JPH0338656B2 - - Google Patents
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- JPH0338656B2 JPH0338656B2 JP58237071A JP23707183A JPH0338656B2 JP H0338656 B2 JPH0338656 B2 JP H0338656B2 JP 58237071 A JP58237071 A JP 58237071A JP 23707183 A JP23707183 A JP 23707183A JP H0338656 B2 JPH0338656 B2 JP H0338656B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1398—Means for shaping the cross-section of the beam, e.g. into circular or elliptical cross-section
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光エネルギーを記録媒体に照射し、
熱的に反射率変化又は光磁気的効果により情報信
号を可逆的に記録消去することが可能な、記録ス
ポツトと消去スポツトとを有する光学的ピツクア
ツプに関するものである。
熱的に反射率変化又は光磁気的効果により情報信
号を可逆的に記録消去することが可能な、記録ス
ポツトと消去スポツトとを有する光学的ピツクア
ツプに関するものである。
従来例の構成とその問題点
情報追記型光デイスクは、各社で開発が進めら
れ、各種の提案がなされ、また既に業務用として
市場に出ているものもある。記録材料としては、
Te、Te合金、Te低酸化物、カルコゲナイト系材
料、色素系材料等が用いられている。これらの記
録材料は、いずれも追記録型で、同じトラツクに
一度しか記録出来ず、書き換えは出来ない。いわ
ゆるこれらのDRAWデイスクに用いられる光ピ
ツクアツプは、第１図に示すような光スポツトを
有している。同図において、１は情報記録用スポ
ツト、２は再生用スポツト、３は未記録のガイド
トラツク、４は記録されたビツトである。スポツ
ト１，２は、数十μｍから数百μｍの間隔で配置
され、記録後の信号を読み出すようになつてい
る。記録・再生スポツト１，２共に、収束レンズ
回折限界まで絞られた丸スポツトである。
れ、各種の提案がなされ、また既に業務用として
市場に出ているものもある。記録材料としては、
Te、Te合金、Te低酸化物、カルコゲナイト系材
料、色素系材料等が用いられている。これらの記
録材料は、いずれも追記録型で、同じトラツクに
一度しか記録出来ず、書き換えは出来ない。いわ
ゆるこれらのDRAWデイスクに用いられる光ピ
ツクアツプは、第１図に示すような光スポツトを
有している。同図において、１は情報記録用スポ
ツト、２は再生用スポツト、３は未記録のガイド
トラツク、４は記録されたビツトである。スポツ
ト１，２は、数十μｍから数百μｍの間隔で配置
され、記録後の信号を読み出すようになつてい
る。記録・再生スポツト１，２共に、収束レンズ
回折限界まで絞られた丸スポツトである。
記録のみのデイスクに対して、書き換え可能デ
イスクの開発も各種の材料に関して進められてい
る。書き換え可能デイスクは、大別して、アモル
フアス、結晶の相転移を利用するもの、光磁気方
式のもの等がある。カルコゲン化合物等を真空蒸
着またはスパツタリング等で、基板上に薄膜とし
て付着させると、急冷によりアモルフアス状態の
薄膜を得ることが出来る。これを、一度加熱後、
除冷することにより、結晶化した記録薄膜を得る
ことが出来る。この状態の薄膜に、記録スポツト
で、急峻なパルス状加熱を行なうことにより、加
熱部分のみが急冷され、アモルフアス化し、情報
信号が記録される。信号発生は、反射率変化また
は透過率変化となつて読み出すことが出来る。こ
れを消去するには、アモルフアス化された部分
を、転移温度以上に加熱して除冷する。その結
果、再び結晶化して、元の反射率・透過率に戻
り、記録信号が消去されたことになる。光磁気記
録の場合は、記録または消去光で加熱された部分
に、垂直磁場を加え、この磁場を反転させること
により記録消去の可逆的な繰り返しが出来る。
イスクの開発も各種の材料に関して進められてい
る。書き換え可能デイスクは、大別して、アモル
フアス、結晶の相転移を利用するもの、光磁気方
式のもの等がある。カルコゲン化合物等を真空蒸
着またはスパツタリング等で、基板上に薄膜とし
て付着させると、急冷によりアモルフアス状態の
薄膜を得ることが出来る。これを、一度加熱後、
除冷することにより、結晶化した記録薄膜を得る
ことが出来る。この状態の薄膜に、記録スポツト
で、急峻なパルス状加熱を行なうことにより、加
熱部分のみが急冷され、アモルフアス化し、情報
信号が記録される。信号発生は、反射率変化また
は透過率変化となつて読み出すことが出来る。こ
れを消去するには、アモルフアス化された部分
を、転移温度以上に加熱して除冷する。その結
果、再び結晶化して、元の反射率・透過率に戻
り、記録信号が消去されたことになる。光磁気記
録の場合は、記録または消去光で加熱された部分
に、垂直磁場を加え、この磁場を反転させること
により記録消去の可逆的な繰り返しが出来る。
しかしながら従来は相転移を利用したものにつ
いては消去スポツトにより消去する方式は用いら
れておらず、フラツシユランプ加熱又はオーブン
等による加熱により消去する方法が従来用いられ
ている。
いては消去スポツトにより消去する方式は用いら
れておらず、フラツシユランプ加熱又はオーブン
等による加熱により消去する方法が従来用いられ
ている。
発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、相転移を利用した書
き換え型光デイスクにおいて、良好かつ確実に消
去を行なえる光学的ピツクアツプを提供すること
を目的とする。
き換え型光デイスクにおいて、良好かつ確実に消
去を行なえる光学的ピツクアツプを提供すること
を目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の光学的ピツ
クアツプは、光照射により吸収されたエネルギー
により熱的に情報信号の可逆的な記録消去が可能
でかつ光学的に再生可能な記録媒体上に光束を収
束させるための収束レンズと、情報信号に応じて
強度変調された光により情報記録を行うための光
スポツトと必要に応じて記録された情報の一部ま
たは全部を消去するための少なくとも１つ以上の
光スポツトとを形成するための光源とを備え、前
記消去スポツトをトラツク方向に記録スポツトよ
り長くし、かつトラツク直交方向の前記消去スポ
ツト幅を記録スポツト幅より大きくすることによ
り記録媒体面上における前記消去スポツトの照射
面積を記録スポツトよりも大きくするとともに、
消去スポツトの強度分布を導入側に偏らせた構成
としたものである。
クアツプは、光照射により吸収されたエネルギー
により熱的に情報信号の可逆的な記録消去が可能
でかつ光学的に再生可能な記録媒体上に光束を収
束させるための収束レンズと、情報信号に応じて
強度変調された光により情報記録を行うための光
スポツトと必要に応じて記録された情報の一部ま
たは全部を消去するための少なくとも１つ以上の
光スポツトとを形成するための光源とを備え、前
記消去スポツトをトラツク方向に記録スポツトよ
り長くし、かつトラツク直交方向の前記消去スポ
ツト幅を記録スポツト幅より大きくすることによ
り記録媒体面上における前記消去スポツトの照射
面積を記録スポツトよりも大きくするとともに、
消去スポツトの強度分布を導入側に偏らせた構成
としたものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
まず、相転移を利用する記録材料としては、
Te合金、Te酸化物、他のカルコゲナイト金属ま
たは合金等がある。相転移で記録再生のサイクル
を繰り返す場合、転移温度は、記録膜の安定性お
よび記録特性等を考慮して、100℃〜200℃程度に
設定される。結晶状態から、アモルフアス状態の
相変化を起こすためには、一度溶融状態もしくは
それに近い状態まで加熱し、急冷する必要があ
る。このための記録スポツトとしては、レンズ回
折限界まで繰り込んだ、丸スポツトが用いられ
る。エアリーデイスク径で言うと、φA＝1.22λ／μA （λ：波長、μA：開口数）、半値全幅でφ1/2＝0.52
λ／μAとなり、λ＝0.83μｍ、μA＝0.53とすれば、 φA＝1.9μｍ、φ1/2＝0.82μｍとなる。このスポツト
を用いて、回転しているデイスク上に記録を行な
う場合、ほぼ断熱的に加熱され、溶融状態にな
り、レーザーパワーがオフになると、急速に冷却
され、アモルフアス化する。記録スポツトの大き
さは、照射レーザーパワー、線速度、記録周波数
等により変化する。消去の際は、転移温度以上ま
で加熱し、除冷状態にするために、トラツク方向
に記録スポツトより長く、かつパワー密度の低い
スポツトを用いる。第２図は従来の消去スポツト
と記録スポツトとの配置関係および強度分布の説
明図で、５は記録スポツト、６は消去スポツト、
５ａは記録スポツト５の強度分布、６ａは消去ス
ポツトの強度分布、矢印Ａはデイスク回転方向で
ある。消去スポツト長は、充分除冷効果を出すた
めに、記録スポツト５の５〜10倍程度に大きく設
定される。消去スポツト６の照射面積を、記録ス
ポツト５の１倍よりも大きく20倍程度以下に設定
される。パワー密度は、スポツト面積が大きい分
だけ下げ、総パワーとして、記録スポツトとほぼ
同程度に設定される。
Te合金、Te酸化物、他のカルコゲナイト金属ま
たは合金等がある。相転移で記録再生のサイクル
を繰り返す場合、転移温度は、記録膜の安定性お
よび記録特性等を考慮して、100℃〜200℃程度に
設定される。結晶状態から、アモルフアス状態の
相変化を起こすためには、一度溶融状態もしくは
それに近い状態まで加熱し、急冷する必要があ
る。このための記録スポツトとしては、レンズ回
折限界まで繰り込んだ、丸スポツトが用いられ
る。エアリーデイスク径で言うと、φA＝1.22λ／μA （λ：波長、μA：開口数）、半値全幅でφ1/2＝0.52
λ／μAとなり、λ＝0.83μｍ、μA＝0.53とすれば、 φA＝1.9μｍ、φ1/2＝0.82μｍとなる。このスポツト
を用いて、回転しているデイスク上に記録を行な
う場合、ほぼ断熱的に加熱され、溶融状態にな
り、レーザーパワーがオフになると、急速に冷却
され、アモルフアス化する。記録スポツトの大き
さは、照射レーザーパワー、線速度、記録周波数
等により変化する。消去の際は、転移温度以上ま
で加熱し、除冷状態にするために、トラツク方向
に記録スポツトより長く、かつパワー密度の低い
スポツトを用いる。第２図は従来の消去スポツト
と記録スポツトとの配置関係および強度分布の説
明図で、５は記録スポツト、６は消去スポツト、
５ａは記録スポツト５の強度分布、６ａは消去ス
ポツトの強度分布、矢印Ａはデイスク回転方向で
ある。消去スポツト長は、充分除冷効果を出すた
めに、記録スポツト５の５〜10倍程度に大きく設
定される。消去スポツト６の照射面積を、記録ス
ポツト５の１倍よりも大きく20倍程度以下に設定
される。パワー密度は、スポツト面積が大きい分
だけ下げ、総パワーとして、記録スポツトとほぼ
同程度に設定される。
しかしながら、結晶状態からアモルフアス状態
への転移を、より充分に行なうためには、第２図
の実施例に示した様なガウス分布に近い形のスポ
ツトでは不十分な効果しか得られず、第３図の実
施例に示すように、導入側に強度分布の偏つた消
去スポツト７を用いる。７ａは消去スポツト７の
強度分布を示す。このようにすれば、リードイン
側の強度ピークが大きいため、第２図の６ａのよ
うなガウス型スポツトを用いた場合に比べて、温
度上昇到達値が大きくなり、加熱に用する時間が
短くてすみ、また高温加熱により溶融状態を経る
ことにより結晶化度も高くなり、その結果、消去
時間の短縮および消去率も高くなる。ピーク値お
よび除冷時の強度およびスポツト長は、材料組
成、デイスク回転数により、最適値に設定する必
要がある。
への転移を、より充分に行なうためには、第２図
の実施例に示した様なガウス分布に近い形のスポ
ツトでは不十分な効果しか得られず、第３図の実
施例に示すように、導入側に強度分布の偏つた消
去スポツト７を用いる。７ａは消去スポツト７の
強度分布を示す。このようにすれば、リードイン
側の強度ピークが大きいため、第２図の６ａのよ
うなガウス型スポツトを用いた場合に比べて、温
度上昇到達値が大きくなり、加熱に用する時間が
短くてすみ、また高温加熱により溶融状態を経る
ことにより結晶化度も高くなり、その結果、消去
時間の短縮および消去率も高くなる。ピーク値お
よび除冷時の強度およびスポツト長は、材料組
成、デイスク回転数により、最適値に設定する必
要がある。
記録材料に記録されたビツトを消去する際、記
録スポツト５と消去スポツト６あるいは７のトラ
ツク方向での位置ずれおよび各スポツトのオント
ラツクの精度が大きな問題になる。第４図に示す
ように、消去スポツト７と記録スポツト５とがδ
のズレを生じていると、その結果として第５図に
示すように、ビツト８の消し残り８ａが生じ、不
具合が生じる。これを解決する方法として、消去
スポツト幅を、記録スポツト径より例えば５〜40
％大きめに設定しておく。隣接トラツクの影響を
考えると、消去スポツト幅は、記録スポツト径の
２〜３割増にするのが現実的である。消去スポツ
ト７と記録スポツト５との位置ズレは、初期調整
時のズレ、調整後の温度変化、経時変化等による
ズレに起因する。消去スポツト幅を大きめに設定
することにより、こうしたズレによる影響をカバ
ーすることが出来る。
録スポツト５と消去スポツト６あるいは７のトラ
ツク方向での位置ずれおよび各スポツトのオント
ラツクの精度が大きな問題になる。第４図に示す
ように、消去スポツト７と記録スポツト５とがδ
のズレを生じていると、その結果として第５図に
示すように、ビツト８の消し残り８ａが生じ、不
具合が生じる。これを解決する方法として、消去
スポツト幅を、記録スポツト径より例えば５〜40
％大きめに設定しておく。隣接トラツクの影響を
考えると、消去スポツト幅は、記録スポツト径の
２〜３割増にするのが現実的である。消去スポツ
ト７と記録スポツト５との位置ズレは、初期調整
時のズレ、調整後の温度変化、経時変化等による
ズレに起因する。消去スポツト幅を大きめに設定
することにより、こうしたズレによる影響をカバ
ーすることが出来る。
以上の様に、相転移記録消去の場合、消去光分
布を、一般的なガウス分布状から、導入部にピー
クを持つ分布にすることにより、消去率を高める
ことが出来る。また、消去スポツト幅または径
を、記録スポツト径より２〜３割大きくすること
により、相転移記録消去および光熱磁気記録にお
ける消去率を高めることが出来る。
布を、一般的なガウス分布状から、導入部にピー
クを持つ分布にすることにより、消去率を高める
ことが出来る。また、消去スポツト幅または径
を、記録スポツト径より２〜３割大きくすること
により、相転移記録消去および光熱磁気記録にお
ける消去率を高めることが出来る。
発明の効果
以上説明したように本発明によれば、消去スポ
ツトの照射面積を記録スポツトよりも大きくし、
かつエネルギー密度を記録スポツトのエネルギー
密度以下にしたので、良好にかつ確実に消去を行
ない得る。
ツトの照射面積を記録スポツトよりも大きくし、
かつエネルギー密度を記録スポツトのエネルギー
密度以下にしたので、良好にかつ確実に消去を行
ない得る。
第１図はDRAWデイスクと記録再生スポツト
との関係の説明図、第２図は従来例の構成図、第
３図は本発明の一実施例における構成図、第４図
は消去スポツトと記録スポツトの位置ズレ状態の
説明図、第５図は消し残りの状態の説明図であ
る。 ５……記録スポツト、６，７……消去スポツ
ト。
との関係の説明図、第２図は従来例の構成図、第
３図は本発明の一実施例における構成図、第４図
は消去スポツトと記録スポツトの位置ズレ状態の
説明図、第５図は消し残りの状態の説明図であ
る。 ５……記録スポツト、６，７……消去スポツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光照射により吸収されたエネルギーにより熱
的に情報信号の可逆的な記録消去が可能でかつ光
学的に再生可能な記録媒体上に光束を収束させる
ための収束レンズと、情報信号に応じて強度変調
された光により情報記録を行うための光スポツト
と必要に応じて記録された情報の一部または全部
を消去するための少なくとも１つ以上の光スポツ
トとを形成するための光源とを備え、前記消去ス
ポツトをトラツク方向に記録スポツトより長く
し、かつトラツク直交方向の前記消去スポツト幅
を記録スポツト幅より大きくすることにより記録
媒体面上における前記消去スポツトの照射面積を
記録スポツトより大きくするとともに、消去スポ
ツトの強度分布を導入側に偏らせた構成とした光
学的ピツクアツプ。 ２ 消去スポツトの記録媒体照射面積を、記録ス
ポツトの１倍よりも大きく20倍程度以下の大きさ
にした特許請求の範囲第１項記載の光学的ピツク
アツプ。 ３ 消去スポツトの記録媒体に対する相対的移動
方向と直交する方向の幅を、記録スポツトに対し
て、５％から40％大きくした特許請求の範囲第１
項記載の光学的ピツクアツプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237071A JPS60127547A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 光学的ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237071A JPS60127547A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 光学的ピツクアツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127547A JPS60127547A (ja) | 1985-07-08 |
| JPH0338656B2 true JPH0338656B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17009982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237071A Granted JPS60127547A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 光学的ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127547A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214256A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 光磁気デイスク装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152526A (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | Canon Inc | 情報消去方法 |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58237071A patent/JPS60127547A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152526A (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | Canon Inc | 情報消去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60127547A (ja) | 1985-07-08 |
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