JPH03187785A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH03187785A JPH03187785A JP1326140A JP32614089A JPH03187785A JP H03187785 A JPH03187785 A JP H03187785A JP 1326140 A JP1326140 A JP 1326140A JP 32614089 A JP32614089 A JP 32614089A JP H03187785 A JPH03187785 A JP H03187785A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］
従来、光情報記録方式として各種のものが知られている
。
。
例えば
（１）情報記録媒体の基板上に設けられた記録層に、情
報信号に基づいてレーザービームを照射して該記録層に
孔、凹部を形成せしめることによって記録する方式、 （２）レーザービーム照射により記録層の光学定数を変
化せしめることにより記録する方式、（３）記録層に光
磁気記録材料を用いることにより記録する方式などがあ
る。
報信号に基づいてレーザービームを照射して該記録層に
孔、凹部を形成せしめることによって記録する方式、 （２）レーザービーム照射により記録層の光学定数を変
化せしめることにより記録する方式、（３）記録層に光
磁気記録材料を用いることにより記録する方式などがあ
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来の記録方式は、未だ不十分なも
のであった。すなわち、（１）の方式では記録層に形成
する孔又は凹部に乱れを生じると、Ｃ／Ｎ比が低下する
という問題点があり、又、記録膜上に保護膜を形成し単
板とすることや密着はり合せができないという欠点をも
っている。（２）の方式ではレーザー光照射により相変
化する材料を記録層材料として用いるが、従来提案され
ているＴｅ−Ｇｅ、Ｉｎ−５ｅｓＳｂ−Ｓｅ、５ｂ−Ｔ
ｅ等ではこの相変化は、結晶呻非晶質又は非晶質→結晶
間で起ることが知られている。しかし、結晶−非晶質に
よる相変化には通常１０ｍＷ以上の高いレーザー出力が
必要であるため高感度記録が難しく、又非晶質→結晶に
よる相変化は結晶化速度が遅く、高速記録、再生ができ
ない。更にはＴｅを含む化合物は耐湿性が悪いという問
題点もあった。
のであった。すなわち、（１）の方式では記録層に形成
する孔又は凹部に乱れを生じると、Ｃ／Ｎ比が低下する
という問題点があり、又、記録膜上に保護膜を形成し単
板とすることや密着はり合せができないという欠点をも
っている。（２）の方式ではレーザー光照射により相変
化する材料を記録層材料として用いるが、従来提案され
ているＴｅ−Ｇｅ、Ｉｎ−５ｅｓＳｂ−Ｓｅ、５ｂ−Ｔ
ｅ等ではこの相変化は、結晶呻非晶質又は非晶質→結晶
間で起ることが知られている。しかし、結晶−非晶質に
よる相変化には通常１０ｍＷ以上の高いレーザー出力が
必要であるため高感度記録が難しく、又非晶質→結晶に
よる相変化は結晶化速度が遅く、高速記録、再生ができ
ない。更にはＴｅを含む化合物は耐湿性が悪いという問
題点もあった。
又、（３）の方式では再生出力が小さく十分なＣ／Ｎ比
が得られない。
が得られない。
本発明は、こうした実情の下に高速、高感度で記録可能
であり、かつ大きなＣ／Ｎ比を得ることができ、しかも
耐湿性にも優れたレーザー光照射による相変化型の光情
報記録媒体を提供することを目的とするものである。
であり、かつ大きなＣ／Ｎ比を得ることができ、しかも
耐湿性にも優れたレーザー光照射による相変化型の光情
報記録媒体を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記した課題を解決するため鋭意検討した
結果、記録材料として特定組成のＩｎ−３ｂ−Ｓ化合物
を選択することが有効であることを知見し、本発明に至
った。
結果、記録材料として特定組成のＩｎ−３ｂ−Ｓ化合物
を選択することが有効であることを知見し、本発明に至
った。
すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記録層を設け
た光情報記録媒体において、該記録層にＩｎｘ Ｓｂｙ
Ｓｚ化合物（ただし、Ｏ＜Ｘ＜２０．８０＜ Ｙ ＜
１００．０＜ Ｚ ＜ ２０）を用いたことを特徴と
する光情報記録媒体である。
た光情報記録媒体において、該記録層にＩｎｘ Ｓｂｙ
Ｓｚ化合物（ただし、Ｏ＜Ｘ＜２０．８０＜ Ｙ ＜
１００．０＜ Ｚ ＜ ２０）を用いたことを特徴と
する光情報記録媒体である。
本発明の光情報記録媒体の層構成を第１図に基づいて説
明する。
明する。
第１．２図においてｌは基板、２は記録層、又第２図に
おいて３．４はそれぞれ必要に応じて設けるもので、３
は保護層、４は下引き層である。
おいて３．４はそれぞれ必要に応じて設けるもので、３
は保護層、４は下引き層である。
本発明に使用する基板としては、従来公知のものでよく
、例えば透明プラスチック基板、ガラス基板等を用いる
ことができ、具体的には、例えばポリカーボネート樹脂
、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
石英ガラス等を挙げることができる。なお、基板の表面
にはトラッキング用案内溝や案内ピット、更にはアドレ
ス信号などのプリフォーマットが形成されていてもよい
。
、例えば透明プラスチック基板、ガラス基板等を用いる
ことができ、具体的には、例えばポリカーボネート樹脂
、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
石英ガラス等を挙げることができる。なお、基板の表面
にはトラッキング用案内溝や案内ピット、更にはアドレ
ス信号などのプリフォーマットが形成されていてもよい
。
本発明に使用する記録層２は、Ｉｎｘ５ｂｙＳｚ （０
＜Ｘ＜２０．８０＜ Ｙ ＜ １００ 、０＜ Ｚ
＜ ２０）の組成の化合物の薄膜であり特に好ましい組
成は ５＜ Ｘ ＜ ２０．８０＜ Ｙ ＜ ９０、Ｉ
Ｑ＜ Ｚ ＜ ２０である。
＜Ｘ＜２０．８０＜ Ｙ ＜ １００ 、０＜ Ｚ
＜ ２０）の組成の化合物の薄膜であり特に好ましい組
成は ５＜ Ｘ ＜ ２０．８０＜ Ｙ ＜ ９０、Ｉ
Ｑ＜ Ｚ ＜ ２０である。
又、Ｉ ｎ５ｂＳを主成分として副成分に周期律表ＩＡ
、 ＩＩＡ、 ＩＩＩＡ、 ＩＶＡ、 ＶＡ、 ＶＩＡ
、■Ａ１■、ＩＢ、ＤＩＢ、■Ｂ族元素及びＮ％Ｐ％Ａ
ｓ。
、 ＩＩＡ、 ＩＩＩＡ、 ＩＶＡ、 ＶＡ、 ＶＩＡ
、■Ａ１■、ＩＢ、ＤＩＢ、■Ｂ族元素及びＮ％Ｐ％Ａ
ｓ。
Ｂｉ、０１Ｓｅの内の少なくとも１つを含んでもよい。
ＸＳＹ及びＺの値が前記数値から外れていると感度、コ
ントラスト等に低下がみられるようになる。記録層２の
膜厚は１００〜３０００人好ましくは ３００〜１５０
０人である。
ントラスト等に低下がみられるようになる。記録層２の
膜厚は１００〜３０００人好ましくは ３００〜１５０
０人である。
この薄膜（記録層２）を基板ｌ又は下引き層４上に形成
するには抵抗加熱方式による真空蒸着法（二元共蒸着法
、並びに三元共蒸着法）によるのが有利であるが、スパ
ッタ蒸着法、ＥＢ蒸着法によってもかまわない。
するには抵抗加熱方式による真空蒸着法（二元共蒸着法
、並びに三元共蒸着法）によるのが有利であるが、スパ
ッタ蒸着法、ＥＢ蒸着法によってもかまわない。
下引き層４は、■水又はガスなどのバリヤー層、■記録
層の保存安定性の確保、■反射率の向上、■プレグルー
ブの形成などの機能を光記録媒体に付与するために設け
られる。そして、下引き層４の材料としては、前記■■
を重視すれば高分子材料（アクリル樹脂、エポキシ樹脂
など）、無機化合物（Ｓ ｉｏｚ、ＭｇＦｚ、Ｓ Ｉ
Ｏｓ Ｔ ｉ Ｏｚ 、Ｔ ｉＮ ｓ Ｓ ｔ Ｎ ｓ
Ｚ ｎ Ｓなど）及び金属や半金属（ＺｎＳＣｕＳ８
％ Ｎｉ。
層の保存安定性の確保、■反射率の向上、■プレグルー
ブの形成などの機能を光記録媒体に付与するために設け
られる。そして、下引き層４の材料としては、前記■■
を重視すれば高分子材料（アクリル樹脂、エポキシ樹脂
など）、無機化合物（Ｓ ｉｏｚ、ＭｇＦｚ、Ｓ Ｉ
Ｏｓ Ｔ ｉ Ｏｚ 、Ｔ ｉＮ ｓ Ｓ ｔ Ｎ ｓ
Ｚ ｎ Ｓなど）及び金属や半金属（ＺｎＳＣｕＳ８
％ Ｎｉ。
Ｃｒ ＳＧ ｅ ｓ Ｓ ｅ ｓ Ａ ｇ ｓ Ａ ｕ
ＳＡ ｌなど）が使用でき、前記■を重視すれば金属
（ＡＩ、Ａｇなど）が使用でき、前記■を重視すれば各
種の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂が
使用できる。下引き層４の厚さは材料の種類により異な
るが、０．１〜３０μ■くらいが適当である。
ＳＡ ｌなど）が使用でき、前記■を重視すれば金属
（ＡＩ、Ａｇなど）が使用でき、前記■を重視すれば各
種の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂が
使用できる。下引き層４の厚さは材料の種類により異な
るが、０．１〜３０μ■くらいが適当である。
保護層３は（１）記録層２をキズ、ホコリ、汚れなどか
ら保護し、（１１）記録層２の保存安定性を向上させ、
（１１１）反射率の向上せしめる、などのために形成さ
れるものである。保護層３の形成材料としては、下引き
層４であげた材料をそのまま使用することができる。保
護層３の厚さは下引き層４の場合と同様、材料の種類に
より異なるが、０．１−１００μ■くらいが適当である
。なお保護層３、下引き層４の形成手段としては無機材
料を形成させる場合には真空製膜方法（例えば蒸着法、
スパッタ法等）、有機材料を形成される場合には溶液塗
工法（スピンナーコーティング、スプレーコーティング
、浸漬コーティング等）などの従来より知られている方
法が採用し得る。
ら保護し、（１１）記録層２の保存安定性を向上させ、
（１１１）反射率の向上せしめる、などのために形成さ
れるものである。保護層３の形成材料としては、下引き
層４であげた材料をそのまま使用することができる。保
護層３の厚さは下引き層４の場合と同様、材料の種類に
より異なるが、０．１−１００μ■くらいが適当である
。なお保護層３、下引き層４の形成手段としては無機材
料を形成させる場合には真空製膜方法（例えば蒸着法、
スパッタ法等）、有機材料を形成される場合には溶液塗
工法（スピンナーコーティング、スプレーコーティング
、浸漬コーティング等）などの従来より知られている方
法が採用し得る。
本発明にかかる光記録媒体を用いて記録を行うには、情
報信号により強度変調された記録用ビームを記録層２に
照射して、その記録層の光学定数を変化せしめるように
すればよい。
報信号により強度変調された記録用ビームを記録層２に
照射して、その記録層の光学定数を変化せしめるように
すればよい。
又、この記録された状態の光記録媒体から再生を行うに
は、記録時よりも出力パワーを小さくしたレーザー光を
照射し、光学変化を検出すればよい。
は、記録時よりも出力パワーを小さくしたレーザー光を
照射し、光学変化を検出すればよい。
［実施例コ
トラッキング用案内溝を射出成形時に成形した１３０１
１１１１１φのポリカーボネート樹脂基板（厚さ約１．
２ｍｍ）に抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、Ｉｎ
−３ｂ−３薄膜をＩｎとｓｂとＩｎＳ又はＩｎとｓｂと
Ｓｂ２Ｓ３の三元共蒸着法により形成して３つの本発明
にかかる光記録媒体をつくった。
１１１１１φのポリカーボネート樹脂基板（厚さ約１．
２ｍｍ）に抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、Ｉｎ
−３ｂ−３薄膜をＩｎとｓｂとＩｎＳ又はＩｎとｓｂと
Ｓｂ２Ｓ３の三元共蒸着法により形成して３つの本発明
にかかる光記録媒体をつくった。
このときの蒸着条件は
真空度： １３ｘ １０’ Ｔｏｒｒ蒸着速度：
とした。これらの光記録媒体における記録層の膜組成を
オージェにより分析したところ、であり、膜厚さ方向に
均一であった。又、膜厚を触針式の膜厚測定装置で測定
したところ、３つのサンプルはどれも７００〜１０００
Ａであった。
オージェにより分析したところ、であり、膜厚さ方向に
均一であった。又、膜厚を触針式の膜厚測定装置で測定
したところ、３つのサンプルはどれも７００〜１０００
Ａであった。
次に比較サンプル（１）として従来の相変化により記録
が可能であるＧｅＴｅ薄膜を上記と同様な基板に同じ装
置を用いて作成した。この時の蒸着条件は真空度６Ｘ
１０’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度Ｇ ｅ Ｔ ｅ ＩＯＡ
／ｓであり、組成分析結果はＧｅｏ４Ｔｅｏ、６であっ
た。又、膜厚８００人であった。
が可能であるＧｅＴｅ薄膜を上記と同様な基板に同じ装
置を用いて作成した。この時の蒸着条件は真空度６Ｘ
１０’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度Ｇ ｅ Ｔ ｅ ＩＯＡ
／ｓであり、組成分析結果はＧｅｏ４Ｔｅｏ、６であっ
た。又、膜厚８００人であった。
更に比較サンプル（ｎ）として従来の孔形成により記録
が可能である下記−設入のインドールシアニン系色素を
上記と同様な基板にスピンコード方法により、８００人
の膜厚で形成したものを作成した。
が可能である下記−設入のインドールシアニン系色素を
上記と同様な基板にスピンコード方法により、８００人
の膜厚で形成したものを作成した。
この時の塗布溶媒は１．２−ジクロルエタンとメタノー
ル系の混合溶媒を用いた。又、成膜後の膜の分光特性は
波長７８０ｎｉｊこおいて、反射率これらの光記録媒体
を光デイスクテスターに装着し、レーザー光波長７８０
ｎ■、ＮＡ（レンズの開口数）０，５、線速度１１．３
ｍ／ｓｅｅ ｓ記録レーザーパワーＢ ｍ Ｗ ｓ再生
レーザーパワー０．５１Ｗの条件で７．５ＭＨｚ、 ３
．７ＭＨｚの信号により記録再生し、Ｃ／Ｎ比（バンド
幅３０ｋＨｚ）を測定した。又、これらの光記録媒体を
６０℃９０％ＲＨの環境に１０００ｈｒ保存した後のＣ
／Ｎを上記と同じ条件で測定し耐湿性を調べた。
ル系の混合溶媒を用いた。又、成膜後の膜の分光特性は
波長７８０ｎｉｊこおいて、反射率これらの光記録媒体
を光デイスクテスターに装着し、レーザー光波長７８０
ｎ■、ＮＡ（レンズの開口数）０，５、線速度１１．３
ｍ／ｓｅｅ ｓ記録レーザーパワーＢ ｍ Ｗ ｓ再生
レーザーパワー０．５１Ｗの条件で７．５ＭＨｚ、 ３
．７ＭＨｚの信号により記録再生し、Ｃ／Ｎ比（バンド
幅３０ｋＨｚ）を測定した。又、これらの光記録媒体を
６０℃９０％ＲＨの環境に１０００ｈｒ保存した後のＣ
／Ｎを上記と同じ条件で測定し耐湿性を調べた。
結果は表−１のとおりであり、本発明の光記録媒体はど
れも低記録パワー、高速、高密度条件（記録レーザーパ
ワー６ｍＷ、線速度１１４ｍ／ｓ信号周波数７．５ＭＩ
Ｉｚ）で４５ｄＢ以上の高いＣ／Ｎが得られ、又耐湿性
にも優れていた。
れも低記録パワー、高速、高密度条件（記録レーザーパ
ワー６ｍＷ、線速度１１４ｍ／ｓ信号周波数７．５ＭＩ
Ｉｚ）で４５ｄＢ以上の高いＣ／Ｎが得られ、又耐湿性
にも優れていた。
更にこれらの光記録媒体の記録ピットをＳＥＭにより観
察したところ、本発明の光記録媒体及び比較サンプル（
Ｉ）はどれも記録後の変形が観察されなかったが、比較
サンプル（ｎ）の光記録媒体は、記録ビット部が凹形に
変形しているのが認められた。
察したところ、本発明の光記録媒体及び比較サンプル（
Ｉ）はどれも記録後の変形が観察されなかったが、比較
サンプル（ｎ）の光記録媒体は、記録ビット部が凹形に
変形しているのが認められた。
表−１
Ｃ／Ｎ測定結果
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は、記録用ビー
ムにより記録膜の光学定数を変化させて情報信号の記録
を行うので記録膜上に保護膜を形成し、保存安定性を向
上すること、及び単板化、密着はり合わせが可能である
。又、記録膜の光学定数が高速・高感度で変化するので
、高速記録再生時（１１，３ｍ／ｓｅｃ、 ７．５ＭＨ
ｚ）でも低いレーザーパワー（ＢｆｆｌＷ）で高いＣ／
Ｎ比を得ることができ、又、耐湿性にも優れている。
ムにより記録膜の光学定数を変化させて情報信号の記録
を行うので記録膜上に保護膜を形成し、保存安定性を向
上すること、及び単板化、密着はり合わせが可能である
。又、記録膜の光学定数が高速・高感度で変化するので
、高速記録再生時（１１，３ｍ／ｓｅｃ、 ７．５ＭＨ
ｚ）でも低いレーザーパワー（ＢｆｆｌＷ）で高いＣ／
Ｎ比を得ることができ、又、耐湿性にも優れている。
第１図及び第２図は、本発明の光情報記録媒体の層構成
を説明する図。
を説明する図。
Claims (1)
- 基板上に少なくとも記録層を設けた光情報記録媒体にお
いて、該記録層にＩｎ＿ＸＳｂ＿ＹＳ＿Ｚ化合物（ただ
し、０＜Ｘ＜２０、８０＜Ｙ＜１００、０＜Ｚ＜２０）
を用いたことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326140A JPH03187785A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326140A JPH03187785A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187785A true JPH03187785A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18184500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1326140A Pending JPH03187785A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005049333A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, spattering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1326140A patent/JPH03187785A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005049333A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, spattering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| US7384678B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, sputtering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
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