JPH01173432A - 情報記録方法 - Google Patents
情報記録方法Info
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- JPH01173432A JPH01173432A JP62332866A JP33286687A JPH01173432A JP H01173432 A JPH01173432 A JP H01173432A JP 62332866 A JP62332866 A JP 62332866A JP 33286687 A JP33286687 A JP 33286687A JP H01173432 A JPH01173432 A JP H01173432A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【技術分野〕
本発明は、レーザー光を用いる情報記録方法に関するも
のである。
のである。
従来、光ディスクの記録層として有機色素及び金属系の
ものが知られているがそれぞれ単独の記録層でビーム系
を変えることなく記録速度を平面内で増大させることは
困難である。また最近になって記録層を媒体の厚さ方向
に重ねて記録容量を増大させる方式が提案されているが
、この場合47W上の積層を必要とするためビームスポ
ットの焦点深度の差で各吸収層の間隔を充分にとらない
とクロストークを生じる。また、焦点深度が深いことか
らビームスポットの位置制御が困難である。
ものが知られているがそれぞれ単独の記録層でビーム系
を変えることなく記録速度を平面内で増大させることは
困難である。また最近になって記録層を媒体の厚さ方向
に重ねて記録容量を増大させる方式が提案されているが
、この場合47W上の積層を必要とするためビームスポ
ットの焦点深度の差で各吸収層の間隔を充分にとらない
とクロストークを生じる。また、焦点深度が深いことか
らビームスポットの位置制御が困難である。
さらに、特性の類似した記録層を積層させる場合レーザ
ーパワーの制御が困難である上に、解像度が劣るという
問題がある。
ーパワーの制御が困難である上に、解像度が劣るという
問題がある。
本発明は、従来技術に見られる前記の如き欠点のない新
しい高密度情報記録方法を提供することを目的とする。
しい高密度情報記録方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、第1の発明として、基板上に高反射性
の反射層と、その反射層よりも低い反射率を有する第2
記録層と、該第2記録層よりも低い反射率を有する第1
記録層を上層から基板面に向けてその順に積層させた構
造を有する記録媒体に対し、該基板側からレーザー光を
照射することからなり、該レーザー光吸収量を調節して
該第1記録層のみにピットを形成する第1信号レベルに
よる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該第1記録
Jaと第2記録層の両者にピットを形成する第2信号レ
ベルによる記録を行うことを特徴とする情報記録方法が
提供される。また、第2の発明として、基板上に高反射
性の反射層と、その反射層よりも低い反射率を有する第
2記録層と、該第2記録Jaよりも低い反射率を有する
第1記録層を基板面から上層に向けてその順にf(層さ
せた構造を有する記録媒体に対し、該記録層側からレー
ザー光を照射することからなり、レーザー光吸収量を調
節して該第1記録層のみにピットを形成する第1信号レ
ベルによる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該第
1記録層と該第2記録J(Wの両者にピットを形成する
第2信号レベルによる記録を行うことを特徴とする情報
記録方法が提供される。
の反射層と、その反射層よりも低い反射率を有する第2
記録層と、該第2記録層よりも低い反射率を有する第1
記録層を上層から基板面に向けてその順に積層させた構
造を有する記録媒体に対し、該基板側からレーザー光を
照射することからなり、該レーザー光吸収量を調節して
該第1記録層のみにピットを形成する第1信号レベルに
よる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該第1記録
Jaと第2記録層の両者にピットを形成する第2信号レ
ベルによる記録を行うことを特徴とする情報記録方法が
提供される。また、第2の発明として、基板上に高反射
性の反射層と、その反射層よりも低い反射率を有する第
2記録層と、該第2記録Jaよりも低い反射率を有する
第1記録層を基板面から上層に向けてその順にf(層さ
せた構造を有する記録媒体に対し、該記録層側からレー
ザー光を照射することからなり、レーザー光吸収量を調
節して該第1記録層のみにピットを形成する第1信号レ
ベルによる記録と、該レーザー光吸収量を調節して該第
1記録層と該第2記録J(Wの両者にピットを形成する
第2信号レベルによる記録を行うことを特徴とする情報
記録方法が提供される。
本発明の光情報記録媒体は、基本的には第1図及び第2
図に示したように、基板上に第1記Q層、第2記録層及
び反射層を設けることにより構成されるが、必要に応じ
て基板と記録層又は反射層との間に下引き層をあるいは
記録層又は反射層の上に保護Mを設けることができる。
図に示したように、基板上に第1記Q層、第2記録層及
び反射層を設けることにより構成されるが、必要に応じ
て基板と記録層又は反射層との間に下引き層をあるいは
記録層又は反射層の上に保護Mを設けることができる。
また、このようにして構成された一対の記録媒体を記録
層を内側にして他の基板と空間を介して密封したエアー
サンドイッチ構造にしてもよくあるいは保護層を介して
接着した密着サンドインチ(貼合せ構造)にしてもよい
。
層を内側にして他の基板と空間を介して密封したエアー
サンドイッチ構造にしてもよくあるいは保護層を介して
接着した密着サンドインチ(貼合せ構造)にしてもよい
。
次に、本発明の光情報記録媒体を構成する材料および各
層の必要特性について具体的に説明する。
層の必要特性について具体的に説明する。
(1)基板
基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録側から行う場合は透明である必要はない、基板材料と
して例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、
ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあ
るいは金属などを用いることができる。
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録側から行う場合は透明である必要はない、基板材料と
して例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、
ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあ
るいは金属などを用いることができる。
なお、基板の表面にはアドレス信号なとのプレフォーマ
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
(2)反射層
反射層は、第1記a層及び第2記録層との関連で選択さ
れ、両層よりも高い反射率を示すものである。その材料
としては、金属系及び有機系のものが使用可能であるが
、一般には、金属系材料が用いられる。この反射層とし
ては、例えば、高反射性のアルミニウム等の金属蒸着膜
が用いられる。
れ、両層よりも高い反射率を示すものである。その材料
としては、金属系及び有機系のものが使用可能であるが
、一般には、金属系材料が用いられる。この反射層とし
ては、例えば、高反射性のアルミニウム等の金属蒸着膜
が用いられる。
反射JUI)膜厚は、500−5000人、好ましくは
1000−3000人である。
1000−3000人である。
(3)第2記録層
第2記録層は、反射層と第1記録層との間に位置し、そ
の反射率が反射層よりも低く、かつ第1記録層よりも高
いものである。その材料としては、金属系及び有機系の
ものが使用可能であるが、−般には、金属、半金層、金
属化合物等の金属系材料が用いられる1例えば、反射層
材料がアルミニウムの場合、それより反射率の低いテル
ル系金属、Se、 Bi、 Sb、 Sn、 Pb、
Ag、 Cu及びそれらの化合物及び合金等が1vli
lI又は2種以上の組合せで用いられる。また、これら
金pL系材料を有機系色素に分散させたものを用いるこ
とができる。さらに、それらの材料を2層以上に積層す
ることもできる。第2記録層の膜厚は100人〜10
/J111である。
の反射率が反射層よりも低く、かつ第1記録層よりも高
いものである。その材料としては、金属系及び有機系の
ものが使用可能であるが、−般には、金属、半金層、金
属化合物等の金属系材料が用いられる1例えば、反射層
材料がアルミニウムの場合、それより反射率の低いテル
ル系金属、Se、 Bi、 Sb、 Sn、 Pb、
Ag、 Cu及びそれらの化合物及び合金等が1vli
lI又は2種以上の組合せで用いられる。また、これら
金pL系材料を有機系色素に分散させたものを用いるこ
とができる。さらに、それらの材料を2層以上に積層す
ることもできる。第2記録層の膜厚は100人〜10
/J111である。
(4)第1記り層
第1記録層は、第2記#層よりも低い反射率を示すもの
である。その材料としては、金属系及び有機系のものが
使用可能であるが、一般には、有機系のものが用いられ
る0例えば、ポリメチン系、フタロシアニン系、テトラ
ヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエッチアジン
系、フェナンスレン系、アントラキノン(インダンスレ
ン)系、キサンチン系、トリフェニルメタン系、トリフ
エッチアジン系、アズレン系等の各種染料が1種又は2
種以上の混合物の形で用いられる。これらの有機染料(
色素)からなる記録層には、その他、高分子材料、保存
安定剤(金属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、難
燃剤、滑剤、可塑剤等を含有させることができる。この
第1記録層の膜厚はlOOλ〜5000人、好ましくは
200〜2000人である。
である。その材料としては、金属系及び有機系のものが
使用可能であるが、一般には、有機系のものが用いられ
る0例えば、ポリメチン系、フタロシアニン系、テトラ
ヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエッチアジン
系、フェナンスレン系、アントラキノン(インダンスレ
ン)系、キサンチン系、トリフェニルメタン系、トリフ
エッチアジン系、アズレン系等の各種染料が1種又は2
種以上の混合物の形で用いられる。これらの有機染料(
色素)からなる記録層には、その他、高分子材料、保存
安定剤(金属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、難
燃剤、滑剤、可塑剤等を含有させることができる。この
第1記録層の膜厚はlOOλ〜5000人、好ましくは
200〜2000人である。
(5)下引き層
下引き層は(a)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(,11)溶剤からの基板の保護、(
f)プレグルーブの形成などを目的として使用される。
のバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(,11)溶剤からの基板の保護、(
f)プレグルーブの形成などを目的として使用される。
(a)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー
樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂。
樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂。
天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種
々の高分子物質及びシランカップリング剤などを用いる
ことができ、(b)及び(C)の目的に対しては上記高
分子材料以外に無機化合物例えば、Sin、、MgF、
、5iO1Tie、、ZnO1TiN、SiNなど、金
属または半金属例えばZn、 Cu、S、 Ni、 C
r、 Ge。
々の高分子物質及びシランカップリング剤などを用いる
ことができ、(b)及び(C)の目的に対しては上記高
分子材料以外に無機化合物例えば、Sin、、MgF、
、5iO1Tie、、ZnO1TiN、SiNなど、金
属または半金属例えばZn、 Cu、S、 Ni、 C
r、 Ge。
Se、 Au、 AIC,AQなどを用いることができ
る。また、(d)の目的に対しては金属、例えば、11
.Ag等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチ
ン系染料、キサンチン系染料等を用いることができ、(
e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
る。また、(d)の目的に対しては金属、例えば、11
.Ag等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチ
ン系染料、キサンチン系染料等を用いることができ、(
e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
(6)保護層
保護層は、(a)記録層をその傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、(b) 記録層の保存安定性の向上、(c)
反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的
に対しては、前記下引層に示した材料を用いることがで
きる。
保護する、(b) 記録層の保存安定性の向上、(c)
反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的
に対しては、前記下引層に示した材料を用いることがで
きる。
本発明において、前記下引き層及び保ffuJ&には、
記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤。
記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤。
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させる
ことができる。
ことができる。
次に、本発明を図面に参照して説明する。
第1図及び第2図は、本発明による記録媒体に対する情
報記録原理説明図であり、第1図は基板側から記録する
場合及び第2図は記録層側から記録する場合についての
説明図である。
報記録原理説明図であり、第1図は基板側から記録する
場合及び第2図は記録層側から記録する場合についての
説明図である。
本発明で用いる記録媒体においては、第1図の場合、基
板1の上面には、高反射性の反射R1J4、その反射層
よりも低い反射率を有する第2記#!層3、第2記録層
3よりも低い反射率を有する第1記録層2を上層から基
板面に向けてその順に積層した構造を有する。第2図に
示した記録媒体においては、高反射性の反射N4、その
反射層よりも低い反射率を有する第2記り層3.第2記
録層3よりも低い反射率を有する第1記録層2を基板面
から上層に向けてその順に積層し、記録層上に保護層5
を積Bりした構造を有する。
板1の上面には、高反射性の反射R1J4、その反射層
よりも低い反射率を有する第2記#!層3、第2記録層
3よりも低い反射率を有する第1記録層2を上層から基
板面に向けてその順に積層した構造を有する。第2図に
示した記録媒体においては、高反射性の反射N4、その
反射層よりも低い反射率を有する第2記り層3.第2記
録層3よりも低い反射率を有する第1記録層2を基板面
から上層に向けてその順に積層し、記録層上に保護層5
を積Bりした構造を有する。
このような構造の記録媒体においては、未記録部からは
、第1記録WJ2による反射光が得られ1.第1記録)
tIJ2のみにピットを形成した第1記録部からは、第
2記録JeJ3による第1記録層の反射光(未記録の場
合の反射光)よりも高い反射率の反射光が得られ、第1
記録層2及び第2記録層3の両方にピットを形成した第
1及び第2記録部からは、反射層4による反射率の大き
い反射光が得られる。第3図に、記録媒体における未記
録部(A)、第1記録部(B)、第1及び第2記録部(
C)のそれぞれから得られる反射率の1例をグラフとし
て示す。
、第1記録WJ2による反射光が得られ1.第1記録)
tIJ2のみにピットを形成した第1記録部からは、第
2記録JeJ3による第1記録層の反射光(未記録の場
合の反射光)よりも高い反射率の反射光が得られ、第1
記録層2及び第2記録層3の両方にピットを形成した第
1及び第2記録部からは、反射層4による反射率の大き
い反射光が得られる。第3図に、記録媒体における未記
録部(A)、第1記録部(B)、第1及び第2記録部(
C)のそれぞれから得られる反射率の1例をグラフとし
て示す。
このグラフかられかるように、本発明の場合、ビーム径
を変えることなく、記録媒体への記録及び再生を行うこ
とができる。
を変えることなく、記録媒体への記録及び再生を行うこ
とができる。
本発明により記録を行う場合、記録すべき情報に応じて
、記録層によるレーザー光の吸収址を調節する。即ち1
本発明では、使用するレーザー光の照射時間及びパワー
を調節して第1記録層のみにピットを形成する第1信号
レベルのレーザー光と、第1記録層と第2記録層の両者
にピットを形成する第2信号レベルのレーザー光を形成
し、これら2種の信号レベルのレーザー光によって記録
を行う。この場合、レーザービームの径を変える必要は
ないが、必要に応じ、レーザービームの径を変化させる
ことも可能である。
、記録層によるレーザー光の吸収址を調節する。即ち1
本発明では、使用するレーザー光の照射時間及びパワー
を調節して第1記録層のみにピットを形成する第1信号
レベルのレーザー光と、第1記録層と第2記録層の両者
にピットを形成する第2信号レベルのレーザー光を形成
し、これら2種の信号レベルのレーザー光によって記録
を行う。この場合、レーザービームの径を変える必要は
ないが、必要に応じ、レーザービームの径を変化させる
ことも可能である。
本発明で用いる記録媒体の各層における反射強度の割合
は、反射層による反射強度を100とした時に、第1記
録層の反射強度は12〜35、第2記録層の反射強度3
5〜70の割合であり、第2記′8層の反射強度は、第
1記録層の反射強度の1.5〜3倍にするのがよい。
は、反射層による反射強度を100とした時に、第1記
録層の反射強度は12〜35、第2記録層の反射強度3
5〜70の割合であり、第2記′8層の反射強度は、第
1記録層の反射強度の1.5〜3倍にするのがよい。
本発明の記録方法によれば、ビーム径を変えることなく
、2種の信号レベルによる記録を行うことができ、かつ
それに応じた信号レベルの反射光を得ることができる。
、2種の信号レベルによる記録を行うことができ、かつ
それに応じた信号レベルの反射光を得ることができる。
従って、本発明によれば、ピット寸法を変化させて記録
する従来の光情報記録媒体の約2倍の記録密度を得るこ
とができる。
する従来の光情報記録媒体の約2倍の記録密度を得るこ
とができる。
しかも、本発明では、その記録JjN理から見て、クロ
ストークが少なく、解像力の高い情報記録を行うことが
できる。
ストークが少なく、解像力の高い情報記録を行うことが
できる。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例1
ポリカーボネート基板上にAQを真空蒸着し、lff1
J−’;(300人とし、これを反射層とした。次に
、この上にTeを同様に真空蒸着して膜厚を400人と
し、これを第2記0層とした。さらに、その上に銅フタ
ロシアニンを真空蒸着し、膜75700人としこれを第
1記録層とした。
J−’;(300人とし、これを反射層とした。次に
、この上にTeを同様に真空蒸着して膜厚を400人と
し、これを第2記0層とした。さらに、その上に銅フタ
ロシアニンを真空蒸着し、膜75700人としこれを第
1記録層とした。
実施例2
ポリカーボネート基板上に下記に示すシアニン色素を、
メタノール/エチレンジクロライド(8/2)混合溶媒
に溶解し、スピンコードを行い、膜厚を800人とし、
これを第1記録層とした0次に、この上にTe/5e(
0/1)を真空蒸着し、膜厚を400人としこれを第2
記録J(jとした。さらに、この上にAQを真空蒸着し
て膜厚1000人とし、これを反射層とした。
メタノール/エチレンジクロライド(8/2)混合溶媒
に溶解し、スピンコードを行い、膜厚を800人とし、
これを第1記録層とした0次に、この上にTe/5e(
0/1)を真空蒸着し、膜厚を400人としこれを第2
記録J(jとした。さらに、この上にAQを真空蒸着し
て膜厚1000人とし、これを反射層とした。
次に、実施例1で得た記録媒体を記録層側から波長79
0nmの半導体レーザー光を用いて、記録周波数0.5
M1(z、線速1.5m/seeで第1記録層のみを記
録し、その記録部の反射率を測定したところ、約3部で
あった。次に、第1記録層と第2記録層の両方を記録し
、その記録部の反射率を測定したところ、その反射率は
、74%であった。なお、未記録部の反射率は17%で
あった。
0nmの半導体レーザー光を用いて、記録周波数0.5
M1(z、線速1.5m/seeで第1記録層のみを記
録し、その記録部の反射率を測定したところ、約3部で
あった。次に、第1記録層と第2記録層の両方を記録し
、その記録部の反射率を測定したところ、その反射率は
、74%であった。なお、未記録部の反射率は17%で
あった。
一方、実施例2で得た記録媒体を、基板側から前記と全
く同様にして記録し、その記録部の反射率を測定したと
ころ、第1記録層のみの記録部では約40%、第1記0
層及び第2記0層の両方を記録した記録部の反射率は約
76′1であった。また、未記録部の反射率は約1g%
であった。
く同様にして記録し、その記録部の反射率を測定したと
ころ、第1記録層のみの記録部では約40%、第1記0
層及び第2記0層の両方を記録した記録部の反射率は約
76′1であった。また、未記録部の反射率は約1g%
であった。
第1図及び第2図は1本発明の記録方法の説明図であり
、第1図は基板側からFDする場合、第2図は記録層側
から記録する場合の説明図である。 第3図は、本発明により記録された記録媒体における未
記録部(A)、第1記録層のみの記録部(n)及び第1
記録層及び第2記録層の両方の記録部(C)のそれぞれ
に対する反射率を示すグラフである。 l・・・基板、2・・・第1記録層、3・・・第2記O
Rり、4・・・反射J1グ、5・・・保護層。
、第1図は基板側からFDする場合、第2図は記録層側
から記録する場合の説明図である。 第3図は、本発明により記録された記録媒体における未
記録部(A)、第1記録層のみの記録部(n)及び第1
記録層及び第2記録層の両方の記録部(C)のそれぞれ
に対する反射率を示すグラフである。 l・・・基板、2・・・第1記録層、3・・・第2記O
Rり、4・・・反射J1グ、5・・・保護層。
Claims (2)
- (1)基板上に高反射性の反射層と、その反射層よりも
低い反射率を有する第2記録層と、該第2記録層よりも
低い反射率を有する第1記録層を上層から基板面に向け
てその順に積層させた構造を有する記録媒体に対し、該
基板側からレーザー光を照射することからなり、該レー
ザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピットを形
成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー光吸収
量を調節して該第1記録層と第2記録層の両者にピット
を形成する第2信号レベルによる記録を行うことを特徴
とする情報記録方法。 - (2)基板上に高反射性の反射層と、その反射層よりも
低い反射率を有する第2記録層と、該第2記録層よりも
低い反射率を有する第1記録層を基板面から上層に向け
てその順に積層させた構造を有する記録媒体に対し、該
記録層側からレーザー光を照射することからなり、レー
ザー光吸収量を調節して該第1記録層のみにピットを形
成する第1信号レベルによる記録と、該レーザー光吸収
量を調節して該第1記録層と該第2記録層の両者にピッ
トを形成する第2信号レベルによる記録を行うことを特
徴とする情報記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62332866A JP2610920B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62332866A JP2610920B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 情報記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01173432A true JPH01173432A (ja) | 1989-07-10 |
JP2610920B2 JP2610920B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=18259676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62332866A Expired - Lifetime JP2610920B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 情報記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2610920B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58166546A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | 記録用部材及び記録再生方法 |
JPS62173289A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Canon Inc | 光記録方法 |
JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62332866A patent/JP2610920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58166546A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | 記録用部材及び記録再生方法 |
JPS62173289A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Canon Inc | 光記録方法 |
JPS62250529A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 光多重記録方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2610920B2 (ja) | 1997-05-14 |
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