JPH0428032A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0428032A JPH0428032A JP2134636A JP13463690A JPH0428032A JP H0428032 A JPH0428032 A JP H0428032A JP 2134636 A JP2134636 A JP 2134636A JP 13463690 A JP13463690 A JP 13463690A JP H0428032 A JPH0428032 A JP H0428032A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に形成されたレーザー光の照射によっ
て非可逆的な変化を生じる記録層と、この記録層上に形
成された反射層とを有するレーザー光によって情報を記
録・再生する追記型の光情報記録媒体に関するものであ
る。
て非可逆的な変化を生じる記録層と、この記録層上に形
成された反射層とを有するレーザー光によって情報を記
録・再生する追記型の光情報記録媒体に関するものであ
る。
特に、本発明は、情報の記録は追記型光ディスクの書込
み装置で行い、情報の再生はＣＤ５ＶＤとよばれる再生
専用光ディスクの再生装置（プレーヤ）を用いて行う方
式に用いられるいわゆるＣＤ−ライトワンス（ＣＤ −
Ｗｒｉｔｅ−Ｏｎｃｅ）ディスりまたはＶＤ−ライトワ
ンスディスクに関するものである。
み装置で行い、情報の再生はＣＤ５ＶＤとよばれる再生
専用光ディスクの再生装置（プレーヤ）を用いて行う方
式に用いられるいわゆるＣＤ−ライトワンス（ＣＤ −
Ｗｒｉｔｅ−Ｏｎｃｅ）ディスりまたはＶＤ−ライトワ
ンスディスクに関するものである。
従来の技術
再生専用の光ディスク、すなわち、オーディオ信号をデ
ジタル信号の形で記録したＣＤとよばれる光ディスクや
、ビデオ信号をアナログ信号の形で記録したＶＤとよ−
ばれる光ディスクは古（から実用化されている。
ジタル信号の形で記録したＣＤとよばれる光ディスクや
、ビデオ信号をアナログ信号の形で記録したＶＤとよ−
ばれる光ディスクは古（から実用化されている。
また、レーザー光の照射によって記録膜に非可逆的な特
性変化、特に記録膜の形状・形態の変化を起こさせて情
報を記録する追記型（ライトワンス型）の光情報記録媒
体は静止画ファイリングシステムの記録媒体等として実
用化されている。このライトワンス型の光ディスクでは
、記録膜としてＴｅ、旧等の低融点金属やその合金化合
物または分散物あるいは色素等が用いられている。
性変化、特に記録膜の形状・形態の変化を起こさせて情
報を記録する追記型（ライトワンス型）の光情報記録媒
体は静止画ファイリングシステムの記録媒体等として実
用化されている。このライトワンス型の光ディスクでは
、記録膜としてＴｅ、旧等の低融点金属やその合金化合
物または分散物あるいは色素等が用いられている。
最近、この追記型の記録膜に書込み装置を用いて記録し
た記録済みの光ディスクを、安価なＣＤ用の再生装置（
プレーヤー）を利用して再生しようとする試みがなされ
ている。この方式ではＣＤを作るた約の原盤製造設備、
基板成形設備、反射膜の蒸着設備といった大型設備が不
用となり、ユーザーが小型の書込み装置を用いて追記型
の光ディスクに書込んだ情報を広く普及したＣＤプレー
ヤーで簡単に再生することができるという利点がある。
た記録済みの光ディスクを、安価なＣＤ用の再生装置（
プレーヤー）を利用して再生しようとする試みがなされ
ている。この方式ではＣＤを作るた約の原盤製造設備、
基板成形設備、反射膜の蒸着設備といった大型設備が不
用となり、ユーザーが小型の書込み装置を用いて追記型
の光ディスクに書込んだ情報を広く普及したＣＤプレー
ヤーで簡単に再生することができるという利点がある。
しかし、この方式に用いられるＣＤ−ライトワンス型デ
ィスクは、追言己型光ディスク用の書込み装置で書き込
みができ、しかも、ＣＤプレーヤーで再生できなければ
ならないため、追記型の光ディスクの特性とＣＤまたは
ＶＤの性能とを同時に有していなければならない。換言
すれば、ＣＤ−ライトワンス型ディスクは追記型光デイ
スク用の書込み装置で非可逆変形ができる高い記録特性
、特に高い記録感度特性と、ＣＤプレーヤーで再生がで
きる再生特性、特に高い反射特性との両方の性能を持っ
ていなければならない。この記録感度特性と反射特性と
を同時に大きくすることは一般には極めて困難である。
ィスクは、追言己型光ディスク用の書込み装置で書き込
みができ、しかも、ＣＤプレーヤーで再生できなければ
ならないため、追記型の光ディスクの特性とＣＤまたは
ＶＤの性能とを同時に有していなければならない。換言
すれば、ＣＤ−ライトワンス型ディスクは追記型光デイ
スク用の書込み装置で非可逆変形ができる高い記録特性
、特に高い記録感度特性と、ＣＤプレーヤーで再生がで
きる再生特性、特に高い反射特性との両方の性能を持っ
ていなければならない。この記録感度特性と反射特性と
を同時に大きくすることは一般には極めて困難である。
これまでに提案されたＣＤ−ライトワンス型ディスクは
、追記型光ディスクの記録膜にＡｕ５Ａ１等の高反射率
の反射膜を設けて反射特性を高くしたものが多いが、こ
れらの反射膜の材料はいずれも熱伝導が高いために、記
録時に記録膜に吸収されたレーザーエネルギーが有効に
利用できず、従って、十分満足できるような記録感度が
得られながった。
、追記型光ディスクの記録膜にＡｕ５Ａ１等の高反射率
の反射膜を設けて反射特性を高くしたものが多いが、こ
れらの反射膜の材料はいずれも熱伝導が高いために、記
録時に記録膜に吸収されたレーザーエネルギーが有効に
利用できず、従って、十分満足できるような記録感度が
得られながった。
発明が解決する課題
従って、本発明はの目的は、上記問題点のない高反射率
で且つ高記録感度のＣＤ−ライトワンス型ディスクを提
供することにある。
で且つ高記録感度のＣＤ−ライトワンス型ディスクを提
供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者等は、高反射率且つ高記録感度が得られる反射
膜を種々検討した結果、Ａｕ、 Ａ１等の純金属に少量
の異種金属を混合して合金化することによって上記問題
点を解決できることを見出し本発明を完成した。
膜を種々検討した結果、Ａｕ、 Ａ１等の純金属に少量
の異種金属を混合して合金化することによって上記問題
点を解決できることを見出し本発明を完成した。
本発明の提供する追記型の光情報記録媒体は、基板上に
形成されたレーザー光の照射によって非可逆的な形状お
よび／または形態変化を生じる記録層と、この記録層上
に形成された反射層とを有する追記型の光情報記録媒体
において、上記反射層がＡｕ、 Ａｇ、 ＣｕＳＡｌか
らなる群（以下この群をＡ群と呼ぶ）の中から選択され
た少なくとも１種の元素と、Ｃ５Ｔｉ、 Ｓｉ、Ｔａ、
Ｎｂ、 Ｐｔ、 Ｉｒ、 Ｆｅ、 Ｒｅ。
形成されたレーザー光の照射によって非可逆的な形状お
よび／または形態変化を生じる記録層と、この記録層上
に形成された反射層とを有する追記型の光情報記録媒体
において、上記反射層がＡｕ、 Ａｇ、 ＣｕＳＡｌか
らなる群（以下この群をＡ群と呼ぶ）の中から選択され
た少なくとも１種の元素と、Ｃ５Ｔｉ、 Ｓｉ、Ｔａ、
Ｎｂ、 Ｐｔ、 Ｉｒ、 Ｆｅ、 Ｒｅ。
Ｓｂ、 Ｚｒ、 ５ｎＳＮｉ、 Ｔｌ、 Ｐｄ、 Ｃｏ
からなる群（以下この群をＢ群と呼ぶ）の中から選択さ
れた少なくとも１種の元素との合金の薄膜であることを
特徴としている。
からなる群（以下この群をＢ群と呼ぶ）の中から選択さ
れた少なくとも１種の元素との合金の薄膜であることを
特徴としている。
上記基板は一般にディスク形状であるが、カードやドラ
ム状のものでもよい。基板の材料はガラス、金属、セラ
ミック、プラスチックにすることができるが、特に透明
なプラスチックが好ましい。
ム状のものでもよい。基板の材料はガラス、金属、セラ
ミック、プラスチックにすることができるが、特に透明
なプラスチックが好ましい。
透明プラスチック基板材料としては、射出成形可能なポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂（ポリメチルメタク
リレート樹脂等）、アモルファスポリオレフィン等の特
殊オレフィン樹脂の他に、２Ｐ法と呼ばれる注型成形用
のエポキシ樹脂等を挙げることができる。
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂（ポリメチルメタク
リレート樹脂等）、アモルファスポリオレフィン等の特
殊オレフィン樹脂の他に、２Ｐ法と呼ばれる注型成形用
のエポキシ樹脂等を挙げることができる。
上記の追記型の記録層は、レーザー光によって非可逆的
な形状および／または形態の変化を生じさせる公知の任
意の材料を用いることができる。
な形状および／または形態の変化を生じさせる公知の任
意の材料を用いることができる。
具体的には、Ｔｅ−３ｅ、 ＴＴｅ−５ｅ−ＰｂＳＴｅ
−３ｅ−ＴｉＡ、 Ｔｅ−Ｂ１． Ｔｅ＝ Ｃ−Ｈ等の
Ｔｅを主成分とした合金薄膜、シアニン系、フタロシア
ニン系等の有機色素薄膜等を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。この記録膜およびその
成膜方法は公知であり、また、本発明の対象ではないの
で詳細は省略するが、一般に、Ｔｅ系の合金薄膜の場合
には蒸着、スパッタリング等の物理蒸着法を用い、有機
色素薄膜の場合にはスピンコード等の塗布法を用いるこ
とが多い。また、これら記録膜の厚さは各言己録膜の特
性によって決められた範囲に選択する。
−３ｅ−ＴｉＡ、 Ｔｅ−Ｂ１． Ｔｅ＝ Ｃ−Ｈ等の
Ｔｅを主成分とした合金薄膜、シアニン系、フタロシア
ニン系等の有機色素薄膜等を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。この記録膜およびその
成膜方法は公知であり、また、本発明の対象ではないの
で詳細は省略するが、一般に、Ｔｅ系の合金薄膜の場合
には蒸着、スパッタリング等の物理蒸着法を用い、有機
色素薄膜の場合にはスピンコード等の塗布法を用いるこ
とが多い。また、これら記録膜の厚さは各言己録膜の特
性によって決められた範囲に選択する。
本発明の特徴は、上記Ａ群の中から選択された少なくと
も１種の金属元素と、上ｇＥＢ群の中から選択された少
なくとも１種の元素との合金によって反射膜を作る点に
あり、この合金の組成は下記の式を満足するようにする
のが好ましい：Ａ１０Ｏ−）ｌＢｘ （ここで、ＸはＢの元素の原子％で０＜Ｘ≦１０である
） 合金中ＯＢの含有量が１０％を超えると十分満足な高反
射率が得られない。
も１種の金属元素と、上ｇＥＢ群の中から選択された少
なくとも１種の元素との合金によって反射膜を作る点に
あり、この合金の組成は下記の式を満足するようにする
のが好ましい：Ａ１０Ｏ−）ｌＢｘ （ここで、ＸはＢの元素の原子％で０＜Ｘ≦１０である
） 合金中ＯＢの含有量が１０％を超えると十分満足な高反
射率が得られない。
また、反射層の膜厚は合金組成によって異なるが、一般
には１００人〜１０００人、好ましくは２００人〜６０
０人にする。１００Å以下では十分高い反射率が得られ
ずまた１０００人を越えると満足できる記録感度が得ら
れない。
には１００人〜１０００人、好ましくは２００人〜６０
０人にする。１００Å以下では十分高い反射率が得られ
ずまた１０００人を越えると満足できる記録感度が得ら
れない。
反射膜は一般に蒸着、スパッタリング等の物理的蒸着法
によって記録膜上に直接形成することができる。蒸着源
としては上記合金を直接用いるか、Ａの金属とＢの金属
を同時に用いて、各蒸着源の面積を変えるか、各蒸着源
に加えるＥＢガンのエネルギーを変えるか、蒸着レート
を変えて、基板上で上記の組成比となるようにする。
によって記録膜上に直接形成することができる。蒸着源
としては上記合金を直接用いるか、Ａの金属とＢの金属
を同時に用いて、各蒸着源の面積を変えるか、各蒸着源
に加えるＥＢガンのエネルギーを変えるか、蒸着レート
を変えて、基板上で上記の組成比となるようにする。
第１図は本発明が特に好ましく適用される追記型の光デ
ィスクの断面構造を示す概念図であり、透明プラスチッ
ク基板１上に形成された記録層２の上に本発明による反
射層３が形成されている。
ィスクの断面構造を示す概念図であり、透明プラスチッ
ク基板１上に形成された記録層２の上に本発明による反
射層３が形成されている。
実際には、この構成の光ディスクを２枚を反射層３が互
いに対向した状態で貼り合わて用いることが多い。
いに対向した状態で貼り合わて用いることが多い。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例、比較例では得られた光ディスクの
記録・再生特性を評価用測定装置で測定しているが、デ
ィスク基板に付ける案内溝、信号ピット等をＣＤ用規格
に合わせることによって、ＣＤプレーヤーで再生するこ
とが可能であるということは理解できよう。
記録・再生特性を評価用測定装置で測定しているが、デ
ィスク基板に付ける案内溝、信号ピット等をＣＤ用規格
に合わせることによって、ＣＤプレーヤーで再生するこ
とが可能であるということは理解できよう。
実施例１
射出成形法で作られた直径が１２０ｍｍ、厚さが１．２
ｍｍのＩＳＯ規格のスパイラル溝付きポリカーボネート
樹脂のディスク基板にＤＣスパッタリング装置でＴｅＳ
ｅＴｉＡｇの４成分の合金ターゲット［Ｔｅ：Ｓｅ：Ｔ
ｉ：Ａｇ（原子比）＝９０．０：８．９：１． ｏ：ｏ
、 １］を用いてＴｅ系の記録簿を３００人の膜厚に成
膜した。
ｍｍのＩＳＯ規格のスパイラル溝付きポリカーボネート
樹脂のディスク基板にＤＣスパッタリング装置でＴｅＳ
ｅＴｉＡｇの４成分の合金ターゲット［Ｔｅ：Ｓｅ：Ｔ
ｉ：Ａｇ（原子比）＝９０．０：８．９：１． ｏ：ｏ
、 １］を用いてＴｅ系の記録簿を３００人の膜厚に成
膜した。
次いで、同じＤＣスパッタリング装置中でアルミニウム
とクロムの２元ターゲット（Ａｌ：Ｃｒの面積比−９５
＋ ５）を用いて、上記のＴｅ系の記録膜の上に膜厚３
００人のＡ１５ｓＣｒ５の反げ膜を成膜した。
とクロムの２元ターゲット（Ａｌ：Ｃｒの面積比−９５
＋ ５）を用いて、上記のＴｅ系の記録膜の上に膜厚３
００人のＡ１５ｓＣｒ５の反げ膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについてを７８０ｎｍの半
導体レーザーを用いてＣ／Ｎ比、記録感度および反射率
を測定した。
導体レーザーを用いてＣ／Ｎ比、記録感度および反射率
を測定した。
なお、Ｃ／Ｎ比は７８０ ｎ ｍの半導体レーザーを用
いて線速１．３ｍ／秒、記録周波数７００ ｋ Ｈｚで
、ｄｕｔｙ＝３０％の条件で書き込みを行ない、０．７
ｍＷで読み出したときのＣ／Ｎの最大値であり、記録感
度は上記の測定条件でＣ／Ｎ＝４５ｄＢになる書き込み
出力を表している。
いて線速１．３ｍ／秒、記録周波数７００ ｋ Ｈｚで
、ｄｕｔｙ＝３０％の条件で書き込みを行ない、０．７
ｍＷで読み出したときのＣ／Ｎの最大値であり、記録感
度は上記の測定条件でＣ／Ｎ＝４５ｄＢになる書き込み
出力を表している。
得られた結果は、Ｃ／Ｎが４８ ｄＢ、記録感度が４ｍ
Ｗ、反射率が３５％であった。
Ｗ、反射率が３５％であった。
比較例１
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には、反射膜
用のターゲットとしてＡ１９５ＣｒＳの代りに純金属の
Ａｌを用いて３００人のＡｌの反射膜を成膜した。
用のターゲットとしてＡ１９５ＣｒＳの代りに純金属の
Ａｌを用いて３００人のＡｌの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて、実施例１と同様
にしてＣ／Ｎ比、記録感度、反射率を測定した結果、Ｃ
／Ｎは４７ ｄＢ、記録感度は５ｍＷ。
にしてＣ／Ｎ比、記録感度、反射率を測定した結果、Ｃ
／Ｎは４７ ｄＢ、記録感度は５ｍＷ。
反射率は３６％であった。
実施例１の結果と比較すると、本発明による実施例１で
は、反射率の低下割合（３５−３６）／３６ ＝−３％
に比べて、記録感度は（５−４）ｍ１１１５ｍＷ＝ ＋
２０％の率で大幅に向上することが分かる。
は、反射率の低下割合（３５−３６）／３６ ＝−３％
に比べて、記録感度は（５−４）ｍ１１１５ｍＷ＝ ＋
２０％の率で大幅に向上することが分かる。
実施例２
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡｌ、ｓＣｒ、の代りに金とクロム
との２元ターゲット （Ａｕ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人
の八０９ｓｃｒｓの反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＡｌ、ｓＣｒ、の代りに金とクロム
との２元ターゲット （Ａｕ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人
の八０９ｓｃｒｓの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
比較例２
実施例２の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲラ）＆してＡｕ、、５Ｃ’ｒｓ代わりに純金を
用いて３００ＡのＡｕの反射膜を成膜した。
のターゲラ）＆してＡｕ、、５Ｃ’ｒｓ代わりに純金を
用いて３００ＡのＡｕの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例３
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとして＾１ｓｓＣｒ５の代りに銅とクロム
との２元ターゲット（Ｃｕ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人の
Ｃｕｓ、Ｃｒ、の反射膜を成膜した。
のターゲットとして＾１ｓｓＣｒ５の代りに銅とクロム
との２元ターゲット（Ｃｕ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人の
Ｃｕｓ、Ｃｒ、の反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
比較例３
実施例３の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＣＵｓ５Ｃｒ５代わりに純銅を用い
て３００人のＣｕの反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＣＵｓ５Ｃｒ５代わりに純銅を用い
て３００人のＣｕの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例４
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のタニゲットとしてＡｌ３．Ｃｒｓの代りに銀とクロム
との２元ターゲット（Ａｇ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人の
Ａｇ５ｓＣｒｓの反射膜を成膜した。
のタニゲットとしてＡｌ３．Ｃｒｓの代りに銀とクロム
との２元ターゲット（Ａｇ ： Ｃｒの面積比＝９５
： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３００人の
Ａｇ５ｓＣｒｓの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
比較例４
実施例４の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡｇ５５Ｃｒ４．代わりに純銀を用
いて３００人のＡｇの反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＡｇ５５Ｃｒ４．代わりに純銀を用
いて３００人のＡｇの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例５
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡｌ５ｓｃｒ５の代りにアルミとチ
タンとの２元ターゲット （Ａｌ ： Ｔｉ の面積比
＝９５ ： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３
００人のＡ１９５Ｔ１５の反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＡｌ５ｓｃｒ５の代りにアルミとチ
タンとの２元ターゲット （Ａｌ ： Ｔｉ の面積比
＝９５ ： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３
００人のＡ１９５Ｔ１５の反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例６
実施例１の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡ１９ＳＣｒＳの代りにアルミと珪
素との２元ターゲッ） （Ａｌ ： Ｓｉ の面積比＝
９５ ： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３０
０人のＡ１９．Ｓｉ５の反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＡ１９ＳＣｒＳの代りにアルミと珪
素との２元ターゲッ） （Ａｌ ： Ｓｉ の面積比＝
９５ ： ５）を用いてＴｅ系の記録膜の上に膜厚３０
０人のＡ１９．Ｓｉ５の反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／’Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果
は表−１に示しである。
してＣ／’Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果
は表−１に示しである。
実施例７
２Ｐ法によってガラス基板上に紫外線硬化型の樹脂を用
いてＩＳＯ規格のスパイラル溝を付けた直径が１２０ｍ
ｍ５厚さが１．２ｍωの光デイスク基板上にスピンコー
ターを用いてシアニン系色素薄膜を１２００人の厚さに
成膜した。
いてＩＳＯ規格のスパイラル溝を付けた直径が１２０ｍ
ｍ５厚さが１．２ｍωの光デイスク基板上にスピンコー
ターを用いてシアニン系色素薄膜を１２００人の厚さに
成膜した。
このシアニン系色素は下記の式で表される化合物であり
、この色素の０，７％２，２′−ジクロロエタン溶液を
塗布した： このシアニン系色素薄膜の記録膜の上に実施例１と同じ
アルミニウムとクロムの２元ターゲット（Ａｌ：Ｃｒの
面積比＝９５ ： ５）を用いて、ＤＣスパッタリング
装置中で膜厚３００人のＡｌ５ｓｃｒｓの反射膜を成膜
した。
、この色素の０，７％２，２′−ジクロロエタン溶液を
塗布した： このシアニン系色素薄膜の記録膜の上に実施例１と同じ
アルミニウムとクロムの２元ターゲット（Ａｌ：Ｃｒの
面積比＝９５ ： ５）を用いて、ＤＣスパッタリング
装置中で膜厚３００人のＡｌ５ｓｃｒｓの反射膜を成膜
した。
得られた追記型の光ディスクについてを７８０ｎｍの半
導体レーザーを用いてＣ／Ｎ比、８己録感度および反射
率を測定した。
導体レーザーを用いてＣ／Ｎ比、８己録感度および反射
率を測定した。
Ｃ／Ｎは５３ ｄＢ、記録感度は７．５ｍＷ、反射率は
６３％であった。
６３％であった。
比較例５
実施例７の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとして＾１ｓｓＣｒｇ代わりに純金属のＡ
ｌを用いてシアニン系色素薄膜の上に３００人のＡ１の
反射膜を成膜した。
のターゲットとして＾１ｓｓＣｒｇ代わりに純金属のＡ
ｌを用いてシアニン系色素薄膜の上に３００人のＡ１の
反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例７の結果と比較すると、本発明による実施例７で
は、反射率の低下割合（６５−６３）／６５＝ ３％に
比べて、８己録感度が７．５ ｍＷ ／８．５ ｍＷ＝
％大幅に向上することが分かる。
は、反射率の低下割合（６５−６３）／６５＝ ３％に
比べて、８己録感度が７．５ ｍＷ ／８．５ ｍＷ＝
％大幅に向上することが分かる。
実施例７の結果と比較すると、本発明による実施例７で
は、反射率の低下割合（６３−６５）／６５＝−３％に
比べて、記録感度は（８，５−７，５）ｍＷ／８．５
＋ｔ＋Ｗ ＝＋２４％の率で大幅に向上することが分か
る。
は、反射率の低下割合（６３−６５）／６５＝−３％に
比べて、記録感度は（８，５−７，５）ｍＷ／８．５
＋ｔ＋Ｗ ＝＋２４％の率で大幅に向上することが分か
る。
実施例８
実施例７の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡ１ｇ５Ｃｒ５の代りに金とクロム
との２元ターゲット （Ａｕ ： Ｃｒの面積比−９５
： ５）を用いてシアニン系色素薄膜の上に膜厚３００
人のＡｕ９ｓｃｒｓの反射膜を成膜した。
のターゲットとしてＡ１ｇ５Ｃｒ５の代りに金とクロム
との２元ターゲット （Ａｕ ： Ｃｒの面積比−９５
： ５）を用いてシアニン系色素薄膜の上に膜厚３００
人のＡｕ９ｓｃｒｓの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
比較例６
実施例８の操作を繰り返したが、この場合には反射膜用
のターゲットとしてＡｌ５ｓｃｒｓ代わりに純金を用い
てシアニン系色素薄膜の上に３００人のＡｕの反射膜を
成膜した。
のターゲットとしてＡｌ５ｓｃｒｓ代わりに純金を用い
てシアニン系色素薄膜の上に３００人のＡｕの反射膜を
成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
実施例９
実施例７の操作を繰り返したが、この場合には有機記録
材としてシアニン系色素の代わりにフタロシアニン系色
素（オレオノール ファーストブルーＥＬ、住友化学社
製）のトルエン溶液（色素：溶媒＝１６０重量ひ）をス
ピンコーターにより１２００人成膜した。得られたフタ
ロシアニン系色素の記録膜上に実施例２で用いたのと同
じ金とクロムとの２元ターゲット（Ａｕ：Ｃｒの面積比
＝９５ ＋ ５）を用いてＤＣスパッタリング装置中で
膜厚３００人のＡｕ９ＳＣｒＳの反射膜を成膜した。
材としてシアニン系色素の代わりにフタロシアニン系色
素（オレオノール ファーストブルーＥＬ、住友化学社
製）のトルエン溶液（色素：溶媒＝１６０重量ひ）をス
ピンコーターにより１２００人成膜した。得られたフタ
ロシアニン系色素の記録膜上に実施例２で用いたのと同
じ金とクロムとの２元ターゲット（Ａｕ：Ｃｒの面積比
＝９５ ＋ ５）を用いてＤＣスパッタリング装置中で
膜厚３００人のＡｕ９ＳＣｒＳの反射膜を成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
比較例７
実施例９の操作を繰り返したが、この場合には１射膜用
のターゲットとしてＡｕ５ｓＣｒ５代わりに純金を用い
てシアニン系色素薄膜の上に３００ＡのＡｕの反射膜を
成膜した。
のターゲットとしてＡｕ５ｓＣｒ５代わりに純金を用い
てシアニン系色素薄膜の上に３００ＡのＡｕの反射膜を
成膜した。
得られた追記型の光ディスクについて実施例１と同様に
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
してＣ／Ｎ比、記録感度および反射率を測定した結果は
表−１に示しである。
表
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明による合金薄膜
を反射層として用いた光ディスクはその合金の主成分で
ある金属元素を単独で反射層として用いた場合に比べて
、記録感度が大幅に向上し、従って、追記型記録媒体用
の書込み装置で記録する場合の感度不足が大幅に完全さ
れる。
を反射層として用いた光ディスクはその合金の主成分で
ある金属元素を単独で反射層として用いた場合に比べて
、記録感度が大幅に向上し、従って、追記型記録媒体用
の書込み装置で記録する場合の感度不足が大幅に完全さ
れる。
第１図は本発明が適用される追記型の光デイグの断面構
造を示す概念図。 （主な参照番号） に基板 ２：記録層 ３：反射層 ス
造を示す概念図。 （主な参照番号） に基板 ２：記録層 ３：反射層 ス
Claims (2)
- （１）基板上に形成されたレーザー光の照射によって非
可逆的な形状および／または形態変化を生じる記録層と
、この記録層上に形成された反射層とを有する追記型の
光情報記録媒体において、上記反射層がＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌからなる群の中から選択された少なくとも１種
の元素と、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ
、Ｆｅ、Ｒｅ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｌ、Ｐｄ、
Ｃｏからなる群の中から選択された少なくとも１種の元
素との合金の薄膜であることを特徴とする光情報記録媒
体。 - （２）上記反射層を構成する合金が下記組成：Ａ＿１＿
０＿０＿−＿ｘＢ＿ｘ （ここで、ＡはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌからなる群の中
から選択された少なくとも１種の元素であり、ＢはＣｒ
、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｅ、
Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｃｏからなる群
の中から選択された少なくとも１種の元素であり、Ｘは
０＜Ｘ≦１０の範囲を満たす数である） を有することを特徴とする請求項１に記載の光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134636A JPH0428032A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134636A JPH0428032A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428032A true JPH0428032A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15133004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2134636A Pending JPH0428032A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0428032A (ja) |
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-
1990
- 1990-05-24 JP JP2134636A patent/JPH0428032A/ja active Pending
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