JPH0532811B2 - - Google Patents
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- JPH0532811B2 JPH0532811B2 JP61261263A JP26126386A JPH0532811B2 JP H0532811 B2 JPH0532811 B2 JP H0532811B2 JP 61261263 A JP61261263 A JP 61261263A JP 26126386 A JP26126386 A JP 26126386A JP H0532811 B2 JPH0532811 B2 JP H0532811B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザー光線等を用いて高速かつ高
密度に光学的な情報を記録・再生あるいは消去す
る、光デイスクを中心とした光学情報記録部材へ
の、情報の光学的記録方法に関するものである。
密度に光学的な情報を記録・再生あるいは消去す
る、光デイスクを中心とした光学情報記録部材へ
の、情報の光学的記録方法に関するものである。
従来の技術
レーザー光線を利用して高密度な情報の記録再
生を行なう技術はすでに公知であり、現在、文書
フアイルシステム、静止画フアイルシステム等へ
の応用が盛んに行なわれている。また書き換え可
能型の記録システムについても研究開発の事例が
報告されつつある。この中のひとつの方式に、主
にTeやTe化合物、あるいはSe化合物の、アモル
フアス−結晶間の状態変化を利用したり、あるい
は異なる結晶構造では体積が異なることを利用し
たいわゆる相変化型光デイスクがある。これは例
えば、アモルフアス−結晶間の状態変化を利用し
た場合には比較的強くて短いパルス光を照射し、
照射部を昇温状態から急冷してアモルフアス状態
にすることにより屈折率ｎと消衰係数ｋの光学定
数を減少させ（白化する）、また、比較的弱くて
長いパルス光を照射して結晶状態にすることによ
り光学定数を増大させる（黒化する）ことで、信
号の記録・消去を行なうというもので、記録時に
は一般に光学定数を減少させる方向、消去時には
増大させる方向を利用しようというものである。
また結晶−結晶間の状態変化を利用した場合も記
録消去方法は同じで、昇温急冷の場合と昇温徐冷
の場合で結晶構造が変わり、体積が可逆的に変化
することを利用するものである。
生を行なう技術はすでに公知であり、現在、文書
フアイルシステム、静止画フアイルシステム等へ
の応用が盛んに行なわれている。また書き換え可
能型の記録システムについても研究開発の事例が
報告されつつある。この中のひとつの方式に、主
にTeやTe化合物、あるいはSe化合物の、アモル
フアス−結晶間の状態変化を利用したり、あるい
は異なる結晶構造では体積が異なることを利用し
たいわゆる相変化型光デイスクがある。これは例
えば、アモルフアス−結晶間の状態変化を利用し
た場合には比較的強くて短いパルス光を照射し、
照射部を昇温状態から急冷してアモルフアス状態
にすることにより屈折率ｎと消衰係数ｋの光学定
数を減少させ（白化する）、また、比較的弱くて
長いパルス光を照射して結晶状態にすることによ
り光学定数を増大させる（黒化する）ことで、信
号の記録・消去を行なうというもので、記録時に
は一般に光学定数を減少させる方向、消去時には
増大させる方向を利用しようというものである。
また結晶−結晶間の状態変化を利用した場合も記
録消去方法は同じで、昇温急冷の場合と昇温徐冷
の場合で結晶構造が変わり、体積が可逆的に変化
することを利用するものである。
この相変化型光デイスクの一つの特長に、以前
に記録された信号を消しながら次の信号を同時に
記録していくという、いわゆる同時消録が可能で
あるということがある。
に記録された信号を消しながら次の信号を同時に
記録していくという、いわゆる同時消録が可能で
あるということがある。
これを実現するために光学ヘツドに複数個の半
導体レーザーを設置して、光デイスクの信号記録
トラツク上に複数個のビームスポツトを形成し、
先行するビームで以前に書かれた信号を消去しな
がら後続のビームで新しい信号を記録するという
方法が考案されている（特開昭56−145535）。こ
の場合、先行する消去ビームは、記録膜を徐熱、
徐冷して結晶状態を得るため、ビーム形状をトラ
ツク方向に長い楕円形に整形してあり、円形ビー
ムよりレーザー光が同じ場所に長時間照射される
ようになつている。
導体レーザーを設置して、光デイスクの信号記録
トラツク上に複数個のビームスポツトを形成し、
先行するビームで以前に書かれた信号を消去しな
がら後続のビームで新しい信号を記録するという
方法が考案されている（特開昭56−145535）。こ
の場合、先行する消去ビームは、記録膜を徐熱、
徐冷して結晶状態を得るため、ビーム形状をトラ
ツク方向に長い楕円形に整形してあり、円形ビー
ムよりレーザー光が同じ場所に長時間照射される
ようになつている。
また、一つのレーザーだけにより同時消録を実
現する方法も考案されている（特開昭56−
145530）。これは結晶化速度が速くて記録ビーム
と同じ円形のスポツトでも結晶化が完了する記録
薄膜を使用して、第２図に示すようにレーザー光
線を記録パワーレベルPWと消去パワーレベルPE
（PW＞PE）の２つのパワーレベル間で変調するこ
とにより、以前に記録された信号の消去と、新し
い信号の記録を、一つのレーザースポツトが、ト
ラツク上を一度通過するだけで実現させようとい
うものである。
現する方法も考案されている（特開昭56−
145530）。これは結晶化速度が速くて記録ビーム
と同じ円形のスポツトでも結晶化が完了する記録
薄膜を使用して、第２図に示すようにレーザー光
線を記録パワーレベルPWと消去パワーレベルPE
（PW＞PE）の２つのパワーレベル間で変調するこ
とにより、以前に記録された信号の消去と、新し
い信号の記録を、一つのレーザースポツトが、ト
ラツク上を一度通過するだけで実現させようとい
うものである。
発明が解決しようとする問題点
相変化型光デイスクを用いて同時消録を実現す
るための前述の２つの方法にはそれぞれ問題点を
有している。
るための前述の２つの方法にはそれぞれ問題点を
有している。
まず、光学ヘツドに複数個のレーザーを設置す
る方法は、複数個のレーザースポツトを１本のト
ラツク上に同時に形成し、正確にトラツキングさ
せるには、高い水準の光学精度が要求され、特に
量産を考えた場合に大きな問題となる。さらに、
それぞれのレーザーを別々にコントロールする必
要があり、システムとしても複雑になる。また、
高価な半導体レーザーを複数個使用するというこ
とは、装置価格のコストアツプにつながる。
る方法は、複数個のレーザースポツトを１本のト
ラツク上に同時に形成し、正確にトラツキングさ
せるには、高い水準の光学精度が要求され、特に
量産を考えた場合に大きな問題となる。さらに、
それぞれのレーザーを別々にコントロールする必
要があり、システムとしても複雑になる。また、
高価な半導体レーザーを複数個使用するというこ
とは、装置価格のコストアツプにつながる。
一方、一つのレーザーを記録パワーレベルPW
と消去パワーレベルPEの２つのパワーレベル間
で変調して同時消録を行なうという方法は、複数
個のレーザーを使用する方法に比べ、光学的精度
と複雑なシステムは要求されないが、記録ビーム
の照射前後にも消去ビームが照射されているた
め、アモルフアス状態を得るための急冷が得にく
く、したがつて、記録ビツトが小さかつたり、記
録ビツト部の内部に微結晶が含まれて見かけ上の
光学定数がアモルフアスの状態よりも大きいため
に、結晶状態との反射率変化が小さくて、大きな
再生信号が得られないというような場合が生じ
た。また、結晶−結晶間の状態変化を利用する場
合でも、同様に急冷条件が得にくい場合には、大
きな再生信号が得られなかつた。
と消去パワーレベルPEの２つのパワーレベル間
で変調して同時消録を行なうという方法は、複数
個のレーザーを使用する方法に比べ、光学的精度
と複雑なシステムは要求されないが、記録ビーム
の照射前後にも消去ビームが照射されているた
め、アモルフアス状態を得るための急冷が得にく
く、したがつて、記録ビツトが小さかつたり、記
録ビツト部の内部に微結晶が含まれて見かけ上の
光学定数がアモルフアスの状態よりも大きいため
に、結晶状態との反射率変化が小さくて、大きな
再生信号が得られないというような場合が生じ
た。また、結晶−結晶間の状態変化を利用する場
合でも、同様に急冷条件が得にくい場合には、大
きな再生信号が得られなかつた。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡
単な構成の光学ヘツドにより、大きな再生信号が
得られる同時消録を実現させることを目的として
いる。
単な構成の光学ヘツドにより、大きな再生信号が
得られる同時消録を実現させることを目的として
いる。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、光学的
に識別が可能な２つの状態間で可逆的に変化する
記録薄膜を有する光学情報記録部材に、単一のレ
ーザー光を用いて古い信号を消しながら同時に新
しい信号を記録する方法であつて、前記古い信号
の消去は、前記記録薄膜が結晶化温度以上になる
結晶化パワーでレーザー光を前記記録薄膜に照射
して結晶化させることでおこない、前記新しい信
号の記録は、記録信号に応じて前記レーザー光の
パワーレベルを前記結晶化パワーから前記記録薄
膜が溶融する記録パワーに高めた後、前記パワー
レベルを前記結晶化パワーより低いパワーレベル
に瞬時低減させることにより前記記録薄膜をアモ
ルフアス化させることでおこなうものである。
に識別が可能な２つの状態間で可逆的に変化する
記録薄膜を有する光学情報記録部材に、単一のレ
ーザー光を用いて古い信号を消しながら同時に新
しい信号を記録する方法であつて、前記古い信号
の消去は、前記記録薄膜が結晶化温度以上になる
結晶化パワーでレーザー光を前記記録薄膜に照射
して結晶化させることでおこない、前記新しい信
号の記録は、記録信号に応じて前記レーザー光の
パワーレベルを前記結晶化パワーから前記記録薄
膜が溶融する記録パワーに高めた後、前記パワー
レベルを前記結晶化パワーより低いパワーレベル
に瞬時低減させることにより前記記録薄膜をアモ
ルフアス化させることでおこなうものである。
作 用
本発明の、３つのパワーレベルで変調された照
射光により同時消録を行なう方法を用いれば、記
録光の照射直後に照射パワーが瞬時的に小さくな
るため記録光の照射部は昇温後に急冷が得られや
すく、大きなアモルフアス領域が形成しやすくな
つたり、記録部分に微結晶が含まれにくくなつて
光学定数が小さくなつて大きな光学定数変化が得
られるようになる、すなわち大きな再生信号を得
ることができるようになる。
射光により同時消録を行なう方法を用いれば、記
録光の照射直後に照射パワーが瞬時的に小さくな
るため記録光の照射部は昇温後に急冷が得られや
すく、大きなアモルフアス領域が形成しやすくな
つたり、記録部分に微結晶が含まれにくくなつて
光学定数が小さくなつて大きな光学定数変化が得
られるようになる、すなわち大きな再生信号を得
ることができるようになる。
また本発明による信号の同時消録の方法は単一
のレーザーだけで実行されるため、光学ヘツドや
装置構成を複雑にすることはなく、装置価格も安
くおさえられる。
のレーザーだけで実行されるため、光学ヘツドや
装置構成を複雑にすることはなく、装置価格も安
くおさえられる。
実施例
以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明による情報の光学的記録方法を
示す一実施例である。
示す一実施例である。
光デイスク１は、基板２上に記録薄膜３を設置
してあることを基本構造としている。基板２とし
てはポリメチルメタアクリレート（PMMA）や
ポリカーボネート（PC）等の樹脂基板や、ガラ
ス基板等が使用でき、また、光照射による結晶−
アモルフアス間の状態変化を利用して信号を記録
する記録薄膜３には、主にTeやTe化合物、ある
いはSe化合物からなる薄膜、あるいはTeとTeO2
の混合物であるTeOx（ｏ＜ｘ＜２）を主材料とす
る薄膜が使用できるが、この記録薄膜は、信号を
記録する場合と同じ円形のビームスポツト形状で
消去（結晶化）する必要があり、高速な結晶化速
度が要求されるため、薄膜材料としてはTeを主
成分としてSn，Ge，In，Bi，Se，Ｓ，Sb，Au，
Pd，Pbの少なくとも１つを含む材料、あるいは
前記TeOxを主成分としてSn，Ge，In，Bi，Se，
Ｓ，Sb，Au，Pd，Pbの少なくとも１つを含む
材料が特に適している。
してあることを基本構造としている。基板２とし
てはポリメチルメタアクリレート（PMMA）や
ポリカーボネート（PC）等の樹脂基板や、ガラ
ス基板等が使用でき、また、光照射による結晶−
アモルフアス間の状態変化を利用して信号を記録
する記録薄膜３には、主にTeやTe化合物、ある
いはSe化合物からなる薄膜、あるいはTeとTeO2
の混合物であるTeOx（ｏ＜ｘ＜２）を主材料とす
る薄膜が使用できるが、この記録薄膜は、信号を
記録する場合と同じ円形のビームスポツト形状で
消去（結晶化）する必要があり、高速な結晶化速
度が要求されるため、薄膜材料としてはTeを主
成分としてSn，Ge，In，Bi，Se，Ｓ，Sb，Au，
Pd，Pbの少なくとも１つを含む材料、あるいは
前記TeOxを主成分としてSn，Ge，In，Bi，Se，
Ｓ，Sb，Au，Pd，Pbの少なくとも１つを含む
材料が特に適している。
また、記録薄膜３として、使用できる結晶−結
晶間の状態変化を起こす材料としては、InSbSe
化合物等が適している。
晶間の状態変化を起こす材料としては、InSbSe
化合物等が適している。
本実施例では、光源として半導体レーザー４を
用いた。半導体レーザー４を出た波長830nmの光
は、第１のレンズ５によつて擬似平行光６となり
第２のレンズ７で丸く整形された後、第３のレン
ズ８で再び平行光になり、ハーフミラー９を介し
て第４のレンズ１０で光デイスク１上に波長限界
的1μmの大きさのスポツト１１に集光され記録お
よび消去が行なわれる。
用いた。半導体レーザー４を出た波長830nmの光
は、第１のレンズ５によつて擬似平行光６となり
第２のレンズ７で丸く整形された後、第３のレン
ズ８で再び平行光になり、ハーフミラー９を介し
て第４のレンズ１０で光デイスク１上に波長限界
的1μmの大きさのスポツト１１に集光され記録お
よび消去が行なわれる。
再生信号の検出は、光デイスク１からの反射光
をハーフミラー９を介して受け、レンズ１２を通
して光感応ダイオード１３で行なつた。
をハーフミラー９を介して受け、レンズ１２を通
して光感応ダイオード１３で行なつた。
本発明による情報の光学的記録方法の、最大の
特徴は、光デイスク１に投入されるレーザー光の
強度変調された出力波形の形状にあり、これは半
導体レーザー４へ入力する電流波形１４によつて
制御されるものであり、次にその効果について詳
しく述べる。
特徴は、光デイスク１に投入されるレーザー光の
強度変調された出力波形の形状にあり、これは半
導体レーザー４へ入力する電流波形１４によつて
制御されるものであり、次にその効果について詳
しく述べる。
電流波形１４によつて強度変調された半導体レ
ーザーの出力波形を第３図ａに示し、このときの
記録薄膜の到達温度の変化の様子を第３図ｂに、
また実際にトラツク上に記録された信号の記録ビ
ツトの様子を第３図ｃに示す。第３図ａに示すよ
うに、レーザー光のパワーレベルは信号記録パワ
ーレベルPWおよびPWより低い消去パワーレベル
PEと、さらに前記信号記録パワーレベルPWの直
後に続く、PEよりさらに低いパワーレベル（以
後これを冷却パワーレベルPCとする）３段階に
変調される。このとき、信号記録パワーレベル
PWは、薄膜温度が溶融温度Tn以上になるように
選び、消去パワーレベルPEは薄膜温度が結晶化
（黒化）転移温度Tx以上になるように選ぶ。PEの
上限としては、一般的には薄膜温度がTn以下と
なるように設定するが、照射部分が最終的に結晶
化できればTnを越えてもよい。すなわち、PWで
照射して薄膜温度をTnより充分高い温度まで上
げて完全に溶融させてから急冷すれば、アモルフ
アス状態になるが、PEで照射して薄膜温度をTn
より少し高い温度まで上げて溶融させてから冷却
してもアモルフアス状態にはならず結晶状態にな
る場合がある。これは、同一形状のビームスポツ
トにより記録薄膜を溶融しても、その溶融状態
（完全に溶融しているか、あるいは溶融が不完全
で溶液中に冷却時に結晶核となり得るような物が
含まれているか否か）とその後の冷却条件によ
り、最終的にアモルフアスとなるか結晶となるか
が変わるということを示している。
ーザーの出力波形を第３図ａに示し、このときの
記録薄膜の到達温度の変化の様子を第３図ｂに、
また実際にトラツク上に記録された信号の記録ビ
ツトの様子を第３図ｃに示す。第３図ａに示すよ
うに、レーザー光のパワーレベルは信号記録パワ
ーレベルPWおよびPWより低い消去パワーレベル
PEと、さらに前記信号記録パワーレベルPWの直
後に続く、PEよりさらに低いパワーレベル（以
後これを冷却パワーレベルPCとする）３段階に
変調される。このとき、信号記録パワーレベル
PWは、薄膜温度が溶融温度Tn以上になるように
選び、消去パワーレベルPEは薄膜温度が結晶化
（黒化）転移温度Tx以上になるように選ぶ。PEの
上限としては、一般的には薄膜温度がTn以下と
なるように設定するが、照射部分が最終的に結晶
化できればTnを越えてもよい。すなわち、PWで
照射して薄膜温度をTnより充分高い温度まで上
げて完全に溶融させてから急冷すれば、アモルフ
アス状態になるが、PEで照射して薄膜温度をTn
より少し高い温度まで上げて溶融させてから冷却
してもアモルフアス状態にはならず結晶状態にな
る場合がある。これは、同一形状のビームスポツ
トにより記録薄膜を溶融しても、その溶融状態
（完全に溶融しているか、あるいは溶融が不完全
で溶液中に冷却時に結晶核となり得るような物が
含まれているか否か）とその後の冷却条件によ
り、最終的にアモルフアスとなるか結晶となるか
が変わるということを示している。
また冷却パワーレベルPCは、PWで照射した信
号記録部分を急冷するためのものであり、その値
はPEより小さくする。記録薄膜上のPCで照射さ
れる部分は、その照射時間が短かければPWおよ
びPEで重複して照射されるし、さらに、PW，Ｐ
Ｅ照射部分からの伝導熱によつても昇温したとえ
PC＝０であつても結晶化転移温度Tx以上にする
ことは可能である。
号記録部分を急冷するためのものであり、その値
はPEより小さくする。記録薄膜上のPCで照射さ
れる部分は、その照射時間が短かければPWおよ
びPEで重複して照射されるし、さらに、PW，Ｐ
Ｅ照射部分からの伝導熱によつても昇温したとえ
PC＝０であつても結晶化転移温度Tx以上にする
ことは可能である。
実際にトラツク上に記録された信号の記録ビツ
トの形状は、第３図ｃに示すように、正確な長円
形をしているのではなく、後部が大きく膨らんだ
卵形をしている。これはPWで照射した直後にパ
ワーレベルがPCまで下がるため、PWで照射した
部分の後半部分において充分な急冷条件が得られ
たと考えられる。この記録ビツトの歪は再生波形
の歪につながるが、記録信号の変調方式が、記録
ビツトの位置関係によつて信号を記録再生する、
パルス位置変調方式（PPM）は問題にならない。
トの形状は、第３図ｃに示すように、正確な長円
形をしているのではなく、後部が大きく膨らんだ
卵形をしている。これはPWで照射した直後にパ
ワーレベルがPCまで下がるため、PWで照射した
部分の後半部分において充分な急冷条件が得られ
たと考えられる。この記録ビツトの歪は再生波形
の歪につながるが、記録信号の変調方式が、記録
ビツトの位置関係によつて信号を記録再生する、
パルス位置変調方式（PPM）は問題にならない。
なお、本発明による情報の光学的記録方法で
は、トラツク上に以前から記録されていた信号は
新しい信号を記録するときに消去されてしまうこ
とは明白である。すなわち、信号記録パワーレベ
ルPWで照射したところは、前の状態が結晶であ
つたのかアモルフアスであつたのかには関係なく
アモルフアスになり、それ以外のところは、前の
状態に関係なく結晶となるからである。
は、トラツク上に以前から記録されていた信号は
新しい信号を記録するときに消去されてしまうこ
とは明白である。すなわち、信号記録パワーレベ
ルPWで照射したところは、前の状態が結晶であ
つたのかアモルフアスであつたのかには関係なく
アモルフアスになり、それ以外のところは、前の
状態に関係なく結晶となるからである。
次に本発明の情報の光学的記録方法により記録
された信号の再生波形について、従来の方法（第
２図）による場合と比較しながら説明する。
された信号の再生波形について、従来の方法（第
２図）による場合と比較しながら説明する。
比較検討に使用した光デイスクは、PC基板上
TeSeAu系記録薄膜を蒸着により1000Åの厚さで
形成したものである。またトラツク上でのレーザ
ースポツトの移動速度（線速度）Ｖは４m/secと
した。
TeSeAu系記録薄膜を蒸着により1000Åの厚さで
形成したものである。またトラツク上でのレーザ
ースポツトの移動速度（線速度）Ｖは４m/secと
した。
第４図ａは従来の方法を用いた場合の照射光の
形状を示すものであり、記録パワーレベルPW＝
6mW（光デイスクの盤面上）、消去パワーレベル
PE＝3mWとし、照射時間はともに0.5μsecであ
る。第４図ｂはこの条件で記録した場合の再生波
形である。
形状を示すものであり、記録パワーレベルPW＝
6mW（光デイスクの盤面上）、消去パワーレベル
PE＝3mWとし、照射時間はともに0.5μsecであ
る。第４図ｂはこの条件で記録した場合の再生波
形である。
第５図ａは本発明の方法を用いた場合の照射光
の形状を示すものであり、記録パワーレベルPW
＝6mW、消去パワーレベルPE＝3mW、冷却パワ
ーレベルPC＝1mWとし、照射時間はそれぞれ
PW：0.5μsec、PE：0.4μsec、PC：0.1μsecである。
第５図ｂはこの条件で記録した場合の再生波形で
ある。
の形状を示すものであり、記録パワーレベルPW
＝6mW、消去パワーレベルPE＝3mW、冷却パワ
ーレベルPC＝1mWとし、照射時間はそれぞれ
PW：0.5μsec、PE：0.4μsec、PC：0.1μsecである。
第５図ｂはこの条件で記録した場合の再生波形で
ある。
第４図ｂと第５図ｂの再生波形を比較すると、
本発明による方法で記録した場合は信号振幅が大
きく、大きな出力信号が得られることがわかる。
これは本発明による方法で記録した場合の方が、
PW照射後の冷却速度が速いため、大きな記録ビ
ツトが形成されているためと考えられる。
本発明による方法で記録した場合は信号振幅が大
きく、大きな出力信号が得られることがわかる。
これは本発明による方法で記録した場合の方が、
PW照射後の冷却速度が速いため、大きな記録ビ
ツトが形成されているためと考えられる。
なお、第５図ｂに示す本発明による再生波形に
は、波形の歪が見られるが、これは前述のごとく
変調方式がPPMであれば問題はない。
は、波形の歪が見られるが、これは前述のごとく
変調方式がPPMであれば問題はない。
発明の効果
本発明による情報の光学的記録方法は、一つの
半導体レーザーで実現できるため光学ヘツドを始
めとする装置構成を複雑にすることなしに、大き
な再生信号振幅が得られる同時消録を可能にする
ものである。
半導体レーザーで実現できるため光学ヘツドを始
めとする装置構成を複雑にすることなしに、大き
な再生信号振幅が得られる同時消録を可能にする
ものである。
第１図ａ，ｂは本発明による情報の光学的記録
方法を説明するため図、第２図ａ，ｂは従来例の
情報の光学的記録方法を説明する概略図、第３図
ａは本発明に使用する半導体レーザーの出力波形
図、同図ｂはそのときの記録薄膜の到達温度分布
図、同図ｃは信号記録トラツク上に記録されたビ
ツトを示す図、第４図ａは従来例による場合の照
射光パワーを示す図、同図ｂは再生波形図、第５
図ａは本発明による場合の照射光パワーを示す
図、同図ｂは信号再生波形図である。 １……光デイスク、２……基板、３……記録薄
膜、４……半導体レーザー。
方法を説明するため図、第２図ａ，ｂは従来例の
情報の光学的記録方法を説明する概略図、第３図
ａは本発明に使用する半導体レーザーの出力波形
図、同図ｂはそのときの記録薄膜の到達温度分布
図、同図ｃは信号記録トラツク上に記録されたビ
ツトを示す図、第４図ａは従来例による場合の照
射光パワーを示す図、同図ｂは再生波形図、第５
図ａは本発明による場合の照射光パワーを示す
図、同図ｂは信号再生波形図である。 １……光デイスク、２……基板、３……記録薄
膜、４……半導体レーザー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学的に識別が可能な２つの状態間で可逆的
に変化する記録薄膜を有する光学情報記録部材
に、単一のレーザー光を用いて古い信号を消しな
がら同時に新しい信号を記録する方法であつて、
前記古い信号の消去は、前記記録薄膜が結晶化温
度以上になる結晶化パワーでレーザー光を前記記
録薄膜に照射して結晶化させることでおこない、
前記新しい信号の記録は、記録信号に応じて前記
レーザー光のパワーレベルを前記結晶化パワーか
ら前記記録薄膜が溶融する記録パワーに高めた
後、前記パワーレベルを前記結晶化パワーより低
いパワーレベルに瞬時低減させることにより前記
記録薄膜をアモルフアス化させることでおこなう
ことを特徴とする情報の光学的記録方法。 ２ 記録薄膜が、アモルフアス−結晶間で可逆的
状態変化を起こす材料を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の情報の光学的記録方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261263A JPS63113938A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 情報の光学的記録方法 |
| US07/113,105 US4939717A (en) | 1986-10-31 | 1987-10-27 | Method and apparatus for erasing and recording information using three power levels |
| DE8787116003T DE3768908D1 (de) | 1986-10-31 | 1987-10-30 | Verfahren zur optischen informationsaufzeichnung. |
| KR1019870012145A KR910000332B1 (ko) | 1986-10-31 | 1987-10-30 | 광학정보의 기록방법 |
| CA000550724A CA1285332C (en) | 1986-10-31 | 1987-10-30 | Method for optical information recording |
| EP87116003A EP0265971B1 (en) | 1986-10-31 | 1987-10-30 | Method for optical information recording |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261263A JPS63113938A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 情報の光学的記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113938A JPS63113938A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH0532811B2 true JPH0532811B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17359393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61261263A Granted JPS63113938A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 情報の光学的記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63113938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1983003145A1 (en) * | 1982-03-01 | 1983-09-15 | Hayami, Hiroyuki | Process for manufacturing optical multiple fiber |
| WO1983003144A1 (en) * | 1982-03-01 | 1983-09-15 | Hayami, Hiroyuki | Optical multiple fiber |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2796290B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1998-09-10 | 株式会社日立製作所 | 可逆相変化を用いた情報記録方法 |
| JP2788637B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1998-08-20 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法及び記録装置 |
| JP2717675B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1998-02-18 | 日本電信電話株式会社 | 光ディスク記録方法 |
| JPH02199628A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体の重ね書き方法 |
| DE69529442T2 (de) * | 1994-09-22 | 2003-11-20 | Ricoh Kk | Informationsaufzeichnungsverfahren und -vorrichtung |
| DE19612823C2 (de) * | 1995-03-31 | 2001-03-01 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| EP1020850B1 (en) * | 1995-10-09 | 2002-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Recording method and recording unit for optical information |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618739A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 消去可能な光学的記録再生装置 |
| JPS62259229A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 情報の記録・再生および書き換え方法とその装置 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61261263A patent/JPS63113938A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618739A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 消去可能な光学的記録再生装置 |
| JPS62259229A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 情報の記録・再生および書き換え方法とその装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1983003145A1 (en) * | 1982-03-01 | 1983-09-15 | Hayami, Hiroyuki | Process for manufacturing optical multiple fiber |
| WO1983003144A1 (en) * | 1982-03-01 | 1983-09-15 | Hayami, Hiroyuki | Optical multiple fiber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113938A (ja) | 1988-05-18 |
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