JPH0229927A - 光記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光線が照射されると、その光学的性質
が可逆的に変化する感光性記録材料を用いた光ディスク
に、情報を記録する装置に関するものである。

〔従来の技術〕

情報の書き換えが可能な光ディスクとしては、磁気モー
メントの配向による偏光面の回転を利用した光磁気方式
、また結晶−アモルファスの相変化による光学定数の変
化を利用した相変化方式などが提案されている。

後者の相変化方式では、記録膜材料として例えばカルコ
ゲン化合物、あるいはテルルにゲルマニウム、アンチモ
ン等を添加した金属化合物が用いられ、これらを成膜し
て得た記録膜に、溶融温度Ｔｍ以上にする記録レベルの
レーザを照射し、照射部を反射率の低いアモルファス状
態とすることにより記録を行う。又、このアモルファス
部に溶融温度Ｔｍ以下で結晶化温度Ｔｃ以上の消去レベ
ルのレーザを照射し、反射率の高い結晶状態とすること
で記録された光学情報を消去することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながらこの様にして消去を行うとアモルファス記
録ビットの結晶化が完全に進まず、未記録部である結晶
状態部とわずかに光学定数が異なる為、記録信号の痕跡
が残り、消去率が悪くなるという不都合を生じる。

即ち、既記録ビットを消去するには、消去レベルの光ビ
ームを照射して、各記録ピットのアモルファス状態を結
晶質状態とする。これに対して、各記録ピント同志の間
は結晶質状態であるから、ここに消去レベルの光ビーム
が照射されると、既に結晶質状態にあるものに、消去レ
ベルの光ビームを照射して再び結晶質状態とすることに
なる。

この様に、両者は同じ結晶質状態であっても履歴が異な
り光学的性質は異なることになり、記録ピットの痕跡が
残る。

本発明はこの様な欠点を改良し、消去率の良好な光記録
装置を的することを目的としてなされたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明による光記録装置は、光照射により光学的性質が
変化する物質を記録材料とした光ディスクに、記録ビー
ムを照射して記録を行う光記録装置において、上記記録
ビームに続けて照射面を結晶化温度より低い結晶核形成
温度にするビームを照射することを特徴とするものであ
る。

〔作用〕 記録８ビームにより溶融、急冷されて、記録膜にはアモ
ルファス状態となってピットが形成され、さらに結晶核
形成ビームにより上記アモルファス状態のピットは結晶
化温度よりわずかに低い温度でアニールされて、上記ア
モルファスピット内に結晶核が点在する状態となる。こ
の様に記録ピットはアモルファス内に結晶核が存在する
状態で保存されるために、消去ビームにより結晶化温度
以上に上げて消去を行うとピット内の結晶核がすばやく
成長し高い消去率が得られる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
。

記録媒体としては、前述のように記録の前後で光学定数
の変化するもの、例えばカルコゲン化合物あるいはチル
、Ｎルマニウム、アンチモン、セレン等を用いた金属化
合物等を用いる。本実施例では便宜上、記録ピント部分
をアモルファス状態、消去部分を結晶状態とした場合に
ついて説明する。

第１図は本実施例により記録を行う場合の光ビームを示
すもので、光ディスクのトラック１上に消去光ａｌ＋記
録光ａ２．結晶核形成光ａ、を照射した場合の光デイス
ク上の照射スポットの配置および形状を示したもので、
これらは同一トラックｌ上にそれぞれの熱影響を受けな
いように配置される。

以・上のビーム配置による記録及び消去の動作を第２図
を参照しながら以下詳細に説明する。

第２図（Ａ）に示す曲線す、、ｂ、、ｂ、は、それぞれ
前記３つの光ビームａｌ　ｔ　　”２＋　　ａ３を同一
トラックｌ上に照射してディスクを回転した時の、照射
を受けたトラックｌ上の一点の光強度変化であり、第２
図（Ｂ）に示す曲線ＣＩ＋Ｃ２＋０３は、この時の記録
材料膜の温度変化の様子をそれぞれ示したものである。

第２図（Ｃ）はこの様な光ビームａｌ　＋　　ａ２＊　
　ａ３の照射部ｄ　Ｉ＋　ｄ　２゜ｄ３の状態を示す図
である。

ここで消去光ビームａ、は記録光ビームａ２に先立って
トラック１を絶えることなく照射するもので、この照射
により記録面は結晶化温度Ｔｃに達し、その後照射位置
が移動して冷却され第２図（Ｃ）の照射部ｄ、の如く記
録の前に結晶状態となって消去が行われる。

次に来る記録光ビームａ２は、ディジタル情報に応じて
オンオフ制御されるもので、この記録光ビームａ２は強
度が大で、照射された点は温度が急上昇し融点Ｔｍを越
え、溶融した後冷却されて第２図（Ｃ）の照射部ｄ２の
如くアモルファス化し、記録が行われる。

本実施例によればさらにその後に配置された結晶核形成
光ビームａ３が記録の行われたトラック１を絶え間なく
照射する。この結果記録ディスクは結晶化温度Ｔｃより
わずかに低い温度まで上げられるために、上述の如く記
録が行われてアモルファス化した照射部ｄｚ内に結晶核
肋（形成され第２図照射部ｄ、に示す照射部ｄ、の様に
なる。

通常結晶化は結晶核形成−結晶核成長の２次反応で進行
する。従って上述の実施例の如く記録ピットを第２図照
射部ｄ２の様なアモルファスではすく、第２図照射部ｄ
、に示した結晶核肋（形成された状態で保存しておくと
、次に記録を行う場合の消去光ビームａｌによる消去作
用、つまり結晶化は結晶核成長のみの１次反応で進行す
ることになる。従って上記光ビームａＩ　＋　　ａＺ　
＋　　”３を、記録ピットに照射すれば、先ず消去光ａ
１により、上述の如く結晶核の存在する記録ピントは、
結晶化温度Ｔｃ以上に加熱、冷却されることにより、短
時間で結晶核が成長して情軸未記録部（結晶状態）とほ
ぼ同じ状態になり高い消去率が得られる。

さらに前述したように記録光ビームａ２．結晶核形成光
ビームａ、が順に照射されることから古い情報を消しな
がら新しい情報を記録するオーバーライドが可能となる
。

なお、以上の実施例において、記録ビームａ２は、オン
時に溶融点温度Ｔｍとなる照射を行い、オフ時には照射
を行わない様にしたが、これに限らず、例えばオフ時に
消去ビームａ、と同じく結晶化温度ＴＣとなる照射を行
うことにより消去ビームａ、を省略することも出来る。

又、以上の実施例において、各光ビームｆｌ＋を光ディ
スクに照射するレーザビーム源及びその光学系自体につ
いては周知であるからその説明を省略した。

〔発明の効果〕

以上に示したように、本発明による光記録装置は結晶核
形成光により、記録部は結晶核が存在する状態になされ
ているので、消去光照射による結晶化が進み易いため、
高い消去率が得られ、しかも熱損失が少ない消去が達成
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による記録光ビーム列の配置
を示す概略図、第２図（Ａ）は記録光。 消去光及び結晶核形成光による記録トラック上の照射点
の光強度変化特性図、（Ｂ）は同じく記録膜の温度変化
特性図、（Ｃ）は各レーザ光照射後のビットの状態変化
を説明した図である。 １・・・記録トランク ａ、・・・消去光ビーム ａ２・・・記録光ビーム ａ、・・・結晶核形成光ビーム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光照射により光学的性質が変化する物質を記録材料とし
   た光ディスクに、記録ビームを照射して記録を行う光記
   録装置において、上記記録ビームに続けて照射面を結晶
   化温度より低い結晶核形成温度にするビームを照射する
   ことを特徴とする光記録装置。