JPH04119883A - 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 - Google Patents
光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体Info
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- JPH04119883A JPH04119883A JP2239002A JP23900290A JPH04119883A JP H04119883 A JPH04119883 A JP H04119883A JP 2239002 A JP2239002 A JP 2239002A JP 23900290 A JP23900290 A JP 23900290A JP H04119883 A JPH04119883 A JP H04119883A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザビーム等の光ビームを記録材料層へ照
射してその照射部位の光学的性質を変化させ、この光学
的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・
再生・消去を行う書換え可能な光記録媒体とこれを用い
た光学的記録方法に係り、特に、最大４値化の信号が記
録でき、かつ、消去率やＣ／Ｎ比等の向上か図れ、しか
も、情報の書込み若しくは書換えを高速で行うことか可
能な光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法の改良に
関するものである。
射してその照射部位の光学的性質を変化させ、この光学
的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・
再生・消去を行う書換え可能な光記録媒体とこれを用い
た光学的記録方法に係り、特に、最大４値化の信号が記
録でき、かつ、消去率やＣ／Ｎ比等の向上か図れ、しか
も、情報の書込み若しくは書換えを高速で行うことか可
能な光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法の改良に
関するものである。
Ｊ従来の技術〕
従来、レーザビーム等の光ビームを利用して情報の記録
を行う書換え可能な光記録媒体として光磁気記録媒体が
あり一部において実用化されている。すなわち、この方
式は光エネルギと磁界を印加し、記録材料層の磁化方向
を反転させて情報の書込みを行う一方、磁化方向による
ファラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して
再生信号を求める方式である。
を行う書換え可能な光記録媒体として光磁気記録媒体が
あり一部において実用化されている。すなわち、この方
式は光エネルギと磁界を印加し、記録材料層の磁化方向
を反転させて情報の書込みを行う一方、磁化方向による
ファラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して
再生信号を求める方式である。
しかし、この方式においては少なくともｌセクタ以内で
書換えを行うための実用的な方法かないため限られた分
野に応用されているに過きないものであった。
書換えを行うための実用的な方法かないため限られた分
野に応用されているに過きないものであった。
一方、書換え可能なもう一つの光記録媒体として「結晶
相−アモルファス相ｊ間の相変化を利用する、所謂、相
変化型の光記録媒体か研究途上にある。すなわち、この
方式は、第１９図に示すように結晶質状態（Ｃ「）にあ
る記録材料層（ａ）の−部へ高出力のレーザビームを照
射し、その部位の記録材料層（ａ）を溶融後急冷するこ
とでアモルファス状態（ａｍ）に変化させ、通常、これ
を記録状態に対応させる一方、消去に際しては、第２０
図に示すようにその記録部位へ低出力のレーザビームを
、照射し、溶融後、徐冷することで結晶質状態（ｃｒ）
に戻すという方法で行われている。
相−アモルファス相ｊ間の相変化を利用する、所謂、相
変化型の光記録媒体か研究途上にある。すなわち、この
方式は、第１９図に示すように結晶質状態（Ｃ「）にあ
る記録材料層（ａ）の−部へ高出力のレーザビームを照
射し、その部位の記録材料層（ａ）を溶融後急冷するこ
とでアモルファス状態（ａｍ）に変化させ、通常、これ
を記録状態に対応させる一方、消去に際しては、第２０
図に示すようにその記録部位へ低出力のレーザビームを
、照射し、溶融後、徐冷することで結晶質状態（ｃｒ）
に戻すという方法で行われている。
そして、この方式においては２つの光ビームを用いて１
セクタ一以内での書換え（すなわち、記録されている情
報を先行ビームで消去した後、次の光ビームで記録を行
う）ができるほか、結晶化時間の短い記録材料を適用し
た場合には１つの光ビームによるオーバーライド（すな
わち、ビームの出力を選択的に切換えながら記録又は消
去を行う情報の同時書換え）か可能となるため、様々な
分野において応用できる利点を有している。
セクタ一以内での書換え（すなわち、記録されている情
報を先行ビームで消去した後、次の光ビームで記録を行
う）ができるほか、結晶化時間の短い記録材料を適用し
た場合には１つの光ビームによるオーバーライド（すな
わち、ビームの出力を選択的に切換えながら記録又は消
去を行う情報の同時書換え）か可能となるため、様々な
分野において応用できる利点を有している。
ところで、上記相変化型の光記録媒体に適用される記録
材料には上述したように結晶化時間の短い材料が若干は
存在するもののその大半は結晶化速度が遅い（すなわち
、結晶化時間が１００ ｎｓ以上と長い）ため、記録情
報の消去に時間を要しその書換え速度か遅くなる問題点
があった。
材料には上述したように結晶化時間の短い材料が若干は
存在するもののその大半は結晶化速度が遅い（すなわち
、結晶化時間が１００ ｎｓ以上と長い）ため、記録情
報の消去に時間を要しその書換え速度か遅くなる問題点
があった。
一方、この問題点を解消する方法として特開昭６４−７
２３４１号公報においては、従来の「結晶相−アモルフ
ァス相」間の相変化を利用する方法に替えて「結晶相−
アモルファス中に結晶が混在した混相工間の相変化を利
用する記録方法か提案されている。すなわち、この記録
方法においては「アモルファス相」を記録状態に対応さ
せるのでなく、上記「混相」を記録状態に対応させるこ
とてその消去時間を実効的に縮めようとする方法であっ
た。
２３４１号公報においては、従来の「結晶相−アモルフ
ァス相」間の相変化を利用する方法に替えて「結晶相−
アモルファス中に結晶が混在した混相工間の相変化を利
用する記録方法か提案されている。すなわち、この記録
方法においては「アモルファス相」を記録状態に対応さ
せるのでなく、上記「混相」を記録状態に対応させるこ
とてその消去時間を実効的に縮めようとする方法であっ
た。
しかし、上記ｌｌ混相」を記録状態に対応させた二の改
良法においては、こアモルファス相ツから「結晶相」へ
相変化させる従来法に較へて消去時間の若干の短縮か図
れるものの大幅な改善は望めない問題点かあり、保存安
定性に優れた記録材料（すなわち、結晶化温度の高い記
録材料）を適用した場合には依然として消去時間か遅く
なる問題点かあり、しかも、上記了混相工・の状態か一
定せず信号レベルか不安定なためその消去率やＣ７・’
Ｎ比か悪くなる問題点かあった。
良法においては、こアモルファス相ツから「結晶相」へ
相変化させる従来法に較へて消去時間の若干の短縮か図
れるものの大幅な改善は望めない問題点かあり、保存安
定性に優れた記録材料（すなわち、結晶化温度の高い記
録材料）を適用した場合には依然として消去時間か遅く
なる問題点かあり、しかも、上記了混相工・の状態か一
定せず信号レベルか不安定なためその消去率やＣ７・’
Ｎ比か悪くなる問題点かあった。
更に、？結晶相−アモルファス相１間の相変化を利用す
る従来法、並びに「結晶相−混相５間の相変化を利用す
る改良法は共に最大２値化信号迄しか記録ができないた
め、１枚の光記録媒体に記録される情報量に限界かある
問題点かあった。
る従来法、並びに「結晶相−混相５間の相変化を利用す
る改良法は共に最大２値化信号迄しか記録ができないた
め、１枚の光記録媒体に記録される情報量に限界かある
問題点かあった。
本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、最大４値化の信号か記録でき、か
つ、消去率やＣ／Ｎ比等の向上か図れ、しかも、情報の
書込み若しくは書換えを高速で行うことが可能な光記録
媒体とこれを用いた光学的記録方法を提供することにあ
る。
課題とするところは、最大４値化の信号か記録でき、か
つ、消去率やＣ／Ｎ比等の向上か図れ、しかも、情報の
書込み若しくは書換えを高速で行うことが可能な光記録
媒体とこれを用いた光学的記録方法を提供することにあ
る。
すなわち、請求項１に係る発明は、
光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う光
記録媒体を前提とし、上記記録材料が、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているこ
とを特徴とするものである。
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う光
記録媒体を前提とし、上記記録材料が、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているこ
とを特徴とするものである。
この技術的手段において上記記録材料を構成する組成物
について、以下、第２図に示した状態図を用いて説明す
る。すなわち、第２図は元素Ａと元素Ｂから成る２元系
組成物の状態図を示しているもので、その液相線（ｆ）
以上の温度領域において組成物（ＡＢ）は元素人と元素
Ｂとが均一に溶合った単一相（Ｌ）の融液状態にあり、
一方面相線（ｇ）以上で液相線（ｆ）以下の温度領域に
おいては、この組成物（ＡＢ）は互いに溶合わない濃度
（Ｌｌ）と濃度（Ｌ、）（但し温度Ｔ、の場合）の二相
共存（Ｌ、＋Ｌ、）の融液状態にあるものである。
について、以下、第２図に示した状態図を用いて説明す
る。すなわち、第２図は元素Ａと元素Ｂから成る２元系
組成物の状態図を示しているもので、その液相線（ｆ）
以上の温度領域において組成物（ＡＢ）は元素人と元素
Ｂとが均一に溶合った単一相（Ｌ）の融液状態にあり、
一方面相線（ｇ）以上で液相線（ｆ）以下の温度領域に
おいては、この組成物（ＡＢ）は互いに溶合わない濃度
（Ｌｌ）と濃度（Ｌ、）（但し温度Ｔ、の場合）の二相
共存（Ｌ、＋Ｌ、）の融液状態にあるものである。
そして、この技術的手段において適用できる組成物とし
ては、上述したように複数の元素から成りその融液状態
が選択的に単一相状態と二相共存状態をとり得るものな
ら適用可能である。具体的に適用可能な組成物を挙ける
と、第４図〜第１８図に示された状態図からその融液状
態か選択的に単一相状態と二相共存状態をとり得ること
か確認されている以下の組成物、すなわち、Ｚｎ−Ｂｉ
（０，６〜６３ａｔＸ−・・第４図参照）、５ｂ−３ｅ
（１７〜４０ａｔＸ ＝第５図参照）、Ｚｎ−Ｐｂ（０
，３〜９４ａｔＸＷ−・・第６図参照）、ＡｌＩｎ （
４，７〜８９ａｔ％・・第７図参照）、Ｂｉ−Ｇａ（３
８，５〜９１゜５ａｔＸ−・・第８図参照）、Ｂ１−３
ｅ（７２〜９８ａｔＸ−第９図参照）、Ｇａ−ＴＩ（１
，２〜９５．５ａｔＸ−第１Ｏ図参照）、１ｎＳｅ（５
〜３２ａｔＸ及び６５〜９５ａｔＸ−・・第１１図参照
）、ＩｎＴｅ（３〜２８ａｔＸ−第１２図参照）、Ｐｂ
−３ｅ （７６、８〜９８．８ａｔ％・・・第１３図参
照）、５ｂ−３（５，５〜５７ａｔ％及び６２〜９０ａ
ｔＸ−・・第１４図参照）、５ｎ−３ｅ（１６〜４８ａ
ｔＸ−第１５図参照）、Ｔｌ−３ｅ（２〜３０ａｔＸ−
第１６図参照）、Ｔｅ−ＴＩ（６９〜９２ａｔＸ−・第
１７図参、照）、Ｃｕ−Ｐｂ（１４，７〜６７ａｔ’ｉ
＝第１８図参照）等を主成分とする２元系あるいは３
元系の組成物か適用てきる。尚、カッコ内の数値は前者
の元素に対する後者の元素の添加割合を示している。
ては、上述したように複数の元素から成りその融液状態
が選択的に単一相状態と二相共存状態をとり得るものな
ら適用可能である。具体的に適用可能な組成物を挙ける
と、第４図〜第１８図に示された状態図からその融液状
態か選択的に単一相状態と二相共存状態をとり得ること
か確認されている以下の組成物、すなわち、Ｚｎ−Ｂｉ
（０，６〜６３ａｔＸ−・・第４図参照）、５ｂ−３ｅ
（１７〜４０ａｔＸ ＝第５図参照）、Ｚｎ−Ｐｂ（０
，３〜９４ａｔＸＷ−・・第６図参照）、ＡｌＩｎ （
４，７〜８９ａｔ％・・第７図参照）、Ｂｉ−Ｇａ（３
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，２〜９５．５ａｔＸ−第１Ｏ図参照）、１ｎＳｅ（５
〜３２ａｔＸ及び６５〜９５ａｔＸ−・・第１１図参照
）、ＩｎＴｅ（３〜２８ａｔＸ−第１２図参照）、Ｐｂ
−３ｅ （７６、８〜９８．８ａｔ％・・・第１３図参
照）、５ｂ−３（５，５〜５７ａｔ％及び６２〜９０ａ
ｔＸ−・・第１４図参照）、５ｎ−３ｅ（１６〜４８ａ
ｔＸ−第１５図参照）、Ｔｌ−３ｅ（２〜３０ａｔＸ−
第１６図参照）、Ｔｅ−ＴＩ（６９〜９２ａｔＸ−・第
１７図参、照）、Ｃｕ−Ｐｂ（１４，７〜６７ａｔ’ｉ
＝第１８図参照）等を主成分とする２元系あるいは３
元系の組成物か適用てきる。尚、カッコ内の数値は前者
の元素に対する後者の元素の添加割合を示している。
次に、上述した記録材料を適用した光記録媒体の基本構
造は、原則として光透過性の基板とこの面上に形成され
た記録材料層とで構成される。
造は、原則として光透過性の基板とこの面上に形成され
た記録材料層とで構成される。
また、記録材料層か溶融後固化するまでに変形すること
を防止する目的、あるいは、記録材料層の機械的損傷、
酸化等を防止する目的で上記記録材料層上に保護層を設
けることも可能である。
を防止する目的、あるいは、記録材料層の機械的損傷、
酸化等を防止する目的で上記記録材料層上に保護層を設
けることも可能である。
そして、上記光透過性の基板としてはカラスの他、アク
リル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料か利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合、
樹脂材料の熱的損傷を防ぐため記録材料層と基板間に、
例えば５ｉ（Ｌ 、Ｚｎ５ＺｒＯ□等、あるいはこれ等
の混合物等で構成される基板保護層を設けてもよい。尚
、基板の反対側から光ビームを、照射して記録・再生・
消去を行う光記録媒体においては、アルミニウム等の光
不透過性の材料により基板を構成しても当然のことなか
らよい。
リル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料か利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合、
樹脂材料の熱的損傷を防ぐため記録材料層と基板間に、
例えば５ｉ（Ｌ 、Ｚｎ５ＺｒＯ□等、あるいはこれ等
の混合物等で構成される基板保護層を設けてもよい。尚
、基板の反対側から光ビームを、照射して記録・再生・
消去を行う光記録媒体においては、アルミニウム等の光
不透過性の材料により基板を構成しても当然のことなか
らよい。
また、上記保護層を構成する材料としては、上記基板保
護層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹脂
、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料
、及び、カラス等を挙げることができる。また、上記保
護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるいは
上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。ま
た、冷却速度を速めることを目的として、Ａｕ、 ＡＩ
、 Ａｇ等熱伝導率の高い金属より成る熱拡散層や、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、 ＢｅＯ、ＡＩＮ 、 ＴｉＣ、
Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｒｈ、 Ｂｅ、ｂ等高温になる程その
熱伝導率か低下する材料より成る熱伝導制御層等を設け
てもよい。
護層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹脂
、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料
、及び、カラス等を挙げることができる。また、上記保
護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるいは
上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。ま
た、冷却速度を速めることを目的として、Ａｕ、 ＡＩ
、 Ａｇ等熱伝導率の高い金属より成る熱拡散層や、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、 ＢｅＯ、ＡＩＮ 、 ＴｉＣ、
Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｒｈ、 Ｂｅ、ｂ等高温になる程その
熱伝導率か低下する材料より成る熱伝導制御層等を設け
てもよい。
更に、上記記録材料層の形成方法としてはスパッタリン
ク法や真空蒸着法か利用できる。すなわち、上記スパッ
タリング法としては複数のターゲットを用い夫々のター
ゲットに加える電力量を適宜調整することにより目的の
組成物を合成すると同時にこの組成物を基板に着膜させ
る同時スパッタリンクの他、目的の組成物に対応した一
つの合金ターゲットを用いてスパッタリングを行うこと
も可能である。また、上記真空蒸着法としては、複数の
蒸着源を使用し夫々の蒸着速度を調整することにより目
的の組成物を得ると同時にこれを基板に着膜させる共蒸
着法が利用できる。
ク法や真空蒸着法か利用できる。すなわち、上記スパッ
タリング法としては複数のターゲットを用い夫々のター
ゲットに加える電力量を適宜調整することにより目的の
組成物を合成すると同時にこの組成物を基板に着膜させ
る同時スパッタリンクの他、目的の組成物に対応した一
つの合金ターゲットを用いてスパッタリングを行うこと
も可能である。また、上記真空蒸着法としては、複数の
蒸着源を使用し夫々の蒸着速度を調整することにより目
的の組成物を得ると同時にこれを基板に着膜させる共蒸
着法が利用できる。
次に、請求項２〜５に係る発明は請求項１に係る光記録
媒体を用いた光学的記録方法であり、まず、請求項２に
係る発明は、 光、熱等の手段により光学的性質か可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かっ、これを冷却処理して相変
化させた部位を記録又は消去状朝に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを冷却処理して相変化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするものである。
媒体を用いた光学的記録方法であり、まず、請求項２に
係る発明は、 光、熱等の手段により光学的性質か可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かっ、これを冷却処理して相変
化させた部位を記録又は消去状朝に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを冷却処理して相変化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするものである。
そして、この請求項２に係る発明においては各冷却処理
の条件を調整することにより、すなわち、単一相状態に
ある記録材料層を急冷処理してアモルファス化させる一
方、二相共存状態にある記録材料層も急冷処理してアモ
ルファス化させることにより両者間において初期状態の
相違に伴う反射率の差異か生ずるため、いずれか一方を
記録状態に他方を消去状態に対応させることにより光学
的記録か可能になるものであり、また、単一相状態にあ
る記録材料層を徐冷処理して結晶化させる一方、二相共
存状態にある記録材料層も徐冷処理して結晶化させるこ
とにより両者間において初期状態の相違に伴う反射率の
差異か生ずるため、同様に光学的記録が可能となるもの
である。
の条件を調整することにより、すなわち、単一相状態に
ある記録材料層を急冷処理してアモルファス化させる一
方、二相共存状態にある記録材料層も急冷処理してアモ
ルファス化させることにより両者間において初期状態の
相違に伴う反射率の差異か生ずるため、いずれか一方を
記録状態に他方を消去状態に対応させることにより光学
的記録か可能になるものであり、また、単一相状態にあ
る記録材料層を徐冷処理して結晶化させる一方、二相共
存状態にある記録材料層も徐冷処理して結晶化させるこ
とにより両者間において初期状態の相違に伴う反射率の
差異か生ずるため、同様に光学的記録が可能となるもの
である。
ここで、上記急冷処理により光学記録を行う具体的手段
について説明すると、例えば、第３図（Ａ）に示すよう
にその出力が選択的に切換わる単一の円形状記録消去用
ビーム（１０）を記録材料層（２０）へ照射する方法が
挙げられる。すなわち、高出力のビームを照射し、記録
材料層（２０）を高温（第２図の状態図において温度１
０以上）で融解し、例えば、温度Ｔ２まで昇温させてそ
の融液状態が単一相状態になるよう調整し、かつ、この
記録材料層（２０）を急冷してアモルファス化させる一
方、低出力のビームを照射し、記録材料層（２０）を低
温（第２図の状態図において温度Ｔｓ以上ＴＬ以下）で
融解し、例えば、温度Ｔ１まで昇温させてその融液状態
が二相共存状態になるよう調整し、かつ、この記録材料
層（２０）を急冷してアモルファス化させる「単一ビー
ムｊを用いたオーバーライド方式の適用が可能である。
について説明すると、例えば、第３図（Ａ）に示すよう
にその出力が選択的に切換わる単一の円形状記録消去用
ビーム（１０）を記録材料層（２０）へ照射する方法が
挙げられる。すなわち、高出力のビームを照射し、記録
材料層（２０）を高温（第２図の状態図において温度１
０以上）で融解し、例えば、温度Ｔ２まで昇温させてそ
の融液状態が単一相状態になるよう調整し、かつ、この
記録材料層（２０）を急冷してアモルファス化させる一
方、低出力のビームを照射し、記録材料層（２０）を低
温（第２図の状態図において温度Ｔｓ以上ＴＬ以下）で
融解し、例えば、温度Ｔ１まで昇温させてその融液状態
が二相共存状態になるよう調整し、かつ、この記録材料
層（２０）を急冷してアモルファス化させる「単一ビー
ムｊを用いたオーバーライド方式の適用が可能である。
また、上記徐冷処理により光学記録を行う方法としては
、例えば、第３図（Ｂ）に示すようにその出力が選択的
に切換わる円形状記録消去用ビーム（１０）と、このビ
ーム（１０）と位置整合された低出力で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを記録材料層（２０）へ照射する２ビ
一ム方式か挙げられる。
、例えば、第３図（Ｂ）に示すようにその出力が選択的
に切換わる円形状記録消去用ビーム（１０）と、このビ
ーム（１０）と位置整合された低出力で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを記録材料層（２０）へ照射する２ビ
一ム方式か挙げられる。
すなわち、高出力の円形ビーム（１０）を照射し、記録
材料層（２０）を高温（第２図の状態図において温度Ｔ
Ｌ以上）で融解し、温度Ｔ、まて昇温させてその融液状
態が単一相状態になるよう調整し、合わせて楕円形状の
補助ビーム（３０）をも、照射し記録材料層（２０）を
徐冷して結晶化させる一方、低出力の円形ビーム（１０
）を照射し、記録材料層（２０）を低温（第２図の状態
図において温度Ｔ。
材料層（２０）を高温（第２図の状態図において温度Ｔ
Ｌ以上）で融解し、温度Ｔ、まて昇温させてその融液状
態が単一相状態になるよう調整し、合わせて楕円形状の
補助ビーム（３０）をも、照射し記録材料層（２０）を
徐冷して結晶化させる一方、低出力の円形ビーム（１０
）を照射し、記録材料層（２０）を低温（第２図の状態
図において温度Ｔ。
以上ＴＬ以下）で融解し、温度Ｔ、まで昇温させてその
融液状態が二相共存状態になるよう調整し、合わせて楕
円形状の補助ビーム（３０）をも照射し記録材料層（２
０）を徐冷して結晶化させる「２ビーム」を用いたオー
バーライド方式の適用か可能である。
融液状態が二相共存状態になるよう調整し、合わせて楕
円形状の補助ビーム（３０）をも照射し記録材料層（２
０）を徐冷して結晶化させる「２ビーム」を用いたオー
バーライド方式の適用か可能である。
尚、各状態における冷却処理の条件を調整することによ
り、単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若し
くは結晶化させる一方、二相共存状態にある記録材料層
をアモルファス化若しくは結晶化させることにより、単
一相状態にある記録材料層がアモルファス化若しくは結
晶化された部位と、二相共存状態にある記録材料層がア
モルファス化若しくは結晶化された部位とで互いに初期
状態並びに相変化状態の相違に伴う反射率の差異が存す
るため、これ等４種の反射率を組合せて最大４値化の信
号を求めることも可能となる。
り、単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若し
くは結晶化させる一方、二相共存状態にある記録材料層
をアモルファス化若しくは結晶化させることにより、単
一相状態にある記録材料層がアモルファス化若しくは結
晶化された部位と、二相共存状態にある記録材料層がア
モルファス化若しくは結晶化された部位とで互いに初期
状態並びに相変化状態の相違に伴う反射率の差異が存す
るため、これ等４種の反射率を組合せて最大４値化の信
号を求めることも可能となる。
例えば、上記「２ビーム」によるオーバーライド方式を
適用し、円形ビーム（１０）の出力と補助ビーム（３０
）の照射タイミングを選択的に切換えることにより４種
の相状態を設定することか可能となる。すなわち、高出
力の円形ビーム（１ｏ）のみを照射して単一相状態にあ
る記録材料層（２０）をアモルファス化させた相状態■
と、低出力の円形ビーム（１ｏ）のみを照射して二相共
存状態にある記録材料層（２０）をアモルファス化させ
た相状態■と、高出力の円形ビーム（ｌＯ）と低出力で
楕円形状の補助ビーム（３０）を重ねて照射し単一相状
態にある記録材料層（２０）を結晶化させた相状態■と
、及び、低出力の円形ビーム（１０）と低出力で楕円形
状の補助ビーム（３０）を重ねて照射し二相共存状態に
ある記録材料層（２０）を結晶化させた相状態■の各反
射率を組合わせて最大４値化の信号を求めることが可能
となる。
適用し、円形ビーム（１０）の出力と補助ビーム（３０
）の照射タイミングを選択的に切換えることにより４種
の相状態を設定することか可能となる。すなわち、高出
力の円形ビーム（１ｏ）のみを照射して単一相状態にあ
る記録材料層（２０）をアモルファス化させた相状態■
と、低出力の円形ビーム（１ｏ）のみを照射して二相共
存状態にある記録材料層（２０）をアモルファス化させ
た相状態■と、高出力の円形ビーム（ｌＯ）と低出力で
楕円形状の補助ビーム（３０）を重ねて照射し単一相状
態にある記録材料層（２０）を結晶化させた相状態■と
、及び、低出力の円形ビーム（１０）と低出力で楕円形
状の補助ビーム（３０）を重ねて照射し二相共存状態に
ある記録材料層（２０）を結晶化させた相状態■の各反
射率を組合わせて最大４値化の信号を求めることが可能
となる。
次に、請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明にお
いてその冷却条件を急冷処理に設定することで記録若し
くは書換え速度の高速化が達成できる方法である。
いてその冷却条件を急冷処理に設定することで記録若し
くは書換え速度の高速化が達成できる方法である。
すなわち、請求項３に係る発明は、
光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理してアモ
ルファス化させた部位を記録又は消去状態に対応させる
一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かっ、これを急冷処理してアモル
ファス化させた部位を消去又は記録状態に対応させるこ
とを特徴とするものである。
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理してアモ
ルファス化させた部位を記録又は消去状態に対応させる
一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かっ、これを急冷処理してアモル
ファス化させた部位を消去又は記録状態に対応させるこ
とを特徴とするものである。
尚、この方法には、その出力か選択的に切換わる記録消
去用の単一ビーム（１０）を用いた上述の照射手段が適
用できる。
去用の単一ビーム（１０）を用いた上述の照射手段が適
用できる。
また、請求項４に係る発明は、上記記録材料を構成する
組成物か、例えば、Ｂ１−Ｇａ、丁１−Ｇａのようにそ
のアモルファス相の安定性か低い（すなわち、結晶化温
度が低い）場合に適した方法で、請求項２に係る発明に
おいてその冷却条件を徐冷処理に設定することで記録情
報の保存安定性改良を図った方法である。
組成物か、例えば、Ｂ１−Ｇａ、丁１−Ｇａのようにそ
のアモルファス相の安定性か低い（すなわち、結晶化温
度が低い）場合に適した方法で、請求項２に係る発明に
おいてその冷却条件を徐冷処理に設定することで記録情
報の保存安定性改良を図った方法である。
すなわち、請求項４に係る発明は、
光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするもので、 上記記録材料層に結晶質領域とそのエネルキレベルの相
違するアモルファス領域が共存しな（なることて記録情
報の保存安定性改良か図れる方法である。
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするもので、 上記記録材料層に結晶質領域とそのエネルキレベルの相
違するアモルファス領域が共存しな（なることて記録情
報の保存安定性改良か図れる方法である。
尚、この方法には、その出力が選択的に切換わる記録消
去用の円形ビーム（１０）と低圧力で楕円形状の補助ビ
ーム（３０）を重ねて照射する上述の照射手段か適用で
きる。
去用の円形ビーム（１０）と低圧力で楕円形状の補助ビ
ーム（３０）を重ねて照射する上述の照射手段か適用で
きる。
更に、請求項５に係る発明は、上記記録材料を構成する
組成物か、例えば、Ｚｎ−Ｂ１． Ｚｎ−Ｐｂのように
その結晶化速度か速い場合（例えば、結晶化時間か５０
０ ｎｓ以下の場合）に達した方法で、請求項２に係る
発明においてその冷却条件を急冷処理に設定することで
、記録若しくは書換え速度の高速化と記録情報の保存安
定性改良か図れる方法である。
組成物か、例えば、Ｚｎ−Ｂ１． Ｚｎ−Ｐｂのように
その結晶化速度か速い場合（例えば、結晶化時間か５０
０ ｎｓ以下の場合）に達した方法で、請求項２に係る
発明においてその冷却条件を急冷処理に設定することで
、記録若しくは書換え速度の高速化と記録情報の保存安
定性改良か図れる方法である。
すなわち、請求項５に係る発明は、
光、熱等の手段により光学的性質か可逆的に変化する記
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得ると共にその結晶化速度が速い
組成物にて構成し、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを、照射しこれを融
解させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理して結
晶化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするものである。
録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法を前
提とし、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得ると共にその結晶化速度が速い
組成物にて構成し、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを、照射しこれを融
解させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理して結
晶化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とするものである。
尚、この方法には、請求項３に係る発明と同様、その出
力が選択的に切換わる記録消去用の単一ビーム（１０）
を用いた上述の照射手段か適用できる。
力が選択的に切換わる記録消去用の単一ビーム（１０）
を用いた上述の照射手段か適用できる。
また、請求項１〜５に係る発明においては、情報の記録
と消去時に光ビームを照射してその記録材料層か融液状
態になるまで加熱するため、書換え前の履歴を完全に消
去できる利点を有している。
と消去時に光ビームを照射してその記録材料層か融液状
態になるまで加熱するため、書換え前の履歴を完全に消
去できる利点を有している。
請求項１に係る発明によれば、
記録材料が、
複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているた
め、 単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若しくは
結晶化させた部位と、二相共存状態にある記録材料層を
アモルファス化若しくは結晶化させた部位とでは初期状
態の相違に伴う反射率の差異が生ずることになる。
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているた
め、 単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若しくは
結晶化させた部位と、二相共存状態にある記録材料層を
アモルファス化若しくは結晶化させた部位とでは初期状
態の相違に伴う反射率の差異が生ずることになる。
一方、請求項２に係る発明によれば、
記録材料を、
複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを冷却処理して相変
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを冷却処理して相変化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、
し 各冷却処理の条件を調整することにより、単一相状態に
ある記録材料層がアモルファス化若しくは結晶化される
一方、二相共存状態にある記録材料層かアモルファス化
若しくは結晶化され、かつ、単一相状態にある記録材料
層かアモルファス化若しくは結晶化された部位と、二相
共存状態にある記録材料層かアモルファス化若しくは結
晶化された部位とでは互いに初期状態並びに相変化状態
の相違に伴う反射率の差異か存するため、これ等４種の
反射率を組合せて最大４値化の信号を求めることか可能
になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必す融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを冷却処理して相変
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを冷却処理して相変化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、
し 各冷却処理の条件を調整することにより、単一相状態に
ある記録材料層がアモルファス化若しくは結晶化される
一方、二相共存状態にある記録材料層かアモルファス化
若しくは結晶化され、かつ、単一相状態にある記録材料
層かアモルファス化若しくは結晶化された部位と、二相
共存状態にある記録材料層かアモルファス化若しくは結
晶化された部位とでは互いに初期状態並びに相変化状態
の相違に伴う反射率の差異か存するため、これ等４種の
反射率を組合せて最大４値化の信号を求めることか可能
になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必す融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
また、請求項３に係る発明によれば、
記録材料を、
複数の元素から成りその融液状態か選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層べ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理してアモ
ルファス化させた部位を記録又は消去状態に対応させる
一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理してアモル
ファス化させた部位を消去又は記録状態に対応させてい
るため、 上記記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高
速で行うことが可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層べ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理してアモ
ルファス化させた部位を記録又は消去状態に対応させる
一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理してアモル
ファス化させた部位を消去又は記録状態に対応させてい
るため、 上記記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高
速で行うことが可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
更に、請求項４に係る発明によれば、
記録材料を、
複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、 上記記録材料層に結晶質領域とエネルギーレベルの相違
するアモルファス領域が共存しなくなり、その記録状態
を長期に亘って保持することか可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、 上記記録材料層に結晶質領域とエネルギーレベルの相違
するアモルファス領域が共存しなくなり、その記録状態
を長期に亘って保持することか可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
また、請求項５に係る発明によれば、
記録材料を、
複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得ると共にその結晶化速度が速い
組成物にて構成し、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、 上記記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高
速で行うことか可能になり、 かつ、記録材料層に結晶質領域とエネルキーレベルの相
違するアモルファス領域か共存しなくなるため、その記
録状態を長期に亘って保持することか可能になると共に
、 情報の記録と消去時に記録材料か必す融解されるため、
書換え前の履歴を完全に消去することか可能となる。
と二相共存状態をとり得ると共にその結晶化速度が速い
組成物にて構成し、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させているため、 上記記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高
速で行うことか可能になり、 かつ、記録材料層に結晶質領域とエネルキーレベルの相
違するアモルファス領域か共存しなくなるため、その記
録状態を長期に亘って保持することか可能になると共に
、 情報の記録と消去時に記録材料か必す融解されるため、
書換え前の履歴を完全に消去することか可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
◎第一実施例
この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示すように厚
さ１．２叩でアクリル製の基板（１）と、この基板（１
）上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成さ
れた厚さ１１００ｎで５ｉ０２製の基板保護層（２）と
、この基板保護層（２）上に同様のＲＦマクネトロンス
パッタリンク法にて形成された厚さ１１００ｎて２ｎ−
Ｐｂ製の記録材料層（３）と、この記録材料層（３）上
に同様の方法にて形成された厚さ２００ｎｍでＳｉｎ、
製の保護層（４）と、この保護層（４）上に設けられた
厚さ２００ｎｍてＡＩ製の冷却層（５）と、この冷却層
（５）上に紫外線硬化型樹脂の接着層（６）を介して積
層された厚さ１゜２ ｍｍでアクリル製の保護板（７）
とでその主要部か構成されるものである。
さ１．２叩でアクリル製の基板（１）と、この基板（１
）上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成さ
れた厚さ１１００ｎで５ｉ０２製の基板保護層（２）と
、この基板保護層（２）上に同様のＲＦマクネトロンス
パッタリンク法にて形成された厚さ１１００ｎて２ｎ−
Ｐｂ製の記録材料層（３）と、この記録材料層（３）上
に同様の方法にて形成された厚さ２００ｎｍでＳｉｎ、
製の保護層（４）と、この保護層（４）上に設けられた
厚さ２００ｎｍてＡＩ製の冷却層（５）と、この冷却層
（５）上に紫外線硬化型樹脂の接着層（６）を介して積
層された厚さ１゜２ ｍｍでアクリル製の保護板（７）
とでその主要部か構成されるものである。
尚、この光記録媒体における光吸収は可視光から近赤外
光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０ ｎｍ
の範囲で光記録媒体として使用可能であった。
光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０ ｎｍ
の範囲で光記録媒体として使用可能であった。
以下、この光記録媒体と第３図（Ｂ）に示された「２ビ
ームｊによるオーバーライド方式とを組合わせて４値化
信号を記録する記録法について説明すると、まず、上記
光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７
８０ ｎｍの半導体レーザを一様に照射し光記録媒体の
初期化を行った。
ームｊによるオーバーライド方式とを組合わせて４値化
信号を記録する記録法について説明すると、まず、上記
光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７
８０ ｎｍの半導体レーザを一様に照射し光記録媒体の
初期化を行った。
次に、初期化された光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度
で回転させ、この状態でその出力か選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時・３０ｎ＋Ｗ、低出力時１５ｍＷ）
（１０）と、低出力（１０ｍＷ）で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを選択的に照射してオーバーライドに
よる４値化信号の記録を行った。
で回転させ、この状態でその出力か選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時・３０ｎ＋Ｗ、低出力時１５ｍＷ）
（１０）と、低出力（１０ｍＷ）で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを選択的に照射してオーバーライドに
よる４値化信号の記録を行った。
すなわち、光記録媒体の記録材料層（３）へ高出力の円
形ビーム（１０）のみを照射して高温条件下で融液状態
にし、かつ、これを急冷して単一相状態にある記録材料
層（３）をアモルファス化させた部位を信号Ｉとし、ま
た、上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０
）のみを照射して低温条件下で融液状態にし、かつ、こ
れを急冷して二相共存状態にある記録材料層（３）をア
モルファス化させた部位を信号２とし、一方、上記記録
材料層（３）へ高出力の円形ビーム（１０）と低出力で
楕円形状の補助ビーム（３０）を重ねて照射して高温条
件下で融液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０）
により徐冷して単一相状態にある記録材料層（３）を結
晶化させた部位を信号３とし、また、上記記録材料層（
３）へ低出力の円形ビーム（１０）と低出力で楕円形状
の補助ビーム（３０）を重ねて照射して低温条件下で融
液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０）により徐
冷して二相共存状態にある記録材料層（３）を結晶化さ
せた部位を信号４として４値化信号の記録を行った。
形ビーム（１０）のみを照射して高温条件下で融液状態
にし、かつ、これを急冷して単一相状態にある記録材料
層（３）をアモルファス化させた部位を信号Ｉとし、ま
た、上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０
）のみを照射して低温条件下で融液状態にし、かつ、こ
れを急冷して二相共存状態にある記録材料層（３）をア
モルファス化させた部位を信号２とし、一方、上記記録
材料層（３）へ高出力の円形ビーム（１０）と低出力で
楕円形状の補助ビーム（３０）を重ねて照射して高温条
件下で融液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０）
により徐冷して単一相状態にある記録材料層（３）を結
晶化させた部位を信号３とし、また、上記記録材料層（
３）へ低出力の円形ビーム（１０）と低出力で楕円形状
の補助ビーム（３０）を重ねて照射して低温条件下で融
液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０）により徐
冷して二相共存状態にある記録材料層（３）を結晶化さ
せた部位を信号４として４値化信号の記録を行った。
一方、情報が書込まれた光記録媒体を１８００ｒｐｍの
速度で回転させ、この状態で出力１ｍＷのレーザビーム
をその記録材料層（３）へ照射すると共に、この反射ビ
ームを受光素子により読取らせて記録情報の再生を行っ
た。
速度で回転させ、この状態で出力１ｍＷのレーザビーム
をその記録材料層（３）へ照射すると共に、この反射ビ
ームを受光素子により読取らせて記録情報の再生を行っ
た。
そして、上記光記録媒体と「２ビーム」によるオーバー
ライド方式とを組合わせたこの実施例に係る光学的記録
方法においては４値化信号の記録が可能となるため、１
枚の光記録媒体に格納される記録情報量か飛躍的に増大
し、かつ、転送速度も速まると共に、情報の記録消去時
に記録材料か必す融解され書換え前の履歴が完全に消去
されるため、その消去率やＣ／Ｎ比も向上する利点を有
している。
ライド方式とを組合わせたこの実施例に係る光学的記録
方法においては４値化信号の記録が可能となるため、１
枚の光記録媒体に格納される記録情報量か飛躍的に増大
し、かつ、転送速度も速まると共に、情報の記録消去時
に記録材料か必す融解され書換え前の履歴が完全に消去
されるため、その消去率やＣ／Ｎ比も向上する利点を有
している。
◎第二実施例
この実施例において適用されている光記録媒体は、その
記録材料層（３）が第４図の状態図に示されたＺｎ−Ｂ
１の二元系材料であるＢ１２ｏＺｎｉｏにて構成されて
いる点を除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−であ
る。
記録材料層（３）が第４図の状態図に示されたＺｎ−Ｂ
１の二元系材料であるＢ１２ｏＺｎｉｏにて構成されて
いる点を除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−であ
る。
尚、この光記録媒体における光吸収は、第一実施例のも
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲で光記録媒体として
使用可能であった。
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲で光記録媒体として
使用可能であった。
以下、この光記録媒体と第３図（Ａ）に示された「１ビ
ーム」によるオーバーライド方式とを組合わせて高速記
録を行う記録法について説明すると、まず、上記光記録
媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７８０
ｎｍの半導体レーザを一様に照射し、その記録材料層（
３）を均一な組成からなるアモルファス相の状態にして
光記録媒体の初期化を行った。
ーム」によるオーバーライド方式とを組合わせて高速記
録を行う記録法について説明すると、まず、上記光記録
媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７８０
ｎｍの半導体レーザを一様に照射し、その記録材料層（
３）を均一な組成からなるアモルファス相の状態にして
光記録媒体の初期化を行った。
次に、初期化された光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度
で回転させ、この状態でその出力か選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時 ３０ｍＷ、低出力時２０ｍＷ）
（１，０）を選択的に照射してオーバーライドによる
高速記録を行った。
で回転させ、この状態でその出力か選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時 ３０ｍＷ、低出力時２０ｍＷ）
（１，０）を選択的に照射してオーバーライドによる
高速記録を行った。
すなわち、光記録媒体の記録材料層（３）へ高出力の円
形ビーム（１０）を照射して高温条件（第４図の状態図
より６０５°Ｃ以上）下で融液状態にし、かつ、これを
急冷して単一相状態にある記録材料層（３）をアモルフ
ァス化させてこれを記録状態に対応させる一方、上記記
録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０）を照射し
て低温条件（第４図の状態図より４１５°Ｃ以上で６０
５°Ｃ以下）下で融液状態にし、かつ、これを急冷して
二相共存状態にある記録材料層（３）をアモルファス化
させてこれを消去状態に対応させた。
形ビーム（１０）を照射して高温条件（第４図の状態図
より６０５°Ｃ以上）下で融液状態にし、かつ、これを
急冷して単一相状態にある記録材料層（３）をアモルフ
ァス化させてこれを記録状態に対応させる一方、上記記
録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０）を照射し
て低温条件（第４図の状態図より４１５°Ｃ以上で６０
５°Ｃ以下）下で融液状態にし、かつ、これを急冷して
二相共存状態にある記録材料層（３）をアモルファス化
させてこれを消去状態に対応させた。
尚、上記記録材料層（３）かアモルファス状態にあるこ
とは電子線回折法により確認している。
とは電子線回折法により確認している。
すなわち、記録材料がアモルファス状態にある場合には
その回折パターンがハローパターンになるのに対し、結
晶状態にある場合にはリングあるいはリング状の斑点か
観察される。そして、記録・消去状態の両者ともその回
折パターンがハローパターンになっており、共にアモル
ファス状態にあることが確認されている。
その回折パターンがハローパターンになるのに対し、結
晶状態にある場合にはリングあるいはリング状の斑点か
観察される。そして、記録・消去状態の両者ともその回
折パターンがハローパターンになっており、共にアモル
ファス状態にあることが確認されている。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においては、
単一相状態にある記録材料層（３）をアモルファス化さ
せてこれを記録状態に対応させる一方、二相共存状態に
ある記録材料層（３）をアモルファス化させてこれを消
去状態に対応させいるため、記録・消去時間が６０ｎｓ
以下となり従来の方法に較べて記録・消去速度の著しい
改善が図れ、かつ、情報の記録消去時に記録材料か必ず
融解され書換え前の履歴が完全に消去されるため、その
消去率も２５ｄＢ以上でＣ／Ｎ比も４５ｄＢ以上の実用
的な値か得られた。
単一相状態にある記録材料層（３）をアモルファス化さ
せてこれを記録状態に対応させる一方、二相共存状態に
ある記録材料層（３）をアモルファス化させてこれを消
去状態に対応させいるため、記録・消去時間が６０ｎｓ
以下となり従来の方法に較べて記録・消去速度の著しい
改善が図れ、かつ、情報の記録消去時に記録材料か必ず
融解され書換え前の履歴が完全に消去されるため、その
消去率も２５ｄＢ以上でＣ／Ｎ比も４５ｄＢ以上の実用
的な値か得られた。
一方、上記記録材料層（３）を加熱しながらその反射率
をモニターし、その反射率が急激に変化し始める温度を
「結晶化温度」と定義してこの光記録媒体における２種
類のアモルファス相の結晶化温度を求めたところ共に１
２０℃以上あり、そのアモルファス相の安定性も充分て
あった。
をモニターし、その反射率が急激に変化し始める温度を
「結晶化温度」と定義してこの光記録媒体における２種
類のアモルファス相の結晶化温度を求めたところ共に１
２０℃以上あり、そのアモルファス相の安定性も充分て
あった。
更に、１０’回まで情報の書換え試験を行ったが記録材
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
◎第三実施例
この実施例において適用されている光記録媒体は、その
記録材料層（３）かＢ１−Ｇａにて構成されている点を
除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−である。
記録材料層（３）かＢ１−Ｇａにて構成されている点を
除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−である。
尚、この光記録媒体における光吸収は、第一実施例のも
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲て光記録媒体として
使用可能であった。
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲て光記録媒体として
使用可能であった。
以下、この光記録媒体と第３図（Ｂ）に示された「２ビ
ームｊによるオーバーライド方式とを組合わせて記録状
態を長期に保持できる記録法について説明すると、上記
光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７
８０ ｎｍの半導体レーザを一様に照射し、その記録材
料層（３）を均一な組成からなる結晶質状態にして光記
録媒体の初期化をまず行った。
ームｊによるオーバーライド方式とを組合わせて記録状
態を長期に保持できる記録法について説明すると、上記
光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながら７
８０ ｎｍの半導体レーザを一様に照射し、その記録材
料層（３）を均一な組成からなる結晶質状態にして光記
録媒体の初期化をまず行った。
次に、初期化された光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度
で回転させ、この状態でその出力が選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時： ２５ｍＷ、低出力時１８ｍ〜）
（１０）と、低出力（１２ｍＷ）で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを互いに重ねて照射しオーバーライド
による記録を行った。
で回転させ、この状態でその出力が選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時： ２５ｍＷ、低出力時１８ｍ〜）
（１０）と、低出力（１２ｍＷ）で楕円形状の補助
ビーム（３０）とを互いに重ねて照射しオーバーライド
による記録を行った。
すなわち、光記録媒体の記録材料層（３）へ高出力の円
形ビーム（１０）と楕円形状の補助ビーム（３０）とを
照射して高温条件下で融液状態にし、かつ、これを補助
ビーム（３０）により徐冷して単一相状態にある記録材
料層（３）を結晶化させてこれを記録状態に対応させる
一方、上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１
０）と楕円形状の補助ビーム（３０）とを照射して低温
条件下で融液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０
）により徐冷して二相共存状態にある記録材料層（３）
を結晶化させてこれを消去状態に対応させた。
形ビーム（１０）と楕円形状の補助ビーム（３０）とを
照射して高温条件下で融液状態にし、かつ、これを補助
ビーム（３０）により徐冷して単一相状態にある記録材
料層（３）を結晶化させてこれを記録状態に対応させる
一方、上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１
０）と楕円形状の補助ビーム（３０）とを照射して低温
条件下で融液状態にし、かつ、これを補助ビーム（３０
）により徐冷して二相共存状態にある記録材料層（３）
を結晶化させてこれを消去状態に対応させた。
尚、上記記録材料層（３）か結晶質状態にあることは上
述した電子線回折法により同様に確認口ている。
述した電子線回折法により同様に確認口ている。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においては、
単一相状態にある記録材料層（３）を結晶化させてこれ
を記録状態に対応させる一方、二相共存状態にある記録
材料層（３）を結晶化させてこれを消去状態に対応させ
いるため、記録材料層（３）に結晶質領域とエネルギー
レベルの相違するアモルファス領域が共存しなくなって
この記録状態を長期に亘って保持することが可能となり
、かつ、情報の記録消去時に記録材料か必す融解され書
換え前の履歴か完全に消去されるため、その消去率やＣ
／Ｎ比か向上する利点ををしていた。
単一相状態にある記録材料層（３）を結晶化させてこれ
を記録状態に対応させる一方、二相共存状態にある記録
材料層（３）を結晶化させてこれを消去状態に対応させ
いるため、記録材料層（３）に結晶質領域とエネルギー
レベルの相違するアモルファス領域が共存しなくなって
この記録状態を長期に亘って保持することが可能となり
、かつ、情報の記録消去時に記録材料か必す融解され書
換え前の履歴か完全に消去されるため、その消去率やＣ
／Ｎ比か向上する利点ををしていた。
更に、１０″回まで情報の書換え試験を行ったが記録材
料の偏析等は起こらす記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
料の偏析等は起こらす記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
◎第四実施例
この実施例において適用されている光記録媒体は、冷却
層か設けられていない点とその記録材料層（３）が結晶
化速度の速い５ｂｎ５ＳＩｌ＋ｉにて構成されている点
を除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−である。
層か設けられていない点とその記録材料層（３）が結晶
化速度の速い５ｂｎ５ＳＩｌ＋ｉにて構成されている点
を除き第一実施例に係る光記録媒体と路間−である。
尚、この光記録媒体における光吸収は、第一実施例のも
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲で光記録媒体として
使用可能であった。
のと同様に可視光から近赤外光中にわたっており、少な
くとも４００〜８６０ ｎｍの範囲で光記録媒体として
使用可能であった。
以下、この光記録媒体と第３図（Ａ）に示された「１ビ
ーム」によるオーバーライド方式とを組合わせて記録状
態を長期に保持でき、かつ高速記録が可能な記録法につ
いて説明すると、ます、上記光記録媒体を１８０Ｏｒｐ
ｍの速度で回転させなから７８０ ｎｍの半導体レーザ
を一様に照射し、その記録材料層（３）を均一な組成か
らなる結晶質状態にして光記録媒体の初期化を行った。
ーム」によるオーバーライド方式とを組合わせて記録状
態を長期に保持でき、かつ高速記録が可能な記録法につ
いて説明すると、ます、上記光記録媒体を１８０Ｏｒｐ
ｍの速度で回転させなから７８０ ｎｍの半導体レーザ
を一様に照射し、その記録材料層（３）を均一な組成か
らなる結晶質状態にして光記録媒体の初期化を行った。
次に、初期化された光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度
で回転させ、この状態でその出力が選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時： ２５ｍＷ、低出力時：１８ｍＷ
） （１０）を照射しオーバーライドによる記録を行
った。
で回転させ、この状態でその出力が選択的に切換わる円
形ビーム（高出力時： ２５ｍＷ、低出力時：１８ｍＷ
） （１０）を照射しオーバーライドによる記録を行
った。
すなわち、光記録媒体の記録材料層（３）へ高出力の円
形ビーム（１０）を照射して高温条件下で融液状態にし
、かっ、これを急冷して単一相状態にある記録材料層（
３）を結晶化させてこれを記録状態に対応させる一方、
上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０）を
照射して低温条件下で融液状態にし、かつ、これを急冷
して二相共存状態にある記録材料層（３）を結晶化させ
てこれを消去状態に対応させた。
形ビーム（１０）を照射して高温条件下で融液状態にし
、かっ、これを急冷して単一相状態にある記録材料層（
３）を結晶化させてこれを記録状態に対応させる一方、
上記記録材料層（３）へ低出力の円形ビーム（１０）を
照射して低温条件下で融液状態にし、かつ、これを急冷
して二相共存状態にある記録材料層（３）を結晶化させ
てこれを消去状態に対応させた。
尚、上記記録材料層（３）か結晶質状態にあることは上
述した電子線回折法により同様に確認している。
述した電子線回折法により同様に確認している。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においては、
単一相状態にある記録材料層（３）を急冷により結晶化
させてこれを記録状態に対応させる一方、二相共存状態
にある記録材料層（３）を急冷により結晶化させてこれ
を消去状態に対応させいるため、記録・消去速度の著し
い改善か図れ、かつ、記録材料層（３）に結晶質領域と
エネルギーレベルの相違するアモルファス領域か共存し
なくなってこの記録状態を長期に亘って保持することか
可能となり、しかも、情報の記録消去時に記録材料か必
ず融解され書換え前の履歴か完全に消去されるため、そ
の消去率やＣ／Ｎ比か向上する利点を有していた。
単一相状態にある記録材料層（３）を急冷により結晶化
させてこれを記録状態に対応させる一方、二相共存状態
にある記録材料層（３）を急冷により結晶化させてこれ
を消去状態に対応させいるため、記録・消去速度の著し
い改善か図れ、かつ、記録材料層（３）に結晶質領域と
エネルギーレベルの相違するアモルファス領域か共存し
なくなってこの記録状態を長期に亘って保持することか
可能となり、しかも、情報の記録消去時に記録材料か必
ず融解され書換え前の履歴か完全に消去されるため、そ
の消去率やＣ／Ｎ比か向上する利点を有していた。
更に、１０４回まで情報の書換え試験を行ったが記録材
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。
請求項１に係る発明によれば、
記録材料か、
複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているた
め、 単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若しくは
結晶化させた部位と、二相共存状態にある記録材料層を
アモルファス化若しくは結晶化させた部位とでは初期状
態の相違に伴う反射率の差異か生ずることになる。
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているた
め、 単一相状態にある記録材料層をアモルファス化若しくは
結晶化させた部位と、二相共存状態にある記録材料層を
アモルファス化若しくは結晶化させた部位とでは初期状
態の相違に伴う反射率の差異か生ずることになる。
従って、この反射率の差異を利用して光学的記録か可能
となる効果を有している。
となる効果を有している。
一方、請求項２に係る発明によれば、
各冷却処理の条件を調整することにより、単一相状態に
ある記録材料層がアモルファス化若しくは結晶化される
一方、二相共存状態にある記録材料層がアモルファス化
若しくは結晶化され、かつ、単一相状態にある記録材料
層かアモルファス化若しくは結晶化された部位と、二相
共存状態にある記録材料層がアモルファス化若しくは結
晶化された部位とでは互いに初期状態並ひに相変化状態
の相違に伴う反射率の差異が存するため、これ等４種の
反射率を組合せて最大４値化の信号を求めることか可能
になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必す融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
ある記録材料層がアモルファス化若しくは結晶化される
一方、二相共存状態にある記録材料層がアモルファス化
若しくは結晶化され、かつ、単一相状態にある記録材料
層かアモルファス化若しくは結晶化された部位と、二相
共存状態にある記録材料層がアモルファス化若しくは結
晶化された部位とでは互いに初期状態並ひに相変化状態
の相違に伴う反射率の差異が存するため、これ等４種の
反射率を組合せて最大４値化の信号を求めることか可能
になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必す融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することか可能とな
る。
従って、１枚の光記録媒体に格納できる記録情報量の増
大が図れ、かつ、転送速度の向上も図れると共に、消去
率やＣ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
大が図れ、かつ、転送速度の向上も図れると共に、消去
率やＣ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
また、請求項３に係る発明によれば、
記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高速で
行うことが可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
行うことが可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料か必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
従って、書換え走査時間の短縮か図れ、かつ、消去率や
Ｃ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
Ｃ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
更に、請求項４に係る発明によれば、
記録材料層に結晶質領域とエネルギーレベルの相違する
アモルファス領域が共存しなくなるため、その記録状態
を長期に亘って保持することか可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
アモルファス領域が共存しなくなるため、その記録状態
を長期に亘って保持することか可能になり、 かつ、情報の記録と消去時に記録材料が必ず融解される
ため、書換え前の履歴を完全に消去することが可能とな
る。
従って、記録情報の保存安定性向上が図れると共に、消
去率やＣ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
去率やＣ／Ｎ比等が向上する効果を有している。
また、請求項５に係る発明によれば、
記録材料層の急冷処理により情報の記録と消去を高速で
行うことが可能になり、 かつ、記録材料層に結晶質領域とエネルギーレベルの相
違するアモルファス領域か共存しなくなるため、その記
録状態を長期に亘って保持することが可能になると共に
、 情報の記録と消去時に記録材料か必ず融解されるため、
書換え前の履歴を完全に消去することが可能となる。
行うことが可能になり、 かつ、記録材料層に結晶質領域とエネルギーレベルの相
違するアモルファス領域か共存しなくなるため、その記
録状態を長期に亘って保持することが可能になると共に
、 情報の記録と消去時に記録材料か必ず融解されるため、
書換え前の履歴を完全に消去することが可能となる。
従って、書換え走査時間の短縮か図れ、かつ、記録情報
の保存安定性向上か図れると共に、消去率やＣ／Ｎ比等
が向上する効果を有している。
の保存安定性向上か図れると共に、消去率やＣ／Ｎ比等
が向上する効果を有している。
第１図は実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図、
第２図は本発明に適用される組成物を説明するための概
略状態図、第３図（Ａ）は「１ヒーム」によるオーバー
ライド方式の説明図、第３図（Ｂ）は「２ビーム」によ
るオーバーライド方式の説明図であり、また、第４図〜
第１８図は本発明に適用できる組成物の擬２元状態図、
第１９図〜第２０図は 「相変化方式力 における記録・消去の原 理説明図である。 〔符号説明〕 （１，）・・・基板 ・・・記録材料層 特 許 出 願 人 富士セロックス株式会社 代 理 人
第２図は本発明に適用される組成物を説明するための概
略状態図、第３図（Ａ）は「１ヒーム」によるオーバー
ライド方式の説明図、第３図（Ｂ）は「２ビーム」によ
るオーバーライド方式の説明図であり、また、第４図〜
第１８図は本発明に適用できる組成物の擬２元状態図、
第１９図〜第２０図は 「相変化方式力 における記録・消去の原 理説明図である。 〔符号説明〕 （１，）・・・基板 ・・・記録材料層 特 許 出 願 人 富士セロックス株式会社 代 理 人
Claims (5)
- （１）光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化
を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を
行う光記録媒体において、上記記録材料が、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成されているこ
とを特徴とする光記録媒体。 - （２）光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方
法において、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを冷却処理して相変
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを冷却処理して相変化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とする光学的記録方法。 - （３）光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方
法において、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理してアモ
ルファス化させた部位を記録又は消去状態に対応させる
一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理してアモル
ファス化させた部位を消去又は記録状態に対応させるこ
とを特徴とする光学的記録方法。 - （４）光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方
法において、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得る組成物にて構成すると共に、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを徐冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とする光学的記録方法。 - （５）光、熱等の手段により光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、この光学的性質の変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方
法において、 上記記録材料を、 複数の元素から成りその融液状態が選択的に単一相状態
と二相共存状態をとり得ると共にその結晶化速度が速い
組成物にて構成し、 上記記録材料層へ高出力の光ビームを照射しこれを融解
させて単一相状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶
化させた部位を記録又は消去状態に対応させる一方、 記録材料層へ低出力の光ビームを照射しこれを融解させ
て二相共存状態とし、かつ、これを急冷処理して結晶化
させた部位を消去又は記録状態に対応させることを特徴
とする光学的記録方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2239002A JP2556183B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 |
| US07/757,058 US5341358A (en) | 1990-09-11 | 1991-09-09 | Optical recording medium and optical recording method using the same |
| GB9119425A GB2249657B (en) | 1990-09-11 | 1991-09-11 | Optical recording medium and optical recording method using the same |
| DE4130193A DE4130193C2 (de) | 1990-09-11 | 1991-09-11 | Optisches Aufzeichnungsmedium und optisches Aufzeichnungsverfahren unter dessen Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2239002A JP2556183B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04119883A true JPH04119883A (ja) | 1992-04-21 |
| JP2556183B2 JP2556183B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17038437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2239002A Expired - Fee Related JP2556183B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体 |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US5341358A (ja) |
| JP (1) | JP2556183B2 (ja) |
| DE (1) | DE4130193C2 (ja) |
| GB (1) | GB2249657B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6323234A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Central Glass Co Ltd | 光情報記録カ−ド |
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-
1990
- 1990-09-11 JP JP2239002A patent/JP2556183B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-09 US US07/757,058 patent/US5341358A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-11 DE DE4130193A patent/DE4130193C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-11 GB GB9119425A patent/GB2249657B/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2015165568A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-17 | 延世大学校 産学協力団 | ダイナミック光ヘッド層とこれを用いたリソグラフィ方法及び装置 |
| US9519222B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-13 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Dynamic optical head layer and lithography method using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4130193A1 (de) | 1992-03-19 |
| DE4130193C2 (de) | 1995-07-13 |
| GB2249657B (en) | 1994-10-05 |
| US5341358A (en) | 1994-08-23 |
| JP2556183B2 (ja) | 1996-11-20 |
| GB9119425D0 (en) | 1991-10-23 |
| GB2249657A (en) | 1992-05-13 |
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| JPS62283431A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |