を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・第1記録層、3・・第2記録層
、4・・・保WWI。 =12− 第1図 第2図
、第1図は基板側から記録する場合、第2図は記録層側
から記録する場合の説明図である。 第3図は、本発明により記録された記録媒体における未
記録部(A)、第1記録層のみの記録部(B)及び第1
記録層及び第2記録層の両方の記録部(C)のそれぞれ
に対する反射率を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・第1記録層、3・・第2記録層
、4・・・保WWI。 =12− 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)基板上に高反射性の第1記録層と、該第1記録層
よりも低い反射率を有する第2記録層を基板面から上層
に向けてその順に積層させた構造を有する記録媒体に対
し、該基板側からレーザー光を照射することからなり、
該レーザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピッ
トを形成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー
光吸収量を調節して該第1記録層と第2記録層の両者に
ピットを形成する第2信号レベルによる記録を行うこと
を特徴とする情報記録方法。 - (2)基板上に高反射性の第1記録層と、該第1記録層
よりも低い反射率を有する第2記録層を上層から基板面
に向けてその順に積層させた構造を有する記録媒体に対
し、該記録層側からレーザー光を照射することからなり
、レーザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピッ
トを形成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー
光吸収量を調節して該第1記録層と該第2記録層の両者
にピットを形成する第2信号レベルによる記録を行うこ
とを特徴とする情報記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071514A JP2742561B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071514A JP2742561B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 情報記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243237A true JPH01243237A (ja) | 1989-09-27 |
JP2742561B2 JP2742561B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=13462895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63071514A Expired - Fee Related JP2742561B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 情報記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2742561B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39297E1 (en) | 1994-11-17 | 2006-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
EP1764782A1 (en) * | 1994-11-17 | 2007-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk, method of manufacturing an optical disk and a reproduction apparatus |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58166546A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | 記録用部材及び記録再生方法 |
JPS615441A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光学的記録及び読み出し方法 |
JPS6173244A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録再生装置 |
JPS6194244A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Nec Corp | 光記録方式 |
JPS6242343A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-24 | Nippon Columbia Co Ltd | 光デイスク及びその再生装置 |
JPS62165751A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光多重記録法 |
JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63071514A patent/JP2742561B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58166546A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | 記録用部材及び記録再生方法 |
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JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39297E1 (en) | 1994-11-17 | 2006-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
EP1764782A1 (en) * | 1994-11-17 | 2007-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk, method of manufacturing an optical disk and a reproduction apparatus |
USRE39653E1 (en) | 1994-11-17 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
USRE40969E1 (en) | 1994-11-17 | 2009-11-10 | Panasonic Corporation | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
USRE41032E1 (en) | 1994-11-17 | 2009-12-01 | Panasonic Corporation | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
USRE41041E1 (en) | 1994-11-17 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Mark forming apparatus, method of forming laser mark on optical disk, reproducing apparatus, optical disk and method of producing optical disk |
USRE43230E1 (en) | 1994-11-17 | 2012-03-06 | Panasonic Corporation | Optical disk including a barcode pattern formed by a laser using pulse width modulation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2742561B2 (ja) | 1998-04-22 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |