JPH0963122A - 多層構造光情報媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】大容量の光情報媒体を提供する。 【構成】ポリカーボネート等の基板上に複数の再生専用
情報面，および多くとも１つの記録可能情報面を持つ光
情報媒体において，厚さが概略０．６ｍｍの相異なる２
つの基板上に，それぞれ情報面を２面以上４面以下有
し，該情報面間が該光ビームに透明な厚さが３０μｍ以
上６０μｍ以下の物質から形成され，かつ該相異なる２
つの光情報媒体同士を，基板が外側に向くように，内側
を接着剤層により貼り合わせた構造を有するものとす
る。 【効果】安価に作製でき，かつ十分な記録再生特性を有
する大容量の光情報媒体を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，光ディスク，光テー
プ，光カード等の光情報媒体に係り，特に高記録密度を
目的とした光情報媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来，光情報媒体の高記録密度化の方法
は，２次元的な情報媒体平面上の記録密度を向上させる
ものであった。しかし，装置の小型化の要請から，ディ
スクなどの情報媒体の大きさは限定され，さらに光の回
折限界により記録可能なマークの大きさも限定されるた
め，平面上での高密度化には限界がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで，さらに高密度
化する方法として，深さ方向を含めた３次元的な記録再
生方法が必須である。例えば，特開昭５９−１２７２３
７号に記載されているように，多層構造のディスクを設
け，各層に光を絞り込み，記録再生を行うことが知られ
ている。しかし，この実施例では具体的な媒体構造が示
されておらず，信頼性のある記録は困難である。

【０００４】また，例えば特開昭６０−２０２５４５号
には，各層に回折限界の光スポットを形成する媒体の厚
さについて述べられている。しかしこの実施例において
も，安価に作製可能な媒体構造が明瞭に示されていな
い。

【０００５】本発明の目的は，上記３次元的な記録再生
を可能し，かつ安価に作製可能な光情報媒体構造を開示
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の多層構造光情報媒体は，基板上に複数の情
報面を有し，上記複数の情報面のそれぞれに光ビームを
収束させて情報を記録または再生する光情報媒体におい
て，該光情報媒体が，該基板の厚さが概略０．６ｍｍで
ある相異なる２つの基板上に，それぞれ情報面を２面以
上４面以下有し，該情報面間が該光ビームに透明な物質
から形成され，かつ該相異なる２つの光情報媒体同士
を，基板が外側に向くように，内側を接着剤層により貼
り合わされた構造とする。また，該光ビームに透明な物
質の厚さは３０μｍ以上６０μｍ以下であることとす
る。

【０００７】本発明の多層構造光情報媒体は，基板上の
情報面数が２面の場合は，基板の厚さが０．５２ｍｍ以
上０．６５ｍｍ以下であるものとし，基板上の情報面数
が３面の場合は，基板の厚さが０．５２ｍｍ以上０．６
２ｍｍ以下であるものとし，基板上の情報面数が４面の
場合は，基板の厚さが０．５２ｍｍ以上０．５９ｍｍ以
下であるものする。

【０００８】上記記載の基板はポリカーボネートからな
るものとする。また，上記記載の光ビームに透明な物質
が紫外線硬化樹脂からなるものとする。

【０００９】基板から各情報面に集光して測定した基板
からの各情報面の反射率は１０％以上５０％以下である
こととする。また，上記各情報面の反射率が２０％以内
の差で等しいこととする。

【００１０】さらに，本発明の多層構造光情報媒体は，
情報面が全て再生専用であってもよいし，基板と最も反
対側の情報面のみが記録可能で，他の情報面が再生専用
であってもよい。情報面が全て再生専用の場合は，基板
と最も反対側の再生専用情報面のみに反射層を形成し，
他の再生専用情報面には半透明層を形成することとす
る。基板と最も反対側の情報面のみを記録可能な情報面
とする場合には，記録可能な情報面には相変化型記録層
を形成してもよいし，光磁気型記録層を形成してもよ
く，他の再生専用情報面には半透明層を形成することと
する。

【００１１】また，上記半透明層は誘電体または金属か
ら形成し，反射層は金属から形成するものとする。ここ
で，誘電体は硅素，硅素窒化物，硅素酸化物，ゲルマニ
ウム，ゲルマニウム酸化物，ゲルマニウム窒化物，亜鉛
硫化物，アルミニウム窒化物の内の少なくとも一者であ
り，金属はアルミニウム，アルミニウム合金，金，金合
金，銀，銀合金，銅，銅合金の内の少なくとも一者であ
るものとする。

【００１２】本発明の多層構造光情報媒体に用いる接着
剤には，ホットメルト接着剤を使用することができる。
また，接着剤層に気泡が混入しないように，紫外線硬化
樹脂や反応性接着剤を使用することもできる。

【００１３】

【作用】基板上に複数の情報面を有し，上記複数の情報
面のそれぞれに光ビームを収束させて情報を記録または
再生する光情報媒体において，該光情報媒体が，相異な
る２つの基板上に，それぞれ情報面を２面以上４面以下
有する光情報媒体同士を，基板が外側に向くように貼り
合わされた構造とすることにより，１枚の光情報媒体当
たりの容量が従来の単板１面媒体構造に比べて，４から
８倍の大容量の光情報媒体を提供できる。

【００１４】基板の厚さを概略０．６ｍｍとすることに
より，波長７００ｎｍ以下の短波長半導体レーザを用
い，開口数０．６以上の開口数の大きい対物レンズを用
いても，許容できる光ディスクの傾きを従来とほぼ同様
にできるため，集光スポット領域を小さくでき，高記録
密度の光情報媒体を提供できる。

【００１５】基板上の複数の情報面間を光ビームに透明
な物質から形成し，上記透明な物質の厚さを３０μｍ以
上６０μｍ以下とすること，基板の厚さを，基板上の情
報面数が２面の場合は０．５２ｍｍ以上０．６５ｍｍ以
下，３面の場合は０．５２ｍｍ以上０．６２ｍｍ以下，
４面の場合は０．５２ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下とする
ことにより，情報面間のクロストーク無く，収差による
ノイズ上昇を抑えて再生できる。

【００１６】基板をポリカーボネート，情報面間の光ビ
ームに透明な物質を紫外線硬化樹脂で形成することによ
り，本発明の多層構造光情報媒体を安価に大量に製造で
きる。

【００１７】基板から各情報面に集光して測定した基板
からの各情報面の反射率を１０％以上５０％以下，特
に，上記各情報面の反射率が２０％以内の差で等しくす
ることにより，どの情報面を再生しても無調整で，安定
にサーボをかけることができる。

【００１８】本発明の多層構造光情報媒体は，情報面が
全て再生専用であっても，基板と最も反対側の情報面の
みが記録可能で，他の情報面が再生専用であってもよ
い。情報面が全て再生専用の場合は，基板と最も反対側
の再生専用情報面のみに反射層を形成し，他の再生専用
情報面には半透明層を形成することにより，また，基板
と最も反対側の情報面のみを記録可能な情報面とする場
合には，記録可能な情報面に相変化型記録層または光磁
気型記録層を形成し，他の再生専用情報面に半透明層を
形成することにより，基板から各情報面に集光して測定
した基板からの各情報面の反射率を１０％以上５０％以
下で，上記各情報面の反射率が２０％以内で等しくする
ことができるため，どの情報面を再生しても安定に記録
または再生できる。

【００１９】上記半透明層は誘電体または金属から形成
し，反射層は金属から形成することにより，上記反射率
条件を満足することができる。ここで，誘電体としては
硅素，硅素窒化物，硅素酸化物，ゲルマニウム，ゲルマ
ニウム酸化物，ゲルマニウム窒化物，亜鉛硫化物，カド
ミウム硫化物，アルミニウム窒化物，ガリウム窒化物，
ほう素窒化物の内の少なくとも一者で形成されているこ
とが膜厚マージンが広いことによる高歩止まり，低コス
トの点で好ましい。金属としてはアルミニウム，アルミ
ニウム合金，金，金合金，銀，銀合金，銅，銅合金の内
の少なくとも一者で形成されていることが，半透明層と
して用いると低ストレスによる長寿命の点で，反射層と
して用いると媒体の反射率を高くできる点で好ましい。

【００２０】本発明の多層構造光情報媒体に用いる接着
剤としては，ホットメルト接着剤を使用すると，低コス
トの点で好ましい。また，接着剤層に気泡が混入しない
ように貼り合わせることにより，媒体の機械特性が格段
に向上するので好ましい。接着剤として紫外線硬化樹脂
や反応性接着剤を使用し，真空中で貼り合わせることに
より，接着剤層に気泡が混入せずに接着することができ
る。紫外線硬化樹脂を使用すると，貼り合わせる前の単
板に紫外線硬化樹脂層等の保護コートをせずに貼り合わ
せが可能な特長がある。また，反応性接着剤を使用する
と，接着の最適条件を媒体構造に依存せずに決定できる
特長が有る。反応性接着剤としては，エポキシ系接着
剤，シリコン系接着剤，等を用いることができる。貼り
合わせる前の単板に紫外線硬化樹脂層の保護コートをし
た後，シリコン系反応性接着剤を用いて真空中で貼り合
わせると，良好な媒体機械特性と長媒体寿命を両立でき
る点で好ましい。

【００２１】

【実施例】以下，本発明を実施例によって詳細に説明す
る。

【００２２】（実施例１）図１に本発明の第１の実施例
に用いた情報記憶媒体の断面の拡大図を示す。直径１２
０ｍｍ，厚さ０．５８ｍｍのディスク状ポリカーボネー
ト板の表面に射出成形法によって，情報を光学的位相ピ
ットとして形成した第１再生専用情報面を設けた基板１
を作製した。上記基板上１に，アルゴン中に窒素を５％
混入したガスを用いて硅素を高周波マグネトロンスパッ
タリング装置によりスパッタリングし，光学定数（ｎ
*）がｎ*＝３．００−０．１２ｉで硅素と硅素窒化物の
混合物からなる半透明層２を５５ｎｍ形成した。次に，
紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパから転写する
フォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって，情報
を光学的位相ピットとして形成した第２再生専用情報面
を設けた紫外線硬化樹脂層３を４０μｍの厚さに形成し
た。ここでは，スタンパとしてプラスチックで作製した
透明な型を用い，型の側から紫外線を入射した。この上
に，アルゴンガスを用いたスパッタリング法によってア
ルミニウムからなる反射層４を５０ｎｍ形成した。さら
に，紫外線硬化樹脂層を１０μｍの厚さでスピンコート
した後，紫外線を照射して硬化させ保護層５を形成し，
情報記憶媒体Ａを作製した。同様にして，第１，第２と
は異なる情報面を有する，第３再生専用情報面を設けた
基板１’，硅素と硅素窒化物の混合物からなる半透明層
２’，第４再生専用情報面を設けた紫外線硬化樹脂層
３’，アルミニウムからなる反射層４’，紫外線硬化樹
脂からなる保護層５’より形成したもう１枚の情報記憶
媒体Ｂを作製した。この様にして作製した情報記憶媒体
ＡおよびＢを，基板１および１’を外側になるようにし
て接着剤層６で貼り合わせ，多層構造光情報媒体Ｃを作
製た。ここでは，情報記憶媒体Ａの保護層５上にシリコ
ン系反応性接着剤を５０μｍの厚さにスピンコートした
後，情報記憶媒体Ｂを真空中で気泡が入らないようにし
て貼り合わせた。

【００２３】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｃを光ディスクドライブ｛半導体レーザ波長６３５ｎ
ｍ，対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６｝により再生評価
した。ディスクを線速度または角速度一定で回転させ，
任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド
中の対物レンズで基板１または１’を通して各情報面に
集光した。情報記憶媒体Ａの側から再生する場合には，
第１再生専用情報面または第２再生専用情報面に集光
し，また，情報記憶媒体Ｂの側から再生する場合には，
第３再生専用情報面または第４再生専用情報面に集光
し，トラッキングを行いながら各情報面上に焦点が来る
ように自動焦点合わせをして，反射光の強弱を検出する
ことによって再生した。上記の多層構造光情報媒体Ｃを
線速度を３．３ｍ／ｓで回転させ，再生光レベルをディ
スク面上０．５ｍＷとし，ピット深さ８０ｎｍ，マーク
長０．４５μｍ，マークピッチ０．８μｍ，トラックピ
ッチ０．７４μｍの位相ピット列からなるデータを再生
したところ，第１から第４のどの再生専用情報面を再生
しても，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音
比（Ｃ／Ｎ）５３．０ｄＢ，周波数帯域４ＭＨｚで信号
対雑音比（Ｓ／Ｎ）２５．０ｄＢの再生信号出力が得ら
れた。この時の隣の情報面からの面間クロストークは−
４０．５ｄＢであった。ここで，上記多層構造光情報媒
体Ｃでは，情報記憶媒体ＡまたはＢ中のポリカーボネー
ト基板１または１’から見た硅素と硅素窒化物の混合物
からなる半透明層２または２’およびアルミニウムから
なる反射層４または４’での反射率を上記光ヘッドによ
り測定したところ，共に３０％であった。

【００２４】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，ポ
リカーボネート基板１の板厚を変化させた場合，第１，
第２再生専用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は表１
のように変化した。

【００２５】 〔表１〕 基板１の 第１再生専用情報面 第２再生専用情報面 板厚（ｍｍ） でのＳ／Ｎ（ｄＢ） でのＳ／Ｎ（ｄＢ） ０．５１ ２３．５ ２４．５ ０．５２ ２４．０ ２４．７ ０．５４ ２４．３ ２５．０ ０．５６ ２４．７ ２５．２ ０．５８ ２５．０ ２５．０ ０．６０ ２５．２ ２４．７ ０．６２ ２５．０ ２４．３ ０．６４ ２４．７ ２４．０ ０．６５ ２４．５ ２３．５ ここで，基板１の板厚が０．５２ｍｍ未満または０．６
４ｍｍ超過の場合は球面収差によるノイズ増加のため，
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり，エラー
無く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回っ
た。

【００２６】また，上記の様に基板の厚さを従来の１．
２ｍｍから，およそ１／２と薄くすることにより，より
高密度記録に対応するため，波長６３５ｎｍの短波長半
導体レーザ，開口数が０．６と大きいの対物レンズを用
いた場合でも，許容できる光ディスクの傾きを９ｍｒａ
ｄと従来と同等にでき，従来のコンパクトディスク（波
長７８０ｎｍ，ＮＡ０．４５）と同様の安価な光学系を
使用することができた。

【００２７】さらに，上記の多層構造光情報媒体Ｃにお
いて，ポリカーボネート基板１’の板厚を変化させた場
合，第３，第４再生専用情報面での信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）はそれぞれ，表１の第１，第２再生専用情報面と同
様に変化した。

【００２８】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，紫
外線硬化樹脂層３の厚さを変化させた場合，第２再生専
用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）および第２再生専
用情報面での第１再生専用情報面からの再生信号の面間
クロストークは表２のように変化した。

【００２９】 〔表２〕 紫外線硬化樹脂層３ 第２再生専用情報面 面間クロストーク の厚さ（μｍ） でのＳ／Ｎ（ｄＢ） （ｄＢ） ２５ ２５．０ −２６ ３０ ２５．１ −３０ ３５ ２５．１ −３５ ４０ ２５．０ −４０ ５０ ２４．９ −４６ ６０ ２４．７ −５０ ここで，紫外線硬化樹脂層３の厚さが３０μｍ未満の場
合は面間クロストークが−３０ｄＢ超過と大きくなるこ
とによるノイズ増加のため，エラー無く情報を再生でき
るなかった。

【００３０】ただし，紫外線硬化樹脂層３の厚さが６０
μｍ超過の場合は，層間ジャンプ時のオートフォーカス
の引込みが不十分で，サーボが不安定になり，安定した
層間ジャンプができなかった。

【００３１】但し，上記の多層構造光情報媒体Ｃにおい
て，ポリカーボネート基板１の板厚を０．６５μｍと厚
くした場合でも，紫外線硬化樹脂層３の厚さを変化させ
た時，第２再生専用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
は表３のように変化した。

【００３２】 すなわち，ポリカーボネート基板１の板厚を０．６５ｍ
ｍと厚くした場合でも，紫外線硬化樹脂層３の厚さが３
０μｍであれば，Ｓ／Ｎが２４ｄＢ，面間クロストーク
が−３０ｄＢとなり，エラー無く情報を再生できた。

【００３３】上記多層構造光情報媒体Ｃにおいて，基板
１から各情報面に集光して測定した基板からの各情報面
の反射率を変化させた場合，第１，第２再生専用情報面
での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は表４のように変化した。

【００３４】 〔表４〕 第１情報面 第２情報面 第１情報面 第２情報面 の反射率 の反射率 のＳ／Ｎ のＳ／Ｎ （％） （％） （ｄＢ） （ｄＢ） ５５ ５ ２６．０ ２３．５ ５０ １０ ２６．０ ２４．０ ４５ １５ ２５．８ ２４．３ ４０ ２０ ２５．５ ２４．５ ３５ ２５ ２５．３ ２４．８ ３０ ３０ ２５．０ ２５．０ ２５ ４０ ２４．８ ２５．５ ２０ ５０ ２４．５ ２６．０ １５ ６０ ２４．３ ２６．０ １０ ６９ ２４．０ ２６．０ ５ ７７ ２３．５ ２６．０ ここで，第１再生専用情報面の反射率を５０％以上とす
ると，第２再生専用情報面の反射率が１０％以下となっ
た。また，第１および第２再生専用情報面の反射率が１
０％未満になると，ディスクノイズ増加のため，信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり，エラー無く情
報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回った。

【００３５】また，第１再生専用情報面と第２再生専用
情報面での反射率の差が２０％以下の時は第１再生専用
情報面と第２再生専用情報面との間で層間ジャンプした
後，無調整で安定にサーボがかかったが，２０％超過の
時は層間ジャンプ後にサーボのゲイン調整が必要であっ
た。

【００３６】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，ポ
リカーボネート基板１’から各情報面に集光して測定し
た基板からの各情報面の反射率を変化させた場合，第
３，第４再生専用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
は，それぞれ，表４の第１，第２再生専用情報面での結
果と同様に変化した。

【００３７】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，半
透明層２および２’として，本実施例で用いた硅素と硅
素窒化物の混合物の他に，他の誘電体または金属を用い
ても，基板１または１’から第１または第３再生専用情
報面に集光して測定した基板からの情報面の反射率が概
略３０％となるように積層することにより，本実施例と
同様の結果が得られた。上記誘電体として，硅素，硅素
窒化物，硅素酸化物，ゲルマニウム，ゲルマニウム酸化
物，ゲルマニウム窒化物，亜鉛硫化物，アルミニウム窒
化物の内の少なくとも一者を，上記金属として，アルミ
ニウム，アルミニウム合金，金，金合金，銀，銀合金，
銅，銅合金の内の少なくとも一者を用いても，本実施例
と同様の結果が得られた。

【００３８】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，反
射層４および４’として，本実施例で用いたアルミニウ
ムの他に，アルミニウム合金，金，金合金，銀，銀合
金，銅，銅合金等の他の金属層を用いても，本実施例と
同様の結果が得られた。

【００３９】上記の多層構造光情報媒体Ｃにおいて，接
着剤層６として，本実施例で用いたシリコン系反応性接
着剤の他にエポキシ系反応性接着剤を用いても，本実施
例と同様の結果が得られた。また，ホットメルト接着剤
を使用することにより低コストで貼り合わせができ，紫
外線硬化樹脂を使用することにより貼り合わせる前の単
板に紫外線硬化樹脂等の保護層５および５’をコートせ
ずに貼り合わせても本実施例と同様の結果が得られた。

【００４０】本実施例に用いた基板として，射出成型法
により作製したポリカーボネート基板の他に，射出成型
法により作製したポリオレフィン基板またはＰＭＭＡ基
板を用いても，また，ガラスまたは樹脂基板等の表面に
フォトポリメリゼイション法により情報面を有する紫外
線硬化樹脂層を形成した基板を用いても本実施例と同様
の結果が得られた。

【００４１】（実施例２）図２に本発明の第２の実施例
に用いた情報記憶媒体の断面の拡大図を示す。直径１２
０ｍｍ，厚さ０．５６ｍｍのディスク状ポリカーボネー
ト板の表面に射出成形法によって，情報を光学的位相ピ
ットとして形成した第１再生専用情報面を設けた基板７
を作製した。上記基板上７に，アルゴン中に窒素を６％
混入したガスを用いて硅素を高周波マグネトロンスパッ
タリング装置によりスパッタリングし，光学定数（ｎ
*）がｎ*＝２．４５−０．０４ｉで硅素と硅素窒化物の
混合物からなる半透明層８を６５ｎｍ形成した。次に，
紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパから転写する
フォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって，情報
を光学的位相ピットとして形成した第２再生専用情報面
を設けた紫外線硬化樹脂層９を４０μｍの厚さに形成し
た。ここでは，スタンパとしてニッケル金属で作製した
金型を用い，基板側から紫外線を入射した。この上に，
上記スパッタリング装置によりアルゴン中に窒素を５％
混入したガスを用いてスパッタリングし，光学定数（ｎ
*）がｎ*＝３．００−０．１２ｉで硅素と硅素窒化物の
混合物からなる半透明層１０を５５ｎｍ形成した。この
上にもう一度紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパ
から転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）に
よって，情報を光学的位相ピットとして形成した第３再
生専用情報面を設けた紫外線硬化樹脂層１１を４０μｍ
の厚さに形成した。この上に，アルゴンガスを用いたス
パッタリング法によってアルミニウムからなる反射層１
２を５０ｎｍ形成した。さらに，紫外線硬化樹脂層を１
０μｍの厚さでスピンコートした後，紫外線を照射して
硬化させ保護層１３を形成し，情報記憶媒体Ｄを作製し
た。同様にして作製した，第１から第３再生専用情報面
とは異なる情報面を有する第４から第６再生専用情報面
からなるもう１枚の情報記憶媒体Ｅを，それぞれ基板を
外側になるようにして接着剤層１４で貼り合わせ，多層
構造光情報媒体Ｆを作製した。ここでは，情報記憶媒体
Ｄの保護層１３上にエポキシ系反応性接着剤を５０μｍ
の厚さにスピンコートした後，情報記憶媒体Ｅを真空中
で気泡が入らないようにして貼り合わせた。

【００４２】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｆを光ディスクドライブ｛半導体レーザ波長６３５ｎ
ｍ，対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６｝により再生評価
した。ディスクを線速度または角速度一定で回転させ，
任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド
中の対物レンズで基板７または７’を通して各情報面に
集光した。上記の多層構造光情報媒体Ｆを線速度を３．
３ｍ／ｓで回転させ，再生光レベルをディスク面上０．
８ｍＷとし，ピット深さ８０ｎｍ，マーク長０．４５μ
ｍ，マークピッチ０．８μｍ，トラックピッチ０．７４
μｍの位相ピット列からなるデータを再生したところ，
第１，第３，第４，第６の再生専用情報面を再生する
と，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比
（Ｃ／Ｎ）５２．７ｄＢ，周波数帯域４ＭＨｚで信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）２４．７ｄＢの再生信号出力が得られ
た。また，第２，第５の再生専用情報面を再生すると，
測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ）５３．２ｄＢ，周波数帯域４ＭＨｚで信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）２５．２ｄＢの再生信号出力が得られた。こ
の時の隣の情報面からの面間クロストークは−４０．５
ｄＢであった。ここで，上記多層構造光情報媒体Ｆで
は，情報記憶媒体ＤまたはＥ中のポリカーボネート基板
から見た第１から第６のどの再生専用情報面での反射率
を上記光ヘッドにより測定したところ，どの再生専用情
報面の反射率も共に１８％であった。

【００４３】上記の多層構造光情報媒体Ｆにおいて，ポ
リカーボネート基板７の板厚を変化させた場合，第１，
第２，第３再生専用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
は表５のように変化した。

【００４４】 〔表５〕 基板１ 第１情報面 第２情報面 第３情報面 の板厚（ｍｍ） でのS/N(dB) でのS/N(dB) でのS/N(dB) ０．５１ ２３．５ ２４．５ ２５．１ ０．５２ ２４．０ ２４．７ ２５．２ ０．５４ ２４．３ ２５．０ ２５．０ ０．５６ ２４．７ ２５．２ ２４．７ ０．５８ ２５．０ ２５．０ ２４．３ ０．６０ ２５．２ ２４．７ ２４．０ ０．６１ ２５．１ ２４．５ ２３．５ ここで，基板７の板厚が０．５２ｍｍ未満または０．６
０ｍｍ超過の場合は球面収差によるノイズ増加のため，
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり，エラー
無く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回っ
た。

【００４５】但し，上ポリカーボネート基板７の板厚を
０．６２μｍと厚くした場合でも，紫外線硬化樹脂層９
および１１の厚さが共に３０μｍであれば，第１，第
２，第３再生専用情報面でのＳ／Ｎはそれぞれ２５ｄ
Ｂ，２４．５ｄＢ，２４ｄＢ，各情報面での面間クロス
トークが−３０ｄＢとなり，エラー無く情報を再生でき
た。

【００４６】（実施例３）図３に本発明の第３の実施例
に用いた情報記憶媒体の断面の拡大図を示す。直径１２
０ｍｍ，厚さ０．５４ｍｍのディスク状ポリカーボネー
ト板の表面に射出成形法によって，情報を光学的位相ピ
ットとして形成した第１再生専用情報面を設けた基板１
５を作製した。上記基板上に，アルゴン中に窒素を７％
混入したガスを用いて硅素を高周波マグネトロンスパッ
タリング装置によりスパッタリングし，光学定数（ｎ
*）がｎ*＝２．２５−０．０２ｉで硅素と硅素窒化物の
混合物からなる半透明層１６を７０ｎｍ形成した。次
に，紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパから転写
するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によって，
情報を光学的位相ピットとして形成した第２再生専用情
報面を設けた紫外線硬化樹脂層１７を４０μｍの厚さに
形成した。ここでは，スタンパとしてプラスチックで作
製した透明な型を用い，型の側から紫外線を入射した。
この上に，上記スパッタリング装置によりアルゴン中に
窒素を６％混入したガスを用いてスパッタリングし，光
学定数（ｎ*）がｎ*＝２．４５−０．０４ｉで硅素と硅
素窒化物の混合物からなる半透明層１８を６５ｎｍ形成
した。この上にもう一度紫外線硬化樹脂を用いて情報面
をスタンパから転写するフォトポリメリゼーション法
（２Ｐ法）によって，情報を光学的位相ピットとして形
成した第３再生専用情報面を設けた紫外線硬化樹脂層１
９を４０μｍの厚さに形成した。さらにこの上に，上記
スパッタリング装置によりアルゴン中に窒素を５％混入
したガスを用いてスパッタリングし，光学定数（ｎ*）
がｎ*＝３．００−０．１２ｉで硅素と硅素窒化物の混
合物からなる半透明層２０を５５ｎｍ形成した。この上
にもう一度紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパか
ら転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によ
って，情報を光学的位相ピットとして形成した第４再生
専用情報面を設けた紫外線硬化樹脂層２１を４０μｍの
厚さに形成した。この上に，アルゴンガスを用いたスパ
ッタリング法によってアルミニウム−チタン合金（Ａｌ
97Ｔｉ3）からなる反射層２２を５０ｎｍ形成し，情報
記憶媒体Ｇを作製した。同様にして作製した，第１から
第４再生専用情報面とは異なる情報面を有する第５から
第８再生専用情報面からなるもう１枚の情報記憶媒体Ｈ
を，それぞれ基板を外側になるようにして接着剤層２３
で貼り合わせ，多層構造光情報媒体Ｉを作製した。ここ
では，情報記憶媒体Ｇの反射層２２上に紫外線硬化樹脂
剤を滴下した後情報記憶媒体Ｈを貼り合わせ，回転しな
がら樹脂中の気泡を追い出して４０μｍの厚さにした
後，紫外線を照射して硬化し接着した。

【００４７】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｉを光ディスクドライブ｛半導体レーザ波長６３５ｎ
ｍ，対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６｝により再生評価
した。ディスクを線速度または角速度一定で回転させ，
任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド
中の対物レンズで基板１５または１５’を通して各情報
面に集光した。上記の多層構造光情報媒体Ｆを線速度を
３．３ｍ／ｓで回転させ，再生光レベルをディスク面上
１．０ｍＷとし，ピット深さ８０ｎｍ，マーク長０．４
５μｍ，マークピッチ０．８μｍ，トラックピッチ０．
７４μｍの位相ピット列からなるデータを再生したとこ
ろ，第１，第４，第５，第８の再生専用情報面を再生す
ると，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比
（Ｃ／Ｎ）５２．３ｄＢ，周波数帯域４ＭＨｚで信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）２４．３ｄＢの再生信号出力が得られ
た。また，第２，第３，第６，第７の再生専用情報面を
再生すると，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比（Ｃ／Ｎ）５３ｄＢ，周波数帯域４ＭＨｚで信号
対雑音比（Ｓ／Ｎ）２５ｄＢの再生信号出力が得られ
た。この時の隣の情報面からの面間クロストークは−４
０．５ｄＢであった。ここで，上記多層構造光情報媒体
Ｆでは，情報記憶媒体ＤまたはＥ中のポリカーボネート
基板から見た第１から第６のどの再生専用情報面での反
射率を上記光ヘッドにより測定したところ，どの再生専
用情報面の反射率も共に１３％であった。上記の多層構
造光情報媒体Ｆにおいて，ポリカーボネート基板１５の
板厚を変化させた場合，第１，第２，第３，第４再生専
用情報面での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は表６のように変
化した。

【００４８】 〔表６〕 基板１ 第１情報面 第２情報面 第３情報面 第４情報面 の板厚（ｍｍ） でのS/N(dB) でのS/N(dB) でのS/N(dB) でのS/N(dB ) ０．５１ ２３．５ ２４．５ ２４．５ ２４．９ ０．５２ ２４．０ ２４．７ ２４．７ ２４．７ ０．５４ ２４．３ ２５．０ ２５．０ ２４．３ ０．５６ ２４．７ ２５．２ ２５．２ ２４．０ ０．５７ ２４．９ ２５．１ ２５．１ ２３．５ ここで，基板７の板厚が０．５２ｍｍ未満または０．５
６ｍｍ超過の場合は球面収差によるノイズ増加のため，
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり，エラー
無く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回っ
た。

【００４９】但し，上ポリカーボネート基板７の板厚を
０．５９μｍと厚くした場合でも，紫外線硬化樹脂層１
７，１９および２１の厚さが共に３０μｍであれば，第
１，第２，第３，第４再生専用情報面でのＳ／Ｎはそれ
ぞれ２５．１ｄＢ，２５．０ｄＢ，２４．５ｄＢ，２４
ｄＢで，各情報面での面間クロストークが−３０ｄＢと
なり，エラー無く情報を再生できた。

【００５０】（実施例４）図４に本発明の第４の実施例
に用いた情報記憶媒体の断面の拡大図を示す。直径１２
０ｍｍ，厚さ０．５８ｍｍのディスク状ポリカーボネー
ト板の表面に射出成形法によって，情報を光学的位相ピ
ットとして形成した第１再生専用情報面を設けた基板２
４を作製した。上記基板上２４に，アルゴン中に窒素を
６％混入したガスを用いて硅素を高周波マグネトロンス
パッタリング装置によりスパッタリングし，光学定数
（ｎ*）がｎ*＝２．４５−０．０４ｉで硅素と硅素窒化
物の混合物からなる半透明層２５を６５ｎｍ形成した。
次に，紫外線硬化樹脂を用いて情報面をスタンパから転
写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）によっ
て，トラッキング用のトラックピッチ１．４８μｍ，Ｕ
形状（ランド幅，グルーブ幅共に０．７４μｍ）の案内
溝とアドレス情報等のプリピットを形成した第１書き換
え可能情報面を設けた紫外線硬化樹脂層２６を４０μｍ
の厚さに形成した。ここでは，スタンパとしてプラスチ
ックで作製した透明な型を用い，型の側から紫外線を入
射した。この上に，高周波マグネトロンスパッタリング
法によって相変化記録層２７を形成した。さらに，紫外
線硬化樹脂層を１０μｍの厚さでスピンコートした後，
紫外線を照射して硬化させ保護層２８を形成し，情報記
憶媒体Ｊを作製した。同様にして，第１再生専用情報面
とは異なる第２再生専用情報面と，第２書き換え可能情
報面より形成したもう１枚の情報記憶媒体Ｋを作製し
た。この様にして作製した情報記憶媒体ＪおよびＫを，
基板を外側になるようにして接着剤層２９で貼り合わ
せ，多層構造光情報媒体Ｌを作製た。ここでは，情報記
憶媒体Ｊの保護層２８上にシリコン系反応性接着剤を５
０μｍの厚さにスピンコートした後，情報記憶媒体Ｋを
真空中で気泡が入らないようにして貼り合わせた。ま
た，相変化記録層２７としては，基板側から順に，（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20，Ｇｅ21Ｓｂ25Ｔｅ54，（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20，Ａｌ97Ｔｉ3の組成の薄膜をそれ
ぞれ１３０ｎｍ，２５ｎｍ，２５ｎｍ，７０ｎｍ形成し
た４層構造とした。

【００５１】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｌを光ディスクドライブ｛半導体レーザ波長６３５ｎ
ｍ，対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６｝により記録・消
去・再生評価した。

【００５２】まず，多層構造光情報媒体Ｌを線速度また
は角速度一定で回転させ，任意の半径位置に半導体レー
ザからの連続光を光ヘッド中の対物レンズでポリカーボ
ネート基板を通して第１または第２再生専用情報面に集
光し，トラッキングを行いながら各情報面上に焦点が来
るように自動焦点合わせをして，反射光の強弱を検出す
ることによって情報を再生した。上記の多層構造光情報
媒体Ｃを線速度を３．３ｍ／ｓで回転させ，再生光レベ
ルをディスク面上０．５ｍＷとし，ピット深さ８０ｎ
ｍ，マーク長０．４５μｍ，マークピッチ０．９μｍ，
トラックピッチ０．７４μｍの位相ピット列からなるデ
ータを再生したところ，第１および第２のどの再生専用
情報面を再生しても，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで
搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）５３．０ｄＢ，周波数帯域４
ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）２５．０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の隣の情報面からの面間クロ
ストークは−４０．５ｄＢであった。ここで，上記多層
構造光情報媒体Ｌでは，情報記憶媒体ＪまたはＫ中のポ
リカーボネート基板から見た硅素と硅素窒化物の混合物
からなる半透明層での反射率を上記光ヘッドにより測定
したところ１８％であった。

【００５３】次に，第１または第２書き換え可能情報面
に集光し，トラッキングを行いながら各情報面上に焦点
が来るように自動焦点合わせをして，情報を記録・消去
・再生した。相変化記録層２７での作製直後の状態での
基板から測定した反射率は８％と低いので，線速度３．
３ｍ／ｓ，ディスク面上６ｍＷ相当のレーザ光で全面初
期化したところ，反射率は５％から１８％へ上昇した。
上記多層構造光情報媒体Ｌを線速度３．３ｍ／ｓで回転
させ，任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を記
録が行われない低パワーレベルに保って，Ｕ形状案内溝
の溝間（ランド部）または溝上（グルーブ部）に光スポ
ットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。ラ
ンド部，グルーブ部の両方に記録することで，記録容量
を２倍にすることができる。ここで，案内溝の深さをλ
／６ｎ（λ：レーザ波長，ｎ基板の屈折率，７０ｎｍ）
とすることにより，隣接の溝間または溝上からのクロス
トーク信号を−３０ｄＢ以下に抑えることができた。こ
の様にトラッキングを行いながら，さらに相変化記録層
２７上に焦点が来るように自動焦点合わせをして１ビー
ムによるオーバーライトで記録と消去を同時に行った。
１ビームによるオーバーライトはレーザパワーを結晶化
を起こす中間パワーレベル（消去レベル）と非晶質化を
起こす高パワーレベル（記録レベル）との間で変化させ
ることにより行った。非晶質化の高パワーレベルと結晶
化の中間パワーレベルとの間のパワー比は１：０．３〜
１：０．８の範囲が好ましかった。これにより，既に記
録されている部分に対して行っても記録されていた情報
が新たに記録した情報に書き換えられる。

【００５４】再生光レベルを連続光１．０ｍＷとし，レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル６．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１１．０ｍＷとの間で
変化させることにより情報をオーバーライトし，反射光
の強弱を検出して情報を再生し，再生信号を評価した。
ここでは，マーク長０．５μｍ，マークピッチ１μｍ，
の信号とマーク長１．８μｍ，マークピッチ３．６μｍ
を交互にオーバーライトした。前者の信号をオーバーラ
イトした場合，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波
対雑音比５３．０ｄＢ，原信号の消去比３０ｄＢの再生
信号出力が得られた。また，後者の信号をオーバーライ
トした場合，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５８．０ｄＢ，原信号の消去比３０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下
までの書き換え可能回数は１０万回以上であった。

【００５５】相変化記録層中の記録膜組成としては，上
記組成比以外のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系，他の組成のＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ−Ｍ（Ｍは金属元素）系，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ
系，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系，Ｉｎ−Ｓｅ系，Ｉｎ−
Ｓｅ−Ｔｌ系，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｍ（Ｍは金属元素）系，Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系，Ｇａ−Ｓｂ
系，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系，およびＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔ
ｅ系，等を用いても，同様な結果が得られ。また，上記
の結晶，非晶質間相変化を利用したものの他に結晶，結
晶間相変化を利用したＩｎ−Ｓｂ系等を用いても，同様
な結果が得られた。

【００５６】上記多層構造光情報媒体Ｌにおいて，相変
化記録層２７のみ，基板側から順に，窒化硅素，Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ，窒化硅素，Ａｌ97Ｔｉ3の薄膜をそれぞれ
６０ｎｍ，２０ｎｍ，１５ｎｍ，５０ｎｍ形成した４層
構造とした光磁気記録層に換えた多層構造光情報媒体Ｍ
について，１または第２書き換え可能情報面に集光し，
トラッキングを行いながら各情報面上に焦点が来るよう
に自動焦点合わせをして，情報を記録・消去・再生し
た。多層構造光情報媒体Ｌと同様に線速度３．３ｍ／ｓ
で回転させ，任意の半径位置に半導体レーザからの連続
光を記録が行われない低パワーレベルに保って，Ｕ形状
案内溝の溝間（ランド部）または溝上（グルーブ部）に
光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動し
た。ランド部，グルーブ部の両方に記録することで，記
録容量を２倍にすることができた。ここで，案内溝の深
さをλ／６ｎ（λ：レーザ波長，ｎ基板の屈折率，７０
ｎｍ）とすることにより，隣接の溝間または溝上からの
クロストーク信号を−３０ｄＢ以下に抑えることができ
た。この様にトラッキングを行いながら，さらに光磁気
記録層２７上に焦点が来るように自動焦点合わせをし，
光磁気層の初期化磁化の向きと反対の方向に磁場をかけ
ながらレーザ光を照射して記録した。消去は，記録と反
対の方向に磁場をかけながら連続光を照射して行った。
再生は，カー回転角の向きを差動検出法により反射光の
強弱に変換して検出して行った。ここでは，再生光レベ
ルを連続光１．０ｍＷ，記録レーザパワーを８ｍＷと
し，マーク長０．５μｍ，マークピッチ１μｍの信号と
マーク長１．８μｍ，マークピッチ３．６μｍをそれぞ
れ消去した後記録した。この時，前者の信号を記録した
場合，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比
５３．０ｄＢ再生信号出力が得られた。また，後者の信
号を記録した場合，測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬
送波対雑音比５８．０ｄＢの再生信号出力が得られた。
この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下までの書き換え可能
回数は１００万回以上であった。

【００５７】また，上記多層構造光情報媒体Ｌにおい
て，片面の再生専用情報面の数を２面または３面として
書き換え可能情報面よりも基板側に形成しても，全ての
再生専用情報面での情報をエラー無く再生でき，書き換
え可能情報面での書き換えも１０万回以上可能であっ
た。

【００５８】

【発明の効果】以上のように，本発明によれば，従来の
記録再生光学系を大きく変更することなく，かつ信頼性
よく安価に作製可能で，かつ十分な記録再生特性が得ら
れる，４層から８層構造の従来の４倍から８倍の大容量
を有する多層構造光情報媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例で用いた多層構造光情報
媒体Ｃの断面図。

【図２】本発明の第２の実施例で用いた多層構造光情報
媒体Ｆの断面図。

【図３】本発明の第３の実施例で用いた多層構造光情報
媒体Ｉの断面図。

【図４】本発明の第４の実施例で用いた多層構造光情報
媒体Ｌの断面図。

【符号の説明】

１，１’，７，１５，２４…基板、２，２’，８，１
０，１６，１８，２０，２５…半透明層、３，３’９，
１１，１７，１９，２１，２６…紫外線硬化樹脂層、
４，４’，１２，２２…反射層、５，５’，１３，２８
…保護層、６，１４，２３，２９…接着層、２７…記録
層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角田 義人 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内 (72)発明者 ▲高▼橋 正彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に複数の情報面を有し，上記複数の
   情報面のそれぞれに光ビームを収束させて情報を記録ま
   たは再生する光情報媒体において，該光情報媒体が，該
   基板の厚さが概略０．６ｍｍである相異なる２つの基板
   上に，それぞれ情報面を２面以上４面以下有し，該情報
   面間が該光ビームに透明な物質から形成され，かつ該相
   異なる２つの光情報媒体同士を，基板が外側に向くよう
   に，内側を接着剤層により貼り合わせた構造を有するこ
   とを特徴とする多層構造光情報媒体。
2. 【請求項２】前記情報面間の該光ビームに透明な物質の
   厚さが３０μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とす
   る請求項１記載の多層構造光情報媒体。
3. 【請求項３】前記基板上の情報面数が２面であり，該基
   板の厚さが０．５２ｍｍ以上０．６５ｍｍ以下であるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層構造
   光情報媒体。
4. 【請求項４】前記基板上の情報面数が３面であり，該基
   板の厚さが０．５２ｍｍ以上０．６２ｍｍ以下であるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層構造
   光情報媒体。
5. 【請求項５】前記基板上の情報面数が４面であり，該基
   板の厚さが０．５２ｍｍ以上０．５９ｍｍ以下であるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層構造
   光情報媒体。
6. 【請求項６】前記基板がポリカーボネートからなること
   を特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれかに記
   載の多層構造光情報媒体。
7. 【請求項７】前記光ビームに透明な物質が紫外線硬化樹
   脂からなることを特徴とする請求項１乃至請求項６のう
   ちいずれかに記載の多層構造光情報媒体。
8. 【請求項８】前記基板から各情報面に集光して測定した
   基板からの各情報面の反射率が１０％以上５０％以下で
   あることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうちいず
   れかに記載の多層構造光情報媒体。
9. 【請求項９】前記基板から各情報面に集光して測定した
   基板からの各情報面の反射率が２０％以内の差で等しい
   ことを特徴とする請求項８記載の多層構造光情報媒体。
10. 【請求項１０】前記基板と最も反対側の情報面のみが記
    録可能で，他の情報面が再生専用であることを特徴とす
    る請求項１乃至請求項９のうちいずれかに記載の多層構
    造光情報媒体。
11. 【請求項１１】前記基板と最も反対側の再生専用情報面
    のみに反射層を形成し，他の再生専用情報面には半透明
    層を形成したことを特徴とする請求項９記載の多層構造
    光情報媒体。
12. 【請求項１２】前記記録可能な情報面に相変化型記録層
    を形成し，他の再生専用情報面には半透明層を形成した
    ことを特徴とする請求項１０記載の多層構造光情報媒
    体。
13. 【請求項１３】前記記録可能な情報面に光磁気型記録層
    を形成し，他の再生専用の情報面には半透明層を形成し
    たことを特徴とする請求項１０記載の多層構造光情報媒
    体。
14. 【請求項１４】半透明層が誘電体または金属から，反射
    層が金属からなることを特徴とする請求項１１，１２，
    または１３記載の多層構造光情報媒体。
15. 【請求項１５】半透明層が硅素，硅素窒化物，硅素酸化
    物，ゲルマニウム，ゲルマニウム酸化物，ゲルマニウム
    窒化物，亜鉛硫化物，アルミニウム窒化物の内の少なく
    とも一者またはアルミニウム，アルミニウム合金，金，
    金合金，銀，銀合金，銅，銅合金の内の少なくとも一者
    からなることを特徴とする請求項１１，１２，または１
    ３記載の多層構造光情報媒体。
16. 【請求項１６】反射層がアルミニウム，アルミニウム合
    金，金，金合金，銀，銀合金，銅，銅合金の内の少なく
    とも一者からなることを特徴とする請求項１１，１２，
    または１３記載の多層構造光情報媒体。
17. 【請求項１７】接着剤としてホットメルト接着剤を用い
    たことを特徴とする請求項１乃至１６のうちいずれかに
    記載の多層構造光情報媒体。
18. 【請求項１８】接着剤層に気泡が混入しないようにして
    該相異なる２つの光情報媒体同士を貼り合わせたことを
    特徴とする請求項１乃至１６のうちいずれかに記載の多
    層構造光情報媒体。
19. 【請求項１９】接着剤として紫外線硬化樹脂を用いたこ
    とを特徴とする請求項１８記載の多層構造光情報媒体。
20. 【請求項２０】接着剤として反応性接着剤を用いたこと
    を特徴とする請求項１８記載の多層構造光情報媒体。