JPS6240647A - 情報記録媒体および記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、情報記録媒体、特にヒートモードの情報記録
媒体および記録方法に関する。

先行技術 ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と書き込みないし
読み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため、種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究が行われている。

このヒートモードの情報記録媒体には、大別　　　□し
て、ビット形成タイプと、いわゆる相転移タイプのもの
がある。

相転移タイプのものは、レーザー等の記録光により、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光で反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。

このような相転移を利用する記録媒体としては、Ｔｅを
主体とする材料を記録層とするものが大半を占めている
。

例えば、ＴｅＯｘ系や、Ｔｅ−３ｅ系などのカルコゲン
化物等があり、これらは可逆的に相転移を生起させるこ
とにより、記録、消去可能な記録層材料である。

しかしながら、ＴｅＯｘ系では、記録層を各種の真空成
膜法で設層する際、記録層中の組成、特に膜厚方向の組
成のバラツキが生じる。

従って、組成が均一な記録層をえるためには２元蒸着を
せざるをえなく、製造が煩雑になるという問題がある。

他方、Ｔｅ−３ｅ系などのカルコゲン化物では、転移速
度、特に非晶質から結晶質への転移速度が１μＳＣＣ以
上と遅く、消去スピードが遅いという欠点がある。

■　発明の目的 本発明の目的は、記録層に例えば記録光を照射して、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移ないし結晶の状
態の変化を生起させて、情報の記録・消去を安定にくり
返し行いことができ、しかも、この記録、消去がきわめ
て短時間で行なうことができる情報記録媒体および記録
方法を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、第１の発明は基体上に記録層を有する情報記
録媒体において、記録層中にＴｅと、ＴＩｌおよび／ま
たはＳｉとを含有することを特徴とする情報記録媒体で
ある。

また第２の発明はＴｅと、Ｔ２および／またはＳｉとを
含有する記録層を基体上に有する情報記録媒体に非晶質
−結晶質相転移または結晶状態の変化を生起させて記録
および消去を行うことを特徴とする情報記録方法である
。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の情報記録媒体は、基体の上に記録層を設層する
ことによって形成される。

また、このようなものを２つ用い、互いの記録層を対向
させて密着一体化することによって両面記録用の媒体と
して構成してもよい。

ここで、基体としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等のオ
レフィン系樹脂などの樹脂等からなる平板状のものであ
る。　記録手段として光を用いる場合は、光透過率の良
いガラスまたは樹脂を用いるのが好ましい。

これにより、基体裏面側からの−Ｆき込み、読み出し、
消去などが可能となる。

また、基体の記録層形成面には、トラッキング用の溝が
形成されていることが好ましい。

このような基体上には、記録層が設層され、この記録層
中には、Ｔｅ（テルル）と、Ｔｌ（タリウム）および／
またはＳｉ（ケイ素）とが含有される。

Ｔｅ含有量は、１５〜８５ａｔ％、より好ましくは３０
〜８５ａｔ％、Ｔ２含有量は８５ａＬ％以下、より好ま
しくは２〜６０ａｔ％、Ｓｉ含有量は４０以下ａＬ％、
より好ましくは３〜２０ａｔ％である。　記録層中の組
成含有量が上記の値をはずれると記録・消去が安定して
行えず、本発明の実効がなくなる。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。

記録層の厚さは２０ｎｍ〜１−程度である。

また、必要に応じて基体と記録層の間および／または記
録層上に、公知の種々の安定化層や熱吸収層等を設層し
てもよい。

これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに記録のた
めの熱効率を向上させることができる。

また、基体の他面上には、各種保護層を設けてもよい。

このような記録層を基体上に有する情報記録媒体に記録
および消去を行うには、光ないし熱エネルギーを付与す
る。

一般的には、記録および消去光としては、半導体レーザ
ー等を用いればよい。

記録光の照射により、照射部の記録層に非晶質−結晶質
の相転移を生起させ、記録が行われる。　すなわち、非
晶質から結晶質への相転移、あるいは結晶質から非晶質
への相転移を利用して記録を行う。

消去を行う場合には、前記の消去光を用い、記録の場合
と逆過程の相転移を利用すればよい。

本発明において、例えば、結晶質から非晶質への相転移
を記録に使用し、この逆過程を消去に使用した場合、記
録パルスは１００〜２００ｎｓｅｃ程度（記録光出力１
０ｍＷ）、消去パルスは０．５〜２μｓｅｃ程度（消去
光出力３〜４ｍＷ）のきわめて優れた特性を有するもの
である。

さらに、このような相転移の他、記録および消去は、結
晶状態の変化によフてもよい。　結晶状態の変化として
は、微結晶の粒径の変化、結晶形の種類、配向性や結晶
化率の変化などがある。

記録後の読みとりは、読みとり光を照射するなどして、
記録層の反射率の変化等を利用して検出すればよい。

■　発明の具体的効果 本発明の情報記録媒体の記録層は、Ｔｅと、Ｔｌおよび
／またはＳｉとを含存し、この記録層は、記録光や消去
光などを照射することによって非晶質−結晶質の可逆的
相転移や結晶状態の変化が生起する。

従って、この現象を利用することによって、情報をくり
返し記録・消去することができ、しかも本発明において
は、従来の媒体に比べて、きわめて、消去スピードが速
いという優れた特性を存する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例をあげ、本発明をさらに詳細に説
明する。

〔実施例１〕 ガラス基板上に、Ｔｅ−Ｔｌ−５ｉからなる薄ｒＩＡ層
（記録層）を真空蒸着法により膜厚１゜００人に設層し
た。　組成比はＴｅ＝４９．９ａｔ％、Ｔｌ＝４５．３
ａｔ％、５ｉ＝４．８ａｔ％であった。

さらにこのサンプルを２００℃１０分間アニ〜ルしたも
のを記録媒体サンプルとし、約１−に絞り込んだ半導体
レーザー（８３０ｎｍ）で記録、消去のくり返し実験を
行フだ。

なお、上記薄ｒ；Ｌ層の設層後およびアニール後の記録
媒体サンプルのＸ線回折を行ったところ、Ｔｅ−Ｔｉｔ
−Ｓｉの非晶質−結晶質の相転移が確認された。

また、蒸着直後の反射率は５５％、アニール　　　□後
の反射率は７５％であった。

このような記録媒体サンプルを用いた記録、消去の実験
条件は下記のとおりとした。

すなわち、記録に際して、半導体レーザーの出力を１０
ｍＷ、パルス巾０．１〜０．２μｓｅｃの条件で記録し
、半導体レーザーの出力を３〜４ｏ＋Ｗとし、パルス巾
を種々かえて消去を試みた。

１００１′ｓ、　０　、　１　μｓｅｃの記録、３　　
ｍＷ、１μｓｅｃの消去をくりかえし、０．１ｍＶで再
生したところ、記録時に出力は５５１．７ｍＶ、消去時
の出力は５５９．５ｍＶであった。

そして、くりかえし何回にもわたり安定した出力を示し
た。

また、消去光のパルス巾を０．５μｓｅｃとしても十分
良好な消去を行うことができた。

実施例２ 原子比で ８３．３Ｔｅ　−２ＴＭ−１４，５Ｓｉ８０．８Ｔｅ　
−５ＴＭ−１４，２Ｓｉ７６．５Ｔｅ−ｆＯＴＪ２−１
３．５Ｓｉ７２．３Ｔｅ−１５Ｔｕ−１２，７Ｓｉ６３
．８Ｔｅ−２５ＴＩ１．−１１．３Ｓｉ５５．３Ｔｅ−
３５Ｔｌ−９，８Ｓｉ４６．７Ｔｅ−４５Ｔｎ−８，３
Ｓｉ３ ８．２Ｔｅ−５５Ｔｊ２−　９．８Ｓｉについて同様な
実験を行ったところ、実施例１とほぼ同等な結果をえた
。

以上より、本発明の効果があきらかである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に記録層を有する情報記録媒体において、
   記録層中にＴｅと、Ｔｌおよび／またはＳｉとを含有す
   ることを特徴とする情報記録媒体。
2. （２）記録層中に含有されるＴｅ量が、１５〜８５ａｔ
   ％である特許請求の範囲第１項に記載の情報記録媒体。
3. （３）記録層中にＴｌが含有されており、Ｔｌ量が８５
   ａｔ％以下である特許請求の範囲第１項に記載の情報記
   録媒体。
4. （４）記録層中にＳｉが含有されており、Ｓｉ量が４０
   ａｔ％以下である特許請求の範囲第１項に記載の情報記
   録媒体。
5. （５）Ｔｅと、Ｔｌおよび／またはＳｉとを含有する記
   録層を基体上に有する情報記録媒体に非晶質−結晶質相
   転移または結晶状態の変化を生起させて記録および消去
   を行うことを特徴とする情報記録方法。