JPH0397584A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0397584A JPH0397584A JP1235962A JP23596289A JPH0397584A JP H0397584 A JPH0397584 A JP H0397584A JP 1235962 A JP1235962 A JP 1235962A JP 23596289 A JP23596289 A JP 23596289A JP H0397584 A JPH0397584 A JP H0397584A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021472 group 8 element Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100481408 Danio rerio tie2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100481410 Mus musculus Tek gene Proteins 0.000 description 1
- 241001510071 Pyrrhocoridae Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007609 Zn—S Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光情報記録媒体に関し、詳しくは、特定化合物
を光記録膜材料として用いた光情報記録媒体に関する． 〔従来の技術〕 各種の情報信号を高い記録密度で記録することについて
の要望が高まるにつれて、近年になって色々な構成原理
や動作原理に基づいて作られた情報記録媒体を用いて情
報信号の高密度記録・再生が行われるようになったこと
は周知のとおりである． 例えば、（１）情報記録媒体の信号面に情報信号により
強度変調された記録用ビームを照射して、基板上に形成
されている記録媒体薄膜に孔または凹部を形威させて情
報信号の記録を行う、（２）情報記録媒体の信号面に情
報信号により強度変調された記録用ビームを照射して，
基板上に形或されている記録媒体薄膜の光学定数を変化
させて情報信号の記録を行う、（３）情報記録媒体の信
号面に情報信号により強度変調された記録用ビームを照
射して、基板上に形威されている光磁気記録媒体薄膜に
情報信号の記録を行う、などの各種の記録方式であり，
並びに、前記のようにして情報信号が記録された記録媒
体に一定の強度のレーザー光ビームを照射して情報信号
の再生を行う情報信号再生方式が提案されている。
を光記録膜材料として用いた光情報記録媒体に関する． 〔従来の技術〕 各種の情報信号を高い記録密度で記録することについて
の要望が高まるにつれて、近年になって色々な構成原理
や動作原理に基づいて作られた情報記録媒体を用いて情
報信号の高密度記録・再生が行われるようになったこと
は周知のとおりである． 例えば、（１）情報記録媒体の信号面に情報信号により
強度変調された記録用ビームを照射して、基板上に形成
されている記録媒体薄膜に孔または凹部を形威させて情
報信号の記録を行う、（２）情報記録媒体の信号面に情
報信号により強度変調された記録用ビームを照射して，
基板上に形或されている記録媒体薄膜の光学定数を変化
させて情報信号の記録を行う、（３）情報記録媒体の信
号面に情報信号により強度変調された記録用ビームを照
射して、基板上に形威されている光磁気記録媒体薄膜に
情報信号の記録を行う、などの各種の記録方式であり，
並びに、前記のようにして情報信号が記録された記録媒
体に一定の強度のレーザー光ビームを照射して情報信号
の再生を行う情報信号再生方式が提案されている。
だが，前記（１）の方式では、記録時に基板上の記録媒
体薄膜（記録膜）に形或される孔または凹部の輪郭に乱
れがあるとＣ／Ｎ比が劣化するという問題点があり、ま
た、記録膜上に保護膜を形成し単板とすることや密着張
合せができないという欠点をもっている． 前記（２）の方式では，レーザー光パルス照射により記
録膜が相変化し，異なった相での屈折率の違いによって
記録が行なえる材料として，一般に、Ｔｅ−Ｇｅ化合物
、Ｉｎ−Ｓｅ化合物、Ｓｂ−Ｓｅ化合物． Ｓｅ−Ｔａ
化合物などが使用されているが、これらの材料を用いた
場合、例えば結晶から非品質への相変化には１０＋＊Ｖ
以上の高いレーザー出力が必要であり、非品質から結晶
への相変化では結晶化速度が遅いため高速記録・再生が
できないという欠点をもっている。
体薄膜（記録膜）に形或される孔または凹部の輪郭に乱
れがあるとＣ／Ｎ比が劣化するという問題点があり、ま
た、記録膜上に保護膜を形成し単板とすることや密着張
合せができないという欠点をもっている． 前記（２）の方式では，レーザー光パルス照射により記
録膜が相変化し，異なった相での屈折率の違いによって
記録が行なえる材料として，一般に、Ｔｅ−Ｇｅ化合物
、Ｉｎ−Ｓｅ化合物、Ｓｂ−Ｓｅ化合物． Ｓｅ−Ｔａ
化合物などが使用されているが、これらの材料を用いた
場合、例えば結晶から非品質への相変化には１０＋＊Ｖ
以上の高いレーザー出力が必要であり、非品質から結晶
への相変化では結晶化速度が遅いため高速記録・再生が
できないという欠点をもっている。
また，前記（３）の方式では、再生出力が小さいため充
分に大きなＣ／Ｎ比を得ることが困難であるという欠点
をもっている。
分に大きなＣ／Ｎ比を得ることが困難であるという欠点
をもっている。
本発明の目的は上記のような欠点を解消し，レーザー光
パルスの照射により記録膜の光学定数を変化させて情報
信号の記録を行うことができ，かつ高速、高感度で記録
が可能であり、大きなＣ／Ｎ比を得ることが出来る光情
報記録媒体を提供するものである． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の光情報記録媒体はアンチモン、ＩＩＢ族元素及
び硫黄を少なくとも含む化合物を記録膜として基板上に
形成したことを特徴とする．以下に本発明を添付の図面
に従がいながら更に詳細に説明する． 第１図及び第２図は本発明に係る光情報記録媒体の代表
的な二例の概略図であり、図中，１は基板、２は記録層
（記録膜）、３は保護層、４は下引き層を表わしている
。
パルスの照射により記録膜の光学定数を変化させて情報
信号の記録を行うことができ，かつ高速、高感度で記録
が可能であり、大きなＣ／Ｎ比を得ることが出来る光情
報記録媒体を提供するものである． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の光情報記録媒体はアンチモン、ＩＩＢ族元素及
び硫黄を少なくとも含む化合物を記録膜として基板上に
形成したことを特徴とする．以下に本発明を添付の図面
に従がいながら更に詳細に説明する． 第１図及び第２図は本発明に係る光情報記録媒体の代表
的な二例の概略図であり、図中，１は基板、２は記録層
（記録膜）、３は保護層、４は下引き層を表わしている
。
本発明に係る光情報記録媒体は，最も簡単な構或のもの
では、第１図に示されるように，基板ｌ上に記録層２が
形威されていればよいが，第２図に示したように，必要
に応じて、基板ｌと記録Ｍ２との間に下引き層４が，ま
た記録層２上に保護層３が形成されてもよい． 基板１の材料としては、透明プラスチック基板、ガラス
基板等を用いることができ，具体的には，例えば、ポリ
カーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂
、エポキシ樹脂，石英ガラス等を挙げることができる．
なお、基板の表面には、トラッキング用案内溝や案内ビ
ット、さらには，アドレス信号などのプリフォーマット
が形成されていてもよい。
では、第１図に示されるように，基板ｌ上に記録層２が
形威されていればよいが，第２図に示したように，必要
に応じて、基板ｌと記録Ｍ２との間に下引き層４が，ま
た記録層２上に保護層３が形成されてもよい． 基板１の材料としては、透明プラスチック基板、ガラス
基板等を用いることができ，具体的には，例えば、ポリ
カーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂
、エポキシ樹脂，石英ガラス等を挙げることができる．
なお、基板の表面には、トラッキング用案内溝や案内ビ
ット、さらには，アドレス信号などのプリフォーマット
が形成されていてもよい。
記録層２は（１）ＳｂｘＭｙＳｚ（０．５≦ｘ＜ｌ、Ｏ
＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦Ｏ．Ｓであって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１である．）又は（２）ＳｂｚＮｙｓｚＡ ａ （０．
５≦ｘ＜１，Ｏ＜ｙ≦０．５、Ｏ＜ｚ≦０．５、０〈α
≦Ｏ．Ｓであって、ｚ＋ｙ＋ｚ＋α：１である．）の組
成化合物（一般式（１） （２）ともＨはＩＩＢ族元素
から選ばれる一つの元素である．一般式（２）における
Ａは、ここで用いられてぃるκ以外の他のｎＢ族元素、
■Ａ族元素． ＶＡ族元素、ＶＩＡ族元素、■Ａ族元素
、■族元素、ＩＢ族元素、［８族元素、ＩＶＢ族元素、
酸素及び窒素から選ばれる一つの元素である。）の薄膜
であり、特に好ましい組成は、一般式（１）の化合物で
は０．６≦ｘ ＜ ０ ． ８、Ｏ＜ｙ≦０．２、０＜
ｚ≦０．２であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１のものであり、また
、一般式（２）の化合物では０．５≦ｘ（０．８、０＜
ｙ≦０．２、０＜ｚ≦０．２、０〈α≦０．２であって
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ ａ ＝１である。
＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦Ｏ．Ｓであって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１である．）又は（２）ＳｂｚＮｙｓｚＡ ａ （０．
５≦ｘ＜１，Ｏ＜ｙ≦０．５、Ｏ＜ｚ≦０．５、０〈α
≦Ｏ．Ｓであって、ｚ＋ｙ＋ｚ＋α：１である．）の組
成化合物（一般式（１） （２）ともＨはＩＩＢ族元素
から選ばれる一つの元素である．一般式（２）における
Ａは、ここで用いられてぃるκ以外の他のｎＢ族元素、
■Ａ族元素． ＶＡ族元素、ＶＩＡ族元素、■Ａ族元素
、■族元素、ＩＢ族元素、［８族元素、ＩＶＢ族元素、
酸素及び窒素から選ばれる一つの元素である。）の薄膜
であり、特に好ましい組成は、一般式（１）の化合物で
は０．６≦ｘ ＜ ０ ． ８、Ｏ＜ｙ≦０．２、０＜
ｚ≦０．２であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１のものであり、また
、一般式（２）の化合物では０．５≦ｘ（０．８、０＜
ｙ≦０．２、０＜ｚ≦０．２、０〈α≦０．２であって
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ ａ ＝１である。
更にまた、前記化合物におけるＩＩＢ族元素のうち好ま
しいものはＺｎ又はＣｄである。
しいものはＺｎ又はＣｄである。
ＸｐＹ及び２、またはｘｙｙｙＺ及びαの値が前記数値
から外れていると感度、コントラスト等に低下がみられ
るようになる．記８層２の膜厚は１ｏｏ〜３０００λ好
ましくは３００〜ｌ５００入である。
から外れていると感度、コントラスト等に低下がみられ
るようになる．記８層２の膜厚は１ｏｏ〜３０００λ好
ましくは３００〜ｌ５００入である。
この薄膜（記録１１２）を基板１又は下引きｐｌＪ上に
形或するには抵抗加熱方式による真空蒸着法（二元共蒸
着法，並びに、三元共蒸着法）によるのが有利であるが
、スパッタ蒸着法、ＥＢ蒸着法によってもかまわない． 下引き層４は、■水又はガスなどのバリャー層、■記録
層の保存安定性の確保，■反射率の向上，■プレグルー
プの形戒などの機能を光記録媒体に付与するために設け
られる．そして，下引き！！！４の材料としては、前記
■■を重視すれば高分子材料（アクリル樹脂、エポキシ
樹脂など），無機化合物（Ｓｉｎ２，ＭｇＦ， ，Ｓｉ
ｎ，Ｔｉｅ２，ＴｉＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳなど）及び金属
や半金属（Ｚｎ，Ｃｕ，Ｓ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｓｅ，
Ａｇ，Ａｕ，ＡＱなど）が使用でき、前記■を重視すれ
ば金属（ｉ，Ａｇ，Ｔｅなど）が使用でき、前記■を重
視すれば各種の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可
塑性樹脂が使用できる．下引き層４の厚さは、材料の種
類により異なるが、０．１〜３０． （らいが適当であ
る．保護層３は（ｉ）記録層２をキズ、ホコリ、汚れな
どから保護し、（ｉｉ）記録層２の保存安定性を向上さ
せ，（市）反射率の向上せしめる、などのために形成さ
れるものである．保護層３の形成材料としては、下引き
層４であげた材料をそのまま使用することができる．保
護層３の厚さは、下引き層４の場合と同様、材料の種類
により異なるが、０．１〜１００ｐａ＜らいが適当であ
る．なお、保護層３、下引き層４の形戒手段としては，
無機材料を形威させる場合には真空製膜方法（蒸着法、
スバツタ法など）、有機材料を形或させる場合には溶液
塗工法（スビンナーコーティング、スプレーコーティン
グ、浸漬コーティングなど）等の従来より知られている
方法が採用し得る． 本発明に係る光記録媒体を用いて記録を行なうには、情
報信号により強度変調された記録用ビームを記録層２に
照射して，その記録層の光学定数を変化せしめるように
すればよい。
形或するには抵抗加熱方式による真空蒸着法（二元共蒸
着法，並びに、三元共蒸着法）によるのが有利であるが
、スパッタ蒸着法、ＥＢ蒸着法によってもかまわない． 下引き層４は、■水又はガスなどのバリャー層、■記録
層の保存安定性の確保，■反射率の向上，■プレグルー
プの形戒などの機能を光記録媒体に付与するために設け
られる．そして，下引き！！！４の材料としては、前記
■■を重視すれば高分子材料（アクリル樹脂、エポキシ
樹脂など），無機化合物（Ｓｉｎ２，ＭｇＦ， ，Ｓｉ
ｎ，Ｔｉｅ２，ＴｉＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳなど）及び金属
や半金属（Ｚｎ，Ｃｕ，Ｓ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｓｅ，
Ａｇ，Ａｕ，ＡＱなど）が使用でき、前記■を重視すれ
ば金属（ｉ，Ａｇ，Ｔｅなど）が使用でき、前記■を重
視すれば各種の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可
塑性樹脂が使用できる．下引き層４の厚さは、材料の種
類により異なるが、０．１〜３０． （らいが適当であ
る．保護層３は（ｉ）記録層２をキズ、ホコリ、汚れな
どから保護し、（ｉｉ）記録層２の保存安定性を向上さ
せ，（市）反射率の向上せしめる、などのために形成さ
れるものである．保護層３の形成材料としては、下引き
層４であげた材料をそのまま使用することができる．保
護層３の厚さは、下引き層４の場合と同様、材料の種類
により異なるが、０．１〜１００ｐａ＜らいが適当であ
る．なお、保護層３、下引き層４の形戒手段としては，
無機材料を形威させる場合には真空製膜方法（蒸着法、
スバツタ法など）、有機材料を形或させる場合には溶液
塗工法（スビンナーコーティング、スプレーコーティン
グ、浸漬コーティングなど）等の従来より知られている
方法が採用し得る． 本発明に係る光記録媒体を用いて記録を行なうには、情
報信号により強度変調された記録用ビームを記録層２に
照射して，その記録層の光学定数を変化せしめるように
すればよい。
また、この記録された状態の光記録媒体から再生を行う
には，記録時よりも出力パワーを小さくしたレーザー光
を照射すればよい． 〔実施例〕 ？に実施例及び比較例を示す． 実施例１〜５ トラッキング用案内溝を射出成形時に或形した１３０ｍ
ｍφのポリカーボネート樹脂基板（厚さ約１．２■）に
抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ
薄膜， Ｓｂ−Ｃｄ−Ｓ薄膜、Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ｐｂ薄
膜． Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ｃｒ薄膜、Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ａ
ｆｌ薄膜をＺｎＳ又はＣｄＳとの２元共蒸着法又は３元
共蒸着法により形或して５種類の本発明に係る光記録媒
体をつくった．この時の蒸着条件は、真空度が６ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＳｂ：１０人／ｓｅｅ
． ＺｎＳ及びＣｄＳ：２人／ｓｅｅ， Ｃｒ，Δ党及
びＰｂ：１入／ｓｅｅとした。これらの光記録媒体にお
ける記録層の膜組成をオージェにより分析したところ、
その組成はほぼ、ｓｂ，．，ｚｎ， ．ｚｔｓａ ．ｚ
ｚ （実施例１）、Ｓｂａ−ｔＣｄ−．ｚｔＳｏ．ｚａ
（実施例２）、Ｓｂｌ） ｅ！ＺＺｎＯ ｊｌｌｓｏ
ａｘｅＰｂＯ−０４（実施例３）、Ｓｂｏ．ｓ２Ｚｎｏ
．ｚｓＳｏ．、ｓｃｒｏ．ｏ４（実施例４）、Ｓｂ，．
．，Ｚｎ．．■，Ｓ，．、，Ａｆｌ。．。４（実施例５
）であり、膜厚さ方向に均一であった。また，膜厚を触
針式の膜厚測定装置で測定したところ、５つのサンプノ
レはどれも７００〜９００入であった。
には，記録時よりも出力パワーを小さくしたレーザー光
を照射すればよい． 〔実施例〕 ？に実施例及び比較例を示す． 実施例１〜５ トラッキング用案内溝を射出成形時に或形した１３０ｍ
ｍφのポリカーボネート樹脂基板（厚さ約１．２■）に
抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ
薄膜， Ｓｂ−Ｃｄ−Ｓ薄膜、Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ｐｂ薄
膜． Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ｃｒ薄膜、Ｓｂ−Ｚｎ−Ｓ−Ａ
ｆｌ薄膜をＺｎＳ又はＣｄＳとの２元共蒸着法又は３元
共蒸着法により形或して５種類の本発明に係る光記録媒
体をつくった．この時の蒸着条件は、真空度が６ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＳｂ：１０人／ｓｅｅ
． ＺｎＳ及びＣｄＳ：２人／ｓｅｅ， Ｃｒ，Δ党及
びＰｂ：１入／ｓｅｅとした。これらの光記録媒体にお
ける記録層の膜組成をオージェにより分析したところ、
その組成はほぼ、ｓｂ，．，ｚｎ， ．ｚｔｓａ ．ｚ
ｚ （実施例１）、Ｓｂａ−ｔＣｄ−．ｚｔＳｏ．ｚａ
（実施例２）、Ｓｂｌ） ｅ！ＺＺｎＯ ｊｌｌｓｏ
ａｘｅＰｂＯ−０４（実施例３）、Ｓｂｏ．ｓ２Ｚｎｏ
．ｚｓＳｏ．、ｓｃｒｏ．ｏ４（実施例４）、Ｓｂ，．
．，Ｚｎ．．■，Ｓ，．、，Ａｆｌ。．。４（実施例５
）であり、膜厚さ方向に均一であった。また，膜厚を触
針式の膜厚測定装置で測定したところ、５つのサンプノ
レはどれも７００〜９００入であった。
比較例１
実施例ｌで用いたのと同じ基板上に相変化により記録が
可能であるＧｅＴｅ薄膜（約８００人厚）を抵抗加熱方
式の真空蒸着装置を用いて形威し比較の光記録媒体をつ
くった．なお，この時の蒸着条件は、真空度が６ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＧｅＴｅｌＯ人／ｓｅ
ｃであり、薄膜の組或はほぼＧｅ６ ＋ ４ Ｔｅｎ
Ｔ ！であった。
可能であるＧｅＴｅ薄膜（約８００人厚）を抵抗加熱方
式の真空蒸着装置を用いて形威し比較の光記録媒体をつ
くった．なお，この時の蒸着条件は、真空度が６ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度がＧｅＴｅｌＯ人／ｓｅ
ｃであり、薄膜の組或はほぼＧｅ６ ＋ ４ Ｔｅｎ
Ｔ ！であった。
比較例２
実施例１で用いたのと同じ基板上に
で表わされるインドールシアニン系色素をスピンコート
法により塗工して約８００人厚の記録層を形威し比較の
光記録媒体をつくった． これらの光記録媒体を光ディスクテスターに装着し、レ
ーザー光波長７８０ｒ＋ａ＋， ＮＡ（レンズの開口数
）０．５、線速度１１．３ｍ／ｓｅｅ、記録レーザーバ
ワー４ｍＶ、再生レーザーバワー０ ． ５ａｌｌの条
件で７．５ＭＨｚ． ３．７ＭＨｚの信号により記録再
生し、Ｃ／Ｎ比（バンド幅３０ＫＨｚ）を測定した。結
果は表−１のとおりであり，本発明の光記録媒体はいず
れも４５ｄＢ以上の高いＣ／Ｎ比が得られた． さらに，これらの光記録媒体の記録ピットをＳＥＨによ
り観察したところ、本発明及び比較例１の光記録媒体は
どれも記録膜の変形が観察されなかったが，比較例２の
光記録媒体は、ピット部が凹形に変形しているのが認め
られた． 表−１ 録膜の光学定数を変化させて情報信号の記録を行うので
記録膜上に保護膜を形成し，保存安定性を向上すること
、及び単板化，密着はり合わせが可能である．また，記
録膜の光学定数が高速・高感度で変化するので、高速記
録再生時（１１．３ｍ／ｓｅｅ，７．５ＭＨｚ）でも低
いレーザーバワーで高いＣ／Ｎ比を得ることが出来る．
法により塗工して約８００人厚の記録層を形威し比較の
光記録媒体をつくった． これらの光記録媒体を光ディスクテスターに装着し、レ
ーザー光波長７８０ｒ＋ａ＋， ＮＡ（レンズの開口数
）０．５、線速度１１．３ｍ／ｓｅｅ、記録レーザーバ
ワー４ｍＶ、再生レーザーバワー０ ． ５ａｌｌの条
件で７．５ＭＨｚ． ３．７ＭＨｚの信号により記録再
生し、Ｃ／Ｎ比（バンド幅３０ＫＨｚ）を測定した。結
果は表−１のとおりであり，本発明の光記録媒体はいず
れも４５ｄＢ以上の高いＣ／Ｎ比が得られた． さらに，これらの光記録媒体の記録ピットをＳＥＨによ
り観察したところ、本発明及び比較例１の光記録媒体は
どれも記録膜の変形が観察されなかったが，比較例２の
光記録媒体は、ピット部が凹形に変形しているのが認め
られた． 表−１ 録膜の光学定数を変化させて情報信号の記録を行うので
記録膜上に保護膜を形成し，保存安定性を向上すること
、及び単板化，密着はり合わせが可能である．また，記
録膜の光学定数が高速・高感度で変化するので、高速記
録再生時（１１．３ｍ／ｓｅｅ，７．５ＭＨｚ）でも低
いレーザーバワーで高いＣ／Ｎ比を得ることが出来る．
第ｌ図及び第２図は本発明の係る光記録媒体の代表的な
二例の断面図である． １・・・基 板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引き層 〔発明の効果〕
二例の断面図である． １・・・基 板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引き層 〔発明の効果〕
Claims (2)
- （１）アンチモン、IIＢ族元素及びイオウを少なくとも
含む化合物を記録膜として基板上に形成したことを特徴
とする光情報記録媒体。 - （２）前記化合物が一般式（１） Ｓｂ＿ｘＭ＿ｙＳ＿ｚ・・・（１） （ＭはIIＢ族元素から選ばれる一つの元素である。 また、０．５≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０．
５であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。） 又は一般式（２） Ｓｂ＿ｘＭ＿ｙＳ＿ｚＡ＿α・・・（２） （ＭはIIＢ族元素から選ばれる一つの元素であり、Ａは
ここで用いられているＭ以外の他のIIＢ族元素、IVＡ族
元素、ＶＡ族元素、VIＡ族元素、VIIＡ族元素、VIII族
元素、 I Ｂ族元素、IIIＢ族元素、IVＢ族元素、酸素及
び窒素から選ばれる一つの元素である。また、０．５≦
ｘ＜１、０＜ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０． ５、０＜α≦０．５であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＋α＝１であ
る。）で表わされるものである請求項１に記載の光情報
記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235962A JPH0397584A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 光情報記録媒体 |
| US07/577,877 US5169745A (en) | 1989-09-12 | 1990-09-05 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235962A JPH0397584A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397584A true JPH0397584A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16993793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1235962A Pending JPH0397584A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011471A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase change mode optical disk and method of manufacturing the same |
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1235962A patent/JPH0397584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011471A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase change mode optical disk and method of manufacturing the same |
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
| AU683091B2 (en) * | 1994-10-05 | 1997-10-30 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase change mode optical disk and method of manufacturing the same |
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