JPH05342635A - 光学式情報媒体 - Google Patents
光学式情報媒体Info
- Publication number
- JPH05342635A JPH05342635A JP4154647A JP15464792A JPH05342635A JP H05342635 A JPH05342635 A JP H05342635A JP 4154647 A JP4154647 A JP 4154647A JP 15464792 A JP15464792 A JP 15464792A JP H05342635 A JPH05342635 A JP H05342635A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザー光等の照射により情報の記録再生及
び消去を行う光学式情報媒体であって、オーバーライト
による良好な記録が行えるとともに、環境変化に強い光
学式情報媒体を提供することを目的とする。 【構成】 下引層３と上引層６の少なくとも一方が酸化
タンタルまたはタンタル窒酸化物を主成分とする光学式
情報媒体において、案内溝２上の結晶化領域５のみ記録
層４を結晶化し、案内溝間の記録層４をアモルファス状
態のままにすることにより、初期化によって生じる歪が
小さくなり、剥離等の生じにくい、環境変化に強い光学
式情報媒体となる。
び消去を行う光学式情報媒体であって、オーバーライト
による良好な記録が行えるとともに、環境変化に強い光
学式情報媒体を提供することを目的とする。 【構成】 下引層３と上引層６の少なくとも一方が酸化
タンタルまたはタンタル窒酸化物を主成分とする光学式
情報媒体において、案内溝２上の結晶化領域５のみ記録
層４を結晶化し、案内溝間の記録層４をアモルファス状
態のままにすることにより、初期化によって生じる歪が
小さくなり、剥離等の生じにくい、環境変化に強い光学
式情報媒体となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光等の照射に
より情報の記録再生及び消去を行う光学式情報媒体に関
するものである。
より情報の記録再生及び消去を行う光学式情報媒体に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】大容量で高密度なメモリーとして光学式
情報媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消去
型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去型
光学式情報媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄
膜を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネ
ルギーでアモルファス状態と結晶状態の間で相変化させ
ることによって情報の記録及び消去を行うものがある。
アモルファス化は記録層を融点以上に加熱した後に一定
値以上の速さで冷却することによって行われる。また、
結晶化は記録層を結晶化温度以上、融点以下の温度に加
熱することによって行われる。
情報媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消去
型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去型
光学式情報媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄
膜を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネ
ルギーでアモルファス状態と結晶状態の間で相変化させ
ることによって情報の記録及び消去を行うものがある。
アモルファス化は記録層を融点以上に加熱した後に一定
値以上の速さで冷却することによって行われる。また、
結晶化は記録層を結晶化温度以上、融点以下の温度に加
熱することによって行われる。
【０００３】図２はこの消去型情報記録媒体の断面図で
あり、中心孔を有し案内溝１１を具備した円盤状の透明
基板１０上にＴａ2Ｏ5からなり、膜厚約１８０nmの下引
層１２、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜からなり、膜厚約２
０nmの記録層１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなり、膜厚約
３０nmの上引層１４、Ａ１合金からなり、膜厚約１５０
nmの反射層１５を形成し、その上に接着剤１６を介して
保護基板１７を設けたものである。
あり、中心孔を有し案内溝１１を具備した円盤状の透明
基板１０上にＴａ2Ｏ5からなり、膜厚約１８０nmの下引
層１２、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜からなり、膜厚約２
０nmの記録層１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなり、膜厚約
３０nmの上引層１４、Ａ１合金からなり、膜厚約１５０
nmの反射層１５を形成し、その上に接着剤１６を介して
保護基板１７を設けたものである。
【０００４】Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金は極めて結晶化速度
が速いため、単一のレーザー光の強度を変調して照射す
るだけでアモルファス化及び結晶化ができる。したがっ
て、この光学式情報媒体は、一般にオーバーライトと呼
ばれる単一のレーザー光による情報の書換えが可能であ
る。
が速いため、単一のレーザー光の強度を変調して照射す
るだけでアモルファス化及び結晶化ができる。したがっ
て、この光学式情報媒体は、一般にオーバーライトと呼
ばれる単一のレーザー光による情報の書換えが可能であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような光学式情報
媒体では一般に記録層の部分的なアモルファス化によっ
て記録を行い、結晶化によって消去を行う。ところが、
記録層は形成時にはアモルファス状態になっているた
め、使用前に予め結晶状態にしておく必要がある。この
処理を初期化と呼ぶ。従来、この初期化は光学式情報媒
体を回転させながらスポット径数十μｍに成形されたＡ
ｒレーザーを照射する等して、ほぼ全面にわたって記録
層を結晶化していた。
媒体では一般に記録層の部分的なアモルファス化によっ
て記録を行い、結晶化によって消去を行う。ところが、
記録層は形成時にはアモルファス状態になっているた
め、使用前に予め結晶状態にしておく必要がある。この
処理を初期化と呼ぶ。従来、この初期化は光学式情報媒
体を回転させながらスポット径数十μｍに成形されたＡ
ｒレーザーを照射する等して、ほぼ全面にわたって記録
層を結晶化していた。
【０００６】しかし、光学式情報媒体をこの方法で初期
化し、室温環境から９０℃８０％RHに保たれた恒温恒湿
槽中への投入及び取り出しを行った場合、下引層と記録
層の間で部分的な剥離が発生するという課題があった。
これは初期化時の記録層の広範囲にわたる結晶化によっ
て生じる歪と、環境変化による各層の膨張収縮によるも
のと思われる。
化し、室温環境から９０℃８０％RHに保たれた恒温恒湿
槽中への投入及び取り出しを行った場合、下引層と記録
層の間で部分的な剥離が発生するという課題があった。
これは初期化時の記録層の広範囲にわたる結晶化によっ
て生じる歪と、環境変化による各層の膨張収縮によるも
のと思われる。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、環境変化に強い光学式情報媒体を提供することを目
的とする。
で、環境変化に強い光学式情報媒体を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光学式情報媒体は、情報を記録する案内溝上
のみ記録層を結晶化したものである。
に本発明の光学式情報媒体は、情報を記録する案内溝上
のみ記録層を結晶化したものである。
【０００９】
【作用】案内溝上のみ記録層を結晶化し、案内溝間の記
録層をアモルファス状態のままにすることによって、体
積変化を伴う結晶化の領域が細かく分割されるとともに
総面積も小さくなる。また、初期化時に同時に昇温する
領域も小さくなる。したがって、初期化によって生じる
歪が小さくなり、剥離等の生じにくい、環境変化に強い
光学式情報媒体となる。
録層をアモルファス状態のままにすることによって、体
積変化を伴う結晶化の領域が細かく分割されるとともに
総面積も小さくなる。また、初期化時に同時に昇温する
領域も小さくなる。したがって、初期化によって生じる
歪が小さくなり、剥離等の生じにくい、環境変化に強い
光学式情報媒体となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例における光学式情
報媒体の断面図である。これは中心孔を有し溝幅約０．
７μｍ、ピッチ約１．５μｍの螺旋状の案内溝２を具備
した円盤状のポリカーボネート製透明基板１上にＴａ2
Ｏ5からなり、膜厚約１８０nmの下引層３、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｓｂ合金薄膜からなり、膜厚約２０nmの記録層４、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2からなり、膜厚約３０nmの上引層６、Ａ
１合金からなり、膜厚約１５０nmの反射層７を形成し、
その上に接着剤８を介して保護基板９を設け、案内溝２
上の結晶化領域５の記録層のみ結晶状態としたものであ
る。
報媒体の断面図である。これは中心孔を有し溝幅約０．
７μｍ、ピッチ約１．５μｍの螺旋状の案内溝２を具備
した円盤状のポリカーボネート製透明基板１上にＴａ2
Ｏ5からなり、膜厚約１８０nmの下引層３、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｓｂ合金薄膜からなり、膜厚約２０nmの記録層４、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2からなり、膜厚約３０nmの上引層６、Ａ
１合金からなり、膜厚約１５０nmの反射層７を形成し、
その上に接着剤８を介して保護基板９を設け、案内溝２
上の結晶化領域５の記録層のみ結晶状態としたものであ
る。
【００１２】初期化は、レーザー光を透明基板１側から
案内溝２上に照射し、トラッキングしながら、この光学
式情報媒体を回転させて行った。
案内溝２上に照射し、トラッキングしながら、この光学
式情報媒体を回転させて行った。
【００１３】この光学式情報媒体を室温環境から９０℃
８０％RHに保たれた恒温恒湿槽中への投入及び取り出し
を行っても、各層間での剥離やクラックの発生等の損傷
は生じなかった。
８０％RHに保たれた恒温恒湿槽中への投入及び取り出し
を行っても、各層間での剥離やクラックの発生等の損傷
は生じなかった。
【００１４】本実施例では、下引層材料を酸化タンタル
としたが、下引層と上引層の少なくとも一方が酸化タン
タルを主成分とするものであれば同様の効果が得られ
る。酸化タンタルをタンタル窒酸化物に置き換えた場合
でも同様である。記録層についても、本実施例ではＴｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜を用いたが、結晶状態の変化を利
用するものであれば、他の記録層材料を用いた場合でも
本発明は有効である。反射層の材料はＡｕ等、他の金属
を用いてもよい。
としたが、下引層と上引層の少なくとも一方が酸化タン
タルを主成分とするものであれば同様の効果が得られ
る。酸化タンタルをタンタル窒酸化物に置き換えた場合
でも同様である。記録層についても、本実施例ではＴｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜を用いたが、結晶状態の変化を利
用するものであれば、他の記録層材料を用いた場合でも
本発明は有効である。反射層の材料はＡｕ等、他の金属
を用いてもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、案内溝を有し、
下引層と上引層の少なくとも一方が酸化タンタルまたは
タンタル窒酸化物を主成分とする光学式情報媒体におい
て、案内溝上のみ記録層を結晶化し、案内溝間の記録層
をアモルファス状態のままにすることにより、剥離等の
生じにくい、環境変化に強い光学式情報媒体となる。
下引層と上引層の少なくとも一方が酸化タンタルまたは
タンタル窒酸化物を主成分とする光学式情報媒体におい
て、案内溝上のみ記録層を結晶化し、案内溝間の記録層
をアモルファス状態のままにすることにより、剥離等の
生じにくい、環境変化に強い光学式情報媒体となる。
【図１】本発明の実施例における光学式情報媒体の断面
図
図
【図２】従来の光学式情報媒体の断面図
１，１０ 透明基板 ２，１１ 案内溝 ３，１２ 下引層 ４，１３ 記録層 ５ 結晶化領域 ６，１４ 上引層 ７，１５ 反射層 ８，１６ 接着剤 ９，１７ 保護基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 威夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】トラッキング用の案内溝を具備した透明基
板上に誘電体からなる下引層、部分的な結晶状態の変化
によって情報の記録がなされる記録層、誘電体からなる
上引層、及び金属薄膜からなる反射層を順次形成した光
学式情報媒体であって、 前記下引層と前記上引層の少なくとも一方が酸化タンタ
ルまたはタンタル窒酸化物を主成分とするとともに、案
内溝上の記録層は結晶状態、案内溝間の記録層はアモル
ファス状態である光学式情報媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4154647A JPH05342635A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光学式情報媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4154647A JPH05342635A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光学式情報媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342635A true JPH05342635A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15588804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4154647A Pending JPH05342635A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光学式情報媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303481B2 (en) * | 1999-12-29 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4154647A patent/JPH05342635A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303481B2 (en) * | 1999-12-29 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices |
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