JPS60231928A - 光学情報記録消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光線の照射によって、その光学的性質を
可逆的に変化する記録媒体上に、複数個のレーザビーム
を用いて高密度な情報を実時間で記録、再生、消去更に
は消去しながら記録するといったいわゆる同時消録をも
可能とする光学情報の記録消去方法に関するものである
。

従来例の構成とその問題点 レーザ光をレンズ系を用いて記録媒体上へ微少スポット
に絞り込み、その高いエネルギー密度を利用して照射部
に物理的、化学的変化を生じさせ、その変化を利用して
情報を記録するという技術は公知であり、数多くの研究
開発事例の報告がある。

記録媒体としては、照射部が局所的に蒸発する薄膜や、
局所的に光学定数（ｎ：屈折率、に：消衰係数）が変化
し、結果として反射率や透過率が変化する薄膜が研究開
発されている。このうち、前者は記録部の形状が不可逆
的に変化するため情報の永久記録というような使い方が
適すると思われるが信号の訂正、書き換え等といったこ
とはできない。これに比して後者のように形状変化は起
さずに局所的に反射率や透過率のみを変化させる型の記
録媒体は信号を記録再生できるばかりでなく、いったん
記録した情報信号部分的に消去して訂正したり書き換え
たりできる機能（以下、消去機能と略す）を持つ可能性
を有している。

例えばテルルの酸化物Ｔ　ｅｏｘ　（０（Ｘ（２）にイ
オウ、セレンを添加物として加えた薄膜がこの性質を持
っている（特開昭５６−１４５５３０）。また、Ｔｅ０
ｘ（０＜！＜２　）Ｋ錫、鉛、　）ｙ’ｆｉｖマ：　ウ
Ａ　。

アンチモン等を添加物として加えた薄膜においてもこの
性質が見出されている（特願昭５１３−５８１５８）。

これらの系は例えばアクリル樹脂等のディスク基村上に
蒸着により形成される。形成された薄膜は通常Ｘ線アモ
ルファスといわれる状態であるが、熱処理によって膜全
体を結晶化し、その状態を未記録状態とする。記録に際
しては、レーザ光を照射して照射部の温度を瞬時、摂氏
数百度以上の高温に昇温し照射部を溶融状態あるいはそ
れに近い軟化した状態にした後、急冷する。この操作に
よ、って照射部はＸ線アモルファス化され、一般に反射
率が減少し記録が行なわれる。消去に際しては、レーザ
光の照射パワーを下げ記録時よりもやや長い時間照射す
ることで照射部が漸時結晶化温度以上に保持され、結晶
性が回復して反射率が増大し元の状態に戻る。記録に要
する昇温時間は数１００ｎｓｅｃ以下で十分であるが、
消去には数１　ｏｏｎｓｅｃ以上の応答時間を必要とす
るとされている。

これら記録の消去の応答時間が異なる記録媒体を用いて
ディスク上に実時間に記録、消去を行なうための方法が
提案されている。１つは記録する時と消去する時とで照
射スポット長を変えようというものである（特開昭ａｓ
−１５３５４０）。

これは消去用のレーザ光をレンズ系を用いて細長い形に
整形し、消去しようとする部分を選択的に照射するもの
である。第１図Ａは記録用レーザの光スポットａ１と、
消去用レーザーの光スポラ）　ａ２とを同一トラック１
上に配置した例である。

ａ、は波長がやや長目で波長限界程度の微少スポットに
絞り込まれて制御、記録、再生に用いられる。ａ２は波
長がやや短目でレンズ系を用いて記録面上で例えば半値
で２０μｍ程度の長さに整形されて戸去に用いられる。

（第３回ＪＡＰＡＮＤＩＳＰＬＡＹ予稿集Ｐ１ｏ８）第
２図はこの２つのスポットがよぎった時の照射部の温度
変化の様子を示したものである。第２図Ａに示すように
ａｌが通過すると照射部は急激に昇温した後、急激に冷
却する。また、第２図Ｂに示すようにａ２が通過すると
照射部は、ややゆるやかに昇温した後、ゆっくりと冷却
される。かくして記録、消去が行なわれるわけである。

この方法の特徴は非常にシンプルな構成で実時間に記録
、消去が出来ることにあるが、消去時に結晶化に必要な
温度に漸時保持するためにレーザ光を長く拡大する必要
があり、このため昇温にとって充分な光パワー密度を確
保するためには非常に大きい出力のレーザが要るという
点が大きな問題であった。

′また別の提案としては、複数個のレーザ光を用いて消
去しようとする部分を順次照射しながら消去しようとす
るものがある（特開昭５６−１４５５３５）。第３図は
、制御、再生用のレーザスポットｂ１と、消去用レーザ
スポットｂ２．ｂ３．ｂ４とを同一トラック１上に配置
した例である。ｂｌはｂ２．ｂ３．ｂ４よジも波長が短
か目になっている。

このとき、ｂｌで記録信号トラックを追跡しながら例え
ば記録はｂ２で光パワーを強くして行ない、消去はｂ２
．ｂ３．ｂ４の光スポットを順次照射することで行なう
。あるいは光スポットｂ１で再生、記録を光パワーを変
えて行ない、消去はｂｌ、ｂ２゜ｂ３．ｂ４の全ての光
スポラトラ用いて行なうというもので、この際各レーザ
スポットの光パワー密度をｂｌ、ｂ２．ｂ３．ｂ４の順
に順次小さくする方が、Ｊ：ｖ効果的であるとしている
。

この方法はＸ線アモルファス状態から結晶性を回復する
（消去する）ために必要な光パワー密度を十分維持した
まま、やはジ結晶化に必要な照射時間を確保するのに適
した方法といえる。つまり複数個のレーザを並べること
により、光パワーを低下させること無く、長い照射時間
が得られると考えられ現在実現されている出力の半導体
レーザを用いて実時間消去を達成する非常に優れた方法
であった。

ところが研究開発の進行に伴ない次のようなことが明ら
かになってきた。つまり、アモルファスと結晶間の相変
Ｈｆ：利用する記録薄膜においては蒸着したままの未処
理のアモルファス状態の薄膜を熱処理等の方法で単に結
晶化した場合と、半導体レーザ光等の強い光で加熱して
一亘液相を通過して急冷されて生じた、これもアモルフ
ァス状ａの薄膜を熱処理して結晶化した場合とでは得ら
れる結晶状態がかなり異なり、反射率あるいは透過率に
差が生じる場合があるという現象である。更に厳密には
、前記のように液相から生じた固相のアモルファス状態
を熱処理して得た結晶状態と、液相から徐冷して直接得
た結晶状態との間にも同様に若干の差が生じることがわ
かった。この現象によって、トラック上に記録された信
号（これは固相のアモルファス状態であるが）を前述の
方法で消去しようとした場合前記いずれの方法によって
も記録信号を形成するアモルファス状態の部分を結晶化
することはできるが、信号を記録していなかった周囲の
結晶性の部分との間にわずかに光学定数の変化が生じ、
これが反射率差、透過率差として検出される。つまり前
の信号を完全に消去することは原理的に不可能であった
。

発明の目的 本発明の目的は、前記複数個の半導体レーザを用いた記
録消去方法を改善し加熱急冷して光学定数が減じ、加熱
徐冷して光学定数が増す記録媒体を用いて消去残シの無
い完全な記録消去方法を提供することであり、同時に構
成の容易なレーザビーム構成で実時間消去が行なえる消
去方法を提供することである。

発明の構成 本発明の記録消去方法は記録時においても消去時におい
ても強い光パワー密度のレーザスポットを照射し記録媒
体が瞬時メルトする状態にまで昇温させ、記録時にはそ
の液相状態から急冷してメルト状態を凍結し光学定数の
小さい状態を得て記録信号となし、消去時には上記液相
状前から徐冷するためにメルトさせるためのレーザスポ
ットの後に比較的光パワー密度の低いレーザスポラトラ
直ちに照射することで冷却速度を制御し、液相から効率
良く直接結晶化させ短時間に光学定数を増大して消去す
ることを特徴とする。

このとき、記録信号部（Ｘ線アモルファス状態）と、そ
の周囲の未記録部（結晶状態）とを区別せず照射して両
者を全く同様に液相を通じて結晶化させることで結晶状
態に差を生じさせることが無く、消しむらの無い完全な
消去が実現できる。

また、消去スポットの後に記録スポットを置き同時消録
する場合と、消去をせず記録のみを行なう場合にはトラ
ック上での温度分布の初期条件に差が生じるが、本発明
においてはこの条件差を無くするために未記録イラック
に記録する際にも消去スポットを使用し、記録時には、
常に消去スポット光を先行させることで前記条件差を解
消し同時消録を可能とする。

実施例の説明 次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。本発
明の光学情報記録再生消去方法は、光源としては、レー
ザ光を用いるが、装置を小型化する直接変調が可能であ
るとの理由から半導体レーザを用いて行なえることが望
ましく、以下半導体レーザを用いる場合について説明す
る。

記録媒体としては、前述のように記録前後で光学定数の
変化するもの、つまり加熱急冷でその光学定数が低下し
一般に反射率が減少、透過率が増大し、加熱徐冷でその
光学定数が増大し反射率が増加、透過率が減少するもの
を用いることができる例えば、カルコゲナイドガラス薄
膜、ＴｅＯｘを主成分とする薄膜をガラス板、プラスチ
ック板等の基材上に蒸着、スパッタ等の方法で形成した
ものを用いて行なえる。

これらの記録媒体の記録−消去原理は厳密に言えば、材
料組成によって微妙に異なっている。例えばカルコゲナ
イドガラスのように結晶−アモルファスの相転移が大き
く寄与するもの・ＴｅＯｘ系のように結晶粒径の変化が
大きく影響しているとされているもの。更に結晶粒の成
長方向が寄与するもの等が有るが、本発明の方法とは直
接関係なく本発Ｆ！Ａ’ｉ左右するものでは無い。ここ
では表現を容易にすべく、アモルファス−結晶の相変態
を例にとって説明する。

基材上には光ガイド用のトラックが形成されていること
が必要である（特開昭５６−１４５５３５）。

Ａれらの記録媒体に本発明の記録消去方式を用いて同時
消録を行なう方法について説明する。

前記記録媒体は、前述のようにアモルファス状態である
ため、記録するにあたってはあらかじめ反射率が高く、
透過率の低い状態（結晶状態）にしておく必要が有る。

結晶状態にする手段としては熱処理等で結晶化温度以上
に保持し全面を一括して処理する方法と、各トラックご
とに使用する際に装置上で消去ビームを用いて行なう方
法が有るが、先ず、あらかじめ全面熱処理した場合につ
いて説明する。いずれにしても記録は結晶−アモルファ
スの変化を用いる。記録する場合には、半導体レーザ光
を出力を高くシ、レンズ系で絞り込んで光パワー密度を
高めて照射する。光ディスクが１８０ＯＲＰＭで回転し
ている場合、光ビームスポットの光強度分布の半値巾が
約１μｍとして、ディスクの半径１００μｍの位置で、
ディスクの一点が光の照射点を横切る時間は約５０　ｎ
　ＳｅＣである。

第４図Ａに照射光強度の分布Ｂに照射部の温度変化の様
子を示す。波長限界まで良く絞り込まれた光スポットは
、その光パワー密度が高く、照射部の温度は急激に上昇
し瞬時メルティングポイントＴｍを通過する。光スポッ
トの通過後は熱は基材中へ拡散され照射部は急激に冷却
されて結晶状態からアモルファス状態への変態が行なわ
れ、一般的に反射率が低下、透過率が上昇して記録が行
なわれる。

記録情報の再生はレーザ光を記録信号には変化を与えな
い程に弱いパワーで照射し、記録による光学的性質の変
化をディスクよりの反射光または透過光の変化として読
み取って行なう。

消去する場合にはまず記録時と同様に半導体レーザ光を
出力を高くしレンズ系で絞り込んで高い光パワー密度の
第１の光スポットとして照射する。

この場合は記録スポットの様に円形である必要は無いが
いずれにしても照射部の温度を局部的に急激に上昇させ
てメルティングポイントに到達させる必要がある。記録
膜はメルトすることによって、その原子配列は一時完全
にランダムな状態になり、それまでの覆歴を失なってし
まう。従って信号部と信号の周囲とを区別なく同様の照
射を行なうことで完全な消去を行なうことができるもの
である。

本発明においては、第１のスポットで照射部をメルトさ
せた直後に第２の消去スポットが照射し前述の照射部が
まだメルト状態にある間に第２のスポットが照射するこ
とによって液相から徐冷して、より完全な結晶状態を得
、一般的に反射率の上昇、透過率の減少により、従来の
方法よりも完全な消去を行なうことを特徴とするもので
ある。

このとき第２のスポットは第１のスポットよｐも光パワ
ー密度を低クシ、かつレンズ系で細長く整形する等の方
法で照射時間を長くし徐冷条件を実現する。

第６図中Ａは、２つの消去スポットを同一トラック上に
直線上に配置した場合の光強度分布であり、Ｂは、この
２つのスポットがある点を連続的に通過したときの温度
変化の様子を示したものである。照射部の温度は第１の
スポットによって急上昇しメルティングポイントに調達
した後、第２のスポットとの相乗効果によってややゆっ
くりと冷却すれ再びメルティングポイントラ通過した後
結晶化温度Ｔｃよりも十分高く保持され効率良く消去す
ることができる。Ｃは、第１のスポットが無く第２のス
ポットのみで照射した場合の照射部の温度変化を示す。

消去光スポットのうちのかなりの部分が単に結晶化温度
に昇温するためにのみ消費され実際の結晶化（消去）に
寄与せず、２スポツトの場合よりもかなシ効率が悪い。

このことから２スポツト消去の場合には、第２のスポッ
トの長さは第２のスポラトラそれのみで使用する場合に
比べてはるかに短かくて十分であり、周速の大きい場合
にも現実的な長さのスポットで十分対応が可能であるこ
とがわかる。

記録済のトラックを消去しながら次の信号を記録する、
いわゆる同時消録は第２のスポットの後に第３のスポッ
トとして記録光スポットを備えて行なうことができる。

このとき、未記録のトラックに記録する場合と同じ昇温
条件を確保するためには第２のスポットの予熱効果が無
いぐらいの間隔を開ける必要がある。また別のアイデア
としては逆に未記録のトラックに記録する場合、にも前
の２つのスポット（消去スポット）ヲ光らせて記録する
ことでも昇温条件を合わせることができる。

こうすることで第２のスポットに近接して第３のスポッ
トを置くことが可能になり、第１．第２のスポットと同
一の光学系で絞り込むことが容易となるとともに、消去
光による予熱を用いて記録レーザの出力を下げる効果が
得られる。同時消録しない場合には、第３のスポットは
必要無く、第１のスポラ）ｆ円く絞ｐ込んで記録再生用
スポットとして用いることができる。また、第２のスポ
ットの例としては前述の様に楕円発光の半導体レーザビ
ームをシリンドリカルレンズ等を用いて一方向のみを拡
げて絞り込むような方法で長楕円形のスポット光に整形
したものの他に、特開昭５６−１４５５３５記載の複数
個のレーザビームを用いて、全体として第２のスポット
と同様の効果を得ることも可能であり、前記複数個のス
ポットの光パワー密度ｔｊｌＩに小さくして徐冷効果を
高める効果等もそのまま用いることが可能である。

本発明においては、各々の半導体レーザからの光を光学
系で絞って元ディスク上へ照射するわけであるが、これ
らの幾つかの光スポットをディスクの回転の接線方向と
平行に一列に配置することが必要である。その場合、多
数個の半導体レーザからの光に対しては異なる光学系で
光デイスク上に絞り込めば、たとえ半導体レーザ光源を
一列に配置してもディスク上の絞り像が一列に並ばない
ことが有り得る。従って全ての半導体レーザからの光ビ
ームを同一の光学系で絞９込むことが得策である。また
その際には、多数個の半導体レーザを一列に一体として
構成しておくと便利であり、更に一つのチップとして構
成できればより望ましいがこの場合、各半導体レーザの
各々は独立に駆動できることが必要である。

本発明の場合光ディスクに記録する。再生する。

消去するという行為を行なう基礎技術としてのトラッキ
ング制御、フォーカシング制御等は既に公知の技術であ
るが、大切なことは、例えば２スポツトの場合には第１
のスポットと第２のスポットは、その波長を変え光学フ
ィルター等の方法で完全に分離できることで、又３スポ
ツトの場合には、第３スポツトのみが同様の方法で分離
できることが系の制御を乱さないために大事なことであ
る。

以上述べたように一列に構成された多数個の半導体レー
ザを用いて、実時間でより高品質に信号を記録、消去で
きることが可能となった。以下、前述の内容を図面を用
いてより詳しく説明する。

第６図に光デイスク上に一列に照射された光スポツト列
を記録ビット列とともに示し、前述の内容を説明する。

第６図Ａは、２つの半導体レーザを用いた例を示す。Ｃ
１，Ｃ２はそれらのディスク上の光スポットである。Ｃ
１は波長が例えば８３０　ｎ　ｍで記録、再生、制御及
び消去にも用いられる半導体レーザの光スポットであり
、Ｃ２は波長が例えば７８０ｎｍで消去のみに用いられ
る半導体レーザを光学系で長くひきのばした光スポット
である。

波長の組み合わせとしては、Ｃ１が７８０ｎｍ　、　Ｃ
２が８３０ｎｍであっても良いし、例えばＣ１が８１０
ｎｍ、Ｃ２が８６０　ｎ　ｍであっても良い。記録密度
を糧めるという点からはＣ１ヲ短かく、Ｃ２ｆ：長くす
る方が有利であるが、現在は低ノイズ高出力の半導体レ
ーザとしては８３０　ｎ　ｍ程度が限界であり、Ｃ１を
８３ｏｎｍ、Ｃ２として例えば７８０ｎｍ、あるいは８
８０ｎｍ等を選ぶ方が現実的である。Ｃ１の出力を下げ
てトラックをトレースしながら目的を探し、出力を上げ
て記録を行なう。消去する場合にはＣ１の出力を下げて
トラックをトレースしながら目的地を探しＣ１の出力を
上げ同時に０２ヲ光らせて消去する。再記録する場合は
１ターン後に行なう。

Ｃ２のスポット長としては長い程効果的であるが機器設
計上、記録ゾーンの容量ロス現実的には現状の半導体レ
ーザ出力が高々２５　ｍ　ｗ程度であることを考慮して
例えば必要な光パワー密度が０．５ｍｙ／μゴ以上、光
学系の伝送効率を６０％とした時、せいぜい３０〜４０
μｍが限界であり、より現実的には２０μｍまでである
ことが望ましい。

逆に短かい方としては５μｍ程度から有効である。

また２つのスポットの間隔は材料の特性及びディスクの
周速又、第１のスポットの光パワー密度によって決定さ
れねばならない。例えばＴ　ｅ　ａ。Ｇｅ　５Ｓｎ１．
０２゜（ａｔｍ％）という材料組成の記録膜はメルトか
ら固化までの時間が比較的短かいため徐冷するためには
２つのスポットの間隔を短かくするとともに第２のスポ
ットの光パワー密度をやや高目に設定する必要が有る第
１のスポットの発光パワー密度ｆ１０ｍｗ／ｐｉ周速９
．４ｍ／ｓ〜１７ｍ／ａ（ディスク径２００　ｎ　ｍ　
、回転速度１８ｏＯｒＰｍ）で、第２スポツトの長さを
半値巾で２０μｍとした時、２スポツトの中心から中心
の間隔を３μｍから３０μｍの範囲に選択して有効に消
去機能を発揮した。また前述の系にＡｕを２〜１０％添
加した材料を用いた場合にはメルト状態が比較的低目に
設定することができる。前の系と同様の条件下では５μ
ｍから６０μｍの範囲に選択して有効な消去機能が得ら
れた。周速による差は２つのスポットの発光強度をそれ
ぞれ独立して変えて例えばディスク外周では内周よりも
高く設定して内外周とも同じスポット間隔にすることが
できる。

一般的には例えば周速が３ｍ／ｌｌから１７　ｍ　／　
ｓ乙１臥軛囲で第２のスポット長が１０〜４０μｍの範
囲に設定した場合、スポット間隔は中心から中心で３μ
ｍ〜１００μｍの範囲に選ぶことができる。

第６図Ｂは、第２スポツトとして３ケの半導体レーザを
用いた実施例である。Ｃ１はＡと同様の働きをする半導
体レーザ光のスポットであり、Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ２３
は消去のみに用いる半導体レーザのスポットである。こ
の場合には前述のように３個のレーザを一列に一体化す
る。あるいはＣ１を含めて４個のレーザを一列に一体化
して構成する等従来の方法を適用することができる（特
開昭５６−１５３５４０　）が多数個のレーザを一直線
上に絞り込めるようにマウントするのは容易では無いう
え現在のレーザダイオードのサイズが十分に小さくない
ためスポット間隔を十分小さくできないという問題が有
する。従って複数個のレーザを一つのチップ上に形成す
る、いわゆるレーザアレイを用いて形成するべきである
。このとき出力の大きく異なる半導体レーザを一チップ
上に形成することは難しく、Ｃ１とＣ２１〜Ｃ２３とは
別々にする。

第７図は１チツプ上に形成する０２１〜Ｃ２３のレ−ザ
アレイの発光パターンである。Ｃ２１′〜Ｃ２３／はそ
れぞれ第６図Ｂ中の０２１〜Ｃ２３に対応する。

０２１′〜０２３′の例えば発光中をそれぞれ１μｍ×
５μｍ１間隔を３μｍ、出力を１０　ｍ　ｗとし、光デ
イスク上で倍率が１／１　の像を結ぶように光学系倍率
を設定すると、伝送効率を６０％として光デイスク上で
はスポット長が約２０μｍ、光パワー密度が１　ｍ　ｗ
　／μゴ程度の長スポットと同等あるいはそれ以上の効
果を得ることができる。各レーザ間の間隔９発光巾は材
料特性に応じて変えることができる。

第６図Ｃは第６図Ａの実施例に第３のスポットとして記
録再生及び制御用の半導体レーザを追加した実施例の図
でこの系で同時消録が可能である。

この場合にはｄｌ、ｄ２は同一波長で例えば７８０ｎｍ
で消去のみに用い、ｄ３は８３０　ｎ　ｍで半導体レー
ザ光を円く絞υ込み記録、再生、制御に用いる。波長の
組み合わせについてはＡと同様の考え方が適用される。

まずｄ３の出力を下げてトラックヲトレースしながら目
的地を探し、次にｄｌ、ｄ２’ｉ連続的に照射してその
部分の信号を消去する。その後、直ちにｄ３の光出力を
高めて照射して次の信号を記録することができる。ｄ２
とｄ３の間隔はｄｌとｄ２の間隔と同様に、材料の特性
及びディスクの周速又ｄ１．ｄ２の光出力によって決定
されねばならない。

例えば前述のＴ　＠　ｅ　ｏＧ　ｅ　ｓ　Ｓ　ｎ　１ｓ
　Ｏ２０ノヨうな系では非常にアモルファス化しゃすく
メルト状態からそれ程の急冷をする必要は無い。従って
ｄ２とｄ３の距離を十分近づけてｄ２の予熱を利用して
記録パワーを低減できる。例えば第２のスポットの長さ
を半値で２０μｍ、光パワー密度を０　、８ｍｗ　／μ
ばて周速ｆ９．４ｍ／ｓ〜１７ｍ／ｓの間に設定する時
、ｄ２の中心とｄ３の中心の距離が７μｍ以上であれば
記録することが可能でありｄ２に使用しない場合に比べ
て記録パワーを約２０％低減することができる。材料に
よる記録条件差等の影響を避けたい場合には、ｄ２の強
度が例えば１／ｅ２になる位置から３０μｍ程度以上離
してやれば良いが離す間隔としてはディスクの記録容量
のロスを減らすために短い程良く、せいぜい１００μｍ
程度に限定すべきである。

この３スポツトの構成手段としては、１つには３つの半
導体レーザを光学系で光デイスク上に一直線上に配置し
て実現することができる。ただし、このためにはやや微
妙な調整を必要とする。もう１つの手段は、第１の光ス
ポットを形成する光源と、第３のスポットを形成する光
源とをあらかじめ一体化しておき、第２の光スポットと
組み合わせて、２つのレーザ素子からのビームを光デイ
スク上に絞り込み、３スポツトを一直線上に配置するも
ので比較的容易に構成が可能である。第８図Ａは、波長
の異なる２つの半導体レーザを一体化した様子を示す。

レーザｅ１（例えばλ、＝７８０ｎｍ）、Ｃ３（例えば
λ３＝ａｓｏｎｍ）は、トラック上では第８図Ｂに示す
ように比較的間隔の開いた２つの光スポットとして絞り
こまれる。そして、もう１つの半導体レーザｅ２（例え
ばλ２＝７８０ｎｍ）は光学系で長細くひきのばされて
、ｅ、と０３の間に位置するように置くことができる。

長細いスポットの代わりに第６図Ｂのレーザアレイを用
いてもよい。３つ目の手段は、第８図におけるｅｌと０
３とをこれも１つのレーザアレイとして形成するもので
、この場合は更に調整が容易になるが、１チツプ上にλ
１．λ３と異なった波長のレーザ発振をさせる必要が有
り現状のアレイ技術では十分対応しきれない。従って第
２の手段の方を用いるべきと考えられる。

以上、最低２個の半導体レーザを用すて、実時間に高品
質な記録、消去、更には３個の半導体レーザを用いて高
品質な同時消録を行なうための方法が提供された。

発明の効果 本発明によって次のような効果が得られた。

１　加熱急冷によって光学定数が減少し、加熱徐冷によ
って光学定数が増大する記録媒体を用いて記録、消去、
同時消録を実時間で行ない、しかも消去時に消し残りの
無い完全な消去状態が得られる方法が得られた。

２　上記効果を得るため、光学ヘッドを構成するために
必要な元スポットの設計条件、構成方法が明らかになっ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は記録用レーザの光スポットと消去用レーザの光
スポットとを同一トラック上に配置した図、第２図Ａ、
Ｂは上記レーザスポットがそれぞれ独立に通過した時の
照射部の温度変化の様子を示す図、第３図は、多数個の
レーザを同一トラック上に配置した図、第４図Ａは、記
録用レーザの強度分布図、Ｂは上記レーザ光が横切っ之
ときの照射部の温度変化の様子を示す図、第６図Ａは、
２つの消去光スボッ）ｆ同一トラック上に配置したとき
の光強度分布図、Ｂは上記２つの消去スポットが連続的
に通過したときの照射部の温度変化の様子を示す図、Ｃ
は上記消去光のうち、第２のスポットのみ照射した場合
の照射部の温度変化の様子を示す図、第６図Ａは、２ス
ポツト光で消去する場合の光スポットの配置図、Ｂは第
２のスポットをマルチ化した場合の配置図、Ｃは同時消
録を行なうための光スポットの配置図、でるミ１第７図
Ａはチップ上に形成されたレーザアレイの発光パターン
を示す図、Ｂは光デイスク上のスポット形状を示す図、
第８図Ａは、２つの半導体レーザを一体化した様子を示
す図、Ｂは同半導体レーザのディスク上のスポットを示
す図である。 １・・・・・・溝トラツク、２・・・・・・第１のスポ
ットの光強度分布、３・・・・・・第２のスポットの光
強度分布、４・・・・・・２スポット同時照射の場合の
光強度分布、５・・・・・・トラックの進行方向、６・
・・・・・ステム、７・・・・・・半導体レーザ、８・
・・・・・半導体レーザ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 時　間 時　間 第３図 ！ 第４図 ／Ａ１ 時間 第５図 （ＡＩ （Ｂ） 第５図 （Ｃ） 第６図 （Ｂ） （”、　（’２．　Ｃｚ２Ｃ２３ （Ｃ） １；ｂ　ｄ３ 第７図 （Ａ） Ｃ２１’　Ｃｘ２′（”ｚｓ’ ＩＢ） Ｃｘ７　（’２２　（’ｚ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基材上に形成した光感応性記録薄膜に光を照射し
   て情報を記録および消去する方法であって、上記光感応
   性記録媒体として光の照射状態によシ光学的性質を変化
   する物質を用い、記録時は光照射パワーを高めて照射部
   を溶融させた後急冷し、消去時は光照射パワーを高めて
   照射部を溶融させた後、直ちに光照射パワーを下げて照
   射して徐冷することを特徴とする光学情報記録消去方法
   。 （２）光感応性記録媒体として光の照射状態に基づいて
   その光学的性質を変化する物質層を備えた光デイスク上
   に記録、消去する方法であって、記録時は照射光ビーム
   の光パワー密度を高めて照射し、照射部を溶融させた後
   急冷し、消去時は前記記録時と同様の光照射を行ない照
   射部を溶融させた後、直ちにやや光パワー密度を下げた
   光照射を行なって溶融された状態から徐冷することを特
   徴とする光学情報記録消去方法。 （３）光源として竿導体レーザを用いることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の光学情報記録消去方法。 （４）記録時には光ビームを円いスポットに絞り込んで
   照射し、消去時には前記円い第１のスポットの直後に、
   その長手方向が円いスポットと同一円周上に来るように
   長円形の第２のスポットを配置し２つのスポット光を連
   続的に照射することを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の光学情報記録消去方法。 （Ｉ５）第２の長円形のスポットの代わりに複数個のレ
   ーザ光スポットを用い、消去時には、円いスポットの直
   後に連続的に照射することを特徴とする特許請求の範囲
   第４項に記載の光学情報記録消去方法・ （６ン　長円形スポット、又は複数個のスポットの後に
   更に円く絞９込んだ記録再生制御用の第３のレーザ光ス
   ポットを同一直線上に設けて同時に記録。 消去することを特徴とする特許請求のＳ囲第４項または
   第５項記載の光学情報記録消去方法。 （η　記録時は常に前の消去用レーザスポットも動作し
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の光
   学情報記録消去方法。 （８）第２の長円スポットの長さを５μｍ〜４０μｍの
   間に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
   光学情報記録消去方法。 （９）クレーム４，５において第１のスポットと第２の
   スポット又はスポット群との間隔を、その中心から中心
   の距離が３μｍ〜１００μｍの範囲に選ぶことを特徴と
   する特許請求の範囲第４項または第６項記載Ｊ’４情報
   記録消去方法。