JPH0397585A

JPH0397585A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH0397585A
Application number: JP1235963A
Authority: JP
Inventors: Toru Yashiro; 徹八代; Yutaka Ueda; 裕上田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-09-12
Filing date: 1989-09-12
Publication date: 1991-04-23
Anticipated expiration: 2014-07-19
Also published as: JP2921571B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光情報記録媒体に関し，詳しくは、特定化合物
を光記録膜材料として用いた光情報記録媒体に関する．〔従来の技術〕各種の情報信号を高い記録密度で記録することについて
の要望が高まるにつれて、近年になって色々な構成原理
や動作原理に基づいて作られた情報記録媒体を用いて情
報信号の高密度記録・再生が行われるようになったこと
は周知のとおりである．例えば，（ｌ）情報記録媒体の信号面に情報信号により
強度変調された記録用ビームを照射して、基板上に形成
されている記録媒体薄膜に孔または凹部を形成させて情
報信号の記録を行う，（２）情報記録媒体の信号面に情
報信号により強度変調された記録用ビームを照射して、
基板上に形成されている記録媒体薄膜の光学定数を変化
させて情報信号の記録を行う，（３）情報記録媒体の信
号面に情報信号により強度変調された記録用ビームを照
射して、基板上に形成されている光磁気記録媒体薄膜に
情報信号の記録を行う，などの各種の記録方式であり，
並びに、前記のようにして情報信号が記録された記録媒
体に一定の強度のレーザー光ビームを照射して情報信号
の再生を行う情報信号再生方式が提案されている．だが、前記（１）の方式では、記録時に基板上の記録媒
体薄膜（記録膜）に形威される孔または凹部の輪郭に乱
れがあるとＣ／Ｎ比が劣化するという問題点があり、ま
た、記録膜上に保護膜を形成し単板とすることや密着張
合せができないという欠点をもっている．前記（２）の方式では、レーザー光パルス照射により記
録膜が相変化し、異なった相での屈折率の違いによって
記録が行なえる材料として，一般に、Ｔｅ−Ｇｅ化合物
．　Ｉｎ−Ｓａ化合物、Ｓｂ−Ｓｓ化合物、Ｓｅ−Ｔｅ
化合物などが使用されているが、これらの材料を用いた
場合，例えば結晶から非品質への相変化には１０■Ｖ以
上の高いレーザー出力が必要であり、非品質から結晶へ
の相変化では結晶化速度が遅いため高速記録・再生がで
きないという欠点をもっている．また、前記（３）の方
式では、再生出力が小さいため充分に大きなＣハ比を得
ることが困難であるという欠点をもっている，〔発明が解決しようとする課題〕本発明の目的は上記のような欠点を解消し，レーザー光
パルスの照射により記録膜の光学定数を変化させて情報
信号の記録を行うことができ，かつ高速、高感度で記録
が可能であり、大きなＣ／Ｎ比を得ることが出来る光情
報記録媒体を提供するものである．〔課題を解決するための手段〕本発明の光情報記録媒体はアンチモン．　ＩＶＢ族元素
及び硫黄を少なくとも含む化合物を記録膜として基板上
に形成したことを特徴とする．以下に本発明を添付の図
面に従がいながら更に詳細に説明する．第１図及び第２図は本発明に係る光情報記録媒体の代表
的な二例の概略図であり、図中、１は基板、２は記録層
（記録膜）、３は保護層、４は下引き層を表わしている
．本発明に係る光情報記録媒体は、最も簡単な構或のもの
では、第ｌ図に示されるように、基板１上に記録層２が
形成されていればよいが、第２図に示したように、必要
に応じて，基板１と記録層２との間に下引き層４が，ま
た記Ｓ層２上に保護層３が形成されてもよい．基板１の材料としては、透明プラスチック基板、ガラス
基板等を用いることができ、具体的には、例えば，ポリ
カーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，アクリル樹脂
，エポキシ樹脂，石英ガラス等を挙げることができる。

なお、基板の表面には、トラッキング用案内溝や案内ピ
ット，さらには、アドレス信号などのプリフォーマット
が形威されていてもよい。

記Ｉ／ｆＷ２は（１）Ｓｂ．ＭνＳｚ（０．５≦叉〈１
、０＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０．５テあッテ、ｚ＋ｙ＋
ｚ；１テある．）又は（２）Ｓｂ１ＨｙＳｚＡ　ａ　（
０．５≦ｘ＜１、Ｏ＜ｙ≦０．５．　０＜ｚ≦０．５、
０＜α≦０．５であって．　ｘ＋ｙ＋ｚ＋　（Ｅ　＝ｌ
である。）のｍ或化合物（一般式（１）（２）とも旧よ
ＩＶＢ族元素から選ばれる一つの元素である．一般式（
２）におけるＡは、ここで用いられている阿以外の他の
ＩＶＢ族元素、■Ａ族元素．　ＶＡ族元素、ＶＩＡ族元
素，■Ａ族元素、■族元素、ＩＢ族元素、Ｉ［［Ｂ族元
素、酸素及び窒素から選ばれる一つの元素である．）の
薄膜であり，特に好ましい組成は、一般弐０）の化合物
では０．６≦ｘ　＜　０　．　８　，　Ｏ　＜　ｙ≦０
．２、Ｏ＜ｚ≦０．２であってｚ＋ｙ＋ｚ：１のもので
あり、また、一般式（２）の化合物では０．５≦ｘ　（
０　．　８、０＜ｙ≦０．２、Ｏ＜ｚ≦０．２、Ｏ＜（
Ｅ≦０．２であってｚ＋ｙ＋ｚ◆α＝ｌである．更にま
た、前記化合物におけるＩＶＢ族元素のうち好ましいも
のはＳｎ又はｐｂである．Ｘ＋！及び２、またはＸｓＹ
＋Ｚ及びαの値が前記数値から外れていると感度、コン
トラスト等に低下がみられるようになる．記録層２の膜
厚は１００〜３０００入好ましくは３００〜１５００人
である。

この薄膜（記録層２）を基板１又は下引きＮ４上に形成
するには抵抗加熱方式による真空蒸着法（二元共蒸着法
，並びに，三元共蒸着法）によるのが有利であるが、ス
パッタ蒸着法，ＥＢ蒸着法によってもかまわない．下引き層４は，■水又はガスなどのバリャー層、■記録
層の保存安定性の確保，■反射率の向上、■プレグルー
プの形成などの機能を光記録媒体に付与するために設け
られる．そして，下引き層４の材料としては、前記■■
を重視すれば高分子材料（アクリル樹脂、エボキシ樹脂
など）、無機化合物（Ｓｉｎ，　，ＭｇＦ，　，Ｓｉｎ
，Ｔｉｅ，　，ＴｉＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳなど）及び金属
や半金属（Ｚｎ，Ｃｕ，Ｓ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｓｅ，
Ａｇ，Ａｕ，ＡＩ１など）が使用でき、前記■を重視す
れば金属（Ａｌ，Ａｇ，Ｔｅなど）が使用でき、前記■
を重視すれば各種の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂及び
熱可塑性樹脂が使用できる．下引き層４の厚さは，材料
の種類により異なるが，０．１〜３０μくらいが適当で
ある．保護層３は（ｉ）記録層２をキズ，ホコリ、汚れ
などから保護し、（五）記録層２の保存安定性を向上さ
せ．　（ｉｉｉ）反射率の向上せしめる，などのために
形成されるものである．保護層３の形成材料としては、
下引き層４であげた材料をそのまま使用することができ
る．保護層３の厚さは，下引き層４の場合と同様，材料
の種類により異なるが，０．１〜１００Ｉｌｍ＜らいが
適当である．なお，保護層３、下引き層４の形或手段と
しては，無機材料を形成させる場合には真空製膜方法（
蒸着法，スバッタ法など）、有機材料を形威させる場合
には溶液塗工法（スビンナーコーティング，スプレーコ
ーティング，浸漬コーティングなど）等の従来より知ら
れている方法が採用し得る．本発明に係る光記録媒体を用いて記録を行なうには、情
報信号により強度変調された記録用ビームを記録層２に
照射して、その記録層の光学定数を変化せしめるように
すればよい．また、この記録された状態の光記録媒体から再生を行う
には、記録時よりも出力パワーを小さくしたレーザー光
を照射すればよい．〔実施例〕次に実施例及び比較例を示す．実施例１〜６トラッキング用案内溝を射出成形時に成形した１３０開
φのポリカーボネート樹脂基板（厚さ約１．２■）に抵
抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、ｓｂ−Ｓｎ−Ｓ薄
膜、ｓｂ−ｐｂ−ｓ薄膜、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｓ−Ｐｂ薄膜、
Ｓｂ−Ｓｎ−Ｓ−Ｃｒ薄膜．　Ｓｂ−Ｓｎ−Ｓ−１薄膜
．　Ｓｂ−Ｓｎ−Ｓ−Ａｕ薄膜をＳｎＳ又はｐｂｓとの
２元共蒸着法又は３元共蒸着法により形成して６種類の
本発明に係る光記録媒体をつくった．この時の蒸着条件
は，真空度が６Ｘ１０−＠Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＳｂ：
１０λ／ｓｅｅ，　ＰｂＳ及びＳｎＳ　：　２λ／ｓｅ
ｅ，　Ｃｒ，１１，Ａｕ及びＰｂ：１人／ｓｅｅとした
．これらの光記録媒体における記録層の膜組成をオージ
ェにより分析したところ，その組成はほぼ，　ｓｂ０．
，Ｓｎ６　Ｔ１ｆｆＳ＠　６１３　（実施例ｌ）、Ｓｂ
ｏ　．７Ｐｂｏ　−ｚｖｓｏ　−ｚｘ　（実施例２）　
−　Ｓｂｏ　１ｚｓｎｅ　−ｚａｓｏ−ｘｉＰｂｏ　．
＋１４　（実施例３）、ｓｂｏ　＋６ｚＳｎ１）　−１
１Ｓ１１　ｏｘ＠Ｃｒ（１　＠０４　（実施例４）、Ｓ
ｂｏ＋ｓａＳｎｏ−ｘｉＳ，．，，ＡＭ。．。４（実施
例５）、Ｓｂｌｌ＋６１”ｒｌ＋−１１５．１６Ａｕ。

．。４（実施例６）であり、膜厚さ方向に均一であった
．また、膜厚を触針式の膜厚測定装置で測定したところ
、６つのサンプノレはどれも６００〜９００入であった
．比較例１実施例１で用いたのと同じ基板上に相変化により記録が
可能であるＧｅＴｅ薄膜（約８００人厚）を抵抗加熱方
式の真空蒸着装置を用いて形威し比較の光記録媒体をつ
くった．なお，この時の蒸着条件は，真空度が６　Ｘ　
１０””　Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＧｅＴｅｌＯ人／ｓｅ
ｅであり、薄膜の組成はほぼＧｅｇａ４Ｔｅ．ｓであっ
た。

比較例２実施例１で用いたのと同じ基板上にで表わされるインドールシアニン系色素をスピンコート
法により塗工して約８００人厚の記録層を形成し比較の
光記録媒体をつくった．これらの光記録媒体を光ディスクテスターに装着し、レ
ーザー光波長７８０ｎ園，　ＮＡ（レンズの開口数）０
．５，線速度１１．３ｍ／ｓｅｅ．記録レーザーパワー
４ａ＋Ｗ、再生レーザーパワー０．５ｍＶの条件で７．
５ＭＨｚ．　３．７Ｍ｝Ｉｚの信号により記録再生し，
Ｃハ比（バンド幅３０ＫＨｚ）を測定した．結果は表−
１のとおりであり、本発明の光記録媒体はいずれも４５
ｄＢ以上の高いＣ／Ｎ比が得られた．さらに、これらの光記録媒体の記録ビットをＳＥＭ　Ｌ
こよりｗ４察したところ，本発明及び比較例ｌの光記録
媒体はどれも記録膜の変形が［察されなかったが，比較
例２の光記録媒体は、ビット部が凹形に変形しているの
が認められた．表−１〔発明の効果〕本発明の光記録媒体は、記録用ビームにより記録膜の光
学定数を変化させて情報信号の記録を行うので記録膜上
に保護膜を形成し，保存安定性を向上すること、及び単
板化，密着はり合わせが可能である．また、記録膜の光
学定数が高速・高感度で変化するので、高速記録再生時
（１１．３ｍ／ｓｅｅ．７．５ＭＨｚ）でも低いレーザ
ーパワーで高いＣ／Ｎ比を得ることが出来る．

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の係る光記録媒体の代表的な
二例の断面図である．１・・・基　板２・・・記録層３・・・保護層４・・・下引き層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）アンチモン、IVＢ族元素及びイオウを少なくとも
含む化合物を記録膜として基板上に形成したことを特徴
とする光情報記録媒体。
（２）前記化合物が一般式（１）Ｓｂ＿ｘＭ＿ｙＳ＿ｚ・・・（１）（ＭはIVＢ族元素から選ばれる一つの元素である。また、０．５≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０．
５であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）又は一般式（２）Ｓｂ＿ｘＭ＿ｙＳ＿ｚＡ＿α・・・（２）（ＭはIVＢ族元素から選ばれる一つの元素であり、Ａは
ここで用いられているＭ以外の他のIVＢ族元素、IVＡ族
元素、ＶＡ族元素、VIＡ族元素、VIIＡ族元素、VIII族
元素、 I Ｂ族元素、IIIＢ族元素、酸素及び窒素から選
ばれる一つの元素である。また、０．５≦ｘ＜１、０＜
ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０．５、０＜α≦０．５であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＋α＝１である。）で表わされ
るものである請求項１に記載の光情報記録媒体。