JPH02156435A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光の照射により、情報の記録を行う光記
録媒体に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

近年、可逆的に相変態する材料を用いた書き換え可能型
光ティスフ媒体の開発が活発に行われている。特に、ビ
ット単位での記録消去が可能なように相変態の高速化に
関して開発競争がなされている。しかしながら、可逆な
記録は非可逆な記録に比べて安定性が劣る宿命を有する
ものである。従って、可逆な記録をいかにして安定性を
損わずに高速化できるかとい点が開発のポイントであり
、いわば相変態速度と安定性との妥協点のうち可能な限
り高品質の点を見出すことが現在の開発方針といえる。

一方、光記録媒体を使用する側からみれば、自由に書き
換えたい情報と、消去したくない情報との区別をつけた
い場合が往々にしである。

そこで、１つの媒体上に書き換え不能領域（以下、Ｗ　
ｏ　ｒ　ｍ領域という）及び書き換え可能領域（以下、
Ｅｒａｓａｂ１ｅ領域という）を設けておくことが提案
されている。しかし、従来このような１つの媒体上にＷ
　ｏ　ｒ　ｍ領域とＥ　ｒａｓａｂｌｅ領域とを併存さ
せる場合、これら領域の容量比は予め設定されているた
め、使用態様の変化に対処できず、どちらかの領域が余
ることになり、メモリ容量に無駄が生じるという問題点
を有するものであった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は１つの媒体中にＷＯｒＩ１１領域とＥ　ｒａｓ
ａｂ１ｅ領域を自由に形成し得る光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は基板上に、レーザ光の照射により結晶状態から
非晶質状態に相変態することにより情報の記録が可能な
記録層と、該記録層より高い融点を有する第２の金属層
とを重ね合わせた層構成を有し、この第２の金属層は前
記記録層と溶融合金化又は溶融化合した際に冷却条件に
より非晶質状態をとることが可能で、かつその非晶質状
態の結晶化の活性化エネルギー及び／又は結晶化温度が
前記記録層が単独で非晶質状態になった場合のそれらよ
り低い材料からなることを特徴とするものである。

第１図は本発明に係る光記録媒体の一例を示すものであ
る。このように、本発明の光記録媒体は基板１上に記録
層２及び第２の金属層３が重ね合わされて積層され、構
成されている。

記録層２としてはレーザ光の照射により結晶状態から非
晶質状態に相変態し得る金属材料で構成されこれら記録
層２は膜厚３００人〜３０００人程程度なるように形成
される。

第２の金属層３は記録層２を構成する金属材料よりも高
い融点を有する金属材料で構成され、これら第２の金属
層３の膜厚は５０人〜２０００人程度となるように形成
される この第２の金属層３は記録層２と溶融合金化又は溶融化
合した際に冷却条件により非晶質状態をとることが可能
であり、しかもその非晶質状態の結晶化の活性化エネル
ギー及び／又は結晶化温度が記録層２が単独で非晶質状
態になった場合の結晶化の活性化エネルギー及び／又は
結晶化温度より低い材料で構成される。

これら記録層２及び第２の記録層３の具体的構成材料を
示せば次のような組合せが例示できる。

記録層２　　　　　　第２の金属層３ ２２％Ｇｅ−６６％Ｔｅ−１２％Ｓｎ　　　　　　　　
　Ａｕまた、基板１としてはＰＭＭＡ、ポリカーボネー
ト等のプラスチック及びガラス、アルミニウム等が使用
できる。

なお、本発明光記録媒体において、第２図に示されるよ
うに、必要に応じて第２の金属層３上にＺｎＳ、ＳｉＯ
，等の保護層４を設けてもよく、また基板１と記録層２
との間に下地層５あるいはプレグルーブ層等を設けても
よい。

このような光記録媒体において、情報の記録を行うに際
し、Ｗ　ｏ　ｒｒｓ領域として使用する場合は、第２の
金属層３の融点より低い温度でレーザ光を照射する。こ
れにより、記録層２は第２の金属層３と合金化又は溶融
化合することなく、記録層２のみの相が結晶状態から非
晶質状態に変態し、情報の記録が行われる。このように
非晶質状態となった記録層２の非晶質状態は第２の金属
層３とは反応しておらず、極めて安定化したものである
。

また、Ｅ　ｒａｓａｂｌｅ領域として使用する場合は、
その必要な媒体領域に、記録層２の温度が第２の金属層
３の融点より高くなるような強度のレーザ光を照射して
その領域の記録層２と第２の金属層３とを溶融合金化又
は溶融化合させる。

そして、冷却後にこれら溶融合金化又は溶融化合した領
域は非晶質状態となって情報の記録が行われる。この溶
融合金化又は溶融化合した領域はその非晶質状態の結晶
化の活性化エネルギー及び／又は結晶化温度が記録層２
単独のそれら、より低くなるような材料で構成されるた
め、前記したＷ　ｏ　ｒ　ｍ領域、すなわち第２の金属
層３が溶融せず、記録層２のみの相変態を起している非
晶質状態の結晶化を生じさせずに、前記溶融合金化又は
溶融化合して非晶質状態となったＥ　ｒａｓａｂｌｅ領
域のみを結晶化させること、すなわち情報の消去が可能
で、しかも再書き込みも可能となる。

以下に実施例を示す。

実施例 ポリカーボネート基板上に厚さ約１０００人の２ｎＳか
らなる下地層をスパッタリング法により設けた後、三元
同時蒸着法により、Ｇ　ｅ　：　２２Ｍ子％、Ｔｅ：６
６原子％、Ｓｎ：１２原子％からなる組成のＧｅ−Ｔｅ
−８ｎ合金層を記録層として厚さ７００人設けた。さら
に、その上に第２の金属層としてＡｕ層を蒸着法にて１
８０人の厚さで設け、最後、再びスパッタリング法にて
２０００人の厚さのＺｎＳ保護層を設けた。このように
して得られた光記録媒体に波長７９０ｎｍの半導体レー
ザ光をビーム径１μｍで照射し記録を試みた。

ａ）Ｗｏｒｍ領域としての記録 ８ｍＷ、１００ｎｓｅｃのパルス照で記録層のみを非晶
質状態に変態させることができ、良好な記録が行われた
。記録された非晶質ビットは１０ｍＷ以下のいかなるパ
ワーでも１００　ｎ　ｓｅｅの短パルスでは消去不能で
あった。また記録ピット部の結晶化の活性化エネルギー
は３ｅＶ以上と推定され、かつ結晶化温度は２００℃以
上であって。

極めて非晶質状態の安定性が高いものであった。

なお、Ｇｅ−Ｔｅ−８ｎ層の融点は５００℃前後であり
、Ａｕ層のそれの１０６３℃に比較してはるかに低いた
め、Ａｕ層には全く変化が認められなかった。

ｂ　）　Ｅ　ｒａｓｅｂｌｅ領域としての記録１０ｍＷ
、１５０　ｎ　ｓｅｅのパルス照射でＡｕ層とＧｅ−Ｔ
ｅ−８ｎ層とが溶融合金化した。その後は、８　ｍＷ、
　１００ｎｓｅｃのパルス照射で記Ｂ（非晶質）、６ｍ
Ｗ、１００　ｎ　ｓｅｅのパルス照射で消去（結晶化）
が可能であった。

〔発明の効果〕

以上のような本発明では、１つの媒体中にＷ　ｏ　ｒ　
ｍ領域とＥ　ｒａｓａｂｌｅ領域とを自由に形成し得る
ため、メモリ容量の無駄がなくなり、使用態様に応じた
有用利用可能な光記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る光記録媒体の態様を示
す断面説明図である。 １・・・基板 ３・・・第２の金属層 ５・・・下地層 ２・・・記録層 ４・・・保護層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上に、レーザ光の照射により結晶状態から非晶
   質状態に相変態することにより情報の記録が可能な記録
   層と、該記録層より高い融点を有する第２の金属層とを
   重ね合わせた層構成を有し、この第２の金属層は前記記
   録層と溶融合金化又は溶融化合した際に冷却条件により
   非晶質状態をとることが可能で、かつその非晶質状態の
   結晶化の活性化エネルギー及び／又は結晶化温度が前記
   記録層が単独で非晶質状態になった場合のそれらより低
   い材料からなることを特徴とする光記録媒体。