JPS61168142A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録技術に関する。本発明は、さらに詳しく
述べると、例えばレーザ光のような光パルスを光記録層
に照射してその層の照射部分において相変態、そしてこ
れに原因するところの反射率又は透過率の変化をひきお
こし、この光学的な性質の変化を利用して情報の記録、
再生、消去、そして再記録を行うタイプの光記録媒体、
例えば光ディスクに関する。このようなタイプの光記録
媒体は、一般に、情報の書き換えが可能な、換言すると
、繰り返し使用が可能な、光記録媒体と呼ばれている。

〔従来の技術〕

従来広く用いられている書き換え可能な光記録媒体は、
例えば、ガラスやプラスチック材料（例えばポリメチル
メタクリレートのようなアクリル樹脂）からなる基板と
、該基板上に蒸着等によって被覆された、例えばＴｅ＋
　Ｓｅ、　Ｇｅ、　ｓｂ、　、Ｓｎ、　Ｓなどの金属又
は半金属あるいはその合金の薄膜からなる光記録層とか
ら構成されており、また、光記録層を酸化などから保護
するため、例えばＳｉＯ□。

Ａ　＃　２０：ｌなどの金属酸化物からなる保護膜を上
方に有している。このような光記録媒体を使用して、例
えば次のように情報の書き込みや消去を行うことができ
る。

最初、光記録媒体に光ビームを全面照射して加熱し、光
記録層を結晶性の高い状態（以下、この状態を“結晶状
態”と呼ぶ）にする。次いで、情報の書き込みのため、
短い強パルス光を照射して加熱急冷する。すると、パル
ス光の照射部分の結晶性が低下し、結晶性の低い状態（
以下、この状態を“非晶質状態”と呼ぶ）となる。この
状態では、反射率が低く　（すなわち、透過率が高く）
、したがって、情報が書き込まれたこととなる。このよ
うにして書き込まれた情報は、次いで、情報記録部分に
長い弱パルス光を照射して加熱徐冷することによって消
去することができる。すなわち、かかる弱パルス光の照
射の結果、非晶質状態にあった光記録層がもとの状態で
ある結晶状態に戻るからである。要するに、この光記録
媒体では、光記録層の相変態（結晶状態〜非晶質状態）
を利用して情報の書き込みや消去を行うことができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記したタイプの光記録媒体の典型として評価されてい
るものにＴｅＯ□を主成分とした光記録層を有する光記
録媒体がある。この光記録層は、ＴｅＯ７と、それ中に
分散せしめられたテルル、錫、ゲルマニウムとからなっ
ており、書き換えが可能であることはもちろんのこと、
高密度に記録ができる、記録部と未記録部のコントラス
トが大である、等の利点も有している。

ところで、上記光記録層は、蒸着法によって形成される
ものであるが、組成が複雑であるので所定の組成となす
ことが非常に困難である。この困難は、膜厚モニター等
の手段をフルに活用したとしても十分に解決することが
できない。本発明は、このような困難の問題点を解決し
て、薄膜形成時の手間が軽減された書き換え可能な光記
録媒体を↑に供しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは、このたび、光パルスの照射によって惹起
される照射部分の反射率又は透過率の変化から情報の記
録、再生、消去、そして再記録が可能である薄膜状の光
記録層を有する光記録媒体であって、前記光記録層がテ
ルルと錫の合金からなりかつ、その際、前記テルルが原
子比率で合金全体の５０％以上〜１００％未満を占める
ことを特徴とする光記録媒体によって上述の問題点を解
決し得るということを見い出した。

本発明の実施において、テルルと錫の合金からなる光記
録層中に占めるテルルの割合は上記した範囲内に含まれ
るように留意しなければならない。

テルルの量が原子比率で５０％以上〜１００％未満の範
囲を外れると、たとえ情報の記録が可能であったとして
も、情報の書き換えはもはや実施不可能である。

光記録媒体の基板は、先に述べたように、この技術分野
において一般的に用いられている材料、例えばポリメチ
ルメタクリレートのようなアクリル樹脂やガラスなどか
らなることができる。

光記録層は、蒸着装置内に蒸着源であるテルルと錫を別
々に又は所定の組成比をもった合金の形で配置して、蒸
着法により有利に形成することができる。この光記録層
の膜厚は、一般に、約３００〜２０００人であるのが有
利である。

形成された光記録層上には、この技術分野において普通
に行われているように、例えばＳｉＯ□。

Ａ　Ｉ！２０．などの金属酸化物や場合により金属窒化
物などからなる保護膜をスパッタ法、蒸着法などによっ
て被覆することができる。通常、保護膜の膜厚は約５０
０〜３０００人であるのが好ましい。

〔実施例〕

直径３０印のポリメチルメタクリレート製円板を用意し
、これを十分に洗浄した。この円板を真空蒸着機にセッ
トし、得られる薄膜が下記の第１表に記載の組成となる
ように蒸着源及び蒸着条件を選択して真空蒸着を実施し
た。光記録層の膜厚は、すべて約８００人となるように
コントロールした。いずれの場合にも所望の組成をもっ
た光記録層が正確に形成されたことが確認された。

次いで、上記のようにして製作した光記録媒体のサンプ
ルをそれぞれスピンドル上に載置し、これを６０Ｏｒｐ
ｍで回転させなから波長８３０ｎｍの半導体レーザ光の
集束ビーム（ビーム径約１μｍ）を同心円状に照射した
。媒体のビーム照射部分は結晶状態に変化した。

次いで、この媒体の書き換え可能性を次のようにして評
価した：書き込みパルスとして照射パワー１０ｍＬパル
ス幅７００ｎｓのパルス光を、また、消去パルスとして
照射パワー２１、パルス幅１０μｓのパルス光を、それ
ぞれ使用した。情報の書き込みのため、上記した書き込
みパルスを媒体に照射したところ、その照射部分が加熱
−急冷されたことの結果、照射部分の構造が準安定状態
に変化したまま固定され、反射率が低い状態となった。

この部分にさらに前記消去パルスを照射したところ、そ
の照射部分が平衡状態に戻り、反射率が高い状態となっ
た。例えば下記の第１表に記載のＴｅ６４Ｓｎ＋６から
なる光記録層を有する光記録媒体め場合、上述のような
反射率の可逆的な変化、すなわち、情報の書き換えが１
０　回にわたって可能であった。このような書き換えは
、合金中のＴｅの含有率が原子比率で５０％以上、１０
０％未満である場合に限って可能であった。

さらに、それぞれの媒体のサンプルを記録部と非記録部
のコントラストに関して評価した。次の第１表に記載の
ような結果が得られた。

第１表 叉星廷簾■皿戚　　　　コントラスト（％）Ｔｅ、２Ｓ
ｎｓｅ　　　　　　　　書き換え不可Ｔｅｂ４Ｓｎ３ｂ
　　　　　　　　　　Ｏ，５ＴｅＢａＳｒ＋＋６４．０ ＴｅｑｏＳｎ＋ｏ　　　　　　　　　　３．５Ｔｅ　　
　　　　　　　書き換え不可 なお、上記第１表のコントラスト（％）は、消去状態に
おける反射率をＲ１、そして書き込み状態における反射
率をＲ２として、次式： から求めた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、書き換え可能な光記録媒体を薄膜状光
記録層形成時の精度、手間等の問題点を伴なわずに提供
することができる。また、得られる光記録媒体は性能的
にもすぐれている。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、光パルスの照射によって惹起される照射部分の反射
   率又は透過率の変化から情報の記録、再生、消去、そし
   て再記録が可能である薄膜状の光記録層を有する光記録
   媒体であって、前記光記録層がテルルと錫の合金からな
   りかつ、その際、前記テルルが原子比率で合金全体の５
   ０％以上〜１００％未満を占めることを特徴とする光記
   録媒体。