JPS63217532A - 情報を記録再生する方法 - Google Patents

情報を記録再生する方法

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Publication number
JPS63217532A
JPS63217532A JP62050353A JP5035387A JPS63217532A JP S63217532 A JPS63217532 A JP S63217532A JP 62050353 A JP62050353 A JP 62050353A JP 5035387 A JP5035387 A JP 5035387A JP S63217532 A JPS63217532 A JP S63217532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
recording layer
layer
reflectance
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP62050353A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Sakaeda
栄田 辰也
Tsutomu Sato
勉 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP62050353A priority Critical patent/JPS63217532A/ja
Publication of JPS63217532A publication Critical patent/JPS63217532A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野〕 本発明は光ディスクにおける情報の記録再生方法の改良
に関する。
[従来技術] 従来、光ディスクの記録層として有機色素系および金属
系のものが知られているが、それぞれ単独の記録層でビ
ーム系を変えることなく記録密度を平面内で増大させる
ことは困難である。
また、最近になって記録層を媒体のIvさ方向に重ねて
記録容量を増大させる方式が提案されているが、この場
合4層以上の積層を必要とするためビームスポットの焦
点深度の差で各吸収層の間隔を充分にとらないとクロス
トークを生じる。また、焦点深度が深いことからビーム
スポットの位置制御が困難である。
さらに、特性の類似した記録層を積層させる場合レーザ
パワーの制御が困難である上に解像度が劣るという問題
がある。
[目  的ゴ 本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
目的は記録密度と解像度を増大させる情報の記録再生方
法を提供することである。
[構  成] 本発明の上記目的は基板上に高反射性の記録層とそれよ
りも低い反射率を有する記録層を積層させてなる記録媒
体においてレーザの吸収量により低反射の記録層にのみ
ピットを形成する場合と前記の再記録層にピットを形成
する場合とで生じる2値の信号レベルで情報を記録再生
することによって達成することができる。
本発明に用いられる記録媒体は第1図に示すように基板
1の上に反射率が低い記録層2と高反射性記録層3を積
層するかあるいは第2図に示すように基板1の上に高反
射性記録層3と反射率が低い記録層2を積層したもので
ある。また、第2図に示されるように記録層の上に保護
層を設けてもよいしあるいは基板と記録層との間に下引
き層を設けてもよい。
高反射性記録層3としては例えば金属、半金属またはそ
の化合物からなる金属系記録層が用いられる。金属の例
としてTe系金属、SC,Bl。
Sb、5n−Pb、Ag、Cuなどがあげられる。
また、これらの金属、半金属またはその化合物はそれぞ
れ単独で用いてもよいし2種以上組合せて合金としても
よくあるいは2種以上の積層としてもよい。金属系記録
層は主として蒸着によって形成され、その膜厚は100
人〜10μmである。
一方、反射率が低い記録層としては例えばを機系色素記
録層が用いられる。記録層の主成分としてポリメチン系
、フタロシアニン系、テトラヒドロコリン系、ジオキサ
ジン系、トリフエッチアジン系、フェナンスレン系、ア
ントラキノン(インダンスレン)系、キサンチン系、ト
リフェニルメタン系、アズレン系などの色素が用いられ
るが、記録特性および安定性向上のために前記色素を2
種以上組合せても積層させてもよい。また、記録層はそ
の他に高分子材料、保存安定剤(例えば、金属錯体、フ
ェノール系化合物など)、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、可塑剤などを含有していてもよい。
記録層の形成は蒸着、スパッタリング、CVDまたは溶
液塗布などの通常の手段によって行なうことができる。
溶液塗布による場合には有機溶媒例えばアルコール類、
ケトン類、アミド類、エーテル類、スルホキシド類、エ
ステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族類中に
上記色素を溶解してスプレー、スピナー、ディップ、ブ
レード、ローラーなどの慣用のコーティング法によって
行なわれる。記録層の膜厚は100人〜IOμm好まし
くは200 人〜2μmである。
基板1としては例えばアクリル樹脂(PMMA)、ポリ
カーボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂などのプラ
スチック、ガラス、セラミックなどが用いられる。基板
の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合のみ
使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録側か
ら行う場合は透明である必要はない。なお、基板の表面
にはアドレス信号などのプレフォーマットや案内溝のプ
レグルーブが形成されていてもよい。
下引き層は(a)接着性の向上、(b)水またはガスな
どのバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上および
(d)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(
「)プレグルーブの形成などを目的として使用される。
(a)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー
樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シ
リコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質およびシラ
ンカップリング剤などを用いることができ、(b)およ
び(C)の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化
合物例えばSt OMg F2.Si O,TI O2
゜2 ′ Zn O,Ti N、Si Nなど、金属または半金属
例えばZn、Cu、S、Ni、Cr、Ge、Se。
Au、Ag、ANなどを用いることができ、(d)の目
的に対しては金属例えばAg、Ag、金属光沢を有する
色素例えばメチン系色素、キサンチン系色素などを用い
ることができる。上記(C)および(f)の目的に対し
ては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など
を用いることができる。
下引き層の膜厚は0.1〜30μm好ましくは0.2〜
10μmが適当である。
保護層 保護層は記録層をキズ、ホコリ、汚れなどから保護する
こと、記録層の保存安定性および反射率の向上を目的と
して設けられ、その材料としては下引き層と同じ材料を
使用することができる。保護層の膜厚は0.05μm以
上好ましくは5μm以下が適当である。
なお、下引き層と保護層中には安定剤、分散剤、難燃剤
、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有さ
れていてもよい。
次に、本発明の光学的特性を第3図について説明すると
第1図および第2図に示すように記録層を積層構造にす
ることにより未記録の場合記録層2の反射光が得られ、
一方記録層2のみを記録することにより2よりも反射率
の高い3が現われ2のみを記録した場合よりも高い反射
光が得られる。
さらに、記録層2および3を同時に記録することにより
基板のみの反射光(低反射)が得られる。
このように本発明を用いることにより記録密度は計算上
約2倍となる。
[実 施 例] 以下の実施例により本発明をさらに説明するがこれらの
みに限定されるものではない。
実施例 1 ポリカーボネート基板上にTcを膜厚300人で真空蒸
着して第1の記録層を形成した。次に、この上に銅フタ
ロシアニンを膜厚800人で真空蒸着して第2の記録層
を形成した。
実施例 2 ポリカーボネート基板上にTe / Ss  (9/l
 )を膜厚300人で真空蒸着して第1の記録層を形成
した。次に、この上に下記式のシアニン色素をメタノー
ル/エチレンジクロライド(8/2 )の混合溶媒に溶
解した溶液をスピンコードして第2の記録層を形成した
実施例 3 ポリカーボネート基板上に実施例2で用いたシアニン色
素を実施例2と同様にしてスピンコードにより膜厚80
0人で第1の記録層を形成し次にこの上にTeを膜厚3
00人で真空蒸着して第2の記録層を形成した。
実施例1および2で作製した記録媒体に記録層側から波
長790止の半導体レーザ光を用いて記録周波数0 、
5MHz、線速1.5 m/seeで第2の記録層のみ
に記録したところ、反射率は実施例1のもので約46%
、実施例2のもので約43%であった。なお、未記録の
場合の反射率は実施例1のもので17%、実施例2のも
ので21%であった。同様にして第1および第2の記録
層双方に記録したところ、反射率は実施例1のもので約
6%、実施例2のもので約6%であった。
実施例3で作製した記録媒体について基板側から上述し
たとまったく同様にして反射率を測定したところ、未記
録の場合20%、第1の記録層のみを記録した場合45
%、第1および第2の記録層双方に記録した場合7%で
あった。
[効  果] 本発明によれば、従来の光記録媒体を用いて得られる記
録密度の約2倍の記録密度が得られ、しかもクロストー
クが少なく解像の高い記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す模式図であり、第2図
は本発明の別の実施例を示す模式図でありそして第3図
は本発明の光学的特性を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に高反射性の記録層とそれよりも低い反射率を有
    する記録層を任意の順序で積層させてなる記録媒体を用
    いて、レーザの吸収量により低反射の記録層にのみピッ
    トを形成する場合と前記の再記録層にピットを形成する
    場合とで生じる2値の信号レベルで情報を記録再生する
    方法。
JP62050353A 1987-03-06 1987-03-06 情報を記録再生する方法 Pending JPS63217532A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62050353A JPS63217532A (ja) 1987-03-06 1987-03-06 情報を記録再生する方法

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62050353A JPS63217532A (ja) 1987-03-06 1987-03-06 情報を記録再生する方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63217532A true JPS63217532A (ja) 1988-09-09

Family

ID=12856541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62050353A Pending JPS63217532A (ja) 1987-03-06 1987-03-06 情報を記録再生する方法

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